JPH09293028A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
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- JPH09293028A JPH09293028A JP8108183A JP10818396A JPH09293028A JP H09293028 A JPH09293028 A JP H09293028A JP 8108183 A JP8108183 A JP 8108183A JP 10818396 A JP10818396 A JP 10818396A JP H09293028 A JPH09293028 A JP H09293028A
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
- G06F11/18—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using passive fault-masking of the redundant circuits
- G06F11/187—Voting techniques
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
- G06F11/18—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using passive fault-masking of the redundant circuits
- G06F11/183—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using passive fault-masking of the redundant circuits by voting, the voting not being performed by the redundant components
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 データの書き込み中に電源が遮断された場合
にも、記憶すべきデータを有効に保持し得る。 【解決手段】 記憶すべきデータを少くとも２つの記憶
領域に順次書込む、バックアップデータ及びそのミラー
データの組は、ＥＥＰＲＯＭ２４に３０番地毎に記憶さ
れる。例えば、１番目のデータは０，１番地、３０，３
１番地、及び６０，６１番地に記憶される。ＥＥＰＲＯ
Ｍ２４へのデータの書き込み処理は、これら６か所のア
ドレスに対して、それぞれ１回の書き込み命令により順
次行われる。このため、データ書き込み処理の実行中
に、ＥＥＰＲＯＭ２４への電源の供給が遮断されても、
書き込みデータ値が無効となるのは、当該書き込み処理
中のデータのみに限られる。
にも、記憶すべきデータを有効に保持し得る。 【解決手段】 記憶すべきデータを少くとも２つの記憶
領域に順次書込む、バックアップデータ及びそのミラー
データの組は、ＥＥＰＲＯＭ２４に３０番地毎に記憶さ
れる。例えば、１番目のデータは０，１番地、３０，３
１番地、及び６０，６１番地に記憶される。ＥＥＰＲＯ
Ｍ２４へのデータの書き込み処理は、これら６か所のア
ドレスに対して、それぞれ１回の書き込み命令により順
次行われる。このため、データ書き込み処理の実行中
に、ＥＥＰＲＯＭ２４への電源の供給が遮断されても、
書き込みデータ値が無効となるのは、当該書き込み処理
中のデータのみに限られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体記憶装置に
係わり、特に、メモリセルの異常に対する措置が講じら
れた半導体記憶装置に関する。
係わり、特に、メモリセルの異常に対する措置が講じら
れた半導体記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＣＰＵに備えられる半導体記憶
装置は、１ビットデータの記憶が可能な多数のメモリセ
ルがアレイ状に配置されて構成されている。メモリセル
に異常が生ずると、異常が生じたメモリセルに記憶され
たデータは消失する。メモリセルの異常を完全に排除す
ることは、半導体記憶装置の生産工程上困難であるた
め、従来より、メモリセルの異常に対する措置が講じら
れている。例えば、特開平７−１９２４９５号に開示さ
れる半導体記憶装置は、同一のデータを複数のメモリセ
ルに同時に記憶させ、読み出された各記憶値が互いに一
致するか否かを検出することにより、メモリセルに異常
がないか否かを判定している。上記従来の半導体記憶装
置によれば、異常のあるメモリセルが検出されると共
に、異常のないメモリセルの記憶値を正しいデータとし
て用いることができる。
装置は、１ビットデータの記憶が可能な多数のメモリセ
ルがアレイ状に配置されて構成されている。メモリセル
に異常が生ずると、異常が生じたメモリセルに記憶され
たデータは消失する。メモリセルの異常を完全に排除す
ることは、半導体記憶装置の生産工程上困難であるた
め、従来より、メモリセルの異常に対する措置が講じら
れている。例えば、特開平７−１９２４９５号に開示さ
れる半導体記憶装置は、同一のデータを複数のメモリセ
ルに同時に記憶させ、読み出された各記憶値が互いに一
致するか否かを検出することにより、メモリセルに異常
がないか否かを判定している。上記従来の半導体記憶装
置によれば、異常のあるメモリセルが検出されると共
に、異常のないメモリセルの記憶値を正しいデータとし
て用いることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体記憶
装置として、電源が遮断されても記憶内容が保持される
不揮発性記憶装置がある。不揮発性記憶装置によれば、
電源のオン・オフにかかわらず、記憶されたデータを保
持することができる。しかしながら、不揮発性記憶装置
が、例えば、車載用制御装置に適用された場合、記憶装
置への電源は、運転者によりイグニッションスイッチが
オフされることにより遮断される。このため、電源の供
給が遮断されるタイミングを予測することは不可能であ
り、不揮発性記憶装置へのデータの書き込み中に、電源
の供給が遮断されることが起こり得る。この場合、デー
タの書き込み中であったメモリセルのデータは不正確な
値となり、このデータを有効な値として用いることはで
きない。
装置として、電源が遮断されても記憶内容が保持される
不揮発性記憶装置がある。不揮発性記憶装置によれば、
電源のオン・オフにかかわらず、記憶されたデータを保
持することができる。しかしながら、不揮発性記憶装置
が、例えば、車載用制御装置に適用された場合、記憶装
置への電源は、運転者によりイグニッションスイッチが
オフされることにより遮断される。このため、電源の供
給が遮断されるタイミングを予測することは不可能であ
り、不揮発性記憶装置へのデータの書き込み中に、電源
の供給が遮断されることが起こり得る。この場合、デー
タの書き込み中であったメモリセルのデータは不正確な
値となり、このデータを有効な値として用いることはで
きない。
【０００４】上記従来の半導体記憶装置においては、上
述の如く、データは複数のメモリセルへ同時に書き込ま
れる。このため、上記従来の半導体記憶装置が、車載用
制御装置における不揮発性記憶装置として用いられた場
合、データの書き込み中に電源の供給が停止されると、
これら複数のメモリセルに書き込まれたデータは全て不
正確な値となり、記憶すべきデータが失われてしまう。
この点、上記従来の半導体記憶装置は、データの書き込
み中に電源が遮断されることへの対策が十分ではなかっ
たことになる。
述の如く、データは複数のメモリセルへ同時に書き込ま
れる。このため、上記従来の半導体記憶装置が、車載用
制御装置における不揮発性記憶装置として用いられた場
合、データの書き込み中に電源の供給が停止されると、
これら複数のメモリセルに書き込まれたデータは全て不
正確な値となり、記憶すべきデータが失われてしまう。
この点、上記従来の半導体記憶装置は、データの書き込
み中に電源が遮断されることへの対策が十分ではなかっ
たことになる。
【０００５】本発明は、上述の点に鑑みてなされたもの
であり、データの書き込み中に電源が遮断された場合に
も、記憶すべきデータを有効に保持し得る半導体記憶装
置を提供することを目的とする。
であり、データの書き込み中に電源が遮断された場合に
も、記憶すべきデータを有効に保持し得る半導体記憶装
置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、それぞれ
１単位のデータを記憶しておく記憶領域を複数備えるデ
ータ記憶手段と、記憶すべきデータを前記データ記憶手
段の少なくとも２つの記憶領域に順次書き込むデータ書
込手段とを備える半導体記憶装置により達成される。
１単位のデータを記憶しておく記憶領域を複数備えるデ
ータ記憶手段と、記憶すべきデータを前記データ記憶手
段の少なくとも２つの記憶領域に順次書き込むデータ書
込手段とを備える半導体記憶装置により達成される。
【０００７】本発明において、記憶すべきデータはデー
タ書込手段により、データ記憶手段の少なくとも２つの
記憶領域に順次書き込まれる。従って、記憶すべきデー
タがある記憶領域に書き込まれている途中で半導体記憶
装置への電源が遮断されても、当該記憶領域よりも先に
前記記憶すべきデータが書き込まれた記憶領域には、該
データが記憶されている。
タ書込手段により、データ記憶手段の少なくとも２つの
記憶領域に順次書き込まれる。従って、記憶すべきデー
タがある記憶領域に書き込まれている途中で半導体記憶
装置への電源が遮断されても、当該記憶領域よりも先に
前記記憶すべきデータが書き込まれた記憶領域には、該
データが記憶されている。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例のシステ
ム構成図である。本システムにおいては、本発明に係わ
る半導体記憶装置が、車両のＡＢＳ制御装置に適用され
ている。ＡＢＳは、制動力を制御することにより車輪の
ロックを防止するものである。図１において、ＡＢＳ制
御装置２０は電子制御ユニット（以下、ＥＣＵと称す）
２２を備えている。ＥＣＵ２２がＡＢＳ装置２３に向け
て指令を発することにより、ＡＢＳ制御が実行される。
ム構成図である。本システムにおいては、本発明に係わ
る半導体記憶装置が、車両のＡＢＳ制御装置に適用され
ている。ＡＢＳは、制動力を制御することにより車輪の
ロックを防止するものである。図１において、ＡＢＳ制
御装置２０は電子制御ユニット（以下、ＥＣＵと称す）
２２を備えている。ＥＣＵ２２がＡＢＳ装置２３に向け
て指令を発することにより、ＡＢＳ制御が実行される。
【０００９】ＥＣＵ２２は、その内部に備える記憶装置
に、ＡＢＳ制御を実行する際に使用される１５個のＡＢ
Ｓパラメータを記憶している。ＡＢＳパラメータは、Ａ
ＢＳ装置２３の故障診断結果、ＡＢＳ制御時に車輪回転
数及び車輪径から車速を推定する際の車輪径の補正値、
あるいは、ＡＢＳ制御の動作テストに関する情報等を示
す、それぞれ１バイトの大きさを有するデータである。
ＥＣＵ２２には、電気的消去書き込み可能型ＲＯＭ（以
下、ＥＥＰＲＯＭと称す）２４がシリアル通信線２５を
介して接続されている。ＥＥＰＲＯＭ２４は１Ｋビッ
ト、すなわち、１２８バイトの記憶容量を有している。
に、ＡＢＳ制御を実行する際に使用される１５個のＡＢ
Ｓパラメータを記憶している。ＡＢＳパラメータは、Ａ
ＢＳ装置２３の故障診断結果、ＡＢＳ制御時に車輪回転
数及び車輪径から車速を推定する際の車輪径の補正値、
あるいは、ＡＢＳ制御の動作テストに関する情報等を示
す、それぞれ１バイトの大きさを有するデータである。
ＥＣＵ２２には、電気的消去書き込み可能型ＲＯＭ（以
下、ＥＥＰＲＯＭと称す）２４がシリアル通信線２５を
介して接続されている。ＥＥＰＲＯＭ２４は１Ｋビッ
ト、すなわち、１２８バイトの記憶容量を有している。
【００１０】ＥＣＵ２２及びＥＥＰＲＯＭ２４にはイグ
ニッションスイッチ（以下、ＩＧＳＷと称する）２６が
接続されている。ＩＧＳＷ２６がオンされるとＥＣＵ２
２及びＥＥＰＲＯＭ２４に電源が供給され、ＩＧＳＷ２
６がオフされると、ＥＣＵ２２及びＥＥＰＲＯＭ２４へ
の電源の供給は遮断される。ＥＣＵ２２が記憶するＡＢ
Ｓパラメータの値は、電源の供給が遮断されると消失す
る。一方、ＥＥＰＲＯＭ２４が記憶するデータは、電源
の供給が遮断されても保持される。
ニッションスイッチ（以下、ＩＧＳＷと称する）２６が
接続されている。ＩＧＳＷ２６がオンされるとＥＣＵ２
２及びＥＥＰＲＯＭ２４に電源が供給され、ＩＧＳＷ２
６がオフされると、ＥＣＵ２２及びＥＥＰＲＯＭ２４へ
の電源の供給は遮断される。ＥＣＵ２２が記憶するＡＢ
Ｓパラメータの値は、電源の供給が遮断されると消失す
る。一方、ＥＥＰＲＯＭ２４が記憶するデータは、電源
の供給が遮断されても保持される。
【００１１】上記したＡＢＳパラメータはＡＢＳ制御の
実行時、あるいは、テスト時において更新されることが
あり、ＩＧＳＷ２６がいったんオフとされ、再びオンと
された後にＡＢＳ制御が実行される場合にも、前回まで
のＡＢＳ制御実行時において更新された最新のＡＢＳパ
ラメータの値が保持されていなければならない。このた
め、ＥＣＵ２２はＡＢＳパラメータをＥＥＰＲＯＭ２４
に記憶させることにより、ＡＢＳパラメータのバックア
ップを行う。即ち、ＩＧＳＷ２６がオンされた直後に、
ＥＣＵ２２はＥＥＰＲＯＭ２４に記憶されたＡＢＳパラ
メータを読み込む。そして、ＩＧＳＷ２６がオンとされ
ている状態では、随時、ＥＥＰＲＯＭ２４に記憶された
データの内容が正しく保持されているか否かを、ＥＥＰ
ＲＯＭ２４の各メモリセルの書き込み値と読み出し値が
一致しているか否かをチェックすることにより判定する
と共に、ＡＢＳ制御の実行によりＡＢＳパラメータが更
新された場合には、この更新値をＥＥＰＲＯＭ２４に記
憶させる。
実行時、あるいは、テスト時において更新されることが
あり、ＩＧＳＷ２６がいったんオフとされ、再びオンと
された後にＡＢＳ制御が実行される場合にも、前回まで
のＡＢＳ制御実行時において更新された最新のＡＢＳパ
ラメータの値が保持されていなければならない。このた
め、ＥＣＵ２２はＡＢＳパラメータをＥＥＰＲＯＭ２４
に記憶させることにより、ＡＢＳパラメータのバックア
ップを行う。即ち、ＩＧＳＷ２６がオンされた直後に、
ＥＣＵ２２はＥＥＰＲＯＭ２４に記憶されたＡＢＳパラ
メータを読み込む。そして、ＩＧＳＷ２６がオンとされ
ている状態では、随時、ＥＥＰＲＯＭ２４に記憶された
データの内容が正しく保持されているか否かを、ＥＥＰ
ＲＯＭ２４の各メモリセルの書き込み値と読み出し値が
一致しているか否かをチェックすることにより判定する
と共に、ＡＢＳ制御の実行によりＡＢＳパラメータが更
新された場合には、この更新値をＥＥＰＲＯＭ２４に記
憶させる。
【００１２】図２は、ＥＣＵ２２によりＥＥＰＲＯＭ２
４に記憶されたＡＢＳパラメータのアドレス配置を示
す。本実施例のシステムにおいては、ＥＥＰＲＯＭ２４
のメモリセルの一部に異常が生じても、ＥＥＰＲＯＭ２
４によるＡＢＳパラメータのバックアップ機能が維持さ
れるように、各ＡＢＳパラメータを複数のアドレスに記
憶させることとしている。図２に示す如く、ＥＥＰＲＯ
Ｍ２４の０番地には、１番目のＡＢＳパラメータの値Ｄ
1 が記憶され、１番地には、Ｄ1 がビット毎に反転され
たデータ（このようにビット毎に反転されたデータを、
以下、ミラーデータと称し、ビットが反転されない元の
データをミラーデータと区別して称する場合には、以
下、原データと称する）Ｍ1 が記憶される。同様に、２
〜２９番地には、２〜１５番目のＡＢＳパラメータが順
次、それぞれ、原データ、ミラーデータの順で記憶され
る。更に、３０〜５９番地、及び、６０〜８９番地に
は、それぞれ、０〜２９番地と同様に、１〜１５番目の
ＡＢＳパラメータが順次、それぞれ、原データ、ミラー
データの順で記憶される。従って、各ＡＢＳパラメータ
の原データ及びミラーデータは、それぞれ、３０番地お
きに３か所に分散して記憶されることになる。即ち、ｎ
番目のＡＢＳパラメータに対する原データＤn は（２ｎ
−２）番地、３０＋（２ｎ−２）番地、及び、６０＋
（２ｎ−２）番地に記憶され、Ｄn のミラーデータＭn
は（２ｎ−１）番地、３０＋（２ｎ−１）番地、及び、
６０＋（２ｎ−１）番地に記憶される。
４に記憶されたＡＢＳパラメータのアドレス配置を示
す。本実施例のシステムにおいては、ＥＥＰＲＯＭ２４
のメモリセルの一部に異常が生じても、ＥＥＰＲＯＭ２
４によるＡＢＳパラメータのバックアップ機能が維持さ
れるように、各ＡＢＳパラメータを複数のアドレスに記
憶させることとしている。図２に示す如く、ＥＥＰＲＯ
Ｍ２４の０番地には、１番目のＡＢＳパラメータの値Ｄ
1 が記憶され、１番地には、Ｄ1 がビット毎に反転され
たデータ（このようにビット毎に反転されたデータを、
以下、ミラーデータと称し、ビットが反転されない元の
データをミラーデータと区別して称する場合には、以
下、原データと称する）Ｍ1 が記憶される。同様に、２
〜２９番地には、２〜１５番目のＡＢＳパラメータが順
次、それぞれ、原データ、ミラーデータの順で記憶され
る。更に、３０〜５９番地、及び、６０〜８９番地に
は、それぞれ、０〜２９番地と同様に、１〜１５番目の
ＡＢＳパラメータが順次、それぞれ、原データ、ミラー
データの順で記憶される。従って、各ＡＢＳパラメータ
の原データ及びミラーデータは、それぞれ、３０番地お
きに３か所に分散して記憶されることになる。即ち、ｎ
番目のＡＢＳパラメータに対する原データＤn は（２ｎ
−２）番地、３０＋（２ｎ−２）番地、及び、６０＋
（２ｎ−２）番地に記憶され、Ｄn のミラーデータＭn
は（２ｎ−１）番地、３０＋（２ｎ−１）番地、及び、
６０＋（２ｎ−１）番地に記憶される。
【００１３】ところで、一般に、ＥＥＰＲＯＭのメモリ
セルの異常は、連続するアドレスにわたって生ずること
が多い。また、このメモリセルの異常は、書き込まれた
ビット値にかかわらず、読み出された値が常に’１’ま
たは’０’のいずれか一方となるような症状として現れ
ることが多い。従って、例えば、書き込まれたビット値
にかかわらず’１’が読み出されようなメモリセルの異
常が生じている場合、このメモリセルに’１’を書き込
んだのでは、このメモリセルに異常が生じていることを
検出することはできない。
セルの異常は、連続するアドレスにわたって生ずること
が多い。また、このメモリセルの異常は、書き込まれた
ビット値にかかわらず、読み出された値が常に’１’ま
たは’０’のいずれか一方となるような症状として現れ
ることが多い。従って、例えば、書き込まれたビット値
にかかわらず’１’が読み出されようなメモリセルの異
常が生じている場合、このメモリセルに’１’を書き込
んだのでは、このメモリセルに異常が生じていることを
検出することはできない。
【００１４】これに対して、本実施例においては、上述
の如く、原データとミラーデータとをＥＥＰＲＯＭ２４
の隣接するアドレスに記憶させることにより、隣接する
アドレスの同じビット位置に対応するメモリセルに、互
いに反転した値を書き込むこととしている。これによ
り、隣接するアドレスの同一のビット位置に対するメモ
リセルに上述の如く読み出し値が常に’１’または’
０’のいずれか一方となるような異常が生じた場合に
も、かかる異常を確実に検出することが可能とされてい
る。
の如く、原データとミラーデータとをＥＥＰＲＯＭ２４
の隣接するアドレスに記憶させることにより、隣接する
アドレスの同じビット位置に対応するメモリセルに、互
いに反転した値を書き込むこととしている。これによ
り、隣接するアドレスの同一のビット位置に対するメモ
リセルに上述の如く読み出し値が常に’１’または’
０’のいずれか一方となるような異常が生じた場合に
も、かかる異常を確実に検出することが可能とされてい
る。
【００１５】また、上述の如く、本実施例のシステムに
おいては、同一のＡＢＳパラメータに対する原データ及
びミラーデータの３つの組が、３０番地毎に分散して記
憶される。このため、ＥＥＰＲＯＭ２４の隣接する複数
のアドレスにわたってメモリセルに異常が生じた場合
に、６つのデ−タのうちの過半数が、この異常が生じた
アドレス領域に含まれる可能性が低減される。これによ
り、連続するアドレスにわたってメモリセルに異常が生
じた場合にも、ＥＥＰＲＯＭ２４によるデータバックア
ップ機能が損なわれることが抑制されている。
おいては、同一のＡＢＳパラメータに対する原データ及
びミラーデータの３つの組が、３０番地毎に分散して記
憶される。このため、ＥＥＰＲＯＭ２４の隣接する複数
のアドレスにわたってメモリセルに異常が生じた場合
に、６つのデ−タのうちの過半数が、この異常が生じた
アドレス領域に含まれる可能性が低減される。これによ
り、連続するアドレスにわたってメモリセルに異常が生
じた場合にも、ＥＥＰＲＯＭ２４によるデータバックア
ップ機能が損なわれることが抑制されている。
【００１６】次に、図３〜図８を参照して、ＥＣＵ２２
が、ＡＢＳパラメータをＥＥＰＲＯＭ２４にバックアッ
プするために実行するバックアップルーチンの内容を説
明する。本バックアップルーチンはＩＧＳＷ２６がオン
とされると同時に起動され、以後、ＩＧＳＷ２６がオフ
とされるまで実行される。図３はバックアップルーチン
のモジュール構成を示す。図３に示す如く、本ルーチン
は、初期読込モジュール１００、チャージポンプチェッ
クモジュール２００、及び、通常処理モジュール３００
から構成されている。
が、ＡＢＳパラメータをＥＥＰＲＯＭ２４にバックアッ
プするために実行するバックアップルーチンの内容を説
明する。本バックアップルーチンはＩＧＳＷ２６がオン
とされると同時に起動され、以後、ＩＧＳＷ２６がオフ
とされるまで実行される。図３はバックアップルーチン
のモジュール構成を示す。図３に示す如く、本ルーチン
は、初期読込モジュール１００、チャージポンプチェッ
クモジュール２００、及び、通常処理モジュール３００
から構成されている。
【００１７】バックアップルーチンが起動されると、先
ず、初期読込モジュール１００が実行される。初期読込
モジュール１００では、ＥＥＰＲＯＭ２４からＥＣＵ２
２へのＡＢＳパラメータの読み込みが行われる。図４に
データ初期読込モジュール１００のフローチャートを示
す。
ず、初期読込モジュール１００が実行される。初期読込
モジュール１００では、ＥＥＰＲＯＭ２４からＥＣＵ２
２へのＡＢＳパラメータの読み込みが行われる。図４に
データ初期読込モジュール１００のフローチャートを示
す。
【００１８】図４に示す如く、初期読込モジュール１０
０においては、先ず、ステップ１０２において、読み込
まれるＡＢＳパラメータの番号を示す変数ｎに１が代入
される。次に、ステップ１０４において、ｎ番目のＡＢ
Ｓパラメータの原データ、及びそのミラーデータに対す
るアドレス２ｎ−２、３０＋（２ｎ−２）、６０＋（２
ｎ−２）、及び、２ｎ−１、３０＋（２ｎ−１）、６０
＋（２ｎ−１）に記憶されたデータが、それぞれ、変数
Ｄn1、Ｄn2、Ｄn3、Ｒn1、Ｒn2、Ｒn3に読み込まれる。
ただし、ステップ１０４においては、アドレス２ｎ−
１、３０＋（２ｎ−１）、６０＋（２ｎ−１）から読み
込まれたミラーデータのビットを反転させた後、Ｒn1、
Ｒn2、Ｒn3に代入している。従って、上記ステップ１０
４において、変数Ｒn1、Ｒn2、Ｒn3には、原データに復
元されたデータが格納される。
０においては、先ず、ステップ１０２において、読み込
まれるＡＢＳパラメータの番号を示す変数ｎに１が代入
される。次に、ステップ１０４において、ｎ番目のＡＢ
Ｓパラメータの原データ、及びそのミラーデータに対す
るアドレス２ｎ−２、３０＋（２ｎ−２）、６０＋（２
ｎ−２）、及び、２ｎ−１、３０＋（２ｎ−１）、６０
＋（２ｎ−１）に記憶されたデータが、それぞれ、変数
Ｄn1、Ｄn2、Ｄn3、Ｒn1、Ｒn2、Ｒn3に読み込まれる。
ただし、ステップ１０４においては、アドレス２ｎ−
１、３０＋（２ｎ−１）、６０＋（２ｎ−１）から読み
込まれたミラーデータのビットを反転させた後、Ｒn1、
Ｒn2、Ｒn3に代入している。従って、上記ステップ１０
４において、変数Ｒn1、Ｒn2、Ｒn3には、原データに復
元されたデータが格納される。
【００１９】ステップ１０４の処理が終了されると、次
に、ステップ１０６の処理が実行される。ステップ１０
６においては、Ｄn1、Ｒn1、及びＤn2が互いに等しいか
否かが判別される。ステップ１０６において上記条件が
成立すると判別されると、上記互いに等しいデータ値は
ＡＢＳパラメータの正しいバックアップ値であると判断
されて、次に、ステップ１０８において、Ｄn1がｎ番目
のＡＢＳパラメータに対する初期値として採用される。
一方、ステップ１０６において、Ｄn1＝Ｒn1＝Ｄn2が成
立しないと判別されると、次に、ステップ１１０の処理
が実行される。
に、ステップ１０６の処理が実行される。ステップ１０
６においては、Ｄn1、Ｒn1、及びＤn2が互いに等しいか
否かが判別される。ステップ１０６において上記条件が
成立すると判別されると、上記互いに等しいデータ値は
ＡＢＳパラメータの正しいバックアップ値であると判断
されて、次に、ステップ１０８において、Ｄn1がｎ番目
のＡＢＳパラメータに対する初期値として採用される。
一方、ステップ１０６において、Ｄn1＝Ｒn1＝Ｄn2が成
立しないと判別されると、次に、ステップ１１０の処理
が実行される。
【００２０】ステップ１１０では、Ｄn1、Ｒn1、Ｄn2、
及び、Ｒn2のうち互いに等しいデータが３つあるか否か
が判別される。ステップ１１０において上記条件が成立
すると判別されると、上記互いに等しい３つのデータ値
はＡＢＳパラメータの正しいバックアップ値であると判
断されて、次に、ステップ１１２において、この互いに
等しいデータ値がｎ番目のＡＢＳパラメータに対する初
期値として採用される。一方、ステップ１１０におい
て、上記条件が成立しないと判別されると、次に、ステ
ップ１１４の処理が実行される。
及び、Ｒn2のうち互いに等しいデータが３つあるか否か
が判別される。ステップ１１０において上記条件が成立
すると判別されると、上記互いに等しい３つのデータ値
はＡＢＳパラメータの正しいバックアップ値であると判
断されて、次に、ステップ１１２において、この互いに
等しいデータ値がｎ番目のＡＢＳパラメータに対する初
期値として採用される。一方、ステップ１１０におい
て、上記条件が成立しないと判別されると、次に、ステ
ップ１１４の処理が実行される。
【００２１】ステップ１１４では、「Ｄn1、Ｒn1、
Ｄn2、Ｒn2、及びＤn3のうち互いに等しいデータが３つ
あり、かつ、この互いに等しい３つのデータがＤn1、Ｄ
n2、Ｄn3ではない」が成立するか否かが判別される。ス
テップ１１４において上記条件が成立すると判別される
と、上記互いに等しい３つのデータ値はＡＢＳパラメー
タの正しいバックアップ値であると判断されて、次に、
ステップ１１６において、この互いに等しいデータ値
が、ｎ番目のＡＢＳパラメータに対する初期値として採
用される。一方、ステップ１１４おいて、上記条件が成
立すると判別されると、次に、ステップ１１８の処理が
実行される。
Ｄn2、Ｒn2、及びＤn3のうち互いに等しいデータが３つ
あり、かつ、この互いに等しい３つのデータがＤn1、Ｄ
n2、Ｄn3ではない」が成立するか否かが判別される。ス
テップ１１４において上記条件が成立すると判別される
と、上記互いに等しい３つのデータ値はＡＢＳパラメー
タの正しいバックアップ値であると判断されて、次に、
ステップ１１６において、この互いに等しいデータ値
が、ｎ番目のＡＢＳパラメータに対する初期値として採
用される。一方、ステップ１１４おいて、上記条件が成
立すると判別されると、次に、ステップ１１８の処理が
実行される。
【００２２】ステップ１１８では、「Ｄn1、Ｄn2、
Ｄn3、Ｒn1、Ｒn2、及び、Ｒn3のうち互いに等しいデー
タが３つあり、かつ、互いに等しい３つのデータが
Ｄn1、Ｄn2、Ｄn3ではなく、かつ、互いに等しい３つの
データがＲn1、Ｒn2、Ｒn3ではない」が成立するか否か
が判別される。ステップ１１８において、上記条件が成
立すると判別されると、上記互いに等しい３つのデータ
値はＡＢＳパラメータの正しいバックアップ値であると
判断されて、次に、ステップ１２０において、上記した
互いに等しいデータ値が、ｎ番目のＡＢＳパラメータに
対する初期値として採用される。一方、ステップ１１８
において、上記条件が成立しないと判別されると、ＥＥ
ＰＲＯＭ２４に記憶されたｎ番目のＡＢＳパラメータに
対するバックアップ値は何れも正しくないと判別され
て、次に、ステップ１２２において、予め定められたデ
フォルト値がｎ番目のＡＢＳパラメータに対する初期値
として採用される。
Ｄn3、Ｒn1、Ｒn2、及び、Ｒn3のうち互いに等しいデー
タが３つあり、かつ、互いに等しい３つのデータが
Ｄn1、Ｄn2、Ｄn3ではなく、かつ、互いに等しい３つの
データがＲn1、Ｒn2、Ｒn3ではない」が成立するか否か
が判別される。ステップ１１８において、上記条件が成
立すると判別されると、上記互いに等しい３つのデータ
値はＡＢＳパラメータの正しいバックアップ値であると
判断されて、次に、ステップ１２０において、上記した
互いに等しいデータ値が、ｎ番目のＡＢＳパラメータに
対する初期値として採用される。一方、ステップ１１８
において、上記条件が成立しないと判別されると、ＥＥ
ＰＲＯＭ２４に記憶されたｎ番目のＡＢＳパラメータに
対するバックアップ値は何れも正しくないと判別され
て、次に、ステップ１２２において、予め定められたデ
フォルト値がｎ番目のＡＢＳパラメータに対する初期値
として採用される。
【００２３】なお、上述の如く、あるメモリセルに’
１’又は’０’の何れか一方のみが書き込まれ、そのメ
モリセルからの読み出し値と、書き込み値とが一致した
としても、そのメモリセルに異常がないと断定すること
はできない。従って、特定のデータ、例えば、あるＡＢ
Ｓパラメータの原データのみが互いに一致したとして
も、その記憶値が正しいと判断することはできない。
１’又は’０’の何れか一方のみが書き込まれ、そのメ
モリセルからの読み出し値と、書き込み値とが一致した
としても、そのメモリセルに異常がないと断定すること
はできない。従って、特定のデータ、例えば、あるＡＢ
Ｓパラメータの原データのみが互いに一致したとして
も、その記憶値が正しいと判断することはできない。
【００２４】これに対して、本ルーチンにおいては、上
述の如く、ステップ１１４及び１１８において、３つの
原データＤn1、Ｄn2、Ｄn3、あるいは、３つのミラーデ
ータＲn1、Ｒn2、Ｒn3がそれぞれ互いに等しい値となっ
ても、これらの値をＡＢＳパラメータの初期データ値と
して採用しないこととしている。即ち、上記モジュール
においては、原データ及びミラーデータの双方を含む３
つのデータ値が一致した場合にのみ、その一致したデー
タ値がＡＢＳパラメータに対する初期値として採用され
る。これにより、ＥＥＰＲＯＭ２４から読み出されたデ
ータ値が正しいか否かの判断をより正確に行うことが可
能とされている。
述の如く、ステップ１１４及び１１８において、３つの
原データＤn1、Ｄn2、Ｄn3、あるいは、３つのミラーデ
ータＲn1、Ｒn2、Ｒn3がそれぞれ互いに等しい値となっ
ても、これらの値をＡＢＳパラメータの初期データ値と
して採用しないこととしている。即ち、上記モジュール
においては、原データ及びミラーデータの双方を含む３
つのデータ値が一致した場合にのみ、その一致したデー
タ値がＡＢＳパラメータに対する初期値として採用され
る。これにより、ＥＥＰＲＯＭ２４から読み出されたデ
ータ値が正しいか否かの判断をより正確に行うことが可
能とされている。
【００２５】上記した、ステップ１０８、１１２、１１
６、１２０、１２２の処理が終了されると、次に、ステ
ップ１２４において、変数ｎがインクリメントされ、続
くステップ１２６において、ｎ＞１５が成立するか否か
が判別される。ステップ１２６において上記条件が成立
すると判別されると、すべてのＡＢＳパラメータの読み
込みが終了されたと判断されて、初期読込モジュール１
００は終了される。一方、ステップ１２６において上記
条件が成立しないと判別されると、再びステップ１０４
以降の処理が実行される。
６、１２０、１２２の処理が終了されると、次に、ステ
ップ１２４において、変数ｎがインクリメントされ、続
くステップ１２６において、ｎ＞１５が成立するか否か
が判別される。ステップ１２６において上記条件が成立
すると判別されると、すべてのＡＢＳパラメータの読み
込みが終了されたと判断されて、初期読込モジュール１
００は終了される。一方、ステップ１２６において上記
条件が成立しないと判別されると、再びステップ１０４
以降の処理が実行される。
【００２６】ところで、上述の如く、Ｄn1、Ｒn1、
Ｄn2、Ｒn2、Ｄn3、Ｒn3は、この順でＥＥＰＲＯＭ２４
の下位アドレスから上位アドレスに向けて記憶されてい
る。後述する如く、ＥＥＰＲＯＭ２４へのデータの書き
込み処理は、アドレスの下位側から順次行われる。従っ
て、バックアップルーチンの前回の実行時に、データの
書き込みの途中でＩＧＳＷ２６がオフされた場合、例え
ば、Ｄn2まで書き込まれた時点でＩＧＳＷ２６がオフさ
れた場合、Ｄn1、Ｒn1、Ｄn2は前回の実行時に更新され
たＡＢＳパラメータ値となり、Ｒn2、Ｄn3、Ｒn3は前回
の実行時に更新されなかったＡＢＳパラメータ値とな
る。この場合、上記したステップ１０６〜１１８におい
て、下位側アドレスに記憶されたデータから順に、互い
に等しい３つのデータが存在するか否かが判別されるこ
とにより、前回の実行時に更新されたＡＢＳパラメータ
値であるＤn1、Ｒn1、Ｄn2をＡＢＳパラメータの初期デ
ータとして用いることができる。このように、本ルーチ
ンによれば、下位アドレスに記憶されたデータから順
に、一致・不一致を判別することにより、データ書き込
みの途中でＩＧＳＷ２６がオフされた場合にも、可能な
限り最新のバックアップ値をＡＢＳパラメータに対する
初期値として用いることが可能とされている。
Ｄn2、Ｒn2、Ｄn3、Ｒn3は、この順でＥＥＰＲＯＭ２４
の下位アドレスから上位アドレスに向けて記憶されてい
る。後述する如く、ＥＥＰＲＯＭ２４へのデータの書き
込み処理は、アドレスの下位側から順次行われる。従っ
て、バックアップルーチンの前回の実行時に、データの
書き込みの途中でＩＧＳＷ２６がオフされた場合、例え
ば、Ｄn2まで書き込まれた時点でＩＧＳＷ２６がオフさ
れた場合、Ｄn1、Ｒn1、Ｄn2は前回の実行時に更新され
たＡＢＳパラメータ値となり、Ｒn2、Ｄn3、Ｒn3は前回
の実行時に更新されなかったＡＢＳパラメータ値とな
る。この場合、上記したステップ１０６〜１１８におい
て、下位側アドレスに記憶されたデータから順に、互い
に等しい３つのデータが存在するか否かが判別されるこ
とにより、前回の実行時に更新されたＡＢＳパラメータ
値であるＤn1、Ｒn1、Ｄn2をＡＢＳパラメータの初期デ
ータとして用いることができる。このように、本ルーチ
ンによれば、下位アドレスに記憶されたデータから順
に、一致・不一致を判別することにより、データ書き込
みの途中でＩＧＳＷ２６がオフされた場合にも、可能な
限り最新のバックアップ値をＡＢＳパラメータに対する
初期値として用いることが可能とされている。
【００２７】初期読込モジュール１００が終了される
と、次に、チャージポンプチェックモジュール２００が
実行される。チャージポンプはＥＥＰＲＯＭ２４内に設
けられ、ＥＥＰＲＯＭ２４にデータの書き込みを行う際
に必要とされる電荷の供給を行うものである。従って、
チャージポンプに異常が生ずるとＥＥＰＲＯＭ２４へデ
ータを書き込むことが不可能となる。チャージポンプチ
ェックモジュール２００では、ＥＥＰＲＯＭ２４のチャ
ージポンプチェック領域（９０〜１２７番地）へ所定の
データを書き込んだ後、そのデータを読み出し、読み出
し値と書き込み値とが一致している場合に、チャージポ
ンプが正常であると判断している。
と、次に、チャージポンプチェックモジュール２００が
実行される。チャージポンプはＥＥＰＲＯＭ２４内に設
けられ、ＥＥＰＲＯＭ２４にデータの書き込みを行う際
に必要とされる電荷の供給を行うものである。従って、
チャージポンプに異常が生ずるとＥＥＰＲＯＭ２４へデ
ータを書き込むことが不可能となる。チャージポンプチ
ェックモジュール２００では、ＥＥＰＲＯＭ２４のチャ
ージポンプチェック領域（９０〜１２７番地）へ所定の
データを書き込んだ後、そのデータを読み出し、読み出
し値と書き込み値とが一致している場合に、チャージポ
ンプが正常であると判断している。
【００２８】図５に、チャージポンプチェックモジュー
ル２００のフローチャートを示す。チャージポンプチェ
ックモジュール２００においては、先ず、ステップ２０
２において、ＥＥＰＲＯＭ２４のアドレスを示す変数Ａ
Ｄに、ＥＥＰＲＯＭ２４のチャージポンプチェック領域
の先頭番地である９０が代入される。ステップ２０２の
処理が終了されると、次に、ステップ２０４の処理が実
行される。ステップ２０４では、ＥＥＰＲＯＭ２４のＡ
Ｄ番地から読み出されたデータが５５ｈであるか否かが
判別される。ステップ２０４において上記条件が成立す
ると判別されると、次に、ステップ２０６において、Ｅ
ＥＰＲＯＭ２４のＡＤ番地にＡＡｈが書き込まれる。一
方、ステップ２０４において上記条件が成立しないと判
別されると、次に、ステップ２０８の処理が実行され
る。ステップ２０８においては、ＥＥＰＲＯＭ２４のＡ
Ｄ番地から読み出されたデータがＡＡｈであるか否かが
判別される。ステップ２０８において上記条件が成立す
ると判別されると、次に、ステップ２１０において、Ｅ
ＥＰＲＯＭ２４のＡＤ番地に５５ｈが書き込まれる。一
方、ステップ２０８において上記条件が成立しないと判
別されると、次に、ステップ２０６の処理が実行され
る。従って、本モジュールによれば、バックアップルー
チンが、装置の組み付け後最初に実行される場合、及
び、ＥＥＰＲＯＭ２４の記憶値にエラーが生じた場合に
は、チャージポンプチェック領域の各アドレスに５５ｈ
が書き込まれ、それ以外の場合には、バックアップルー
チンが起動される毎、即ち、ＩＧＳＷ２６がオンされる
毎に、ＡＡｈと５５ｈとが交互に書き込まれることにな
る。このように、互いにビット反転された関係にあるＡ
Ａｈと５５ｈとの書き込むことにより、ＥＥＰＲＯＭ２
４の各メモリセルには’１’と’０’とが交互に書き込
まれ、これにより、チャージポンプの動作チェックがよ
り確実に行われる。
ル２００のフローチャートを示す。チャージポンプチェ
ックモジュール２００においては、先ず、ステップ２０
２において、ＥＥＰＲＯＭ２４のアドレスを示す変数Ａ
Ｄに、ＥＥＰＲＯＭ２４のチャージポンプチェック領域
の先頭番地である９０が代入される。ステップ２０２の
処理が終了されると、次に、ステップ２０４の処理が実
行される。ステップ２０４では、ＥＥＰＲＯＭ２４のＡ
Ｄ番地から読み出されたデータが５５ｈであるか否かが
判別される。ステップ２０４において上記条件が成立す
ると判別されると、次に、ステップ２０６において、Ｅ
ＥＰＲＯＭ２４のＡＤ番地にＡＡｈが書き込まれる。一
方、ステップ２０４において上記条件が成立しないと判
別されると、次に、ステップ２０８の処理が実行され
る。ステップ２０８においては、ＥＥＰＲＯＭ２４のＡ
Ｄ番地から読み出されたデータがＡＡｈであるか否かが
判別される。ステップ２０８において上記条件が成立す
ると判別されると、次に、ステップ２１０において、Ｅ
ＥＰＲＯＭ２４のＡＤ番地に５５ｈが書き込まれる。一
方、ステップ２０８において上記条件が成立しないと判
別されると、次に、ステップ２０６の処理が実行され
る。従って、本モジュールによれば、バックアップルー
チンが、装置の組み付け後最初に実行される場合、及
び、ＥＥＰＲＯＭ２４の記憶値にエラーが生じた場合に
は、チャージポンプチェック領域の各アドレスに５５ｈ
が書き込まれ、それ以外の場合には、バックアップルー
チンが起動される毎、即ち、ＩＧＳＷ２６がオンされる
毎に、ＡＡｈと５５ｈとが交互に書き込まれることにな
る。このように、互いにビット反転された関係にあるＡ
Ａｈと５５ｈとの書き込むことにより、ＥＥＰＲＯＭ２
４の各メモリセルには’１’と’０’とが交互に書き込
まれ、これにより、チャージポンプの動作チェックがよ
り確実に行われる。
【００２９】ステップ２０６あるいはステップ２１０の
処理が終了されると、次に、ステップ２１２の処理が実
行される。ステップ２１２においては、ＥＥＰＲＯＭ２
４のＡＤ番地から読み出された値が、上記ステップ２０
６あるいは２１０において書き込まれたデータ値と一致
しているか否かが判別される。ステップ２１２におい
て、書き込み値と読み出し値とが一致していると判別さ
れると、データの書き込みが正常に行われ、従って、チ
ャージポンプは正常に動作していると判断されて、チャ
ージポンプチェックモジュール２００は終了される。
処理が終了されると、次に、ステップ２１２の処理が実
行される。ステップ２１２においては、ＥＥＰＲＯＭ２
４のＡＤ番地から読み出された値が、上記ステップ２０
６あるいは２１０において書き込まれたデータ値と一致
しているか否かが判別される。ステップ２１２におい
て、書き込み値と読み出し値とが一致していると判別さ
れると、データの書き込みが正常に行われ、従って、チ
ャージポンプは正常に動作していると判断されて、チャ
ージポンプチェックモジュール２００は終了される。
【００３０】一方、ステップ２１２において書き込み値
と読み出し値とが一致しないと判別されると、次に、ス
テップ２１４において、変数ＡＤがインクリメントさ
れ、続くステップ２１６において、ＡＤが、ＥＥＰＲＯ
Ｍ２４のチャージポンプチェック領域の最終番地である
１２７以下であるかが判別される。ステップ２１６にお
いてＡＤ≦１２７が成立すると判別されると、ＥＥＰＲ
ＯＭ２４にチャージポンプチェックのための空き領域が
残っていると判断されて、再び、ステップ２０４以降の
処理が実行される。一方、ステップ２１６において、Ａ
Ｄ≦１２７が成立しないと判別されると、書き込み値と
読み出し値との不一致が、ＥＥＰＲＯＭ２４のチャージ
ポンプチェック領域の全てのアドレスにおいて生じてい
ることになる。この場合、かかるデータの不一致は、メ
モリセルの異常に起因するものではなく、チャージポン
プの異常に起因するものと判断される。チャージポンプ
に異常が生ずるとＥＥＰＲＯＭ２４によるデータバック
アップ機能が失われるため、上記ステップ２１６におい
て、ＡＤ≦１２７が成立しないと判別されると、バック
アップルーチンは異常終了されて、ＥＣＵ異常処理が行
われる。
と読み出し値とが一致しないと判別されると、次に、ス
テップ２１４において、変数ＡＤがインクリメントさ
れ、続くステップ２１６において、ＡＤが、ＥＥＰＲＯ
Ｍ２４のチャージポンプチェック領域の最終番地である
１２７以下であるかが判別される。ステップ２１６にお
いてＡＤ≦１２７が成立すると判別されると、ＥＥＰＲ
ＯＭ２４にチャージポンプチェックのための空き領域が
残っていると判断されて、再び、ステップ２０４以降の
処理が実行される。一方、ステップ２１６において、Ａ
Ｄ≦１２７が成立しないと判別されると、書き込み値と
読み出し値との不一致が、ＥＥＰＲＯＭ２４のチャージ
ポンプチェック領域の全てのアドレスにおいて生じてい
ることになる。この場合、かかるデータの不一致は、メ
モリセルの異常に起因するものではなく、チャージポン
プの異常に起因するものと判断される。チャージポンプ
に異常が生ずるとＥＥＰＲＯＭ２４によるデータバック
アップ機能が失われるため、上記ステップ２１６におい
て、ＡＤ≦１２７が成立しないと判別されると、バック
アップルーチンは異常終了されて、ＥＣＵ異常処理が行
われる。
【００３１】チャージポンプチェックモジュール２００
が終了されると、次に、通常処理モジュール３００が実
行される。図６は通常処理モジュールのフローチャート
を示す。通常処理モジュール３００においては、先ず、
ステップ３０２において、後述する常時チェック及びバ
ックアップ機能チェックの何れを実行するかを示す変数
ｓｗに１が代入される。ステップ３０２の処理が終了さ
れると、次に、ステップ３０４において、ＡＢＳパラメ
ータの何れかが更新されたか否かが判別される。なお、
ＡＢＳパラメータが更新される可能性があるのは、ＡＢ
Ｓ制御の実行時である。ＡＢＳ制御は、ＥＣＵ２２が本
バックアップルーチンと並列にＡＢＳ制御ルーチンを実
行することにより行われ、ＡＢＳ制御ルーチンは、ＡＢ
Ｓパラメータが更新されると、その更新に関する情報を
本バックアップルーチンに向けて送信する。上記ステッ
プ３０４における判別は、かかる情報に基づいて行われ
る。
が終了されると、次に、通常処理モジュール３００が実
行される。図６は通常処理モジュールのフローチャート
を示す。通常処理モジュール３００においては、先ず、
ステップ３０２において、後述する常時チェック及びバ
ックアップ機能チェックの何れを実行するかを示す変数
ｓｗに１が代入される。ステップ３０２の処理が終了さ
れると、次に、ステップ３０４において、ＡＢＳパラメ
ータの何れかが更新されたか否かが判別される。なお、
ＡＢＳパラメータが更新される可能性があるのは、ＡＢ
Ｓ制御の実行時である。ＡＢＳ制御は、ＥＣＵ２２が本
バックアップルーチンと並列にＡＢＳ制御ルーチンを実
行することにより行われ、ＡＢＳ制御ルーチンは、ＡＢ
Ｓパラメータが更新されると、その更新に関する情報を
本バックアップルーチンに向けて送信する。上記ステッ
プ３０４における判別は、かかる情報に基づいて行われ
る。
【００３２】ステップ３０４において、ＡＢＳパラメー
タの何れかが更新されたと判別されると、次に、ステッ
プ３０６の処理が実行される。ステップ３０６では、更
新されたＡＢＳパラメータに対応するデータの書き込み
が行われる。このデータの書き込みは、原データ及びミ
ラーデータに対する計６か所のアドレスに対して、下位
側のアドレスから順次行われる。すなわち、ステップ３
０４においてｍ番目のＡＢＳパラメータが更新されたこ
とが判別された場合、更新値Ｄm をＥＥＰＲＯＭ２４
の（２m −２）番地に書き込み、Ｄm のミラーデータ
Ｒm を（２ｍ−１）番地に書き込み、Ｄm を３０＋
（２ｍ−２）番地に書き込み、Ｒm を３０＋（２ｍ−
１）番地に書き込み、Ｄm を６０＋（２ｍ−２）番地
に書き込み、Ｒm を６０＋（２ｍ−１）番地に書き込
む、という順序で書き込み処理が行われる。
タの何れかが更新されたと判別されると、次に、ステッ
プ３０６の処理が実行される。ステップ３０６では、更
新されたＡＢＳパラメータに対応するデータの書き込み
が行われる。このデータの書き込みは、原データ及びミ
ラーデータに対する計６か所のアドレスに対して、下位
側のアドレスから順次行われる。すなわち、ステップ３
０４においてｍ番目のＡＢＳパラメータが更新されたこ
とが判別された場合、更新値Ｄm をＥＥＰＲＯＭ２４
の（２m −２）番地に書き込み、Ｄm のミラーデータ
Ｒm を（２ｍ−１）番地に書き込み、Ｄm を３０＋
（２ｍ−２）番地に書き込み、Ｒm を３０＋（２ｍ−
１）番地に書き込み、Ｄm を６０＋（２ｍ−２）番地
に書き込み、Ｒm を６０＋（２ｍ−１）番地に書き込
む、という順序で書き込み処理が行われる。
【００３３】上述の如く、ＥＥＰＲＯＭ２４へのデータ
の書き込みは、ＥＣＵ２２からシリアル通信線２５を介
してＥＥＰＲＯＭ２４に書き込み命令を付与することに
より行われる。一般に、ＥＥＰＲＯＭに対して１回の書
き込み命令で複数バイトのデータを書き込むことが可能
である。データ書き込みの処理速度を向上させる意味で
は、１回の書き込み命令で複数のデータを書き込む方が
有利である。しかしながら、１回の書き込み命令による
複数バイトのデータの書き込みが実行されている途中で
ＩＧＳＷ２６がオフされると、ＥＥＰＲＯＭへの電源の
供給が停止され、書き込み中のデータはすべて不正確な
値となる。従って、書き込み中であったＡＢＳパラメー
タの値は正しくバックアップされないことになる。
の書き込みは、ＥＣＵ２２からシリアル通信線２５を介
してＥＥＰＲＯＭ２４に書き込み命令を付与することに
より行われる。一般に、ＥＥＰＲＯＭに対して１回の書
き込み命令で複数バイトのデータを書き込むことが可能
である。データ書き込みの処理速度を向上させる意味で
は、１回の書き込み命令で複数のデータを書き込む方が
有利である。しかしながら、１回の書き込み命令による
複数バイトのデータの書き込みが実行されている途中で
ＩＧＳＷ２６がオフされると、ＥＥＰＲＯＭへの電源の
供給が停止され、書き込み中のデータはすべて不正確な
値となる。従って、書き込み中であったＡＢＳパラメー
タの値は正しくバックアップされないことになる。
【００３４】これに対して、本実施例においては、ＥＣ
Ｕ２２は、上記〜の書き込み処理を、それぞれ１回
の書き込み命令を実行することにより行うこととしてい
る。これにより、ＥＥＰＲＯＭ２４へのデータの書き込
み中にＩＧＳＷ２６がオフされた場合にも、不正確とな
るデータの数を唯１つに抑制することができる。
Ｕ２２は、上記〜の書き込み処理を、それぞれ１回
の書き込み命令を実行することにより行うこととしてい
る。これにより、ＥＥＰＲＯＭ２４へのデータの書き込
み中にＩＧＳＷ２６がオフされた場合にも、不正確とな
るデータの数を唯１つに抑制することができる。
【００３５】例えば、上記の書き込み処理中にＩＧＳ
Ｗ２６がオフとされた場合、ＥＥＰＲＯＭ２４の３０＋
（２ｍ−１）番地に記憶されるデータ値は不正確な値と
なるが、既に、〜の書き込み処理は終了されている
ため、（２ｍ−２）番地、（２ｍ−１）番地、及び、３
０＋（２ｍ−２）番地には更新されたＡＢＳパラメータ
に応じた値が記憶される。上述の如く、初期読込モジュ
ール１００においては、下位側のアドレスから順に、読
み出し値の一致・不一致を判別し、３つの読み出し値が
互いに一致した場合に、その値をＡＢＳパラメータに対
する初期値として採用している。従って、（２ｍ−２）
番地、（２ｍ−１）番地、及び、３０＋（２ｍ−２）番
地の記憶値にエラーが生じていなければ、バックアップ
ルーチンが次回実行される際、今回更新されたＡＢＳパ
ラメータの値、即ち、最新の更新値をＡＢＳパラメータ
の初期値として用いることができる。
Ｗ２６がオフとされた場合、ＥＥＰＲＯＭ２４の３０＋
（２ｍ−１）番地に記憶されるデータ値は不正確な値と
なるが、既に、〜の書き込み処理は終了されている
ため、（２ｍ−２）番地、（２ｍ−１）番地、及び、３
０＋（２ｍ−２）番地には更新されたＡＢＳパラメータ
に応じた値が記憶される。上述の如く、初期読込モジュ
ール１００においては、下位側のアドレスから順に、読
み出し値の一致・不一致を判別し、３つの読み出し値が
互いに一致した場合に、その値をＡＢＳパラメータに対
する初期値として採用している。従って、（２ｍ−２）
番地、（２ｍ−１）番地、及び、３０＋（２ｍ−２）番
地の記憶値にエラーが生じていなければ、バックアップ
ルーチンが次回実行される際、今回更新されたＡＢＳパ
ラメータの値、即ち、最新の更新値をＡＢＳパラメータ
の初期値として用いることができる。
【００３６】また、例えば、上記の書き込み処理中に
ＩＧＳＷ２６がオフされた場合には、（２ｍ−１）番
地、３０＋（２ｍ−２）番地、３０＋（２ｍ−１）番
地、６０＋（２ｍ−２）番地、及び、６０＋（２ｍ−
１）番地には前回の更新時に更新されたデータが記憶さ
れている。従って、バックアップルーチンが次回実行さ
れる際には、前回更新されたＡＢＳパラメータの値、即
ち、最新の更新より１回前の更新値がＡＢＳパラメータ
の初期値として用いられることになる。一般には、１度
の更新で大きな変更が加えられることは少ない。従っ
て、ＡＢＳパラメータの初期値として、最新の更新より
１回前の更新値を用いることにより、最新の更新値がか
なり反映されたデータ値をＡＢＳパラメータの初期値と
して用いることができる。
ＩＧＳＷ２６がオフされた場合には、（２ｍ−１）番
地、３０＋（２ｍ−２）番地、３０＋（２ｍ−１）番
地、６０＋（２ｍ−２）番地、及び、６０＋（２ｍ−
１）番地には前回の更新時に更新されたデータが記憶さ
れている。従って、バックアップルーチンが次回実行さ
れる際には、前回更新されたＡＢＳパラメータの値、即
ち、最新の更新より１回前の更新値がＡＢＳパラメータ
の初期値として用いられることになる。一般には、１度
の更新で大きな変更が加えられることは少ない。従っ
て、ＡＢＳパラメータの初期値として、最新の更新より
１回前の更新値を用いることにより、最新の更新値がか
なり反映されたデータ値をＡＢＳパラメータの初期値と
して用いることができる。
【００３７】このように、本ルーチンによれば、ＥＥＰ
ＲＯＭ２４へのデータの書き込み中にＩＧＳＷ２６がオ
フとされても、最新の更新値を有効なバックアップ値と
して保持できることがあり、また、最悪の場合でも、最
新の更新より１回前の更新値をバックアップ値として維
持することができる。
ＲＯＭ２４へのデータの書き込み中にＩＧＳＷ２６がオ
フとされても、最新の更新値を有効なバックアップ値と
して保持できることがあり、また、最悪の場合でも、最
新の更新より１回前の更新値をバックアップ値として維
持することができる。
【００３８】なお、本バックアップルーチンはＡＢＳ制
御の実行とは独立に実行され、また、本ルーチンの実行
に対して車両の運転者は関与しない。従って、上述の如
くＥＥＰＲＯＭ２４へのデータの書き込みを１回の書き
込み命令で１バイトずつ行うことにより処理時間が増大
しても、支障が生ずることはない。
御の実行とは独立に実行され、また、本ルーチンの実行
に対して車両の運転者は関与しない。従って、上述の如
くＥＥＰＲＯＭ２４へのデータの書き込みを１回の書き
込み命令で１バイトずつ行うことにより処理時間が増大
しても、支障が生ずることはない。
【００３９】ステップ３０６の処理が終了されると、再
び、ステップ３０４の処理が実行される。一方、ステッ
プ３０４において、ＡＢＳパラメータの何れも新されて
いないと判別されると、次に、ステップ３０８におい
て、ｓｗ＝１が成立するか否が判別される。ステップ３
０８において、ｓｗ＝１が成立すると判別されると、次
に、常時チェックモジュール３１０が実行され、一方、
ｓｗ＝１が成立しないと判別されると、次に、バックア
ップ機能チェックモジュール３５０が実行される。
び、ステップ３０４の処理が実行される。一方、ステッ
プ３０４において、ＡＢＳパラメータの何れも新されて
いないと判別されると、次に、ステップ３０８におい
て、ｓｗ＝１が成立するか否が判別される。ステップ３
０８において、ｓｗ＝１が成立すると判別されると、次
に、常時チェックモジュール３１０が実行され、一方、
ｓｗ＝１が成立しないと判別されると、次に、バックア
ップ機能チェックモジュール３５０が実行される。
【００４０】常時チェックモジュール３１０において
は、ＥＥＰＲＯＭ２４のメモリセル異常に起因するデー
タ破壊の有無のチェック、及び、破壊されたデータの修
復の試行が行われる。図７に、常時チェックモジュール
３１０のフローチャートを示す。常時チェックモジュー
ルにおいては、先ず、ステップ３１２において、ＥＥＰ
ＲＯＭ２４のアドレスを示す変数ＡＤに、ＥＥＰＲＯＭ
２４の先頭番地である０が代入される。次に、ステップ
３１４において、ＥＥＰＲＯＭ２４のＡＤ番地から読み
込まれたデータが、ＥＣＵ２２が記憶している、ＥＥＰ
ＲＯＭ２４のＡＤ番地に対応するＡＢＳパラメータの値
に一致しているか否かが判別される。ステップ３１４に
おいて上記条件が成立すると判別されると、ＡＤ番地の
記憶値は正しいと判断されて、以後、ＡＤ番地に対する
処理が実行されることなく、ステップ３１６の処理が実
行される。一方、ステップ３１４において上記条件が成
立しないと判別されると、ＡＤ番地の記憶値に誤りがあ
ると判断されて、次に、ステップ３１８の処理が実行さ
れる。
は、ＥＥＰＲＯＭ２４のメモリセル異常に起因するデー
タ破壊の有無のチェック、及び、破壊されたデータの修
復の試行が行われる。図７に、常時チェックモジュール
３１０のフローチャートを示す。常時チェックモジュー
ルにおいては、先ず、ステップ３１２において、ＥＥＰ
ＲＯＭ２４のアドレスを示す変数ＡＤに、ＥＥＰＲＯＭ
２４の先頭番地である０が代入される。次に、ステップ
３１４において、ＥＥＰＲＯＭ２４のＡＤ番地から読み
込まれたデータが、ＥＣＵ２２が記憶している、ＥＥＰ
ＲＯＭ２４のＡＤ番地に対応するＡＢＳパラメータの値
に一致しているか否かが判別される。ステップ３１４に
おいて上記条件が成立すると判別されると、ＡＤ番地の
記憶値は正しいと判断されて、以後、ＡＤ番地に対する
処理が実行されることなく、ステップ３１６の処理が実
行される。一方、ステップ３１４において上記条件が成
立しないと判別されると、ＡＤ番地の記憶値に誤りがあ
ると判断されて、次に、ステップ３１８の処理が実行さ
れる。
【００４１】ステップ３１８においては、ＥＣＵ２２の
記憶している、ＥＥＰＲＯＭ２４のＡＤ番地に対応する
ＡＢＳパラメータの値が、ＥＥＰＲＯＭ２４のＡＤ番地
に書き込まれる。このステップ３１８の処理は、ＥＥＰ
ＲＯＭ２４の記憶するデータ値の修復を試みるものであ
る。即ち、ステップ３１８の処理が実行されることによ
り、データのエラーが，メモリセルの異常に起因するも
のではなく、ノイズ等の一時的な現象に起因するもので
ある場合には、記憶値が正しい値に修復される。ステッ
プ３１８の処理が終了されると、次に、ステップ３１６
の処理が実行される。
記憶している、ＥＥＰＲＯＭ２４のＡＤ番地に対応する
ＡＢＳパラメータの値が、ＥＥＰＲＯＭ２４のＡＤ番地
に書き込まれる。このステップ３１８の処理は、ＥＥＰ
ＲＯＭ２４の記憶するデータ値の修復を試みるものであ
る。即ち、ステップ３１８の処理が実行されることによ
り、データのエラーが，メモリセルの異常に起因するも
のではなく、ノイズ等の一時的な現象に起因するもので
ある場合には、記憶値が正しい値に修復される。ステッ
プ３１８の処理が終了されると、次に、ステップ３１６
の処理が実行される。
【００４２】ステップ３１６では変数ＡＤのインクリメ
ントが行われ、続くステップ３２０において、ＡＤが、
ＥＥＰＲＯＭ２４のＡＢＳパラメータ記憶領域の最終番
地である８９以下であるか否かが判別される。ステップ
３１８において、ＡＤ≦８９が成立すると判別される
と、再び、ステップ３１４以降の処理が実行される。一
方、ステップ３２０において、ＡＤ≦８９が成立しない
と判別されると、ＥＥＰＲＯＭ２４のすべてのＡＢＳパ
ラメータ記憶アドレスについてのチェックが完了された
と判断されて、常時チェックモジュール３００が終了さ
れる。
ントが行われ、続くステップ３２０において、ＡＤが、
ＥＥＰＲＯＭ２４のＡＢＳパラメータ記憶領域の最終番
地である８９以下であるか否かが判別される。ステップ
３１８において、ＡＤ≦８９が成立すると判別される
と、再び、ステップ３１４以降の処理が実行される。一
方、ステップ３２０において、ＡＤ≦８９が成立しない
と判別されると、ＥＥＰＲＯＭ２４のすべてのＡＢＳパ
ラメータ記憶アドレスについてのチェックが完了された
と判断されて、常時チェックモジュール３００が終了さ
れる。
【００４３】次にバックアップ機能チェックモジュール
３５０について説明する。バックアップ機能チェックモ
ジュール３５０においては、ＥＥＰＲＯＭ２４がＡＢＳ
パラメータのバックアップ機能を正常に果たし得るか否
かの検査が行われる。上述の如く、データ初期読込モジ
ュール１００においては、６つのバックアップデータの
うち、原データとミラーデータとを含む３つ以上のデー
タが一致していれば、この一致したデータ値がパラメー
タの初期値として用いられる。この場合、６つのバック
アップデータのうち４つ以上のデータが一致していれ
ば、原データとミラーデータとを含む３つ以上のデータ
が一致することになる。そこで、本バックアップ機能チ
ェックモジュール３５０では、１つのパラメータに対応
する６つの記憶値のうち４つ以上が一致していなけれ
ば、ＥＥＰＲＯＭ２４のバックアップ機能にエラーが生
じていると判断することとしている。
３５０について説明する。バックアップ機能チェックモ
ジュール３５０においては、ＥＥＰＲＯＭ２４がＡＢＳ
パラメータのバックアップ機能を正常に果たし得るか否
かの検査が行われる。上述の如く、データ初期読込モジ
ュール１００においては、６つのバックアップデータの
うち、原データとミラーデータとを含む３つ以上のデー
タが一致していれば、この一致したデータ値がパラメー
タの初期値として用いられる。この場合、６つのバック
アップデータのうち４つ以上のデータが一致していれ
ば、原データとミラーデータとを含む３つ以上のデータ
が一致することになる。そこで、本バックアップ機能チ
ェックモジュール３５０では、１つのパラメータに対応
する６つの記憶値のうち４つ以上が一致していなけれ
ば、ＥＥＰＲＯＭ２４のバックアップ機能にエラーが生
じていると判断することとしている。
【００４４】図８にバックアップ機能チェックモジュー
ル３５０のフローチャートを示す。バックアップ機能チ
ェックモジュール３５０においては、先ず、ステップ３
５２において、ＡＢＳパラメータの番号を示す変数ｎに
１が代入される。次に、ステップ３５４において、ｎ番
目のＡＢＳパラメータのデータＤn 及びそのミラーデー
タＭn が記憶されたアドレス２ｎ−２、３０＋（２ｎ−
２）、６０＋（２ｎ−２）、及び、２ｎ−１、３０＋
（２ｎ−１）、６０＋（２ｎ−１）から記憶値が、それ
ぞれ、変数Ｄn1、Ｄn2、Ｄn3、Ｒn1、Ｒn2、Ｒn3に読み
込まれる。ただし、ステップ３５４においては、アドレ
ス２ｎ−１、３０＋（２ｎ−１）、６０＋（２ｎ−１）
から読み込まれたデータのビットを反転させた後、
Ｒn1、Ｒn2、Ｒ n3に代入している。従って、上記ステッ
プ３５４において、Ｒn1、Ｒn2、Ｒn3には、原データに
復元されたデータが格納される。
ル３５０のフローチャートを示す。バックアップ機能チ
ェックモジュール３５０においては、先ず、ステップ３
５２において、ＡＢＳパラメータの番号を示す変数ｎに
１が代入される。次に、ステップ３５４において、ｎ番
目のＡＢＳパラメータのデータＤn 及びそのミラーデー
タＭn が記憶されたアドレス２ｎ−２、３０＋（２ｎ−
２）、６０＋（２ｎ−２）、及び、２ｎ−１、３０＋
（２ｎ−１）、６０＋（２ｎ−１）から記憶値が、それ
ぞれ、変数Ｄn1、Ｄn2、Ｄn3、Ｒn1、Ｒn2、Ｒn3に読み
込まれる。ただし、ステップ３５４においては、アドレ
ス２ｎ−１、３０＋（２ｎ−１）、６０＋（２ｎ−１）
から読み込まれたデータのビットを反転させた後、
Ｒn1、Ｒn2、Ｒ n3に代入している。従って、上記ステッ
プ３５４において、Ｒn1、Ｒn2、Ｒn3には、原データに
復元されたデータが格納される。
【００４５】ステップ３５４の処理が終了されると、次
に、ステップ３５６の処理が実行される。ステップ３５
６では、Ｄn1、Ｄn2、Ｄn3、Ｒn1、Ｒn2、Ｒn3のうち互
いに等しい値のものが４つ以上あるか否かが判別され
る。ステップ３５６において、Ｄn1〜Ｒn3のうち等しい
値のものが４つ以上ないと判別されると、次に、ステッ
プ３５８の処理が実行される。ステップ３５８では、バ
ックアップ機能のエラー判定がなされ、続く、ステップ
３６０において、バックアップ機能のエラー判定が連続
して２５５回発生したか否かが判別される。ステップ３
６０において、バックアップ機能エラー判定が連続２５
５回発生したと判別されると、ＥＥＰＲＯＭ２４による
バックアップ機能が失われていると判断される。この場
合、バックアップルーチンは異常終了され、ＥＣＵ異常
処理が行われる。
に、ステップ３５６の処理が実行される。ステップ３５
６では、Ｄn1、Ｄn2、Ｄn3、Ｒn1、Ｒn2、Ｒn3のうち互
いに等しい値のものが４つ以上あるか否かが判別され
る。ステップ３５６において、Ｄn1〜Ｒn3のうち等しい
値のものが４つ以上ないと判別されると、次に、ステッ
プ３５８の処理が実行される。ステップ３５８では、バ
ックアップ機能のエラー判定がなされ、続く、ステップ
３６０において、バックアップ機能のエラー判定が連続
して２５５回発生したか否かが判別される。ステップ３
６０において、バックアップ機能エラー判定が連続２５
５回発生したと判別されると、ＥＥＰＲＯＭ２４による
バックアップ機能が失われていると判断される。この場
合、バックアップルーチンは異常終了され、ＥＣＵ異常
処理が行われる。
【００４６】一方、ステップ３６０において、バックア
ップ機能エラー判定は連続２５５回発生していないと判
別されると、ＥＥＰＲＯＭ２４のデータバックアップ機
能が失われていると断定するには及ばないと判断され
て、以後、何ら処理が行われることなくバックアップ機
能チェックモジュール３５０が終了される。
ップ機能エラー判定は連続２５５回発生していないと判
別されると、ＥＥＰＲＯＭ２４のデータバックアップ機
能が失われていると断定するには及ばないと判断され
て、以後、何ら処理が行われることなくバックアップ機
能チェックモジュール３５０が終了される。
【００４７】なお、ＥＥＰＲＯＭ２４によるデータバッ
クアップ機能が失われても、初期読込モジュール１００
のステップ１２２において、デフォルト値がＡＢＳパラ
メータの初期値として採用されることにより、正常な状
態ではないながらもＡＢＳ制御の実行は可能である。従
って、ＥＥＰＲＯＭ２４によるデータバックアップ機能
が失われても、車両の運転者に対して影響が及ぶことは
ない。このため、バックアップ機能チェックモジュール
３５０においては、上述の如く、バックアップ機能エラ
ー判定が連続２５５回発生した場合にのみ、ＥＥＰＲＯ
Ｍ２４によるバックアップ機能が失われていると判断す
ることで、かかる判断を慎重に行うこととしている。
クアップ機能が失われても、初期読込モジュール１００
のステップ１２２において、デフォルト値がＡＢＳパラ
メータの初期値として採用されることにより、正常な状
態ではないながらもＡＢＳ制御の実行は可能である。従
って、ＥＥＰＲＯＭ２４によるデータバックアップ機能
が失われても、車両の運転者に対して影響が及ぶことは
ない。このため、バックアップ機能チェックモジュール
３５０においては、上述の如く、バックアップ機能エラ
ー判定が連続２５５回発生した場合にのみ、ＥＥＰＲＯ
Ｍ２４によるバックアップ機能が失われていると判断す
ることで、かかる判断を慎重に行うこととしている。
【００４８】上記ステップ３５６において、Ｄn1〜Ｒn3
のうち等しい値のものが４つ以上あると判別されると、
ｎ番目のＡＢＳパラメータに対するバックアップ機能は
正常であると判断されて、次に、ステップ３６２の処理
が実行される。ステップ３６２では、ｎの値がインクリ
メントされ、続くステップ３６４において、ｎ＞１５が
成立するか否かが判別される。ステップ３５８におい
て、ｎ＞１５が成立すると判別されると、すべてのパラ
メータに対してバックアップ機能は正常に働いていると
判断されて、バックアップ機能チェックモジュールが終
了される。一方、ステップ３５８において、ｎ＞１５が
成立しないと判別されると、再び、ステップ３５２以降
の処理が実行される。
のうち等しい値のものが４つ以上あると判別されると、
ｎ番目のＡＢＳパラメータに対するバックアップ機能は
正常であると判断されて、次に、ステップ３６２の処理
が実行される。ステップ３６２では、ｎの値がインクリ
メントされ、続くステップ３６４において、ｎ＞１５が
成立するか否かが判別される。ステップ３５８におい
て、ｎ＞１５が成立すると判別されると、すべてのパラ
メータに対してバックアップ機能は正常に働いていると
判断されて、バックアップ機能チェックモジュールが終
了される。一方、ステップ３５８において、ｎ＞１５が
成立しないと判別されると、再び、ステップ３５２以降
の処理が実行される。
【００４９】図６に示す如く、上記した常時チェックモ
ジュール３１０、及び、バックアップ機能チェックモジ
ュール３５０が終了されると、次に、ステップ３７０の
処理が実行される。ステップ３７０においては、ｓｗ＝
１−ｓｗなる演算、即ち、ｓｗの値の０と１とを反転さ
せる処理が行われる。ステップ３７０の処理が終了され
ると、再び、ステップ３０４以降の処理が実行される。
従って、常時チェックモジュール３１０とバックアップ
機能モジュール３５０とは、ＩＧＳＷ２６がオフされる
まで、交互に繰り返し実行される。
ジュール３１０、及び、バックアップ機能チェックモジ
ュール３５０が終了されると、次に、ステップ３７０の
処理が実行される。ステップ３７０においては、ｓｗ＝
１−ｓｗなる演算、即ち、ｓｗの値の０と１とを反転さ
せる処理が行われる。ステップ３７０の処理が終了され
ると、再び、ステップ３０４以降の処理が実行される。
従って、常時チェックモジュール３１０とバックアップ
機能モジュール３５０とは、ＩＧＳＷ２６がオフされる
まで、交互に繰り返し実行される。
【００５０】なお、上記実施例においては、ＥＥＰＲＯ
Ｍ２４が上記したデータ記憶手段に、ＥＥＰＲＯＭ２４
の各アドレスが上記した記憶領域に、それぞれ相当して
おり、また、ＥＣＵ２２が上記バックアップルーチンの
ステップ３０６の処理を実行することにより、上記した
データ書込手段が実現されている。
Ｍ２４が上記したデータ記憶手段に、ＥＥＰＲＯＭ２４
の各アドレスが上記した記憶領域に、それぞれ相当して
おり、また、ＥＣＵ２２が上記バックアップルーチンの
ステップ３０６の処理を実行することにより、上記した
データ書込手段が実現されている。
【００５１】上記説明から明らかな通り、本発明の望ま
しい実施態様として以下の態様を挙げることができる。 請求項１記載の半導体記憶装置において、同一種類の
データは少なくとも４つ以上の偶数の記憶領域に記憶さ
れるものであり、それら記憶された複数のデータのうち
半数以上のデータが一致するか否かを判定する一致判定
手段と、該一致判定手段によって一致すると判定された
場合に、該一致したデータを記憶データとして採用する
記憶データ採用手段とを備えたことを特徴とする半導体
記憶装置。
しい実施態様として以下の態様を挙げることができる。 請求項１記載の半導体記憶装置において、同一種類の
データは少なくとも４つ以上の偶数の記憶領域に記憶さ
れるものであり、それら記憶された複数のデータのうち
半数以上のデータが一致するか否かを判定する一致判定
手段と、該一致判定手段によって一致すると判定された
場合に、該一致したデータを記憶データとして採用する
記憶データ採用手段とを備えたことを特徴とする半導体
記憶装置。
【００５２】以下、上記の態様の利点について述べ
る。例えば、同一種類のデータを３つの記憶領域に記憶
するものにあっては、２番目の記憶領域へデータを書き
込んでいる際に電源が遮断された場合には、１番目の記
憶領域には今回の更新データが、２番目の記憶領域には
書き込み途中に電源遮断された不正確なデータが、３番
目のの記憶領域には前回の更新データが、それぞれ記憶
されることになる。この場合、３つのデータのうち、過
半数（２つ以上）のデータが一致した場合にそのデータ
を記憶データとして採用したのでは、１番目の記憶領域
には正確な今回の更新データが、３番目の記憶領域に正
確な前回の更新データが、それぞれ記憶されているにも
かかわらず、記憶データが正しくないものと認識されて
しまうのである。これに対して、上記の態様によれ
ば、電源の遮断が何れの記憶領域へのデータ書き込み中
になされたとしても、今回の更新データまたは前回の更
新データのうち何れかが半数以上記憶されているので、
可能な限り最新の記憶データを採用することができるの
である。
る。例えば、同一種類のデータを３つの記憶領域に記憶
するものにあっては、２番目の記憶領域へデータを書き
込んでいる際に電源が遮断された場合には、１番目の記
憶領域には今回の更新データが、２番目の記憶領域には
書き込み途中に電源遮断された不正確なデータが、３番
目のの記憶領域には前回の更新データが、それぞれ記憶
されることになる。この場合、３つのデータのうち、過
半数（２つ以上）のデータが一致した場合にそのデータ
を記憶データとして採用したのでは、１番目の記憶領域
には正確な今回の更新データが、３番目の記憶領域に正
確な前回の更新データが、それぞれ記憶されているにも
かかわらず、記憶データが正しくないものと認識されて
しまうのである。これに対して、上記の態様によれ
ば、電源の遮断が何れの記憶領域へのデータ書き込み中
になされたとしても、今回の更新データまたは前回の更
新データのうち何れかが半数以上記憶されているので、
可能な限り最新の記憶データを採用することができるの
である。
【００５３】上記態様に記載の半導体記憶装置にお
いて、同一種類のデータを記憶する前記複数の記憶領域
の前記データ記憶手段における番地は、多くとも２つの
みの記憶領域の連続を許容して定められていることを特
徴とする半導体記憶装置。データ記憶手段の破壊による
記憶領域異常は、連続する複数の記憶領域にわたって生
ずることが多いのであるが、上記の態様によれば、デ
ータ記憶手段の破壊によって、同一種類のデータを記憶
する記憶領域の半数以上が一度に異常とされてしまうこ
とを抑制することができる。
いて、同一種類のデータを記憶する前記複数の記憶領域
の前記データ記憶手段における番地は、多くとも２つの
みの記憶領域の連続を許容して定められていることを特
徴とする半導体記憶装置。データ記憶手段の破壊による
記憶領域異常は、連続する複数の記憶領域にわたって生
ずることが多いのであるが、上記の態様によれば、デ
ータ記憶手段の破壊によって、同一種類のデータを記憶
する記憶領域の半数以上が一度に異常とされてしまうこ
とを抑制することができる。
【００５４】上記態様に記載の半導体記憶装置にお
いて、前記記憶すべきデータは半数の記憶領域に非反転
データとして記憶され、残る半数の記憶領域に反転デー
タとして記憶されるものであって、前記一致判定手段は
前記反転データを更に反転させた二重反転データと非反
転データとを比較し、二重反転データと非反転データと
を少なくとも一つずつ含んで一致する場合に肯定判定す
るものであることを特徴とする半導体記憶装置。
いて、前記記憶すべきデータは半数の記憶領域に非反転
データとして記憶され、残る半数の記憶領域に反転デー
タとして記憶されるものであって、前記一致判定手段は
前記反転データを更に反転させた二重反転データと非反
転データとを比較し、二重反転データと非反転データと
を少なくとも一つずつ含んで一致する場合に肯定判定す
るものであることを特徴とする半導体記憶装置。
【００５５】上記の態様によれば、非反転データのみ
の一致や反転データのみの一致によっては記憶データが
採用されないので、全記憶領域のデータが同値となって
しまうような故障時に不正確な記憶データが採用される
ことを防止できる。 請求項１又は上記態様乃至に記載の半導体記憶装
置において、前記複数の記憶領域の前記データ記憶手段
における番地の、前記データ書込手段によるデータ書き
込み順と、記憶データの読み出し順とが一致されている
ことを特徴とする半導体記憶装置。
の一致や反転データのみの一致によっては記憶データが
採用されないので、全記憶領域のデータが同値となって
しまうような故障時に不正確な記憶データが採用される
ことを防止できる。 請求項１又は上記態様乃至に記載の半導体記憶装
置において、前記複数の記憶領域の前記データ記憶手段
における番地の、前記データ書込手段によるデータ書き
込み順と、記憶データの読み出し順とが一致されている
ことを特徴とする半導体記憶装置。
【００５６】上記の態様によれば、可能な限り最新の
記憶データを採用することができる。
記憶データを採用することができる。
【００５７】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、データ記
憶手段の記憶領域へのデータの書き込み中に電源が遮断
された場合に、記憶すべきデータが消失するのを防止す
ることができる。
憶手段の記憶領域へのデータの書き込み中に電源が遮断
された場合に、記憶すべきデータが消失するのを防止す
ることができる。
【図１】本発明の一実施例のシステム構成図である。
【図２】本実施例のシステムにおけるＥＥＰＲＯＭのア
ドレスマップである。
ドレスマップである。
【図３】本実施例のシステムにおいてＥＣＵが実行する
バックアップルーチンのモジュール構成図である。
バックアップルーチンのモジュール構成図である。
【図４】バックアップルーチンの初期読込モジュールの
フローチャートである。
フローチャートである。
【図５】バックアップルーチンのチャージポンプチェッ
クモジュールのフローチャートである。
クモジュールのフローチャートである。
【図６】バックアップルーチンの通常処理モジュールの
フローチャートである。
フローチャートである。
【図７】バックアップルーチンの常時チェックモジュー
ルのフローチャートである。
ルのフローチャートである。
【図８】バックアップルーチンのバックアップ機能チェ
ックモジュールのフローチャートである。
ックモジュールのフローチャートである。
２２ ＥＣＵ ２４ ＥＥＰＲＯＭ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、それぞれ
１単位のデータを記憶しておく記憶領域を複数備えるデ
ータ記憶手段と、記憶すべきデータを前記データ記憶手
段の少なくとも４つの偶数の前記記憶領域に順次書き込
むデータ書込手段と、該データ書込手段により書き込ま
れた前記少なくとも４つのデータのうち半数以上のデー
タが一致するか否かを判定する一致判定手段と、該一致
判定手段によって肯定判定された場合に、当該一致した
データを記憶データとして採用する記憶データ採用手段
とを備える半導体記憶装置により達成される。
１単位のデータを記憶しておく記憶領域を複数備えるデ
ータ記憶手段と、記憶すべきデータを前記データ記憶手
段の少なくとも４つの偶数の前記記憶領域に順次書き込
むデータ書込手段と、該データ書込手段により書き込ま
れた前記少なくとも４つのデータのうち半数以上のデー
タが一致するか否かを判定する一致判定手段と、該一致
判定手段によって肯定判定された場合に、当該一致した
データを記憶データとして採用する記憶データ採用手段
とを備える半導体記憶装置により達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】本発明において、記憶すべきデータはデー
タ書込手段により、データ記憶手段の少なくとも４つの
偶数の記憶領域に順次書き込まれる。従って、記憶すべ
きデータがある記憶領域に書き込まれている途中で半導
体記憶装置への電源が遮断された場合、当該記憶領域に
は書き込み中に電源が遮断された不正確なデータが、当
該記憶領域よりも先に記憶すべきデータが書き込まれる
記憶領域には今回更新されたデータが、当該記憶領域よ
りも後に記憶すべきデータが書き込まれる記憶領域には
前回更新されたデータが、それぞれ記憶されることにな
る。この場合、記憶すべきデータは少なくとも４つの偶
数の記憶領域に書き込まれるため、今回更新されたデー
タ又は前回更新されたデータの何れか一方は、半数以上
記憶されている。従って、一致判定手段により肯定判別
された場合に、記憶データ採用手段により一致したデー
タが記憶データとして採用されることで、最悪でも前回
更新されたデータが記憶データとして採用される。ま
た、上記の目的は、請求項２に記載する如く、請求項１
記載の半導体記憶装置において、前記データ書込手段に
より前記記憶すべきデータが書き込まれる前記記憶領域
の、前記データ記憶手段における番地の連続数は多くと
も２以下である半導体記憶装置によっても達成される。
本発明において、記憶すべきデータは複数の記憶領域の
番地の連続数は多くとも２以下である。即ち、記憶すべ
きデータが連続する３つ以上の記憶領域に書き込まれる
ことない。一般に、記憶領域の異常は連続する複数の記
憶領域にわたって生ずることが多い。従って、本発明に
よれば、かかる記憶領域の異常が生じた場合に、不正確
となるデータの数が抑制される。これにより、同一のデ
ータが記憶される記憶領域の半数以上が同時に異常とな
る可能性が抑制される。また、上記の目的は、請求項３
に記載する如く、請求項１記載の半導体記憶装置におい
て、前記データ書込手段は、前記記憶すべきデータの半
数をそのまま非反転データとして書き込むと共に、他の
半数をビット毎に反転させた反転データとして書き込
み、前記一致判定手段は、前記非反転データと前記反転
データを更にビット毎に反転させた二重反転データとを
比較し、前記非反転データと前記二重反転データとをそ
れぞれ少なくとも一つずつ含んで一致する場合に肯定判
定する半導体記憶装置によっても達成される。本発明に
おいて、データ書込手段は、記憶すべきデータの半数を
非反転データとして書き込むと共に他の半数を反転デー
タとして書き込む。従って、記憶すべきデータが書き込
まれる記憶領域に、読み出されたデータが常に１又は０
となるような異常が生じた場合、非反転データ及び反転
データの少なくとも一方は不正確なデータとなる。一致
判定手段は反転データのみの一致、及び、非反転データ
のみの一致によっては肯定判別しない。従って、記憶す
べきデータが書き込まれる記憶領域に、読み出されたデ
ータが常に１又は０となるような異常が生じた場合に不
正確なデータが記憶データとして採用されることが防止
される。更に、上記の目的は、請求項４に記載する如
く、請求項１乃至３に記載の半導体記憶装置において、
前記一致判定手段は前記記憶領域に記憶されたデータを
順次読み出しながら一致判定を行ない、かつ、前記複数
の記憶領域の前記データ記憶手段における番地の、前記
データ書込手段によるデータ書き込み順と、前記一致判
定手段によるデータの読み出し順とが一致している半導
体記憶装置によっても達成される。本発明において、デ
ータ書込手段によるデータ書き込み順と、一致判定手段
による記憶データの読み出し順とが一致している。従っ
て、半数のデータの書き込みが終了した後、その次のデ
ータが書き込まれる前に半導体記憶装置への電源が遮断
された場合には、今回書き込まれたデータ、即ち、最新
の更新データが記憶データとして採用される。
タ書込手段により、データ記憶手段の少なくとも４つの
偶数の記憶領域に順次書き込まれる。従って、記憶すべ
きデータがある記憶領域に書き込まれている途中で半導
体記憶装置への電源が遮断された場合、当該記憶領域に
は書き込み中に電源が遮断された不正確なデータが、当
該記憶領域よりも先に記憶すべきデータが書き込まれる
記憶領域には今回更新されたデータが、当該記憶領域よ
りも後に記憶すべきデータが書き込まれる記憶領域には
前回更新されたデータが、それぞれ記憶されることにな
る。この場合、記憶すべきデータは少なくとも４つの偶
数の記憶領域に書き込まれるため、今回更新されたデー
タ又は前回更新されたデータの何れか一方は、半数以上
記憶されている。従って、一致判定手段により肯定判別
された場合に、記憶データ採用手段により一致したデー
タが記憶データとして採用されることで、最悪でも前回
更新されたデータが記憶データとして採用される。ま
た、上記の目的は、請求項２に記載する如く、請求項１
記載の半導体記憶装置において、前記データ書込手段に
より前記記憶すべきデータが書き込まれる前記記憶領域
の、前記データ記憶手段における番地の連続数は多くと
も２以下である半導体記憶装置によっても達成される。
本発明において、記憶すべきデータは複数の記憶領域の
番地の連続数は多くとも２以下である。即ち、記憶すべ
きデータが連続する３つ以上の記憶領域に書き込まれる
ことない。一般に、記憶領域の異常は連続する複数の記
憶領域にわたって生ずることが多い。従って、本発明に
よれば、かかる記憶領域の異常が生じた場合に、不正確
となるデータの数が抑制される。これにより、同一のデ
ータが記憶される記憶領域の半数以上が同時に異常とな
る可能性が抑制される。また、上記の目的は、請求項３
に記載する如く、請求項１記載の半導体記憶装置におい
て、前記データ書込手段は、前記記憶すべきデータの半
数をそのまま非反転データとして書き込むと共に、他の
半数をビット毎に反転させた反転データとして書き込
み、前記一致判定手段は、前記非反転データと前記反転
データを更にビット毎に反転させた二重反転データとを
比較し、前記非反転データと前記二重反転データとをそ
れぞれ少なくとも一つずつ含んで一致する場合に肯定判
定する半導体記憶装置によっても達成される。本発明に
おいて、データ書込手段は、記憶すべきデータの半数を
非反転データとして書き込むと共に他の半数を反転デー
タとして書き込む。従って、記憶すべきデータが書き込
まれる記憶領域に、読み出されたデータが常に１又は０
となるような異常が生じた場合、非反転データ及び反転
データの少なくとも一方は不正確なデータとなる。一致
判定手段は反転データのみの一致、及び、非反転データ
のみの一致によっては肯定判別しない。従って、記憶す
べきデータが書き込まれる記憶領域に、読み出されたデ
ータが常に１又は０となるような異常が生じた場合に不
正確なデータが記憶データとして採用されることが防止
される。更に、上記の目的は、請求項４に記載する如
く、請求項１乃至３に記載の半導体記憶装置において、
前記一致判定手段は前記記憶領域に記憶されたデータを
順次読み出しながら一致判定を行ない、かつ、前記複数
の記憶領域の前記データ記憶手段における番地の、前記
データ書込手段によるデータ書き込み順と、前記一致判
定手段によるデータの読み出し順とが一致している半導
体記憶装置によっても達成される。本発明において、デ
ータ書込手段によるデータ書き込み順と、一致判定手段
による記憶データの読み出し順とが一致している。従っ
て、半数のデータの書き込みが終了した後、その次のデ
ータが書き込まれる前に半導体記憶装置への電源が遮断
された場合には、今回書き込まれたデータ、即ち、最新
の更新データが記憶データとして採用される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５０】なお、上記実施例においては、ＥＥＰＲＯ
Ｍ２４が上記したデータ記憶手段に、ＥＥＰＲＯＭ２４
の各アドレスが上記した記憶領域に、それぞれ相当して
おり、また、ＥＣＵ２２が上記バックアップルーチンの
ステップ３０６の処理を実行することにより上記したデ
ータ書込手段が、ステップ１０４、１０６、１１０、１
１４、及び１１８の処理を実行することにより上記した
一致判定手段が、ステップ１０８、１１２、１１６、及
び１２０の処理を実行することにより上記した記憶デー
タ採用手段が、それぞれ実現されている。
Ｍ２４が上記したデータ記憶手段に、ＥＥＰＲＯＭ２４
の各アドレスが上記した記憶領域に、それぞれ相当して
おり、また、ＥＣＵ２２が上記バックアップルーチンの
ステップ３０６の処理を実行することにより上記したデ
ータ書込手段が、ステップ１０４、１０６、１１０、１
１４、及び１１８の処理を実行することにより上記した
一致判定手段が、ステップ１０８、１１２、１１６、及
び１２０の処理を実行することにより上記した記憶デー
タ採用手段が、それぞれ実現されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５７】
【発明の効果】上述の如く、請求項１記載の発明によれ
ば、データ記憶手段の記憶領域へのデータの書き込み中
に電源が遮断された場合に、記憶すべきデータが消失す
るのを防止することができると共に、可能な限り最新の
データを記憶データとして採用することができる。ま
た、請求項２記載の発明によれば、連続する複数の記憶
領域にわたって異常が生じた場合に、記憶すべきデータ
が消失する可能性を抑制することができる。また、請求
項３記載の発明によれば、記憶領域に読み出し値が常に
０又は１となるような異常が生じた場合に、不正確なデ
ータを記憶データとして採用してしまうのを防止するこ
とができる。更に、請求項４記載の発明によれば、半数
のデータの書き込み処理の直後に半導体記憶装置への電
源が遮断された場合に、最新のデータを記憶データとし
て採用することができる。
ば、データ記憶手段の記憶領域へのデータの書き込み中
に電源が遮断された場合に、記憶すべきデータが消失す
るのを防止することができると共に、可能な限り最新の
データを記憶データとして採用することができる。ま
た、請求項２記載の発明によれば、連続する複数の記憶
領域にわたって異常が生じた場合に、記憶すべきデータ
が消失する可能性を抑制することができる。また、請求
項３記載の発明によれば、記憶領域に読み出し値が常に
０又は１となるような異常が生じた場合に、不正確なデ
ータを記憶データとして採用してしまうのを防止するこ
とができる。更に、請求項４記載の発明によれば、半数
のデータの書き込み処理の直後に半導体記憶装置への電
源が遮断された場合に、最新のデータを記憶データとし
て採用することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図８】
Claims (1)
- 【請求項１】 それぞれ１単位のデータを記憶しておく
記憶領域を複数備えるデータ記憶手段と、 記憶すべきデータを前記データ記憶手段の少なくとも２
つの前記記憶領域に順次書き込むデータ書込手段とを備
えることを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10818396A JP3371682B2 (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 半導体記憶装置 |
| US08/825,633 US6035413A (en) | 1996-04-26 | 1997-03-31 | Data backup apparatus of a semiconductor memory |
| DE69722706T DE69722706T2 (de) | 1996-04-26 | 1997-04-03 | Datensicherungsvorrichtung eines Halbleiterspeichers |
| EP97105548A EP0803813B1 (en) | 1996-04-26 | 1997-04-03 | Data backup apparatus of a semiconductor memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10818396A JP3371682B2 (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293028A true JPH09293028A (ja) | 1997-11-11 |
| JP3371682B2 JP3371682B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=14478108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10818396A Expired - Fee Related JP3371682B2 (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 半導体記憶装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6035413A (ja) |
| EP (1) | EP0803813B1 (ja) |
| JP (1) | JP3371682B2 (ja) |
| DE (1) | DE69722706T2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007054404A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Okumura Yu-Ki Co Ltd | パチンコ機 |
| JP2008291713A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Toyota Motor Corp | 吸気系の制御装置 |
| JP2010044504A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Hitachi Cable Ltd | フラッシュメモリを用いた装置及びそのフラッシュメモリへのデータの書き込み方法 |
| JP2010097432A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Ｒａｍ診断装置、そのプログラム |
| JP2011028323A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Seiko Epson Corp | 信号判定回路、集積回路装置及び電子機器 |
| US7925843B2 (en) | 2003-01-22 | 2011-04-12 | Fujitsu Limited | Memory controller having a plurality of memory regions for protection against power failure |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4225645B2 (ja) * | 1999-08-25 | 2009-02-18 | 株式会社日立製作所 | 車両用コントロールユニットのデータ書き換え装置 |
| FR2830667A1 (fr) * | 2001-10-05 | 2003-04-11 | Gemplus Card Int | Procede de determination d'une zone stable dans une memoire et dispositif de gestion d'une memoire associe |
| NO315959B1 (no) | 2002-04-16 | 2003-11-17 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmåter til lagring av data i et ikke-flyktig minne |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3544777A (en) * | 1967-11-06 | 1970-12-01 | Trw Inc | Two memory self-correcting system |
| JPS5764397A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-19 | Olympus Optical Co Ltd | Memory device |
| US4601019B1 (en) * | 1983-08-31 | 1997-09-30 | Texas Instruments Inc | Memory with redundancy |
| JPS60177498A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| JPS6159531A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Hitachi Ltd | マイクロプログラムロ−ド装置 |
| JPS6170637A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-11 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 多数決によるエラ−検出訂正方法 |
| JPS61267846A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-11-27 | Nec Corp | メモリを有する集積回路装置 |
| JPS6234260A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-14 | Canon Inc | 不揮発性メモリアクセス方式 |
| JPS63271679A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Toshiba Corp | デ−タ書込み方式 |
| JPH0291749A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Toshiba Corp | 不揮発型半導体メモリ装置 |
| JP2821560B2 (ja) * | 1989-11-07 | 1998-11-05 | チノン株式会社 | カメラのデータ記憶装置 |
| JPH06290112A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-10-18 | Fujitsu Ten Ltd | Ｅｅｐｒｏｍによるビットデータ記憶装置 |
| JPH06267283A (ja) * | 1993-03-16 | 1994-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | データ書き込み可能な読み出し専用メモリ及びそのデータ書き込み／読み出し方法 |
| JPH07192495A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-07-28 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置のテスト回路 |
| US5488702A (en) * | 1994-04-26 | 1996-01-30 | Unisys Corporation | Data block check sequence generation and validation in a file cache system |
| JPH07319747A (ja) * | 1994-05-24 | 1995-12-08 | Nec Telecom Syst Ltd | データ更新システム |
-
1996
- 1996-04-26 JP JP10818396A patent/JP3371682B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-31 US US08/825,633 patent/US6035413A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-03 DE DE69722706T patent/DE69722706T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-03 EP EP97105548A patent/EP0803813B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7925843B2 (en) | 2003-01-22 | 2011-04-12 | Fujitsu Limited | Memory controller having a plurality of memory regions for protection against power failure |
| JP2007054404A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Okumura Yu-Ki Co Ltd | パチンコ機 |
| JP2008291713A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Toyota Motor Corp | 吸気系の制御装置 |
| JP2010044504A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Hitachi Cable Ltd | フラッシュメモリを用いた装置及びそのフラッシュメモリへのデータの書き込み方法 |
| JP2010097432A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Ｒａｍ診断装置、そのプログラム |
| JP2011028323A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Seiko Epson Corp | 信号判定回路、集積回路装置及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69722706D1 (de) | 2003-07-17 |
| EP0803813A1 (en) | 1997-10-29 |
| EP0803813B1 (en) | 2003-06-11 |
| JP3371682B2 (ja) | 2003-01-27 |
| DE69722706T2 (de) | 2004-04-29 |
| US6035413A (en) | 2000-03-07 |
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