CN107923573A - 已填充氟化烃化合物的气体填充容器、气体填充容器的制造方法及氟化烃化合物的保存方法 - Google Patents

已填充氟化烃化合物的气体填充容器、气体填充容器的制造方法及氟化烃化合物的保存方法 Download PDF

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Abstract

本发明为在气体填充容器的内部填充化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物而形成的已填充氟化烃化合物的气体填充容器、气体填充容器的制造方法及氟化烃化合物的保存方法。本发明的已填充氟化烃化合物的气体填充容器中的氟化烃化合物由于其分解被抑制，因此纯度不易下降。

Description

已填充氟化烃化合物的气体填充容器、气体填充容器的制造 方法及氟化烃化合物的保存方法
技术领域
本发明涉及在气体填充容器的内部填充化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物而形成的已填充氟化烃化合物的气体填充容器、气体填充容器的制造方法及氟化烃化合物的保存方法。
背景技术
一直以来，在制造半导体装置等时的蚀刻处理中，为了选择性地蚀刻被蚀刻材料，使用氟化烃化合物作为蚀刻气体。
为了稳定地进行微细的加工，要求蚀刻处理所使用的氟化烃化合物为高纯度(例如，纯度为99.90体积％以上)。此外，氟化烃化合物被填充在气体填充容器中，直到使用时为止多以该状态保存。
因此，蚀刻处理所使用的氟化烃化合物不仅需要在填充到气体填充容器时的纯度高，还需要在气体填充容器中可长时间维持其高纯度。
作为维持气体填充容器内的气体的纯度的方法，已知对气体填充容器的内表面进行清洗处理的方法。
专利文献1中记载了气体填充容器内面的清洗处理方法，其特征在于，对气体填充容器内面进行抛光、水洗后，进一步用低沸点、亲水性的溶剂进行清洗。
该文献中还记载了向实施了该清洗处理的气体填充容器中填充氯化氢等腐蚀性气体时，抑制了金属杂质导致的气体的纯度的下降。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-302489号公报。
发明内容
发明要解决的问题
像上述那样，通过使用专利文献1中记载的实施了清洗处理的气体填充容器，从而能够抑制腐蚀性气体的纯度的下降。
但是，根据本发明人的研究发现，所填充的气体为化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物时，即使使用实施了那样的清洗处理的气体填充容器也不能有效地抑制气体的纯度的下降。进一步地，还发现在实施了那样的清洗处理的气体填充容器中，气体填充容器中的水分量随时间增加的倾向，有填充的氟化烃化合物不能用作蚀刻气体的情况。
本发明是鉴于上述的现有技术而完成的，其课题在于提供一种在气体填充容器的内部填充化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物而形成的、填充的氟化烃化合物的纯度不易下降的已填充氟化烃化合物的气体填充容器、气体填充容器的制造方法及氟化烃化合物的保存方法。
用于解决问题的方案
本发明人为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现，(i)由于化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物的一部分分解，生成脱HF化合物(烯烃化合物)，因此引起纯度的下降，(ii)在使用了不锈钢、锰钢等钢材的气体填充容器中，其内表面所存在的金属原子等路易斯酸成分能够作为分解上述氟化烃化合物的催化剂而发挥功能，以及(iii)通过实施了使气体填充容器的内表面接触胺系化合物的处理，从而能够抑制路易斯酸成分的催化剂活性，抑制气体填充容器所填充的氟化烃化合物的纯度的下降，以至完成了本发明。
因此，根据本发明，提供下述[1]～[4]的已填充氟化烃化合物的气体填充容器、[5]气体填充容器的制造方法及[6]氟化烃化合物的保存方法。
[1]一种已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其特征在于，是在气体填充容器的内部填充化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物而形成的，上述氟化烃化合物的填充所使用的气体填充容器的至少内表面为不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制，并且实施了使其内表面接触胺系化合物的处理及在该处理后挥发除去气体填充容器内的胺系化合物的处理。
[2]根据[1]所述的已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其中，上述胺系化合物为下述化学式(I)～(III)中任一个所示的碳原子数为10以下的化合物。
[化学式1]
(式中，R1～R7分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为3～10的环烷基或碳原子数为6～10的芳基，R8表示碳原子数为1～5的烷基或碳原子数为3～5的环烷基。选自R1～R3的2个基团、R4和R5、R6和R7分别能够结合而形成环。A表示碳原子数为2～10的2价基团。n表示0～5的整数。n为2以上时，R8互相能够相同，也能够不同。)
[3]根据[1]或[2]所述的已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其中，上述胺系化合物为熔点在10℃以下的化合物。
[4]一种已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其是在气体填充容器的内部填充化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物而形成的，上述氟化烃化合物的填充所使用的气体填充容器的至少内表面为不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制，并且将已填充氟化烃化合物的气体填充容器在刚刚填充气体后在55℃静置30天时，用下述数学式求出的填充的氟化烃化合物的纯度变化为0.02百分点以下。
[数学式1]
纯度变化＝纯度X0-纯度X1
(式中，纯度X0表示用于填充的氟化烃化合物的纯度(体积％)，纯度X1表示刚刚填充气体后在55℃静置30天后的气体填充容器内的氟化烃化合物的纯度(体积％)。)
[5]一种气体填充容器的制造方法，其特征在于，实施使至少内表面是不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制的气体填充容器的内表面接触胺系化合物的处理及在该处理后挥发除去气体填充容器内的胺系化合物的处理。
[6]一种氟化烃化合物的保存方法，其特征在于，在上述[5]所得到的气体填充容器内填充化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物。
发明效果
根据本发明，可提供一种在气体填充容器的内部填充化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物而形成的、填充的氟化烃化合物的纯度不易下降的已填充氟化烃化合物的气体填充容器、气体填充容器的制造方法及氟化烃化合物的保存方法。
具体实施方式
以下，将本发明分成1)已填充氟化烃化合物的气体填充容器、以及2)气体填充容器的制造方法及氟化烃化合物的保存方法来进行详细说明。
1)已填充氟化烃化合物的气体填充容器
本发明的已填充氟化烃化合物的气体填充容器(以下有时会称为“已填充的气体填充容器”。)为在气体填充容器的内部填充化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物而形成的气体填充容器。上述氟化烃化合物的填充所使用的气体填充容器的至少内表面为不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制，并且满足下述(a)或(b)的要件。
(a)上述氟化烃化合物的填充所使用的气体填充容器实施了使其内表面接触胺系化合物的处理及在该处理后挥发除去气体填充容器内的胺系化合物的处理(以下有时会称为“已填充的气体填充容器(α)”。)。
(b)将已填充氟化烃化合物的气体填充容器在刚刚填充气体后在55℃静置30天时，用上述数学式求出的氟化烃化合物的纯度变化为0.02百分点以下(以下有时会称为“已填充的气体填充容器(β)”。)。
[已填充的气体填充容器(α)]
(氟化烃化合物)
构成已填充的气体填充容器(α)的氟化烃化合物填充在气体填充容器的内部，为化学式：C4H9F或C5H11F所示的化合物[以下有时会称为“氟化烃化合物(I)”。]。
作为C4H9F所示的化合物，可举出：1-氟丁烷、2-氟丁烷、1-氟-2-甲基丙烷和2-氟-2-甲基丙烷。
作为C5H11F所示的化合物，可举出：1-氟戊烷、2-氟戊烷、3-氟戊烷、1-氟-2-甲基丁烷、1-氟-3-甲基丁烷、2-氟-2-甲基丁烷、2-氟-3-甲基丁烷和1-氟-2,2-二甲基丙烷。
在这些中，从更显著显现本发明的效果的观点出发，作为氟化烃化合物(I)，优选在分子末端的碳原子上不结合氟原子的化合物[以下有时会称为“氟化烃化合物(IA)”。]。
一般而言，氟化烃化合物(IA)相比于在分子末端的碳原子上结合氟原子的氟化烃化合物易于分解。
因此，一直以来，将氟化烃化合物(IA)填充在气体填充容器中长时间维持其纯度是困难的。
但是，在已填充的气体填充容器(α)中，即使填充这样的氟化烃化合物(IA)时也能长时间维持其纯度。
作为氟化烃化合物(IA)，可举出：2-氟丁烷、2-氟-2-甲基丙烷、2-氟戊烷、3-氟戊烷、2-氟-2-甲基丁烷、2-氟-3-甲基丁烷，优选2-氟丁烷、2-甲基-2-氟丙烷或2-氟戊烷，更优选2-氟丁烷。
填充到气体填充容器时的氟化烃化合物(I)的纯度(纯度X0)优选为99.90体积％以上，更优选为99.95体积％以上。
在本发明中，氟化烃化合物(I)的纯度能够通过后述的测定条件下的气相色谱分析来进行测定。
(气体填充容器)
构成已填充的气体填充容器(α)的气体填充容器的至少内表面为不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制。在此，“至少内表面是不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制的气体填充容器”的含义是指只要至少容器的内表面部分由不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢形成即可，不一定容器整体由不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢形成。
在至少内表面由这些钢材形成的气体填充容器中，通常，由于其内表面所存在的金属原子等路易斯酸成分作为分解氟化烃化合物(I)的催化剂而发挥功能，因此一直以来，在这样的气体填充容器中填充氟化烃化合物(I)时，存在易于引起其纯度的下降的问题。
另一方面，在已填充的气体填充容器(α)中，如下所述，不易引起氟化烃化合物(I)的分解，其纯度可被长时间维持。
使用的气体填充容器可以是对其内面实施了抛光处理的气体填充容器。
通过对气体填充容器的内面实施抛光处理，从而能够抑制水、杂质气体的吸附。因此，通过在对其内面实施了抛光处理的气体填充容器中填充氟化烃化合物(I)，从而能够更高效地抑制因水、杂质气体的混入等引起的氟化烃化合物(I)的纯度的下降。
抛光处理方法没有特别限定，可举出例如滚筒抛光处理。
使用的气体填充容器的内面的最大高度(Rmax)优选为25μm以下，更优选为5μm以下。没有特别的下限值，但通常为1μm以上。
气体填充容器的内面的最大高度可使用表面粗糙度测定装置测定。
构成本发明的已填充的气体填充容器(α)的气体填充容器实施了使其内表面接触胺系化合物的处理(以下有时会称为“接触处理”。)。
如上所述，通常，在使用了钢材的气体填充容器中，其内表面所存在的金属原子等路易斯酸成分作为分解氟化烃化合物(I)的催化剂而发挥功能。
但是，构成本发明的已填充的气体填充容器(α)的气体填充容器实施了接触处理，由此路易斯酸成分的催化剂活性被抑制。因此，在本发明的已填充的气体填充容器(α)中，不易引起氟化烃化合物(I)的分解，其纯度可被长时间维持。
作为胺系化合物，只要是对于路易斯酸可作为碱相互作用的胺系化合物则没有特别限定。作为胺系化合物，可举出下述化学式(I)～(III)中任一个所示的碳原子数(总碳原子数)为10以下的化合物。
[化学式2]
(式中，R1～R7分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为3～10的环烷基或碳原子数为6～10的芳基，R8表示碳原子数为1～5的烷基或碳原子数为3～5的环烷基。选自R1～R3的2个基团、R4和R5、R6和R7分别能够结合而形成环。A表示碳原子数为2～10的2价基团。n表示0～5的整数。n为2以上时，R8互相能够相同，也能够不同。
通过胺系化合物的碳原子数为10以下，从而胺系化合物的熔点变得充分低，在接触条件下作为液体或气体的处理变得容易，能够提高接触效率。
R1～R7的烷基的碳原子数为1～10，优选为1～5。当碳原子数变多时，挥发除去胺系化合物的处理可能会变得困难。
作为R1～R7的烷基，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、仲丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。
R1～R7的烷基能够是其氢原子被环戊基、环己基等环烷基、苯基等芳基等烃基取代的烷基。
R1～R7的环烷基的碳原子数为3～10，优选为3～6。碳原子数变多时，挥发除去胺系化合物的处理可能会变得困难。
作为R1～R7的环烷基，可举出：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基等。
R1～R7的环烷基能够是其氢原子被甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基等烷基、苯基等芳基等烃基取代的环烷基。
R1～R7的芳基的碳原子数为6～10，优选为6～8。碳原子数变多时，挥发除去胺系化合物的处理可能会变得困难。
作为R1～R7的芳基，可举出苯基、甲苯基、萘基等。
R8的烷基的碳原子数为1～5，优选为1～3。碳原子数变多时，挥发除去胺系化合物的处理可能会变得困难。
作为R8的烷基，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、仲丁基、正戊基等。
R8的烷基能够是其氢原子被环戊基等烃基取代的烷基。
R8的环烷基的碳原子数为3～5，优选为4～5。碳原子数变多时，挥发除去胺系化合物的处理可能会变得困难。
作为R8的环烷基，可举出：环丙基、环丁基、环戊基。
R8的环烷基能够是其氢原子被甲基等烃基取代的环烷基。
如上所述，R1～R8所示的基团为烃基，不含氧原子、卤素原子等碳原子、氢原子以外的原子。通过R1～R8所示的基团为烃基，从而更易于得到本发明申请的效果。
A的2价基团的碳原子数为2～10，优选为2～5。碳原子数变多时，挥发除去胺系化合物的处理可能会变得困难。
作为A的2价基团，可举出：亚乙基、亚丙基、三亚甲基、亚苯基等。
作为化学式(I)所示的胺系化合物，可举出：氨；甲胺、乙胺、乙烯亚胺、正丙胺、异丙胺、环丙胺、氮杂环丁烷、1-甲基氮丙啶、正丁胺、叔丁胺、正戊胺、正己胺、2-乙基己胺、正壬胺、正癸胺、苄胺、环己胺、苯胺等伯胺；二甲胺、二乙胺、甲乙胺、二正丙胺、二异丙胺、二正丁胺、二叔丁胺、二正戊胺等仲胺；三甲胺、二甲乙胺、三乙胺、三正丙胺、三异丙胺等叔胺；氮杂环丁烷、吡咯烷、哌啶、六亚甲基亚胺等环状胺等。
作为化学式(II)所示的胺系化合物，可举出：乙二胺、丙二胺、四亚甲基二胺、N,N,N',N'-四甲基乙二胺等。
作为化学式(III)所示的胺系化合物，可举出：吡啶、2-甲基吡啶、3-甲基吡啶、4-甲基吡啶等。
这些胺系化合物可单独使用一种或组合两种以上使用。
胺系化合物的熔点优选为10℃以下，更优选为0℃以下。通过胺系化合物的熔点为10℃以下，从而在接触条件下作为液体或气体的处理变得容易，能够提高接触效率。
此外，胺系化合物的沸点没有特别限定，但从能够更加容易地进行挥发除去气体填充容器内的胺系化合物的处理的观点出发，优选为200℃以下。
进行接触处理时的温度没有特别限定，但通常为15～60℃，优选为20～50℃。
接触处理的处理时间没有特别限定，可根据使用的胺系化合物适当设定，但通常为1～48小时，优选为6～24小时。
只要能得到本发明的效果，接触处理的方法没有限定。
例如，使用的胺系化合物在接触条件下为液体时，可将胺系化合物装入气体填充容器后加密封塞，将其振荡后静置，由此进行接触处理。
胺系化合物为液体时，其粘度在20℃时优选小于20cps，更优选小于15cps。通过粘度满足该规定，从而胺系化合物与容器内表面变得更易于接触，能够提高接触处理效率。
在接触处理时使用的液体的胺系化合物的量没有特别限定。使用的胺系化合物的量相对于容器的容量，优选为10～100体积％，更优选为20～90体积％。
此外，使用的胺系化合物在接触条件下为气体时，可将气体状的胺系化合物填充在气体填充容器后，静置气体填充容器，由此进行接触处理。
在接触处理时使用的气体状的胺系化合物的量没有特别限定。使用的胺系化合物的量相对于容器内的全部气体成分，优选为10～100体积％，更优选为20～100体积％。
构成本发明的已填充的气体填充容器(α)的气体填充容器在接触处理之后实施了挥发除去气体填充容器内的胺系化合物的处理(以下有时会称为“挥发除去处理”。)。
通过进行挥发除去处理而除去胺系化合物，从而能够避免因胺系化合物的残留物而引起的氟化烃化合物(I)的纯度的下降。
挥发除去处理的方法没有特别限定。
例如，使用液体的胺系化合物来进行接触处理时，通过将气体填充容器放置在该胺系化合物气化的环境下，从而能够进行挥发除去处理。
此外，也可通过进行吸出处理、将气体填充容器倾斜从而将气体填充容器内的胺系化合物直接以液体向外排出后，对气体填充容器内所残留的胺系化合物进行挥发除去处理。
此外，使用气体的胺系化合物进行接触处理时，能够通过吸出气体填充容器的内容物从而除去气体的胺系化合物(在本发明中，这样的方式也包含在“挥发除去”中。即，本发明中的“挥发除去”的含义是指胺系化合物以气体状态被排出到气体填充容器外，胺系化合物的状态从液体变化为气体不是本发明中的“挥发除去”的要件。)。
挥发除去处理时的处理条件可考虑使用的胺系化合物的沸点等适当决定。
气体填充容器内的温度通常为10～200℃，优选为20～150℃。如果处理温度低，则胺系化合物固化，因此挥发除去的效率可能会下降。另一方面，如果处理温度高，容器外表面的涂层溶解，会引起外观不良。
气体填充容器内的压力通常为-101～0kPa(G)，优选为-101～-10kPa(G)。如果处理压力高(超过0kPa(G))，则容器内的胺系化合物可能除不尽。
处理时间通常为0.1～5小时，优选为0.5～3小时。如果处理时间短，则挥发除去处理可能不充分，填充的氟化烃化合物(I)的纯度可能会下降。如果处理时间长，容器制造时的生产性会恶化。
挥发除去处理后的气体填充容器实质上不含胺系化合物。
例如，本发明所使用的气体填充容器在通过气相色谱分析其内容物时，未检测出胺系化合物。
另外，作为构成本发明的已填充的气体填充容器(α)的气体填充容器，通常不用在接触处理与挥发除去处理之间使用清洗溶剂等来对胺系化合物进行清洗除去。如果进行这样的清洗处理，则有可能得不到本发明的效果。
[已填充的气体填充容器]
已填充的气体填充容器(α)可通过在实施了上述的接触处理、挥发除去处理的气体填充容器中填充氟化烃化合物(I)而得到。
填充方法没有特别限定，能够利用公知的方法。
已填充的气体填充容器(α)为填充的氟化烃化合物(I)不易分解、其纯度不易下降的气体填充容器。
将已填充的气体填充容器(α)在氟化烃化合物(I)的填充后紧接着的30天在55℃静置后的气体填充容器内的氟化烃化合物(I)的纯度(纯度X1)，优选为99.90体积％以上，更优选为99.95体积％以上。
此外，用下述数学式求出的纯度变化优选为0.02百分点以下，更优选为0.01百分点以下。
[数学式2]
纯度变化＝纯度X0-纯度X1
(式中，纯度X0表示用于填充的氟化烃化合物的纯度(体积％)，纯度X1表示填充后立即开始起算经过30天后的气体填充容器内的氟化烃化合物的纯度(体积％)。)
[已填充的气体填充容器(β)]
(氟化烃化合物)
构成已填充的气体填充容器(β)的氟化烃化合物填充在气体填充容器的内部，与构成已填充的气体填充容器(α)的氟化烃化合物(I)相同。此外，优选的氟化烃化合物也与构成已填充的气体填充容器(α)的氟化烃化合物(I)相同。
(气体填充容器)
构成已填充的气体填充容器(β)的气体填充容器为其至少内表面是不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制的气体填充容器。“至少内表面是不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制的气体填充容器”的含义与已填充的气体填充容器(α)中说明的含义相同。
已填充的气体填充容器(β)为填充的氟化烃化合物(I)不易分解、其纯度不易下降的气体填充容器。
将已填充的气体填充容器(β)在刚刚填充气体后在55℃静置30天时，用下述数学式求出的填充的氟化烃化合物的纯度变化为0.02百分点以下，优选为0.01百分点以下。
[数学式3]
纯度变化＝纯度X0-纯度X1
(式中，纯度X0表示用于填充的氟化烃化合物的纯度(体积％)，纯度X1表示刚刚填充气体后在55℃静置30天后的气体填充容器内的氟化烃化合物的纯度(体积％)、)
已填充的气体填充容器(β)的制造方法没有特别限定。
例如，能够通过在实施使使用的气体填充容器的内表面接触胺系化合物的处理和该处理后挥发除去气体填充容器内的胺系化合物的处理而得到的气体填充容器中填充氟化烃化合物(I)，从而有效地制造已填充的气体填充容器(β)。
作为使气体填充容器的内表面接触胺系化合物的处理、该处理后挥发除去气体填充容器内的胺系化合物的处理，可举出与已填充的气体填充容器(α)的说明中所示的接触处理、挥发除去处理相同的处理。
根据本发明的已填充的气体填充容器(已填充的气体填充容器(α)或(β))，能够长时间维持氟化烃化合物(I)的高纯度。因此，本发明的已填充的气体填充容器适合利用在制造半导体装置等时的蚀刻处理中。
2)气体填充容器的制造方法及氟化烃化合物的保存方法
本发明的气体填充容器的制造方法的特征在于，实施使至少内表面是不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制的气体填充容器的内表面接触胺系化合物的处理及该处理后挥发除去气体填充容器内的胺系化合物的处理。
作为本发明的制造方法中使用的至少内表面是不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制的气体填充容器，可举出与之前作为构成本发明的已填充的气体填充容器的气体填充容器而说明的气体填充容器相同的气体填充容器。
作为本发明的制造方法中的使气体填充容器的内表面接触胺系化合物的处理、该处理后挥发除去气体填充容器内的胺系化合物的处理，可举出与本发明的已填充的气体填充容器的说明中所示的接触处理、挥发除去处理相同的处理。
根据本发明的制造方法，能够有效得到气体填充容器的内表面所存在的金属原子等路易斯酸成分的催化剂活性被抑制的气体填充容器。
通过本发明的制造方法而得到的气体填充容器由于不易引起化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物的分解，因此填充这些氟化烃化合物时优选使用。
作为这些氟化烃化合物，可举出与构成本发明的已填充的气体填充容器的氟化烃化合物(I)相同的氟化烃化合物。
本发明的氟化烃化合物的保存方法的特征在于，在用本发明的方法得到的气体填充容器内填充化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物。
通过利用本发明的方法，从而能够长时间稳定地保存化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物。
实施例
以下举出实施例及比较例，进一步详细说明本发明。另外，本发明并不限定于这些例子。
[气相色谱分析]
在实施例及比较例中，为了求出氟化烃化合物的纯度而进行了气相色谱分析(GC分析)。
GC分析的分析条件如下所述。
装置：Agilent(注册商标)7890A(Agilent公司制)
柱：GL Science公司制，产品名称“Inert Cap(注册商标)1”，长60m，内径0.25mm，膜厚1.5μm
柱温：在40℃保持20分钟
进样温度：80℃
载气：氮
分流比：40/1
检测器：FID
[实施例1]
在不锈钢制的容量为3.4L的气体填充容器[气体填充容器(1)]中加入500mL吡啶后加密封塞。接着，将其在25℃振荡60分钟后，在25℃静置12小时，由此进行接触处理。
接着，倾斜气体填充容器，除去气体填充容器内的吡啶，直接将气体填充容器在115℃、-101kPa(G)条件下放置1小时，进行挥发除去处理。
将气体填充容器冷却至25℃后，将其连接在连接着装有2-氟丁烷(纯度：99.95体积％、脱HF化合物量：0.02体积％)的不锈钢制罐(已进行电解抛光处理)的气体填充线上。接着，对气体填充线实施分次清洗处理(装满氮气后抽真空的处理)后，在气体填充容器中填充1kg的2-氟丁烷，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器。
将得到的已填充2-氟丁烷的气体填充容器在55℃静置30天后，测定气体填充容器中的2-氟丁烷的纯度。结果如第1表所示。
另外，通过气相色谱分析已填充2-氟丁烷的气体填充容器的内容物，结果，未检测出用于接触处理的吡啶。
[实施例2]
将实施例1中的吡啶变更为正丁胺，除此以外，与实施例1同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器，测定气体填充容器中的2-氟丁烷的纯度。结果如第1表所示。
[实施例3]
将实施例1中的吡啶变更为正己胺，除此以外，与实施例1同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器，测定气体填充容器中的2-氟丁烷的纯度。结果如第1表所示。
[实施例4]
将实施例1中的吡啶变更为二正丙胺，除此以外，与实施例1同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器，测定气体填充容器中的2-氟丁烷的纯度。结果如第1表所示。
[实施例5]
将实施例1中的吡啶变更为三乙胺，除此以外，与实施例1同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器，测定气体填充容器中的2-氟丁烷的纯度。结果如第1表所示。
[实施例6]
将实施例1中的气体填充容器(1)变更为锰钢制的气体填充容器[气体填充容器(2)]，除此以外，与实施例1同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器，测定气体填充容器中的2-氟丁烷的纯度。结果如第1表所示。
[实施例7]
将实施例1中的气体填充容器(1)变更为铬钼钢制的气体填充容器[气体填充容器(3)]，除此以外，与实施例1同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器，测定气体填充容器中的2-氟丁烷的纯度。结果如第1表所示。
[比较例1]
在不实施接触处理及挥发除去处理的情况下使用气体填充容器(1)，除此以外，与实施例1同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器，测定气体填充容器中的2-氟丁烷的纯度。结果如第1表所示。
[比较例2]
将实施例1中的吡啶变更为甲醇，除此以外，与实施例1同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器，测定气体填充容器中的2-氟丁烷的纯度。结果如第1表所示。
[比较例3]
将实施例1中的吡啶变更为水，除此以外，与实施例1同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器，测定气体填充容器中的2-氟丁烷的纯度。结果如第1表所示。
[比较例4]
将实施例1中的吡啶变更为异丙醇，除此以外，与实施例1同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器，测定气体填充容器中的2-氟丁烷的纯度。结果如第1表所示。
[比较例5]
在不实施接触处理及挥发除去处理的情况下使用气体填充容器(2)，除此以外，与实施例6同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器，测定气体填充容器中的2-氟丁烷的纯度。结果如第1表所示。
[比较例6]
不实施接触处理及挥发除去处理的情况下使用气体填充容器(3)，除此以外，与实施例7同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器，测定气体填充容器中的2-氟丁烷的纯度。结果如第1表所示。
[表1]
从第1表获知以下信息。
实施例1～7的已填充2-氟丁烷的气体填充容器即使经过30天后，2-氟丁烷的分解反应也基本没有进行，维持着其高纯度。
另一方面，比较例1～6的已填充2-氟丁烷的气体填充容器经过30天后，2-氟丁烷的分解反应大幅进行，纯度大大下降。
[实施例8]
与实施例6同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器。将得到的已填充2-氟丁烷的气体填充容器在55℃静置，然后在1天后、8天后、30天后，通过气相色谱测定已填充2-氟丁烷的气体填充容器的内容物中的水分量。结果如第2表所示。
[表2]
第2表
静置时间 1日 8日 30日
水分含量(体积ppm) 5.9 6.9 4.9
[比较例7]
将实施例8中的吡啶变更为3.4重量％二乙醇胺水溶液，除此以外，与实施例8同样地进行，得到已填充2-氟丁烷的气体填充容器。将得到的已填充2-氟丁烷的气体填充容器在55℃静置，然后在0天后(在55℃静置后立即)、3天后、12天后，通过气相色谱测定已填充2-氟丁烷的气体填充容器的内容物中的水分量。结果如第3表所示。
[表3]
第3表
静置时间 0日 3日 12日
水分含量(体积ppm) 20.1 46.0 416.8
从第2表、第3表获知以下信息。
在实施例8得到的已填充2-氟丁烷的气体填充容器中，即使经过30天后，气体填充容器内的水分量也基本没有变化。
另一方面，在比较例7得到的已填充2-氟丁烷的气体填充容器中，气体填充容器内的水分量随时间而增加。
这被认为是由于气体填充容器内所残存的微量的二乙醇胺分解而生成了水。

Claims (6)

1.一种已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其特征在于，是在气体填充容器的内部填充化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物而形成的，
所述氟化烃化合物的填充所使用的气体填充容器的至少内表面为不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制，并且实施了使其内表面接触胺系化合物的处理及在该处理后挥发除去气体填充容器内的胺系化合物的处理。
2.根据权利要求1所述的已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其中，所述胺系化合物为下述化学式(I)～(III)中任一个所示的碳原子数为10以下的化合物，
式中，R1～R7分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为3～10的环烷基或碳原子数为6～10的芳基，R8表示碳原子数为1～5的烷基或碳原子数为3～5的环烷基，选自R1～R3的2个基团、R4和R5、R6和R7分别能够结合而形成环，A表示碳原子数为2～10的2价基团，n表示0～5的整数，n为2以上时，R8互相能够相同，也能够不同。
3.根据权利要求1或2所述的已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其中，所述胺系化合物为熔点在10℃以下的化合物。
4.一种已填充氟化烃化合物的气体填充容器，是在气体填充容器的内部填充化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物而形成的，
所述氟化烃化合物的填充所使用的气体填充容器的至少内表面为不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制，并且将已填充氟化烃化合物的气体填充容器在刚刚填充气体后在55℃静置30天时，用下述数学式求出的填充的氟化烃化合物的纯度变化为0.02百分点以下，
纯度变化＝纯度X0-纯度X1
式中，纯度X0表示用于填充的氟化烃化合物的纯度，单位为体积％，纯度X1表示刚刚填充气体后在55℃静置30天后的气体填充容器内的氟化烃化合物的纯度，单位为体积％。
5.一种气体填充容器的制造方法，其特征在于，实施使至少内表面是不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制的气体填充容器的内表面接触胺系化合物的处理及在该处理后挥发除去气体填充容器内的胺系化合物的处理。
6.一种氟化烃化合物的保存方法，其特征在于，在权利要求5所得到的气体填充容器内填充化学式：C4H9F或C5H11F所示的氟化烃化合物。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09302489A (ja) * 1996-05-14 1997-11-25 Mitsui Toatsu Chem Inc ボンベ内面の清浄処理方法
JP2000257795A (ja) * 1999-03-10 2000-09-19 Mitsui Chemicals Inc 高圧ガス容器の内面処理方法
WO2014136877A1 (ja) * 2013-03-07 2014-09-12 日本ゼオン株式会社 高純度２－フルオロブタン
JP2015140860A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 日本ゼオン株式会社 フッ素化炭化水素化合物充填ガス容器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09302489A (ja) * 1996-05-14 1997-11-25 Mitsui Toatsu Chem Inc ボンベ内面の清浄処理方法
JP2000257795A (ja) * 1999-03-10 2000-09-19 Mitsui Chemicals Inc 高圧ガス容器の内面処理方法
WO2014136877A1 (ja) * 2013-03-07 2014-09-12 日本ゼオン株式会社 高純度２－フルオロブタン
JP2015140860A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 日本ゼオン株式会社 フッ素化炭化水素化合物充填ガス容器

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