JPH09289337A - 紫外領域エレクトロルミネッセンス素子及びレーザ発光素子 - Google Patents
紫外領域エレクトロルミネッセンス素子及びレーザ発光素子Info
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- JPH09289337A JPH09289337A JP26205196A JP26205196A JPH09289337A JP H09289337 A JPH09289337 A JP H09289337A JP 26205196 A JP26205196 A JP 26205196A JP 26205196 A JP26205196 A JP 26205196A JP H09289337 A JPH09289337 A JP H09289337A
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920003201 poly(di-n-hexylsilylene) polymer Polymers 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 9
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 5
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- -1 polysilylene Polymers 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 18-crown-6 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCO1 XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007806 chemical reaction intermediate Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- NRAYZPGATNMOSB-UHFFFAOYSA-N dichloro(dihexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](Cl)(Cl)CCCCCC NRAYZPGATNMOSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004811 liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- MEBNNDGCPRQQBQ-UHFFFAOYSA-N methoxy(silyl)silane Chemical class CO[SiH2][SiH3] MEBNNDGCPRQQBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000011043 treated quartz Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical class [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長純度の高い紫外光を得ることのできるＥ
Ｌ素子及びレーザ発光素子を提供する。 【解決手段】 ポリシラン又はオリゴシラン等、Ｓｉ，
Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直
接連結したポリマー又はオリゴマーからなる薄膜を発光
層１３として透明電極１２と上部電極１４の間に配置し
てＥＬ素子１０を構成する。発光層としてポリ−ジ−ｎ
−ヘキシルポリシリレン（ＰＤＨＳ）を用いた場合、両
電極１２，１４間に直流電圧を印加することで約３７０
ｎｍに鋭いピークを有するＥＬスペクトルが得られる。
Ｌ素子及びレーザ発光素子を提供する。 【解決手段】 ポリシラン又はオリゴシラン等、Ｓｉ，
Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直
接連結したポリマー又はオリゴマーからなる薄膜を発光
層１３として透明電極１２と上部電極１４の間に配置し
てＥＬ素子１０を構成する。発光層としてポリ−ジ−ｎ
−ヘキシルポリシリレン（ＰＤＨＳ）を用いた場合、両
電極１２，１４間に直流電圧を印加することで約３７０
ｎｍに鋭いピークを有するＥＬスペクトルが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外領域で発光す
ることのできるエレクトロルミネッセンス素子及びレー
ザ発光素子に関する。
ることのできるエレクトロルミネッセンス素子及びレー
ザ発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬ
と記す）は、蛍光体に強い電場を加えたときに生じるル
ミネッセンスであり、発光ダイオードのような電流注入
型のＥＬと電圧励起型のＥＬがある。電圧励起型のＥＬ
パネルには、蛍光体の微粉末を合成樹脂又は低融点ガラ
ス粉末中に分散させたものを透明電極と背面電極の間に
挟んだ分散型粉末ＥＬパネルと、真空蒸着やスパッタ法
で形成した薄膜状の蛍光体発光層を誘電体絶縁層で完全
に封じて透明電極と背面電極の間に配置した二重絶縁膜
ＥＬパネルが知られている。電圧励起型のＥＬ素子の発
光色は蛍光物質によって変化し、硫化亜鉛にマンガンを
重量比で０．３〜０．５％添加した蛍光物質（ＺｎＳ：
Ｍｎ）によって黄橙色、ＳｒＳ：Ｃｅによって青色、Ｃ
ａＳ：Ｃｅ又はＣａＳ：Ｅｒによって緑色、ＣａＳ：Ｅ
ｕによって赤色の発光を得ることができる。その他にも
ＺｎＳ：ＴｍＦ3によって青色、ＺｎＳ：ＴｂＦ3によっ
て緑色、ＺｎＳ：ＳｍＦ3によって橙赤色の発光が得ら
れている。
と記す）は、蛍光体に強い電場を加えたときに生じるル
ミネッセンスであり、発光ダイオードのような電流注入
型のＥＬと電圧励起型のＥＬがある。電圧励起型のＥＬ
パネルには、蛍光体の微粉末を合成樹脂又は低融点ガラ
ス粉末中に分散させたものを透明電極と背面電極の間に
挟んだ分散型粉末ＥＬパネルと、真空蒸着やスパッタ法
で形成した薄膜状の蛍光体発光層を誘電体絶縁層で完全
に封じて透明電極と背面電極の間に配置した二重絶縁膜
ＥＬパネルが知られている。電圧励起型のＥＬ素子の発
光色は蛍光物質によって変化し、硫化亜鉛にマンガンを
重量比で０．３〜０．５％添加した蛍光物質（ＺｎＳ：
Ｍｎ）によって黄橙色、ＳｒＳ：Ｃｅによって青色、Ｃ
ａＳ：Ｃｅ又はＣａＳ：Ｅｒによって緑色、ＣａＳ：Ｅ
ｕによって赤色の発光を得ることができる。その他にも
ＺｎＳ：ＴｍＦ3によって青色、ＺｎＳ：ＴｂＦ3によっ
て緑色、ＺｎＳ：ＳｍＦ3によって橙赤色の発光が得ら
れている。
【０００３】また近年、有機薄膜によって形成したホー
ル輸送層と発光層の２層構造を有する注入型ＥＬ素子が
注目されている。図１１は、この２層型ＥＬ素子の断面
構造を示すもので、ガラス基板９１上に形成した透明電
極（ＩＴＯ）９２の上にホール輸送層９３と発光層９４
を積層し、その上に上部電極９５を形成したものであ
る。ホール輸送層９３には芳香族ジアミン誘導体又はポ
リメチルフェニルシランが用いられ、発光層９４には発
光性金属錯体である８−ヒドロキシキノリンアルミニウ
ム（Ａｌｑ3）が用いられている。上部電極９５はＭｎ
とＡｇを積層した電極である。ホール輸送層９３はホー
ルを輸送する役割と電子をブロックする役割を果たし、
電子がホールと再結合することなく電極に移動すること
を妨げる。
ル輸送層と発光層の２層構造を有する注入型ＥＬ素子が
注目されている。図１１は、この２層型ＥＬ素子の断面
構造を示すもので、ガラス基板９１上に形成した透明電
極（ＩＴＯ）９２の上にホール輸送層９３と発光層９４
を積層し、その上に上部電極９５を形成したものであ
る。ホール輸送層９３には芳香族ジアミン誘導体又はポ
リメチルフェニルシランが用いられ、発光層９４には発
光性金属錯体である８−ヒドロキシキノリンアルミニウ
ム（Ａｌｑ3）が用いられている。上部電極９５はＭｎ
とＡｇを積層した電極である。ホール輸送層９３はホー
ルを輸送する役割と電子をブロックする役割を果たし、
電子がホールと再結合することなく電極に移動すること
を妨げる。
【０００４】図１１に示したＥＬ素子を、ＩＴＯを正極
として順バイアスに連続直流モードで作動すると、明る
い緑色の発光が観察される。図１２は、このＥＬ素子の
発光スペクトルとＡｌｑ3の発光スペクトルを示すもの
で、実線はＥＬ素子の発光スペクトルを破線はＡｌｑ3
の発光スペクトルを示す。ＥＬスペクトルはＡｌｑ3の
発光スペクトルと一致し、ＥＬがＡｌｑ3のものである
ことを示している〔Polymer Preprints, Japan, 40(3),
1071(1991); Applied Physics Letter,59(21), 276
0〕。
として順バイアスに連続直流モードで作動すると、明る
い緑色の発光が観察される。図１２は、このＥＬ素子の
発光スペクトルとＡｌｑ3の発光スペクトルを示すもの
で、実線はＥＬ素子の発光スペクトルを破線はＡｌｑ3
の発光スペクトルを示す。ＥＬスペクトルはＡｌｑ3の
発光スペクトルと一致し、ＥＬがＡｌｑ3のものである
ことを示している〔Polymer Preprints, Japan, 40(3),
1071(1991); Applied Physics Letter,59(21), 276
0〕。
【０００５】また、「ポリマー・プレプリント」〔Poly
mer Preprints, Japan, 44(3), 325(1995)〕には、酸素
架橋構造を有するポリシランが電界発光することについ
て記載されている。この報告によると、ポリメチルフェ
ニルシラン（ＰＭＰＳ）をＩＴＯ基板上に塗布し、加熱
により架橋させた後、Ａｌを蒸着したＩＴＯ／架橋ＰＭ
ＰＳ／Ａｌ構造の単層ＥＬ素子が、発光エネルギー中心
１．８ｅＶで電界発光する。なお、酸素架橋構造を有し
ない通常のポリシランは電界発光しないと述べられてい
る。
mer Preprints, Japan, 44(3), 325(1995)〕には、酸素
架橋構造を有するポリシランが電界発光することについ
て記載されている。この報告によると、ポリメチルフェ
ニルシラン（ＰＭＰＳ）をＩＴＯ基板上に塗布し、加熱
により架橋させた後、Ａｌを蒸着したＩＴＯ／架橋ＰＭ
ＰＳ／Ａｌ構造の単層ＥＬ素子が、発光エネルギー中心
１．８ｅＶで電界発光する。なお、酸素架橋構造を有し
ない通常のポリシランは電界発光しないと述べられてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】光線によって記録媒体
に記録を行う光記録においては、記録波長が短いほど記
録密度を上げることができるため、紫外領域で発光する
小型の光源を利用できれば有利である。また、多くの蛍
光色素は紫外線を吸収して蛍光を発するので、紫外線面
光源を実現できれば、その上に蛍光色素を配置すること
でディスプレイパネルを構成することができる。なお、
紫外線を利用する光学系において、紫外線光源の発光波
長純度が高ければ、光学系に用いられる回折格子やミラ
ーの設計が簡単になる。このように、取り扱いの簡単な
紫外線光源に対する潜在需要は高い。
に記録を行う光記録においては、記録波長が短いほど記
録密度を上げることができるため、紫外領域で発光する
小型の光源を利用できれば有利である。また、多くの蛍
光色素は紫外線を吸収して蛍光を発するので、紫外線面
光源を実現できれば、その上に蛍光色素を配置すること
でディスプレイパネルを構成することができる。なお、
紫外線を利用する光学系において、紫外線光源の発光波
長純度が高ければ、光学系に用いられる回折格子やミラ
ーの設計が簡単になる。このように、取り扱いの簡単な
紫外線光源に対する潜在需要は高い。
【０００７】ところが前述のように、可視領域に発光ス
ペクトルを有するＥＬ素子は従来から知られていたが、
紫外領域で発光するＥＬ素子は知られていない。また、
従来のＥＬ素子は、図１２に典型的に示されているよう
に、ブロードな発光スペクトルを有する。本発明は、波
長純度の高い紫外光を得ることのできるＥＬ素子を提供
することを目的とする。また、本発明は、紫外領域を含
む領域で発光可能な固体レーザ発光素子を提供すること
を目的とする。
ペクトルを有するＥＬ素子は従来から知られていたが、
紫外領域で発光するＥＬ素子は知られていない。また、
従来のＥＬ素子は、図１２に典型的に示されているよう
に、ブロードな発光スペクトルを有する。本発明は、波
長純度の高い紫外光を得ることのできるＥＬ素子を提供
することを目的とする。また、本発明は、紫外領域を含
む領域で発光可能な固体レーザ発光素子を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明においては、ＥＬ
素子又はレーザ発光素子の発光層としてＳｉ，Ｇｅ，Ｓ
ｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結し
たポリマー又はオリゴマーからなる薄膜を用いることに
よって前記目的を達成する。効率よく発光させるために
は、前記ポリマー又はオリゴマーは主鎖骨格の原子数が
６以上であることが必要である。
素子又はレーザ発光素子の発光層としてＳｉ，Ｇｅ，Ｓ
ｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結し
たポリマー又はオリゴマーからなる薄膜を用いることに
よって前記目的を達成する。効率よく発光させるために
は、前記ポリマー又はオリゴマーは主鎖骨格の原子数が
６以上であることが必要である。
【０００９】すなわち、本発明のエレクトロルミネッセ
ンス素子又はレーザ発光素子は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐ
ｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結したポリ
マー又はオリゴマーからなる薄膜を少なくとも一方が透
明電極である２枚の電極の間に配置した構造を有するこ
とを特徴とする。ただし、レーザ発光素子の場合には必
ずしも一方の電極を透明電極とする必要はない。
ンス素子又はレーザ発光素子は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐ
ｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結したポリ
マー又はオリゴマーからなる薄膜を少なくとも一方が透
明電極である２枚の電極の間に配置した構造を有するこ
とを特徴とする。ただし、レーザ発光素子の場合には必
ずしも一方の電極を透明電極とする必要はない。
【００１０】Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種
又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマー
としては、下記の〔化１〕に示されるように、Ｓｉ，Ｇ
ｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種の元素が直接連結した
ポリマー又はオリゴマー、あるいは下記〔化２〕に示さ
れるように、異種の元素が直接連結したポリマー又はオ
リゴマーを挙げることができる。
又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマー
としては、下記の〔化１〕に示されるように、Ｓｉ，Ｇ
ｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種の元素が直接連結した
ポリマー又はオリゴマー、あるいは下記〔化２〕に示さ
れるように、異種の元素が直接連結したポリマー又はオ
リゴマーを挙げることができる。
【００１１】
【化１】
【００１２】ここで、ＭはＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ又はＰｂを
表す。Ｒ1及びＲ2は前記元素の置換基を表し、同一のも
のであっても異なっていてもよい。Ｒ1及びＲ2の例とし
ては、アルキル基、アリール基、フェノキシ基、アルコ
キシル基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アルコ
ール性ヒドロキシ基等を挙げることができるが、特にこ
られのものに限定されるわけではない。
表す。Ｒ1及びＲ2は前記元素の置換基を表し、同一のも
のであっても異なっていてもよい。Ｒ1及びＲ2の例とし
ては、アルキル基、アリール基、フェノキシ基、アルコ
キシル基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アルコ
ール性ヒドロキシ基等を挙げることができるが、特にこ
られのものに限定されるわけではない。
【００１３】
【化２】
【００１４】ここで、Ｍ1及びＭ2は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ
又はＰｂを表す。また、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6は前記元素
の置換基を表し、同一のものであっても異なっていても
よい。Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6の例としては、アルキル基、
アリール基、フェノキシ基、アルコキシル基、アルキル
アミノ基、アルキルチオ基、アルコール性ヒドロキシ基
等を挙げることができるが、特にこられのものに限定さ
れるわけではない。
又はＰｂを表す。また、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6は前記元素
の置換基を表し、同一のものであっても異なっていても
よい。Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6の例としては、アルキル基、
アリール基、フェノキシ基、アルコキシル基、アルキル
アミノ基、アルキルチオ基、アルコール性ヒドロキシ基
等を挙げることができるが、特にこられのものに限定さ
れるわけではない。
【００１５】４種の１４族元素Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ
からなるポリマーは基本的に同様な物理的性質を有する
ので、これらが交換されたポリマー又はオリゴマーを用
いても、同じように紫外領域に発光スペクトルを有する
ＥＬ素子やレーザ発光素子を得ることができる。また、
この種のＥＬ素子は発光帯が極めて狭いので、１４族元
素の種類あるいは元素の配列のシーケンスを変えること
により、発光波長の異なるＥＬ素子やレーザ発光素子を
製造することができる。
からなるポリマーは基本的に同様な物理的性質を有する
ので、これらが交換されたポリマー又はオリゴマーを用
いても、同じように紫外領域に発光スペクトルを有する
ＥＬ素子やレーザ発光素子を得ることができる。また、
この種のＥＬ素子は発光帯が極めて狭いので、１４族元
素の種類あるいは元素の配列のシーケンスを変えること
により、発光波長の異なるＥＬ素子やレーザ発光素子を
製造することができる。
【００１６】Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種
又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマー
の光電子物性は主鎖の構造に強く依存することが知られ
ており、主鎖骨格は置換基によってある程度制御が可能
である。したがって、置換基を選択することによってＥ
Ｌ素子やレーザ発光素子としての性能を変化させること
ができる。このような観点から、発光層として例えば次
の〔化３〕や〔化４〕に示すように構造制御、すなわち
発光状態に適するように主鎖骨格を配座制御したポリマ
ー又はオリゴマーからなる薄膜を用いることもできる。
〔化３〕のポリマー又はオリゴマーは立体的に螺旋を描
き、室温においても比較的配座が固定されやすい。〔化
４〕のポリマー又はオリゴマーは、上記〔化１〕におい
て隣接するＲ1同士及び／又はＲ2同士が共同してアルキ
ル基を構成する場合に相当し、同様に室温においても比
較的配座が固定されやすい特徴を有する。また、ポリマ
ー又はオリゴマーの機械的強度を大きくするため、アル
キル鎖等の補強置換基とところどころで架橋した構造の
ものとしてもよい。
又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマー
の光電子物性は主鎖の構造に強く依存することが知られ
ており、主鎖骨格は置換基によってある程度制御が可能
である。したがって、置換基を選択することによってＥ
Ｌ素子やレーザ発光素子としての性能を変化させること
ができる。このような観点から、発光層として例えば次
の〔化３〕や〔化４〕に示すように構造制御、すなわち
発光状態に適するように主鎖骨格を配座制御したポリマ
ー又はオリゴマーからなる薄膜を用いることもできる。
〔化３〕のポリマー又はオリゴマーは立体的に螺旋を描
き、室温においても比較的配座が固定されやすい。〔化
４〕のポリマー又はオリゴマーは、上記〔化１〕におい
て隣接するＲ1同士及び／又はＲ2同士が共同してアルキ
ル基を構成する場合に相当し、同様に室温においても比
較的配座が固定されやすい特徴を有する。また、ポリマ
ー又はオリゴマーの機械的強度を大きくするため、アル
キル鎖等の補強置換基とところどころで架橋した構造の
ものとしてもよい。
【００１７】
【化３】
【００１８】ここで、ＭはＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ又はＰｂを
表し、Ｒ*は光学活性置換基を表す。光学活性置換基の
例としては、２−メチルブチル基を挙げることができ
る。また、Ｒ7は前記元素の置換基を表し、同一のもの
であっても異なっていてもよい。Ｒ7の例としては、ア
ルキル基、アリール基、フェノキシ基、アルコキシル
基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アルコール性
ヒドロキシ基等を挙げることができるが、特にこられの
ものに限定されるわけではない。
表し、Ｒ*は光学活性置換基を表す。光学活性置換基の
例としては、２−メチルブチル基を挙げることができ
る。また、Ｒ7は前記元素の置換基を表し、同一のもの
であっても異なっていてもよい。Ｒ7の例としては、ア
ルキル基、アリール基、フェノキシ基、アルコキシル
基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アルコール性
ヒドロキシ基等を挙げることができるが、特にこられの
ものに限定されるわけではない。
【００１９】
【化４】
【００２０】ここで、ＭはＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ又はＰｂを
表し、Ｒ8，Ｒ9は前記元素の置換基を表し、同一のもの
であっても異なっていてもよい。Ｒ8，Ｒ9の例として
は、アルキル基、アリール基、フェノキシ基、アルコキ
シル基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アルコー
ル性ヒドロキシ基等を挙げることができるが特にこられ
のものに限定されるわけではない。また、次の〔化５〕
に示されるように、１つの置換基のみを有する同種の１
４族元素が直接連結したポリマー又はオリゴマーを用い
ることもできる。
表し、Ｒ8，Ｒ9は前記元素の置換基を表し、同一のもの
であっても異なっていてもよい。Ｒ8，Ｒ9の例として
は、アルキル基、アリール基、フェノキシ基、アルコキ
シル基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アルコー
ル性ヒドロキシ基等を挙げることができるが特にこられ
のものに限定されるわけではない。また、次の〔化５〕
に示されるように、１つの置換基のみを有する同種の１
４族元素が直接連結したポリマー又はオリゴマーを用い
ることもできる。
【００２１】
【化５】
【００２２】ここで、ＭはＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ又はＰｂを
表す。また、Ｒは前記元素の置換基を表し、同一のもの
であっても異なっていてもよい。Ｒの例としては、アル
キル基、アリール基、フェノキシ基、アルコキシル基、
アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アルコール性ヒド
ロキシ基等を挙げることができるが特にこられのものに
限定されるわけではない。発光層の成膜方法としては、
スピンコート、真空蒸着、光ＣＶＤ、熱ＣＶＤ、ＭＢＥ
（分子ビームエピタクシー）等の既知の方法を利用する
ことができる。ＣＶＤ法によって発光層を石英ガラス基
板上に直接成膜する場合には、表面をシラン処理した石
英ガラス基板を用いるのが有利である。
表す。また、Ｒは前記元素の置換基を表し、同一のもの
であっても異なっていてもよい。Ｒの例としては、アル
キル基、アリール基、フェノキシ基、アルコキシル基、
アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アルコール性ヒド
ロキシ基等を挙げることができるが特にこられのものに
限定されるわけではない。発光層の成膜方法としては、
スピンコート、真空蒸着、光ＣＶＤ、熱ＣＶＤ、ＭＢＥ
（分子ビームエピタクシー）等の既知の方法を利用する
ことができる。ＣＶＤ法によって発光層を石英ガラス基
板上に直接成膜する場合には、表面をシラン処理した石
英ガラス基板を用いるのが有利である。
【００２３】本発明で発光層として用いるポリマー又は
オリゴマーは主骨格を構成するＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ及び／
又はＰｂの原子数により発光波長を制御することが可能
である。一般に、ポリマー又はオリゴマーの鎖長が長く
なるにつれて発光ピーク波長は長波長側にシフトする。
従来のＥＬ素子に用いられているポリシラン層は単なる
ホール輸送層としての機能を果たすものである。これに
対して本発明はポリシランそのものの発光を利用するも
のであり、これまで未開発であった紫外領域の発光素子
を提供することができる。
オリゴマーは主骨格を構成するＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ及び／
又はＰｂの原子数により発光波長を制御することが可能
である。一般に、ポリマー又はオリゴマーの鎖長が長く
なるにつれて発光ピーク波長は長波長側にシフトする。
従来のＥＬ素子に用いられているポリシラン層は単なる
ホール輸送層としての機能を果たすものである。これに
対して本発明はポリシランそのものの発光を利用するも
のであり、これまで未開発であった紫外領域の発光素子
を提供することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。ここでは、Ｓｉ元素が直接連結したポリマー又は
オリゴマーを例にとって説明する。図１に断面構造を略
示するような、ポリ−ジ−ｎ−ヘキシルポリシリレン
（ＰＤＨＳ：−ＳｉＲＲ’−；Ｒ＝Ｒ’＝Ｃ6Ｈ13）を
発光層とするＥＬ素子を作製した。素子の作製は次の方
法で行った。
する。ここでは、Ｓｉ元素が直接連結したポリマー又は
オリゴマーを例にとって説明する。図１に断面構造を略
示するような、ポリ−ジ−ｎ−ヘキシルポリシリレン
（ＰＤＨＳ：−ＳｉＲＲ’−；Ｒ＝Ｒ’＝Ｃ6Ｈ13）を
発光層とするＥＬ素子を作製した。素子の作製は次の方
法で行った。
【００２５】硫酸処理したのち脱気したｎ−オクタン５
０ｍｌにナトリウム４．５ｇを溶解し、１８−クラウン
−６エーテルを０．５ｇ添加してｎ−オクタン溶液を調
製した。この溶液に、原料のジヘキシルジクロロシラン
１０ｇのｎ−オクタン溶液を５０ｍｌ滴下し、１００℃
で終夜撹拌した。反応の副生成物である塩化ナトリウム
を濾過して除去した後、濾液を水で洗浄し、塩化カルシ
ウムで乾燥する。その後、溶媒を溜去してワックス状の
粗ポリマー（ポリ−ジ−ｎ−ヘキシルポリシリレン）を
得た。この粗ポリマーをトルエンに溶解し、エタノール
により再沈殿を行った。再沈殿により得られたポリマー
を７０℃、１０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で一晩真空乾燥し
てポリ−ジ−ｎ−ヘキシルポリシリレン（ＰＤＨＳ：−
ＳｉＲＲ’−；Ｒ＝Ｒ’＝Ｃ6Ｈ13）を得た。得られた
ＰＤＨＳの分子量をゲルパーミエーション液体クロマト
グラフによって測定したところ、ポリスチレン標準でお
よそ３０万であった。
０ｍｌにナトリウム４．５ｇを溶解し、１８−クラウン
−６エーテルを０．５ｇ添加してｎ−オクタン溶液を調
製した。この溶液に、原料のジヘキシルジクロロシラン
１０ｇのｎ−オクタン溶液を５０ｍｌ滴下し、１００℃
で終夜撹拌した。反応の副生成物である塩化ナトリウム
を濾過して除去した後、濾液を水で洗浄し、塩化カルシ
ウムで乾燥する。その後、溶媒を溜去してワックス状の
粗ポリマー（ポリ−ジ−ｎ−ヘキシルポリシリレン）を
得た。この粗ポリマーをトルエンに溶解し、エタノール
により再沈殿を行った。再沈殿により得られたポリマー
を７０℃、１０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で一晩真空乾燥し
てポリ−ジ−ｎ−ヘキシルポリシリレン（ＰＤＨＳ：−
ＳｉＲＲ’−；Ｒ＝Ｒ’＝Ｃ6Ｈ13）を得た。得られた
ＰＤＨＳの分子量をゲルパーミエーション液体クロマト
グラフによって測定したところ、ポリスチレン標準でお
よそ３０万であった。
【００２６】以上の操作によって得られたＰＤＨＳをト
ルエンに溶解し、透明電極１２としてＩＴＯ膜をコート
した石英ガラス基板１１上にスピンコートしてＰＤＨＳ
の薄膜を形成し、発光層１３とした。形成されたＰＤＨ
Ｓの膜厚は０．１〜１μｍであった。更にその上に上部
電極１４としてアルミニウムを５０〜１００ｎｍの厚さ
に蒸着してＥＬ素子１０を作製した。上部電極の材料と
してはアルミニウムの他に、マグネシウム又はカルシウ
ムを用いることもできる。作製したＥＬ素子１０を液体
窒素で７７Ｋに冷却し、図２に示すように直流電源２１
に接続した。ＥＬ素子１０から発光された光線を集光レ
ンズ２４で集光し、分光器２５に導入して分光したのち
検出器２６で検出し、発光スペクトルを測定したとこ
ろ、紫外部に鋭い電界発光が観測された。
ルエンに溶解し、透明電極１２としてＩＴＯ膜をコート
した石英ガラス基板１１上にスピンコートしてＰＤＨＳ
の薄膜を形成し、発光層１３とした。形成されたＰＤＨ
Ｓの膜厚は０．１〜１μｍであった。更にその上に上部
電極１４としてアルミニウムを５０〜１００ｎｍの厚さ
に蒸着してＥＬ素子１０を作製した。上部電極の材料と
してはアルミニウムの他に、マグネシウム又はカルシウ
ムを用いることもできる。作製したＥＬ素子１０を液体
窒素で７７Ｋに冷却し、図２に示すように直流電源２１
に接続した。ＥＬ素子１０から発光された光線を集光レ
ンズ２４で集光し、分光器２５に導入して分光したのち
検出器２６で検出し、発光スペクトルを測定したとこ
ろ、紫外部に鋭い電界発光が観測された。
【００２７】図３に、測定された発光スペクトルを示
す。図３から明らかなように、発光スペクトルは、波長
約３７０ｎｍ（エネルギー約３．３２ｅＶ）付近にＰＤ
ＨＳの励起子構造を直接反映した極めて強いピークを示
している。ピーク幅は約２０ｎｍであった。温度を室温
にした以外、他の条件は同一にしてＥＬ素子１０の発光
スペクトルを測定したところ、ブロードなスペクトルが
観察された。これは、室温ではポリシランが様々な配座
をとっているためと推定される。
す。図３から明らかなように、発光スペクトルは、波長
約３７０ｎｍ（エネルギー約３．３２ｅＶ）付近にＰＤ
ＨＳの励起子構造を直接反映した極めて強いピークを示
している。ピーク幅は約２０ｎｍであった。温度を室温
にした以外、他の条件は同一にしてＥＬ素子１０の発光
スペクトルを測定したところ、ブロードなスペクトルが
観察された。これは、室温ではポリシランが様々な配座
をとっているためと推定される。
【００２８】鎖長の異なるオリゴシラン、ポリシランを
調製し、上記と同様の方法でその薄膜を発光層としたＥ
Ｌ素子を作製し、各ＥＬ素子を７７Ｋに冷却して同様の
測定を行った。ケイ素原子の数が５以下のオリゴシラン
は発光が極めて微弱であり、発光スペクトルを測定する
ことができなかった。ケイ素原子の数が６のオリゴシラ
ンでは波長２８０ｎｍ付近に発光が観測され、鎖長を長
くするに従って発光のピーク波長は長波長側にシフトし
た。ポリシランでは、鎖長を長くすることにより発光の
ピーク波長を３８０〜４００ｎｍにシフトさせることが
できた。発光ピーク波長がシフトした場合においても、
ピーク幅約２０ｎｍ程の鋭い発光スペクトルが観測され
た。
調製し、上記と同様の方法でその薄膜を発光層としたＥ
Ｌ素子を作製し、各ＥＬ素子を７７Ｋに冷却して同様の
測定を行った。ケイ素原子の数が５以下のオリゴシラン
は発光が極めて微弱であり、発光スペクトルを測定する
ことができなかった。ケイ素原子の数が６のオリゴシラ
ンでは波長２８０ｎｍ付近に発光が観測され、鎖長を長
くするに従って発光のピーク波長は長波長側にシフトし
た。ポリシランでは、鎖長を長くすることにより発光の
ピーク波長を３８０〜４００ｎｍにシフトさせることが
できた。発光ピーク波長がシフトした場合においても、
ピーク幅約２０ｎｍ程の鋭い発光スペクトルが観測され
た。
【００２９】図４は、図２の測定系において直流電源２
１によるＥＬ素子１０への印加電圧を変化させて測定し
た、種々の電圧におけるＥＬ発光強度及びＥＬ素子に流
れる電流の変化を示す図である。黒丸はＥＬ発光強度、
白丸はＥＬ素子に流れる電流を表す。ここでは、発光層
としてのポリシラン薄膜をスピンコート法によって形成
したが、発光層は真空蒸着法、光ＣＶＤ法又は熱ＣＶＤ
法によっても成膜することができる。
１によるＥＬ素子１０への印加電圧を変化させて測定し
た、種々の電圧におけるＥＬ発光強度及びＥＬ素子に流
れる電流の変化を示す図である。黒丸はＥＬ発光強度、
白丸はＥＬ素子に流れる電流を表す。ここでは、発光層
としてのポリシラン薄膜をスピンコート法によって形成
したが、発光層は真空蒸着法、光ＣＶＤ法又は熱ＣＶＤ
法によっても成膜することができる。
【００３０】図５は、真空蒸着法で成膜する方法を示す
略図である。ベルジャー５０の下部にはヒーター５１上
に試料皿５２が配置されている。試料皿５２の上方に
は、ＩＴＯ等の透明電極がコートされた石英ガラス基板
５３を、透明電極側を下方に向けて配置する。石英ガラ
ス基板５３は液体窒素容器５４から伸びるコールドフィ
ンガー５５によって背面側から冷却されている。試料と
して例えば下記〔化６〕に示すポリシランを試料皿５２
に入れ、ベルジャー５０内を１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空
度に真空排気し、試料皿の下のヒーター５１に通電して
試料を１００℃から１２０℃程度に加熱する。試料が蒸
発して石英ガラス基板５３の透明電極上に薄膜が形成さ
れたら真空を解除し、ベルジャー５０から基板５３を取
り出す。その後、薄膜上にアルミニウム等を蒸着するこ
とによって上部電極を形成してＥＬ素子を作製する。
〔化６〕中、Ｍｅはメチル基を表す。
略図である。ベルジャー５０の下部にはヒーター５１上
に試料皿５２が配置されている。試料皿５２の上方に
は、ＩＴＯ等の透明電極がコートされた石英ガラス基板
５３を、透明電極側を下方に向けて配置する。石英ガラ
ス基板５３は液体窒素容器５４から伸びるコールドフィ
ンガー５５によって背面側から冷却されている。試料と
して例えば下記〔化６〕に示すポリシランを試料皿５２
に入れ、ベルジャー５０内を１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空
度に真空排気し、試料皿の下のヒーター５１に通電して
試料を１００℃から１２０℃程度に加熱する。試料が蒸
発して石英ガラス基板５３の透明電極上に薄膜が形成さ
れたら真空を解除し、ベルジャー５０から基板５３を取
り出す。その後、薄膜上にアルミニウム等を蒸着するこ
とによって上部電極を形成してＥＬ素子を作製する。
〔化６〕中、Ｍｅはメチル基を表す。
【００３１】
【化６】
【００３２】また、ポリシラン発光層の成膜は光ＣＶＤ
又は熱ＣＶＤによって行うこともできる。この場合は、
図６に略示するように、トリシラン誘導体又はメトキシ
ジシラン誘導体を原料として光又は熱によって重合活性
な反応中間体シリレンを生成し、ＩＴＯ等の透明電極を
コートした基板上でシリレンの重合を行って透明電極上
にポリシラン薄膜を形成する。その後、上部電極を蒸着
してＥＬ素子を作製する。図６中、Ｍｅはメチル基を表
し、Ｒはアルキル基やアリール基等の置換基を表す。
又は熱ＣＶＤによって行うこともできる。この場合は、
図６に略示するように、トリシラン誘導体又はメトキシ
ジシラン誘導体を原料として光又は熱によって重合活性
な反応中間体シリレンを生成し、ＩＴＯ等の透明電極を
コートした基板上でシリレンの重合を行って透明電極上
にポリシラン薄膜を形成する。その後、上部電極を蒸着
してＥＬ素子を作製する。図６中、Ｍｅはメチル基を表
し、Ｒはアルキル基やアリール基等の置換基を表す。
【００３３】ＣＶＤ法でポリシランを成膜するとき、次
のようにして表面処理を施した石英ガラス基板を用いる
こともできる。まず石英ガラス基板をアセトン中に浸漬
して超音波洗浄した後、硝酸水溶液中に浸漬して超音波
洗浄する。さらに、洗浄した基板を飽和重曹水溶液中に
浸漬して超音波洗浄する。続いて、５％トリエトキシシ
ランのエタノール溶液中で基板を６０分間煮沸する。そ
の後、基板をオーブンに入れ１２０℃で乾燥する。この
ような処理を行った基板に前述の光ＣＶＤ又は熱ＣＶＤ
の方法でポリシランの薄膜を形成する。
のようにして表面処理を施した石英ガラス基板を用いる
こともできる。まず石英ガラス基板をアセトン中に浸漬
して超音波洗浄した後、硝酸水溶液中に浸漬して超音波
洗浄する。さらに、洗浄した基板を飽和重曹水溶液中に
浸漬して超音波洗浄する。続いて、５％トリエトキシシ
ランのエタノール溶液中で基板を６０分間煮沸する。そ
の後、基板をオーブンに入れ１２０℃で乾燥する。この
ような処理を行った基板に前述の光ＣＶＤ又は熱ＣＶＤ
の方法でポリシランの薄膜を形成する。
【００３４】石英ガラス基板にこのような表面処理を施
すことによりポリシランの重合度を増し、かつ配向性を
揃えることができる。これは、図７（ａ）に示すよう
に、洗浄した石英ガラス基板をトリエトキシシラン溶液
で煮沸することによって石英ガラス基板７０の表面にト
リエトキシシランが結合し、図７（ｂ）に示すように、
そのＳｉ−Ｈにシリレンが挿入される。さらに、図７
（ｃ）に示すように、シリレンのＳｉ−Ｈに対する挿入
が多数繰り返されるというような機構で反応が進行する
ためである。なお、図７中、Ｒはアルキル基やアリール
基等の置換基を表す。
すことによりポリシランの重合度を増し、かつ配向性を
揃えることができる。これは、図７（ａ）に示すよう
に、洗浄した石英ガラス基板をトリエトキシシラン溶液
で煮沸することによって石英ガラス基板７０の表面にト
リエトキシシランが結合し、図７（ｂ）に示すように、
そのＳｉ−Ｈにシリレンが挿入される。さらに、図７
（ｃ）に示すように、シリレンのＳｉ−Ｈに対する挿入
が多数繰り返されるというような機構で反応が進行する
ためである。なお、図７中、Ｒはアルキル基やアリール
基等の置換基を表す。
【００３５】表面処理を施した石英ガラス基板８０上に
発光層８１として直接ポリシランの薄膜を形成したあ
と、図８に示すようにポリシラン薄膜上に２つのアルミ
ニウム電極８２，８３を間隙をあけて蒸着形成し、さら
に保護膜８４を形成することでＥＬ素子を得ることがで
きる。
発光層８１として直接ポリシランの薄膜を形成したあ
と、図８に示すようにポリシラン薄膜上に２つのアルミ
ニウム電極８２，８３を間隙をあけて蒸着形成し、さら
に保護膜８４を形成することでＥＬ素子を得ることがで
きる。
【００３６】次に、石英ガラス基板上に形成したポリ−
ジ−ｎ−ヘキシルポリシリレン（ＰＤＨＳの薄膜に色素
レーザの２倍波である波長３１０ｎｍ、パルス幅３ｐｓ
のパルスレーザを照射し、ＰＤＨＳから発せられる蛍光
スペクトルを測定した。図９に、時間分解蛍光スペクト
ルをパルスレーザ照射直後から５ｎｓまで積算して得ら
れた蛍光スペクトルを示す。この蛍光スペクトルは波長
３７２ｎｍと３７６ｎｍに２つのピークを有する。矢印
Ａのピークは通常の蛍光を示す。矢印Ｂのピークは波長
３１０ｎｍの連続光による励起では観察されないピーク
である。このようにパルスレーザによる高密度光励起に
よって特定のフォノンサイドバンドが成長するというこ
とはＰＤＨＳがレーザ発振する可能性を示すものであ
る。したがって、本発明のＥＬ素子は電気的に高密度パ
ルス励起を行うことでレーザ発振する可能性がある。
ジ−ｎ−ヘキシルポリシリレン（ＰＤＨＳの薄膜に色素
レーザの２倍波である波長３１０ｎｍ、パルス幅３ｐｓ
のパルスレーザを照射し、ＰＤＨＳから発せられる蛍光
スペクトルを測定した。図９に、時間分解蛍光スペクト
ルをパルスレーザ照射直後から５ｎｓまで積算して得ら
れた蛍光スペクトルを示す。この蛍光スペクトルは波長
３７２ｎｍと３７６ｎｍに２つのピークを有する。矢印
Ａのピークは通常の蛍光を示す。矢印Ｂのピークは波長
３１０ｎｍの連続光による励起では観察されないピーク
である。このようにパルスレーザによる高密度光励起に
よって特定のフォノンサイドバンドが成長するというこ
とはＰＤＨＳがレーザ発振する可能性を示すものであ
る。したがって、本発明のＥＬ素子は電気的に高密度パ
ルス励起を行うことでレーザ発振する可能性がある。
【００３７】ここでは、ＥＬ素子の発光層としてＳｉ元
素が直接連結したポリマー又はオリゴマーの薄膜を採用
した例について説明した。しかし、本発明のＥＬ素子に
使用できる発光層はＳｉ元素が直接連結したポリマー又
はオリゴマーの薄膜に限られるものではなく、〔化１〕
〜〔化５〕によって説明したように、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓ
ｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結し
たポリマー又はオリゴマーからなる薄膜であれば同様に
使用でき、かつ同様の効果を奏することができるもので
ある。
素が直接連結したポリマー又はオリゴマーの薄膜を採用
した例について説明した。しかし、本発明のＥＬ素子に
使用できる発光層はＳｉ元素が直接連結したポリマー又
はオリゴマーの薄膜に限られるものではなく、〔化１〕
〜〔化５〕によって説明したように、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓ
ｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結し
たポリマー又はオリゴマーからなる薄膜であれば同様に
使用でき、かつ同様の効果を奏することができるもので
ある。
【００３８】次に、本発明によるレーザ発光素子につい
てその一例を説明する。図１に断面構造を略示するよう
な、ポリジメチルシリレン（ＰＤＭＳ：−ＳｉＲＲ’
−；Ｒ＝Ｒ’＝ＣＨ3 ）を発光層とするレーザ発光素子
を作製した。素子の作製は次の方法で行った。硫酸処理
したのち脱気したｎ−オクタン５０ｍｌにナトリウム
４．５ｇを溶解した。これに原料ジメチルジクロロシラ
ン１０ｇ（ｎ−オクタン溶液）を５０ｍｌ滴下し、１０
０℃で終夜撹拌した。反応終了後、エタノールを加え、
さらに水を加える。エーテルで抽出し、溶媒をとばすと
ポリジメチルシリレンが得られる。
てその一例を説明する。図１に断面構造を略示するよう
な、ポリジメチルシリレン（ＰＤＭＳ：−ＳｉＲＲ’
−；Ｒ＝Ｒ’＝ＣＨ3 ）を発光層とするレーザ発光素子
を作製した。素子の作製は次の方法で行った。硫酸処理
したのち脱気したｎ−オクタン５０ｍｌにナトリウム
４．５ｇを溶解した。これに原料ジメチルジクロロシラ
ン１０ｇ（ｎ−オクタン溶液）を５０ｍｌ滴下し、１０
０℃で終夜撹拌した。反応終了後、エタノールを加え、
さらに水を加える。エーテルで抽出し、溶媒をとばすと
ポリジメチルシリレンが得られる。
【００３９】こうして得られたポリジメチルシリレン及
びＩＴＯ電極１２をコーティングした石英ガラス基板１
１を、図５に示した真空蒸着装置中に設置し、１０-5Ｔ
ｏｒｒでポリジメチルシリレンを２００℃程度に加熱
し、石英ガラス基板１１にコーティングされたＩＴＯ電
極１２上に蒸着膜を形成し、発光層１３とした。形成さ
れたＰＤＭＳ蒸着膜の膜厚はおよそ１００ｎｍであっ
た。この蒸着膜は、光吸収測定の際の偏光特性から、高
度に配向制御された膜であることが確認された。蒸着膜
の上に更に上部電極１４としてアルミニウムを５０〜１
００ｎｍの厚さに蒸着してレーザ発光素子１０を作製し
た。
びＩＴＯ電極１２をコーティングした石英ガラス基板１
１を、図５に示した真空蒸着装置中に設置し、１０-5Ｔ
ｏｒｒでポリジメチルシリレンを２００℃程度に加熱
し、石英ガラス基板１１にコーティングされたＩＴＯ電
極１２上に蒸着膜を形成し、発光層１３とした。形成さ
れたＰＤＭＳ蒸着膜の膜厚はおよそ１００ｎｍであっ
た。この蒸着膜は、光吸収測定の際の偏光特性から、高
度に配向制御された膜であることが確認された。蒸着膜
の上に更に上部電極１４としてアルミニウムを５０〜１
００ｎｍの厚さに蒸着してレーザ発光素子１０を作製し
た。
【００４０】作製されたレーザ発光素子を図２に示すよ
うに直流電源２１に接続し、室温で約５０Ｖの電圧を印
加して発光させた。素子から発生された光線を分光器に
導入して発光スペクトルを測定したところ、多数の鋭い
ピークが観察された。図１０に、測定された発光スペク
トルを示す。図１０から明らかなように、通常の発光と
は異なり、レーザ発振に基づく鋭いピークのプログレッ
ションが観察された。発振波長は分子の構造によって変
えることができる。ここではＰＤＭＳ蒸着膜によるレー
ザ発振について説明したが、他のオリゴシランやポリシ
ランでも分子の配向を揃えることによりレーザ発振が可
能である。
うに直流電源２１に接続し、室温で約５０Ｖの電圧を印
加して発光させた。素子から発生された光線を分光器に
導入して発光スペクトルを測定したところ、多数の鋭い
ピークが観察された。図１０に、測定された発光スペク
トルを示す。図１０から明らかなように、通常の発光と
は異なり、レーザ発振に基づく鋭いピークのプログレッ
ションが観察された。発振波長は分子の構造によって変
えることができる。ここではＰＤＭＳ蒸着膜によるレー
ザ発振について説明したが、他のオリゴシランやポリシ
ランでも分子の配向を揃えることによりレーザ発振が可
能である。
【００４１】
【発明の効果】本発明によると、紫外領域に波長純度の
高い発光スペクトルを示すＥＬ素子を得ることができ
る。また、極めて簡単な固体構造で紫外領域に発振線を
有するレーザ発光素子を得ることができる。
高い発光スペクトルを示すＥＬ素子を得ることができ
る。また、極めて簡単な固体構造で紫外領域に発振線を
有するレーザ発光素子を得ることができる。
【図１】本発明のＥＬ素子の断面構造を示す模式図。
【図２】発光スペクトル測定系の説明図。
【図３】本発明のＥＬ素子の発光スペクトルを示す図。
【図４】ＥＬ素子への印加電圧と、発光強度及びＥＬ素
子に流れる電流の変化を示す図。
子に流れる電流の変化を示す図。
【図５】図５は、真空蒸着法による成膜の説明図。
【図６】光ＣＶＤ又は熱ＣＶＤによる成膜の説明図。
【図７】基板表面処理の効果を説明する図。
【図８】本発明によるＥＬ素子の他の例の断面図。
【図９】ＰＤＨＳの時間分解蛍光スペクトルを示す図。
【図１０】本発明のレーザ発光素子の発光スペクトルを
示す図。
示す図。
【図１１】従来の２層型ＥＬ素子の断面構造を示す模式
図。
図。
【図１２】従来のＥＬ素子の発光スペクトルとＡｌｑ3
の発光スペクトルを示す図。
の発光スペクトルを示す図。
１０…ＥＬ素子、１１…石英ガラス基板、１２…透明電
極、１３…発光層、１４…上部電極、２１…直流電源、
２３…電流計、２４…集光レンズ、２５…分光器、２６
…検出器、５０…ベルジャー、５１…ヒーター、５２…
試料皿、５３…石英ガラス基板、５４…液体窒素容器、
５５…コールドフィンガー、７０…石英ガラス基板、８
０…石英ガラス基板、８１…発光層、８２，８３…電
極、８４…保護層、９１…ガラス基板、９２…透明電
極、９３…ホール輸送層、９４…発光層、９５…上部電
極
極、１３…発光層、１４…上部電極、２１…直流電源、
２３…電流計、２４…集光レンズ、２５…分光器、２６
…検出器、５０…ベルジャー、５１…ヒーター、５２…
試料皿、５３…石英ガラス基板、５４…液体窒素容器、
５５…コールドフィンガー、７０…石英ガラス基板、８
０…石英ガラス基板、８１…発光層、８２，８３…電
極、８４…保護層、９１…ガラス基板、９２…透明電
極、９３…ホール輸送層、９４…発光層、９５…上部電
極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉良 満夫 宮城県仙台市青葉区長町字越路19−1399 理化学研究所 フォトダイナミクス研究セ ンター内 (72)発明者 鈴木 俊博 東京都目黒区大岡山１−４−10 高正大岡 山ハイツ203
Claims (10)
- 【請求項１】 Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同
種又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマ
ーからなる薄膜を少なくとも一方が透明電極である２枚
の電極の間に配置したことを特徴とする紫外領域エレク
トロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 前記ポリマー又はオリゴマーは構造制御
したポリマー又はオリゴマーであることを特徴とする請
求項１記載の紫外領域エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】 ポリシラン又はオリゴシランからなる薄
膜を少なくとも一方が透明電極である２枚の電極の間に
配置したことを特徴とする紫外領域エレクトロルミネッ
センス素子。 - 【請求項４】 前記薄膜はスピンコート、真空蒸着又は
ＣＶＤによって形成されたものであることを特徴とする
請求項１、２又は３記載の紫外領域エレクトロルミネッ
センス素子。 - 【請求項５】 表面をシラン処理した石英ガラス基板上
にＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の
元素が直接連結したポリマー又はオリゴマーからなる薄
膜がＣＶＤ法によって形成され、さらに前記薄膜上に２
枚の電極が配置されていることを特徴とする紫外領域エ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項６】 Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同
種又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマ
ーからなる薄膜を２枚の電極の間に配置したことを特徴
とするレーザ発光素子。 - 【請求項７】 前記ポリマー又はオリゴマーは構造制御
したポリマー又はオリゴマーであることを特徴とする請
求項６記載のレーザ発光素子。 - 【請求項８】 ポリシラン又はオリゴシランからなる薄
膜を２枚の電極の間に配置したことを特徴とするレーザ
発光素子。 - 【請求項９】 前記薄膜はスピンコート、真空蒸着又は
ＣＶＤによって形成されたものであることを特徴とする
請求項６、７又は８記載のレーザ発光素子。 - 【請求項１０】 表面をシラン処理した石英ガラス基板
上にＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種
の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマーからなる
薄膜がＣＶＤ法によって形成され、さらに前記薄膜上に
２枚の電極が配置されていることを特徴とするレーザ発
光素子。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26205196A JP3856504B2 (ja) | 1996-02-21 | 1996-10-02 | 紫外領域エレクトロルミネッセンス素子、レーザ発光素子及びその製造方法 |
| DE69716794T DE69716794T2 (de) | 1996-02-21 | 1997-02-18 | Ultraviolett-emittierendes Elektrolumineszenzelement und Laser |
| EP97301036A EP0792089B1 (en) | 1996-02-21 | 1997-02-18 | Ultraviolet electroluminescent element and laser luminescent element |
| CA002198140A CA2198140C (en) | 1996-02-21 | 1997-02-20 | Ultraviolet electroluminescent element and laser luminescent element |
| US08/803,089 US6204514B1 (en) | 1996-02-21 | 1997-02-20 | Ultraviolet electroluminescent element and laser luminescent element |
| CN97104807A CN1096821C (zh) | 1996-02-21 | 1997-02-21 | 紫外场致发光元件和激光发光元件 |
| US09/712,949 US6456636B1 (en) | 1996-02-21 | 2000-11-16 | Ultraviolet electroluminescent element and laser luminescent element |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-33946 | 1996-02-21 | ||
| JP3394696 | 1996-02-21 | ||
| JP26205196A JP3856504B2 (ja) | 1996-02-21 | 1996-10-02 | 紫外領域エレクトロルミネッセンス素子、レーザ発光素子及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005329027A Division JP2006138018A (ja) | 1996-02-21 | 2005-11-14 | 成膜方法、エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、レーザ発光素子の製造方法、エレクトロルミネッセンス素子及びレーザ発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289337A true JPH09289337A (ja) | 1997-11-04 |
| JP3856504B2 JP3856504B2 (ja) | 2006-12-13 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26205196A Expired - Fee Related JP3856504B2 (ja) | 1996-02-21 | 1996-10-02 | 紫外領域エレクトロルミネッセンス素子、レーザ発光素子及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6204514B1 (ja) |
| EP (1) | EP0792089B1 (ja) |
| JP (1) | JP3856504B2 (ja) |
| CN (1) | CN1096821C (ja) |
| CA (1) | CA2198140C (ja) |
| DE (1) | DE69716794T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6665479B2 (en) | 2000-03-06 | 2003-12-16 | Shayda Technologies, Inc. | Polymeric devices including optical waveguide laser and optical amplifier |
| JP2006500115A (ja) | 2000-11-16 | 2006-01-05 | マイクロスフエリツクス・エル・エル・シー | 密封小線源治療用の可撓性および／または弾性シードまたはストランド |
| US8575597B2 (en) * | 2002-11-27 | 2013-11-05 | Borealis Technical Limited | Liquid metal contact as possible element for thermotunneling |
| US7179543B2 (en) * | 2003-10-06 | 2007-02-20 | The Trustees Of Princeton University | Doping of organic opto-electronic devices to extend reliability |
| DE602005024791D1 (de) * | 2005-06-30 | 2010-12-30 | Lightlab Sweden Ab | Elektronen- und Photonenquelle mit gegenseitiger Verstärkung |
| KR100808802B1 (ko) * | 2007-04-23 | 2008-02-29 | 경북대학교 산학협력단 | 희토류 원소가 첨가된 무기 전계 발광 레이저 소자 |
| JP2010055864A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| CN102723444A (zh) * | 2012-06-04 | 2012-10-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 紫外有机发光装置 |
| CN102760837B (zh) * | 2012-07-10 | 2015-02-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管器件结构及显示装置 |
| CN102867841A (zh) * | 2012-09-03 | 2013-01-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机显示装置 |
| US10879668B1 (en) | 2020-03-09 | 2020-12-29 | King Saud University | Solid state laser with conjugated oligomer active material |
| CN117013357A (zh) * | 2023-09-28 | 2023-11-07 | 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司 | 致密性的检测方法及半导体激光器制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8909011D0 (en) * | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
| US5142343A (en) * | 1989-08-18 | 1992-08-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device with oligomers |
| US5366811A (en) * | 1990-09-20 | 1994-11-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| JPH05343184A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| US5414069A (en) * | 1993-02-01 | 1995-05-09 | Polaroid Corporation | Electroluminescent polymers, processes for their use, and electroluminescent devices containing these polymers |
| US5376456A (en) * | 1993-05-13 | 1994-12-27 | Polaroid Corporation | Electroluminescent devices comprising polymers, and processes for their use |
| EP0633614A1 (en) * | 1993-07-08 | 1995-01-11 | Rijksuniversiteit te Groningen | Polymer based tunable light emitting diode |
| JP2701738B2 (ja) * | 1994-05-17 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JP3428152B2 (ja) * | 1994-07-13 | 2003-07-22 | 松下電器産業株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
-
1996
- 1996-10-02 JP JP26205196A patent/JP3856504B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1997
- 1997-02-18 EP EP97301036A patent/EP0792089B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-18 DE DE69716794T patent/DE69716794T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-02-20 CA CA002198140A patent/CA2198140C/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-02-20 US US08/803,089 patent/US6204514B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-02-21 CN CN97104807A patent/CN1096821C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-11-16 US US09/712,949 patent/US6456636B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007054825A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-03-08 | Seiko Epson Corp | 製膜方法及びパターニング方法、並びにこれらを用いた電子装置の製造方法 |
| US7754290B2 (en) | 2005-07-25 | 2010-07-13 | Seiko Epson Corporation | Method of forming film, patterning and method of manufacturing electronic device using thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0792089A2 (en) | 1997-08-27 |
| DE69716794T2 (de) | 2003-03-13 |
| CA2198140C (en) | 2005-06-07 |
| CN1096821C (zh) | 2002-12-18 |
| JP3856504B2 (ja) | 2006-12-13 |
| US6456636B1 (en) | 2002-09-24 |
| EP0792089A3 (en) | 1999-03-24 |
| CA2198140A1 (en) | 1997-08-21 |
| EP0792089B1 (en) | 2002-11-06 |
| DE69716794D1 (de) | 2002-12-12 |
| US6204514B1 (en) | 2001-03-20 |
| CN1163551A (zh) | 1997-10-29 |
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