KR980005782A - 반도체 소자의 산화막 식각방법 - Google Patents
반도체 소자의 산화막 식각방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 산화막 식각방법에 관한 것으로, 무수 HF 가스와 초순수 증기의 혼합상인 HF 증기를 이용한 식각방법에 있어서, 실험용 웨이퍼 상부에 산화막을 성장 또는 증착하고, 상기 산화막 표면에 초순수 방울을 접촉시켜 초순수 방울과가 상기 산화막 표면과의 접촉각을 측정하고, 상기 접촉각에 따라 HF 증기에 의한 상기 산화막의 식각률을 예측하며, 예측된 산화막 식각률을 기준으로하여 동일 조건하에서 공정 웨이퍼상에서 산화막 식각공정을 진행함으로써 별도의 세정공정이나 다단계 식각공정 없이도 원하는 두께를 정확히 식각할 수 있어 수율향상 및 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도와 제2b도는 본 발명의 기술에 따라 산화막 표면상태에 따른 산화막 식각률을 예측하기 위해 산화막 표면에 부착되는 추순수 방울의 접촉각을 도시한 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자 제조공정 중 산화박 식각방법에 있어서, 실험용 웨이퍼 상부에 산화막을 성장 또는 증착하는 단계와, 상기 산화막 표면에 초순수 방울을 접촉시키는 단계와, 상기 초순수 방울과 상기 산화막 표면과의 접촉각을 측정하는 단계와, 상기 접촉각에 따라 식각물질에 의한 상기 산화막의 식각률을 예측하는단계와, 상기 예측된 산화막 식각률을 기준으로하여 동일 조건하에서 공정 웨이퍼상에서 산화막 식각공정을 진행하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 식각공정.
- 제1항에 있어서, 상기 사노하막 식각물질을 무수 HF 가스와 초순수 증기의 훈합상인 HF 증기인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화하막 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막 표면에 접촉되는 초순수 방울의 접촉각과 산화막의 식각률과의 관계식을 설정하여 산화막의 식각률을 예측하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 식각방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023241A KR980005782A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 산화막 식각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023241A KR980005782A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 산화막 식각방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005782A true KR980005782A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023241A KR980005782A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 산화막 식각방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005782A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100484702B1 (ko) * | 1997-03-10 | 2005-06-16 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기전기발광소자의제조방법 |
-
1996
- 1996-06-24 KR KR1019960023241A patent/KR980005782A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100484702B1 (ko) * | 1997-03-10 | 2005-06-16 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기전기발광소자의제조방법 |
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