JPH09231550A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH09231550A JPH09231550A JP3927796A JP3927796A JPH09231550A JP H09231550 A JPH09231550 A JP H09231550A JP 3927796 A JP3927796 A JP 3927796A JP 3927796 A JP3927796 A JP 3927796A JP H09231550 A JPH09231550 A JP H09231550A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 硬さと共に適度な弾性を備えた保護膜を有
し、耐久性に優れた磁気記録媒体の提供。 【解決手段】 保護層を、高分子量蛍光有機分子を適度
に含む保護膜により構成する。この保護膜について測定
されるラマンスペクトルは、ブランクレベルを差し引く
補正を行うことによって正味のスペクトルとされる。こ
の正味のスペクトルについて、保護層は800cm-1におけ
る強度（Ｉ800）と2000cm-1における強度（Ｉ2000）と
の間の傾きａ＝（Ｉ2000−Ｉ800）／（2000−800）が、
ａ≧1.0なる関係を満たす。
し、耐久性に優れた磁気記録媒体の提供。 【解決手段】 保護層を、高分子量蛍光有機分子を適度
に含む保護膜により構成する。この保護膜について測定
されるラマンスペクトルは、ブランクレベルを差し引く
補正を行うことによって正味のスペクトルとされる。こ
の正味のスペクトルについて、保護層は800cm-1におけ
る強度（Ｉ800）と2000cm-1における強度（Ｉ2000）と
の間の傾きａ＝（Ｉ2000−Ｉ800）／（2000−800）が、
ａ≧1.0なる関係を満たす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関
し、詳しくは、磁性層上にダイヤモンドライクカーボン
薄膜などの保護層が形成されたタイプの磁気記録媒体に
関する。
し、詳しくは、磁性層上にダイヤモンドライクカーボン
薄膜などの保護層が形成されたタイプの磁気記録媒体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体の耐食性、耐久性といった
特性を向上させる目的で、磁性層上に保護層を設けるこ
とが従来から行われている。こうした保護層は非磁性材
料からなり、例えばダイヤモンドライクカーボンや、炭
化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化
ケイ素、酸化アルミニウムなどの種々の炭化物、窒化
物、酸化物から構成される。これらの中でも、特にダイ
ヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）の如き炭素薄膜は、
硬度や摺動などに関する優れた特性の故に、保護層とし
て有力なものとして注目されている。
特性を向上させる目的で、磁性層上に保護層を設けるこ
とが従来から行われている。こうした保護層は非磁性材
料からなり、例えばダイヤモンドライクカーボンや、炭
化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化
ケイ素、酸化アルミニウムなどの種々の炭化物、窒化
物、酸化物から構成される。これらの中でも、特にダイ
ヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）の如き炭素薄膜は、
硬度や摺動などに関する優れた特性の故に、保護層とし
て有力なものとして注目されている。
【０００３】ＤＬＣ薄膜は、グラファイト結合とダイヤ
モンド結合が混在する非晶質の炭素薄膜であり、高周波
スパッタリング、プラズマＣＶＤ法等により磁性層上に
成膜される。そしてＤＬＣ薄膜のダイヤモンド結合性を
高め、即ちSP3／SP2の比を大きくすることによって硬度
を向上させることを目的として、種々の試みがなされて
いる。
モンド結合が混在する非晶質の炭素薄膜であり、高周波
スパッタリング、プラズマＣＶＤ法等により磁性層上に
成膜される。そしてＤＬＣ薄膜のダイヤモンド結合性を
高め、即ちSP3／SP2の比を大きくすることによって硬度
を向上させることを目的として、種々の試みがなされて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように従来は、Ｄ
ＬＣその他の保護層に対する関心は、主として硬度を増
大させることに向けられていた。しかしながら、保護層
の硬度を高めた場合、例えばＤＬＣにおけるダイヤモン
ド結合成分を増大させた場合、硬度の増大による利点を
享受しうる反面、用途によっては幾つかの不具合が生ず
る場合がある。
ＬＣその他の保護層に対する関心は、主として硬度を増
大させることに向けられていた。しかしながら、保護層
の硬度を高めた場合、例えばＤＬＣにおけるダイヤモン
ド結合成分を増大させた場合、硬度の増大による利点を
享受しうる反面、用途によっては幾つかの不具合が生ず
る場合がある。
【０００５】例えば硬さに注力した保護層を磁気テープ
に応用した場合に、テープの弾性が損なわれ、ヘッドタ
ッチが悪化するといった不具合がある。そこで本発明の
課題は、このような問題点のない保護層を備えた磁気記
録媒体を提供することである。
に応用した場合に、テープの弾性が損なわれ、ヘッドタ
ッチが悪化するといった不具合がある。そこで本発明の
課題は、このような問題点のない保護層を備えた磁気記
録媒体を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決すべく検討を行った。その結果、保護層中に高分
子量の蛍光有機分子を適度に含有させることにより、保
護層の弾性挙動が改善され、ヘッドタッチの改善が図ら
れることを見い出した。そしてこの高分子量蛍光有機分
子の含有の度合は、ラマンスペクトルの傾きを規定する
ことにより好適に記述することができることが判った。
かくして本発明により提供される磁気記録媒体は、支持
体とその上に形成された磁性層と、さらに磁性層上に形
成された保護層とを有し、保護層のラマンスペクトル
が、ブランク補正を行った後、800cm-1における強度
（Ｉ800）と2000cm-1における強度（Ｉ2000）との間の
傾きａ＝（Ｉ2000−Ｉ800）／（2000−800）がａ≧1.0
なる関係を満たすことを特徴とするものである。
を解決すべく検討を行った。その結果、保護層中に高分
子量の蛍光有機分子を適度に含有させることにより、保
護層の弾性挙動が改善され、ヘッドタッチの改善が図ら
れることを見い出した。そしてこの高分子量蛍光有機分
子の含有の度合は、ラマンスペクトルの傾きを規定する
ことにより好適に記述することができることが判った。
かくして本発明により提供される磁気記録媒体は、支持
体とその上に形成された磁性層と、さらに磁性層上に形
成された保護層とを有し、保護層のラマンスペクトル
が、ブランク補正を行った後、800cm-1における強度
（Ｉ800）と2000cm-1における強度（Ｉ2000）との間の
傾きａ＝（Ｉ2000−Ｉ800）／（2000−800）がａ≧1.0
なる関係を満たすことを特徴とするものである。
【０００７】例えばＤＬＣ薄膜中には、ダイヤモンド結
合やグラファイト結合を行っている炭素原子の他に、水
素を含んでポリマー化した炭化水素分子が存在すること
が判っている。即ちＤＬＣ薄膜中には、アモルファスな
炭素構造の他に、ポリマー化した炭化水素分子（蛍光有
機分子）がランダムに存在しており、このような蛍光有
機分子の存在の多寡によって、ＤＬＣ薄膜の特性も影響
を受ける。そしてラマンスペクトルの傾きが上記のよう
に１以上であることは、高い波数領域での振動を与える
高分子量蛍光有機分子が適度に存在することを意味す
る。これらの高分子量蛍光有機分子は薄膜中の欠陥を補
填し、薄膜が保護膜として必要な硬さと共に、適度なや
わらかさをも兼ね備えることを可能にするものと考えら
れる。なお保護層は、こうした適度な弾性挙動を与える
高分子量蛍光有機分子を含むものであれば炭素薄膜に限
定されるものではなく、例えばSi、Ge、Snといった半導
体膜、SiO2その他の如き半導体酸化膜や、Si−Ｃ，Ｆ−
Ｃといった他の分子を含む保護膜であっても構わない。
しかし説明の便宜上、本明細書においては主としてＤＬ
Ｃを例にとって説明する。
合やグラファイト結合を行っている炭素原子の他に、水
素を含んでポリマー化した炭化水素分子が存在すること
が判っている。即ちＤＬＣ薄膜中には、アモルファスな
炭素構造の他に、ポリマー化した炭化水素分子（蛍光有
機分子）がランダムに存在しており、このような蛍光有
機分子の存在の多寡によって、ＤＬＣ薄膜の特性も影響
を受ける。そしてラマンスペクトルの傾きが上記のよう
に１以上であることは、高い波数領域での振動を与える
高分子量蛍光有機分子が適度に存在することを意味す
る。これらの高分子量蛍光有機分子は薄膜中の欠陥を補
填し、薄膜が保護膜として必要な硬さと共に、適度なや
わらかさをも兼ね備えることを可能にするものと考えら
れる。なお保護層は、こうした適度な弾性挙動を与える
高分子量蛍光有機分子を含むものであれば炭素薄膜に限
定されるものではなく、例えばSi、Ge、Snといった半導
体膜、SiO2その他の如き半導体酸化膜や、Si−Ｃ，Ｆ−
Ｃといった他の分子を含む保護膜であっても構わない。
しかし説明の便宜上、本明細書においては主としてＤＬ
Ｃを例にとって説明する。
【０００８】本発明においては、保護層のラマンスペク
トルはブランク補正後のものが使用される。ブランク補
正は、ラマン分光計に試料をセットしない状態で測定し
たスペクトルを、実際に試料をセットして測定して得ら
れたスペクトルから差し引くことによって行う。これ
は、試料表面で乱反射したレーザー光などの迷光その他
によるノイズ成分を除去し、分光装置の種類や感度など
に依存しない、正味のラマンスペクトルを得るためであ
る。例を図１に示す。図１の（ａ）は補正前のラマンス
ペクトルとブランクレベルを共に示している。この補正
前のラマンスペクトルからブランクレベルを差し引くこ
とにより、図１の（ｂ）で示したような正味のラマンス
ペクトルが得られる。
トルはブランク補正後のものが使用される。ブランク補
正は、ラマン分光計に試料をセットしない状態で測定し
たスペクトルを、実際に試料をセットして測定して得ら
れたスペクトルから差し引くことによって行う。これ
は、試料表面で乱反射したレーザー光などの迷光その他
によるノイズ成分を除去し、分光装置の種類や感度など
に依存しない、正味のラマンスペクトルを得るためであ
る。例を図１に示す。図１の（ａ）は補正前のラマンス
ペクトルとブランクレベルを共に示している。この補正
前のラマンスペクトルからブランクレベルを差し引くこ
とにより、図１の（ｂ）で示したような正味のラマンス
ペクトルが得られる。
【０００９】このようにしてブランク補正を行った後、
800cm-1におけるスペクトル強度（Ｉ800）と、そこから
1200cm-1離れた2000cm-1における強度（Ｉ2000）との２
点を用いて、傾き係数ａを次式により得る。
800cm-1におけるスペクトル強度（Ｉ800）と、そこから
1200cm-1離れた2000cm-1における強度（Ｉ2000）との２
点を用いて、傾き係数ａを次式により得る。
【００１０】
【数１】
【００１１】そして本発明による磁気記録媒体において
は、保護層について得られたこの係数ａがａ≧1.0なる
関係を満たすものである。
は、保護層について得られたこの係数ａがａ≧1.0なる
関係を満たすものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】上記のような、高分子量蛍光有機
分子を含み特定の傾斜のラマンスペクトルを有する保護
層は、公知の種々の方法によって形成することができ
る。前述したように保護層はＤＬＣに限られず、炭化ホ
ウ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ケイ
素、酸化アルミニウム等の各種の炭化物、窒化物、酸化
物などであることができ、例えば真空中で磁性層上に成
膜することにより形成される。保護層の成膜は、化学的
気相成長法（ＣＶＤ）と物理的蒸着法（ＰＶＤ）の何れ
によっても可能である。例えばＣＶＤ法ではマイクロ波
を用いたＥＣＲプラズマＣＶＤや、高周波（ＲＦ）を用
いた方法が有効である。ＣＶＤ法により保護層を形成す
る場合、原料は気体状、液体状、固体状の何れでもよい
が、高分子量蛍光有機分子を適宜含むようにするために
は、共有結合を有する化合物からなる炭素源、例えばベ
ンゼンを原料とするのが好適である。
分子を含み特定の傾斜のラマンスペクトルを有する保護
層は、公知の種々の方法によって形成することができ
る。前述したように保護層はＤＬＣに限られず、炭化ホ
ウ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ケイ
素、酸化アルミニウム等の各種の炭化物、窒化物、酸化
物などであることができ、例えば真空中で磁性層上に成
膜することにより形成される。保護層の成膜は、化学的
気相成長法（ＣＶＤ）と物理的蒸着法（ＰＶＤ）の何れ
によっても可能である。例えばＣＶＤ法ではマイクロ波
を用いたＥＣＲプラズマＣＶＤや、高周波（ＲＦ）を用
いた方法が有効である。ＣＶＤ法により保護層を形成す
る場合、原料は気体状、液体状、固体状の何れでもよい
が、高分子量蛍光有機分子を適宜含むようにするために
は、共有結合を有する化合物からなる炭素源、例えばベ
ンゼンを原料とするのが好適である。
【００１３】ＰＶＤ法としては、熱蒸発、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等が挙げられる。例えばＤＬ
Ｃをスパッタリングにより成膜する場合には、グラファ
イトターゲットを用いてメタンとアルゴンの混合ガス又
はメタンと水素の混合ガス中でスパッタすることができ
る。また酸化ケイ素の保護層を形成する場合、ターゲッ
トはケイ素、放電ガスはアルゴンと酸素の混合ガスとす
ることができる。保護層の厚みに特に限定はないが、通
常は10〜300Å程度である。
グ、イオンプレーティング等が挙げられる。例えばＤＬ
Ｃをスパッタリングにより成膜する場合には、グラファ
イトターゲットを用いてメタンとアルゴンの混合ガス又
はメタンと水素の混合ガス中でスパッタすることができ
る。また酸化ケイ素の保護層を形成する場合、ターゲッ
トはケイ素、放電ガスはアルゴンと酸素の混合ガスとす
ることができる。保護層の厚みに特に限定はないが、通
常は10〜300Å程度である。
【００１４】本発明の磁気記録媒体に用いられる支持体
としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレートのようなポリエステル；ポリエチレン、ポ
リプロピレン等のポリオレフィン；セルローストリアセ
テート、セルロースジアセテート等のセルロース誘導
体；ポリカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；
芳香族ポリアミドといったプラスチックを使用すること
ができる。支持体の厚さは３〜50μm程度である。
としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレートのようなポリエステル；ポリエチレン、ポ
リプロピレン等のポリオレフィン；セルローストリアセ
テート、セルロースジアセテート等のセルロース誘導
体；ポリカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；
芳香族ポリアミドといったプラスチックを使用すること
ができる。支持体の厚さは３〜50μm程度である。
【００１５】支持体上に設けられる磁性層は塗布型のも
のでもよいが、蒸着等により形成された金属薄膜型の磁
性層であるのが好ましい。磁性層を構成する磁性材料と
しては、通常の金属薄膜型の磁気記録媒体の製造に用い
られる強磁性金属材料が挙げられる。例えばCo，Ni，Fe
等の強磁性金属、或いはFe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−
Co−Ni、Fe−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Ｙ、Co−La、Co
−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−
Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、Ni
−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられる。磁性層としては
鉄の薄膜或いは鉄を主体とする強磁性合金の薄膜が好ま
しく、特に鉄、コバルト、ニッケルを主体とする強磁性
合金及びこれらの窒化物又は炭化物から選ばれる少なく
とも１種が好ましい。また磁性層は、いわゆる斜め蒸着
によって成膜することが好ましい。本発明において磁性
層は２層以上で設けられるが、実用的な範囲としては２
〜５が適当と考えられる。磁性層の厚さは、２層の場合
は下層100〜2000Å、上層50〜1000Å程度が好ましく、
３層の場合は下層100〜2000Å、中間層100〜1000Å、上
層50〜1000Å程度が好ましい。
のでもよいが、蒸着等により形成された金属薄膜型の磁
性層であるのが好ましい。磁性層を構成する磁性材料と
しては、通常の金属薄膜型の磁気記録媒体の製造に用い
られる強磁性金属材料が挙げられる。例えばCo，Ni，Fe
等の強磁性金属、或いはFe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−
Co−Ni、Fe−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Ｙ、Co−La、Co
−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−
Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、Ni
−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられる。磁性層としては
鉄の薄膜或いは鉄を主体とする強磁性合金の薄膜が好ま
しく、特に鉄、コバルト、ニッケルを主体とする強磁性
合金及びこれらの窒化物又は炭化物から選ばれる少なく
とも１種が好ましい。また磁性層は、いわゆる斜め蒸着
によって成膜することが好ましい。本発明において磁性
層は２層以上で設けられるが、実用的な範囲としては２
〜５が適当と考えられる。磁性層の厚さは、２層の場合
は下層100〜2000Å、上層50〜1000Å程度が好ましく、
３層の場合は下層100〜2000Å、中間層100〜1000Å、上
層50〜1000Å程度が好ましい。
【００１６】さらに本発明の磁気記録媒体には、磁性層
と反対の面において支持体にバックコート層を形成する
ことができる。バックコート層の形成は磁性層の形成よ
りも前でも後でもよい。バックコート層は常法によりバ
ックコート塗料を塗布して形成してもよいし、真空中で
金属又は半金属を付着させることにより形成することも
できる。また保護層上に、適当な潤滑剤からなるトップ
コート層を形成することもできる。これは例えばフッ素
系潤滑剤を大気中で塗布し、或いは真空中で磁性層上に
噴霧して形成される。バックコート層を設ける場合は、
その上にもトップコート層を形成することができる。
と反対の面において支持体にバックコート層を形成する
ことができる。バックコート層の形成は磁性層の形成よ
りも前でも後でもよい。バックコート層は常法によりバ
ックコート塗料を塗布して形成してもよいし、真空中で
金属又は半金属を付着させることにより形成することも
できる。また保護層上に、適当な潤滑剤からなるトップ
コート層を形成することもできる。これは例えばフッ素
系潤滑剤を大気中で塗布し、或いは真空中で磁性層上に
噴霧して形成される。バックコート層を設ける場合は、
その上にもトップコート層を形成することができる。
【００１７】
実施例１ 厚さ６μmのＰＥＴフィルム上に斜め蒸着によってコバ
ルト磁性層を2000Åの厚みで成膜した。蒸着の際の真空
度は５×10-5Torr、フィルム走行速度は100ｍ／分、電
子ビーム出力は100kWとし、酸素ガスを600SCCMの流量で
流した。次いでグラファイトをターゲットして、スパッ
タリングにより膜厚100Åの保護層を成膜した。チャン
バの排気真空度は9.0×10-6Torrとし、アルゴンと水素
を４：６の比で混合したガスを、成膜時の真空度が6.0
×10-3Torrとなる流量でチャンバ内に供給した。スパッ
タリングの電圧は430Ｖ、出力は２kW、フィルム走行速
度は0.5ｍ／分とした。
ルト磁性層を2000Åの厚みで成膜した。蒸着の際の真空
度は５×10-5Torr、フィルム走行速度は100ｍ／分、電
子ビーム出力は100kWとし、酸素ガスを600SCCMの流量で
流した。次いでグラファイトをターゲットして、スパッ
タリングにより膜厚100Åの保護層を成膜した。チャン
バの排気真空度は9.0×10-6Torrとし、アルゴンと水素
を４：６の比で混合したガスを、成膜時の真空度が6.0
×10-3Torrとなる流量でチャンバ内に供給した。スパッ
タリングの電圧は430Ｖ、出力は２kW、フィルム走行速
度は0.5ｍ／分とした。
【００１８】得られた保護層について、ラマンスペクト
ルを測定した。ラマン分光計としてはスペックス社製の
多重分光器「トリプルスペクトロメーター」を用い、波
長488nmのアルゴンレーザーを出力300mWで用い、照射時
間（積算時間）は600秒とした。試料面に対してレーザ
ーを約５゜の角度で低角入射させ、試料からの散乱光の
うち、レーザービームと90゜方向に散乱される光を集光
し、検出器により分光した。測定点は１試料について少
なくとも３点とし、平均を求めた。また試料を分光計に
セットせずに、検出器を600秒間働かせてブランクレベ
ルを測定した。ブランクレベルを差し引くことにより得
られた正味のラマンスペクトルを図２に示す。このスペ
クトルについて求めた800cm-1における強度（Ｉ8 00）と
2000cm-1における強度（Ｉ2000）との間の傾きａは1.2
であった。
ルを測定した。ラマン分光計としてはスペックス社製の
多重分光器「トリプルスペクトロメーター」を用い、波
長488nmのアルゴンレーザーを出力300mWで用い、照射時
間（積算時間）は600秒とした。試料面に対してレーザ
ーを約５゜の角度で低角入射させ、試料からの散乱光の
うち、レーザービームと90゜方向に散乱される光を集光
し、検出器により分光した。測定点は１試料について少
なくとも３点とし、平均を求めた。また試料を分光計に
セットせずに、検出器を600秒間働かせてブランクレベ
ルを測定した。ブランクレベルを差し引くことにより得
られた正味のラマンスペクトルを図２に示す。このスペ
クトルについて求めた800cm-1における強度（Ｉ8 00）と
2000cm-1における強度（Ｉ2000）との間の傾きａは1.2
であった。
【００１９】実施例２ 実施例１において、スパッタリング時のフィルム走行速
度を0.6ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が8.0×10-3Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図３に示す。この場合の傾きａは1.6であった。
度を0.6ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が8.0×10-3Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図３に示す。この場合の傾きａは1.6であった。
【００２０】実施例３ 実施例１において、スパッタリング時のフィルム走行速
度を0.7ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が1.2×10-2Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図４に示す。この場合の傾きａは2.1であった。
度を0.7ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が1.2×10-2Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図４に示す。この場合の傾きａは2.1であった。
【００２１】比較例１ 実施例１において、スパッタリング時の混合ガス中のア
ルゴンと水素の混合比を５：５とし、またフィルム走行
速度を0.4ｍ／分とした。その他は同じ条件で磁性層及
び保護層の成膜を行い、実施例１と同様にして保護層の
正味のラマンスペクトルを求めた。これを図５に示す。
この場合の傾きａは0.96であった。
ルゴンと水素の混合比を５：５とし、またフィルム走行
速度を0.4ｍ／分とした。その他は同じ条件で磁性層及
び保護層の成膜を行い、実施例１と同様にして保護層の
正味のラマンスペクトルを求めた。これを図５に示す。
この場合の傾きａは0.96であった。
【００２２】比較例２ 比較例１において、スパッタリング時のフィルム走行速
度を0.3ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が6.0×10-3Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図６に示す。この場合の傾きａは0.91であった。
度を0.3ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が6.0×10-3Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図６に示す。この場合の傾きａは0.91であった。
【００２３】実施例及び比較例で得られた処理フィルム
について、ＰＥＴフィルムの磁性層が形成された面とは
反対側に、平均粒径40nmのカーボンブラックをウレタン
プレポリマーと塩化ビニル系樹脂とのバインダー樹脂中
に分散させてなるバックコート用の塗料を、乾燥膜厚0.
5μmとなるようにダイコーティング方式により塗布し、
乾燥してバックコート層を形成した。次いで、パーフル
オロポリエーテル（FOMBLIN AM2001、アウジモント社
製）をフッ素系不活性液体（PF-5080、住友スリーエム
株式会社製）に0.05重量％となるように希釈、分散させ
た塗料を、乾燥膜厚が15Åとなるように保護層上にダイ
コーティング方式により塗布し、100℃で乾燥させて潤
滑層を形成した。得られたものを８mm幅に裁断し、カセ
ットにロードしてHi−８用のビデオカセットを作製し
た。
について、ＰＥＴフィルムの磁性層が形成された面とは
反対側に、平均粒径40nmのカーボンブラックをウレタン
プレポリマーと塩化ビニル系樹脂とのバインダー樹脂中
に分散させてなるバックコート用の塗料を、乾燥膜厚0.
5μmとなるようにダイコーティング方式により塗布し、
乾燥してバックコート層を形成した。次いで、パーフル
オロポリエーテル（FOMBLIN AM2001、アウジモント社
製）をフッ素系不活性液体（PF-5080、住友スリーエム
株式会社製）に0.05重量％となるように希釈、分散させ
た塗料を、乾燥膜厚が15Åとなるように保護層上にダイ
コーティング方式により塗布し、100℃で乾燥させて潤
滑層を形成した。得られたものを８mm幅に裁断し、カセ
ットにロードしてHi−８用のビデオカセットを作製し
た。
【００２４】上記により得たビデオカセットのヘッドタ
ッチを、エンベロープ波形によって評価した。評価に際
しては、任意の信号を記録、再生可能なように市販のHi
−８用ＶＴＲを改造した装置を用いた。記録信号は周波
数７MHzの正弦波とし、最大出力となる記録レベルを用
いた。再生信号の測定にはアドバンテスト社製TR4171型
スペクトルアナライザを用い、RBW（Resolution Band W
idth）＝10kHz、VBW（Video Band Width）＝30kHz、周
波数スパン＝０MHz、スウィープタイム＝40ms、アベレ
ージ＝16回という条件で測定を行った。得られたエンベ
ロープについて、図７のように波形の振幅の最大値（S
m）から前欠け部分の振幅（Sin）を引いたものを前欠け
比として定義した。結果を表１に示す。
ッチを、エンベロープ波形によって評価した。評価に際
しては、任意の信号を記録、再生可能なように市販のHi
−８用ＶＴＲを改造した装置を用いた。記録信号は周波
数７MHzの正弦波とし、最大出力となる記録レベルを用
いた。再生信号の測定にはアドバンテスト社製TR4171型
スペクトルアナライザを用い、RBW（Resolution Band W
idth）＝10kHz、VBW（Video Band Width）＝30kHz、周
波数スパン＝０MHz、スウィープタイム＝40ms、アベレ
ージ＝16回という条件で測定を行った。得られたエンベ
ロープについて、図７のように波形の振幅の最大値（S
m）から前欠け部分の振幅（Sin）を引いたものを前欠け
比として定義した。結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【発明の効果】以上の如く本発明によれば、優れたヘッ
ドタッチを有する磁気記録媒体を得ることができる。こ
の磁気記録媒体は高分子量蛍光有機分子を含む保護層を
有し、硬さと共に適度な弾性を備えることにより、従来
の不具合を解消することができる。
ドタッチを有する磁気記録媒体を得ることができる。こ
の磁気記録媒体は高分子量蛍光有機分子を含む保護層を
有し、硬さと共に適度な弾性を備えることにより、従来
の不具合を解消することができる。
【図１】ラマンスペクトルのブランク補正について説明
するためのグラフであり、（ａ）は補正前のスペクトル
とブランクレベルを、（ｂ）はブランクレベルを差し引
いた正味のスペクトルを示す。
するためのグラフであり、（ａ）は補正前のスペクトル
とブランクレベルを、（ｂ）はブランクレベルを差し引
いた正味のスペクトルを示す。
【図２】実施例１により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図３】実施例２により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図４】実施例３により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図５】比較例１により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図６】比較例２により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図７】エンベロープの前欠け比の定義を説明するため
の概略図である。
の概略図である。
フロントページの続き (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 支持体と、該支持体上に形成された磁性
層と、該磁性層上に形成された保護層とを有する磁気記
録媒体において、前記保護層のラマンスペクトルが、ブ
ランク補正を行った後、800cm-1における強度（Ｉ800）
と2000cm-1における強度（Ｉ2000）との間の傾きａ＝
（Ｉ2000−Ｉ800）／（2000−800）が、ａ≧1.0なる関
係を満たすことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記保護層がダイヤモンドライクカーボ
ン層である、請求項１の磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3927796A JPH09231550A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 磁気記録媒体 |
| US08/715,018 US5766766A (en) | 1995-09-21 | 1996-09-17 | Magnetic recording medium having a protective carbon film which contains a material which fluoresces |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3927796A JPH09231550A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09231550A true JPH09231550A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12548681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3927796A Pending JPH09231550A (ja) | 1995-09-21 | 1996-02-27 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09231550A (ja) |
-
1996
- 1996-02-27 JP JP3927796A patent/JPH09231550A/ja active Pending
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