JP2010050265A - ウェーハの搬送用パッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パッド1を加熱するためのヒータ2と、パッド1の温度制御用センサ2aと、制御盤3とを備え、裏面研削後のウェーハ7の搬送時の真空吸着に際し、ヒータ2により円形基板1cが所定の温度に加熱されたことを温度制御用センサ2aで検知確認して、パッド1をウェーハ7に当接させることによりウェーハ7のパターン面7aに貼付けられたBGテープ8の貼付け張力を低減させ、ウェーハ7の反りを防止し、ウェーハ7のエッジ部とパッド1との密着状態を良好に保つ。
【選択図】図1
Description
具体的には、従来はウェーハ7自体が厚く、BGテープ8の貼付け張力によるウェーハ7の反りはそれほど問題とならなかった。しかし、最近では研削後のウェーハ7の厚さは、25〜50μmと、BGテープ8の厚さ(100〜200μm)と較べてもかなり薄くなってきた。このため特に薄物において、ウェーハ7の反りによる吸着不良が発生するようになった。
通常、薄膜化されたウェーハは全面吸着パッドによる搬送が行われるが、上記の反りが大きいウェーハの場合、エッジ部が反りにより吸着面から浮かび上がってしまうため、正常に吸着保持ができなくなり、ウェーハの搬送不良や搬送パッドからのウェーハの落下という不具合が生じる。
特許文献1には、内部にヒータとしての導電体が埋設されているセラミック基板について記載されている。
請求項2の発明は、さらに、前記基板の材質は多孔質のセラミックであることを特徴とする。これにより、真空吸着機能及び熱伝導効率に優れた搬送パッドとすることができる。
請求項3の発明は、さらに、前記ヒータにより前記基板が所定の温度に加熱されたことを前記温度制御用センサで検知確認して、前記基板により裏面研削後の半導体ウェーハを吸着して搬送することを特徴とする。これにより、各ウェーハの材質、厚さに応じた設定温度に達したことを確認した後に吸着、搬送を行うことができ、反りによる不具合を確実に防止することができる。
図1は本発明のウェーハの搬送用パッドの一実施形態を示す模式図である。図2は図1のA部の拡大図であり、(a)はヒータを使用せずBGテープ貼付け張力によりウェーハエッジ部が反った状態を、(b)はヒータ加熱により反りが低減され、ウェーハエッジ部がパッドに正常に吸着された状態をそれぞれ示す。符号1は搬送パッド、符号2はヒータ、符号3は制御盤をそれぞれ示す。
ウェーハ搬送アーム6の下面に金属ブラケット5が設けられており、金属ブラケット5の下面に搬送用パッド1が設けられている。搬送用パッド1は円盤形状をしており、上部の円形基板1aと下部の円形基板1b及び1cとからなり、円形基板1aはセラミック製であって、内部にヒータ2を備えている。本実施形態ではヒータ2として、多孔質セラミック基板の内部にALN基板を配置したセラミックヒータを使用しているが、ヒータ2はこれに限られずパッド1のウェーハ7との接触面を均等に短時間で加熱昇温できるものであればよい。
円形基板1cには温度測定用の熱伝対2aが埋め込まれており、出力調整器3に繋がれている。さらに、円形基板1cには真空吸引用の配管4が設けられ真空ポンプ(不図示)に繋がっている。
円形基板1cとして本実施形態では多孔質セラミックの基板を使用するが、円形基板1cの材質はこれに限られず、例えば多孔質のアルミナであってもよい。また、本実施形態では通常のセラミック製の円形基盤1bと多孔質セラミック製の円形基盤1cの2層構造としているが、上面および側面からエアを吸わないようにシールする構成として、多孔質のセラミックあるいは多孔質のアルミナのみで吸着パッドを構成してもよい。
裏面研削が完了したウェーハ7のパターン面7aにはBGテープが貼付けられており、この貼付け張力により研削面を上、パターン面7aを下にした状態で上に凸となる状態に反っている。
BGテープ8は約80℃に加熱することで常温の場合に較べて軟らかくなり、貼付け張力が減少するため、ウェーハ7の反りは大幅に軽減される。
円形基板1aに設置されたヒータ2により、ウェーハ7のパターン面7aに貼られたBGテープ8が加熱されて軟化し貼付け面に加える張力が弱まり、この張力によるウェーハ7の反りも軽減されるためウェーハ7のエッジ部がパッド1の表面にしっかりと密着する。この結果、ウェーハ7の吸着不良や、搬送中の落下といった不具合の発生を防止することができる。
1a 円形基板(ヒータ内臓)
1b 円形基板(通常のセラミック)
1c 円形基板(多孔質セラミック)
2 ヒータ
2a 熱伝対
3 制御盤
4 配管
5 ブラケット
6 アーム
7 ウェーハ
7a パターン面
8 BGテープ
Claims (3)
- 半導体ウェーハの裏面研削装置から前記ウェーハの搬送を行う搬送パッドであって、
真空吸着用の配管が設けられた基板と、
該基板に接して設けられ、前記基板を加熱するためのヒータと、
前記基板の温度制御用センサと、を備える
ことを特徴とするウェーハの搬送用パッド。 - 前記基板の材質は多孔質のセラミックである、請求項1に記載のウェーハの搬送用パッド。
- 前記ヒータにより前記基板が所定の温度に加熱されたことを前記温度制御用センサで検知確認して、前記基板により裏面研削後の半導体ウェーハを吸着して搬送することを特徴とする、請求項1または2に記載のウェーハの搬送用パッド。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2008212899A JP2010050265A (ja) | 2008-08-21 | 2008-08-21 | ウェーハの搬送用パッド |
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JP2008212899A JP2010050265A (ja) | 2008-08-21 | 2008-08-21 | ウェーハの搬送用パッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010050265A true JP2010050265A (ja) | 2010-03-04 |
Family
ID=42067119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008212899A Pending JP2010050265A (ja) | 2008-08-21 | 2008-08-21 | ウェーハの搬送用パッド |
Country Status (1)
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2008
- 2008-08-21 JP JP2008212899A patent/JP2010050265A/ja active Pending
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