JPH09185821A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH09185821A JPH09185821A JP23096A JP23096A JPH09185821A JP H09185821 A JPH09185821 A JP H09185821A JP 23096 A JP23096 A JP 23096A JP 23096 A JP23096 A JP 23096A JP H09185821 A JPH09185821 A JP H09185821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- dlc
- layers
- base film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スチル耐久性の向上した蒸着型磁気記録媒体
の提供。 【解決手段】 ベースフィルム１上に第１及び第２の磁
性層２，３を成膜し、ベースフィルム１と第１の磁性層
の間、第１及び第２の磁性層の間、及び第２の磁性層上
にＤＬＣ層４，５，６を形成する。これらのＤＬＣ層
は、層中の蛍光有機分子の量がＤＬＣ層４＞ＤＬＣ層５
＞ＤＬＣ層６となるように成膜されている。最上層のＤ
ＬＣ層６は、好ましくはラマン分光分析における1550±
50cm-1におけるバックグラウンド強度（Ib）とピーク強
度（Ig）の比が0.56≦Ib6／Ig6＜１なる関係を満たす。
の提供。 【解決手段】 ベースフィルム１上に第１及び第２の磁
性層２，３を成膜し、ベースフィルム１と第１の磁性層
の間、第１及び第２の磁性層の間、及び第２の磁性層上
にＤＬＣ層４，５，６を形成する。これらのＤＬＣ層
は、層中の蛍光有機分子の量がＤＬＣ層４＞ＤＬＣ層５
＞ＤＬＣ層６となるように成膜されている。最上層のＤ
ＬＣ層６は、好ましくはラマン分光分析における1550±
50cm-1におけるバックグラウンド強度（Ib）とピーク強
度（Ig）の比が0.56≦Ib6／Ig6＜１なる関係を満たす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は金属薄膜型の磁気記
録媒体に関し、詳しくはスチル耐久性が良好で、ベース
フィルムと磁性層との結着性が向上した磁気記録媒体に
関する。
録媒体に関し、詳しくはスチル耐久性が良好で、ベース
フィルムと磁性層との結着性が向上した磁気記録媒体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】蒸着型の磁気記録媒体は、塗布型の磁気
記録媒体等と比べて飽和磁化が大きく、高密度記録に適
したものであり、種々の応用分野において利用されてい
る。こうした蒸着型の磁気記録媒体において、蒸着され
る磁性層を多層構造とし、電気的特性及び磁気的特性の
向上を図ることが行われている。
記録媒体等と比べて飽和磁化が大きく、高密度記録に適
したものであり、種々の応用分野において利用されてい
る。こうした蒸着型の磁気記録媒体において、蒸着され
る磁性層を多層構造とし、電気的特性及び磁気的特性の
向上を図ることが行われている。
【０００３】また一方、こうした磁気記録媒体において
は、近年、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）薄膜
の使用が注目されている。ＤＬＣ薄膜は、グラファイト
結合とダイヤモンド結合が混在する非晶質の炭素薄膜で
あり、硬度や摺動などに関する優れた特性の故に、例え
ば磁気記録媒体の磁性層保護膜として使用されている。
また例えば本出願人の特願平6-235335号においては、磁
性層を磁気分離することによりＳ／Ｎを向上させ、かつ
ドロップアウトの減少を図るために、磁性層の間にＤＬ
Ｃ層を設けることが提案されている。さらに本出願人の
特願平6-235336号には、スチル耐久性の向上を目的とし
て、ベースフィルム上の磁性層をＤＬＣ層で挟み込むこ
とが提案されている。
は、近年、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）薄膜
の使用が注目されている。ＤＬＣ薄膜は、グラファイト
結合とダイヤモンド結合が混在する非晶質の炭素薄膜で
あり、硬度や摺動などに関する優れた特性の故に、例え
ば磁気記録媒体の磁性層保護膜として使用されている。
また例えば本出願人の特願平6-235335号においては、磁
性層を磁気分離することによりＳ／Ｎを向上させ、かつ
ドロップアウトの減少を図るために、磁性層の間にＤＬ
Ｃ層を設けることが提案されている。さらに本出願人の
特願平6-235336号には、スチル耐久性の向上を目的とし
て、ベースフィルム上の磁性層をＤＬＣ層で挟み込むこ
とが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ＤＬＣ
層を単に磁性層上の保護層としてだけでなく、異なる配
置関係で２つ以上採用することにより、磁気記録媒体の
特性を種々の面で向上させることができる。ところでこ
うしたＤＬＣ薄膜中には、ダイヤモンド結合やグラファ
イト結合を行っている炭素原子の他に、不飽和結合にあ
ずかる炭素原子が存在することが判っている。即ちＤＬ
Ｃ薄膜中には、有限個炭素が結合した分子や二重結合等
の様々な分子（蛍光有機分子）がランダムに存在してお
り、このような蛍光有機分子の存在の多寡によって、Ｄ
ＬＣ薄膜の特性も影響を受ける。本発明の課題は、これ
らの知見を基にして、特にスチル耐久性が良好であり、
しかも磁性層とベースフィルムとの結着性が向上し全体
として優れた耐久性を示すことのできる磁気記録媒体を
提供することである。
層を単に磁性層上の保護層としてだけでなく、異なる配
置関係で２つ以上採用することにより、磁気記録媒体の
特性を種々の面で向上させることができる。ところでこ
うしたＤＬＣ薄膜中には、ダイヤモンド結合やグラファ
イト結合を行っている炭素原子の他に、不飽和結合にあ
ずかる炭素原子が存在することが判っている。即ちＤＬ
Ｃ薄膜中には、有限個炭素が結合した分子や二重結合等
の様々な分子（蛍光有機分子）がランダムに存在してお
り、このような蛍光有機分子の存在の多寡によって、Ｄ
ＬＣ薄膜の特性も影響を受ける。本発明の課題は、これ
らの知見を基にして、特にスチル耐久性が良好であり、
しかも磁性層とベースフィルムとの結着性が向上し全体
として優れた耐久性を示すことのできる磁気記録媒体を
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による磁気記録媒
体は、ベースフィルム上に形成された少なくとも２つの
磁性層を有し、ベースフィルムと最下層の磁性層の間、
磁性層相互の間、及び最上層の磁性層上には合計で少な
くとも３つのＤＬＣ層が形成される。即ち磁性層が２層
の場合にはＤＬＣ層は３層、磁性層が３層の場合にはＤ
ＬＣ層は４層といった具合である。そしてこの少なくと
も３つのＤＬＣ層の各々における蛍光有機分子の量は、
ベースフィルムから遠いＤＬＣ層ほど少ない。即ちＤＬ
Ｃ層中の蛍光有機分子の量は、ベースフィルムから距離
が離れている層ほど少ない。量が少なければ、蛍光有機
分子はＤＬＣ層中においてフィラー状態となり、量が多
ければポリマー状態となる。かくして最もベースフィル
ムから遠いＤＬＣ層は蛍光有機分子の量が最も少なく、
従って他のＤＬＣ層よりも硬いものとされる。これは最
上層の磁性層上に存在し、磁気記録媒体の保護層として
機能する。逆に最もベースフィルムに近いＤＬＣ層は蛍
光分子の量が多いため、しなやかさを備えた膜となる。
このような膜はベースフィルムと最下層の磁性層との結
着性を高め、耐久性の向上に寄与する。なお「蛍光有機
分子」とは先にも触れたように、不飽和結合にあずかる
炭素原子による、有限個炭素が結合した分子や二重結合
等の様々な分子を指す。
体は、ベースフィルム上に形成された少なくとも２つの
磁性層を有し、ベースフィルムと最下層の磁性層の間、
磁性層相互の間、及び最上層の磁性層上には合計で少な
くとも３つのＤＬＣ層が形成される。即ち磁性層が２層
の場合にはＤＬＣ層は３層、磁性層が３層の場合にはＤ
ＬＣ層は４層といった具合である。そしてこの少なくと
も３つのＤＬＣ層の各々における蛍光有機分子の量は、
ベースフィルムから遠いＤＬＣ層ほど少ない。即ちＤＬ
Ｃ層中の蛍光有機分子の量は、ベースフィルムから距離
が離れている層ほど少ない。量が少なければ、蛍光有機
分子はＤＬＣ層中においてフィラー状態となり、量が多
ければポリマー状態となる。かくして最もベースフィル
ムから遠いＤＬＣ層は蛍光有機分子の量が最も少なく、
従って他のＤＬＣ層よりも硬いものとされる。これは最
上層の磁性層上に存在し、磁気記録媒体の保護層として
機能する。逆に最もベースフィルムに近いＤＬＣ層は蛍
光分子の量が多いため、しなやかさを備えた膜となる。
このような膜はベースフィルムと最下層の磁性層との結
着性を高め、耐久性の向上に寄与する。なお「蛍光有機
分子」とは先にも触れたように、不飽和結合にあずかる
炭素原子による、有限個炭素が結合した分子や二重結合
等の様々な分子を指す。
【０００６】好ましくは、ベースフィルムから最も遠い
ＤＬＣ層は、ラマン分光分析法による1550±50cm-1にお
けるバックグラウンド強度（Ib）とピーク強度（Ig）の
比Ib／Igが0.56≦Ib／Ig＜１なる関係を満たす。こうし
たＤＬＣ層では膜中に蛍光有機分子が適度に存在し、そ
れが膜中欠陥を補填し、適度な硬さとしなやかさとを備
えた膜となる。ラマン分光分析において1550±50cm-1に
おけるラマンバンドはグラファイトのピークを示してお
り、バックグラウンド強度Ibは上記した蛍光有機分子の
指標となる。即ち蛍光有機分子が多くなればバックグラ
ウンド強度Ibが増大し、比Ib／Igは大きくなると考える
ことができる。この観点から、比Ib／Igがベースフィル
ムから遠いＤＬＣ層ほど小さいものであれば、本発明に
おける有用な磁気記録媒体であるとするのが好適であ
る。
ＤＬＣ層は、ラマン分光分析法による1550±50cm-1にお
けるバックグラウンド強度（Ib）とピーク強度（Ig）の
比Ib／Igが0.56≦Ib／Ig＜１なる関係を満たす。こうし
たＤＬＣ層では膜中に蛍光有機分子が適度に存在し、そ
れが膜中欠陥を補填し、適度な硬さとしなやかさとを備
えた膜となる。ラマン分光分析において1550±50cm-1に
おけるラマンバンドはグラファイトのピークを示してお
り、バックグラウンド強度Ibは上記した蛍光有機分子の
指標となる。即ち蛍光有機分子が多くなればバックグラ
ウンド強度Ibが増大し、比Ib／Igは大きくなると考える
ことができる。この観点から、比Ib／Igがベースフィル
ムから遠いＤＬＣ層ほど小さいものであれば、本発明に
おける有用な磁気記録媒体であるとするのが好適であ
る。
【０００７】本発明の磁気記録媒体に用いられるベース
フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
エチレンナフタレートのようなポリエステル；ポリエチ
レン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；セルロース
トリアセテート、セルロースジアセテート等のセルロー
ス誘導体；ポリカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイ
ミド；芳香族ポリアミドといったプラスチックを使用す
ることができる。ベースフィルムの厚さは３〜50μm程
度である。
フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
エチレンナフタレートのようなポリエステル；ポリエチ
レン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；セルロース
トリアセテート、セルロースジアセテート等のセルロー
ス誘導体；ポリカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイ
ミド；芳香族ポリアミドといったプラスチックを使用す
ることができる。ベースフィルムの厚さは３〜50μm程
度である。
【０００８】ベースフィルム上に設けられる少なくとも
２つの磁性層を構成する磁性材料としては、通常の金属
薄膜型の磁気記録媒体の製造に用いられる強磁性金属材
料が挙げられる。例えばCo，Ni，Fe等の強磁性金属、或
いはFe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−Co−Ni、Fe−Cu、Co
−Cu、Co−Au、Co−Ｙ、Co−La、Co−Pr、Co−Gd、Co−
Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−Sb、Mn−Al、Fe−C
r、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、Ni−Co−Cr等の強磁
性合金が挙げられる。磁性層としては鉄の薄膜或いは鉄
を主体とする強磁性合金の薄膜が好ましく、特に鉄、コ
バルト、ニッケルを主体とする強磁性合金及びこれらの
窒化物又は炭化物から選ばれる少なくとも１種が好まし
い。また磁性層は、いわゆる斜め蒸着によって成膜する
ことが好ましい。本発明において磁性層は２層以上で設
けられるが、実用的な範囲としては２〜５が適当と考え
られる。磁性層の厚さは、２層の場合は下層100〜2000
Å、上層50〜1000Å程度が好ましく、３層の場合は下層
100〜2000Å、中間層100〜1000Å、上層50〜1000Å程度
が好ましい。また各磁性層表面の酸化層は、薄いほど好
ましい。酸化層が厚いとＤＬＣ層と合わせてスペーシン
グロスによる出力低下が起こる。
２つの磁性層を構成する磁性材料としては、通常の金属
薄膜型の磁気記録媒体の製造に用いられる強磁性金属材
料が挙げられる。例えばCo，Ni，Fe等の強磁性金属、或
いはFe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−Co−Ni、Fe−Cu、Co
−Cu、Co−Au、Co−Ｙ、Co−La、Co−Pr、Co−Gd、Co−
Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−Sb、Mn−Al、Fe−C
r、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、Ni−Co−Cr等の強磁
性合金が挙げられる。磁性層としては鉄の薄膜或いは鉄
を主体とする強磁性合金の薄膜が好ましく、特に鉄、コ
バルト、ニッケルを主体とする強磁性合金及びこれらの
窒化物又は炭化物から選ばれる少なくとも１種が好まし
い。また磁性層は、いわゆる斜め蒸着によって成膜する
ことが好ましい。本発明において磁性層は２層以上で設
けられるが、実用的な範囲としては２〜５が適当と考え
られる。磁性層の厚さは、２層の場合は下層100〜2000
Å、上層50〜1000Å程度が好ましく、３層の場合は下層
100〜2000Å、中間層100〜1000Å、上層50〜1000Å程度
が好ましい。また各磁性層表面の酸化層は、薄いほど好
ましい。酸化層が厚いとＤＬＣ層と合わせてスペーシン
グロスによる出力低下が起こる。
【０００９】ベースフィルムと最下層の磁性層の間、磁
性層相互の間、及び最上層の磁性層上に成膜される、合
計で少なくとも３つのＤＬＣ層は、例えばＥＣＲプラズ
マＣＶＤによって形成することができる。これは真空中
で、炭素源となるガスにマイクロ波と磁場を印加してガ
スをプラズマ化し、それによってＤＬＣ薄膜を形成する
ものである。スパッタリングや他のＣＶＤを用いてもＤ
ＬＣを製造可能である。炭素源としては、メタン、エタ
ン、プロパン、ブタン等の低級炭化水素のガスの単独、
或いはこれらとアルゴンガス或いは水素ガスを混合した
混合ガスを用いることができるが、蛍光有機分子を適宜
含むようにするためには、共有結合を有する化合物から
なる炭素源、例えばベンゼンを原料とするのがよい。Ｄ
ＬＣ層の厚みに特に限定はないが、通常は20〜300Å程
度である。
性層相互の間、及び最上層の磁性層上に成膜される、合
計で少なくとも３つのＤＬＣ層は、例えばＥＣＲプラズ
マＣＶＤによって形成することができる。これは真空中
で、炭素源となるガスにマイクロ波と磁場を印加してガ
スをプラズマ化し、それによってＤＬＣ薄膜を形成する
ものである。スパッタリングや他のＣＶＤを用いてもＤ
ＬＣを製造可能である。炭素源としては、メタン、エタ
ン、プロパン、ブタン等の低級炭化水素のガスの単独、
或いはこれらとアルゴンガス或いは水素ガスを混合した
混合ガスを用いることができるが、蛍光有機分子を適宜
含むようにするためには、共有結合を有する化合物から
なる炭素源、例えばベンゼンを原料とするのがよい。Ｄ
ＬＣ層の厚みに特に限定はないが、通常は20〜300Å程
度である。
【００１０】さらに本発明の磁気記録媒体には、磁性層
と反対の面において支持体にバックコート層を形成する
ことができる。バックコート層の形成は磁性層の形成よ
りも前でも後でもよい。バックコート層は常法によりバ
ックコート塗料を塗布して形成してもよいし、真空中で
金属又は半金属付着させることにより形成することもで
きる。その厚みは0.05〜２μm程度である。また最上層
となるＤＬＣ層上に、適当な潤滑剤からなるトップコー
ト層を形成することもできる。これは例えばフッ素系潤
滑剤を大気中で塗布し、或いは真空中で磁性層上に噴霧
して形成される。トップコート層の厚みは５〜100Å程
度である。バックコート層を設ける場合は、その上にも
トップコート層を形成することができる。
と反対の面において支持体にバックコート層を形成する
ことができる。バックコート層の形成は磁性層の形成よ
りも前でも後でもよい。バックコート層は常法によりバ
ックコート塗料を塗布して形成してもよいし、真空中で
金属又は半金属付着させることにより形成することもで
きる。その厚みは0.05〜２μm程度である。また最上層
となるＤＬＣ層上に、適当な潤滑剤からなるトップコー
ト層を形成することもできる。これは例えばフッ素系潤
滑剤を大気中で塗布し、或いは真空中で磁性層上に噴霧
して形成される。トップコート層の厚みは５〜100Å程
度である。バックコート層を設ける場合は、その上にも
トップコート層を形成することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体の一例を図
１に示す。図１は、ベースフィルム１上に第１及び第２
の磁性層２，３を有し、ベースフィルム１と第１の磁性
層の間、第１及び第２の磁性層の間、及び第２の磁性層
上にＤＬＣ層４，５，６がそれぞれ形成されている磁気
記録媒体の断面略示図である。ベースフィルム１の下側
にはさらにバックコート層７が、最上層のＤＬＣ層６上
には潤滑層８が形成されている。ＤＬＣ層中の蛍光有機
分子の量はＤＬＣ層４＞ＤＬＣ層５＞ＤＬＣ層６とな
る。図２には図１の如き磁気記録媒体のラマンシフトを
示す。図２において符号４，５，６を付したグラフは、
図１のＤＬＣ層４，５，６のそれぞれに対応している。
1550cm-1におけるバックグラウンド強度（Ib）とピーク
強度（Ig）の比Ib／Igは、ＤＬＣ層６については0.56≦
Ib6／Ig6＜１なる関係を満たすのが好ましい。また３つ
のＤＬＣ層の間には、Ib6／Ig6＜Ib5／Ig5＜Ib4／Ig4な
る関係がある。
１に示す。図１は、ベースフィルム１上に第１及び第２
の磁性層２，３を有し、ベースフィルム１と第１の磁性
層の間、第１及び第２の磁性層の間、及び第２の磁性層
上にＤＬＣ層４，５，６がそれぞれ形成されている磁気
記録媒体の断面略示図である。ベースフィルム１の下側
にはさらにバックコート層７が、最上層のＤＬＣ層６上
には潤滑層８が形成されている。ＤＬＣ層中の蛍光有機
分子の量はＤＬＣ層４＞ＤＬＣ層５＞ＤＬＣ層６とな
る。図２には図１の如き磁気記録媒体のラマンシフトを
示す。図２において符号４，５，６を付したグラフは、
図１のＤＬＣ層４，５，６のそれぞれに対応している。
1550cm-1におけるバックグラウンド強度（Ib）とピーク
強度（Ig）の比Ib／Igは、ＤＬＣ層６については0.56≦
Ib6／Ig6＜１なる関係を満たすのが好ましい。また３つ
のＤＬＣ層の間には、Ib6／Ig6＜Ib5／Ig5＜Ib4／Ig4な
る関係がある。
【００１２】図３は、本発明の磁気記録媒体の製造に用
いることのできる装置10の一例を示す。この装置は、図
１に示したような磁気記録媒体の磁性層及びＤＬＣ層を
成膜するためのものであり、内部は図示しない真空手段
により真空に保たれている。図３において、11は第１の
チャンバ、12は第２のチャンバ、13，13′は冷却キャ
ン、14，14′はイオンガン、15，15′はルツボ、16，1
6′は酸素ガスノズル、17は巻き出しロール、18は巻き
取りロール、19，19′，19″はＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置、20はベースフィルムである。ＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置19，19′，19″には、炭素源としてベンゼンやメタ
ンが供給される。
いることのできる装置10の一例を示す。この装置は、図
１に示したような磁気記録媒体の磁性層及びＤＬＣ層を
成膜するためのものであり、内部は図示しない真空手段
により真空に保たれている。図３において、11は第１の
チャンバ、12は第２のチャンバ、13，13′は冷却キャ
ン、14，14′はイオンガン、15，15′はルツボ、16，1
6′は酸素ガスノズル、17は巻き出しロール、18は巻き
取りロール、19，19′，19″はＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置、20はベースフィルムである。ＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置19，19′，19″には、炭素源としてベンゼンやメタ
ンが供給される。
【００１３】ベースフィルム20は巻き出しロール17から
冷却キャン13上へと走行され、まずＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置19によって第１のＤＬＣ層が成膜される。次いで
電子銃14から照射される電子ビームにより蒸発されるル
ツボ15内の金属が、第１のＤＬＣ層上に成膜され、第１
の磁性層が形成される。続いて配置されているＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置19′により、第１の磁性層上に第２の
ＤＬＣ層が形成される。その後ベースフィルムは第２の
チャンバ12に搬送され、電子銃14′からの電子ビーム照
射により、第２のＤＬＣ層上に第２の磁性層が成膜され
る。そして最後にＥＣＲプラズマＣＶＤ装置19″によ
り、第２の磁性層上に第３のＤＬＣ層が成膜され、ベー
スフィルムは巻き取りロール18上に巻き取られる。
冷却キャン13上へと走行され、まずＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ装置19によって第１のＤＬＣ層が成膜される。次いで
電子銃14から照射される電子ビームにより蒸発されるル
ツボ15内の金属が、第１のＤＬＣ層上に成膜され、第１
の磁性層が形成される。続いて配置されているＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置19′により、第１の磁性層上に第２の
ＤＬＣ層が形成される。その後ベースフィルムは第２の
チャンバ12に搬送され、電子銃14′からの電子ビーム照
射により、第２のＤＬＣ層上に第２の磁性層が成膜され
る。そして最後にＥＣＲプラズマＣＶＤ装置19″によ
り、第２の磁性層上に第３のＤＬＣ層が成膜され、ベー
スフィルムは巻き取りロール18上に巻き取られる。
【００１４】
【実施例】図３に示す如き装置に厚さ6.3μmのＰＥＴフ
ィルムを装填し、第１のチャンバ11内においてＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置19により第１のＤＬＣ層を厚み60Åで
成膜し、次いで電子銃14及びＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
19′により、その上に第１の磁性層及び第２のＤＬＣ層
をそれぞれ厚み900Å及び60Åで順次成膜した。次いで
第２のチャンバ12内において、電子銃14′及びＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置19″のそれぞれにより、第２の磁性層
及び第３のＤＬＣ層をそれぞれ厚み900Å及び60Åで順
次成膜した。この場合に、第１及び第２の磁性層の成膜
は、ルツボ15及び15′内の金属を両方ともコバルト（10
0％）とし、ノズル16及び16′からの導入酸素ガス量を1
20SCCMとし、またイオンガン14及び14′の電力を何れも
30kWとする条件下で行った。またチャンバ11，12内の真
空度は８×10-5Torr、フィルムの走行速度は30ｍ／分と
した。３つのＤＬＣ層は何れも、マイクロ波周波数とし
て2.45GHzを用い、電力を600Ｗとし、またプラズマ形成
のための導入するガスはベンゼンとした。但し、ベンゼ
ンの流量は第１の磁性層の成膜時には120SCCM、第２の
磁性層の成膜時には75SCCM、第３の磁性層の成膜時には
20SCCMとした。磁性層及びＤＬＣ層を全て成膜し、巻き
取りロール18上に巻き取った後、処理フィルムを装置か
ら取り出し、ＰＥＴフィルムの磁性層が形成された面と
は反対側に、平均粒径40nmのカーボンブラックをウレタ
ンプレポリマーと塩化ビニル系樹脂とのバインダー樹脂
中に分散させてなるバックコート用の塗料を、乾燥膜厚
0.5μmとなるようにダイコーティング方式により塗布
し、乾燥してバックコート層を形成した。次いで、パー
フルオロポリエーテル（FOMBLIN AM2001、アウジモント
社製）をフッ素系不活性液体（PF-5080、住友スリーエ
ム株式会社製）に0.05重量％となるように希釈、分散さ
せた塗料を、乾燥膜厚が15Åとなるように磁性層上にダ
イコーティング方式により塗布し、100℃で乾燥させて
潤滑層を形成した。得られたものを８mm幅に裁断し、カ
セットにローディングしてHi−８用のビデオカセットを
作製した。
ィルムを装填し、第１のチャンバ11内においてＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置19により第１のＤＬＣ層を厚み60Åで
成膜し、次いで電子銃14及びＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
19′により、その上に第１の磁性層及び第２のＤＬＣ層
をそれぞれ厚み900Å及び60Åで順次成膜した。次いで
第２のチャンバ12内において、電子銃14′及びＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置19″のそれぞれにより、第２の磁性層
及び第３のＤＬＣ層をそれぞれ厚み900Å及び60Åで順
次成膜した。この場合に、第１及び第２の磁性層の成膜
は、ルツボ15及び15′内の金属を両方ともコバルト（10
0％）とし、ノズル16及び16′からの導入酸素ガス量を1
20SCCMとし、またイオンガン14及び14′の電力を何れも
30kWとする条件下で行った。またチャンバ11，12内の真
空度は８×10-5Torr、フィルムの走行速度は30ｍ／分と
した。３つのＤＬＣ層は何れも、マイクロ波周波数とし
て2.45GHzを用い、電力を600Ｗとし、またプラズマ形成
のための導入するガスはベンゼンとした。但し、ベンゼ
ンの流量は第１の磁性層の成膜時には120SCCM、第２の
磁性層の成膜時には75SCCM、第３の磁性層の成膜時には
20SCCMとした。磁性層及びＤＬＣ層を全て成膜し、巻き
取りロール18上に巻き取った後、処理フィルムを装置か
ら取り出し、ＰＥＴフィルムの磁性層が形成された面と
は反対側に、平均粒径40nmのカーボンブラックをウレタ
ンプレポリマーと塩化ビニル系樹脂とのバインダー樹脂
中に分散させてなるバックコート用の塗料を、乾燥膜厚
0.5μmとなるようにダイコーティング方式により塗布
し、乾燥してバックコート層を形成した。次いで、パー
フルオロポリエーテル（FOMBLIN AM2001、アウジモント
社製）をフッ素系不活性液体（PF-5080、住友スリーエ
ム株式会社製）に0.05重量％となるように希釈、分散さ
せた塗料を、乾燥膜厚が15Åとなるように磁性層上にダ
イコーティング方式により塗布し、100℃で乾燥させて
潤滑層を形成した。得られたものを８mm幅に裁断し、カ
セットにローディングしてHi−８用のビデオカセットを
作製した。
【００１５】上記により得たビデオカセットのスチル耐
久性を評価した。評価に際しては市販のHi−８用ＶＴＲ
を改造した装置にビデオカセットを装填し、１時間スチ
ル状態とし、20MHz、10MHz及び１MHzにおける出力の低
下を測定した。結果を表１に示す。また磁性層及びＤＬ
Ｃ層を全て成膜した時点でのテープを抜き取り、これに
ついてラマン分光分析を行った。レーザー光源としては
波長488nmのArレーザーを用い、パワーは300mW、照射時
間は600秒とした。得られたスペクトルを図４に示す。
図４の３つの曲線のうち、最も下のものが上層の磁性層
上の最上層のＤＬＣ層、最も上のものがＰＥＴフィルム
と下層の磁性層の間の最下層のＤＬＣ層についてのスペ
クトル、中間のものが中間のＤＬＣ層についてのスペク
トルである。1550cm-1におけるバックグラウンド強度
（Ib）とピーク強度（Ig）の比Ib／Igは、最上層のＤＬ
Ｃ層については0.69、中間のＤＬＣ層については0.79、
最下層のＤＬＣ層については0.86であった。
久性を評価した。評価に際しては市販のHi−８用ＶＴＲ
を改造した装置にビデオカセットを装填し、１時間スチ
ル状態とし、20MHz、10MHz及び１MHzにおける出力の低
下を測定した。結果を表１に示す。また磁性層及びＤＬ
Ｃ層を全て成膜した時点でのテープを抜き取り、これに
ついてラマン分光分析を行った。レーザー光源としては
波長488nmのArレーザーを用い、パワーは300mW、照射時
間は600秒とした。得られたスペクトルを図４に示す。
図４の３つの曲線のうち、最も下のものが上層の磁性層
上の最上層のＤＬＣ層、最も上のものがＰＥＴフィルム
と下層の磁性層の間の最下層のＤＬＣ層についてのスペ
クトル、中間のものが中間のＤＬＣ層についてのスペク
トルである。1550cm-1におけるバックグラウンド強度
（Ib）とピーク強度（Ig）の比Ib／Igは、最上層のＤＬ
Ｃ層については0.69、中間のＤＬＣ層については0.79、
最下層のＤＬＣ層については0.86であった。
【００１６】比較例１ 実施例と同様にして磁性層及びＤＬＣ層の成膜を行った
が、ベンゼンの流量は第１のＤＬＣ層の成膜時には20SC
CM、第２のＤＬＣ層の成膜時には75SCCM、第３のＤＬＣ
層の成膜時には120SCCMとした。その後実施例と同様に
処理してビデオカセットを作製した。このようにして得
られたテープでは、蛍光有機分子の含有量はベースフィ
ルムから遠いＤＬＣ層ほど多くなる。これについても実
施例と同様にしてスチル耐久性を評価した。結果を表１
に併せて示す。
が、ベンゼンの流量は第１のＤＬＣ層の成膜時には20SC
CM、第２のＤＬＣ層の成膜時には75SCCM、第３のＤＬＣ
層の成膜時には120SCCMとした。その後実施例と同様に
処理してビデオカセットを作製した。このようにして得
られたテープでは、蛍光有機分子の含有量はベースフィ
ルムから遠いＤＬＣ層ほど多くなる。これについても実
施例と同様にしてスチル耐久性を評価した。結果を表１
に併せて示す。
【００１７】比較例２ 第１のＤＬＣ層の成膜を省略し、その他は実施例と同様
にして磁性層及びＤＬＣ層の成膜を行い、その後は実施
例と同様に処理してビデオカセットを作製した。これに
ついても実施例と同様にしてスチル耐久性を評価し、結
果を表１に示した。
にして磁性層及びＤＬＣ層の成膜を行い、その後は実施
例と同様に処理してビデオカセットを作製した。これに
ついても実施例と同様にしてスチル耐久性を評価し、結
果を表１に示した。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】以上の如く本発明によれば、スチル耐久
性に優れた金属薄膜型の磁気記録媒体が得られる。これ
はＤＬＣ層中の蛍光有機分子が上層ほど少ないことによ
り、上層では所要の堅牢性が得られ、下層ではベースフ
ィルムとの結着性が良好となることに起因すると考えら
れる。
性に優れた金属薄膜型の磁気記録媒体が得られる。これ
はＤＬＣ層中の蛍光有機分子が上層ほど少ないことによ
り、上層では所要の堅牢性が得られ、下層ではベースフ
ィルムとの結着性が良好となることに起因すると考えら
れる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の一例を示す断面略示図
である。
である。
【図２】本発明の磁気記録媒体のＤＬＣ層のラマンスペ
クトルの一例を示すグラフである。
クトルの一例を示すグラフである。
【図３】本発明の磁気記録媒体の製造に用いることので
きる装置の例を示す概略図である。
きる装置の例を示す概略図である。
【図４】本発明の実施例により磁性層及びＤＬＣ層が成
膜されたフィルムについて、ＤＬＣ層のラマンスペクト
ルを示すグラフである。
膜されたフィルムについて、ＤＬＣ層のラマンスペクト
ルを示すグラフである。
１ ベースフィルム ２，３ 磁性層 ４，５，６ ＤＬＣ層 ７ バックコート層 ８ 潤滑剤層 11 第１のチャンバ 12 第２のチャンバ 13，13′ 冷却キャン 14，14′ 電子銃 15，15′ ルツボ 16，16′ 酸素ガスノズル 17 巻き出しロール 18 巻き取りロール 19，19′，19″ ＥＣＲプラズマＣＶＤ 20 ＰＥＴフィルム
Claims (3)
- 【請求項１】 ベースフィルム上に形成された少なくと
も２つの磁性層と、前記ベースフィルムと最下層の磁性
層の間、磁性層相互の間、及び最上層の磁性層上に形成
された少なくとも３つのダイヤモンドライクカーボン層
とを有し、前記少なくとも３つのダイヤモンドライクカ
ーボン層の各々における蛍光有機分子の量が前記ベース
フィルムから遠いダイヤモンドライクカーボン層ほど少
ないことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 ベースフィルムから最も遠いダイヤモン
ドライクカーボン層が、ラマン分光分析法による1550±
50cm-1におけるバックグラウンド強度（Ib）とピーク強
度（Ig）の比Ib／Igが、0.56≦Ib／Ig＜１なる関係を満
たすものである、請求項１の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 ラマン分光分析法による1550±50cm-1に
おけるバックグラウンド強度（Ib）とピーク強度（Ig）
の比Ib／Igが、前記ベースフィルムから遠いダイヤモン
ドライクカーボン層ほど小さい、請求項１又は２の磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23096A JPH09185821A (ja) | 1996-01-05 | 1996-01-05 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23096A JPH09185821A (ja) | 1996-01-05 | 1996-01-05 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09185821A true JPH09185821A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=11468172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23096A Pending JPH09185821A (ja) | 1996-01-05 | 1996-01-05 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09185821A (ja) |
-
1996
- 1996-01-05 JP JP23096A patent/JPH09185821A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5589263A (en) | Magnetic recording medium having a ferromagnetic metal thin film, a dry etched layer, a carbonaceous film, and a lubricant film | |
| JPH11250437A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録・再生システム | |
| US5731068A (en) | Magnetic recording medium | |
| JPH09185821A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2688568B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3687117B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2756241B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2843252B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 | |
| JPH06223356A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH08102049A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH09204643A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP4325369B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0991689A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2002183937A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH08102052A (ja) | 記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2003059036A (ja) | 磁気テープ | |
| JPH08102050A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH10269546A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH09212844A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH11110744A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH09204644A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH08161726A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH09204645A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2002183938A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH1027329A (ja) | 磁気記録媒体 |