JPH09302489A - ボンベ内面の清浄処理方法 - Google Patents

ボンベ内面の清浄処理方法

Info

Publication number
JPH09302489A
JPH09302489A JP8118849A JP11884996A JPH09302489A JP H09302489 A JPH09302489 A JP H09302489A JP 8118849 A JP8118849 A JP 8118849A JP 11884996 A JP11884996 A JP 11884996A JP H09302489 A JPH09302489 A JP H09302489A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cylinder
solvent
water
inner face
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8118849A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3518947B2 (ja
Inventor
Kazunari Ishida
一成 石田
Yuri Kawano
由里 川野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Toatsu Chemicals Inc filed Critical Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority to JP11884996A priority Critical patent/JP3518947B2/ja
Publication of JPH09302489A publication Critical patent/JPH09302489A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3518947B2 publication Critical patent/JP3518947B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
    • C23G5/02Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents
    • C23G5/028Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents containing halogenated hydrocarbons
    • C23G5/02854Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents containing halogenated hydrocarbons characterised by the stabilising or corrosion inhibiting additives
    • C23G5/02861Oxygen-containing compounds
    • C23G5/02864Alcohols
    • C23G5/02867Alcohols aliphatic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
    • C23G5/02Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents
    • C23G5/028Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents containing halogenated hydrocarbons
    • C23G5/02854Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents containing halogenated hydrocarbons characterised by the stabilising or corrosion inhibiting additives
    • C23G5/02861Oxygen-containing compounds
    • C23G5/02874Aldehydes or ketones
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17CVESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C1/00Pressure vessels, e.g. gas cylinder, gas tank, replaceable cartridge
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17CVESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C2209/00Vessel construction, in particular methods of manufacturing
    • F17C2209/21Shaping processes
    • F17C2209/2172Polishing
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17CVESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C2265/00Effects achieved by gas storage or gas handling
    • F17C2265/01Purifying the fluid
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17CVESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C2270/00Applications
    • F17C2270/05Applications for industrial use
    • F17C2270/0518Semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体産業分野等における高純度ガスの貯蔵、
輸送に使用されるボンベの材質はマンガン鋼、クロムモ
リブデン鋼が一般に用いられているが、充填当初はファ
イブナイン級以上であった高純度ガスが、実使用時には
ボンベ材質に起因する金属不純物により純度低下を起こ
している。特にハロゲン系のガスにこの傾向が著しい。 【解決手段】ボンベ内面を研磨した後、水洗を行い、更
にイソプロピルアルコール、メタノール、アセトン等の
親水性の溶剤でボンベ内面を洗浄処理し、これを加熱真
空、又は窒素、ヘリウム等の不活性ガスで置換除去し清
浄化して高純度ガスを充填使用する。 【効果】塩化水素等のハロゲン系のガスを充填して室温
において一週間放置した状態においても、鉄分として5
0wtppb以下に抑えることが出来、極めて有効であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高純度ガスまたは
液化ガスの充填に使用するボンベ内面の清浄処理方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】近年、特に半導体産業分野などにおいて
は、ファイブナインまたはそれ以上の極めて高純度のガ
スが要求されるが、これらは通常ボンベに充填して市販
供給される。しかし、このような高純度ガスを使用する
場合、ボンベ内面の金属分がガス中へ混入し、製造時に
は高純度であったガスの純度が悪化するという問題が生
じる。特に、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素、塩素、
塩化ホウ素等の腐食性の強いハロゲン系のガスの場合、
ボンベ内面の微量の水分または酸素により、経時的に腐
食が発生し、金属分の混入が著しい。
【0003】一般にボンベに充填された上記ガスを使用
する場合、ボンベ材質はマンガン鋼、クロムモリブデン
鋼で製造されたものが多く使用されている。しかしこれ
らのボンベの内部から微量の水分や酸素を完全に除去す
ることは極めて困難であり、これまで真空加熱する方
法、窒素、ヘリウム等の不活性ガスで置換する方法など
が行われているが、十分な効果は得られていない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高純
度ガスをボンベに充填して貯蔵またはボンベより導出し
て使用するに際し、高純度ガス中に不純物が混入するこ
とを防止するためのボンベの内面清浄処理方法を提供す
ることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らはボンベの内面処理の方法と、充填ガス
中の不純物の関係について鋭意研究を行なった結果、本
発明を完成するに至った。すなわち、本発明のボンベ内
面の清浄処理方法は、ボンベ内面を研磨、水洗浄した
後、更に低沸点、親水性の溶剤で洗浄することを特徴と
するものであり、半導体等の製造に使用される腐食性ま
たはその他のボンベ入りガスのいずれに対しても適応で
きる方法である。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明を実施するに際しては、ま
ず、ボンベの内面を研磨する。研磨の方法はショットブ
ラスト研磨、バレル研磨等の公知の研磨法で良い。更に
研磨残査等を除く目的でボンベ内を水で洗浄する。水洗
浄後、低沸点、親水性の溶剤でボンベ内を洗浄処理す
る。
【0007】本発明において使用される溶剤としては、
研磨に使用した界面活性剤や水等の不純物と親和しこれ
をボンベ外に排出でき、低沸点のものであればどのよう
なものでもよく、例えば、アセトン、メタノール、イソ
プロピルアルコール(以下、IPAと略記する)などが
好適に用いられる。また本発明において使用されるIP
A等の溶剤は、一般工業用の品質規格の純度のものも使
用可能であるが、本発明の目的の不純物の混入が極めて
少ない高純度ガス用のボンベを得るには、パーティクル
の少ない高純度のものを用いることが好ましい。
【0008】IPA等の溶剤によるボンベの内面処理
は、具体的にはボンベの口を真下にしてスライド式ノズ
ルをボンベ内に挿入して高圧の溶剤をボンベ内面に噴射
する方法や、溶剤を内容積の半量程入れたボンベを横に
して、口をやや下に向けた状態で容器を回転する方法な
どで行う。
【0009】本溶剤処理が水洗浄のみによる処理と比較
して効果が優れているのは、研磨に使用する界面活性
剤、ボンベ内部の金属面の水、酸素等の不純物の溶解力
に優れ、また、ボンベ材料金属との親和力が強く、ボン
ベ表面のみならず材料深部の水、酸素等の不純物を除去
する効果が優れていることによると考えられる。IPA
等の溶剤処理後のボンベは、加熱真空、あるいは窒素、
ヘリウム等の不活性ガスでブローし置換することにより
溶剤を除去する。
【0010】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。
【0011】実施例1 マンガン鋼製、容量 900リットルのボンベの内部をバレ
ル研磨した後、ボンベの口を真下に向け、150kgf/cm2
高圧純水をスライド式ノズルから噴射して内部を30分洗
浄する。その後、150kgf/cm2の高圧IPAで同様に 2分
間洗浄する。次に、ボンベ内部に5kgf/cm2の加熱窒素を
吹き込み雰囲気を置換しながら180 ℃で加熱乾燥する。
こうして処理したボンベに塩化水素を充填し、20〜30℃
の室温で1週間放置後、ボンベから内部の液相をドライ
アイス−メタノールで約−80℃に冷却しておいた石英瓶
に 250mlサンプリングする。その後、室温で塩化水素を
蒸発させた後、超純水で金属塩を溶解し、イオンプラズ
マ発光分析法で鉄イオン濃度の分析を行った。結果は表
1に示す。
【0012】実施例2 処理溶剤としてアセトンを使用した以外は、実施例1と
同様に行った。結果は表1に示す。
【0013】実施例3 処理溶剤としてメタノールを使用した以外は、実施例1
と同様に行った。結果は表1に示す。
【0014】実施例4 クロム- モリブデン鋼製、容量 47 リットルのボンベを
使用した以外は、実施例1と同様に行った。結果は表1
に示す。
【0015】実施例5 SUS 304 製、3.4 リットルのボンベを使用し、ヨウ化水
素を充填した以外は、実施例1と同様に行った。結果は
表1に示す。
【0016】比較例1 溶剤のかわりに純水で内面処理した以外は、実施例1と
同様に行った。結果は表1に示す。
【0017】
【表1】
【0018】
【発明の効果】本発明の方法によれば、半導体用の高純
度ガスの貯蔵中の純度低下を実用上充分な程度に防止す
ることができて、産業に利すること大である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ボンベ内面を研磨、水洗浄した後、更に低
    沸点、親水性の溶剤で洗浄することを特徴とするボンベ
    内面の清浄処理方法。
  2. 【請求項2】低沸点、親水性の溶剤がイソプロピルアル
    コール、メタノール、アセトンの中から選ばれる少なく
    とも一種である、請求項1記載のボンベ内面の清浄処理
    方法。
JP11884996A 1996-05-14 1996-05-14 ボンベ内面の清浄処理方法 Expired - Fee Related JP3518947B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11884996A JP3518947B2 (ja) 1996-05-14 1996-05-14 ボンベ内面の清浄処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11884996A JP3518947B2 (ja) 1996-05-14 1996-05-14 ボンベ内面の清浄処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09302489A true JPH09302489A (ja) 1997-11-25
JP3518947B2 JP3518947B2 (ja) 2004-04-12

Family

ID=14746668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11884996A Expired - Fee Related JP3518947B2 (ja) 1996-05-14 1996-05-14 ボンベ内面の清浄処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3518947B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11304038A (ja) * 1998-04-22 1999-11-05 Sumitomo Seika Chem Co Ltd 圧力調整器
JP2004270917A (ja) * 2002-08-05 2004-09-30 Mitsui Chemicals Inc ハロゲン系ガス充填容器およびこれに充填されたガス並びに充填容器の処理方法
JP2006225746A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Mitsubishi Materials Corp メッキ用アノード銅ボールの製造方法
US8590705B2 (en) 2010-06-11 2013-11-26 Air Products And Chemicals, Inc. Cylinder surface treated container for monochlorosilane
WO2017047470A1 (ja) * 2015-09-14 2017-03-23 日本ゼオン株式会社 フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器、ガス充填容器の製造方法、及びフッ素化炭化水素化合物の保存方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11304038A (ja) * 1998-04-22 1999-11-05 Sumitomo Seika Chem Co Ltd 圧力調整器
JP2004270917A (ja) * 2002-08-05 2004-09-30 Mitsui Chemicals Inc ハロゲン系ガス充填容器およびこれに充填されたガス並びに充填容器の処理方法
JP2006225746A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Mitsubishi Materials Corp メッキ用アノード銅ボールの製造方法
JP4635639B2 (ja) * 2005-02-21 2011-02-23 三菱マテリアル株式会社 メッキ用アノード銅ボールの製造方法
US8590705B2 (en) 2010-06-11 2013-11-26 Air Products And Chemicals, Inc. Cylinder surface treated container for monochlorosilane
WO2017047470A1 (ja) * 2015-09-14 2017-03-23 日本ゼオン株式会社 フッ素化炭化水素化合物充填済みガス充填容器、ガス充填容器の製造方法、及びフッ素化炭化水素化合物の保存方法
CN107923573A (zh) * 2015-09-14 2018-04-17 日本瑞翁株式会社 已填充氟化烃化合物的气体填充容器、气体填充容器的制造方法及氟化烃化合物的保存方法
EP3351846A4 (en) * 2015-09-14 2019-04-17 Zeon Corporation A GAS-FILLED CONTAINER FILLED WITH A FLUORED HYDROCARBON CONNECTION, METHOD FOR THE PRODUCTION OF A GAS-FILLED CONTAINER, AND METHOD FOR STORING A FLUORIZED CARBON FUEL COMPOUND

Also Published As

Publication number Publication date
JP3518947B2 (ja) 2004-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Berman Water vapor in vacuum systems
US5417826A (en) Removal of carbon-based polymer residues with ozone, useful in the cleaning of plasma reactors
US5454903A (en) Plasma cleaning of a CVD or etch reactor using helium for plasma stabilization
KR20090030203A (ko) 클리닝 방법 및 기판 처리 장치
JPH07508313A (ja) プラズマ処理装置内の残留物を除去するためのプラズマクリーニング方法
JP2008518482A5 (ja)
CN1284636C (zh) 陶瓷制品的清洁方法
JP3518947B2 (ja) ボンベ内面の清浄処理方法
EP0761597A1 (en) Cleaning of metallic contaminants from the surface of polycrystalline silicon
JPWO2009037991A1 (ja) クリーニング方法及び基板処理装置
JP3017528B2 (ja) プラズマ処理装置
US20220081759A1 (en) Apparatus and method for manufacturing metal gate structures
JP3116038B2 (ja) 高圧ガス容器の内面処理方法
JPH02190472A (ja) 膜形成操作系におけるフツ化物系ガスによるクリーニング後の汚染除去方法
US8517795B2 (en) Surface treatment method for vacuum member
KR100272291B1 (ko) 반도체 기판의 건식세정방법
US4038117A (en) Process for gas polishing sapphire and the like
JPWO2003052167A1 (ja) F▲下2▼ガス発生装置及びf▲下2▼ガス発生方法並びにf▲下2▼ガス
KR20060046505A (ko) 플라즈마 처리 방법 및 후처리방법
US20090260974A1 (en) Apparatus and method for manufacturing halogen gas and halogen gas recovery and circulatory system
US20180015589A1 (en) Gas-filled vessel filled with fluorinated hydrocarbon compound
JPH05326477A (ja) 半導体基板表面のハロゲン除去方法
Moylan et al. Electron attachment chemistry of SiCl4. Relevance to plasma reactions
TW202037759A (zh) 乾式蝕刻方法、乾式蝕刻劑、及其保存容器
JP2003028392A (ja) 半導体製造用高純度塩化水素

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040127

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040127

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees