JPH09204644A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH09204644A JPH09204644A JP1328996A JP1328996A JPH09204644A JP H09204644 A JPH09204644 A JP H09204644A JP 1328996 A JP1328996 A JP 1328996A JP 1328996 A JP1328996 A JP 1328996A JP H09204644 A JPH09204644 A JP H09204644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- carbon
- recording medium
- magnetic recording
- layer
- Prior art date
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- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 硬さと共に適度な弾性を備えた保護膜を有
し、耐久性に優れた磁気記録媒体の提供。 【解決手段】 保護層を、蛍光有機分子を適度に含む炭
素保護膜により構成する。この炭素保護膜について測定
されるラマンスペクトルは、ブランクレベルを差し引く
補正を行うことによって正味のスペクトルとされる。こ
の正味のスペクトルについて、炭素保護膜は1330±50cm
-1におけるバックグラウンド強度（IB）とピーク強度
（ID）の比IB／IDが、0.1＜IB／ID＜1.0なる関係を満た
す。
し、耐久性に優れた磁気記録媒体の提供。 【解決手段】 保護層を、蛍光有機分子を適度に含む炭
素保護膜により構成する。この炭素保護膜について測定
されるラマンスペクトルは、ブランクレベルを差し引く
補正を行うことによって正味のスペクトルとされる。こ
の正味のスペクトルについて、炭素保護膜は1330±50cm
-1におけるバックグラウンド強度（IB）とピーク強度
（ID）の比IB／IDが、0.1＜IB／ID＜1.0なる関係を満た
す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関
し、詳しくは、磁性層上に炭素薄膜からなる保護層が形
成されたタイプの磁気記録媒体に関する。
し、詳しくは、磁性層上に炭素薄膜からなる保護層が形
成されたタイプの磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体の耐食性、耐久性といった
特性を向上させる目的で、磁性層上に保護層を設けるこ
とが従来から行われている。こうした保護層は非磁性材
料からなり、例えばダイヤモンドライクカーボンや、炭
化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化
ケイ素、酸化アルミニウムなどの種々の炭化物、窒化
物、酸化物から構成される。これらの中でも、特にダイ
ヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）の如き炭素薄膜は、
硬度や摺動などに関する優れた特性の故に、保護層とし
て有力なものとして注目されている。
特性を向上させる目的で、磁性層上に保護層を設けるこ
とが従来から行われている。こうした保護層は非磁性材
料からなり、例えばダイヤモンドライクカーボンや、炭
化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化
ケイ素、酸化アルミニウムなどの種々の炭化物、窒化
物、酸化物から構成される。これらの中でも、特にダイ
ヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）の如き炭素薄膜は、
硬度や摺動などに関する優れた特性の故に、保護層とし
て有力なものとして注目されている。
【０００３】ＤＬＣ薄膜は、グラファイト結合とダイヤ
モンド結合が混在する非晶質の炭素薄膜であり、高周波
スパッタリング、プラズマＣＶＤ法等により磁性層上に
成膜される。そしてＤＬＣ薄膜のダイヤモンド結合性を
高めること、即ちSP2結合に対するSP3結合の比を高める
ことによって、よりダイヤモンドに近い炭素薄膜とし、
硬度を向上させることを目的として、種々の試みがなさ
れている。
モンド結合が混在する非晶質の炭素薄膜であり、高周波
スパッタリング、プラズマＣＶＤ法等により磁性層上に
成膜される。そしてＤＬＣ薄膜のダイヤモンド結合性を
高めること、即ちSP2結合に対するSP3結合の比を高める
ことによって、よりダイヤモンドに近い炭素薄膜とし、
硬度を向上させることを目的として、種々の試みがなさ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように従来は、炭
素薄膜に対する関心は、主として硬度を増大させること
に向けられていた。しかしながら、保護層の硬度を高め
た場合、即ち炭素薄膜中のダイヤモンド成分を増大させ
た場合、硬度の増大による利点を享受しうる反面、用途
によっては幾つかの不具合が生ずる場合がある。すなわ
ちこうしたダイヤモンド炭素薄膜を磁気テープなどの磁
気記録媒体の保護層に用いた場合、炭素薄膜が硬すぎて
可撓性が不十分となり、撓んだ場合に保護層が折れてし
まい、かえって耐久性が低下するといった不具合があ
る。そこで本発明の課題は、このような問題点のない炭
素薄膜からなる保護層を備えた磁気記録媒体を提供する
ことである。
素薄膜に対する関心は、主として硬度を増大させること
に向けられていた。しかしながら、保護層の硬度を高め
た場合、即ち炭素薄膜中のダイヤモンド成分を増大させ
た場合、硬度の増大による利点を享受しうる反面、用途
によっては幾つかの不具合が生ずる場合がある。すなわ
ちこうしたダイヤモンド炭素薄膜を磁気テープなどの磁
気記録媒体の保護層に用いた場合、炭素薄膜が硬すぎて
可撓性が不十分となり、撓んだ場合に保護層が折れてし
まい、かえって耐久性が低下するといった不具合があ
る。そこで本発明の課題は、このような問題点のない炭
素薄膜からなる保護層を備えた磁気記録媒体を提供する
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決すべく検討を行った。その結果、炭素薄膜中にダ
イヤモンド結合成分の他に蛍光有機分子を適度に含有さ
せることにより、保護層の弾性挙動が改善され、硬さと
共に適度な弾性を有する膜が得られ、上記のような不具
合が解消されることを見い出した。そしてこの蛍光有機
分子の含有の度合は、保護層として形成される炭素薄膜
のラマンスペクトルにおいて、1330±50cm-1におけるバ
ックグラウンド強度（IB）とピーク強度（ID）の比を規
定することにより好適に記述することができることが判
った。かくして本発明により提供される磁気記録媒体
は、支持体とその上に形成された磁性層と、さらに磁性
層上に形成された炭素保護膜とを有し、炭素保護膜のラ
マンスペクトルが、ブランク補正を行った後、1330±50
cm-1におけるバックグラウンド強度（IB）とピーク強度
（ID）の比IB／IDが、0.1＜IB／ID＜1.0なる関係を満た
すことを特徴とするものである。ラマン分光分析におい
て1330±50cm-1におけるラマンバンドはダイヤモンドの
ピークを示しており、バックグラウンド強度IBは上記し
た蛍光有機分子の指標となる。即ち蛍光有機分子が多く
なればバックグラウンド強度IBが増大し、比IB／IDは大
きくなると考えることができる。ここで蛍光有機分子と
は、炭素薄膜中でダイヤモンド結合を行っている炭素原
子の他に存在する、水素を含んでポリマー化した炭化水
素分子を示す。本発明はこうした場合に、0.1＜IB／ID
＜1.0なる関係を満たす炭素薄膜を備えた磁気記録媒体
は、炭素保護膜中に耐久性の向上に十分なダイヤモンド
成分を備え、しかもこの膜は適度な弾性を備えて可撓性
に関する問題も生じないことを見い出したものである。
を解決すべく検討を行った。その結果、炭素薄膜中にダ
イヤモンド結合成分の他に蛍光有機分子を適度に含有さ
せることにより、保護層の弾性挙動が改善され、硬さと
共に適度な弾性を有する膜が得られ、上記のような不具
合が解消されることを見い出した。そしてこの蛍光有機
分子の含有の度合は、保護層として形成される炭素薄膜
のラマンスペクトルにおいて、1330±50cm-1におけるバ
ックグラウンド強度（IB）とピーク強度（ID）の比を規
定することにより好適に記述することができることが判
った。かくして本発明により提供される磁気記録媒体
は、支持体とその上に形成された磁性層と、さらに磁性
層上に形成された炭素保護膜とを有し、炭素保護膜のラ
マンスペクトルが、ブランク補正を行った後、1330±50
cm-1におけるバックグラウンド強度（IB）とピーク強度
（ID）の比IB／IDが、0.1＜IB／ID＜1.0なる関係を満た
すことを特徴とするものである。ラマン分光分析におい
て1330±50cm-1におけるラマンバンドはダイヤモンドの
ピークを示しており、バックグラウンド強度IBは上記し
た蛍光有機分子の指標となる。即ち蛍光有機分子が多く
なればバックグラウンド強度IBが増大し、比IB／IDは大
きくなると考えることができる。ここで蛍光有機分子と
は、炭素薄膜中でダイヤモンド結合を行っている炭素原
子の他に存在する、水素を含んでポリマー化した炭化水
素分子を示す。本発明はこうした場合に、0.1＜IB／ID
＜1.0なる関係を満たす炭素薄膜を備えた磁気記録媒体
は、炭素保護膜中に耐久性の向上に十分なダイヤモンド
成分を備え、しかもこの膜は適度な弾性を備えて可撓性
に関する問題も生じないことを見い出したものである。
【０００６】本発明においては、保護層のラマンスペク
トルはブランク補正後のものが使用される。ブランク補
正は、ラマン分光計に試料をセットしない状態で測定し
たスペクトルを、実際に試料をセットして測定して得ら
れたスペクトルから差し引くことによって行う。これ
は、室内照明、または分光器内の回折格子や鏡表面など
での乱反射に由来する迷光その他によるノイズ成分を除
去し、分光装置の種類や感度などに依存しない、正味の
ラマンスペクトルを得るためである。例を図１に示す。
図１の（ａ）は補正前のラマンスペクトルとブランクレ
ベルを共に示している。この補正前のラマンスペクトル
からブランクレベルを差し引くことにより、図１の
（ｂ）で示したような正味のラマンスペクトルが得られ
る。
トルはブランク補正後のものが使用される。ブランク補
正は、ラマン分光計に試料をセットしない状態で測定し
たスペクトルを、実際に試料をセットして測定して得ら
れたスペクトルから差し引くことによって行う。これ
は、室内照明、または分光器内の回折格子や鏡表面など
での乱反射に由来する迷光その他によるノイズ成分を除
去し、分光装置の種類や感度などに依存しない、正味の
ラマンスペクトルを得るためである。例を図１に示す。
図１の（ａ）は補正前のラマンスペクトルとブランクレ
ベルを共に示している。この補正前のラマンスペクトル
からブランクレベルを差し引くことにより、図１の
（ｂ）で示したような正味のラマンスペクトルが得られ
る。
【０００７】このようにしてブランク補正を行った後、
1330±50cm-1におけるスペクトルの、ダイヤモンド結合
によるピーク強度（ID）と、やはり1330±50cm-1におけ
るスペクトルの、上記蛍光有機分子によるバックグラウ
ンド強度（IB）とを用いて、比IB／IDを得る。そして本
発明による磁気記録媒体においては、炭素保護膜につい
て得られたこの比IB／IDが、0.1＜IB／ID＜1.0なる関係
を満たすものである。ただし、ここでIDは、スペクトル
中で独立した単一のピークである必要がある。即ち他の
波数に別のピークが存在したり、或いは1330±50cm-1に
おけるピークが隣接するピークのショルダを構成してい
たりする場合には、炭素薄膜の構造が異なる、即ち上記
のようにダイヤモンド結合成分と蛍光有機分子とからな
るものではないと考えられるからである。
1330±50cm-1におけるスペクトルの、ダイヤモンド結合
によるピーク強度（ID）と、やはり1330±50cm-1におけ
るスペクトルの、上記蛍光有機分子によるバックグラウ
ンド強度（IB）とを用いて、比IB／IDを得る。そして本
発明による磁気記録媒体においては、炭素保護膜につい
て得られたこの比IB／IDが、0.1＜IB／ID＜1.0なる関係
を満たすものである。ただし、ここでIDは、スペクトル
中で独立した単一のピークである必要がある。即ち他の
波数に別のピークが存在したり、或いは1330±50cm-1に
おけるピークが隣接するピークのショルダを構成してい
たりする場合には、炭素薄膜の構造が異なる、即ち上記
のようにダイヤモンド結合成分と蛍光有機分子とからな
るものではないと考えられるからである。
【０００８】
【発明の実施の形態】上記のような、1330±50cm-1にお
ける所定のIB／ID比を有する炭素保護膜は、公知の種々
の方法によって形成することができる。例えば各種の化
学的気相成長法（ＣＶＤ）や物理的蒸着法（ＰＶＤ）を
使用することができる。ＣＶＤ法としては、マイクロ波
を用いたＥＣＲプラズマＣＶＤや、高周波（ＲＦ）を用
いた方法が有効である。ＣＶＤ法により炭素保護膜を形
成する場合、原料は気体状、液体状、固体状の何れでも
よい。ＰＶＤ法としては、熱蒸発、スパッタリング、イ
オンプレーティング等が挙げられる。炭素保護膜の厚み
に特に限定はないが、通常は10〜300Å程度である。
ける所定のIB／ID比を有する炭素保護膜は、公知の種々
の方法によって形成することができる。例えば各種の化
学的気相成長法（ＣＶＤ）や物理的蒸着法（ＰＶＤ）を
使用することができる。ＣＶＤ法としては、マイクロ波
を用いたＥＣＲプラズマＣＶＤや、高周波（ＲＦ）を用
いた方法が有効である。ＣＶＤ法により炭素保護膜を形
成する場合、原料は気体状、液体状、固体状の何れでも
よい。ＰＶＤ法としては、熱蒸発、スパッタリング、イ
オンプレーティング等が挙げられる。炭素保護膜の厚み
に特に限定はないが、通常は10〜300Å程度である。
【０００９】本発明の磁気記録媒体に用いられる支持体
としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレートのようなポリエステル；ポリエチレン、ポ
リプロピレン等のポリオレフィン；セルローストリアセ
テート、セルロースジアセテート等のセルロース誘導
体；ポリカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；
芳香族ポリアミドといったプラスチックを使用すること
ができる。支持体の厚さは３〜50μm程度である。
としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレートのようなポリエステル；ポリエチレン、ポ
リプロピレン等のポリオレフィン；セルローストリアセ
テート、セルロースジアセテート等のセルロース誘導
体；ポリカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；
芳香族ポリアミドといったプラスチックを使用すること
ができる。支持体の厚さは３〜50μm程度である。
【００１０】支持体上に設けられる磁性層は塗布型のも
のでもよいが、蒸着等により形成された金属薄膜型の磁
性層であるのが好ましい。磁性層を構成する磁性材料と
しては、通常の金属薄膜型の磁気記録媒体の製造に用い
られる強磁性金属材料が挙げられる。例えばCo，Ni，Fe
等の強磁性金属、或いはFe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−
Co−Ni、Fe−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Ｙ、Co−La、Co
−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−
Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、Ni
−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられる。磁性層としては
鉄の薄膜或いは鉄を主体とする強磁性合金の薄膜が好ま
しく、特に鉄、コバルト、ニッケルを主体とする強磁性
合金及びこれらの窒化物又は炭化物から選ばれる少なく
とも１種が好ましい。また磁性層は、いわゆる斜め蒸着
によって成膜することが好ましい。本発明において磁性
層は２層以上で設けられるが、実用的な範囲としては２
〜５が適当と考えられる。磁性層の厚さは、２層の場合
は下層100〜2000Å、上層50〜1000Å程度が好ましく、
３層の場合は下層100〜2000Å、中間層100〜1000Å、上
層50〜1000Å程度が好ましい。
のでもよいが、蒸着等により形成された金属薄膜型の磁
性層であるのが好ましい。磁性層を構成する磁性材料と
しては、通常の金属薄膜型の磁気記録媒体の製造に用い
られる強磁性金属材料が挙げられる。例えばCo，Ni，Fe
等の強磁性金属、或いはFe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−
Co−Ni、Fe−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Ｙ、Co−La、Co
−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−
Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、Ni
−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられる。磁性層としては
鉄の薄膜或いは鉄を主体とする強磁性合金の薄膜が好ま
しく、特に鉄、コバルト、ニッケルを主体とする強磁性
合金及びこれらの窒化物又は炭化物から選ばれる少なく
とも１種が好ましい。また磁性層は、いわゆる斜め蒸着
によって成膜することが好ましい。本発明において磁性
層は２層以上で設けられるが、実用的な範囲としては２
〜５が適当と考えられる。磁性層の厚さは、２層の場合
は下層100〜2000Å、上層50〜1000Å程度が好ましく、
３層の場合は下層100〜2000Å、中間層100〜1000Å、上
層50〜1000Å程度が好ましい。
【００１１】さらに本発明の磁気記録媒体には、磁性層
と反対の面において支持体にバックコート層を形成する
ことができる。バックコート層の形成は磁性層の形成よ
りも前でも後でもよい。バックコート層は常法によりバ
ックコート塗料を塗布して形成してもよいし、真空中で
金属又は半金属を付着させることにより形成することも
できる。また炭素保護膜上に、適当な潤滑剤からなるト
ップコート層を形成することもできる。これは例えばフ
ッ素系潤滑剤を大気中で塗布し、或いは真空中で噴霧し
て形成される。バックコート層を設ける場合は、その上
にもトップコート層を形成することができる。
と反対の面において支持体にバックコート層を形成する
ことができる。バックコート層の形成は磁性層の形成よ
りも前でも後でもよい。バックコート層は常法によりバ
ックコート塗料を塗布して形成してもよいし、真空中で
金属又は半金属を付着させることにより形成することも
できる。また炭素保護膜上に、適当な潤滑剤からなるト
ップコート層を形成することもできる。これは例えばフ
ッ素系潤滑剤を大気中で塗布し、或いは真空中で噴霧し
て形成される。バックコート層を設ける場合は、その上
にもトップコート層を形成することができる。
【００１２】
実施例１ 厚さ６μmのＰＥＴフィルム上に斜め蒸着によってコバ
ルト磁性層を2000Åの厚みで成膜した。蒸着の際の真空
度は５×10-5Torr、フィルム走行速度は100ｍ／分、電
子ビーム出力は100kWとし、酸素ガスを600SCCMの流量で
流した。次いでこの磁性層上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ
法によって膜厚100Åの炭素保護膜を形成した。チャン
バの排気真空度は9.0×10-6Torrとし、メタンと水素を
１：９の比で混合したガスを、成膜時の真空度が9.0×1
0-3Torrとなる流量でチャンバ内に供給した。マイクロ
波周波数として2.45GHzを用い、出力は600Ｗとし、共鳴
条件を満たす所定の磁界を印加した。フィルム走行速度
は10ｍ／分とした。
ルト磁性層を2000Åの厚みで成膜した。蒸着の際の真空
度は５×10-5Torr、フィルム走行速度は100ｍ／分、電
子ビーム出力は100kWとし、酸素ガスを600SCCMの流量で
流した。次いでこの磁性層上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ
法によって膜厚100Åの炭素保護膜を形成した。チャン
バの排気真空度は9.0×10-6Torrとし、メタンと水素を
１：９の比で混合したガスを、成膜時の真空度が9.0×1
0-3Torrとなる流量でチャンバ内に供給した。マイクロ
波周波数として2.45GHzを用い、出力は600Ｗとし、共鳴
条件を満たす所定の磁界を印加した。フィルム走行速度
は10ｍ／分とした。
【００１３】得られた炭素保護膜について、ラマンスペ
クトルを測定した。ラマン分光計としてはスペックス社
製の多重分光器「トリプルスペクトロメーター」を用
い、波長488nmのアルゴンレーザーを出力300mWで用い、
照射時間（積算時間）は600秒とした。試料面に対して
レーザーを約５゜の角度で低角入射させ、試料からの散
乱光のうち、レーザービームと90゜方向に散乱される光
を集光し、検出器により分光した。測定点は１試料につ
いて少なくとも３点とし、平均を求めた。また試料を分
光計にセットせずに、検出器を600秒間働かせてブラン
クレベルを測定した。ブランクレベルを差し引くことに
より得られた正味のラマンスペクトルを図２に示す。こ
のスペクトルについて求めた1330cm-1におけるバックグ
ラウンド強度（IB）とピーク強度（ID）の比IB／IDは0.
22であった。
クトルを測定した。ラマン分光計としてはスペックス社
製の多重分光器「トリプルスペクトロメーター」を用
い、波長488nmのアルゴンレーザーを出力300mWで用い、
照射時間（積算時間）は600秒とした。試料面に対して
レーザーを約５゜の角度で低角入射させ、試料からの散
乱光のうち、レーザービームと90゜方向に散乱される光
を集光し、検出器により分光した。測定点は１試料につ
いて少なくとも３点とし、平均を求めた。また試料を分
光計にセットせずに、検出器を600秒間働かせてブラン
クレベルを測定した。ブランクレベルを差し引くことに
より得られた正味のラマンスペクトルを図２に示す。こ
のスペクトルについて求めた1330cm-1におけるバックグ
ラウンド強度（IB）とピーク強度（ID）の比IB／IDは0.
22であった。
【００１４】実施例２ 実施例１において、混合ガス中のメタンと水素の比を
２：８に変更した。その他は同じ条件で炭素保護膜の成
膜を行い、実施例１と同様にして炭素保護膜の正味のラ
マンスペクトルを求めた。これを図３に示す。この場合
の比IB／IDは0.48であった。
２：８に変更した。その他は同じ条件で炭素保護膜の成
膜を行い、実施例１と同様にして炭素保護膜の正味のラ
マンスペクトルを求めた。これを図３に示す。この場合
の比IB／IDは0.48であった。
【００１５】実施例３ 実施例１において、混合ガス中のメタンと水素の比を
３：７に変更した。その他は同じ条件で炭素保護膜の成
膜を行い、実施例１と同様にして炭素保護膜の正味のラ
マンスペクトルを求めた。これを図４に示す。この場合
の比IB／IDは0.77であった。
３：７に変更した。その他は同じ条件で炭素保護膜の成
膜を行い、実施例１と同様にして炭素保護膜の正味のラ
マンスペクトルを求めた。これを図４に示す。この場合
の比IB／IDは0.77であった。
【００１６】実施例４ 実施例１において、混合ガス中のメタンと水素の比を
５：５に変更した。その他は同じ条件で炭素保護膜の成
膜を行い、実施例１と同様にして炭素保護膜の正味のラ
マンスペクトルを求めた。これを図５に示す。この場合
の比IB／IDは0.91であった。
５：５に変更した。その他は同じ条件で炭素保護膜の成
膜を行い、実施例１と同様にして炭素保護膜の正味のラ
マンスペクトルを求めた。これを図５に示す。この場合
の比IB／IDは0.91であった。
【００１７】比較例１ 実施例１において、混合ガス中のメタンと水素の比を0.
1：9.9に変更した。その他は同じ条件で炭素保護膜の成
膜を行い、実施例１と同様にして炭素保護膜の正味のラ
マンスペクトルを求めた。これを図６に示す。この場合
の比IB／IDは0.04であり、膜中の蛍光有機分子の量が少
ないことが示された。
1：9.9に変更した。その他は同じ条件で炭素保護膜の成
膜を行い、実施例１と同様にして炭素保護膜の正味のラ
マンスペクトルを求めた。これを図６に示す。この場合
の比IB／IDは0.04であり、膜中の蛍光有機分子の量が少
ないことが示された。
【００１８】比較例２ 実施例１において、供給されるガスを100％メタンとし
た。その他は同じ条件で炭素保護膜の成膜を行い、実施
例１と同様にして炭素保護膜の正味のラマンスペクトル
を求めた。これを図７に示す。この場合に1330cm-1にお
けるピークは得られず、求めた比IB／IDは1.0であっ
た。
た。その他は同じ条件で炭素保護膜の成膜を行い、実施
例１と同様にして炭素保護膜の正味のラマンスペクトル
を求めた。これを図７に示す。この場合に1330cm-1にお
けるピークは得られず、求めた比IB／IDは1.0であっ
た。
【００１９】実施例及び比較例で得られた処理フィルム
について、ＰＥＴフィルムの磁性層が形成された面とは
反対側に、平均粒径40nmのカーボンブラックをウレタン
プレポリマーと塩化ビニル系樹脂とのバインダー樹脂中
に分散させてなるバックコート用の塗料を、乾燥膜厚0.
5μmとなるようにダイコーティング方式により塗布し、
乾燥してバックコート層を形成した。次いで、パーフル
オロポリエーテル（FOMBLIN AM2001、アウジモント社
製）をフッ素系不活性液体（PF-5080、住友スリーエム
株式会社製）に0.05重量％となるように希釈、分散させ
た塗料を、乾燥膜厚が15Åとなるように保護層上にダイ
コーティング方式により塗布し、100℃で乾燥させて潤
滑層を形成した。得られたものを８mm幅に裁断し、カセ
ットにロードしてHi−８用のビデオカセットを作製し
た。
について、ＰＥＴフィルムの磁性層が形成された面とは
反対側に、平均粒径40nmのカーボンブラックをウレタン
プレポリマーと塩化ビニル系樹脂とのバインダー樹脂中
に分散させてなるバックコート用の塗料を、乾燥膜厚0.
5μmとなるようにダイコーティング方式により塗布し、
乾燥してバックコート層を形成した。次いで、パーフル
オロポリエーテル（FOMBLIN AM2001、アウジモント社
製）をフッ素系不活性液体（PF-5080、住友スリーエム
株式会社製）に0.05重量％となるように希釈、分散させ
た塗料を、乾燥膜厚が15Åとなるように保護層上にダイ
コーティング方式により塗布し、100℃で乾燥させて潤
滑層を形成した。得られたものを８mm幅に裁断し、カセ
ットにロードしてHi−８用のビデオカセットを作製し
た。
【００２０】上記により得たビデオカセットのスチル耐
久性を評価した。評価に際しては市販のHi−８用ＶＴＲ
を改造した装置にビデオカセットを装填してスチル状態
とし、20.92MHzにおける出力が２dB低下するまでの時間
を測定した。結果を表１に示す。
久性を評価した。評価に際しては市販のHi−８用ＶＴＲ
を改造した装置にビデオカセットを装填してスチル状態
とし、20.92MHzにおける出力が２dB低下するまでの時間
を測定した。結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【発明の効果】以上の如く本発明によれば、耐久性に優
れた磁気記録媒体を得ることができる。この磁気記録媒
体は蛍光有機分子を含む炭素保護膜を有し、硬さと共に
適度な弾性を備え、従来の不具合を解消することができ
る。
れた磁気記録媒体を得ることができる。この磁気記録媒
体は蛍光有機分子を含む炭素保護膜を有し、硬さと共に
適度な弾性を備え、従来の不具合を解消することができ
る。
【図１】ラマンスペクトルのブランク補正について説明
するためのグラフであり、（ａ）は補正前のスペクトル
とブランクレベルを、（ｂ）はブランクレベルを差し引
いた正味のスペクトルを示す。
するためのグラフであり、（ａ）は補正前のスペクトル
とブランクレベルを、（ｂ）はブランクレベルを差し引
いた正味のスペクトルを示す。
【図２】実施例１により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図３】実施例２により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図４】実施例３により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図５】実施例４により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図６】比較例１により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図７】比較例２により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 支持体と、該支持体上に形成された磁性
層と、該磁性層上に形成された炭素保護膜とを有する磁
気記録媒体において、前記炭素保護膜のラマンスペクト
ルが、ブランク補正を行った後、1330±50cm-1における
バックグラウンド強度（IB）とピーク強度（ID）の比IB
／IDが、0.1＜IB／ID＜1.0なる関係を満たすことを特徴
とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1328996A JPH09204644A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1328996A JPH09204644A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09204644A true JPH09204644A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11829049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1328996A Pending JPH09204644A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09204644A (ja) |
-
1996
- 1996-01-29 JP JP1328996A patent/JPH09204644A/ja active Pending
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