JPH09289402A

JPH09289402A - 非可逆回路素子

Info

Publication number: JPH09289402A
Application number: JP8122593A
Authority: JP
Inventors: Naoto Kobayashi; 尚都小林; Jiro Ogiwara; 次朗荻原
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1996-04-19
Filing date: 1996-04-19
Publication date: 1997-11-04

Abstract

(57)【要約】【課題】トリミングを容易に行うことができるサーキ
ュレータを提供する。【解決手段】ケース７、８の中に中心導体１、２、３
とフェライト４との組立体と、永久磁石５と、多層基板
６とを収容したサーキュレータにおいて、多層基板６の
上面に容量及び接続用導体層１１、１２、１３を設け、
上側ケース８に設けた開口２０、２１を介して導体層１
１、１２、１３をトリミングして所望の電気的特性を得
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＶＨＦ、ＵＨＦ、ＳＨ
Ｆ等の無線周波数帯域の伝送回路で使用するサーキュレ
ータ、アイソレータ等の非可逆回路素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話等の通信器機に使用されるサー
キュレータとして、図１に概略的に示すフェライトを使
用した集中定数型サーキュレータが知られている。図１
のサーキュレータはＹ型サーキュレータであって、１２
０度間隔で配置され且つ相互にＹ型に接続された第１、
第２及び第３の中心導体１、２、３と、これ等の中心導
体１、２、３で包まれるように配置された磁性体として
の円板状フェライト４と、フェライト４に直流磁界を与
えるための円板状永久磁石５と、整合用容量及び端子を
得るための多層基板６と、下側ケース７と、上側ケース
８とを有する。多層基板６には貫通孔９が形成されてお
り、この貫通孔９内に中心導体１、２、３とフェライト
４との組立体が配置される。基板６は、誘電体層１０に
導体層を設けたものであり、この表面には第１、第２及
び第３の容量及び接続用導体層１１、１２、１３を有す
る。この第１、第２及び第３の容量及び接続用導体層１
１、１２、１３には第１、第２及び第３の中心導体１、
２、３が半田で接続される。基板６の内部にはグランド
導体層が設けられており、これに対して第１、第２及び
第３の容量及び接続用導体層１１、１２、１３が対向し
ているので、第１、第２及び第３の容量及び接続用導体
層１１、１２、１３とグランドとの間に整合用の静電容
量を得ることができる。

【０００３】基板６のグランド導体層及びフェライト４
の下面側に配置された第１、第２及び第３の中心導体
１、２、３の相互接続部分は金属製の下側ケース７に半
田で固着され、永久磁石５は金属製の上側ケース８の下
面に固着される。上側ケース８には第１の対の折り曲げ
部１４、１５と第２の対の折り曲げ部１６、１７とが設
けられている。第１の対の折り曲げ部１４、１５は下側
ケース７の対の折り曲げ部１８、１９の両端を覆うよう
に形成され、第２の対の折り曲げ部１６、１７は下側ケ
ース７の対の折り曲げ部１８、１９に半田付けされる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、組立された
サーキュレータの電気的特性が目標通り得れるとは限ら
ない。このため、下側ケース７に対して上側ケース８を
半田付けしていない状態のサーキュレータの電気的特性
をネットワークアナライザ等の測定装置を使用して測定
する。所望の特性が得られなかった時には、上側ケース
８を取り外して容量及び接続用導体層１１、１２、１３
の一部又は全部をトリミンして静電容量を調整する。こ
のトリミングは、上側ケース８を取り外して行うため
に、測定と連続的に行うことができなかった。従って、
調整作業の所要時間が長くなり、サ−キュレータのコス
トが必然的に高くなった。なお、図１のサーキュレータ
の端子の１つを終端するとアイソレータになるので、ア
イソレータにおいても同様な問題がある。このアイソレ
−タの場合には、整合容量の他に終端抵抗を所望値にす
るためのトリミングが必要になる。この終端抵抗のトリ
ミングも整合容量と同様に行われていたので、同様な問
題が発生した。そこで、本願の第１番目の目的は、トリ
ミングを容易に行うことができるサーキュレータ、アイ
ソレータ等の非可逆回路素子を提供することにある。図
１に示す構造のサーキュレータには、別の問題もある。
即ち、図１のサーキュレータにおいては、上側ケース８
に永久磁石５が固着されており、上側ケース８は第２の
対の折り曲げ部１６、１７によって下側ケース７に半田
で結合される。この半田付け作業の時に、永久磁石５の
温度がキュリー点を越え、永久磁石５の磁力の低下を招
く恐れがある。もし、永久磁石５の磁力が低下すると、
サーキュレータの電気的特性が劣化する。この様な問題
はアイソレータにおいてもある。そこで、本願の第２番
目の目的は電気的特性の劣化が生じ難い構造の非可逆素
子を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記第１番目の目的を達
成するための発明は、整合用容量を得るための導体層を
有する誘電体基板と、互いに交差する部分を有するよう
に配置され且つ前記交差する部分において互いに絶縁さ
れた複数の中心導体と、前記中心導体に対向配置された
磁性体と、前記磁性体に磁界を与えるための磁石と、前
記基板と前記中心導体と前記磁性体と前記磁石とを収容
している金属ケースとから成る非可逆回路素子におい
て、前記整合用容量を得るための導体層をトリミングす
るための開口が前記金属ケースに設けられていることを
特徴とする非可逆回路素子に係わるものである。なお、
請求項２に示すように終端用抵抗層を設けることができ
る。また、請求項３又は４に示すように、基板に貫通孔
を設け、ここに磁性体又は磁石を挿入することが望まし
い。また、請求項５に示すように、開口を覆うシールド
体又は保護シ−トを設けることが望ましい。また、第２
番目の目的を達成するために、請求項６、７、８に示す
ように下側ケ−スと上側ケースとを樹脂で固着するか、
又は接着層を有するシート材で結合するか、又は凹部と
凸部で嵌合させる。

【０００６】

【発明の作用及び効果】請求項１〜５の発明によればケ
ースの開口を介して整合用容量のトリミング又は終端抵
抗層のトリミングを行うことが可能になり、トリミング
を容易に行うことができる。請求項３及び４の発明によ
れば、非可逆回路素子の小型化が可能になる。また、請
求項４の発明によれば、磁石が貫通孔に挿入されるの
で、磁石によってトリミング領域の制限を受けなくな
る。また、請求項５の発明によれば開口が電磁及び／又
は静電シールド体で覆われるので、開口に基づくノイズ
等の問題の発生を防ぐことができる。また、シ−ルド体
又は保護シ−トで開口を覆うことによってケ−ス及びケ
−ス内部を機械的に保護することができる。また、請求
項６、７、８のいずれの発明においても、下側ケースと
上側ケースが半田で結合されないので熱による磁石の特
性劣化が生じない。

【０００７】

【第１の実施例】次に図２〜図１４を参照して第１の実
施例の集中定数型サーキュレータを説明する。この実施
例のサーキュレータは移動電話装置における送信回路と
アンテナと受信回路との間に接続するものであって、図
１の従来のサーキュレータと同様に、１２０度間隔で配
置され且つ相互にＹ型に接続された第１、第２及び第３
の中心導体１、２、３と、これ等の中心導体１、２、３
で包まれるように配置された磁性体としての円板状フェ
ライト４と、フェライト４に直流磁界を与えるための円
板状永久磁石５と、整合用容量及び端子を得るための多
層基板６と、金属製の下側ケース７と、金属製の上側ケ
ース８とを有する。図２のサーキュレータは、上側ケー
ス８に２つの開口２０、２１を有する点、及び上側ケー
ス８の対の折り曲げ部１６、１７と下側ケース７との結
合方法の点で図１の従来のサーキュレータと相違し、そ
の他は実質的に同一である。なお、図１、図２、図３及
び後述する図１４、図１５において、図示を簡略化する
ために中心導体１、２、３、ケース７、８、導体層１
１、１２、１３等が厚みを省いて示されている。

【０００８】図３はサーキュレータの組立体から上側ケ
ース８を省いた部分を示す。この図３から明らかなよう
に基板６の中央の貫通孔９の内に第１、第２及び第３の
中心導体１、２、３で包み込まれたフェライト４が挿入
される。３本の中心導体１、２、３の先端部は第１、第
２及び第３の容量及び接続用導体層１１、１２、１３の
上に配置され且つ半田（図示せず）によって固着され
る。

【０００９】図４は基板６の表面上の第１、第２及び第
３の容量及び接続用導体層１１、１２、１３と上側ケー
ス８の開口２０、２１との関係を示す平面図である。こ
の図４から明らかなように、平面的に見て開口２０、２
１を介して導体層１１、１２、１３の少なくとも一部が
トリミング可能に露出するよう開口２０、２１の位置が
決定されている。また、上側ケース８の対の折り曲げ部
１６、１７は熱可塑性樹脂から成る接着剤層２２、２３
で下側ケース７に固着されている。本実施例のサーキュ
レータは開口２０、２１を有するので、電気的特性の測
定及びトリミングの前に下側ケース７に上側ケース８を
固着することができる。

【００１０】フェライト４は図６に示す円板状に形成さ
れており、図５に示すように基板６の貫通孔９の中に配
置されている。第１、第２及び第３の中心導体１、２、
３は図７に示すように円板状の連結部２４によって相互
に連結され、フェライト４に装着する前はＹ型に形成さ
れている。中心導体１、２、３をフェライト４に装着す
る時にはフェライト４の底面に連結部２４を配置し、フ
ェライト４を包むように第１、第２及び第３の中心導体
１、２、３を折り曲げ、フェライト４の上面側におい
て、１２０度間隔で第１、第２及び第３の中心導体１、
２、３を異なる方向に導出する。このため、第１、第２
及び第３の中心導体１、２、３はフェライト４の上面に
おいて互いに交差部分を有するのでこの交差する部分に
おける相互間に絶縁フィルム部材（図示せず）を配置
し、相互間を電気的に絶縁する。中心導体の連結部２４
は図５に示すように接地される下側ケース７の底面部２
５に半田（図示せず）で固着されている。第１、第２及
び第３の中心導体１、２、３は図３及び図１３に示すよ
うに基板６の上面の容量及び接続用導体層１１、１２、
１３に半田（図示せず）によって固着されている。

【００１１】多層基板６は、セラミックから成る誘電体
層１０と導体層とから成る。基板６の表面即ち誘電体層
１０の表面には、図９に示すように第１、第２及び第３
の容量及び接続用導体層１１、１２、１３とグランド端
子導体層２６、２７、２８とが設けられている。誘電体
層１０には第１及び第２のグランド導体層２９、３０が
設けられている。図１０は第１のグランド導体層２９の
平面バターンを示すものであり、図９の第１、第２及び
第３の容量及び接続用導体層１１、１２、１３に誘電体
層を介して対向する領域を有するように大面積に形成さ
れている。なお、第１のグランド導体層２９は外部接続
領域２９ａ、２９ｂ、２９ｃを有する。図１１は第２の
グランド導体層３０の平面バターンを図８のＣ−Ｃ方向
から見て示す。この第２のグランド導体層３０は図１０
と同様なパターンに形成され、外部接続領域３０ａ、３
０ｂ、３０ｃを有する。第２のグランド導体層３０は図
８及び図１２から明らかなようにその一部が誘電体層１
０に埋没され、残りが誘電体層１０の凹状下面に露出し
ている。即ち、誘電体層１０には、図２、図８及び図１
２に示すように帯状に延びる溝３１が形成されており、
この溝３１に第２のグランド導体層３０が露出してい
る。誘電体層１０の下面の一対の凸部即ち脚部には外部
接続導体層３２、３３、３４、３５、３６、３７が設け
られている。なお、誘電体層１０をグリ−ンシ−トの積
層で形成する時に、第２のグランド導体層３０の上下の
グリ−ンシ−トの固着を強固にするため、即ち脚部の固
着を強固にするために、第２のグランド導体層３０の面
積は第１のグランド導体層の面積よりも小さい。

【００１２】基板６の側面には、図９で鎖線で示し、図
１３で実線で示すように第１、第２及び第３の端子導体
層３８、３９、４０とグランド端子導体層４１、４２、
４３が設けられている。第１、第２及び第３の端子導体
層３８、３９、４０は基板６の表面側の第１、第２及び
第３の容量及び接続用導体層１１、１２、１３と裏面側
の外部接続導体層３２、３３、３４とを接続する。グラ
ンド端子導体層４１、４２、４３は基板６の表面のグラ
ンド導体層２６、２７、２８と第２のグランド導体層２
９の外部接続領域２９ａ、２９ｂ、２９ｃと第３のグラ
ンド導体層３０の外部接続領域３０ａ、３０ｂ、３０ｃ
とをそれぞれ接続する。

【００１３】多層基板６は周知のように導電性ペースト
を所定パターンに塗布したグリーンシートと、導電性ペ
ーストを塗布しないスペーサとしてのグリーンシートを
積層し、圧着し、焼成して得る。端子導体層３８〜４３
は導電性ペーストを塗布して焼付けることによって得
る。

【００１４】フェライト４に磁界を付与するための永久
磁石５は図５に示すように上側ケース８の下側に接着剤
（図示せず）で固着されている。この永久磁石５はフェ
ライト４に対して同軸的に配置され、フェライト４に対
向している。

【００１５】図１４は図２〜図１３のサ−キュレ−タの
等価回路を示す。図１４のポ−トＰ1 、Ｐ2 、Ｐ3 は図
１３の端子導体層３８、３９、４０に対応する、コンデ
ンサＣＯ1 、ＣＯ2 、ＣＯ3 は図３の容量及び接続用導
体層１１、１２、１３と第１のグランド導体層２９との
間の静電容量に対応する。インダクタンスＬＯ1 、ＬＯ
2 、ＬＯ3 は中心導体１、２、３に対応する。なお、図
１４で点線で示す抵抗Ｒは第２の実施例のアイソレ−タ
の終端抵抗を示す。

【００１６】この実施例のサーキュレータは、前述した
ように上側ケース８に開口２０、２１を有するので、こ
こを介して第１、第２及び第３の容量及び接続用導体層
１１、１２、１３をレ−ザビ−ム又は切削手段でトリミ
ングし、図１３に示すようにこれ等にトリミングによる
除去部４７、４８、４９を設けることによってグランド
との間の静電容量を調整する。従って上側ケース８を下
側ケース７に固着した完成状態で電気的特性を測定して
トリミングを行うことができ、トリミングが容易になる
のみでなく、トリミング後における特性の変動を防ぐこ
とができる。また、この実施例では下側ケース７に対し
て上側ケース８を半田で固着しないで樹脂から成る接着
剤で固着するので、実質的に非加熱固着が可能になり、
永久磁石５の特性の劣化を防ぐことができる。また、基
板６の下面に溝３１を設け、ここに下側ケース７を配置
するように形成し、外部接続導体層３２〜３７を下面の
凸部に配置したので、下側ケース７に妨害されることな
く、外部接続導体層３２〜３７の外部回路基板への表面
実装が可能になる。なお、上側ケース８に開口２０、２
１を設けることによって静電的又は電磁的影響が生じる
場合には、図５に示す静電及び／又は電磁シールド板５
０を開口２０、２１を覆うように上側ケース８の上面に
固着する。なお、シ−ルド板５０はケ−ス８及びこの内
部を機械的に保護するための保護シ−トとしての機能も
有する。従って、シ−ルドが不要の場合にはシ−ルド板
５０の代りに開口２０、２１を覆うように保護シ−トを
上側ケ−ス８に固着する。

【００１７】

【第２の実施例】次に、図１５及び図１６を参照して第
２の実施例のアイソレ−タを説明する。但し、図１５及
び図１６において図２〜図１４と実質的に同一部分には
同一の符号を付してその説明を省略する。この第２の実
施例のアイソレ−タは、抵抗層Ｒを有する他は図２〜図
１４と同一に構成されている。抵抗層Ｒは図１４で点線
で示す終端抵抗Ｒを得るためのものであって、誘電体層
１０の表面上に抵抗ペ−ストを塗布して焼付けることに
よって形成され、第３の容量及び接続導体層１３とグラ
ンド端子導体層２８とに接続され、また上側ケ−ス８の
開口２１からトリミングできるように配置されている。
第２の実施例において終端抵抗層Ｒの値が目的とする値
（５０Ω）からずれている時にはトリミングによって抵
抗層Ｒを削って抵抗値を調整する。容量及び接続用導体
層１１、１２、１３のトリミングも必要に応じて行う。
第２の実施例の終端抵抗Ｒのトリミングにおいても、第
１の実施例と同様な効果を得ることができる。

【００１８】

【第３の実施例】次に、図１７を参照して第３の実施例
のサーキュレータを説明する。但し、図１７において、
図２〜図１３と実質的に同一の部分には同一の符号を付
し、その説明を省略する。図１７のサーキュレータは、
第１、第２及び第３の中心導体１、２、３とフェライト
４との組立体の位置と永久磁石５の位置とを入れ替え、
永久磁石５を基板６の貫通孔９の中に配置し、第１、第
２及び第３の中心導体１、２、３とフェライト４との組
立体の上下を図２と逆にした他は図２〜図１３と同一に
構成したものである。永久磁石５はフェイト４よりも大
きな表面積を有するので、図２のように基板６の上に配
置すると、容量及び接続用導体層１１、１２、１３のト
リミング可能領域が永久磁石５で制限されるが、図１７
のように永久磁石５を配置すれば上述の制限が生じな
い。図１７において第１、第２、第３の中心導体１、
２、３の連結部２４はフェライト４の上面側に配置さ
れ、上側ケース８の下面に半田で固着される。第１、第
２及び第３の中心導体１、２、３は第１、第２及び第３
の容量及び接続用導体層１１、１２、１３に半田付けさ
れる。図１４の第３の実施例のサーキュレータは第１の
実施例と同一の作用効果を有する他に上述のトリミング
範囲の拡大効果を有する。

【００１９】

【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。（１）図１８に説明的に示す下側が接着面となってい
るシート部材５１を上側ケース８の上面に貼り付けると
共に、下側ケース７の一対の折り曲げ部１８、１９にも
貼り付けて上側ケース８と下側ケース７とを相互に固定
してもよい。なお、シート部材５１を使用する時には上
側ケース８の折り曲げ部１６、１７を省くことができ
る。（２）図１９に示すように下側ケース７に係合凹部５
２を設け、上側ケース８に係合凸部５３を設け、下側及
び上側ケース７、８を共に僅かに弾性変形可能な材料で
形成し、係合凹部５２と係合凸部５３の嵌合によって下
側ケース及び上側ケース７、８を相互に一体に結合する
ことができる。なお、上側ケース８に係合凹部を設け、
下側ケース７に係合凸部を設けることもできる。（３）図７には中心導体１、２、３が概略的に示され
ているが、破線で示すように切欠部５４をそれぞれに設
けること、及び先端を半円状にすること等の変形が可能
である。（４）図１７においても図１６と同様に終端抵抗層Ｒ
を設け、アイソレータとすることができる。なお、アイ
ソレ−タを構成するための終端抵抗Ｒをチップ抵抗とす
ることもできる。（５）下側ケ−ス７と上側ケ−ス８との接着を光硬化
性樹脂を使用して行うことができる。また、温度の問題
がない時には下側ケース７と上側ケース８を半田で結合
してもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のサーキュレータを概略的に示す分解斜視
図である。

【図２】第１の実施例のサーキュレータを概略的に示す
分解斜視図である。

【図３】第１の実施例のサーキュレータの上側ケースを
除いた部分の斜視図である。

【図４】第１の実施例のサーキュレータの平面図であ
る。

【図５】図４のＡ−Ａ線に相当する部分の断面図であ
る。

【図６】フェライトを示す平面図である。

【図７】フェライトに装着する前の中心導体を示す平面
図である。

【図８】図４のＡ−Ａ線に直交する方向における基板の
断面図である。

【図９】基板の平面図である。

【図１０】図８の基板のＢ−Ｂ線に相当する部分を示す
図である。

【図１１】図８の基板のＣ−Ｃ線に相当する部分を示す
図である。

【図１２】図８の基板の底面図である。

【図１３】基板の中心導体とフェライトとの組み合わせ
を示す平面図である。

【図１４】サ−キュレ−タの等価回路図である。

【図１５】第２の実施例のアイソレ−タを示す平面図で
ある。

【図１６】図１５のアイソレ−タの分解斜視図である。

【図１７】第３の実施例のサ−キュレ−タを示す分解斜
視図である。

【図１８】下側ケースと上側ケースとの結合構造の変形
例を示す斜視図である。

【図１９】下側ケースと上側ケースとの結合構造の別の
変形例を示す斜視図である。

【符号の説明】

１、２、３中心導体４フェライト５永久磁石６多層基板７、８ケース

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】整合用容量を得るための導体層を有する
誘電体基板と、互いに交差する部分を有するように配置
され且つ前記交差する部分において互いに絶縁された複
数の中心導体と、前記中心導体に対向配置された磁性体
と、前記磁性体に磁界を与えるための磁石と、前記基板
と前記中心導体と前記磁性体と前記磁石とを収容してい
る金属ケースとから成る非可逆回路素子において、前記整合用容量を得るための導体層をトリミングするた
めの開口が前記金属ケースに設けられていることを特徴
とする非可逆回路素子。
【請求項２】整合用容量を得るための導体層と終端用
抵抗層とを有する誘電体基板と、互いに交差する部分を
有するように配置され且つ前記交差する部分において互
いに絶縁された複数の中心導体と、前記中心導体に対向
配置された磁性体と、前記磁性体に磁界を与えるための
磁石と、前記基板と前記中心導体と前記磁性体と前記磁
石とを収容している金属ケースとから成る非可逆回路素
子において、前記整合用容量を得るための導体層と前記終端用抵抗層
との内の少なくとも一方をトリミングするための開口が
前記金属ケースに設けられていることを特徴とする非可
逆回路素子。
【請求項３】前記誘電体基板は中央に貫通孔を有し、
前記貫通孔に前記磁性体が挿入され、前記磁性体と前記
磁石の間に前記中心導体が配置されていることを特徴と
する請求項１又は２記載の非可逆回路素子。
【請求項４】前記誘電体基板は中央に貫通孔を有し、
前記貫通孔に前記磁石が挿入され、前記磁石と前記磁性
体との間に前記中心導体が配置されていることを特徴と
する請求項１又は２記載の非可逆回路素子。
【請求項５】更に、前記開口を覆うシールド体又は保
護シ−トを有し、このシールド体又は保護シ−トが前記
金属ケースに固着されていることを特徴とする請求項１
又は２又は３又は４記載の非可逆回路素子。
【請求項６】整合用容量を得るための導体層を有する
誘電体基板と、互いに交差する部分を有するように配置
され且つ前記交差する部分において互いに絶縁された複
数の中心導体と、前記中心導体に対向配置された磁性体
と、前記磁性体に磁界を与えるための磁石と、前記基板
と前記中心導体と前記磁性体と前記磁石とを収容してい
る金属ケースとから成る非可逆回路素子において、前記金属ケースは下側ケースと上側ケースとから成り、
前記下側ケースと前記上側ケースとが樹脂から成る接着
剤で固着されていることを特徴とする非可逆素子。
【請求項７】整合用容量を得るための導体層を有する
誘電体基板と、互いに交差する部分を有するように配置
され且つ前記交差する部分において互いに絶縁された複
数の中心導体と、前記中心導体に対向配置された磁性体
と、前記磁性体に磁界を与えるための磁石と、前記基板
と前記中心導体と前記磁性体と前記磁石とを収容してい
る金属ケースとから成る非可逆回路素子において、前記金属ケースは下側ケースと上側ケースとから成り、
前記下側ケースと前記上側ケースとが一方の面に接着層
を有するシート材によって相互に結合されていることを
特徴とする非可逆回路素子。
【請求項８】整合用容量を得るための導体層を有する
誘電体基板と、互いに交差する部分を有するように配置
され且つ前記交差する部分において互いに絶縁された複
数の中心導体と、前記中心導体に対向配置された磁性体
と、前記磁性体に磁界を与えるための磁石と、前記基板
と前記中心導体と前記磁性体と前記磁石とを収容してい
る金属ケースとから成る非可逆回路素子において、前記金属ケースは下側ケースと上側ケースとから成り、
前記下側又は上側ケースに係合凹部が設けられ、前記上
側又は下側ケースに係合凸部が設けられており、前記係
合凹部と前記係合凸部との嵌合によって前記下側ケース
と前記上側ケースとが結合されていることを特徴とする
非可逆回路素子。