JP2002330003A - 非可逆回路素子、通信装置および非可逆回路素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 全温度での電気特性が優れている非可逆回路
素子、通信装置および非可逆回路素子の製造方法を提供
する。 【解決手段】 上側ケース８及び下側ケース４と、中心
電極組立体１３と、永久磁石９等にて組み立てられたア
イソレータ１の電気特性を磁化調整法により調整する。
すなわち、強い外部磁界をアイソレータ１に印加して、
アイソレータ１に内蔵されている永久磁石９を着磁させ
る。この後、着磁とは逆方向に弱い外部磁界をアイソレ
ータ１に印加して、永久磁石９を減磁する。そして、常
温（約２５℃）でアイソレータ１の電気特性（入出力反
射損失、挿入損失、アイソレーションの少なくとも一
つ）を測定し、通過周波数帯域の低周波端と高周波端の
合否判定基準値内であるかどうか確認する。合否判定基
準値から外れていれば、減磁方向に先程よりも若干強い
外部磁界を印加して永久磁石９をさらに減磁する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非可逆回路素子、
通信装置および非可逆回路素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】組立て後の非可逆回路素子の電気特性を
調整する方法として、外部から磁界をかけて永久磁石の
磁化を調整する方法（以下、磁化調整法）と、整合用コ
ンデンサの電極をレーザビーム等でトリミングして整合
用コンデンサの静電容量を調整する方法（以下、容量調
整法）とが知られている。

【０００３】磁化調整法は、強い外部磁界を非可逆回路
素子に印加して、非可逆回路素子に内蔵されている永久
磁石を磁化飽和（着磁）させる。この後、着磁とは逆方
向に弱い外部磁界を非可逆回路素子に印加して、永久磁
石を減磁する。そして、非可逆回路素子の電気特性（挿
入損失、アイソレーション、入出力反射損失）を測定
し、所望の特性値が得られているかどうかを確認する。
所望の特性値が得られていなければ、減磁方向に先程よ
りも若干強い外部磁界を印加して永久磁石をさらに減磁
する。

【０００４】こうして、徐々に外部磁界を強くして永久
磁石を徐々に減磁することにより、非可逆回路素子の電
気特性を調整する。従って、図１３〜図１５に示すよう
に、非可逆回路素子の共振周波数は高周波側から低周波
側にシフトする。図１３〜図１５において、実線１５０
は永久磁石が磁化飽和状態のときを表示しており、一点
鎖線１５１は弱い減磁状態のときを表示しており、点線
１５２は強い減磁状態のときを表示している。なお、減
磁をやり過ぎて調整が失敗した場合には、再度、永久磁
石を磁化飽和させて磁化調整することが可能である。

【０００５】また、容量調整法は、所望の静電容量より
若干大きい容量を有する整合用コンデンサを予め非可逆
回路素子に組み込んでおき、グラインダやレーザトリマ
等を用いて整合用コンデンサの電極を削ってトリミング
する。そして、非可逆回路素子の電気特性を測定し、所
望の特性値が得られているかどうかを確認する。所望の
特性値が得られていなければ、整合用コンデンサの電極
をさらに削る。

【０００６】こうして、整合用コンデンサの電極を徐々
に削ることにより、非可逆回路素子の電気特性を調整す
る。従って、図１６〜図１８に示すように、非可逆回路
素子の共振周波数は低周波側から高周波側にシフトす
る。図１６〜図１８において、実線１５５は整合用コン
デンサの電極をトリミングする前の状態のときを表示し
ており、一点鎖線１５６はトリミング量が少ない状態の
ときを表示しており、点線１５７はトリミング量が多い
状態のときを表示している。なお、削り過ぎて調整を失
敗した場合には、再調整はできない。

【０００７】例えば、非可逆回路素子の通過周波数帯域
を２０００±４０ＭＨｚとすると、通過周波数帯域内に
おいて一定の基準値（合否判定基準値）が設定される。
そして、非可逆回路素子の電気特性を測定しながら、永
久磁石を減磁したり、あるいは、整合用コンデンサの電
極を削ったりして電気特性を調整する。この調整は、常
温（約２５℃）の環境下で行われる。

【０００８】このようにして調整された従来の非可逆回
路素子の入出力反射損失、挿入損失およびアイソレーシ
ョンのそれぞれの常温（２５℃）での温度特性を図１
９、図２０および図２１に示す（実線１６０参照）。こ
の従来例は、常温で通過周波数帯域（１９６０〜２０４
０ＭＨｚ）において、（入出力反射損失）≧２４．５ｄ
Ｂ、（挿入損失）≦０．３５ｄＢ、（アイソレーショ
ン）≧１８．０ｄＢの合否判定基準値に合格するように
調整されたものである。表１は、図１９〜図２１に基づ
いて、非可逆回路素子の常温での通過周波数帯域の各電
気特性をまとめたものである。

【０００９】

【表１】

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところが、非可逆回路
素子は、中心電極組立体のフェライトの飽和磁化の温度
特性が非線形性を有し、また、永久磁石からの直流磁界
の温度特性が非線形性を有している。従って、通常、高
温（約８５℃）側の環境下での電気特性の変化量と、低
温（約−３５℃）側の環境下での電気特性の変化量とが
異なる。図１９、図２０および図２１に、入出力反射損
失、挿入損失およびアイソレーションのそれぞれの高温
（約８５℃）での特性を点線で示し、低温（約−３５
℃）での特性を一点鎖線で示す。

【００１１】従って、表１の下段に示すように、常温で
の電気特性と全温度での電気特性との間の差が大きくな
るという問題があった。特に、コンデンサの温度特性で
非可逆回路素子の温度特性を調整する場合、整合用コン
デンサの温度特性を線形にすることが困難であるため、
高温側の電気特性の変化量と低温側の電気特性の変化量
の差が大きくなる傾向がある。

【００１２】そこで、本発明の目的は、全温度での電気
特性が優れている非可逆回路素子、通信装置および非可
逆回路素子の製造方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段及び作用】前記目的を達成
するため、本発明に係る非可逆回路素子は、永久磁石
と、前記永久磁石により直流磁界が印加される中心電極
組立体と、前記永久磁石および前記中心電極組立体を収
容する金属ケースと、前記中心電極組立体に電気的に接
続された整合用コンデンサとを備え、通過周波数帯域の
低周波端と高周波端でそれぞれ異なる合否判定基準値を
設定して、挿入損失、アイソレーションおよび入出力反
射損失の少なくともいずれか一つの電気特性を調整した
ことを特徴とする。

【００１４】また、本発明に係る非可逆回路素子の製造
方法は、永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印
加される中心電極組立体と、前記永久磁石および前記中
心電極組立体を収容する金属ケースと、前記中心電極組
立体に電気的に接続された整合用コンデンサとを組み付
ける工程と、通過周波数帯域の低周波端と高周波端でそ
れぞれ異なる合否判定基準値を設定して、挿入損失、ア
イソレーションおよび入出力反射損失の少なくともいず
れか一つの電気特性を調整する工程とを備えたことを特
徴とする。

【００１５】合否判定基準値は常温での電気特性と全温
度での電気特性とに基づいて設定され、電気特性の調整
は常温で行われる。電気特性の調整は、永久磁石の磁化
を調整することにより行われる。あるいは、電気特性の
調整は、整合用コンデンサの静電容量を調整することに
より行われる。

【００１６】非可逆回路素子の共振周波数の温度特性が
非線形の場合には、共振周波数よりも高い周波数と低い
周波数でその温度特性は大きく異なる。つまり、通過周
波数帯域の低周波側と高周波側で電気特性の変化量が異
なる。そこで、通過周波数帯域の低周波端と高周波端で
それぞれ異なる合否判定基準値を設定することにより、
全温度での電気特性が優れた非可逆回路素子が得られ
る。

【００１７】また、通過周波数帯域とは異なる周波数帯
域で合否判定基準値を設定して、挿入損失、アイソレー
ションおよび入出力反射損失の少なくともいずれか一つ
の電気特性を調整することを特徴とする。ここに、前記
周波数帯域は、通過周波数帯域を一部含むものであって
もよい。これにより、実質的に通過周波数帯域の低周波
端と高周波端で異なった合否判定基準値を設定すること
になり、全温度での電気特性が向上する。

【００１８】また、本発明に係る通信装置は、前述の特
徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、電気特
性を向上させることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る非可逆回路
素子、通信装置および非可逆回路素子の製造方法の実施
の形態について添付の図面を参照して説明する。なお、
各実施形態において、同一部品及び同一部分には同じ符
号を付し、重複した説明は省略する。

【００２０】［第１実施形態、図１〜図６］本発明に係
る非可逆回路素子の一実施形態の分解斜視図を図１に示
す。該非可逆回路素子１は、集中定数型アイソレータで
ある。そして、このアイソレータ１は、組立て後の電気
特性の調整を磁化調整法で行うものである。

【００２１】図１に示すように、集中定数型アイソレー
タ１は、概略、上側ケース８及び下側ケース４と、樹脂
ケース３と、中心電極組立体１３と、永久磁石９と、抵
抗素子Ｒと、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３と樹脂部
材７等を備えている。

【００２２】下側ケース４は、左右の側壁４ａと底壁４
ｂとを有している。この下側ケース４は、インサートモ
ールド法によって、樹脂ケース３と一体成形されてい
る。下側ケース４の底壁４ｂの対向する一対の辺から
は、それぞれ２本のアース端子１６が延在している（奥
側の２本のアース端子は図示せず）。また、上側ケース
８は、平面視矩形状であり、上壁８ａと左右の側壁８ｂ
を有している。下側ケース４及び上側ケース８は、例え
ばＦｅやケイ素鋼などの高透磁率からなる板材を打ち抜
き、曲げ加工した後、下地にＣｕをめっきして、その上
からＡｇをめっきしてなるものである。

【００２３】中心電極組立体１３は、矩形状のマイクロ
波フェライト２０の上面に三つの中心電極２１〜２３を
絶縁シート（図示せず）を介在させて略１２０度ごとに
交差するように配置している。これら中心電極２１〜２
３は、各々の一端側のポート部Ｐ１〜Ｐ３を水平に導出
するとともに、他端側の中心電極２１〜２３の共通のア
ース電極２５をフェライト２０の下面に当接させてい
る。共通のアース電極２５は、フェライト２０の下面を
略覆っており、後述する樹脂ケース３の窓部３ｃを通し
て、下側ケース４の底壁４ｂにはんだ付け等の方法によ
り接続され、接地される。中心電極２１〜２３とアース
電極２５は、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｂｅ等の導電性
材料からなり、金属薄板を打ち抜き加工や、エッチング
加工することによって一体に形成される。

【００２４】整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３は、誘電
体セラミック基板の上面に位置するホット側電極２７が
ポート部Ｐ１〜Ｐ３に電気的に接続され、下面に位置す
るコールド側（アース側）電極２８が樹脂ケース３の窓
部３ｄに露出している下側ケース４の底壁４ｂにそれぞ
れはんだ付けされている。

【００２５】抵抗素子Ｒは、一方の端子電極は樹脂ケー
ス３の窓部３ｄに露出している下側ケース４の底壁４ｂ
にはんだ付けされ、他方の端子電極はポート部Ｐ３には
んだ付けされる。つまり、図３に示すように、整合用コ
ンデンサ素子Ｃ３と抵抗素子Ｒとは、中心電極２３のポ
ート部Ｐ３とアース端子１６との間に電気的に並列に接
続される。

【００２６】図１に示すように、樹脂ケース３は、底部
３ａと二つの側部３ｂを有している。この底部３ａの中
央部には矩形状の窓部３ｃが形成されており、窓部３ｃ
の周縁にはそれぞれ整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３や
抵抗素子Ｒがそれぞれ収納される窓部３ｄが形成されて
いる。窓部３ｃ，３ｄには下側ケース４の底壁４ｂが露
出している。樹脂ケース３には、入力端子１４（図３参
照）及び出力端子１５がインサートモールドされてい
る。入力端子１４及び出力端子１５は、それぞれ一端が
樹脂ケース３の外側面に露出し、他端が樹脂ケース３の
底部３ａに露出して入力引出電極及び出力引出電極とさ
れている。アース端子１６はそれぞれ、樹脂ケース３の
対向する外側面から外方向へ導出している。

【００２７】以上の構成部品は、下側ケース４と一体成
形している樹脂ケース３内に、中心電極組立体１３や整
合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３や抵抗素子Ｒ等を収容
し、さらに、その上に樹脂部材７及び永久磁石９を積み
重ねた後、上側ケース８を装着している。永久磁石９は
中心電極組立体１３に直流磁界を印加する。下側ケース
４と上側ケース８は、はんだ付け等にて接合して金属ケ
ースをなし、磁気回路を構成しており、ヨークとしても
機能している。こうして、図２に示す集中定数型アイソ
レータ１が得られる。また、図３は、集中定数型アイソ
レータ１の電気等価回路図である。

【００２８】なお、本第１実施形態では、永久磁石９と
して、残留磁束密度の温度係数が−１８００ｐｐｍ／℃
（−３５℃〜＋８５℃）のものを使用している。そし
て、フェライト２０として、飽和磁化の温度係数が−２
５００ｐｐｍ／℃（−３５℃〜＋８５℃）のものを使用
している。また、整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３として、
静電容量の温度係数が低温側と高温側とで大きく異な
り、５００ｐｐｍ／℃（−３５℃〜＋２５℃）と１００
ｐｐｍ／℃（＋２５℃〜＋８５℃）のものを使用してい
る。

【００２９】こうして組み立てられたアイソレータ１の
電気特性を磁化調整法により調整する。すなわち、強い
外部磁界をアイソレータ１に印加して、アイソレータ１
に内蔵されている永久磁石９を着磁させる。この後、着
磁とは逆方向に弱い外部磁界をアイソレータ１に印加し
て、永久磁石９を減磁する。そして、常温（約２５℃）
でアイソレータ１の電気特性（入出力反射損失、挿入損
失、アイソレーションの少なくとも一つ）を測定し、通
過周波数帯域の低周波端と高周波端の合否判定基準値内
であるかどうか確認する。合否判定基準値から外れてい
れば、減磁方向に先程よりも若干強い外部磁界を印加し
て永久磁石９をさらに減磁する。こうして徐々に外部磁
界を強くして永久磁石９を徐々に減磁することにより、
アイソレータ１の電気特性を調整する。

【００３０】ここで、常温での通過周波数帯域（１９６
０〜２０４０ＭＨｚ）の低周波端と高周波端の合否判定
基準値は、予めアイソレータ１の温度特性を測定し、常
温から全温度への劣化量から決める。

【００３１】図１９を参照して具体的に説明する。目標
とする全温度（−３５℃〜＋８５℃）の入出力反射損失
を２２．７ｄＢ以上とすると、共振周波数の低周波側で
全温度が下限の２２．７ｄＢになる周波数は１９６８Ｍ
Ｈｚである。そして、そのときの常温（２５℃）の入出
力反射損失は２６．０ｄＢである。従って、全温度の入
出力反射損失は、常温の入出力反射損失より３．３ｄＢ
劣化している。一方、共振周波数の高周波側で全温度が
下限の２２．７ｄＢになる周波数は２０５４ＭＨｚであ
る。そして、そのときの常温の入出力反射損失は２２．
７ｄＢである。従って、全温度の入出力反射損失は常温
の入出力反射損失と等しく、劣化量は０ｄＢである。

【００３２】こうして、例えば１０個のアイソレータ１
のそれぞれの温度特性を測定し、全温度の入出力反射損
失が常温の入出力反射損失に対してどれだけ劣化してい
るかを、共振周波数の低周波側と高周波側で求める。そ
して、１０個の低周波側と高周波側のそれぞれの劣化量
の最大値を全温度の目標値２２．７ｄＢに加算して合否
判定基準値を決める。

【００３３】例えば、低周波側での劣化量の最大値が
３．３ｄＢ、高周波側での劣化量の最大値が０ｄＢであ
ったとすると、常温での合否判定基準値は、通過周波数
帯域の低周波端（１９６０ＭＨｚ）で２２．７＋３．３
＝２６．０ｄＢ以上となり、高周波端（２０４０ＭＨ
ｚ）で２２．７＋０＝２２．７ｄＢ以上となる。なお、
劣化量の最大値の代わりに劣化量の平均値＋４σを用い
たり、劣化量に安全係数αを掛けてマージンをとっても
よい。

【００３４】このようにして、調整されたアイソレータ
１の入出力反射損失、挿入損失およびアイソレーション
のそれぞれの温度特性を図４、図５および図６に示す。
図４〜図６において、実線３１は常温（２５℃）での特
性を表示しており、一点鎖線３２は低温（−３５℃）で
の特性を表示しており、点線３３は高温（８５℃）での
特性を表示している。表２は、図４〜図６に基づいて通
過周波数帯域の各電気特性をまとめたものである。表２
の入出力反射損失の全温度は２２．７ｄＢであり、表１
の２１．５ｄＢと比較して１．２ｄＢ改善されている。

【００３５】

【表２】

【００３６】また、従来のアイソレータにおいて、常温
（２５℃）で入出力反射損失が２４．５ｄＢの周波数は
１９６０ＭＨｚと２０４４ＭＨｚであり、帯域幅は２０
４４−１９６０＝８４ＭＨｚである。これに対して、本
第１実施形態のアイソレータ１の場合は、共振周波数の
低周波側で２６．０ｄＢの周波数は１９６８ＭＨｚ、高
周波側で２２．７ｄＢの周波数は２０５４ＭＨｚであ
り、帯域幅は２０５４−１９６８＝８６ＭＨｚである。
従って、従来の、通過周波数帯域で（入出力反射損失）
≧２４．５ｄＢの合否判定基準値で調整したアイソレー
タの良品率と、本第１実施形態の、低周波端（１９６０
ＭＨｚ）で（入出力反射損失）≧２６．０ｄＢかつ高周
波端（２０４０ＭＨｚ）で（入出力反射損失）≧２２．
７ｄＢの合否判定基準値で調整したアイソレータ１の良
品率はほぼ等しくなる。

【００３７】以上のように、通過周波数帯域の低周波端
と高周波端でそれぞれ異なる合否判定基準値を設定する
ことにより、製品の良品率を変えないで全温度での電気
特性を向上させることができる。この温度特性の改善
は、共振周波数の低温側の温度特性と高温側の温度特性
の差が大きければ大きいほど効果が上がる。

【００３８】なお、本第１実施形態は永久磁石９を磁化
飽和させた後、徐々に減磁する減磁調整を行っている。
しかし、永久磁石９を磁化飽和させないで、徐々に外部
磁界を強くして磁化を調整する着磁調整も可能である。
ただし、減磁調整の方が着磁調整と比較して熱非可逆減
磁に強く、熱に対して電気特性が安定している。また、
永久磁石９を磁化飽和しない程度に着磁させた後、徐々
に減磁する減磁調整も可能である。ただし、永久磁石９
を一度磁化飽和させた方がフェライト２０に印加する磁
界の最大値を大きくできる。このため、永久磁石９を薄
くでき、アイソレータ１を小型化できる。

【００３９】あるいは、所望の着磁方向とは逆方向に永
久磁石９を磁化飽和させた後、前記飽和磁化と反対の方
向に、磁化飽和しない程度に強い外部磁界を永久磁石９
に印加する。これにより、永久磁石９の磁化を反転さ
せ、外部磁界を徐々に強くして磁化を調整する方法も可
能である。ただし、この方法も、基本的には着磁調整で
あるため、減磁調整の方が熱非可逆減磁に強く、熱に対
して電気特性が安定している。

【００４０】［第２実施形態、図７〜図１１］本発明に
係る非可逆回路素子のさらに別の実施形態の分解斜視図
を図７に示し、その外観斜視図を図８に示す。アイソレ
ータ４１は、前記第１実施形態のアイソレータ１におい
て、樹脂ケース３の二つの側部３ｂにそれぞれトリミン
グ用穴３ｅを設け、下側ケース４の一方の側壁４ａにト
リミング用穴４ｃを設け、樹脂部材７にトリミング用切
欠き７ａを設けたものと同様のものである。

【００４１】このアイソレータ４１は、組立て後の電気
特性の調整を容量調整法で行うものである。すなわち、
所望の静電容量より若干大きい容量を有する整合用コン
デンサＣ１〜Ｃ３を予めアイソレータ４１に組み込んで
おく。そして、グラインダやレーザトリマ等を用いて、
穴３ｅ，４ｃを通して整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３のホ
ット側電極２７を削ってトリミングする。

【００４２】次に、常温（２５℃）でアイソレータ４１
の電気特性（入出力反射損失、挿入損失、アイソレーシ
ョンの少なくとも一つ）を測定し、通過周波数帯域の低
周波端と高周波端の合否判定基準値内であるかどうか確
認する。合否判定基準値から外れていれば、ホット側電
極２７をさらに削る。

【００４３】こうして、徐々に整合用コンデンサＣ１〜
Ｃ３のホット側電極２７を削ることにより、アイソレー
タ４１の電気特性を調整する。通過周波数帯域（１９６
０〜２０４０ＭＨｚ）の低周波端と高周波端の合否判定
基準値は、前記第１実施形態と同様にして決める。

【００４４】このようにして、調整されたアイソレータ
４１の入出力反射損失、挿入損失およびアイソレーショ
ンのそれぞれの温度特性を図９、図１０および図１１に
示す。図９〜図１１において、実線５１は常温（２５
℃）での特性を表示しており、一点鎖線５２は低温（−
３５℃）での特性を表示しており、点線５３は高温（８
５℃）での特性を表示している。表３は、図９〜図１１
に基づいて通過周波数帯域の各電気特性をまとめたもの
である。表３の入出力反射損失の全温度は２３．０ｄＢ
であり、表１の２１．５ｄＢと比較して１．５ｄＢ改善
されている。

【００４５】

【表３】

【００４６】以上のように、通過周波数帯域の低周波端
と高周波端でそれぞれ異なる合否判定基準値を設定する
ことにより、製品の良品率を変えないで全温度での電気
特性を向上させることができる。

【００４７】［第３実施形態］第３実施形態のアイソレ
ータは、前記第１又は第２実施形態のアイソレータ１，
４１と同様の構造を有しているのでその詳細な説明は省
略する。

【００４８】図１９において、常温（２５℃）で入出力
反射損失は１９６０ＭＨｚで２４．５ｄＢ、１９６８Ｍ
Ｈｚで２６．０ｄＢ、２０４４ＭＨｚで２４．５ｄＢ、
２０５２ＭＨｚで２３．０ｄＢである。このような非可
逆回路素子の入出力反射損失の周波数特性はほぼ一定で
あるため、非可逆回路素子の共振周波数の低周波側で
は、２６．０ｄＢの周波数１９６８ＭＨｚよりも８ＭＨ
ｚ低い周波数（１９６０ＭＨｚ）で２４．５ｄＢにな
る。一方、共振周波数の高周波側では、２３．０ｄＢの
周波数２０５２ＭＨｚよりも８ＭＨｚ低い周波数（２０
４４ＭＨｚ）で２４．５ｄＢになる。

【００４９】このため、合否判定基準値の設定におい
て、通過周波数帯域の低周波端（１９６０ＭＨｚ）で入
出力反射損失が２６．０ｄＢ以上、かつ、高周波端（２
０４０ＭＨｚ）で入出力反射損失が２３．０ｄＢ以上に
設定することと、１９５２ＭＨｚ〜２０３２ＭＨｚで入
出力反射損失が２４．５ｄＢ以上に設定することとはほ
ぼ等価である。第３実施形態のアイソレータは、このよ
うに通過周波数帯域（１９６０ＭＨｚ〜２０４０ＭＨ
ｚ）とは異なる調整周波数帯域（１９５２ＭＨｚ〜２０
３２ＭＨｚ）に合否判定基準値を設定して、電気特性を
調整するものである。

【００５０】なお、本第３実施形態は、低周波端（１９
５２ＭＨｚ）と高周波端（２０３２ＭＨｚ）で同じ合否
判定基準値になるように調整周波数帯域を設定している
が、異なる合否判定基準値になるように調整周波数帯域
を設定してもよい。

【００５１】以上のアイソレータは、実質的に通過周波
数帯域の低周波端と高周波端で異なった合否判定基準値
を設定することになり、製品の良品率を変えないで、全
温度特性を向上できる。また、前記第１および第２実施
形態のアイソレータ１，４１は、自動調整機を用いる場
合、二つの合否判定基準値を設定するプログラムを新た
に作る必要がある。しかし、本第３実施形態のアイソレ
ータは、調整周波数帯域の低周波端と高周波端で同じ合
否判定基準値にすることにより、従来のプログラムにお
いて周波数入力のみを変更するだけですむ。

【００５２】［第４実施形態、図１２］第４実施形態
は、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして
説明する。

【００５３】図１２は携帯電話１２０のＲＦ部分の電気
回路ブロック図である。図１２において、１２２はアン
テナ素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信用アイ
ソレータ、１３２は送信側増幅器、１３３は送信側段間
用帯域通過フィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５は
受信側増幅器、１３６は受信側段間用帯域通過フィル
タ、１３７は受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器
（ＶＣＯ）、１３９はローカル用帯域通過フィルタであ
る。

【００５４】ここに、送信側アイソレータ１３１とし
て、前記第１および第２実施形態の集中定数型アイソレ
ータ１，４１を使用することができる。このアイソレー
タ１，４１を実装することにより、全温度特性の優れた
携帯電話を実現することができる。

【００５５】［他の実施形態］本発明は、前記実施形態
に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種
々の構成に変更することができる。例えば、前記実施形
態ではアイソレータに適用したが、本発明は、勿論サー
キュレータにも適用できる。また、それぞれの中心電極
２１〜２３の交差角は、１１０〜１４０度の範囲であれ
ばよい。また、永久磁石９及びフェライト２０は平面形
状が略矩形状に限定されるものではなく、例えば、円形
状や、三角形状等任意である。

【００５６】また、磁化調整法と容量調整法を組み合わ
せて電気特性を調整してもよい。さらに、前記実施形態
は、入出力反射損失のみに対して合否判定基準値を設定
してアイソレータ１を調整したが、挿入損失やアイソレ
ーションに対しても、同様に合否判定基準値を設定して
電気特性を調整することができる。

【００５７】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明
は、非可逆回路素子の電気特性の低温域と高温域の温度
特性の非線形性に着目し、通過周波数帯域の低周波端と
高周波端でそれぞれ異なる合否判定基準値を設定するこ
とにより、全温度での電気特性が優れた非可逆回路素子
を得ることができる。

【００５８】また、通過周波数帯域とは異なる周波数帯
域で合否判定基準値を設定して、挿入損失、アイソレー
ションおよび入出力反射損失の少なくともいずれか一つ
の電気特性を調整することにより、実質的に通過周波数
帯域の低周波端と高周波端で異なった合否判定基準値を
設定することになり、全温度での電気特性を向上するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態を示
す分解斜視図。

【図２】図１に示した非可逆回路素子の外観斜視図。

【図３】図１に示した非可逆回路素子の電気等価回路
図。

【図４】図１に示した非可逆回路素子の入出力反射損失
の温度特性を示すグラフ。

【図５】図１に示した非可逆回路素子の挿入損失の温度
特性を示すグラフ。

【図６】図１に示した非可逆回路素子のアイソレーショ
ンの温度特性を示すグラフ。

【図７】本発明に係る非可逆回路素子の別の実施形態を
示す分解斜視図。

【図８】図７に示した非可逆回路素子の外観斜視図。

【図９】図７に示した非可逆回路素子の入出力反射損失
の温度特性を示すグラフ。

【図１０】図７に示した非可逆回路素子の挿入損失の温
度特性を示すグラフ。

【図１１】図７に示した非可逆回路素子のアイソレーシ
ョンの温度特性を示すグラフ。

【図１２】本発明に係る通信装置の一実施形態を示すブ
ロック図。

【図１３】磁化調整法による非可逆回路素子の入出力反
射損失特性の調整方法を説明するためのグラフ。

【図１４】磁化調整法による非可逆回路素子の挿入損失
特性の調整方法を説明するためのグラフ。

【図１５】磁化調整法による非可逆回路素子のアイソレ
ーション特性の調整方法を説明するためのグラフ。

【図１６】容量調整法による非可逆回路素子の入出力反
射損失特性の調整方法を説明するためのグラフ。

【図１７】容量調整法による非可逆回路素子の挿入損失
特性の調整方法を説明するためのグラフ。

【図１８】容量調整法による非可逆回路素子のアイソレ
ーション特性の調整方法を説明するためのグラフ。

【図１９】従来の非可逆回路素子の入出力反射損失の温
度特性を示すグラフ。

【図２０】従来の非可逆回路素子の挿入損失の温度特性
を示すグラフ。

【図２１】従来の非可逆回路素子のアイソレーションの
温度特性を示すグラフ。

【符号の説明】

１，４１…アイソレータ ４…下側ケース ８…上側ケース ９…永久磁石 １３…中心電極組立体 ２０…マイクロ波フェライト ２１〜２３…中心電極 １２０…携帯電話 Ｃ１〜Ｃ３…整合用コンデンサ素子

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 永久磁石と、 前記永久磁石により直流磁界が印加される中心電極組立
   体と、 前記永久磁石および前記中心電極組立体を収容する金属
   ケースと、 前記中心電極組立体に電気的に接続された整合用コンデ
   ンサとを備え、 通過周波数帯域の低周波端と高周波端でそれぞれ異なる
   合否判定基準値を設定して、挿入損失、アイソレーショ
   ンおよび入出力反射損失の少なくともいずれか一つの電
   気特性を調整したこと、 を特徴とする非可逆回路素子。
2. 【請求項２】 永久磁石と、 前記永久磁石により直流磁界が印加される中心電極組立
   体と、 前記永久磁石および前記中心電極組立体を収容する金属
   ケースと、 前記中心電極組立体に電気的に接続された整合用コンデ
   ンサとを備え、 通過周波数帯域とは異なる周波数帯域で合否判定基準値
   を設定して、挿入損失、アイソレーションおよび入出力
   反射損失の少なくともいずれか一つの電気特性を調整し
   たこと、 を特徴とする非可逆回路素子。
3. 【請求項３】 前記合否判定基準値が常温での電気特性
   と全温度での電気特性とに基づいて設定され、前記電気
   特性の調整が常温で行われたことを特徴とする請求項１
   又は請求項２に記載の非可逆回路素子。
4. 【請求項４】 前記電気特性の調整が、前記永久磁石の
   磁化を調整することにより行われたことを特徴とする請
   求項１〜請求項３のいずれかに記載の非可逆回路素子。
5. 【請求項５】 前記電気特性の調整が、前記整合用コン
   デンサの静電容量を調整することにより行われたことを
   特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の非可
   逆回路素子。
6. 【請求項６】 請求項１〜請求項５のいずれかに記載の
   非可逆回路素子を少なくとも一つ備えたことを特徴とす
   る通信装置。
7. 【請求項７】 永久磁石と、前記永久磁石により直流磁
   界が印加される中心電極組立体と、前記永久磁石および
   前記中心電極組立体を収容する金属ケースと、前記中心
   電極組立体に電気的に接続された整合用コンデンサとを
   組み付ける工程と、 通過周波数帯域の低周波端と高周波端でそれぞれ異なる
   合否判定基準値を設定して、挿入損失、アイソレーショ
   ンおよび入出力反射損失の少なくともいずれか一つの電
   気特性を調整する工程と、 を備えたことを特徴とする非可逆回路素子の製造方法。
8. 【請求項８】 永久磁石と、前記永久磁石により直流磁
   界が印加される中心電極組立体と、前記永久磁石および
   前記中心電極組立体を収容する金属ケースと、前記中心
   電極組立体に電気的に接続された整合用コンデンサとを
   組み付ける工程と、 通過周波数帯域とは異なる周波数帯域で合否判定基準値
   を設定して、挿入損失、アイソレーションおよび入出力
   反射損失の少なくともいずれか一つの電気特性を調整す
   る工程と、 を備えたことを特徴とする非可逆回路素子の製造方法。
9. 【請求項９】 前記合否判定基準値が常温での電気特性
   と全温度での電気特性とに基づいて設定され、前記電気
   特性の調整が常温で行われることを特徴とする請求項７
   又は請求項８に記載の非可逆回路素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記電気特性の調整が、前記永久磁石
    の磁化を調整することにより行われることを特徴とする
    請求項７〜請求項９のいずれかに記載の非可逆回路素子
    の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記電気特性の調整が、前記整合用コ
    ンデンサの静電容量を調整することにより行われること
    を特徴とする請求項７〜請求項９のいずれかに記載の非
    可逆回路素子の製造方法。