JPH09145442A - ダイヤモンド保護膜を有する電熱器およびその製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド保護膜を有する電熱器およびその製造方法Info
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- JPH09145442A JPH09145442A JP7302547A JP30254795A JPH09145442A JP H09145442 A JPH09145442 A JP H09145442A JP 7302547 A JP7302547 A JP 7302547A JP 30254795 A JP30254795 A JP 30254795A JP H09145442 A JPH09145442 A JP H09145442A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板上に形成された電熱器において、
熱伝導を迅速に行わせる。 【解決手段】 半導体基板１０上に酸化シリコン膜１１
と、ダイヤモンド膜１３と発熱体１５とを設けて電熱器
を構成し、この電熱器の上をダイヤモンド保護膜１６で
覆った。さらに、電熱器の下面に断熱空間１８を設ける
とともに、電熱器の下方に位置する酸化シリコン層１１
を除去した。
熱伝導を迅速に行わせる。 【解決手段】 半導体基板１０上に酸化シリコン膜１１
と、ダイヤモンド膜１３と発熱体１５とを設けて電熱器
を構成し、この電熱器の上をダイヤモンド保護膜１６で
覆った。さらに、電熱器の下面に断熱空間１８を設ける
とともに、電熱器の下方に位置する酸化シリコン層１１
を除去した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に形
成した電熱器およびその製造方法に関し、特に熱式流量
センサ、ガスセンサ等に適した電熱器およびその製造方
法に関する。さらに詳細には、これらセンサの電熱器保
護膜に関する。
成した電熱器およびその製造方法に関し、特に熱式流量
センサ、ガスセンサ等に適した電熱器およびその製造方
法に関する。さらに詳細には、これらセンサの電熱器保
護膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の機器内や管内の流体の流量を測定
するためのセンサとして、半導体微細加工技術を用いて
大量に生産される熱線を半導体基板上に搭載し、流体に
伝達される熱量から流体の流量を検出する半導体熱式流
量センサが用いられている。
するためのセンサとして、半導体微細加工技術を用いて
大量に生産される熱線を半導体基板上に搭載し、流体に
伝達される熱量から流体の流量を検出する半導体熱式流
量センサが用いられている。
【０００３】図３に従来の熱線（電熱器）を搭載した流
量センサの構造を示す。図３Ａは熱式流量センサの平面
図であり、図３Ｂは熱式流量センサの図３Ａに示したＢ
−Ｂ位置での縦断面図である。流量センサ２は、シリコ
ン基板２０の上に設けた酸化シリコンからなる下面保護
層２１と、この下面保護層２１上に形成された多結晶シ
リコン層と、この多結晶シリコン層をパターニング後エ
ッチングして形成された流量検知素子として働く熱線
（電熱器）２３と、電極パッド２４と、この電極パッド
に電気的に接触するコンタクトパッド２５とこれらの表
面を覆う酸化シリコンからなる上面保護層２６とから構
成され、熱線２３の下部には、熱線からの熱がシリコン
基板２０に逃げることを防ぐための断熱空間２７が、下
面保護層２１および上面保護層２６に設けたエッチング
ホール２８から異方性エッチングすることによって設け
られている。
量センサの構造を示す。図３Ａは熱式流量センサの平面
図であり、図３Ｂは熱式流量センサの図３Ａに示したＢ
−Ｂ位置での縦断面図である。流量センサ２は、シリコ
ン基板２０の上に設けた酸化シリコンからなる下面保護
層２１と、この下面保護層２１上に形成された多結晶シ
リコン層と、この多結晶シリコン層をパターニング後エ
ッチングして形成された流量検知素子として働く熱線
（電熱器）２３と、電極パッド２４と、この電極パッド
に電気的に接触するコンタクトパッド２５とこれらの表
面を覆う酸化シリコンからなる上面保護層２６とから構
成され、熱線２３の下部には、熱線からの熱がシリコン
基板２０に逃げることを防ぐための断熱空間２７が、下
面保護層２１および上面保護層２６に設けたエッチング
ホール２８から異方性エッチングすることによって設け
られている。
【０００４】このような、流量センサ２は、熱線２３を
覆う酸化シリコンからなる上面保護層２６の熱伝導率が
低いことから、熱線２３で発生した熱を直ちに上面保護
層２６の表面に伝えることができないので、流量の変化
に対する応答時間が長くなる傾向があり、また、このよ
うな流量センサをパルス駆動するときに、駆動パルスを
印加してからの表面の昇温までの時間が長くなってしま
う傾向があった。
覆う酸化シリコンからなる上面保護層２６の熱伝導率が
低いことから、熱線２３で発生した熱を直ちに上面保護
層２６の表面に伝えることができないので、流量の変化
に対する応答時間が長くなる傾向があり、また、このよ
うな流量センサをパルス駆動するときに、駆動パルスを
印加してからの表面の昇温までの時間が長くなってしま
う傾向があった。
【０００５】さらに、この構造の熱式流量センサ２は、
熱線２３の下部に熱容量の大きな酸化シリコンからなる
下面保護層２１を有しているので、熱線２３から発生し
た熱がこの下面保護層２１にこもるので、流体によって
センサ表面の熱が奪われても下面保護層２１にこもった
熱が供給される形態となってしまい迅速な応答の妨げに
なっていた。また、ガスセンサ等の電熱器も同様な欠点
を有していた。
熱線２３の下部に熱容量の大きな酸化シリコンからなる
下面保護層２１を有しているので、熱線２３から発生し
た熱がこの下面保護層２１にこもるので、流体によって
センサ表面の熱が奪われても下面保護層２１にこもった
熱が供給される形態となってしまい迅速な応答の妨げに
なっていた。また、ガスセンサ等の電熱器も同様な欠点
を有していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するもので、半導体熱式流量センサやガスセンサ
等に用いられる電熱器において、応答時間が短く、フッ
素等基板を腐蝕させる物質が存在する気体にも使用する
ことができる電熱器およびその製造方法を提供すること
を目的とする。さらに、本発明は、発熱体の上面および
下面に熱がこもらないようにした構造の半導体熱式流量
センサおよびガスセンサ等を提供することを目的とす
る。
を解決するもので、半導体熱式流量センサやガスセンサ
等に用いられる電熱器において、応答時間が短く、フッ
素等基板を腐蝕させる物質が存在する気体にも使用する
ことができる電熱器およびその製造方法を提供すること
を目的とする。さらに、本発明は、発熱体の上面および
下面に熱がこもらないようにした構造の半導体熱式流量
センサおよびガスセンサ等を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、電熱器の発熱体の表面をダイヤモンド保
護膜で覆った。
に、本発明は、電熱器の発熱体の表面をダイヤモンド保
護膜で覆った。
【０００８】また、本発明は、電熱器の発熱体をダイヤ
モンド膜で支持するようにして、発熱体の上下面の熱抵
抗を小さなものとし、熱のこもりを少なくして、迅速な
応答ができるようにした。
モンド膜で支持するようにして、発熱体の上下面の熱抵
抗を小さなものとし、熱のこもりを少なくして、迅速な
応答ができるようにした。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１を用いて本発明の実施の形態
を説明する。図１は、本発明の電熱器を示す断面図であ
る。電熱器１は、シリコン（Ｓｉ）などの半導体基板１
０の表面を酸化して形成した酸化シリコン（ＳｉＯ2）
からなる熱絶縁層１１と、該酸化シリコンと後に形成す
るダイヤモンド膜との密着性を高めるための窒化シリコ
ン（ＳｉＮx）からなるバッファ層１２と、該バッファ
層上に形成されたダイヤモンド保護膜１３と、該保護膜
１３上に設けた発熱体１５と、該発熱体１５上を被覆す
るダイヤモンド保護膜１６と、このダイヤモンド膜をエ
ッチングして設けた穴に設けられた金電極１７と、これ
らの膜１２，１３，１６や熱絶縁層１１を貫通する図示
を省略したエッチングホールを介してシリコン基板１０
をエッチングすることによって得られた熱絶縁空間１８
とから構成される。
を説明する。図１は、本発明の電熱器を示す断面図であ
る。電熱器１は、シリコン（Ｓｉ）などの半導体基板１
０の表面を酸化して形成した酸化シリコン（ＳｉＯ2）
からなる熱絶縁層１１と、該酸化シリコンと後に形成す
るダイヤモンド膜との密着性を高めるための窒化シリコ
ン（ＳｉＮx）からなるバッファ層１２と、該バッファ
層上に形成されたダイヤモンド保護膜１３と、該保護膜
１３上に設けた発熱体１５と、該発熱体１５上を被覆す
るダイヤモンド保護膜１６と、このダイヤモンド膜をエ
ッチングして設けた穴に設けられた金電極１７と、これ
らの膜１２，１３，１６や熱絶縁層１１を貫通する図示
を省略したエッチングホールを介してシリコン基板１０
をエッチングすることによって得られた熱絶縁空間１８
とから構成される。
【００１０】ダイヤモンド保護膜１３の下面のバッファ
層１２は、前記シリコン基板１０をエッチングした後に
除去することによって、ダイヤモンド保護膜１３が直接
熱絶縁空間１８に曝され熱のこもりを一層少なくするこ
とができる。
層１２は、前記シリコン基板１０をエッチングした後に
除去することによって、ダイヤモンド保護膜１３が直接
熱絶縁空間１８に曝され熱のこもりを一層少なくするこ
とができる。
【００１１】
【作用】以上の構成とすることによって、本発明の電熱
器は、発熱体の表面が高い熱伝導率を有するダイヤモン
ドで被覆保護されているので、迅速かつ効率良く表面に
熱伝達される。したがって、この電熱器を用いた熱式流
量センサやガスセンサは、応答時間を極めて短いものと
することができる。さらに、センサの表面を安定したダ
イヤモンドで覆っているので、フッ素などを含む腐蝕性
の気体に触れる状況下にあっても安定して使用すること
ができる。本発明で用いたＣＶＤ法により成膜されたダ
イヤモンドの熱伝導率は１０００Ｊ／（ｓＫｍ）以上で
あり、酸化シリコンの熱伝導率１．３Ｊ／（ｓＫｍ）の
３桁近く大きい値である。
器は、発熱体の表面が高い熱伝導率を有するダイヤモン
ドで被覆保護されているので、迅速かつ効率良く表面に
熱伝達される。したがって、この電熱器を用いた熱式流
量センサやガスセンサは、応答時間を極めて短いものと
することができる。さらに、センサの表面を安定したダ
イヤモンドで覆っているので、フッ素などを含む腐蝕性
の気体に触れる状況下にあっても安定して使用すること
ができる。本発明で用いたＣＶＤ法により成膜されたダ
イヤモンドの熱伝導率は１０００Ｊ／（ｓＫｍ）以上で
あり、酸化シリコンの熱伝導率１．３Ｊ／（ｓＫｍ）の
３桁近く大きい値である。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係る電熱器（半導体熱式流量
センサ）の製造過程の一実施例を図２を用いて説明す
る。まず、シリコン基板１０の表面を酸化雰囲気に曝し
て酸化シリコン層１１を形成する（図２Ａ）。この処理
条件は、処理方法：熱酸化、雰囲気ガス：Ｏ2，Ｈ2、流
量：各１リットル／ｍｉｎ、圧力：常圧、温度：１，０
００℃、処理時間：４００ｍｉｎ、成長膜厚：１μｍで
ある。次いで、酸化シリコン膜１１の上に窒化珪素膜か
らなるバッファ膜１２を形成する。このときの処理条件
は、処理方法：減圧ＣＶＤ法、雰囲気ガス：ＮＨ3；１
００ミリリットル／ｍｉｎ，ＳｉＨ2Ｃｌ2；２０ミリリ
ットル／ｍｉｎ、圧力：０．１８Ｔｏｒｒ、温度：８０
０℃、処理時間：１２．５ｍｉｎ、成長膜厚：０．０５
μｍである。さらに、この上にダイヤモンド保護膜１３
を成長させる。この処理条件は、処理方法：有磁場マイ
クロ波プラズマＣＶＤ法、雰囲気ガス：ＣＨ4／Ｏ2／Ｈ
2／Ａｒ＝７．５／７／３５．５／５０、流量：５００
ミリリットル／ｍｉｎ、圧力：０．１Ｔｏｒｒ、温度：
５４０℃、処理時間：１８０ｍｉｎ、マイクロ波パワ
ー：１．４ＫＷ、成長膜厚：０．３μｍである。最大２
Ｋガウスの磁場を印加し、基板はＥＣＲ条件を満たす磁
場強度８７５ガウスの位置に置き、基板には正バイアス
電圧＋３０Ｖを印加した。次に、ダイヤモンド保護膜１
３を所定のパターンへ加工する。この後、酸化シリコン
１１上に形成されたダイヤモンド層１３を電熱器形成領
域を残してエッチングする（図２Ｂ）。このときの処理
条件は、処理方法：反応性イオンエッチング、雰囲気ガ
ス：Ｏ2／Ａｒ＝１／９９、圧力：０．０２Ｔｏｒｒ、
印加高周波パワー：１００Ｗ、処理時間：２０ｍｉｎ、
マスク材料：ＳｉＯ2である。
センサ）の製造過程の一実施例を図２を用いて説明す
る。まず、シリコン基板１０の表面を酸化雰囲気に曝し
て酸化シリコン層１１を形成する（図２Ａ）。この処理
条件は、処理方法：熱酸化、雰囲気ガス：Ｏ2，Ｈ2、流
量：各１リットル／ｍｉｎ、圧力：常圧、温度：１，０
００℃、処理時間：４００ｍｉｎ、成長膜厚：１μｍで
ある。次いで、酸化シリコン膜１１の上に窒化珪素膜か
らなるバッファ膜１２を形成する。このときの処理条件
は、処理方法：減圧ＣＶＤ法、雰囲気ガス：ＮＨ3；１
００ミリリットル／ｍｉｎ，ＳｉＨ2Ｃｌ2；２０ミリリ
ットル／ｍｉｎ、圧力：０．１８Ｔｏｒｒ、温度：８０
０℃、処理時間：１２．５ｍｉｎ、成長膜厚：０．０５
μｍである。さらに、この上にダイヤモンド保護膜１３
を成長させる。この処理条件は、処理方法：有磁場マイ
クロ波プラズマＣＶＤ法、雰囲気ガス：ＣＨ4／Ｏ2／Ｈ
2／Ａｒ＝７．５／７／３５．５／５０、流量：５００
ミリリットル／ｍｉｎ、圧力：０．１Ｔｏｒｒ、温度：
５４０℃、処理時間：１８０ｍｉｎ、マイクロ波パワ
ー：１．４ＫＷ、成長膜厚：０．３μｍである。最大２
Ｋガウスの磁場を印加し、基板はＥＣＲ条件を満たす磁
場強度８７５ガウスの位置に置き、基板には正バイアス
電圧＋３０Ｖを印加した。次に、ダイヤモンド保護膜１
３を所定のパターンへ加工する。この後、酸化シリコン
１１上に形成されたダイヤモンド層１３を電熱器形成領
域を残してエッチングする（図２Ｂ）。このときの処理
条件は、処理方法：反応性イオンエッチング、雰囲気ガ
ス：Ｏ2／Ａｒ＝１／９９、圧力：０．０２Ｔｏｒｒ、
印加高周波パワー：１００Ｗ、処理時間：２０ｍｉｎ、
マスク材料：ＳｉＯ2である。
【００１３】次いで、この膜の上に電熱器の発熱体とな
る多結晶シリコン層１５を形成する。このときの処理条
件は、処理方法：減圧ＣＶＤ法、雰囲気ガス：Ｎ2／Ｓ
ｉＨ4＝３０／８、流量：３８０ミリリットル／ｍｉ
ｎ、圧力：０．３Ｔｏｒｒ、温度：６５０℃、処理時
間：１７０ｍｉｎ、成長膜厚：１μｍである。この後、
多結晶シリコン膜１５を発熱体および電極パッドなどの
パターン加工するためエッチングする（図２Ｃ）。この
ときの処理条件は、処理方法：反応性イオンエッチン
グ、雰囲気ガス：ＳＦ6、圧力：０．０３Ｔｏｒｒ、温
度：−５℃、処理時間：４ｍｉｎである。
る多結晶シリコン層１５を形成する。このときの処理条
件は、処理方法：減圧ＣＶＤ法、雰囲気ガス：Ｎ2／Ｓ
ｉＨ4＝３０／８、流量：３８０ミリリットル／ｍｉ
ｎ、圧力：０．３Ｔｏｒｒ、温度：６５０℃、処理時
間：１７０ｍｉｎ、成長膜厚：１μｍである。この後、
多結晶シリコン膜１５を発熱体および電極パッドなどの
パターン加工するためエッチングする（図２Ｃ）。この
ときの処理条件は、処理方法：反応性イオンエッチン
グ、雰囲気ガス：ＳＦ6、圧力：０．０３Ｔｏｒｒ、温
度：−５℃、処理時間：４ｍｉｎである。
【００１４】次に、この上に、ダイヤモンド保護膜１６
をダイヤモンド保護膜１３と同じ方法で形成した後、電
極を形成する貫通孔を設ける（図２Ｄ）。この処理条件
は、処理方法：反応性イオンエッチング、雰囲気ガス：
Ｏ2／Ａｒ＝１／９９、圧力：０．０２Ｔｏｒｒ、印加
高周波パワー：１００Ｗ、処理時間：２０ｍｉｎ、マス
ク材料：ＳｉＯ2である。この後、貫通孔に金電極１７
を形成する（図２Ｅ）。この処理条件は、処理方法：ス
パッタリング法、成長膜厚：０．４μｍである。
をダイヤモンド保護膜１３と同じ方法で形成した後、電
極を形成する貫通孔を設ける（図２Ｄ）。この処理条件
は、処理方法：反応性イオンエッチング、雰囲気ガス：
Ｏ2／Ａｒ＝１／９９、圧力：０．０２Ｔｏｒｒ、印加
高周波パワー：１００Ｗ、処理時間：２０ｍｉｎ、マス
ク材料：ＳｉＯ2である。この後、貫通孔に金電極１７
を形成する（図２Ｅ）。この処理条件は、処理方法：ス
パッタリング法、成長膜厚：０．４μｍである。
【００１５】次いで、酸化シリコン層１１，バッファ層
１２，ダイヤモンド層１３およびダイヤモンド保護層１
６を貫通する図示を省略したエッチングホールを発熱体
の両側に形成し、ここから発熱体の下方のシリコン基板
１０をエッチングして、断熱空間１８を形成する。この
ときの処理条件は、処理方法：異方性エッチング、エッ
チング液：ＴＭＡＨ、温度：７０℃、処理時間：５５０
ｍｉｎ、エッチング深さ：１００μｍである。さらに、
発熱体の下方にある酸化シリコン層１１をフッ酸を用い
て除去し、つづいてバッファ層１２を１８０℃に加熱し
たりん酸を用いて除去して図１に示す構造の電熱器（半
導体熱式流量センサ）１を構成する。
１２，ダイヤモンド層１３およびダイヤモンド保護層１
６を貫通する図示を省略したエッチングホールを発熱体
の両側に形成し、ここから発熱体の下方のシリコン基板
１０をエッチングして、断熱空間１８を形成する。この
ときの処理条件は、処理方法：異方性エッチング、エッ
チング液：ＴＭＡＨ、温度：７０℃、処理時間：５５０
ｍｉｎ、エッチング深さ：１００μｍである。さらに、
発熱体の下方にある酸化シリコン層１１をフッ酸を用い
て除去し、つづいてバッファ層１２を１８０℃に加熱し
たりん酸を用いて除去して図１に示す構造の電熱器（半
導体熱式流量センサ）１を構成する。
【００１６】以上の製造方法において、ダイヤモンド膜
の合成時に温度を６００℃以上とすると、ダイヤモンド
層と基材との熱膨張率との差によってダイヤモンド膜が
剥離しやすくなる。特に、ＳｉＯ2の基材の上にダイヤ
モンド膜を６００℃以上の温度で成膜すると、引っ張り
応力のためにダイヤモンド膜が破壊されてしまう。した
がって、ダイヤモンド膜の合成温度は６００℃以下であ
ることが必要である。さらに、ダイヤモンド膜の合成方
法として、有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いる
ことができる。以上のように、本発明によって、表面が
ダイヤモンド膜で覆われ、発熱体の上下部に酸化シリコ
ン層のない電熱器が得られる。
の合成時に温度を６００℃以上とすると、ダイヤモンド
層と基材との熱膨張率との差によってダイヤモンド膜が
剥離しやすくなる。特に、ＳｉＯ2の基材の上にダイヤ
モンド膜を６００℃以上の温度で成膜すると、引っ張り
応力のためにダイヤモンド膜が破壊されてしまう。した
がって、ダイヤモンド膜の合成温度は６００℃以下であ
ることが必要である。さらに、ダイヤモンド膜の合成方
法として、有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いる
ことができる。以上のように、本発明によって、表面が
ダイヤモンド膜で覆われ、発熱体の上下部に酸化シリコ
ン層のない電熱器が得られる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明は、熱式流量セン
サやガスセンサなどに用いられる電熱器において、表面
を安定で電気絶縁性を有しかつ熱伝導率の良いダイヤモ
ンドで覆った迅速に熱を伝えることができる電熱器を提
供することができる。また、ダイヤモンド層は、化学的
に安定な材質であるので、フッ素を含むような腐蝕性の
雰囲気中で使用しても寿命の長い電熱器を提供すること
ができる。さらに、本発明のダイヤモンド膜は、４００
〜５００℃の温度に耐えることができるので、高温の過
酷な条件下で使用できる電熱器を得ることができる。
サやガスセンサなどに用いられる電熱器において、表面
を安定で電気絶縁性を有しかつ熱伝導率の良いダイヤモ
ンドで覆った迅速に熱を伝えることができる電熱器を提
供することができる。また、ダイヤモンド層は、化学的
に安定な材質であるので、フッ素を含むような腐蝕性の
雰囲気中で使用しても寿命の長い電熱器を提供すること
ができる。さらに、本発明のダイヤモンド膜は、４００
〜５００℃の温度に耐えることができるので、高温の過
酷な条件下で使用できる電熱器を得ることができる。
【００１８】また、本発明に係る電熱器は、その下面に
熱伝導率の小さな酸化シリコン層が存在しないので、パ
ルス駆動するような場合にも迅速に昇温でき立上り時間
を短くすることのできる電熱器を提供することができ
る。
熱伝導率の小さな酸化シリコン層が存在しないので、パ
ルス駆動するような場合にも迅速に昇温でき立上り時間
を短くすることのできる電熱器を提供することができ
る。
【００１９】さらに本発明の電熱器を用いた熱式流量セ
ンサやガスセンサは、フッ素等腐蝕性物質が存在しかつ
／または高温であるような過酷な状況下で使用すること
ができ、応答が迅速かつ精度の高いセンサを構成するこ
とができる。
ンサやガスセンサは、フッ素等腐蝕性物質が存在しかつ
／または高温であるような過酷な状況下で使用すること
ができ、応答が迅速かつ精度の高いセンサを構成するこ
とができる。
【図１】本発明に係る電熱器の構成の概要を示す断面
図。
図。
【図２】本発明に係る電熱器の製造工程の概略を説明す
る工程図。
る工程図。
【図３】従来の流量センサの構成の概要を示す概念図。
１ 電熱器 ２ 熱式流量センサ １０ シリコン半導体基板 １１ 酸化シリコン層（熱絶縁層） １２ バッファ層（窒化シリコン） １３ ダイヤモンド層 １５ 発熱体 １６ ダイヤモンド保護膜 １７ 金電極 １８ 熱絶縁空間
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成した電熱器におい
て、発熱体をダイヤモンド保護膜で覆ったことを特徴と
するダイヤモンド保護膜を有する電熱器。 - 【請求項２】 発熱体の上面および下面にはダイヤモン
ド膜だけが設けられている請求項１記載のダイヤモンド
保護膜を有する電熱器。 - 【請求項３】 半導体基板と下方のダイヤモンド膜の間
に酸化シリコン層からなる熱絶縁層を設けた請求項１ま
たは請求項２記載のダイヤモンド保護膜を有する電熱
器。 - 【請求項４】 酸化シリコン層とダイヤモンド膜の間に
窒化シリコンの層を設けた請求項３記載のダイヤモンド
保護膜を有する電熱器。 - 【請求項５】 ダイヤモンド膜を有磁場マイクロ波プラ
ズマＣＶＤ法を用いて成膜したことを特徴とする請求項
１乃至請求項４のいずれか記載のダイヤモンド保護膜を
有する電熱器。 - 【請求項６】 半導体基板上に形成した電熱器を用いた
熱式流量センサにおいて、発熱体の表面をダイヤモンド
保護膜で覆ったことを特徴とするダイヤモンド保護膜を
有する熱式流量センサ。 - 【請求項７】 半導体基板上に形成した電熱器を用いた
ガスセンサにおいて、発熱体の表面をダイヤモンド保護
膜で覆ったことを特徴とするダイヤモンド保護膜を有す
るガスセンサ。 - 【請求項８】 発熱体の表面をダイヤモンドで覆ったダ
イヤモンド保護膜を有する電熱器の製造方法において、
発熱体上に基板温度６００℃以下でダイヤモンド膜を合
成することを特徴とするダイヤモンド保護膜を有する電
熱器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7302547A JPH09145442A (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | ダイヤモンド保護膜を有する電熱器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7302547A JPH09145442A (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | ダイヤモンド保護膜を有する電熱器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09145442A true JPH09145442A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17910288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7302547A Pending JPH09145442A (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | ダイヤモンド保護膜を有する電熱器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09145442A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002131106A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Hitachi Ltd | マイクロヒータならびに熱式空気流量計 |
| JP2017508976A (ja) * | 2014-03-25 | 2017-03-30 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッドＭｋｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | マイクロピラニ真空計 |
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1995
- 1995-11-21 JP JP7302547A patent/JPH09145442A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002131106A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Hitachi Ltd | マイクロヒータならびに熱式空気流量計 |
| JP2017508976A (ja) * | 2014-03-25 | 2017-03-30 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッドＭｋｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | マイクロピラニ真空計 |
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