JPS6012322Y2 - 集中定数形アイソレ−タ - Google Patents

集中定数形アイソレ−タ

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JPS6012322Y2
JPS6012322Y2 JP6687279U JP6687279U JPS6012322Y2 JP S6012322 Y2 JPS6012322 Y2 JP S6012322Y2 JP 6687279 U JP6687279 U JP 6687279U JP 6687279 U JP6687279 U JP 6687279U JP S6012322 Y2 JPS6012322 Y2 JP S6012322Y2
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JP
Japan
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film
conductor
insulating substrate
strip line
lumped
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Expired
Application number
JP6687279U
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English (en)
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JPS55168204U (ja
Inventor
孝 岩田
喜一 中村
忠雄 藤井
Original Assignee
ティーディーケイ株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、絶縁基板上に中心導体及び終端用抵抗膜を膜
作成技術で形威した集中定数形のアイソレークに関する
マイクロ波帯で非可逆回路素子として動作するアイソレ
ータには導波管形及び同軸形のものがあり、同軸形アイ
ソレータとしては分布定数形及び集中定数形の2種があ
る。
普通分布定数形アイソレータはマイクロ波帯でも高い周
波数領域で、集中定数形アイソレータは低い周波数領域
で夫々区別して用いられる。
第1図は一般的な集中定数形のアイソレータの概略構成
を示す。
この図において、アイソレータは、ストリップラインを
組合せた中心導体1を2枚のフェライト2で挾み、さら
にフェライト2の外側をシールドケース3で包み込み、
該シールドケース3の上下に永久磁石4を設けたサーキ
ュレータの構成を有しており、該サーキュレータの一端
子を無反射終端器5で終端した構成である。
ここで、中心導体1は第2図に示すように接合インダク
タとしての3組のストリップライン6を組合せたもので
ある。
通常、各ストリップライン6は金属板でフォーク形に形
威し、絶縁体で絶縁を施した後、相互に網状に交叉する
ように組合される。
そして、2組のストリップライン6の一端は入出力端子
7に結ばれ、他端はシールドケース3に接地され、また
入出力端子7側とシールドケース3との間に周波数調整
用コンデンサ8が設けられ、さらに1つのストリップラ
イン6の一端は無反射終端器5を介してシールドケース
3に接地される。
ところで、近年マイクロ波機器の小型化に伴い、集中定
数形アイソレータの小型化が要求されるようになってき
ている。
しかしながら、第2図の如く金属板でストリップライン
6を作る構造であると、中心導体1の製造を手作業で行
わなければならず、また無反射終端器5を外付けしなけ
ればならないので量産性が悪く、小型化も困難である。
そのため、絶縁板に厚膜又は薄膜技術でストリップライ
ンのパターンを形成することが考慮されているが、各ス
トリップラインの交叉部分の絶縁が問題になる。
従来、その問題を解決するものとして第3図に示す如き
構成あるいは本出願人による特公昭48−33344号
の樹皮が提案されている。
この図において、絶縁基板10の上下面には夫々ストリ
ップライン6Aを2分割した導体膜11A、IIBがエ
ツチング等で形成され、各導体膜11A、IIBの組は
スルーホール12により電気的に接続されて1つのスト
リップライン6Aが樹皮されるようになっている。
この場合、各ストリップライン6A間の絶縁は絶縁基板
10で行なわれることになる。
しかし、上記第3図の構成では、スルーホール12が必
要不可欠であり、ある程度以上の厚さの絶縁基板10の
場合、そのスルーホール12の形成を蒸着、めっき等を
利用して行わねばならず量産性が悪く、絶縁基板10の
両面を使用しなければならないので基板面を他の素子の
形成に利用しにくい不都合がある。
本考案は、上記の不都合を解消し、膜作成技術等を用い
て絶縁基板の片面上に多層のストリップラインを形成す
ると同時に絶縁基板に終端用抵抗膜を形成することによ
り、量産性に優れ、小型化を図ることが可能な集中定数
形アイソレータを提供しようとするものである。
以下、本考案に係る集中定数形アイソレータの実施例を
図面に従って説明する。
第4図乃至第6図において、アルミナ等の絶縁基板20
には予めシールドケース取付穴21が設けられており、
その絶縁基板20の片面にはまず一対の導電線路を両端
で短絡した構成となるべきストリップラインを2分割し
た形状の第1の導体膜22Aが金、銀等のペーストをス
クリーン印刷し焼付けることにより形成される。
次に、前記第1の導体膜22Aの先端部に対応する位置
に接続穴23を有する絶縁体膜24がガラス等の誘電体
ペーストをスクリーン印刷し焼付けることにより前記第
1の導体膜22A上に形成される。
それから、ストリップラインの残り半分であって周波数
調整用の容量電極25を一体に有する第2の導体膜22
Bが金属ペーストのスクリーン印刷及び炉材で前記絶縁
基板20及び絶縁体膜24上に形成される。
ここで、絶縁体膜24の接続穴23のm・分には第1の
導体膜22Aの先端が露出しているから、第2の導体膜
22Bの形成時に両溝体膜22A、22Bは接合され、
夫々容量電極25を端部に有するストリップライン6B
を構成する。
そして、1つのストリップライン6Bの非接地側端部と
隣りのストリップラインの接地側端部との間に抵抗ペー
ストをスクリーン印刷し焼付けた終端用抵抗膜26が形
成される。
また、絶縁基板20の他の面には、フェライトの位置す
る部分を除き全面にアース電極27が金属ペーストのス
クリーン印刷及び焼付けて形成される。
このようにして、中心導体部IAが完威し、ストリップ
ライン6Bの非接地側端部は終端用抵抗膜26を設けた
ところを除き夫々入出力端子28に引出され、他端部は
シールドケースに接地され、アース電極27もシールド
ケースに接地される。
この場合、シールドケース取付穴21がストリップライ
ン6Bの接地側に沿って設けられており1、そのシール
ドケース取付穴21にシールドケースを嵌め込むことに
より、ストリップライン6Bとアース電極27との接続
が容易に行える。
なお、その他の構造は、第1図と同様の構造を採用可能
である。
上記実施例によれば、次のような効果を上げることがで
きる。
1 厚膜技術で導体膜22A、22B及び絶縁体膜24
を絶縁基板20の片面上に多層に形成しており、絶縁体
膜24が薄いから絶縁体膜24の接続穴23を介しての
導体膜22A、22Bの接続が容易であって、量産性が
良I、)。
2 絶縁基板20上に無反射終端器としての終端用抵抗
膜26を形成したので、無反射終端器を外付けしなくと
もよく、小型化を図ることができる。
3 誘電体である絶縁基板の片面のストリップライン6
Bの端部に一体に形成された周波数調整用の容量電極2
5と、絶縁基板の他の面のアース電極27との間に、周
波数調整用の容量を形成できる。
このため、周波数調整用のコンデンサを入出力端子28
と接地間とに外付けしなくともよく、小型化が可能であ
り、量産した場合、同一特性が得やすい。
4 絶縁基板20にスルーホール用の穴を加工しなくと
もよいので絶縁基板20の加工に伴う破損がなく、妻止
りが良く、スルーホール部分で導体膜相互の接続不良が
起こることがなく、信頼性が高い。
5 絶縁基板20としてアルミナ等の誘電率が高く、熱
伝導性、絶縁性、温度特性に秀れた材料を使用できるの
で、安定な性能が得られる。
なお、上記実施例では、導体膜を厚膜技術で構成した場
合を1例として示したが、薄膜技術で構成してもよい。
成上のように、本考案によれば、膜作成技術等を用いて
絶縁基板の片面にストリップラインを形成すると同時に
絶縁基板に終端用抵抗膜を形成することにより、従来の
金属板を組み合せるものや、従来の第3図のスルーホー
ルによるものに比し、量産性に優れ、小型化が可能な集
中定数形アイソレータを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は一般的な集中定数形のアイソレータの概略構成
図、第2図は従来の中心導体としてのストリップライン
の構成を示す平面図、第3図は従来の基板両面を用いた
ストリップラインの構成を示す斜視図、第4図は本考案
に係る集中定数形アイソレータの実施例の要部であって
ストリップライン及び終端用抵抗膜の構成を示す平面図
、第5図は同底面図、第6図は同分解斜視図である。 1・・・・・・中心導体、IA・・・・・・中心導体部
、2・・・・・・フェライト、3・・・・・・シールド
ケース、4・・・・・・永久磁石、5・・・・・・無反
射終端器、6. 6A、 6B・・・・・・ストリッ
プライン、7,28・・・・・・入出力端子、10.2
0・・・・・・絶縁基板、IIA、IIB、22A、2
2B・・・・・・導体膜、23・・・・・・接続穴、2
4・・・・・・絶縁体膜、25・・・・・・容量電極、
26・・・・・・終端用抵抗膜、27・・・・・・アー
ス電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一対の導電線路を両端で短絡してなるストリップライン
    を3個相互に交差させかつそのうちの1個のストリップ
    ラインの一端を終端素子を介して接地した中心導体部を
    有する集中定数形アイソレータにおいて、各ストリップ
    ラインを一対の導電線路部分で2分割し、各々のストリ
    ップラインを分割した一方を第1の導体膜22Aで絶縁
    基板20上に形威し、該第1の導体膜先端に対応する位
    置に接続穴23を有する絶縁体膜24を少なくとも前記
    第1の導体膜上に形威し、前記各ストリップラインを分
    割した残りの部分を第2の導体膜22Bで前記絶縁体膜
    24上又は絶縁体膜24及び絶縁基板20上に形威し、
    前記接続穴23を介して第1及び第2の導体膜22A、
    22Bを接続するとともに、前記1個のストリップライ
    ンの一端となる前記第1又は第2の導体膜端部を前記絶
    縁基板20上に形威した前記終端素子としての抵抗膜2
    6を介して接地して前記中心導体部を構成したことを特
    徴とする集中定数形アイソレータ。
JP6687279U 1979-05-21 1979-05-21 集中定数形アイソレ−タ Expired JPS6012322Y2 (ja)

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JPS55168204U JPS55168204U (ja) 1980-12-03
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JP6687279U Expired JPS6012322Y2 (ja) 1979-05-21 1979-05-21 集中定数形アイソレ−タ

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KR100269588B1 (ko) * 1997-12-30 2000-10-16 김덕용 마이크로웨이브 서큘레이터

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JPS55168204U (ja) 1980-12-03

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