JPS6016086Y2 - 広帯域集中定数形サ−キュレ−タ - Google Patents

広帯域集中定数形サ−キュレ−タ

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JPS6016086Y2
JPS6016086Y2 JP7176179U JP7176179U JPS6016086Y2 JP S6016086 Y2 JPS6016086 Y2 JP S6016086Y2 JP 7176179 U JP7176179 U JP 7176179U JP 7176179 U JP7176179 U JP 7176179U JP S6016086 Y2 JPS6016086 Y2 JP S6016086Y2
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JP
Japan
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electrode
shield case
capacitor
center conductor
film
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JP7176179U
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孝 岩田
喜一 中村
忠雄 藤井
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ティーディーケイ株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、広帯域化を図った構造を有する広帯域集中定
数形サーキュレータに関する。
従来より、第1図に示す如く、中心導体1を戊すストリ
ップラインの一端及びフェライト2を覆つシールドケー
ス3と、接地との間にコイル4及び容量5の直列回路を
挿入することにより広帯域化を図ったサーキュレータは
知られている。
ところで、近年マイクロ波機器の小型化に伴い、サーキ
ュレータの小型化が要求されるようになってきている。
従って、入出力端子6とシールドケース3との間の周波
数調整用容量7、コイル4及び容量5等として通常の素
子を用いたのでは全体的な形状が大型となるため、これ
らの部分の小型化が問題になっている。
本考案は、上記の点に鑑み、第1の絶縁基板上に中心導
体としてのストリップラインを形威し、第2の絶縁基板
上に広帯域化のためのコイル膜及び容量を形成する構造
として、小型で量産性に優れた広帯域集中定数形サーキ
ュレータを提供しようとするものである。
以下、本考案に係る広帯域集中定数形サーキュレータの
実施例を図面に従って説明する。
第2図乃至第5図は本考案の第1実施例であってサーキ
ュレータを構成した場合を示す。
これらの図において、中心導体基板IAは、絶縁基板1
0の片面にストリップライン11を厚膜技術で形成した
ものである。
この中心導体基板IAの上下にはフェライト2が配設さ
れ、さらにシールドケース3Aがフェライト2を覆うよ
うに取付けられる。
シールドケース3Aの底面には絶縁基板12上に広帯域
化用のコイル13及び容量14を形成した広帯域化回路
基板15が重ねられ、これらはヨーク兼用ケース16内
に収容され、永久磁石17により直流磁界を受けるよう
になっている。
さて、中心導体基板IAにおいて、第4図に示す如く、
アルミナ等の絶縁基板10には、予めシールドケース3
Aの取付用スリット19が該基板を貫通するように形成
されており、その絶縁基板10の片面にはまずストリッ
プライン11を2分割した形状の導体膜20Aが金、銀
等の金属ペーストをスクリーン印刷し焼付けることによ
り形成される。
次に、前記導体膜20Aの先端部21Aに対応する位置
に接続穴22を有する絶縁体膜23が、ガラス等の誘電
体ペーストをスクリーン印刷し焼付けることにより前記
導体膜20A上に形成される。
それから、ストリップライン11の残り半分であって周
波数調整用の容量電極24を一体に有する導体膜20B
が金属ペーストのスクリーン印刷及び焼付で前記絶縁基
板10及び絶縁体膜23上に形成される。
ここで、絶縁体膜23は導体膜20Aの周辺端部を除く
部分を覆うような円形を威しており、絶縁体膜23の接
続穴22の部分には導体膜20Aの先端部21Aが露出
しているから、導体膜20Bの形成時に導体膜20Aの
先端部21Aと導体膜20Bの先端部21Bとは接合さ
れ、夫々容量電極24を端部に有するストリップライン
11を構成する。
また、絶縁基板10の他の面には、フェライト2の位置
する部分を除き全面にアース電極25が金属ペーストの
スクリーン印刷及び焼付けで形成される。
このようにして、中心導体としての3組のストリップラ
イン11を有する中心導体基板IAが完威し、各ストリ
ップライン11の容量電極24側端は夫々入出力端子2
6として引出され、他端はシールドケース3Aを取付け
るための取付用スリット19に沿接している。
上記中心導体基板IAの上下には、これを挾むように円
板状フェライト2が夫々配置される。
シールドケース3Aは、前記スリット19に嵌合する取
付脚27を一体に有しており、上下のシールドケース3
Aはフェライト2を覆いかつ保持した状態で中心導体基
板IAの取付用スリット19に挿入固定され、はんだ付
は等でストリップライン11の接地側端部に接続される
一方、ストリップライン11の容量電極24とアース電
極25との間で周波数調整用の容量が形成される。
前記広帯域化回路基板15において、シールドケース3
Aの対向部分に該シールドケース3Aよ−りもやや小径
の透孔30を形成したアルミナ等の絶縁基板12上には
、端縁に沿ったアース用端子電極31が金、銀等の金属
ペーストのスクリーン印刷及び焼付による導体膜で形成
され、その上に第5図の如く絶縁体膜32がガラス等の
誘電体べ1−ストをスクリーン印刷し焼付けることによ
り形成される。
そして、前記絶縁体膜32上には容量電極33が、絶縁
基板12上の透孔30周縁に沿った部分に接続用電極3
4が、容量電極33と接続用電極34とを結ぶようにコ
イル13が夫々同時に金属ペーストのスクリーン印刷及
び焼付による導体膜で形成される。
この結果、容量電極33とアース用端子電極31との間
に容量14が形成され、接続用電極34とアース用端子
電極31との間にコイル13及び容量14の直列接続か
らなる広帯域化回路基板が構成されることになる。
このような広帯域化回路基板15は、シールドケース3
Aの底面に重ねられかつシールドケース3Aに接続用電
極34の部分にてはんだ付けされ、さらに、これらはヨ
ーク兼用ケース16に収容され、前記アース用端子電極
31の部分にてヨーク兼用ケース16にはんだ付けされ
て接地される。
上記第1実施例によれば、次のような効果を上げること
ができる。
(1)中心導体を威すストリップライン11の接地側端
部及びシールドケース3Aと、接地レベルに置かれるヨ
ーク兼用ケース16との間に、コイル13及び容量14
を形成した広帯域化回路基板15を介在させているので
、サーキュレータの広帯域化及び小型化とくに薄型化を
容易に実現でき、あわせて組み立て容易として量産性を
良好とすることができる。
(2)絶縁基板12の中央部にフェライト2と同程度の
透孔30を形成したので、シールドケース3Aとヨーク
兼用ケース16との間の浮遊容量を小さくでき、この浮
遊容量の存在による特性の劣化を防止できる。
(3)絶縁体膜32が薄いから、容量14を構成するた
めの容量電極33の面積が小さくてよい。
従って、広帯域化回路基板15のスペースを節約できる
(4)膜作成技術で導体膜20A、20B及び絶縁体膜
23を絶縁基板10片面に形成しており、絶縁体膜23
が薄いから絶縁体膜23の接続穴22を介しての導体膜
20A、20Bの接続が容易である。
従ってストリップラインの形成が簡単にでき量産性の優
れたサーキュレータを得ることができる。
(5)誘電体である絶縁基板10の片面のストリップラ
イン11端部に一体に形成された周波数調整用の容量電
極24と、絶縁基板の他の面のアース電極25との間に
、周波数調整用の容量を形成できる。
このため、周波数調整用のコンデンサを入出力端子26
と接地間とに外付けしなくともよく、小型化が可能であ
り、量産した場合、同一特性が得やすい。
第6図及び第7図は本考案の第2実施例であってサーキ
ュレータを構成した場合を示す。
この図において、広帯域化回路基板15Aは、透孔30
を形成した絶縁基板12の一方の面に接続用電極34、
容量電極40及び両者を結ぶコイル13を高温メタライ
ズ法で形成し、他の面に前記容量電極40と対向するア
ース電極41を同様に高温メタライズ法にて設けた構成
である。
この場合、容量14は容量電極40とアース電極41と
の間に形成され、接続用電極34とアース電極41との
間にコイル13及び容量14の直列接続から成る広帯域
化回路が構成されることになる。
このような広帯域化回路基板15Aは、フェライト2を
覆って中心導体基板1Aに取付は保持するシールドケー
ス3Aの底面に重ねられかつシールドケース3Aに接続
用電極34の部分にてはんだ付けされ、前記アース電極
41の部分にてヨーク兼用ケース16にはんだ付けされ
接地される。
なお、その他の構成は前述の第1実施例と同様である。
上記第2実施例によれば、絶縁基板12の厚みを利用し
て広帯域化用の容量14を形成できるので特別にアース
を取らなくてもよく、また高温メタライズ法で各電極3
4,40.41等を形成できるのではんだ付けに対して
信頼性を良好にできる利点がある。
第8図は本考案の第3実施例であってサーキュレータの
一端を終端してアイソレータを構成した場合を示す。
この図において、中心導体基板IBのストリップライン
11の容量電極24側と隣りのストリップライン11の
接地側端部との間に、終端器としての終端用抵抗膜50
が抵抗ペーストをスクリーン印刷し焼付けることにより
形成されている。
なお、その他の構成は前述の第1実施例と同じである。
この第3実施例によれば、アイソレータの小型化、広帯
域化、組立作業の簡略化が可能であり、量産性の改善が
可能である。
なお、上記各実施例では広帯域化回路基板15.15A
に1つのコイル13の導体膜を形成したが、2つ又は3
つのコイルを各入出力端子よりみて対称に形成しかつ夫
々のコイルに容量が直列に入るようにすれば、夫々の入
出力端子の特性のばらつきを小さくすることができる。
叙上のように、本考案によれば、中心導体基板上に中心
導体としてのストリップラインを形成し、広帯域化回路
基板上に広帯域化のためのコイル膜及び容量電極を膜作
成技術で形成して両基板を組み合わせた構造としたので
、特別な配線が不要で組み立て容易であり、しかも小型
(薄型)で量産性に優れた広帯域集中定数形サーキュレ
ータを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は基本的な広帯域サーキュレータを示す等価回路
図、第2図は本考案に係る広帯域集中定数形サーキュレ
ータの第1実施例を示す正断面図、第3図は要部を示す
分解斜視図、第4図は中心導体基板の構成を示す分解斜
視図、第5図は広帯域化回路基板の要部を示す分解斜視
図、第6図は本考案の第2実施例を示す分解斜視図、第
7図は広帯域化回路基板の底面を示す斜視図、第8図は
本考案の第3実施例を示す分解斜視図である。 1・・・・・・中心導体、IA、IB・・・・・・中心
導体基板、2・・・・・・フェライト、3.3A・・・
・・・シールドケース、10.12・・・・・・絶縁基
板、13・・・・・・コイル、14・・・・・・容量、
15,15A・・・・・・広帯域化回路基板、16・・
・・・・ヨーク兼用ケース、17・・・・・・永久磁石
、2OA、20B・・・・・・導体膜、23.32・・
・・・・絶縁体膜、24. 33.40・・・・・・容
量電極、25.41・・・・・・アース電極、30・・
・・・・透孔、31・・・・・・アース用端子電極、3
4・・・・・・接続用電極、50・・・・・・終端用抵
抗膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 中心導体としての相互に交差するストリップラインが設
    けられた中心導体基板と、該中心導体基板を挾む如く配
    設されるフェライト2と、該フェライトを覆うシールド
    ケース3Aと、永久磁石17が内側に配置されていて前
    記中心導体基板及びフェライトを囲むヨーク兼用ケース
    16と、前記一方のシールドケース対同部分に透孔30
    を有する絶縁基板12上に、該透孔の周縁部分の接続用
    電極34と容量電極33.40と両電極を結ぶコイル1
    3と前記容量電極に対向して容量を構成するアース電極
    31.41とを導体膜で形威した広帯域化回路基板15
    ,15Aとを備え、該広帯域化回路基板15.15Aは
    前記一方のシールドケースに重ね合わされて前記接続用
    電極34で前記シールドケースに接続されるとともに、
    前記ヨーク兼用ケース内面に固定されることを特徴とす
    る広帯域集中定数形サーキュレータ。
JP7176179U 1979-05-30 1979-05-30 広帯域集中定数形サ−キュレ−タ Expired JPS6016086Y2 (ja)

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JPS55173608U JPS55173608U (ja) 1980-12-12
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