JPH09312308A - 半導体装置の製造方法及びその製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法及びその製造装置

Info

Publication number
JPH09312308A
JPH09312308A JP12601596A JP12601596A JPH09312308A JP H09312308 A JPH09312308 A JP H09312308A JP 12601596 A JP12601596 A JP 12601596A JP 12601596 A JP12601596 A JP 12601596A JP H09312308 A JPH09312308 A JP H09312308A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ejector pin
semiconductor device
product
mold
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP12601596A
Other languages
English (en)
Inventor
Masataka Sakiura
正隆 崎浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP12601596A priority Critical patent/JPH09312308A/ja
Publication of JPH09312308A publication Critical patent/JPH09312308A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/46—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould
    • B29C45/56—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould using mould parts movable during or after injection, e.g. injection-compression moulding
    • B29C45/568—Applying vibrations to the mould parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/46—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould
    • B29C45/56—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould using mould parts movable during or after injection, e.g. injection-compression moulding
    • B29C45/568—Applying vibrations to the mould parts
    • B29C2045/5685—Applying vibrations to the mould parts for eliminating internal voids in the moulding material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製品のキャビティ内部に気泡が留まり易い箇
所に超音波振動装置を選択的に配置し、封止樹脂の未充
填、ボイドを的確になくすことができる半導体装置の製
造方法及びその製造装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置の樹脂封止工程において、モ
ールド装置の選択されたエジェクタピン２に振動手段を
付加し、上型３、下型４内部を流動する樹脂に、前記エ
ジェクタピン２より超音波振動を与え、樹脂封止時の気
泡や未充填を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法及びその製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を樹脂封止する際に
は、金型内において溶融樹脂を流動させ、キャビティ内
に充填させることによってパッケージを成型する。この
時にキャビティ内部に残存している樹脂は金型に形成さ
れたエアーベンド部を用いて外部へ排出するようにして
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体パッケージの製造方法では、パッケージ
の小型化、薄型化に伴い、樹脂の流動量が相対的に小さ
くなると、キャビティ内部に気泡が留まり易くなり、未
充填、ボイドなどの不良の原因となる可能性が高くなる
問題点があった。
【０００４】特に、リードフレーム上において、エアー
ベント部付近の製品には未充填が起きやすく、そのエア
ーベント部付近の製品のキャビティ内部に気泡が留まり
易くなり、未充填、ボイドをなくすために選択的に対応
する必要があった。本発明は、上記問題点を除去し、製
品のキャビティ内部の気泡が留まり易い箇所に超音波振
動装置を選択的に配置し、封止樹脂の未充填、ボイドを
的確になくすことができる半導体装置の製造方法及びそ
の製造装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体装置の樹脂封止工程において、モールド装
置の選択されたエジェクタピンに振動手段を付加し、金
型内部を流動する樹脂に、前記エジェクタピンより超音
波振動を与え、樹脂封止時の気泡や未充填を除去するよ
うにしたものである。
【０００６】〔２〕上記〔１〕記載の半導体装置の製造
方法において、前記振動手段は、エジェクタピンとエジ
ェクタピン支持台を一体化した超音波振動子に外部より
振動パルスを印加するようにしたものである。 〔３〕上記〔１〕記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記振動手段は、エジェクタピンとエジェクタピン
支持台と、このエジェクタピン支持台の下側に配置した
超音波振動子としてのバネを配置し、この超音波振動子
に外部より振動パルスを印加するようにしたものであ
る。
【０００７】〔４〕上記〔１〕記載の半導体装置の製造
方法において、前記振動手段は、エジェクタピンの周囲
に環状振動子を配置し、この環状振動子に外部より振動
パルスを印加するようにしたものである。 〔５〕半導体装置の製造装置において、エジェクタピン
とエジェクタピン支持台を一体化した超音波振動子を配
置するとともに、外部より振動パルスを印加可能にして
なる金型を設けるようにしたものである。
【０００８】〔６〕半導体装置の製造装置において、エ
ジェクタピンとエジェクタピン支持台を一体化した部品
の下側に超音波振動子としてのバネを配置し、この超音
波振動子に外部より振動パルスを印加可能にしたもので
ある。 〔７〕半導体装置の製造装置において、エジェクタピン
の周囲に環状振動子を配置し、この環状振動子に外部よ
り振動パルスを印加可能にしてなる金型を設けるように
したものである。
【０００９】〔８〕半導体装置の製造装置において、先
端を分割し、ここに作製して組み立て時に合体させる金
型のエジェクタピンを設けるようにしたものである。
〔９〕半導体装置の製造装置において、先端に中空部を
設け、製品の離型時に前記中空部に圧力をかけないよう
にした金型のエジェクタピンを設けるようにしたもので
ある。
【００１０】〔１０〕半導体装置の製造装置において、
先端の一部に製品の外形に沿った形状を作り、ゲートま
たはランナ部などの、気泡や未充填の発生し易い箇所と
ほぼ同一の形状を有する金型のエジェクタピンを設ける
ようにしたものである。 〔１１〕半導体装置の製造装置において、先端を、製品
の中心と、製品の鋭角部を結ぶ直線に一致または隣接す
るような形状にした金型のエジェクタピンを設けるよう
にしたものである。
【００１１】〔１２〕半導体装置の製造装置において、
先端を、製品の端面の形状と相似または一致するような
形状にした金型のエジェクタピンを設けるようにしたも
のである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
実施例を示す半導体装置の樹脂封止のための装置を示す
断面図である。この図に示すように、従来のモールド時
の金型の内部構成を一部変更し、エジェクタピン２をエ
ジェクタホルダー５と一体化させ、その一体化された部
品を超音波振動子とする。すなわち、その超音波振動子
（部品）に発振電源９を配線７により接続する。
【００１３】具体的には、この一体となった部品に発振
電源９からパルスを印加して、エジェクタピン２を振動
させて、モールド成形中に金型内部を流動する樹脂に超
音波振動を与えることによって、内部の気泡を除去す
る。なお、図１において、１は製品（樹脂封止型半導体
装置）、３は上型、４は下型、６はバネ、８はエジェク
タプレートである。
【００１４】超音波振動を確実に伝達するため、エジェ
クタピン２をエジェクタホルダー５と一体化させる。そ
の一体化方法としては、最初からエジェクタピン２とエ
ジェクタホルダー５が一体となっている部品を鋳造する
か、または、エジェクタピン２とエジェクタホルダー５
を別々に作製し、両者を溶接させるなどの方法がある
が、一体となった部品であれば、その一体化の方法は特
に限定しない。
【００１５】半導体素子の樹脂封止工程において、樹脂
流動時の乱流によって起こる気泡や、化学反応によって
発生するガスのために、樹脂封止型半導体装置１内に空
洞が残存するのを防ぐため、上記したように成型時にエ
ジェクタピン２を媒体として超音波振動を与えることに
よって、かかる気泡や残存する空洞を除去することがで
きる。
【００１６】図２は本発明の実施例を示す半導体装置の
樹脂封止装置の構成平面図である。図２に示すように、
この実施例では、樹脂が溶融したカル部１０から溶融樹
脂がランナ部１１を介してゲート部１２に至り、第１の
製品１３へ溶融した樹脂が流れ込む。更に、スルーゲー
ト１４を介して第２の製品１５へ、次に、第３の製品１
６へ溶融した樹脂が流れ込み、エアーベント１７から外
部へ排出されるように構成されたトランスファーモール
ドの形態である。
【００１７】本発明の超音波振動装置は、エアーベント
１７に近い第３の製品１６の箇所に選択的に配置するの
が望ましい。それは、特に、エアーベント１７に近い第
３の製品１６の樹脂封止工程において、製品内部に発生
する気泡は、溶融した樹脂が金型内部に流れ込む間に生
じる乱流によって、巻き込まれる可能性がより高いの
で、流動の開始時点から超音波振動を与える必要があ
る。なお、１８はリードフレームである。
【００１８】また、成型中の化学反応によって発生する
ガスによっても気泡残存の可能性があるため、超音波振
動は樹脂が完全に硬化するまで継続して与える。成形終
了後の動作は、従来の金型と同様に、上型３と下型４が
分離後、下型４におけるエジェクタピン２とエジェクタ
ホルダー５がエジェクタプレート８をモールドプレスの
機構により持ち上げることにより、樹脂封止型半導体装
置（パッケージ）１が下型表面から押し出され、離型を
達成する。
【００１９】金型内部における振動系の配線において
は、基本的にエジェクタピン２が上下動を行うために金
型内部に確保されている空間を用いる。この間隙を用い
ることによって、本発明を実現させる時に特別に配線用
の溝や空間を加工する必要がないので、エジェクタピン
２及びエジェクタホルダー５の作製以外は、特に追加工
をする必要はない。
【００２０】このように、第１実施例によれば、製品の
モールド工程時に起こり易い気泡を大幅に減少させるこ
とが可能になり、製品の歩留まり向上により加工費が減
少できるため、製造コストの大幅な削減が可能となる。
また、超音波振動により製品内の気泡などの空間が一掃
されるため、均一、かつ緻密な樹脂封止が可能になるた
め、製品の耐湿性が向上し、信頼性の大幅な向上が期待
される。
【００２１】また、本発明は、特に、トランスファーモ
ールドの形態に選択的に配置するのが好適である。すな
わち、図２に示したトランスファーモールドなどの一個
のカルから樹脂を分岐させて複数の製品を作成する形態
の時に、全製品に樹脂を均一に流動させることが可能と
なる（エジェクタプレート全体が振動するため、製品だ
けでなく、カル部やランナ部の流動性も良くなる）。そ
のため、型全体のモールド条件を設定するのが難しいト
ランスファーモールドの際に、最適条件の設定が簡単に
なる。
【００２２】また、エジェクタピン２とエジェクタホル
ダー５の部品が一体化しており、部品の点数が大幅に減
少するため、金型のメンテナンスが容易になり、金型の
保守点検作業が簡単になり、作業効率の向上が期待でき
る。次に、本発明の第２実施例について説明する。図３
は本発明の第２実施例を示す半導体装置の樹脂封止のた
めの装置を示す断面図である。
【００２３】この図に示すように、従来のモールド時の
金型の内部構成を一部変更し、エジェクタピン２２をエ
ジェクタホルダー２５と一体化させ、その一体化された
部品の下側に振動系としてのバネ２６（超音波振動子）
を配置し、このバネ２６に配線２７により発振電源２９
を接続して、バネ２６に超音波振動を発生させる。この
超音波振動がエジェクタホルダー２５−エジェクタピン
２２と伝搬されて、超音波振動が製品２１に与えられ
る。
【００２４】この実施例の動作について説明する。モー
ルド成型時には、まず上型２３、下型２４間にリードフ
レームがセットされる。その後で上型２３、下型２４内
部に溶融した樹脂が流れ込む。製品内部に発生する気泡
は、溶融した樹脂が金型内部に流れ込む間に生じる乱流
により、気泡が巻き込まれる可能性が高いので流動の開
始時点から超音波振動を与える。
【００２５】また、成型中の化学反応によって発生する
ガスのために気泡が残存する可能性があるため、超音波
振動は樹脂が完全に硬化するまで与え続ける。成形終了
後の動作は、従来の金型と同様に、上型２３と下型２４
が分離後、下型２４におけるエジェクタピン２２とエジ
ェクタホルダー２５が、エジェクタプレート２８をモー
ルドプレスの機構により持ち上げることにより、製品２
１が下型２４から持ち上げられ離型を達成する。
【００２６】このように構成したので、第２実施例によ
れば、モールド工程時に起こり易い気泡を大幅に減少さ
せることが可能になり、不良数減少により生産歩留まり
が向上し、加工費が削減されることによる製造コストの
大幅な削減が可能となる。次に、本発明の第３実施例に
ついて説明する。図４は本発明の第３実施例を示す半導
体装置の樹脂封止のための装置を示す断面図、図５は図
４のＡ部拡大斜視図である。
【００２７】これらの図に示すように、従来のモールド
時の金型の内部構成を一部変更し、エジェクタピン３２
をエジェクタホルダー３５と一体化させ、その一体化さ
れた部品の下側にはバネ３６を介してエジェクタプレー
ト３８を配置する。図５に示すように、エジェクタピン
３２は、小径部３２ａと径大部３２ｂからなり、エジェ
クタピン３２の小径部３２ａの周囲に環状振動子３７を
設置し、この環状振動子３７に配線３９により発振電源
４０が接続されている。
【００２８】したがって、環状振動子３７の振動によ
り、エジェクタピン３２を介して製品３１に超音波振動
が与えられ、製品３１内部に残留し易い気泡を除去する
ことができる。環状振動子３７は従来の金型のエジェク
タピン付近の構造を大幅に変更することなく、エジェク
タピンの上下動に特に影響を与えない規模でなければな
らない。そのため、環状振動子３７はエジェクタピン３
２の小径部３２ａの高さよりも低く、エジェクタピン３
２の径大部３２ｂの上面に一致する形状であることが必
要である。下型３４内部の配線３９は各エジェクタピン
３２毎に並列に行うため、複雑になり易く、一定の空間
が必要になる。そこで、下型３４とエジェクタホルダー
３５との間に配線３９を行う。
【００２９】この実施例の動作について説明する。モー
ルド成形時には、まず上型３３、下型３４にフレームが
セットされる。その後で、上型３３、下型３４内部に溶
融した樹脂が流れ込む間に生じる乱流により、気泡が巻
き込まれる可能性が高いので、流動の開始時点から超音
波振動を与える。
【００３０】また、成形中の化学反応によって発生する
ガスのために気泡が残存する可能性があるため、超音波
振動は樹脂が完全に硬化するまで与え続ける。成形終了
後の動作は、従来の金型と同様に上型３３と下型３４が
分離後、下型３４におけるエジェクタピン３２とエジェ
クタピンホルダー３５が、エジェクタプレート３８をモ
ールドプレスの機構により持ち上げることにより、製品
３１が下型３４から持ち上げられ離型を達成する。
【００３１】このように第３実施例によれば、製品のモ
ールド工程時に起こり易い気泡を大幅に減少させること
ができるので、製品の歩留まり向上による加工費の削減
が可能になり、製品の製造コストの大幅な削減が可能と
なる。また、超音波振動により製品内の気泡などの空間
が一掃されるので、均一かつ緻密な樹脂封止が可能にな
るため、製品の耐湿性が向上し、信頼性の大幅な向上が
期待される。
【００３２】更に、振動系が一つでなく、個々のエジェ
クタピンに独立して超音波振動が与えられるため、気泡
や未充填が起き易い箇所の製品に特定して超音波振動を
与え、不良の発生を未然に防ぐことができる。また、モ
ールドプレスの形態がトランスファーモールドの場合
は、大量の製品を同時に一つのタブレットでモールドす
るため、樹脂溶融部から遠い製品と近い製品とでは樹脂
の流量が違うので、全ての製品に共通のモールド条件を
設定するのは非常に難しいが、この実施例によれば、超
音波振動により樹脂の流れが整い、安定した充填ができ
るため、成形条件におけるマージンが広がり、工程設定
が容易になる。
【００３３】次に、本発明の第４実施例について説明す
る。図６は本発明の第４実施例を示す半導体装置の樹脂
封止のための装置を示す断面図である。この図に示すよ
うに、従来のモールド時の金型の内部構成を一部変更
し、エジェクタピン４２が取り付けられるエジェクタホ
ルダー４５を設け、その下側にはバネ４６を介してエジ
ェクタプレート４８を配置する。
【００３４】この実施例では、エジェクタピン４２を収
納するエジェクタホルダー４５に配線４７を行い、エジ
ェクタホルダー４５のみを振動子とする。この振動子に
発振電源４９からパルスを印加し、エジェクタピン４２
を介して、超音波振動を製品４１に与え、製品４１内に
残留し易い気泡を超音波振動により除去するようにす
る。
【００３５】エジェクタホルダー４５は、従来、工程で
使用していたものをそのまま流用しても良く、また、同
じ形状をしたもので材質を変更しても構わない。但し、
エジェクタピン４２との接続部などの部分は従来の形態
を維持し、特に追加工を行わないことを基本とする。こ
の実施例の動作について説明する。
【００３６】モールド成形時には、まず上型４３、下型
４４にフレームがセットされる。その後、金型内部に溶
融した樹脂が流れ込む間に生じる乱流により、気泡が巻
き込まれる可能性が高いので、流動の開始時点からエジ
ェクタホルダー４５へ超音波振動を与える。また、成形
中の化学反応によって発生するガスのために気泡が残存
する可能性があるため、超音波振動は樹脂が完全に硬化
するまで与え続ける。
【００３７】成形終了後の動作は、従来の金型と同様に
上型４３と下型４４が分離後、下型４４におけるエジェ
クタピン４２とエジェクタホルダー４５が、エジェクタ
プレート４８をモールドプレスの機構により持ち上げる
ことにより、製品４１が下型４４から持ち上げられ、離
型を達成する。このように、第４実施例によれば、製品
のモールド工程時に起こり易い気泡を大幅に減少できる
ので、製品の歩留まり向上による加工費の削減が可能に
なる。
【００３８】また、超音波振動により製品内の気泡など
の空間が一掃されるので、均一かつ緻密な樹脂封止が可
能になるため、製品の耐湿性が向上し、信頼性の大幅な
向上が期待される。次に、本発明の第５実施例について
説明する。図７は本発明の第５実施例を示す半導体装置
の樹脂封止のための装置を示す断面図、図８は図７のＢ
部拡大断面図である。
【００３９】これらの図に示すように、従来のモールド
時の金型の内部構成を一部変更し、エジェクタピン５２
が取り付けられるエジェクタホルダー５５を設け、その
下側にはバネ５６を介してエジェクタプレート５８を配
置する。特に、この実施例においては、半導体の樹脂封
止工程において、エジェクタピン５２の周囲に環状振動
子５７を設置し、発振電源６０からパルスを印加して、
前記エジェクタピン５２を介して製品５１に超音波振動
を与え、製品５１内部に残留し易い気泡を消滅させるよ
うにする。その場合、図８に示すように、環状振動子５
７は下型５４内部におけるエジェクタピン５２とエジェ
クタホルダー５５との間に取り付ける。各エジェクタピ
ン５２毎に同様の配線５９を行い、全ての製品５１に並
列に超音波振動が伝達されるように配線する。
【００４０】ここで、エジェクタピン５２は小径部５２
ａと大径部５２ｂを有しており、環状振動子５７はエジ
ェクタピン５２の大径部５２ｂと比較して、圧倒的に大
きい形状にしている。このような形状にすることによっ
て、エジェクタピン５２の上面だけでなく、下型５４の
エジェクタピン５２の周辺部に対しても同様に直接超音
波振動を与えることができるようになるため、製品５１
の水平部分の面積がエジェクタピン５２の面積に対して
圧倒的に大きい場合に気泡の除去が容易になる。
【００４１】並立する同じエジェクタピン５２の環状振
動子５７同士において、互いに接触することがなけれ
ば、前記環状振動子５７の大きさは特に制限はつけな
い。但し、エジェクタピン５２の小径部５２ａの高さよ
り低く、エジェクタピン５２の上下動に影響のない程度
の厚みであることを必要とする。下型５４内部の配線５
９は各エジェクタピン５２毎に並列に行うため、複雑に
なり易く、一定の空間が必要になる。そこで下型５４と
エジェクタホルダー５５との間に配線を行う。
【００４２】この実施例の動作について説明する。モー
ルド成形時には、まず上型５３、下型５４にフレームが
セットされる。その後で、上型５３、下型５４内部に溶
融した樹脂が流れ込む間に生じる乱流により、気泡が巻
き込まれる可能性が高いので、流動の開始時点から超音
波振動を与える。また、成形中の化学反応によって発生
するガスのために気泡が残存する可能性があるため、超
音波振動は樹脂が完全に硬化するまで与え続ける。
【００４３】成形終了後の動作は、従来の金型と同様に
上型５３と下型５４が分離後、下型５４におけるエジェ
クタピン５２とエジェクタホルダー５５が、エジェクタ
プレート５８をモールドプレスの機構により持ち上げる
ことにより、製品５１が下型５４から持ち上げられ、離
型を達成する。このように第５実施例によれば、製品の
モールド工程時に起こり易い気泡を大幅に減少できるた
め、製品の歩留まり向上による加工費の削減が可能にな
り、製品の製造コストの大幅な削減が可能になる。
【００４４】また、超音波振動により製品内の気泡など
の空間が一掃されるので、均一かつ緻密な樹脂封止が可
能になるため、製品の耐湿性が向上し、信頼性の大幅な
向上が期待される。更に、振動系が一つでなく、個々の
エジェクタピンが独立して超音波振動を与えられるた
め、気泡や未充填が起き易い箇所の製品に特定して超音
波振動を与え、不良の発生を未然に防ぐことができる。
【００４５】また、モールドプレスの形態がトランスフ
ァーモールドである場合は、大量の製品を同時に一つの
タブレットでモールドするため、樹脂溶融部から遠い製
品と近い製品とでは樹脂の流量が違うので、全ての製品
に共通のモールド条件を設定するのが非常に難しいが、
本実施例の手法を用いれば、超音波振動により樹脂の流
れが整い、安定した充填ができるため、成形条件におけ
るマージンが広がり、工程設定が容易になる。
【００４６】そして製品５１がエジェクタピン５２に対
して、圧倒的に大きく、エジェクタピンのみを振動源と
するだけでは気泡を完全に消滅することが難しい場合で
も、本実施例を適用することによって、製品全体に一様
な超音波振動を与えることが可能になる。以下、本発明
の半導体装置の製造装置の構造について説明する。
【００４７】図９は上記した第１〜５実施例を実際に適
用した時に用いる第１の金型内部のエジェクタピンの構
造を示す図である。上記した第１〜５実施例においては
製品１，２１，３１，４１，５１のモールド成形中にエ
ジェクタピン２，２２，３２，４２，５２を介して超音
波振動を伝達し、製品１，２１，３１，４１，５１内部
に存在する気泡やガスの除去を目的としたものである
が、製品１，２１，３１，４１，５１内部の気泡を確実
に除去するため、対象となる製品の気泡の発生状況に適
切に対応したエジェクタピン２，２２，３２，４２，５
２の構造を提供する。
【００４８】そこで、図９（ａ）におけるエジェクタピ
ン６２の形状はエジェクタピン６２の先端を分割し、個
々の部分に独立した配線を行い、超音波振動を与えるよ
うにしたものである。半導体装置の樹脂封止工程におい
て、製品内の気泡の発生し易い箇所が事前に実験結果な
どで分かっている場合、その箇所に集中的に超音波振動
を与え、気泡を除去することができる。
【００４９】本実施例は、不規則な気泡の発生位置に対
応するため、図９（ａ）に示すように製品６１に対し比
較的大きめなエジェクタピン６２を設定し、前記エジェ
クタピンを４分割してそれらを独立させる方法、また
は、図９（ｂ）に示すように、製品７１に対し複数のエ
ジェクタピン７２の一部を分割し、その内側または外側
の領域のみに超音波振動を与えるなどの例が考えられ
る。
【００５０】以上、詳細に説明した通り、この構造の実
施例によれば、製品に超音波振動を与える際に特定の箇
所に自由に与えることができるため、対象となる製品の
形態に変更が生じ、チップの寸法が変わったり、樹脂の
流動性が変わることによって、気泡の発生位置が従来の
箇所から移動した時でも、特に改修を行わずに対応する
ことができる。
【００５１】また、大型のエジェクタピンを製品の離型
時に採用するとき、前記エジェクタピンを一体型でな
く、分割して作ることができるので、精度が出し易く、
反りや変形の起こり難い部品を作ることができる。図１
０は第１〜５実施例を実際に適用したときに用いる第２
の金型内部のエジェクタピンの構造を示す図である。
【００５２】上記した前記第１〜５実施例は製品８１の
モールド成形中にエジェクタピン８２を介して超音波振
動を伝達し、製品８１内部に存在する気泡やガスの除去
を行うようにしたものであるが、製品８１内部の気泡を
確実に除去するため、対象となる製品８１の気泡の発生
状況に適切に対応したエジェクタピン８２の構造を提供
する。
【００５３】図１０におけるエジェクタピン８２の形状
は、エジェクタピン８２の先端を円環状にしておき、中
空部を設けるようにしたものである。エジェクタピン８
２の構造を、図１０に示すような形状にすることによ
り、製品８１中央部にチップ８３とエジェクタピン８２
が重なっており、チップ８３に直接振動を伝えたくない
ときなどに効果がある。本実施例は、製品８１内に振動
を与えたくない領域を回避していれば、円環状のエジェ
クタピン８２の形状には特に制限をつけない。また、設
計上、チップ８３とエジェクタピン８２の位置がどうし
ても一致しなければならないときの対策とするため、前
記エジェクタピン８２の位置は製品中央部でなくてもよ
く、特に制限はつけない。
【００５４】このように、この実施例によれば、超音波
振動を与える際に、製品に直接振動を与える心配がない
ので、安定した信頼性が確保できる。また、薄型パッケ
ージに採用する際に、エジェクタピン付近の薄い部分に
与える振動を軽減できるため、信頼性確保に効果があ
る。図１１は第１〜５実施例を実際に適用したときに用
いる第３の金型内部のエジェクタピンの構造を示す図で
ある。
【００５５】前記第１〜５実施例は製品のモールド成形
中にエジェクタピンを介して超音波振動を伝達し、製品
内部に存在する気泡やガスの除去を目的としたものであ
るが、製品内部の気泡を確実に除去するため、対象とな
る製品の気泡の発生状況に適切に対応したエジェクタピ
ン構造を提供する。エジェクタピン９２の形状は、通常
円形が主流であるが、本実施例では製品９１のゲート９
３またはエアーベント９４付近の気泡を確実に除去する
ため、図１１に示すように、前記ゲート９３またはエア
ーベント９４付近のエジェクタピン９２において、先端
の一部を矩形にする。この矩形部９２ａは、ゲート９３
またはエアーベント９４部が存在する箇所（主にコーナ
ー部）とほぼ相似形になるような矩形部とし、それ以外
の部分は従来のエジェクタピンの形状と同様で差し支え
ない。
【００５６】エジェクタピン９２の先端形状は、気泡が
最も起こり易いと思われる箇所に設置することを目的と
するため、前記設置箇所の他に、特定の箇所に追加して
もよく、離型時のバランスを考慮して、製品９１全体に
対して、点対称もしくは線対称の位置に設置してもよ
い。このように、この実施例によれば、未充填が発生し
易いと思われるゲート９３または、エアーベント９４付
近に集中的に超音波振動を与えられるため、製品９１の
気泡や未充填対策として、ゲート９３またはエアーベン
ト９４部の寸法を広げたりする大幅な改修を行わなくと
も、一部のエジェクタピンの変更のみで目的が達成され
るので改修費用の削減に効果がある。
【００５７】図１２は第１〜５実施例を実際に適用した
ときに用いる第４の金型内部のエジェクタピンの構造を
示す図である。前記第１〜５実施例を実際に適用した時
に用いる金型内部のエジェクタピン１０２の構造を示し
たものである。前記第１〜５実施例は製品１０１のモー
ルド成形中にエジェクタピン１０２を介して超音波振動
を伝達し、製品１０１内部に存在する気泡やガスの除去
を行うようにしたものであるが、製品１０１の内部の気
泡を確実に除去するため、対象となる製品１０１の気泡
の発生状況に適切に対応したエジェクタピン１０２の構
造を提供する。
【００５８】そこで、図１２におけるエジェクタピン１
０２の形状は、基本的に製品１０１の対角線に沿って伸
びている長方形の形状とすることを特徴とする。エジェ
クタピン１０２の形状を選択することによって、超音波
の振動が、樹脂が流れ難いと思われる製品１０１のコー
ナー部に行き渡るようにすることができる。
【００５９】エジェクタピン１０２の設置位置は、その
先端部が製品１０１のコーナー部に位置することを達成
すれば、その長さ及び本数は特に制限をつけない。ま
た、本実施例は主に長方形のパッケージを想定したもの
であるが、多角形または、樹脂が流れ難いコーナー部を
持つ製品においても、同様に適用が可能である。
【００６０】このように、この実施例によれば、成型時
に樹脂が回り込みにくいコーナー部にも、安定して流動
させることができるため、製品の気泡、未充填の発生を
減少させることができ、歩留まり向上に効果がある。ま
た、製品の離型時においても、対角線上に沿って、製品
を押し上げるため、不良の起こり易い安定した離型が可
能となり、製品の信頼性が向上する。
【００６１】図１３は第１〜５実施例を実際に適用した
ときに用いる第５の金型内部のエジェクタピンの構造を
示す図である。前記第１〜５実施例は製品１１１のモー
ルド成形中にエジェクタピン１１２を介して超音波振動
を伝達し、製品１１１内部に存在する気泡やガスの除去
を行うようにしたものであるが、製品１１１内部の気泡
を確実に除去するため、対象となる製品１１１の気泡の
発生状況に適切に対応したエジェクタピン１１２の構造
を提供する。
【００６２】パッケージが小型化、薄型化するに伴い、
製品が実際に成形されるキャビティ内部では樹脂の流れ
る領域も微小化をせまられている。特に上型から下型へ
製品が流れ込むパッケージの端面では、樹脂の流れる幅
が狭く、乱流の発生によって気泡や未充填が起こり易
い。そこで本実施例では、図１３に示すように、パッケ
ージの端面付近に長方形のエジェクタピン１１２を配列
し、製品１１１の端面部に集中して超音波振動を伝達
し、製品１１１内部に存在する気泡やガスの除去を達成
する。この時のエジェクタピン１１２の形状は、図１３
に示すように、基本的に、製品の端面部を取り囲み、確
実に超音波を伝達できる位置関係にあれば、その大き
さ、長さ、幅、部品数（一体で作るか分割するか）など
には特に制限はつけない。なお、図１３において、１１
３はチップである。
【００６３】このように、この実施例によれば、成形時
に上型から下型にかけて樹脂の流れ込み難い端面部にお
いて、集中的に超音波振動を与えられるので、気泡及び
未充填の発生を防ぐことができ、特に薄型のパッケージ
において効果があると思われる。また、エジェクタピン
を製品の離型時に用いることによって、端面部を確実に
金型から分離することが可能になるため、大型かつ薄型
で一箇所に応力をかけて離型をし難い製品において安定
した離型が可能になり、製品の歩留まりが向上する。
【００６４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００６５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （Ａ）本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体
装置の樹脂封止工程において、樹脂流動時の乱流によっ
て起こる気泡や、化学反応によって発生するガスのため
に、半導体装置内に空洞が残存するのを防ぐため、成型
時にエジェクタピンを媒体として超音波振動を与えるこ
とによって、かかる気泡や残存する空洞を除去すること
ができる。
【００６６】また、製品のモールド工程時に起こり易い
気泡を大幅に減少させることが可能になり、製品の歩留
まり向上により加工費が減少できるため、製造コストの
大幅な削減が可能となる。更に、超音波振動により製品
内の気泡などの空間が一掃されるため、均一かつ緻密な
樹脂封止が可能になるため、製品の耐湿性が向上し、信
頼性の大幅な向上が期待される。
【００６７】特に、トランスファーモールドの形態に選
択的に配置するのが好適である。すなわち、トランスフ
ァーモールドなどの一個のカル部から樹脂を分基させて
複数の製品を作成する形態の時に、全製品に樹脂を均一
に流動させることが可能となる。（エジェクタプレート
全体が振動するため、製品だけでなく、カル部やランナ
部の流動性も良くなる）そのため、型全体のモールド条
件を設定するのが難しいトランスファーモールドの際
に、最適条件の設定が簡単になる。
【００６８】（Ｂ）本発明の半導体装置の製造装置によ
れば、製品に超音波振動を与える際に特定の箇所に自由
に与えることができるため、対象となる製品の形態に変
更が生じ、チップの寸法が変わったり、樹脂の流動性が
変わることによって、気泡の発生位置が従来の箇所から
移動した時でも、特に改修を行わずに対応することがで
きる。
【００６９】また、大型のエジェクタピンを製品の離型
時に採用するとき、前記エジェクタピンを一体型でな
く、分割して作ることができるので、精度が出し易く、
反りや変形の起こり難い部品を作ることができる。更
に、超音波振動を与える際に、製品に直接振動を与える
心配がないので、安定した信頼性が確保できる。
【００７０】また、薄型パッケージに採用する際に、エ
ジェクタピン付近の薄い部分に与える振動を軽減できる
ため、信頼性確保に効果がある。特に、未充填が発生し
易いと思われるゲートまたは、エアーベント付近に集中
的に超音波振動を与えられるため、製品の気泡や未充填
対策として、ゲートまたはエアーベント部の寸法を広げ
たりする大幅な改修を行わずとも、一部のエジェクタピ
ンの変更のみで目的が達成されるので改修費用の削減に
効果がある。
【００７１】この実施例によれば、成形時に樹脂が回り
込みにくいコーナー部にも、安定して流動させることが
できるため、製品の気泡、未充填の発生を減少させるこ
とができ、歩留まり向上を図ることができる。また、製
品の離型時においても、対角線上に沿って、製品を押し
上げるため、不良の起こり易い安定した離型が可能とな
り、製品の信頼性が向上する。
【００７２】更に、エジェクタピンを製品の離型時に用
いることによって、端面部を確実に金型から分離するこ
とが可能になるため、大型かつ薄型で一箇所に応力をか
けて離型をし難い製品において安定した離型が可能にな
り、製品の歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体装置の樹脂封
止のための装置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例を示す半導体装置の樹脂封止装
置の構成平面図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す半導体装置の樹脂封
止のための装置を示す断面図である。
【図４】本発明の第３実施例を示す半導体装置の樹脂封
止のための装置を示す断面図である。
【図５】図４のＡ部拡大斜視図である。
【図６】本発明の第４実施例を示す半導体装置の樹脂封
止のための装置を示す断面図である。
【図７】本発明の第５実施例を示す半導体装置の樹脂封
止のための装置を示す断面図である。
【図８】図７のＢ部拡大断面図である。
【図９】第１の金型内部のエジェクタピンの構造を示す
図である。
【図１０】第２の金型内部のエジェクタピンの構造を示
す図である。
【図１１】第３の金型内部のエジェクタピンの構造を示
す図である。
【図１２】第４の金型内部のエジェクタピンの構造を示
す図である。
【図１３】第５の金型内部のエジェクタピンの構造を示
す図である。
【符号の説明】
１，２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１，９
１，１０１，１１１製品（樹脂封止型半導体装置） ２，２２，３２，４２，５２，６２，７２，８２，９
２，１０２，１１２エジェクタピン ３，２３，３３，４３，５３ 上型 ４，２４，３４，４４，５４ 下型 ５，２５，３５，４５，５５ エジェクタホルダー ６，３６，４６，５６ バネ ７，２７，３９，４７，５９ 配線 ８，２８，３８，４８，５８ エジェクタプレート ９，２９，４０，４９，６０ 発振電源 １０ カル部 １１ ランナ部 １２ ゲート部 １３ 第１の製品 １４ スルーゲート １５ 第２の製品 １６ 第３の製品 １７ エアーベント １８ リードフレーム ２６ バネ（超音波振動子） ３２ａ，５２ａ 小径部 ３２ｂ，５２ｂ 径大部 ３７，５７ 環状振動子 ８３，１１３ チップ ９２ａ 矩形部 ９３ ゲート ９４ エアーベント

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体装置の樹脂封止工程において、モ
    ールド装置の選択されたエジェクタピンに振動手段を付
    加し、金型内部を流動する樹脂に前記エジェクタピンよ
    り超音波振動を与え、樹脂封止時の気泡や未充填を除去
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、前記振動手段は、エジェクタピンとエジェクタ
    ピン支持台を一体化した超音波振動子に外部より振動パ
    ルスを印加することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、前記振動手段は、エジェクタピンとエジェクタ
    ピン支持台と、該エジェクタピン支持台の下側に配置し
    た超音波振動子としてのバネを配置し、該超音波振動子
    に外部より振動パルスを印加することを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、前記振動手段は、エジェクタピンの周囲に環状
    振動子を配置し、該環状振動子に外部より振動パルスを
    印加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 半導体装置の製造装置において、 エジェクタピンとエジェクタピン支持台を一体化した超
    音波振動子を配置するとともに、外部より振動パルスを
    印加可能にしてなる金型を具備することを特徴とする半
    導体装置の製造装置。
  6. 【請求項６】 半導体装置の製造装置において、 エジェクタピンとエジェクタピン支持台を一体化した部
    品の下側に超音波振動子としてのバネを配置し、該超音
    波振動子に外部より振動パルスを印加可能にしてなる金
    型を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。
  7. 【請求項７】 半導体装置の製造装置において、 エジェクタピンの周囲に環状振動子を配置し、該環状振
    動子に外部より振動パルスを印加可能にしてなる金型を
    具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。
  8. 【請求項８】 半導体装置の製造装置において、 先端を分割しここに作製して組み立て時に合体させる金
    型のエジェクタピンを具備する半導体装置の製造装置。
  9. 【請求項９】 半導体装置の製造装置において、 先端に中空部を設け製品の離型時に前記中空部に圧力を
    かけないようにした金型のエジェクタピンを具備する半
    導体装置の製造装置。
  10. 【請求項１０】 半導体装置の製造装置において、 先端の一部に製品の外形に沿った形状を作り、ゲートま
    たはランナ部などの、気泡や未充填の発生し易い箇所と
    ほぼ同一の形状を有する金型のエジェクタピンを具備す
    る半導体装置の製造装置。
  11. 【請求項１１】 半導体装置の製造装置において、 先端を製品の中心と製品の鋭角部を結ぶ直線に一致また
    は隣接するような形状にした金型のエジェクタピンを具
    備する半導体装置の製造装置。
  12. 【請求項１２】 半導体装置の製造装置において、 先端を製品の端面の形状と相似または一致するような形
    状にした金型のエジェクタピンを具備する半導体装置の
    製造装置。
JP12601596A 1996-05-21 1996-05-21 半導体装置の製造方法及びその製造装置 Withdrawn JPH09312308A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12601596A JPH09312308A (ja) 1996-05-21 1996-05-21 半導体装置の製造方法及びその製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12601596A JPH09312308A (ja) 1996-05-21 1996-05-21 半導体装置の製造方法及びその製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09312308A true JPH09312308A (ja) 1997-12-02

Family

ID=14924622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12601596A Withdrawn JPH09312308A (ja) 1996-05-21 1996-05-21 半導体装置の製造方法及びその製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09312308A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0904923A1 (en) * 1997-09-30 1999-03-31 Texas Instruments Incorporated Method and system for molding
EP0933808A3 (en) * 1998-01-23 2000-03-22 Apic Yamada Corporation Resin sealing method and apparatus for a semiconductor device
KR100439188B1 (ko) * 2001-09-21 2004-07-07 주식회사 칩팩코리아 반도체 패키지 몰딩장치
JP2007194287A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Sumitomo Heavy Ind Ltd 圧縮成形による樹脂封止装置及び樹脂封止方法
CN110281471A (zh) * 2019-07-19 2019-09-27 泉州丰泽厚荣机械科技有限公司 一种基于振波处理的精密快速成型汽车电子类模具
CN110509503A (zh) * 2019-09-09 2019-11-29 李杰鹏 用于管道生产的注塑模具
CN111283952A (zh) * 2020-02-26 2020-06-16 大连交通大学 一种vr眼镜成型装置
CN116039023A (zh) * 2023-01-31 2023-05-02 青岛鑫德盛塑胶有限公司 一种冰箱立柱注塑成型装置
CN116631918A (zh) * 2023-07-25 2023-08-22 深圳市鲁光电子科技有限公司 一种氮化镓功率器件的封装设备

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0904923A1 (en) * 1997-09-30 1999-03-31 Texas Instruments Incorporated Method and system for molding
EP0933808A3 (en) * 1998-01-23 2000-03-22 Apic Yamada Corporation Resin sealing method and apparatus for a semiconductor device
US6459159B1 (en) 1998-01-23 2002-10-01 Apic Yamada Corporation Apparatus for sealing a semiconductor device utilizing a release film
SG96180A1 (en) * 1998-01-23 2003-05-23 Apic Yamada Corp Resin sealing method and apparatus for a semiconductor device
KR100439188B1 (ko) * 2001-09-21 2004-07-07 주식회사 칩팩코리아 반도체 패키지 몰딩장치
JP2007194287A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Sumitomo Heavy Ind Ltd 圧縮成形による樹脂封止装置及び樹脂封止方法
CN110281471A (zh) * 2019-07-19 2019-09-27 泉州丰泽厚荣机械科技有限公司 一种基于振波处理的精密快速成型汽车电子类模具
CN110281471B (zh) * 2019-07-19 2021-08-31 浙江众志汽车电器有限公司 一种基于振波处理的精密快速成型汽车电子类模具
CN110509503A (zh) * 2019-09-09 2019-11-29 李杰鹏 用于管道生产的注塑模具
CN111283952A (zh) * 2020-02-26 2020-06-16 大连交通大学 一种vr眼镜成型装置
CN111283952B (zh) * 2020-02-26 2022-03-29 大连交通大学 一种vr眼镜成型装置
CN116039023A (zh) * 2023-01-31 2023-05-02 青岛鑫德盛塑胶有限公司 一种冰箱立柱注塑成型装置
CN116039023B (zh) * 2023-01-31 2023-08-29 青岛鑫德盛塑胶有限公司 一种冰箱立柱注塑成型装置
CN116631918A (zh) * 2023-07-25 2023-08-22 深圳市鲁光电子科技有限公司 一种氮化镓功率器件的封装设备
CN116631918B (zh) * 2023-07-25 2024-01-26 深圳市鲁光电子科技有限公司 一种氮化镓功率器件的封装设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100526844B1 (ko) 반도체패키지 및 그 제조방법
JPH09312308A (ja) 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JPH0697354A (ja) 開口部のあるフラッグを有する半導体装置
CN1512574A (zh) 半导体器件及其制造方法
KR20070082838A (ko) 전자 부품의 수지 밀봉 방법
JP2013069733A (ja) リードフレーム、半導体製造装置、半導体装置
KR20060050042A (ko) 반도체칩 수지밀봉 방법
JPH0888308A (ja) リードフレーム及び半導体装置の製造方法
JP3093603B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5771865B2 (ja) モールド金型
JP3473231B2 (ja) ベアチップの封止方法および封止装置
JPH0124612B2 (ja)
JP5377807B2 (ja) 型、封入装置及び封入法
WO2019227918A1 (zh) 一种无基岛框架封装结构及其工艺方法
JP2000012581A (ja) 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2004319900A (ja) 樹脂封止用型及び樹脂封止用型の仕様決定方法
JPH10209194A (ja) 半導体装置、その製造方法およびそれに用いる樹脂モールド工程装置
JPH0582573A (ja) 樹脂封止型半導体装置用金型
JP4454399B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05267531A (ja) 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
JPH10209192A (ja) 中空型半導体パッケージ成形方法
JP2008071873A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100561548B1 (ko) 몰딩 설비
JPH06244312A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH1167802A (ja) モールド装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20030805