JPH09288817A - 磁気記録媒体、及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体、及びその製造方法Info
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- JPH09288817A JPH09288817A JP9977696A JP9977696A JPH09288817A JP H09288817 A JPH09288817 A JP H09288817A JP 9977696 A JP9977696 A JP 9977696A JP 9977696 A JP9977696 A JP 9977696A JP H09288817 A JPH09288817 A JP H09288817A
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- protective film
- film
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- magnetic
- magnetic recording
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 摩擦係数が低く、耐久性に富むカーボン系保
護膜を有する磁気記録媒体を提供することを課題とす
る。 【解決手段】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、前記保護膜は、Ｃ成分とＦ成分とを
有するものであり、かつ、ラマン分光スペクトルにおい
て、１５５０±６０ｃｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1
以上のブロードなピークを有すると共に、１５５０±４
０ｃｍ-1の領域に半値幅が６０ｃｍ-1以下のシャープな
ピークを有する磁気記録媒体。
護膜を有する磁気記録媒体を提供することを課題とす
る。 【解決手段】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、前記保護膜は、Ｃ成分とＦ成分とを
有するものであり、かつ、ラマン分光スペクトルにおい
て、１５５０±６０ｃｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1
以上のブロードなピークを有すると共に、１５５０±４
０ｃｍ-1の領域に半値幅が６０ｃｍ-1以下のシャープな
ピークを有する磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関
する。
する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープにおいて
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着やスパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
テープが提案されている。そして、この種の磁気テープ
は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着やスパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
テープが提案されている。そして、この種の磁気テープ
は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。
【０００３】この磁気テープの金属磁性膜を保護する為
に、各種の保護膜を表面に設けることが提案されてい
る。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの
提案の一つである。尚、ダイヤモンドライクカーボン膜
は、例えば熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、
ＲＦプラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装
置、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ
（ケミカルベーパーデポジション）装置によって設けら
れている。
に、各種の保護膜を表面に設けることが提案されてい
る。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの
提案の一つである。尚、ダイヤモンドライクカーボン膜
は、例えば熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、
ＲＦプラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装
置、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ
（ケミカルベーパーデポジション）装置によって設けら
れている。
【０００４】しかし、これまでのダイヤモンドライクカ
ーボン膜では、充分に満足できるものでないことが判っ
て来た。すなわち、ダイヤモンドライクカーボン膜は、
高硬度なものではあるが、摩擦などのトライポロジー性
に劣り、潤滑剤などが必要となる。しかし、不活性なダ
イヤモンドライクカーボン膜上に潤滑剤を塗布により設
けていても、潤滑剤は失われ易い。
ーボン膜では、充分に満足できるものでないことが判っ
て来た。すなわち、ダイヤモンドライクカーボン膜は、
高硬度なものではあるが、摩擦などのトライポロジー性
に劣り、潤滑剤などが必要となる。しかし、不活性なダ
イヤモンドライクカーボン膜上に潤滑剤を塗布により設
けていても、潤滑剤は失われ易い。
【０００５】従って、潤滑剤がなくても、摩擦係数が低
く、耐久性に富むカーボン系保護膜を有する磁気記録媒
体を提供することを課題とする。
く、耐久性に富むカーボン系保護膜を有する磁気記録媒
体を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、支
持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体におい
て、前記保護膜は、Ｃ成分とＦ成分とを有するものであ
り、かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±
６０ｃｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1以上のブロード
なピークを有すると共に、１５５０±４０ｃｍ-1の領域
に半値幅が６０ｃｍ-1以下のシャープなピークを有する
ものであることを特徴とする磁気記録媒体によって解決
される。
持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体におい
て、前記保護膜は、Ｃ成分とＦ成分とを有するものであ
り、かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±
６０ｃｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1以上のブロード
なピークを有すると共に、１５５０±４０ｃｍ-1の領域
に半値幅が６０ｃｍ-1以下のシャープなピークを有する
ものであることを特徴とする磁気記録媒体によって解決
される。
【０００７】特に、支持体と磁性膜と保護膜とを有する
磁気記録媒体において、前記保護膜は、Ｃ−Ｆ結合があ
る炭素系膜であり、かつ、ラマン分光スペクトルにおい
て、１５５０±６０ｃｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1
以上のブロードなピークを有すると共に、１５５０±４
０ｃｍ-1の領域に半値幅が６０ｃｍ-1以下のシャープな
ピークを有するものであることを特徴とする磁気記録媒
体によって解決される。
磁気記録媒体において、前記保護膜は、Ｃ−Ｆ結合があ
る炭素系膜であり、かつ、ラマン分光スペクトルにおい
て、１５５０±６０ｃｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1
以上のブロードなピークを有すると共に、１５５０±４
０ｃｍ-1の領域に半値幅が６０ｃｍ-1以下のシャープな
ピークを有するものであることを特徴とする磁気記録媒
体によって解決される。
【０００８】更には、支持体と磁性膜と保護膜とを有す
る磁気記録媒体において、前記保護膜は、フッ化炭素が
存在するダイヤモンドライクカーボン系膜であり、か
つ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±６０ｃ
ｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1以上のブロードなピー
クを有すると共に、１５５０±４０ｃｍ-1の領域に半値
幅が６０ｃｍ-1以下のシャープなピークを有するもので
あることを特徴とする磁気記録媒体によって解決され
る。
る磁気記録媒体において、前記保護膜は、フッ化炭素が
存在するダイヤモンドライクカーボン系膜であり、か
つ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±６０ｃ
ｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1以上のブロードなピー
クを有すると共に、１５５０±４０ｃｍ-1の領域に半値
幅が６０ｃｍ-1以下のシャープなピークを有するもので
あることを特徴とする磁気記録媒体によって解決され
る。
【０００９】尚、上記保護膜のラマン分光スペクトルに
おけるブロードなピークは半値幅が７０〜３００ｃｍ-1
（更には、８０〜２００ｃｍ-1）、シャープなピークは
半値幅が２〜６０ｃｍ-1（更には、５〜５５ｃｍ-1）の
ものが好ましい。すなわち、上記のような特徴の保護膜
は、Ｆ成分による滑性効果が著しく、従って摩擦係数が
低く、耐久性に富むものとなる。
おけるブロードなピークは半値幅が７０〜３００ｃｍ-1
（更には、８０〜２００ｃｍ-1）、シャープなピークは
半値幅が２〜６０ｃｍ-1（更には、５〜５５ｃｍ-1）の
ものが好ましい。すなわち、上記のような特徴の保護膜
は、Ｆ成分による滑性効果が著しく、従って摩擦係数が
低く、耐久性に富むものとなる。
【００１０】特に、保護膜は、磁性膜と反対側の表面に
あってはＣ成分量よりＦ成分量の方が多いものが好まし
い。又、保護膜は、磁性膜と反対側の表面から磁性膜に
近づくに従ってＦ成分量／Ｃ成分量が減少するものが好
ましい。例えば、保護膜は、この保護膜のオージェ電子
分光スペクトルにおいて、保護膜表面からＣ成分が磁性
膜の主成分より多い領域の割合をＡ、保護膜表面からＦ
成分がＣ成分より多い領域の割合をＢとした場合、０≦
Ｂ／Ａ≦０．９５（特に、０．０５≦Ｂ／Ａ≦０．６）
を満たすものが好ましい。そして、このように構成させ
ていると、Ｆ成分による滑性効果が著しく、従って摩擦
係数が低く、耐久性に富むものとなる。
あってはＣ成分量よりＦ成分量の方が多いものが好まし
い。又、保護膜は、磁性膜と反対側の表面から磁性膜に
近づくに従ってＦ成分量／Ｃ成分量が減少するものが好
ましい。例えば、保護膜は、この保護膜のオージェ電子
分光スペクトルにおいて、保護膜表面からＣ成分が磁性
膜の主成分より多い領域の割合をＡ、保護膜表面からＦ
成分がＣ成分より多い領域の割合をＢとした場合、０≦
Ｂ／Ａ≦０．９５（特に、０．０５≦Ｂ／Ａ≦０．６）
を満たすものが好ましい。そして、このように構成させ
ていると、Ｆ成分による滑性効果が著しく、従って摩擦
係数が低く、耐久性に富むものとなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、支持体
と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体において、前
記保護膜は、Ｃ成分とＦ成分とを有するものであり、か
つ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±６０ｃ
ｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1以上のブロードなピー
クを有すると共に、１５５０±４０ｃｍ-1の領域に半値
幅が６０ｃｍ-1以下のシャープなピークを有するもので
ある。特に、支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記
録媒体において、前記保護膜は、Ｃ−Ｆ結合がある炭素
系膜であり、かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１
５５０±６０ｃｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1以上の
ブロードなピークを有すると共に、１５５０±４０ｃｍ
-1の領域に半値幅が６０ｃｍ-1以下のシャープなピーク
を有するものである。更には、支持体と磁性膜と保護膜
とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜は、フッ
化炭素が存在するダイヤモンドライクカーボン系膜であ
り、かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±
６０ｃｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1以上のブロード
なピークを有すると共に、１５５０±４０ｃｍ-1の領域
に半値幅が６０ｃｍ-1以下のシャープなピークを有する
ものである。上記保護膜のラマン分光スペクトルにおけ
るブロードなピークは半値幅が７０〜３００ｃｍ-1（特
に、８０〜２００ｃｍ-1）、シャープなピークは半値幅
が２〜６０ｃｍ-1（特に、５〜５５ｃｍ-1）のものであ
る。
と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体において、前
記保護膜は、Ｃ成分とＦ成分とを有するものであり、か
つ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±６０ｃ
ｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1以上のブロードなピー
クを有すると共に、１５５０±４０ｃｍ-1の領域に半値
幅が６０ｃｍ-1以下のシャープなピークを有するもので
ある。特に、支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記
録媒体において、前記保護膜は、Ｃ−Ｆ結合がある炭素
系膜であり、かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１
５５０±６０ｃｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1以上の
ブロードなピークを有すると共に、１５５０±４０ｃｍ
-1の領域に半値幅が６０ｃｍ-1以下のシャープなピーク
を有するものである。更には、支持体と磁性膜と保護膜
とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜は、フッ
化炭素が存在するダイヤモンドライクカーボン系膜であ
り、かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±
６０ｃｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1以上のブロード
なピークを有すると共に、１５５０±４０ｃｍ-1の領域
に半値幅が６０ｃｍ-1以下のシャープなピークを有する
ものである。上記保護膜のラマン分光スペクトルにおけ
るブロードなピークは半値幅が７０〜３００ｃｍ-1（特
に、８０〜２００ｃｍ-1）、シャープなピークは半値幅
が２〜６０ｃｍ-1（特に、５〜５５ｃｍ-1）のものであ
る。
【００１２】又、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、
支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体の製造
方法において、前記保護膜はｎ個（ｎは自然数）のガス
供給機構が設けられたプラズマ反応管を有するＥＣＲ−
ＣＶＤ手段により成膜されるものであり、前記ｎ個のガ
ス供給機構から供給される炭化水素系ガスとフッ素系ガ
スとの混合ガスは、走行する支持体の下流側にあるガス
供給機構ほどフッ素系ガスの分圧が高いものである。或
いは、支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体
の製造方法において、前記保護膜はｎ個（ｎは自然数）
のガス供給機構が設けられたプラズマ反応管を有するＥ
ＣＲ−ＣＶＤ手段により成膜されるものであり、前記ｎ
個のガス供給機構から供給される炭化水素系ガスとフッ
素系ガスとの混合ガスは、走行する支持体の下流側にあ
るガス供給機構ほど分子量の大きなフッ素系ガスが用い
られるものである。若しくは、支持体と磁性膜と保護膜
とを有する磁気記録媒体の製造方法において、前記保護
膜はｎ個（ｎは自然数）のガス供給機構が設けられたプ
ラズマ反応管を有するＥＣＲ−ＣＶＤ手段により成膜さ
れるものであり、前記ｎ個のガス供給機構から供給され
る炭化水素系ガスとフッ素系ガスとの混合ガスは、走行
する支持体の下流側にあるガス供給機構ほど分子量の小
さな炭化水素系ガスが用いられるものである。
支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体の製造
方法において、前記保護膜はｎ個（ｎは自然数）のガス
供給機構が設けられたプラズマ反応管を有するＥＣＲ−
ＣＶＤ手段により成膜されるものであり、前記ｎ個のガ
ス供給機構から供給される炭化水素系ガスとフッ素系ガ
スとの混合ガスは、走行する支持体の下流側にあるガス
供給機構ほどフッ素系ガスの分圧が高いものである。或
いは、支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体
の製造方法において、前記保護膜はｎ個（ｎは自然数）
のガス供給機構が設けられたプラズマ反応管を有するＥ
ＣＲ−ＣＶＤ手段により成膜されるものであり、前記ｎ
個のガス供給機構から供給される炭化水素系ガスとフッ
素系ガスとの混合ガスは、走行する支持体の下流側にあ
るガス供給機構ほど分子量の大きなフッ素系ガスが用い
られるものである。若しくは、支持体と磁性膜と保護膜
とを有する磁気記録媒体の製造方法において、前記保護
膜はｎ個（ｎは自然数）のガス供給機構が設けられたプ
ラズマ反応管を有するＥＣＲ−ＣＶＤ手段により成膜さ
れるものであり、前記ｎ個のガス供給機構から供給され
る炭化水素系ガスとフッ素系ガスとの混合ガスは、走行
する支持体の下流側にあるガス供給機構ほど分子量の小
さな炭化水素系ガスが用いられるものである。
【００１３】次に、本発明のラマン分光スペクトルにお
けるピークの求め方について簡単に説明する。測定装置
としては、スペックス社のトリプルスペクトロメータを
用いた。光源は、３００ｍＷ出力の波長が４８８ｎｍの
Ａｒレーザである。そして、サンプルＳに４８８ｎｍの
Ａｒレーザをθが５°の角度で低角照射し、サンプルＳ
からの散乱光のうち照射光線と９０°方向の散乱光を測
定器（トリプルスペクトロメータ）で分光測定する。測
定時間（積算時間）は１０分とし、少なくとも三点以上
測定し、平均値を求める。ピーク強度を求める為には、
先ず、ブランクレベルを調べる。すなわち、トリプルス
ペクトロメータにサンプルＳをセットせず、１０分間ト
リプルスペクトロメータを作動させ、トリプルスペクト
ロメータのブランクレベルを調べる。この後、トリプル
スペクトロメータにサンプルＳをセットし、１０分間ト
リプルスペクトロメータを作動させ、ラマン分光スペク
トルを得、前記ブランクレベルを基準として各領域にお
けるピーク点の強度（ピーク点におけるブランクレベル
からピーク値までの高さ）を求める。これについて三点
以上測定し、平均値を求める。詳細は特願平７−３００
９１９号の明細書に記載されているから、これを参考に
すれば良い。
けるピークの求め方について簡単に説明する。測定装置
としては、スペックス社のトリプルスペクトロメータを
用いた。光源は、３００ｍＷ出力の波長が４８８ｎｍの
Ａｒレーザである。そして、サンプルＳに４８８ｎｍの
Ａｒレーザをθが５°の角度で低角照射し、サンプルＳ
からの散乱光のうち照射光線と９０°方向の散乱光を測
定器（トリプルスペクトロメータ）で分光測定する。測
定時間（積算時間）は１０分とし、少なくとも三点以上
測定し、平均値を求める。ピーク強度を求める為には、
先ず、ブランクレベルを調べる。すなわち、トリプルス
ペクトロメータにサンプルＳをセットせず、１０分間ト
リプルスペクトロメータを作動させ、トリプルスペクト
ロメータのブランクレベルを調べる。この後、トリプル
スペクトロメータにサンプルＳをセットし、１０分間ト
リプルスペクトロメータを作動させ、ラマン分光スペク
トルを得、前記ブランクレベルを基準として各領域にお
けるピーク点の強度（ピーク点におけるブランクレベル
からピーク値までの高さ）を求める。これについて三点
以上測定し、平均値を求める。詳細は特願平７−３００
９１９号の明細書に記載されているから、これを参考に
すれば良い。
【００１４】そして、上記の特徴を有する保護膜は、Ｆ
成分による滑性効果が著しく、従って摩擦係数が低く、
耐久性に富む。又、保護膜は、磁性膜と反対側の表面に
あってはＣ成分量よりＦ成分量の方が多い。又、保護膜
は、磁性膜と反対側の表面から磁性膜に近づくに従って
Ｆ成分量／Ｃ成分量が減少する。例えば、保護膜は、こ
の保護膜のオージェ電子分光スペクトルにおいて、保護
膜表面からＣ成分が磁性膜の主成分より多い領域の割合
をＡ、保護膜表面からＦ成分がＣ成分より多い領域の割
合をＢとした場合、０≦Ｂ／Ａ≦０．９５（特に、０．
０５≦Ｂ／Ａ≦０．６）を満たす。
成分による滑性効果が著しく、従って摩擦係数が低く、
耐久性に富む。又、保護膜は、磁性膜と反対側の表面に
あってはＣ成分量よりＦ成分量の方が多い。又、保護膜
は、磁性膜と反対側の表面から磁性膜に近づくに従って
Ｆ成分量／Ｃ成分量が減少する。例えば、保護膜は、こ
の保護膜のオージェ電子分光スペクトルにおいて、保護
膜表面からＣ成分が磁性膜の主成分より多い領域の割合
をＡ、保護膜表面からＦ成分がＣ成分より多い領域の割
合をＢとした場合、０≦Ｂ／Ａ≦０．９５（特に、０．
０５≦Ｂ／Ａ≦０．６）を満たす。
【００１５】本発明におけるＣ成分量やＦ成分量、更に
はＦ成分量／Ｃ成分量は、オージェ電子分光特性を調べ
ることによって求められる。測定条件を次に示す。電子
銃；加速電圧１０ｋｖ，エミッション電流１０ｎＡ，倍
率２０００倍。エッチング条件；エッチングガスはアル
ゴン，加速電圧３ｋｖ，イオン電流３００ｎＡ，３０秒
毎にエッチング。
はＦ成分量／Ｃ成分量は、オージェ電子分光特性を調べ
ることによって求められる。測定条件を次に示す。電子
銃；加速電圧１０ｋｖ，エミッション電流１０ｎＡ，倍
率２０００倍。エッチング条件；エッチングガスはアル
ゴン，加速電圧３ｋｖ，イオン電流３００ｎＡ，３０秒
毎にエッチング。
【００１６】尚、保護膜上に潤滑剤が設けられたものに
ついてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペクト
ルを調べると、潤滑剤のＣ−Ｃ，Ｃ−Ｈ，Ｃ−Ｆ結合に
起因するピークが認められることも有る。このような場
合には、この潤滑剤のＣ−Ｃ，Ｃ−Ｈ，Ｃ−Ｆ結合に起
因するピークを除去した状態におけるピークを求める。
あるいは、潤滑剤を予め除去し、これについてトリプル
スペクトロメータでラマン分光スペクトルを調べる。潤
滑剤の除去は、パーフルオロポリエーテル等の希釈剤に
よる洗浄や、Ａｒプラズマを用いたプラズマエッチング
（例えば、反応ガス；Ａｒ。反応ガス流量；９．０×１
０-6Ｔｏｒｒの真空度から２０×１０-3Ｔｏｒｒに。μ
波出力；３００ｗ。搬送速度；１ｍ／ｍｉｎの条件下で
のＥＣＲ−ＣＶＤ）を行うことにより可能である。
ついてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペクト
ルを調べると、潤滑剤のＣ−Ｃ，Ｃ−Ｈ，Ｃ−Ｆ結合に
起因するピークが認められることも有る。このような場
合には、この潤滑剤のＣ−Ｃ，Ｃ−Ｈ，Ｃ−Ｆ結合に起
因するピークを除去した状態におけるピークを求める。
あるいは、潤滑剤を予め除去し、これについてトリプル
スペクトロメータでラマン分光スペクトルを調べる。潤
滑剤の除去は、パーフルオロポリエーテル等の希釈剤に
よる洗浄や、Ａｒプラズマを用いたプラズマエッチング
（例えば、反応ガス；Ａｒ。反応ガス流量；９．０×１
０-6Ｔｏｒｒの真空度から２０×１０-3Ｔｏｒｒに。μ
波出力；３００ｗ。搬送速度；１ｍ／ｍｉｎの条件下で
のＥＣＲ−ＣＶＤ）を行うことにより可能である。
【００１７】又、オージェ電子分光スペクトルを調べる
場合にも潤滑剤を予め除去しておく。本発明の磁気記録
媒体における支持体は、磁性を有するものでも、非磁性
のものでも良い。一般的には非磁性のものである。例え
ば、ＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化
ビニル系の樹脂といったフレキシブルな高分子材料が用
いられる。
場合にも潤滑剤を予め除去しておく。本発明の磁気記録
媒体における支持体は、磁性を有するものでも、非磁性
のものでも良い。一般的には非磁性のものである。例え
ば、ＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化
ビニル系の樹脂といったフレキシブルな高分子材料が用
いられる。
【００１８】このフレキシブルな支持体上に、蒸着やス
パッタ等の乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が５００〜５０００Å厚さ設けられる。金属薄膜型の磁
性膜を形成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられ
る。尚、金属薄膜型の磁性膜としては、前記材料の窒化
物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例え
ば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
パッタ等の乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が５００〜５０００Å厚さ設けられる。金属薄膜型の磁
性膜を形成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられ
る。尚、金属薄膜型の磁性膜としては、前記材料の窒化
物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例え
ば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
【００１９】この金属磁性膜上に１０〜５００Å、特に
３０〜２００Å程度の保護膜が設けられる。この保護膜
は上記特徴を有するものである。このような保護膜は、
例えばＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて成
膜できる。例えば、図１に示すＥＣＲマイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置（１はプラズマ反応管、２ａ，２ｂ，…，
２ｎは供給ノズル、３はＥＣＲ用コイル、４はμ波の導
波管、５は冷却キャンロール、６は金属磁性膜が設けら
れた支持体）のプラズマ反応管１の先端側に上から下
（上が支持体の走行方向における上流側、下は走行方向
における下流側）に向けて反応ガス（例えば、炭化水素
ガス＋フッ素系のガスとの混合ガス）を供給する複数本
の供給ノズル２ａ，２ｂ，…２ｎを設けておき、上側の
供給ノズル（走行する支持体の上流側の供給ノズル）２
ａから下側の反応ガス供給ノズル（走行する支持体の下
流側の供給ノズル）２ｎに移行するにつれて供給するフ
ッ素系の反応ガスの量（分圧）を増やす手法、或いは図
１に示すＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置において
供給ノズル２ａ，２ｂ，…２ｎにおける上側の反応ガス
供給ノズル２ａから下側の反応ガス供給ノズル２ｎに移
行するにつれて供給するフッ素系の反応ガスの分子量を
増やす手法、若しくは図１に示すＥＣＲマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置において供給ノズル２ａ，２ｂ，…２ｎ
における上側の反応ガス供給ノズル２ａから下側の反応
ガス供給ノズル２ｎに移行するにつれて供給する炭化水
素ガスの分子量を減少させる手法などが考えられる。
又、炭化水素ガス＋フッ素系のガスとの混合ガスではな
く、フッ素置換された炭化水素ガスを用い、同様にＣ量
とＦ量とを制御して行っても本発明の保護膜が得られ
る。
３０〜２００Å程度の保護膜が設けられる。この保護膜
は上記特徴を有するものである。このような保護膜は、
例えばＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて成
膜できる。例えば、図１に示すＥＣＲマイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置（１はプラズマ反応管、２ａ，２ｂ，…，
２ｎは供給ノズル、３はＥＣＲ用コイル、４はμ波の導
波管、５は冷却キャンロール、６は金属磁性膜が設けら
れた支持体）のプラズマ反応管１の先端側に上から下
（上が支持体の走行方向における上流側、下は走行方向
における下流側）に向けて反応ガス（例えば、炭化水素
ガス＋フッ素系のガスとの混合ガス）を供給する複数本
の供給ノズル２ａ，２ｂ，…２ｎを設けておき、上側の
供給ノズル（走行する支持体の上流側の供給ノズル）２
ａから下側の反応ガス供給ノズル（走行する支持体の下
流側の供給ノズル）２ｎに移行するにつれて供給するフ
ッ素系の反応ガスの量（分圧）を増やす手法、或いは図
１に示すＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置において
供給ノズル２ａ，２ｂ，…２ｎにおける上側の反応ガス
供給ノズル２ａから下側の反応ガス供給ノズル２ｎに移
行するにつれて供給するフッ素系の反応ガスの分子量を
増やす手法、若しくは図１に示すＥＣＲマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置において供給ノズル２ａ，２ｂ，…２ｎ
における上側の反応ガス供給ノズル２ａから下側の反応
ガス供給ノズル２ｎに移行するにつれて供給する炭化水
素ガスの分子量を減少させる手法などが考えられる。
又、炭化水素ガス＋フッ素系のガスとの混合ガスではな
く、フッ素置換された炭化水素ガスを用い、同様にＣ量
とＦ量とを制御して行っても本発明の保護膜が得られ
る。
【００２０】尚、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤを行
う条件は、次の通りである。 排気真空度；＜１．０×１０-1Ｔｏｒｒ 供給ガスのトータル量；真空度により規定 １．２×１０-1〜１．２×１０-5Ｔｏｒｒ μ波振動周波数；２．４５ＧＨｚ μ波出力；５０〜１０００ｗ 共鳴点磁場（ＥＣＲ−Ｐｏｉｎｔ磁場）；８７５Ｇａｕ
ｓｓ 上記のようにして金属磁性膜や保護膜が成膜された後、
必要に応じて、フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音
波噴霧などの手段により２０〜７０Å程度の厚さ設けら
れる。尚、言うまでもないが、本発明の保護膜であれ
ば、潤滑剤がなくても摩擦係数は小さく、走行性に優れ
たものであるが、より一層の走行性を確保する為、必要
に応じて潤滑剤の膜が設けられる。
う条件は、次の通りである。 排気真空度；＜１．０×１０-1Ｔｏｒｒ 供給ガスのトータル量；真空度により規定 １．２×１０-1〜１．２×１０-5Ｔｏｒｒ μ波振動周波数；２．４５ＧＨｚ μ波出力；５０〜１０００ｗ 共鳴点磁場（ＥＣＲ−Ｐｏｉｎｔ磁場）；８７５Ｇａｕ
ｓｓ 上記のようにして金属磁性膜や保護膜が成膜された後、
必要に応じて、フッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超音
波噴霧などの手段により２０〜７０Å程度の厚さ設けら
れる。尚、言うまでもないが、本発明の保護膜であれ
ば、潤滑剤がなくても摩擦係数は小さく、走行性に優れ
たものであるが、より一層の走行性を確保する為、必要
に応じて潤滑剤の膜が設けられる。
【００２１】
【実施例１】図２は、本発明になる８ｍｍＶＴＲ用磁気
テープの第１実施例の概略図である。図２中、１１は約
６μｍ厚のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製支
持体である。
テープの第１実施例の概略図である。図２中、１１は約
６μｍ厚のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製支
持体である。
【００２２】１２は、支持体１１表面に斜め蒸着法によ
り設けられた２０００Å厚のＣｏ金属磁性膜である。１
３は、支持体１裏面上に蒸着法により設けられた２００
０Å厚のＡｌ−Ｃｕ合金膜（バックコート層）である。
１４は１２０Å厚の保護膜である。この保護膜１４を、
スペックス社製のトリプル スペクトロメータを用い、
出力３００ｍＷのＡｒレーザ（波長４８８ｎｍ）を照射
して得られたラマン分光スペクトルが図３に示される。
そして、ブランクレベルを差し引き、かつ、バックグラ
ウンドの傾斜分も差し引いたものをガウス関数により誤
差最小となるようにピーク分離したので、その結果を図
４に示す。これによれば、１５２０ｃｍ-1の領域にダイ
ヤモンドライクカーボンに起因する強度ＩG が２４００
ｃｐｓで、半値幅が９６ｃｍ-1のブロードなピークと、
１５６２ｃｍ-1の領域にＣ−Ｆ結合に起因する強度ＩCF
が３１３８ｃｐｓで、半値幅が１６ｃｍ-1のシャープな
ピークを有することが判る。更に、オージェ電子分光ス
ペクトルが図５〜図７に示される。これによれば、保護
膜表面（磁性膜と反対側における表面。特に、保護膜表
面からＣ成分が磁性膜の主成分より多い領域の割合を
Ａ、保護膜表面からＦ成分がＣ成分より多い領域の割合
をＢとした場合、Ｂ／Ａ＜０．４１の範囲内）にあって
はＣ成分量よりＦ成分量の方が多いものであることが判
る（図５，６）。又、保護膜は、磁性膜と反対側の表面
から磁性膜に近づくに従ってＦ成分量／Ｃ成分量が減少
するものであることも判る（図７）。
り設けられた２０００Å厚のＣｏ金属磁性膜である。１
３は、支持体１裏面上に蒸着法により設けられた２００
０Å厚のＡｌ−Ｃｕ合金膜（バックコート層）である。
１４は１２０Å厚の保護膜である。この保護膜１４を、
スペックス社製のトリプル スペクトロメータを用い、
出力３００ｍＷのＡｒレーザ（波長４８８ｎｍ）を照射
して得られたラマン分光スペクトルが図３に示される。
そして、ブランクレベルを差し引き、かつ、バックグラ
ウンドの傾斜分も差し引いたものをガウス関数により誤
差最小となるようにピーク分離したので、その結果を図
４に示す。これによれば、１５２０ｃｍ-1の領域にダイ
ヤモンドライクカーボンに起因する強度ＩG が２４００
ｃｐｓで、半値幅が９６ｃｍ-1のブロードなピークと、
１５６２ｃｍ-1の領域にＣ−Ｆ結合に起因する強度ＩCF
が３１３８ｃｐｓで、半値幅が１６ｃｍ-1のシャープな
ピークを有することが判る。更に、オージェ電子分光ス
ペクトルが図５〜図７に示される。これによれば、保護
膜表面（磁性膜と反対側における表面。特に、保護膜表
面からＣ成分が磁性膜の主成分より多い領域の割合を
Ａ、保護膜表面からＦ成分がＣ成分より多い領域の割合
をＢとした場合、Ｂ／Ａ＜０．４１の範囲内）にあって
はＣ成分量よりＦ成分量の方が多いものであることが判
る（図５，６）。又、保護膜は、磁性膜と反対側の表面
から磁性膜に近づくに従ってＦ成分量／Ｃ成分量が減少
するものであることも判る（図７）。
【００２３】尚、保護膜１４は、図１のＥＣＲマイクロ
波プラズマＣＶＤ装置（供給ノズルは２本）を用い、上
側の供給ノズルには（ＣＦ4 量）／（ＣＦ4 量＋ＣＨ4
量）が４ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍの割合で、下側の供給
ノズルには（ＣＦ4 量）／（ＣＦ4 量＋ＣＨ4 量）が１
６ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍの割合で供給し、μ波の出力
は３００ｗ、成膜真空度が２．０×１０-3Ｔｏｒｒ、膜
厚１０Åの条件下で成膜したものである。
波プラズマＣＶＤ装置（供給ノズルは２本）を用い、上
側の供給ノズルには（ＣＦ4 量）／（ＣＦ4 量＋ＣＨ4
量）が４ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍの割合で、下側の供給
ノズルには（ＣＦ4 量）／（ＣＦ4 量＋ＣＨ4 量）が１
６ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍの割合で供給し、μ波の出力
は３００ｗ、成膜真空度が２．０×１０-3Ｔｏｒｒ、膜
厚１０Åの条件下で成膜したものである。
【００２４】
【実施例２】図１のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置（供給ノズルは２本）を用い、上側の供給ノズルには
ＣＦ4 とＣＨ4 との混合ガス（混合比は１：４）を２０
ｓｃｃｍの割合で、下側の供給ノズルにはＣ2 Ｆ6 とＣ
Ｈ4 との混合ガス（混合比は１：４）を２０ｓｃｃｍの
割合で供給した以外は実施例１に準じて行った。
置（供給ノズルは２本）を用い、上側の供給ノズルには
ＣＦ4 とＣＨ4 との混合ガス（混合比は１：４）を２０
ｓｃｃｍの割合で、下側の供給ノズルにはＣ2 Ｆ6 とＣ
Ｈ4 との混合ガス（混合比は１：４）を２０ｓｃｃｍの
割合で供給した以外は実施例１に準じて行った。
【００２５】このようにして形成された１２０Å厚の保
護膜１４を、スペックス社製のトリプル スペクトロメ
ータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ（波長４８８
ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペクトルが図８
に示される。そして、ブランクレベルを差し引き、か
つ、バックグラウンドの傾斜分も差し引いたものをガウ
ス関数により誤差最小となるようにピーク分離したの
で、その結果を図９に示す。これによれば、１５２０ｃ
ｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因する強
度ＩG が３２４０ｃｐｓで、半値幅が９６ｃｍ-1のブロ
ードなピークと、１５７３ｃｍ-1の領域にＣ−Ｆ結合に
起因する強度ＩCFが２５２０ｃｐｓで、半値幅が２１．
６ｃｍ-1のシャープなピークを有することが判る。更
に、オージェ電子分光スペクトルが図１０，図１１に示
される。これによれば、保護膜表面（磁性膜と反対側に
おける表面。特に、保護膜表面からＣ成分が磁性膜の主
成分より多い領域の割合をＡ、保護膜表面からＦ成分が
Ｃ成分より多い領域の割合をＢとした場合、Ｂ／Ａ＜
０．５６の範囲内）にあってはＣ成分量よりＦ成分量の
方が多いものであることが判る（図１０）。又、保護膜
は、磁性膜と反対側の表面から磁性膜に近づくに従って
Ｆ成分量／Ｃ成分量が減少するものであることも判る
（図１１）。
護膜１４を、スペックス社製のトリプル スペクトロメ
ータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ（波長４８８
ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペクトルが図８
に示される。そして、ブランクレベルを差し引き、か
つ、バックグラウンドの傾斜分も差し引いたものをガウ
ス関数により誤差最小となるようにピーク分離したの
で、その結果を図９に示す。これによれば、１５２０ｃ
ｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因する強
度ＩG が３２４０ｃｐｓで、半値幅が９６ｃｍ-1のブロ
ードなピークと、１５７３ｃｍ-1の領域にＣ−Ｆ結合に
起因する強度ＩCFが２５２０ｃｐｓで、半値幅が２１．
６ｃｍ-1のシャープなピークを有することが判る。更
に、オージェ電子分光スペクトルが図１０，図１１に示
される。これによれば、保護膜表面（磁性膜と反対側に
おける表面。特に、保護膜表面からＣ成分が磁性膜の主
成分より多い領域の割合をＡ、保護膜表面からＦ成分が
Ｃ成分より多い領域の割合をＢとした場合、Ｂ／Ａ＜
０．５６の範囲内）にあってはＣ成分量よりＦ成分量の
方が多いものであることが判る（図１０）。又、保護膜
は、磁性膜と反対側の表面から磁性膜に近づくに従って
Ｆ成分量／Ｃ成分量が減少するものであることも判る
（図１１）。
【００２６】
【実施例３】図１のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置（供給ノズルは２本）を用い、上側の供給ノズルには
ＣＦ4 とＣ2 Ｈ6 との混合ガス（混合比は１：４）を２
０ｓｃｃｍの割合で、下側の供給ノズルにはＣＦ4 とＣ
Ｈ4 との混合ガス（混合比は１：４）を２０ｓｃｃｍの
割合で供給した以外は実施例１に準じて行った。
置（供給ノズルは２本）を用い、上側の供給ノズルには
ＣＦ4 とＣ2 Ｈ6 との混合ガス（混合比は１：４）を２
０ｓｃｃｍの割合で、下側の供給ノズルにはＣＦ4 とＣ
Ｈ4 との混合ガス（混合比は１：４）を２０ｓｃｃｍの
割合で供給した以外は実施例１に準じて行った。
【００２７】このようにして形成された１２０Å厚の保
護膜１４を、スペックス社製のトリプル スペクトロメ
ータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ（波長４８８
ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペクトルが図１
２に示される。そして、ブランクレベルを差し引き、か
つ、バックグラウンドの傾斜分も差し引いたものをガウ
ス関数により誤差最小となるようにピーク分離したの
で、その結果を図１３に示す。これによれば、１５２０
ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因する
強度ＩG が４４００ｃｐｓで、半値幅が１０４ｃｍ-1の
ブロードなピークと、１５６２ｃｍ-1の領域にＣ−Ｆ結
合に起因する強度ＩCFが３７４０ｃｐｓで、半値幅が１
６ｃｍ-1のシャープなピークを有することが判る。更
に、オージェ電子分光スペクトルが図１４，図１５に示
される。これによれば、保護膜表面（磁性膜と反対側に
おける表面。特に、保護膜表面からＣ成分が磁性膜の主
成分より多い領域の割合をＡ、保護膜表面からＦ成分が
Ｃ成分より多い領域の割合をＢとした場合、Ｂ／Ａ＜
０．９０の範囲内）にあってはＣ成分量よりＦ成分量の
方が多いものであることが判る（図１４）。又、保護膜
は、磁性膜と反対側の表面から磁性膜に近づくに従って
Ｆ成分量／Ｃ成分量が減少するものであることも判る
（図１５）。
護膜１４を、スペックス社製のトリプル スペクトロメ
ータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ（波長４８８
ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペクトルが図１
２に示される。そして、ブランクレベルを差し引き、か
つ、バックグラウンドの傾斜分も差し引いたものをガウ
ス関数により誤差最小となるようにピーク分離したの
で、その結果を図１３に示す。これによれば、１５２０
ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因する
強度ＩG が４４００ｃｐｓで、半値幅が１０４ｃｍ-1の
ブロードなピークと、１５６２ｃｍ-1の領域にＣ−Ｆ結
合に起因する強度ＩCFが３７４０ｃｐｓで、半値幅が１
６ｃｍ-1のシャープなピークを有することが判る。更
に、オージェ電子分光スペクトルが図１４，図１５に示
される。これによれば、保護膜表面（磁性膜と反対側に
おける表面。特に、保護膜表面からＣ成分が磁性膜の主
成分より多い領域の割合をＡ、保護膜表面からＦ成分が
Ｃ成分より多い領域の割合をＢとした場合、Ｂ／Ａ＜
０．９０の範囲内）にあってはＣ成分量よりＦ成分量の
方が多いものであることが判る（図１４）。又、保護膜
は、磁性膜と反対側の表面から磁性膜に近づくに従って
Ｆ成分量／Ｃ成分量が減少するものであることも判る
（図１５）。
【００２８】
【比較例１】図１のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置（供給ノズルは１本）を用い、供給ノズルにＣＨ4 ガ
スを２０ｓｃｃｍの割合で供給した以外は実施例１に準
じて行った。このようにして形成された１２０Å厚の保
護膜１４を、スペックス社製のトリプル スペクトロメ
ータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ（波長４８８
ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペクトルが図１
６に示される。そして、ブランクレベルを差し引き、か
つ、バックグラウンドの傾斜分も差し引いたものをガウ
ス関数により誤差最小となるようにピーク分離を試みた
たので、その結果を図１７に示す。これによれば、１５
２０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因
する強度ＩG が２９２６ｃｐｓで、半値幅が９８ｃｍ-1
のブロードなピークが認められる。しかし、前記実施例
のラマン分光スペクトルで認められたシャープなピーク
は認められなかった。更に、オージェ電子分光スペクト
ルが図１８，図１９に示されるが、Ｆ成分は認められな
い。
置（供給ノズルは１本）を用い、供給ノズルにＣＨ4 ガ
スを２０ｓｃｃｍの割合で供給した以外は実施例１に準
じて行った。このようにして形成された１２０Å厚の保
護膜１４を、スペックス社製のトリプル スペクトロメ
ータを用い、出力３００ｍＷのＡｒレーザ（波長４８８
ｎｍ）を照射して得られたラマン分光スペクトルが図１
６に示される。そして、ブランクレベルを差し引き、か
つ、バックグラウンドの傾斜分も差し引いたものをガウ
ス関数により誤差最小となるようにピーク分離を試みた
たので、その結果を図１７に示す。これによれば、１５
２０ｃｍ-1の領域にダイヤモンドライクカーボンに起因
する強度ＩG が２９２６ｃｐｓで、半値幅が９８ｃｍ-1
のブロードなピークが認められる。しかし、前記実施例
のラマン分光スペクトルで認められたシャープなピーク
は認められなかった。更に、オージェ電子分光スペクト
ルが図１８，図１９に示されるが、Ｆ成分は認められな
い。
【００２９】
【特性】上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープにつ
いて、保護膜表面の摩擦係数を調べたので、それを表−
１に示す。又、スチル耐久性（２０℃、５０％ＲＨの雰
囲気下でスチル再生を行い、出力が３ｄＢ低下するに要
した時間）についても調べたので、その結果を併せて表
−１に示す。
いて、保護膜表面の摩擦係数を調べたので、それを表−
１に示す。又、スチル耐久性（２０℃、５０％ＲＨの雰
囲気下でスチル再生を行い、出力が３ｄＢ低下するに要
した時間）についても調べたので、その結果を併せて表
−１に示す。
【００３０】 この結果から、磁気テープの金属磁性膜上に設けられる
保護膜が本発明になるものの場合、滑性に富み、摩擦係
数が小さく、耐久性に優れたものである。
保護膜が本発明になるものの場合、滑性に富み、摩擦係
数が小さく、耐久性に優れたものである。
【００３１】
【発明の効果】耐久性に優れたものが得られる。
【図１】保護膜成膜用のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置
Ｄ装置
【図２】本発明になる磁気テープの概略図
【図３】実施例１の磁気テープの保護膜のラマン分光ス
ペクトル
ペクトル
【図４】実施例１におけるラマン分光スペクトルをピー
ク分離したスペクトル
ク分離したスペクトル
【図５】実施例１の磁気テープのオージェ電子分光スペ
クトル
クトル
【図６】実施例１の磁気テープの保護膜のオージェ電子
分光スペクトル
分光スペクトル
【図７】実施例１の磁気テープの保護膜のオージェ電子
分光スペクトル
分光スペクトル
【図８】実施例２の磁気テープの保護膜のラマン分光ス
ペクトル
ペクトル
【図９】実施例２におけるラマン分光スペクトルをピー
ク分離したスペクトル
ク分離したスペクトル
【図１０】実施例２の磁気テープの保護膜のオージェ電
子分光スペクトル
子分光スペクトル
【図１１】実施例２の磁気テープの保護膜のオージェ電
子分光スペクトル
子分光スペクトル
【図１２】実施例３の磁気テープの保護膜のラマン分光
スペクトル
スペクトル
【図１３】実施例３におけるラマン分光スペクトルをピ
ーク分離したスペクトル
ーク分離したスペクトル
【図１４】実施例３の磁気テープの保護膜のオージェ電
子分光スペクトル
子分光スペクトル
【図１５】実施例３の磁気テープの保護膜のオージェ電
子分光スペクトル
子分光スペクトル
【図１６】比較例１の磁気テープの保護膜のラマン分光
スペクトル
スペクトル
【図１７】比較例１におけるラマン分光スペクトルをピ
ーク分離したスペクトル
ーク分離したスペクトル
【図１８】比較例１の磁気テープの保護膜のオージェ電
子分光スペクトル
子分光スペクトル
【図１９】比較例１の磁気テープの保護膜のオージェ電
子分光スペクトル
子分光スペクトル
１１ 支持体 １２ 金属磁性膜 １３ バックコート層 １４ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (10)
- 【請求項１】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、 前記保護膜は、 Ｃ成分とＦ成分とを有するものであり、 かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±６０
ｃｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1以上のブロードなピ
ークを有すると共に、１５５０±４０ｃｍ-1の領域に半
値幅が６０ｃｍ-1以下のシャープなピークを有するもの
であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、 前記保護膜は、 Ｃ−Ｆ結合がある炭素系膜であり、 かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±６０
ｃｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1以上のブロードなピ
ークを有すると共に、１５５０±４０ｃｍ-1の領域に半
値幅が６０ｃｍ-1以下のシャープなピークを有するもの
であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体において、 前記保護膜は、 フッ化炭素が存在するダイヤモンドライクカーボン系膜
であり、 かつ、ラマン分光スペクトルにおいて、１５５０±６０
ｃｍ-1の領域に半値幅が７０ｃｍ-1以上のブロードなピ
ークを有すると共に、１５５０±４０ｃｍ-1の領域に半
値幅が６０ｃｍ-1以下のシャープなピークを有するもの
であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項４】 保護膜は、磁性膜と反対側の表面にあっ
てはＣ成分量よりＦ成分量の方が多いものであることを
特徴とする請求項１〜請求項３いずれかの磁気記録媒
体。 - 【請求項５】 保護膜は、磁性膜と反対側の表面から磁
性膜に近づくに従ってＦ成分量／Ｃ成分量が減少するも
のであることを特徴とする請求項１〜請求項４いずれか
の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 保護膜は、この保護膜のオージェ電子分
光スペクトルにおいて、保護膜表面からＣ成分が磁性膜
の主成分より多い領域の割合をＡ、保護膜表面からＦ成
分がＣ成分より多い領域の割合をＢとした場合、０≦Ｂ
／Ａ≦０．９５を満たすものであることを特徴とする請
求項１〜請求項５いずれかの磁気記録媒体。 - 【請求項７】 ブロードなピークは半値幅が７０〜３０
０ｃｍ-1のものであり、シャープなピークは半値幅が２
〜６０ｃｍ-1のものであることを特徴とする請求項１〜
請求項３いずれかの磁気記録媒体。 - 【請求項８】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体の製造方法において、前記保護膜はｎ個（ｎは
自然数）のガス供給機構が設けられたプラズマ反応管を
有するＥＣＲ−ＣＶＤ手段により成膜されるものであ
り、 前記ｎ個のガス供給機構から供給される炭化水素系ガス
とフッ素系ガスとの混合ガスは、走行する支持体の下流
側にあるガス供給機構ほどフッ素系ガスの分圧が高いも
のであることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気
記録媒体の製造方法において、前記保護膜はｎ個（ｎは
自然数）のガス供給機構が設けられたプラズマ反応管を
有するＥＣＲ−ＣＶＤ手段により成膜されるものであ
り、 前記ｎ個のガス供給機構から供給される炭化水素系ガス
とフッ素系ガスとの混合ガスは、走行する支持体の下流
側にあるガス供給機構ほど分子量の大きなフッ素系ガス
が用いられるものであることを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項１０】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁
気記録媒体の製造方法において、前記保護膜はｎ個（ｎ
は自然数）のガス供給機構が設けられたプラズマ反応管
を有するＥＣＲ−ＣＶＤ手段により成膜されるものであ
り、 前記ｎ個のガス供給機構から供給される炭化水素系ガス
とフッ素系ガスとの混合ガスは、走行する支持体の下流
側にあるガス供給機構ほど分子量の小さな炭化水素系ガ
スが用いられるものであることを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9977696A JPH09288817A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9977696A JPH09288817A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09288817A true JPH09288817A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14256362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9977696A Pending JPH09288817A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09288817A (ja) |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP9977696A patent/JPH09288817A/ja active Pending
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