JP3979701B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に係り、より詳細には、ウエハを感知し真空吸着させ感光液を塗布しベーキングするための半導体製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体製造工程において、半導体ウエハの基板上に感光膜を塗布し、この感光液をベーキングすることでフォトレジストなどの薄膜を形成する工程が実行されている。このような工程では、回転式真空チャックを使用しプレート上に半導体ウエハを固定し処理している。
【0003】
図2は、従来の半導体製造装置の主要部を示す構成図である。図2に示すように、従来の半導体製造装置は、所定の工程を経たウエハ40上に感光液を塗布しベーキングするためウエハ40を載置し固定するプレート20と、このプレート20上にウエハ40が設置されたか否かを感知し真空圧の供給および遮断を行う電バルブ調整部14と、この電子バルブ調節部14の真空圧により動作するディアフレーム(diaframe)を有し所定時間にウエハ40の設置状態を示す信号を出力する感知部16と、この感知部16と電子バルブ調節部14とにより出力される信号を受信しウエハ40上に感光液を塗布しベーキングする制御信号を供給し装置全体を制御する制御部10とにより構成されている。
【0004】
プレート20は、ウエハ40を上部に設置し吸着するため断面が凹状の吸着部21が設けられている。この吸着部21の底面には、真空圧を供給する供給管22が装着されている。また供給管22には、真空圧を検出する検出部24が備えられている。
プレート20の供給管22には、真空圧を供給管22に供給する電子バルブ調節部14が接続されている。
【0005】
電子バルブ調節部14は、所定の工程を経たウエハ40がプレート20の吸着部21上に設置されたか否かを感知し供給管22に真空圧を供給させウエハ40を吸着部21上に吸着させる構造を有している。また電子バルブ調節部14は、電子バルブ調節部14から電圧が逆流することを遮断するために電子バルブ調節部14と並列に接続された逆流防止用ダイオードD1を具備している。
電子バルブ調節部14は、プレート20の吸着部21上にウエハ40が設置されたか否かを感知することでウエハ40を吸着する真空圧を供給管22に供給するとともに所定時間が経過すると真空圧を遮断するようになっている。
【0006】
感知部16は、プレート20の吸着部21上にウエハ40が設置されたか否かを真空圧により感知することで所定時間にウエハ40の設置状態を示すハイレベルの信号を出力する構造を有している。
感知部16の内部には、プレート20の検出部24で検出された真空圧により動作するディアフレーム16aが具備されている。
【0007】
このディアフレーム16aは、ウエハ40を設置し検出部24で検出された真空圧により動作し屈曲するとともにプレート20の吸着部21上にウエハ40が吸着されていることを示すハイレベルの信号を出力する。
また、ディアフレーム16aは、復元力を有しており屈曲した状態から元の状態に回復する特性を持っている。これによりディアフレーム16aが元の状態に回復するとウエハ40のプレート20上に吸着されていないことを示すハイレベルの信号を出力する。
【0008】
また、感知部16と電子バルブ調節部14とには、制御部10が接続されており吸着部21上のウエハ40の吸着状態を示すハイレベルの信号を出力するようになっている。制御部10は、感知部16と電子バルブ調節部14とにより出力されるハイレベルの信号を受信しウエハ40に感光液を塗布しベーキングを施すための制御信号を供給し装置全体を制御している。
【0009】
次に、図2を参照し従来の半導体製造装置を使用しウエハ40上に感光液を塗布しベーキングする動作を説明する。
【0010】
図2に示すように、ウエハ40に感光液を塗布しベーキングするためウエハ40を搬送手段(図示せず)により把持させプレート20の吸着部21上に設置させる。
ウエハ40が吸着部21上に設置されると、電子バルブ調節部14がウエハ40を感知し真空圧を供給することで真空圧がプレート20の供給管22を介し吸着部21に供給されウエハ40が吸着される。
【0011】
ウエハ40が吸着されると、プレート20の検出部24で検出された真空圧により感知部16のディアフレーム16aが屈曲しプレート20の吸着部21上にウエハ40が吸着されていることを示す信号が制御部10に出力される。
ウエハ40が吸着され所定時間が経過し処理が終了すると、電子バルブ調節部14が吸着部21上にウエハ40を吸着させるための真空圧を遮断しオフされる。これにより、感知部16のディアフレーム16aが復元力により元の状態に復元されオフされるとともに、ウエハ40が吸着されていないことを示す信号を制御部10に出力するようになる。
【0012】
この制御部10に感知部16と電子バルブ調節部14とにより出力される信号は、ウエハ40に感光液を塗布しベーキングを施すための制御信号として使用されるとともに、次の工程を実行するための制御信号としても使用され装置全体を制御している。
【0013】
このように、従来の半導体製造装置は、ウエハ40のベーキングおよび感光膜を塗布する半導体製造工程において、ウエハ40がプレート上に吸着された状態をディアフレームの屈曲および回復により制御部に信号を送信することで装置全体が制御されていた。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、感知部16のディアフレーム16aは、制御条件の変化または真空の漏出(leakage)などにより真空圧の検出感度が変化してしまうとともに、使用状況により回復力の特性も変化してしまう。これにより半導体製造装置に真空エラが発生してしまう不具合があった。
また、半導体製造装置の真空エラの発生は、感知部16を周期的に交替するこにより防止することが可能である。しかし、感知部16の交替により発生する部品費および人件費とが増加するとともに生産の効率を低下させてしまう不具合があった。
本発明は上述した問題点を解決するために、ウエハを真空吸着するための検出部に特性変化および感度変化などによる真空エラの発生を防止することができる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述の課題を解決するために、感光液を塗布しベーキングするためウエハを真空吸着するプレート上にウエハが設置されたか否かを感知しこのプレートにウエハを吸着固定する真空圧の供給および遮断を行う電子バルブ調節部を設け、このウエハが吸着されると電子バルブ調節部から動作電源が供給され所定時間経過後にウエハの吸着状態を示すハイレベルの信号を出力する時間遅延部を備え、この時間遅延部により出力される信号を受信しウエハに感光液を塗布しベーキングする制御信号を供給し装置全体を制御する制御部とを設ける。
【0016】
ここで、電子バルブ調節部は電圧が逆流することを防止するために電子バルブ調節部と並列に接続された逆流防止用ダイオードを設け、時間遅延部に電子バルブ調節部から動作電源が供給され、ほぼ2〜3秒後にウエハの吸着状態を示すハイレベルの信号を出力するようにする。また、時間遅延部は電子バルブ調節部が真空圧の供給を遮断しオフすると同時にオフするとともに、電子バルブ調節部と並列に連結され24Vの動作電源でタイムリレのような動作を実行させる。
【0017】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明による半導体製造装置の実施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明によるの半導体製造装置の実施の形態の主要部を示す構成図である。図2において図1に示す半導体製造装置と同じ構成要素には同一符号を記している。
【0018】
図1に示すように、本発明による半導体製造装置は、所定の工程を経たウエハ40上に感光液を塗布しベーキングするためウエハ40を載置し固定するプレート20と、このプレート20上にウエハ40が設置されたか否かを感知し真空圧の供給および遮断を行う電子バルブ調整部14と、この電子バルブ調節部14から動作電源が供給され所定時間にウエハ40の設置状態を示す信号を出力する時間遅延部30と、この時間遅延部30と電子バルブ調節部14とにより出力される信号を受信しウエハ40上に感光液を塗布しベーキングする制御信号を供給し装置全体を制御する制御部10とにより構成されている。
【0019】
プレート20は、ウエハ40を上部に設置し吸着するため断面が凹状の吸着部21が設けられている。この吸着部21の底面には、真空圧を供給する供給管26が装着されている。プレート20の供給管26には、真空圧を供給管26に供給する電子バルブ調節部14が接続されている。
【0020】
電子バルブ調節部14は、所定の工程を経たウエハ40がプレート20の吸着部21上に設置されたか否かを感知し供給管26に真空圧を供給させ、ウエハ40を吸着部21上に吸着させる構造を有している。また電子バルブ調節部14は、電子バルブ調節部14から電圧が逆流し装備に損傷を与えることを防止するために電子バルブ調節部14と並列に接続された逆流防止用ダイオードD1を具備している。
電子バルブ調節部14は、プレート20の吸着部21上にウエハ40が設置されたか否かを感知することでウエハ40を吸着する真空圧を供給管26に供給するとともに所定時間が経過すると真空圧を遮断しオフする。
また、電子バルブ調節部14には、電子バルブ調節部14と並列に接続され、電子バルブ調節部14から動作電源が供給され動作する時間遅延部30が接続されている。
【0021】
この時間遅延部30は、電子バルブ調節部14から供給される動作電源によって約2〜3秒後に自動的に吸着部21上にウエハ40が吸着されていることを示すハイレベルの信号を出力する。
また時間遅延部30は、電子バルブ調節部14が真空圧を遮断しオフされると同時にオフされ、ウエハ40がプレート20上に吸着されていないことを示すハイレベルの信号を出力するようになっている。
このように時間遅延部30は、電子バルブ調節部14と並列に接続され約24Vの動作電源によりタイムリレのように動作する。
【0022】
また、時間遅延部30と電子バルブ調節部14とには、制御部10が接続されており、吸着部21上のウエハ40の吸着状態を示すハイレベルの信号を出力できるようになっている。制御部10は、時間遅延部30と電子バルブ調節部14とにより出力されるハイレベルの信号を受信しウエハ40に感光液を塗布しベーキングを施すための制御信号を供給し装置全体を制御している。
【0023】
次に、図2を参照し本発明による半導体製造装置の実施の形態を使用しウエハ40に感光液を塗布しベーキングする動作を詳細に説明する。
【0024】
図2に示すように、半導体製造工程においては、ウエハ40上に感光液を塗布しベーキングするため所定の工程を経たウエハ40を搬送装置(図示せず)により把持しプレート20上まで搬送し設置する。
そして、ウエハ40が吸着部21上に設置されると、これに伴い電子バルブ調節部14がウエハ40を感知しプレート20の供給管26に真空圧を供給することで真空圧が吸着部21に供給されウエハ40が吸着される。
【0025】
ウエハ40が吸着部21上に吸着されると、電子バルブ調節部14と並列に接続された時間遅延部30に電子バルブ調節部14が24Vの動作電源を供給することで時間遅延部30を動作させる。
電子バルブ調節部14から約24Vの動作電源が供給されると、時間遅延部30が動作し2〜3秒後に吸着部21にウエハ40が吸着されていることを示す信号を制御部10に出力するようになる。
【0026】
ウエハ40が吸着され所定時間が経過し処理が終了すると、電子バルブ調節部14が吸着部21上にウエハ40を吸着させるための真空圧を遮断しオフされる。これにより、時間遅延部30がオフされるとともにウエハ40が吸着されていないことを示す信号を制御部10に出力するようになる。
【0027】
時間遅延部30と電子バルブ調節部14とにより出力される信号は、制御部10が受信しウエハ40に感光液を塗布しベーキングを施すための制御信号として使用されるとともに、次の工程を実行するための制御信号としても使用され装置全体を制御している。
【0028】
【発明の効果】
このように本発明の半導体製造装置によれば、特性変化と感度変化とが頻繁に発生する従来の感知部16を時間遅延部12に替えることにより真空エラを防止することができる。
また、真空エラにより周期的に交換しなければならない従来の感知部16を使用しないので、交換する場合に必要な部品費と人件費とを節減することができるとともに、特性変化と感度変化とにより真空エラが発生し生産性を低下させることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるの半導体製造装置の実施の形態の主要部を示す構成図。
【図2】従来の半導体製造装置の主要部を示す構成図。
【符号の説明】
10 制御部
14 電子バルブ調節部
20 プレート
21 吸着部
26 供給管
30 時間遅延部
40 ウエハ
Claims (5)
- プレート上にウエハを真空吸着し感光液を塗布しベーキングする半導体製造装置において、
前記プレート上にウエハが設置されたか否かを感知し前記プレートにウエハを吸着固定する真空圧の供給および遮断を行う電子バルブ調節部と、
前記ウエハが吸着されると前記電子バルブ調節部から動作電源が供給され所定時間経過後にウエハの吸着状態を示すハイレベルの信号を出力する時間遅延部と、
前記時間遅延部により出力される信号を受信しウエハに感光液を塗布しベーキングする制御信号を供給し装置全体を制御する制御部とを設けたことを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1に記載の半導体製造装置において、
前記電子バルブ調節部は、電子バルブ調節部から電圧が逆流することを防止するために電子バルブ調節部と並列に接続された逆流防止用ダイオードを設けたことを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1に記載の半導体製造装置において、
前記時間遅延部は、電子バルブ調節部から動作電源が供給され、ほぼ2〜3秒後にウエハの吸着状態を示すハイレベルの信号を出力することを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項3に記載の半導体製造装置において、
前記時間遅延部は、前記電子バルブ調節部が真空圧の供給を遮断しオフすると同時にオフされることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項4に記載の半導体製造装置において、
前記時間遅延部は、前記電子バルブ調節部と並列に連結され24Vの動作電源でタイムリレのような動作を実行することを特徴とする半導体製造装置。
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