JPH09306973A - 基板吸着装置 - Google Patents
基板吸着装置Info
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- JPH09306973A JPH09306973A JP12466896A JP12466896A JPH09306973A JP H09306973 A JPH09306973 A JP H09306973A JP 12466896 A JP12466896 A JP 12466896A JP 12466896 A JP12466896 A JP 12466896A JP H09306973 A JPH09306973 A JP H09306973A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】そりなどの影響で真空吸着が困難なプレートで
も、真空圧低下の影響を受けずに動作する吸着装置を提
供する。 【構成】吸着装置は基板を真空圧により吸着する真空吸
着部と、真空源に接続された管路と、管路と吸着部の間
に配置され吸着部が管路に連通し吸着部に真空圧が供給
されるオン状態と吸着部と管路との連通が遮断されるオ
フ状態とを切り換える弁手段と、吸着部の真空圧を検知
する検知手段とを有する。電磁弁をオンにして吸着動作
を開始した後所定時間経過しても検知手段の検知する真
空圧が所定値に達しない場合には一旦弁手段をオフして
所定時間待ち、その後再び弁手段をオンにするという制
御を行う。
も、真空圧低下の影響を受けずに動作する吸着装置を提
供する。 【構成】吸着装置は基板を真空圧により吸着する真空吸
着部と、真空源に接続された管路と、管路と吸着部の間
に配置され吸着部が管路に連通し吸着部に真空圧が供給
されるオン状態と吸着部と管路との連通が遮断されるオ
フ状態とを切り換える弁手段と、吸着部の真空圧を検知
する検知手段とを有する。電磁弁をオンにして吸着動作
を開始した後所定時間経過しても検知手段の検知する真
空圧が所定値に達しない場合には一旦弁手段をオフして
所定時間待ち、その後再び弁手段をオンにするという制
御を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は真空圧により液晶用ガラ
スプレート、シリコン基板等の吸着を行う、プレート搬
送装置等に適用される基板吸着装置に関する。
スプレート、シリコン基板等の吸着を行う、プレート搬
送装置等に適用される基板吸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスや液晶デバイス製造時に
おいて、各処理装置間の搬送、あるいは各装置における
デバイス基板の固定に真空（バキューム）吸着機構が用
いられている。
おいて、各処理装置間の搬送、あるいは各装置における
デバイス基板の固定に真空（バキューム）吸着機構が用
いられている。
【０００３】図１に一般的な真空吸着機構の概略を示
す。該機構は吸着部１によりプレート２０を保持する。
吸着部１は電磁弁２を介して不図示の真空源へと連通す
る基幹管路１０に接続されている。該基幹の管路は通常
複数の吸着部に共用される。図では電磁弁７を介して管
路１０に接続された他の吸着部を一つだけ示すが、他の
吸着部の数は２つ以上の場合もある。
す。該機構は吸着部１によりプレート２０を保持する。
吸着部１は電磁弁２を介して不図示の真空源へと連通す
る基幹管路１０に接続されている。該基幹の管路は通常
複数の吸着部に共用される。図では電磁弁７を介して管
路１０に接続された他の吸着部を一つだけ示すが、他の
吸着部の数は２つ以上の場合もある。
【０００４】吸着部１の吸着面には管路１０と連通する
複数の孔１aが形成されており、該孔における真空圧
（バキューム圧）によりプレートを吸着する。
複数の孔１aが形成されており、該孔における真空圧
（バキューム圧）によりプレートを吸着する。
【０００５】電磁弁２は吸着部１への真空の適用をオン
／オフするためのもので、信号線６を介しての制御部４
からの制御信号に従って制御される。電磁弁がオンのと
き吸着部は管路１０と連通し、プレートを吸着可能な状
態となり、電磁弁がオフのときには吸着部は大気に対し
て開放され、非吸着状態となる。
／オフするためのもので、信号線６を介しての制御部４
からの制御信号に従って制御される。電磁弁がオンのと
き吸着部は管路１０と連通し、プレートを吸着可能な状
態となり、電磁弁がオフのときには吸着部は大気に対し
て開放され、非吸着状態となる。
【０００６】吸着部１に真空圧を供給する管路中の吸着
部の付近の位置に真空圧センサ３が配置され吸着部の真
空圧を検知する。真空圧センサにより検知された吸着部
の圧力情報は信号線５を介して制御部４に伝達される。
部の付近の位置に真空圧センサ３が配置され吸着部の真
空圧を検知する。真空圧センサにより検知された吸着部
の圧力情報は信号線５を介して制御部４に伝達される。
【０００７】図２に上記装置の従来の作動シーケンスチ
ャートを示す。シーケンスを以下説明する。吸着動作を
開始させる（ステップ１０１）と、ステップ１０２で電
磁弁をＯＮし吸着部１を管路１０に連通させる。同時に
タイマのカウントＴをリセットして０とし、タイムカウ
ントを開始する（ステップ１０３）。
ャートを示す。シーケンスを以下説明する。吸着動作を
開始させる（ステップ１０１）と、ステップ１０２で電
磁弁をＯＮし吸着部１を管路１０に連通させる。同時に
タイマのカウントＴをリセットして０とし、タイムカウ
ントを開始する（ステップ１０３）。
【０００８】ステップ１０４で真空圧センサ３の検知し
た圧力値Ｐを制御部４に読み込む。ステップ１０５で吸
着部の圧力Ｐが規定圧力ＰOK以下であるか（即ち吸着部
の真空圧が所定値以上であるか）を確認する。Ｐ≦ＰOK
なら真空圧が高く十分な吸着力があると判断して正常終
了とする（ステップ１１１）。Ｐ＞ＰOKの場合、ステッ
プ１０６でタイマのカウントをインクリメントし、ステ
ップ１０７で所定時間ウェイトする。続いてステップ１
０８でタイマのカウントＴをチェックしＴがタイムアウ
ト時間ＴNG以内ならばステップ１０４に戻り以下のステ
ップをくり返す。所定の真空圧が得られぬままステップ
１０６でＴ≧ＴNGとなった場合には、ステップ１０９で
電磁弁をＯＦＦし、エラー終了として（ステップ１１
０）吸着動作を中止する。
た圧力値Ｐを制御部４に読み込む。ステップ１０５で吸
着部の圧力Ｐが規定圧力ＰOK以下であるか（即ち吸着部
の真空圧が所定値以上であるか）を確認する。Ｐ≦ＰOK
なら真空圧が高く十分な吸着力があると判断して正常終
了とする（ステップ１１１）。Ｐ＞ＰOKの場合、ステッ
プ１０６でタイマのカウントをインクリメントし、ステ
ップ１０７で所定時間ウェイトする。続いてステップ１
０８でタイマのカウントＴをチェックしＴがタイムアウ
ト時間ＴNG以内ならばステップ１０４に戻り以下のステ
ップをくり返す。所定の真空圧が得られぬままステップ
１０６でＴ≧ＴNGとなった場合には、ステップ１０９で
電磁弁をＯＦＦし、エラー終了として（ステップ１１
０）吸着動作を中止する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】近年液晶パネル等のサ
イズが大型化する一方で厚さは薄くすることが求められ
ている。その結果、用いられるガラスプレートのそりが
従来よりも増大している。そりの大きいプレートを吸着
装置で吸着しようとした場合、そりに起因するプレート
と吸着装置の間の隙間からの真空圧のリークが問題とな
る。上に説明した従来の技術では、規定時間内に真空圧
が規定値以上にならない場合、吸着エラーとなるが、規
定時間をのばすだけでは、真空圧のリークにより真空圧
を供給する大元の部分の真空圧（上記例の管路１０の圧
力、以下元圧と略す）自体が低下し、結果的にプレート
の吸着ができないばかりか、他の吸着部の真空圧を低下
させてしまうという問題点があった。（なお本明細書で
真空圧あるいはバキューム圧とは大気圧との圧力差によ
り与えられる吸着圧力を意味し、従って「真空圧が低下
する」とは絶対圧力で言えば圧力が上昇することを意味
する。）
イズが大型化する一方で厚さは薄くすることが求められ
ている。その結果、用いられるガラスプレートのそりが
従来よりも増大している。そりの大きいプレートを吸着
装置で吸着しようとした場合、そりに起因するプレート
と吸着装置の間の隙間からの真空圧のリークが問題とな
る。上に説明した従来の技術では、規定時間内に真空圧
が規定値以上にならない場合、吸着エラーとなるが、規
定時間をのばすだけでは、真空圧のリークにより真空圧
を供給する大元の部分の真空圧（上記例の管路１０の圧
力、以下元圧と略す）自体が低下し、結果的にプレート
の吸着ができないばかりか、他の吸着部の真空圧を低下
させてしまうという問題点があった。（なお本明細書で
真空圧あるいはバキューム圧とは大気圧との圧力差によ
り与えられる吸着圧力を意味し、従って「真空圧が低下
する」とは絶対圧力で言えば圧力が上昇することを意味
する。）
【００１０】本発明では、真空吸着が困難なガラスプレ
ートに対して、真空圧低下の影響を回避する吸着装置の
提供を目的とする。
ートに対して、真空圧低下の影響を回避する吸着装置の
提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明の基板吸着装置は、基板を真空圧により吸着する
真空吸着部と、真空源に接続された管路と、該管路と前
記吸着部の間に配置され該吸着部が該管路に連通し吸着
部に真空圧が供給されるオン状態と吸着部と管路との連
通が遮断されるオフ状態とを切り換える弁手段と、吸着
部の真空圧を検知する検知手段と、上記電磁弁をオンに
して吸着動作を開始した後所定時間経過しても前記検知
手段の検知する圧力が所定値を上回る場合には一旦弁手
段をオフして待機し、その後再び弁手段をオンにするよ
う制御する制御手段とを有する。
本発明の基板吸着装置は、基板を真空圧により吸着する
真空吸着部と、真空源に接続された管路と、該管路と前
記吸着部の間に配置され該吸着部が該管路に連通し吸着
部に真空圧が供給されるオン状態と吸着部と管路との連
通が遮断されるオフ状態とを切り換える弁手段と、吸着
部の真空圧を検知する検知手段と、上記電磁弁をオンに
して吸着動作を開始した後所定時間経過しても前記検知
手段の検知する圧力が所定値を上回る場合には一旦弁手
段をオフして待機し、その後再び弁手段をオンにするよ
う制御する制御手段とを有する。
【００１２】また本発明の基板吸着装置の制御方法は、
基板を真空圧により吸着する吸着部と、真空源に接続さ
れた管路と、前記管路と前記吸着部の間に配置され該吸
着部が前記管路に連通し吸着部に真空圧が供給されるオ
ン状態と吸着部と前記管路との連通が遮断されるオフ状
態とを切り換える弁手段と、吸着部の圧力を検知する検
知手段とを有する吸着装置の制御方法であって、上記電
磁弁をオンにして吸着動作を開始した後所定時間経過し
ても前記検知手段の検知する圧力が所定値を上回る場合
には一旦弁手段をオフして待機し、その後再び弁手段を
オンにするよう制御することを特徴とするように制御す
る。
基板を真空圧により吸着する吸着部と、真空源に接続さ
れた管路と、前記管路と前記吸着部の間に配置され該吸
着部が前記管路に連通し吸着部に真空圧が供給されるオ
ン状態と吸着部と前記管路との連通が遮断されるオフ状
態とを切り換える弁手段と、吸着部の圧力を検知する検
知手段とを有する吸着装置の制御方法であって、上記電
磁弁をオンにして吸着動作を開始した後所定時間経過し
ても前記検知手段の検知する圧力が所定値を上回る場合
には一旦弁手段をオフして待機し、その後再び弁手段を
オンにするよう制御することを特徴とするように制御す
る。
【００１３】以上のように本発明は吸着動作を開始して
所定時間経過しても吸着部の真空圧（吸着圧）が所定値
に達しない場合に（即ち吸着部の絶対圧力が所定値まで
下がらない場合に）、弁手段を一旦オフして吸着部への
真空圧の供給を停止するものである。吸着動作の開始後
所定時間経過しても有効な真空圧が得られないというの
は、吸着される基板のそりにより吸着部において真空圧
のもれが起こっているためであることが多い。このよう
な場合一旦もれが起こってしまうと真空源に接続された
真空圧を供給する管路の真空度が低下してしまうので、
ますます基板の吸着が難しくなる。そのとき本発明のよ
うに一旦弁手段をオフして吸着部と管路の連通を遮断し
て所定時間待つことにより管路の真空度が回復するの
で、再び弁手段をオンして吸着動作を再試行（リトラ
イ）したときにより高い吸着圧が得られるので、それに
より高められた吸着圧により基板のそりを矯正しつつ基
板を吸着保持することが期待できる。
所定時間経過しても吸着部の真空圧（吸着圧）が所定値
に達しない場合に（即ち吸着部の絶対圧力が所定値まで
下がらない場合に）、弁手段を一旦オフして吸着部への
真空圧の供給を停止するものである。吸着動作の開始後
所定時間経過しても有効な真空圧が得られないというの
は、吸着される基板のそりにより吸着部において真空圧
のもれが起こっているためであることが多い。このよう
な場合一旦もれが起こってしまうと真空源に接続された
真空圧を供給する管路の真空度が低下してしまうので、
ますます基板の吸着が難しくなる。そのとき本発明のよ
うに一旦弁手段をオフして吸着部と管路の連通を遮断し
て所定時間待つことにより管路の真空度が回復するの
で、再び弁手段をオンして吸着動作を再試行（リトラ
イ）したときにより高い吸着圧が得られるので、それに
より高められた吸着圧により基板のそりを矯正しつつ基
板を吸着保持することが期待できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】上に説明した本発明を実施するた
めの構成および制御シーケンスを以下に説明する。図３
は本発明を実施する吸着装置構成の一例を示す。図３の
装置構成は上に従来の装置として説明した図１の構成に
類似するので、同様の部分には同一の参照符号を付して
説明を省略する。図１の装置と異なる点は管路１０の電
磁弁２の直前に真空圧センサ１５を備えている点であ
る。真空圧センサ１５は管路１０の真空度の回復をモニ
タするために設けられており、検知された電磁弁１５直
前の管路１０の圧力情報は信号線１６を介して制御部４
に伝達される。
めの構成および制御シーケンスを以下に説明する。図３
は本発明を実施する吸着装置構成の一例を示す。図３の
装置構成は上に従来の装置として説明した図１の構成に
類似するので、同様の部分には同一の参照符号を付して
説明を省略する。図１の装置と異なる点は管路１０の電
磁弁２の直前に真空圧センサ１５を備えている点であ
る。真空圧センサ１５は管路１０の真空度の回復をモニ
タするために設けられており、検知された電磁弁１５直
前の管路１０の圧力情報は信号線１６を介して制御部４
に伝達される。
【００１５】図４に本発明によるリトライ制御を含む制
御シーケンスのフローチャートを示す。以下、シーケン
スチャートを説明する。
御シーケンスのフローチャートを示す。以下、シーケン
スチャートを説明する。
【００１６】シーケンスがスタートするとまずステップ
２０２でリトライ回数カウンタＮをクリアする。ステッ
プ２０３で電磁弁をＯＮし、ステップ２０４でタイマの
カウントを０にし、タイムカウントを開始する。
２０２でリトライ回数カウンタＮをクリアする。ステッ
プ２０３で電磁弁をＯＮし、ステップ２０４でタイマの
カウントを０にし、タイムカウントを開始する。
【００１７】ステップ２０５で、真空圧センサ３から吸
着部付近での圧力を制御部に読み込む。読み込んだ圧力
値をＰ（ここでは絶対圧力値とする）とする。
着部付近での圧力を制御部に読み込む。読み込んだ圧力
値をＰ（ここでは絶対圧力値とする）とする。
【００１８】ステップ２０６でＰが規定圧力Ｐ0以下で
あるか確認する。（なおここでは説明の便宜上圧力値を
絶対圧力として説明しているが、真空圧力センサにより
検知するものは必ずしも絶対圧力である必要はなく、大
気圧との差としての真空度など圧力に相関する量であれ
ば何であってもよい。従ってステップ２０６における圧
力値の比較確認も、上記絶対圧力と規定圧力との関係と
等価なものであれば具体的に比較される圧力相関量は何
であってもよい。このことは圧力値に関連する以下のど
の記載についても同様である。）
あるか確認する。（なおここでは説明の便宜上圧力値を
絶対圧力として説明しているが、真空圧力センサにより
検知するものは必ずしも絶対圧力である必要はなく、大
気圧との差としての真空度など圧力に相関する量であれ
ば何であってもよい。従ってステップ２０６における圧
力値の比較確認も、上記絶対圧力と規定圧力との関係と
等価なものであれば具体的に比較される圧力相関量は何
であってもよい。このことは圧力値に関連する以下のど
の記載についても同様である。）
【００１９】ステップ２０６でＰ＜Ｐ0なら十分な真空
度がある（十分な吸着圧力がある）と判断して正常終了
とする（ステップ２１８）。ステップ２０６でＰ≧Ｐ0
の場合、ステップ２０７でタイマのカウントをインクリ
メントし、ステップ２０８で所定時間ウェイトする。続
いてステップ２０９でタイマのカウントをチェックし、
Ｔがタイムアウト時間ＴNG以内ならばステップ２０５に
戻り以下のステップをくり返す。
度がある（十分な吸着圧力がある）と判断して正常終了
とする（ステップ２１８）。ステップ２０６でＰ≧Ｐ0
の場合、ステップ２０７でタイマのカウントをインクリ
メントし、ステップ２０８で所定時間ウェイトする。続
いてステップ２０９でタイマのカウントをチェックし、
Ｔがタイムアウト時間ＴNG以内ならばステップ２０５に
戻り以下のステップをくり返す。
【００２０】Ｔ≧ＴNGとなった場合に、上に説明した従
来シーケンスではエラーとして終了していたが、本発明
ではステップ２１０で電磁弁を一旦ＯＦＦしてリトライ
過程に入る。
来シーケンスではエラーとして終了していたが、本発明
ではステップ２１０で電磁弁を一旦ＯＦＦしてリトライ
過程に入る。
【００２１】ステップ２１１で管路１０内の真空圧の回
復をチェックするために真空圧センサ１５から電磁弁２
の付近での管路１０内の圧力情報を制御部に読み込む。
読み込んだ圧力値をＰ’とする。
復をチェックするために真空圧センサ１５から電磁弁２
の付近での管路１０内の圧力情報を制御部に読み込む。
読み込んだ圧力値をＰ’とする。
【００２２】ステップ２１１ではＰ’が所定圧力Ｐ1以
下であるかどうかを確認する。ステップ２１１でＰ’＜
Ｐ1なら管路１０内の真空圧が十分に回復したと判断し
て次のステップ２１３に進む。ステップ２１１でＰ’≧
Ｐ1の場合、２１６で電磁弁２をオフしてからの時間を
確認する。このステップで所定時間が経過していないと
きはステップ２１１に戻って再び真空圧センサ１５から
圧力情報を読み込んで以下の過程を繰り返す。ステップ
２１６で所定時間がすでに経過し、タイムアウトである
場合には所定時間待っても管路１０内の真空圧が回復し
なかったことを意味するので、エラー終了とする（ステ
ップ２１７）。
下であるかどうかを確認する。ステップ２１１でＰ’＜
Ｐ1なら管路１０内の真空圧が十分に回復したと判断し
て次のステップ２１３に進む。ステップ２１１でＰ’≧
Ｐ1の場合、２１６で電磁弁２をオフしてからの時間を
確認する。このステップで所定時間が経過していないと
きはステップ２１１に戻って再び真空圧センサ１５から
圧力情報を読み込んで以下の過程を繰り返す。ステップ
２１６で所定時間がすでに経過し、タイムアウトである
場合には所定時間待っても管路１０内の真空圧が回復し
なかったことを意味するので、エラー終了とする（ステ
ップ２１７）。
【００２３】ステップ２１３ではリトライ回数をチェッ
クする。リトライ回数が、規定回数ｎNGより少ない場
合、ステップ２１４でリトライ回数カウンタをインクリ
メントさせてステップ２０３へ戻る。
クする。リトライ回数が、規定回数ｎNGより少ない場
合、ステップ２１４でリトライ回数カウンタをインクリ
メントさせてステップ２０３へ戻る。
【００２４】ステップ２１３でＮ≧ｎNGとなった場合は
所定回数ｎNGリトライしても正常な結果が得られなかっ
たことを意味するので、エラー終了とする（ステップ２
１５）。
所定回数ｎNGリトライしても正常な結果が得られなかっ
たことを意味するので、エラー終了とする（ステップ２
１５）。
【００２５】以上の例では管路１０内の圧力をモニター
し、その回復を待ってリトライするという制御をしてい
る。しかし管路１０内の圧力をモニターせずに、単に電
磁弁をＯＦＦした後に所定時間ウェイトして管路１０内
の圧力の回復を図り、所定時間後に再び電磁弁をＯＮす
るという過程としても本発明の効果は得られる。この場
合図４のフローチャートのステップ２１１〜２１２、２
１６〜２１７を単に所定時間ウェイトするというステッ
プに置き換えればよい。なおこの場合には図３の真空圧
センサ１５および信号線１６は不要となる。
し、その回復を待ってリトライするという制御をしてい
る。しかし管路１０内の圧力をモニターせずに、単に電
磁弁をＯＦＦした後に所定時間ウェイトして管路１０内
の圧力の回復を図り、所定時間後に再び電磁弁をＯＮす
るという過程としても本発明の効果は得られる。この場
合図４のフローチャートのステップ２１１〜２１２、２
１６〜２１７を単に所定時間ウェイトするというステッ
プに置き換えればよい。なおこの場合には図３の真空圧
センサ１５および信号線１６は不要となる。
【００２６】上記した管路１０の真空圧をモニターする
構成においては、管路内の真空圧が所定のレベルに達す
ると（つまり管路１０内の圧力が所定の値まで低下する
と）すぐに吸着のリトライを開始できるので、単に所定
時間待ってリトライする場合よりも時間の短縮が期待で
きる点で有利である。
構成においては、管路内の真空圧が所定のレベルに達す
ると（つまり管路１０内の圧力が所定の値まで低下する
と）すぐに吸着のリトライを開始できるので、単に所定
時間待ってリトライする場合よりも時間の短縮が期待で
きる点で有利である。
【００２７】
【実施例】以下に置いて本発明の実施例を説明する。 ガラスプレート搬送装置の搬送アーム 図５は本発明の真空吸着装置を用いたガラスプレート搬
送装置の搬送アーム吸着システムである。該装置は液晶
基板用のガラスプレート等を例えば保管場所から処理装
置へと、またある処理装置から別の処理装置へと搬送す
るための装置である。
送装置の搬送アーム吸着システムである。該装置は液晶
基板用のガラスプレート等を例えば保管場所から処理装
置へと、またある処理装置から別の処理装置へと搬送す
るための装置である。
【００２８】搬送装置はガラスプレートを載置して水平
移動する搬送アーム２１と、上下移動して搬送アーム２
１から別の搬送アームあるいは装置のステージ等へのガ
ラスプレートの受け渡しを行う搬送ピン２４とを有す
る。これらの搬送アーム２１および搬送ピン２４は図３
に図式的に示した吸着部１に相当するものであり、それ
ぞれの電磁弁２３および２５を介して、真空源につなが
れた基幹の管路３０に連通する４つの吸着孔２１a（搬
送アーム２１の場合）および２４a（搬送ピン２４の場
合）をそれぞれ有してガラスプレートを吸着保持する。
移動する搬送アーム２１と、上下移動して搬送アーム２
１から別の搬送アームあるいは装置のステージ等へのガ
ラスプレートの受け渡しを行う搬送ピン２４とを有す
る。これらの搬送アーム２１および搬送ピン２４は図３
に図式的に示した吸着部１に相当するものであり、それ
ぞれの電磁弁２３および２５を介して、真空源につなが
れた基幹の管路３０に連通する４つの吸着孔２１a（搬
送アーム２１の場合）および２４a（搬送ピン２４の場
合）をそれぞれ有してガラスプレートを吸着保持する。
【００２９】通常は、搬送装置は複数個のアームを有す
るが、図５はその一つのみを示し、以下において、搬送
アーム２１から搬送ピン（上下動部）２４への受け渡し
動作を図６のフローチャートを用いて説明する。
るが、図５はその一つのみを示し、以下において、搬送
アーム２１から搬送ピン（上下動部）２４への受け渡し
動作を図６のフローチャートを用いて説明する。
【００３０】受け渡し動作が開始されるとステップ３０
２で、ガラスプレートを搬送アーム２１にのせる。ステ
ップ３０３、３０４で図４に示したシーケンスに従って
真空吸着を行う。該シーケンスについては上に「発明の
実施の形態」の項目で詳述したので、説明は省略し、フ
ローチャート上では吸着動作が正常終了したかエラー終
了したかのみをステップ３０４として示す。
２で、ガラスプレートを搬送アーム２１にのせる。ステ
ップ３０３、３０４で図４に示したシーケンスに従って
真空吸着を行う。該シーケンスについては上に「発明の
実施の形態」の項目で詳述したので、説明は省略し、フ
ローチャート上では吸着動作が正常終了したかエラー終
了したかのみをステップ３０４として示す。
【００３１】その後ステップ３０５で搬送アーム２１を
搬送ピン２４の真上に水平移動し、ステップ３０６で電
磁弁２３をＯＦＦして吸着孔２１aを大気開放し、搬送
アーム２１の吸着を切る。ステップ３０７で搬送ピン２
４を上昇させ、搬送アーム２１上の吸着を解かれたガラ
スプレートを搬送ピン２４上へ受け渡す。ステップ３０
８、３０９で、ステップ３０３、３０４と同様の真空吸
着を搬送ピン２４について行い、受け渡しが完了する。
搬送ピン２４の真上に水平移動し、ステップ３０６で電
磁弁２３をＯＦＦして吸着孔２１aを大気開放し、搬送
アーム２１の吸着を切る。ステップ３０７で搬送ピン２
４を上昇させ、搬送アーム２１上の吸着を解かれたガラ
スプレートを搬送ピン２４上へ受け渡す。ステップ３０
８、３０９で、ステップ３０３、３０４と同様の真空吸
着を搬送ピン２４について行い、受け渡しが完了する。
【００３２】実際には複数個の搬送アームにより搬送装
置が構成され、各々非同期で動作する場合がある。この
場合、万一、複数個のアームで同時に真空吸着動作を行
なった場合一時的に基幹管路３０の元圧が不安定になる
可能性がある。このような場合でも本発明のように一旦
真空吸着をＯＦＦしてから真空圧の回復情報を確認した
のち、吸着動作を開始するため、真空吸着エラーにはな
りにくい。
置が構成され、各々非同期で動作する場合がある。この
場合、万一、複数個のアームで同時に真空吸着動作を行
なった場合一時的に基幹管路３０の元圧が不安定になる
可能性がある。このような場合でも本発明のように一旦
真空吸着をＯＦＦしてから真空圧の回復情報を確認した
のち、吸着動作を開始するため、真空吸着エラーにはな
りにくい。
【００３３】ガラスプレート露光装置のステージ 図７はガラスプレート露光装置のステージに本発明の吸
着システムを適用した例である。図７(a)は露光装置４
０の概略を示している。装置４０は装置に搬入されたプ
レートを装置温度になじませるための温度調節用ステー
ジ４１、レチクル上のパターンを用いてプレートの露光
を行うための露光用ステージ４２、プレート周辺のレジ
スト層を除去するためにプレートの周辺部を露光するた
めの周辺露光ステージとを有する。
着システムを適用した例である。図７(a)は露光装置４
０の概略を示している。装置４０は装置に搬入されたプ
レートを装置温度になじませるための温度調節用ステー
ジ４１、レチクル上のパターンを用いてプレートの露光
を行うための露光用ステージ４２、プレート周辺のレジ
スト層を除去するためにプレートの周辺部を露光するた
めの周辺露光ステージとを有する。
【００３４】それぞれのステージ４１、４２、４３は本
発明に従って構成・動作される。図７(b)に該ステージ
の構成を示す。ここで部材５０は平面度の高いステージ
であり、その表面には真空源に接続された管路６０に電
磁弁５２を介して連通する４つの孔５０aが形成されて
いる。図３の吸着部１と同様に上に置かれたプレート５
１を吸着する。吸着動作の詳細は図４のフローチャート
に説明したものと同様であるので説明は省略する。
発明に従って構成・動作される。図７(b)に該ステージ
の構成を示す。ここで部材５０は平面度の高いステージ
であり、その表面には真空源に接続された管路６０に電
磁弁５２を介して連通する４つの孔５０aが形成されて
いる。図３の吸着部１と同様に上に置かれたプレート５
１を吸着する。吸着動作の詳細は図４のフローチャート
に説明したものと同様であるので説明は省略する。
【００３５】ステージ４１はガラスプレートを露光装置
内の温度になじませるためのステージであるので、確実
に真空吸着することでステージとガラスプレートとの熱
交換を行うことができる。
内の温度になじませるためのステージであるので、確実
に真空吸着することでステージとガラスプレートとの熱
交換を行うことができる。
【００３６】ステージ４２は、露光精度確保のため、確
実に真空吸着することが必要であるので、本発明の適用
が効果的である。この実施例においても、図３で示す真
空吸着リトライシーケンスを使用することにより真空吸
着エラーの発生頻度を低減することができる。
実に真空吸着することが必要であるので、本発明の適用
が効果的である。この実施例においても、図３で示す真
空吸着リトライシーケンスを使用することにより真空吸
着エラーの発生頻度を低減することができる。
【００３７】
【発明の効果】近年ガラスプレートのプレート厚がうす
くなりそりが生じたり、また特殊なコーティングのため
に表面がフラットでないガラスプレートが増えており、
真空吸着が上手くいかない場合があるが、本発明を用い
れば真空吸着エラー発生頻度の低減が可能となる。
くなりそりが生じたり、また特殊なコーティングのため
に表面がフラットでないガラスプレートが増えており、
真空吸着が上手くいかない場合があるが、本発明を用い
れば真空吸着エラー発生頻度の低減が可能となる。
【００３８】さらに、複数の吸着部を非同期で真空吸着
をＯＮ／ＯＦＦさせる場合に、真空圧のリークによる元
圧の低下を軽減することが可能となる。
をＯＮ／ＯＦＦさせる場合に、真空圧のリークによる元
圧の低下を軽減することが可能となる。
【００３９】以上のように本発明を用いれば、真空吸着
エラーの頻度を低減し、搬送装置の稼働率向上が可能と
なる。
エラーの頻度を低減し、搬送装置の稼働率向上が可能と
なる。
【００４０】また実施例のように、搬送工程以外の真
空吸着システムについても有効となる。
空吸着システムについても有効となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の真空吸着装置を図式的に示す図である。
【図２】従来の真空吸着装置の制御シーケンスを示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図３】本発明の吸着装置を図式的に示す図である。
【図４】本発明の吸着装置の制御シーケンスを示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図５】本発明の実施例としてのガラスプレート搬送装
置を図式的に示す図である。
置を図式的に示す図である。
【図６】図５のガラスプレート搬送装置におけるプレー
ト受け渡し動作のスローチャートである。
ト受け渡し動作のスローチャートである。
【図７】本発明の実施例としての露光装置のステージを
示す図であり、(a)は露光装置内での各ステージの配置
とプレートの流れを図式的に示し、(b)はステージ吸着
機構を図式的に示している。
示す図であり、(a)は露光装置内での各ステージの配置
とプレートの流れを図式的に示し、(b)はステージ吸着
機構を図式的に示している。
１ 吸着部 １a 吸着孔 ２、７ 電磁弁 ３、１５ 圧力センサ ４ 制御部 １０ 基幹管路 ２１ 搬送アーム ２４ 搬送ピン
Claims (6)
- 【請求項１】 基板を真空圧により吸着する吸着部と、
真空源に接続された管路と、前記管路と前記吸着部の間
に配置され該吸着部が前記管路に連通し吸着部に真空圧
が供給されるオン状態と吸着部と前記管路との連通が遮
断されるオフ状態とを切り換える弁手段と、吸着部の圧
力を検知する検知手段と、上記電磁弁をオンにして吸着
動作を開始した後所定時間経過しても前記検知手段の検
知する圧力が所定値を上回る場合には一旦弁手段をオフ
して待機し、その後再び弁手段をオンにするよう制御す
る制御手段と、を有する基板吸着装置。 - 【請求項２】 前記制御手段は前記弁手段を一旦オフし
て待機する際に所定時間を計時し、該所定時間経過後に
前記弁手段を再びオンするよう制御することを特徴とす
る請求項１に記載の基板吸着装置。 - 【請求項３】 前記管路内の前記電磁弁付近の圧力を検
知する第２の検知手段を更に備え、前記弁手段を一旦オ
ンして待機する間に前記第２の検知手段により検知され
た前記管路の圧力が所定値より低くなった時点で前記弁
手段を再びオンするよう制御することを特徴とする請求
項１に記載の吸着装置。 - 【請求項４】 基板を真空圧により吸着する吸着部と、
真空源に接続された管路と、前記管路と前記吸着部の間
に配置され該吸着部が前記管路に連通し吸着部に真空圧
が供給されるオン状態と吸着部と前記管路との連通が遮
断されるオフ状態とを切り換える弁手段と、吸着部の圧
力を検知する検知手段とを有する吸着装置の制御方法で
あって、上記電磁弁をオンにして吸着動作を開始した後
所定時間経過しても前記検知手段の検知する圧力が所定
値を上回る場合には一旦弁手段をオフして待機し、その
後再び弁手段をオンにするよう制御することを特徴とす
る吸着装置の制御方法。 - 【請求項５】 前記弁手段を一旦オフして待機する際に
所定時間を計時し、該所定時間経過度に前記弁手段を再
びオンするよう制御することを特徴とする請求項４に記
載の吸着装置の制御方法。 - 【請求項６】 前記弁手段を一旦オンして待機する間に
前記管路内の圧力をモニターし、該管路内の圧力が所定
値より低くなった時点で前記弁手段を再びオンするよう
制御することを特徴とする請求項４に記載の吸着装置の
制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12466896A JPH09306973A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 基板吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12466896A JPH09306973A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 基板吸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306973A true JPH09306973A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14891108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12466896A Withdrawn JPH09306973A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 基板吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306973A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237439A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Canon Inc | デバイス製造装置 |
| JP2006339574A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Nikon Corp | 基板検査装置 |
| JP2007266503A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Nec Electronics Corp | 半導体製造装置 |
| JP2014135390A (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-24 | Olympus Corp | 基板搬送装置、基板検査装置及び基板搬送方法 |
| CN109696437A (zh) * | 2017-10-23 | 2019-04-30 | 由田新技股份有限公司 | 一种半导体料片的整平装置及其方法 |
| CN109950192A (zh) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 海太半导体（无锡）有限公司 | 芯片粘贴设备芯片吸取真空系统 |
-
1996
- 1996-05-20 JP JP12466896A patent/JPH09306973A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237439A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Canon Inc | デバイス製造装置 |
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| JP4737392B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2011-07-27 | 株式会社ニコン | 基板検査装置 |
| JP2007266503A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Nec Electronics Corp | 半導体製造装置 |
| JP4582715B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-11-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置、並びに、感度調整のための装置及び方法 |
| JP2014135390A (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-24 | Olympus Corp | 基板搬送装置、基板検査装置及び基板搬送方法 |
| CN109696437A (zh) * | 2017-10-23 | 2019-04-30 | 由田新技股份有限公司 | 一种半导体料片的整平装置及其方法 |
| CN109696437B (zh) * | 2017-10-23 | 2021-07-20 | 由田新技股份有限公司 | 一种半导体料片的整平装置及其方法 |
| CN109950192A (zh) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 海太半导体（无锡）有限公司 | 芯片粘贴设备芯片吸取真空系统 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060726 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20061003 |