JPH09204643A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH09204643A JPH09204643A JP1328896A JP1328896A JPH09204643A JP H09204643 A JPH09204643 A JP H09204643A JP 1328896 A JP1328896 A JP 1328896A JP 1328896 A JP1328896 A JP 1328896A JP H09204643 A JPH09204643 A JP H09204643A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 硬さと共に適度な弾性を備えた保護膜を有
し、耐久性に優れた磁気記録媒体の提供。 【解決手段】 保護層を、蛍光有機分子を適度に含む保
護膜により構成する。この保護膜について測定されるラ
マンスペクトルは、ブランクレベルを差し引く補正を行
うことによって正味のスペクトルとされる。この正味の
スペクトルについて、保護層は800cm-1における強度
（Ｉ800）と2000cm-1における強度（Ｉ2000）との間の
傾きａ＝（Ｉ2000−Ｉ800）／（2000−800）が、0.10≦
ａ≦0.90なる関係を満たす。
し、耐久性に優れた磁気記録媒体の提供。 【解決手段】 保護層を、蛍光有機分子を適度に含む保
護膜により構成する。この保護膜について測定されるラ
マンスペクトルは、ブランクレベルを差し引く補正を行
うことによって正味のスペクトルとされる。この正味の
スペクトルについて、保護層は800cm-1における強度
（Ｉ800）と2000cm-1における強度（Ｉ2000）との間の
傾きａ＝（Ｉ2000−Ｉ800）／（2000−800）が、0.10≦
ａ≦0.90なる関係を満たす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関
し、詳しくは、磁性層上にダイヤモンドライクカーボン
薄膜などの保護層が形成されたタイプの磁気記録媒体に
関する。
し、詳しくは、磁性層上にダイヤモンドライクカーボン
薄膜などの保護層が形成されたタイプの磁気記録媒体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体の耐食性、耐久性といった
特性を向上させる目的で、磁性層上に保護層を設けるこ
とが従来から行われている。こうした保護層は非磁性材
料からなり、例えばダイヤモンドライクカーボンや、炭
化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化
ケイ素、酸化アルミニウムなどの種々の炭化物、窒化
物、酸化物から構成される。これらの中でも、特にダイ
ヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）の如き炭素薄膜は、
硬度や摺動などに関する優れた特性の故に、保護層とし
て有力なものとして注目されている。
特性を向上させる目的で、磁性層上に保護層を設けるこ
とが従来から行われている。こうした保護層は非磁性材
料からなり、例えばダイヤモンドライクカーボンや、炭
化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化
ケイ素、酸化アルミニウムなどの種々の炭化物、窒化
物、酸化物から構成される。これらの中でも、特にダイ
ヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）の如き炭素薄膜は、
硬度や摺動などに関する優れた特性の故に、保護層とし
て有力なものとして注目されている。
【０００３】ＤＬＣ薄膜は、グラファイト結合とダイヤ
モンド結合が混在する非晶質の炭素薄膜であり、高周波
スパッタリング、プラズマＣＶＤ法等により磁性層上に
成膜される。そしてＤＬＣ薄膜のダイヤモンド結合性を
高めること、即ちSP2結合に対するSP3結合の比を高める
ことによって硬度を向上させることを目的として、種々
の試みがなされている。
モンド結合が混在する非晶質の炭素薄膜であり、高周波
スパッタリング、プラズマＣＶＤ法等により磁性層上に
成膜される。そしてＤＬＣ薄膜のダイヤモンド結合性を
高めること、即ちSP2結合に対するSP3結合の比を高める
ことによって硬度を向上させることを目的として、種々
の試みがなされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように従来は、Ｄ
ＬＣその他の保護層に対する関心は、主として硬度を増
大させることに向けられていた。しかしながら、保護層
の硬度を高めた場合、例えばＤＬＣにおけるダイヤモン
ド結合成分を増大させた場合、硬度の増大による利点を
享受しうる反面、用途によっては幾つかの不具合が生ず
る場合がある。
ＬＣその他の保護層に対する関心は、主として硬度を増
大させることに向けられていた。しかしながら、保護層
の硬度を高めた場合、例えばＤＬＣにおけるダイヤモン
ド結合成分を増大させた場合、硬度の増大による利点を
享受しうる反面、用途によっては幾つかの不具合が生ず
る場合がある。
【０００５】これは例えば、磁気テープに応用した場合
に、硬すぎて可撓性が不十分となり、逆に耐久性が損な
われるといった不具合である。そこで本発明の課題は、
このような問題点のない保護層を備えた磁気記録媒体を
提供することである。
に、硬すぎて可撓性が不十分となり、逆に耐久性が損な
われるといった不具合である。そこで本発明の課題は、
このような問題点のない保護層を備えた磁気記録媒体を
提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決すべく検討を行った。その結果、保護層中に蛍光
有機分子を適度に含有させることにより、保護層の弾性
挙動が改善され、耐久性の向上が図られることを見い出
した。そしてこの蛍光有機分子の含有の度合は、ラマン
スペクトルの傾きを規定することにより好適に記述する
ことができることが判った。かくして本発明により提供
される磁気記録媒体は、支持体とその上に形成された磁
性層と、さらに磁性層上に形成された保護層とを有し、
保護層のラマンスペクトルが、ブランク補正を行った
後、800cm-1における強度（Ｉ800）と2000cm-1における
強度（Ｉ2000）との間の傾きａ＝（Ｉ2000−Ｉ800）／
（2000−800）が0.10≦ａ≦0.90なる関係を満たすこと
を特徴とするものである。
を解決すべく検討を行った。その結果、保護層中に蛍光
有機分子を適度に含有させることにより、保護層の弾性
挙動が改善され、耐久性の向上が図られることを見い出
した。そしてこの蛍光有機分子の含有の度合は、ラマン
スペクトルの傾きを規定することにより好適に記述する
ことができることが判った。かくして本発明により提供
される磁気記録媒体は、支持体とその上に形成された磁
性層と、さらに磁性層上に形成された保護層とを有し、
保護層のラマンスペクトルが、ブランク補正を行った
後、800cm-1における強度（Ｉ800）と2000cm-1における
強度（Ｉ2000）との間の傾きａ＝（Ｉ2000−Ｉ800）／
（2000−800）が0.10≦ａ≦0.90なる関係を満たすこと
を特徴とするものである。
【０００７】例えばＤＬＣ薄膜中には、ダイヤモンド結
合やグラファイト結合を行っている炭素原子の他に、水
素を含んでポリマー化した炭化水素分子が存在すること
が判っている。即ちＤＬＣ薄膜中には、アモルファスな
炭素構造の他に、ポリマー化した炭化水素分子（蛍光有
機分子）がランダムに存在しており、このような蛍光有
機分子の存在の多寡によって、ＤＬＣ薄膜の特性も影響
を受ける。そして上記した範囲でラマンスペクトルの傾
きが正であることは、高い波数領域での振動を与える蛍
光有機分子が適度に存在することを意味し、上記のよう
な傾きの範囲内において、本発明の課題を最も好ましく
解決することのできる、保護膜として必要な硬さと適度
な弾性とを兼ね備えた保護層を有する磁気記録媒体が与
えられるものである。なお保護層は、こうした適度な弾
性挙動を与える蛍光有機分子を含むものであれば炭素薄
膜に限定されるものではなく、例えばSi、Ge、Snといっ
た半導体膜、SiO2その他の如き半導体酸化膜や、Si−
Ｃ、Ｆ−Ｃといった他の分子を含む保護膜であっても構
わない。しかし説明の便宜上、本明細書においては主と
して炭素膜（特にＤＬＣ膜）を例にとって説明する。
合やグラファイト結合を行っている炭素原子の他に、水
素を含んでポリマー化した炭化水素分子が存在すること
が判っている。即ちＤＬＣ薄膜中には、アモルファスな
炭素構造の他に、ポリマー化した炭化水素分子（蛍光有
機分子）がランダムに存在しており、このような蛍光有
機分子の存在の多寡によって、ＤＬＣ薄膜の特性も影響
を受ける。そして上記した範囲でラマンスペクトルの傾
きが正であることは、高い波数領域での振動を与える蛍
光有機分子が適度に存在することを意味し、上記のよう
な傾きの範囲内において、本発明の課題を最も好ましく
解決することのできる、保護膜として必要な硬さと適度
な弾性とを兼ね備えた保護層を有する磁気記録媒体が与
えられるものである。なお保護層は、こうした適度な弾
性挙動を与える蛍光有機分子を含むものであれば炭素薄
膜に限定されるものではなく、例えばSi、Ge、Snといっ
た半導体膜、SiO2その他の如き半導体酸化膜や、Si−
Ｃ、Ｆ−Ｃといった他の分子を含む保護膜であっても構
わない。しかし説明の便宜上、本明細書においては主と
して炭素膜（特にＤＬＣ膜）を例にとって説明する。
【０００８】本発明においては、保護層のラマンスペク
トルはブランク補正後のものが使用される。ブランク補
正は、ラマン分光計に試料をセットしない状態で測定し
たスペクトルを、実際に試料をセットして測定して得ら
れたスペクトルから差し引くことによって行う。これ
は、室内照明、または分光器内の回折格子や鏡表面など
での乱反射に由来する迷光その他によるノイズ成分を除
去し、分光装置の種類や感度などに依存しない、正味の
ラマンスペクトルを得るためである。例を図１に示す。
図１の（ａ）は補正前のラマンスペクトルとブランクレ
ベルを共に示している。この補正前のラマンスペクトル
からブランクレベルを差し引くことにより、図１の
（ｂ）で示したような正味のラマンスペクトルが得られ
る。
トルはブランク補正後のものが使用される。ブランク補
正は、ラマン分光計に試料をセットしない状態で測定し
たスペクトルを、実際に試料をセットして測定して得ら
れたスペクトルから差し引くことによって行う。これ
は、室内照明、または分光器内の回折格子や鏡表面など
での乱反射に由来する迷光その他によるノイズ成分を除
去し、分光装置の種類や感度などに依存しない、正味の
ラマンスペクトルを得るためである。例を図１に示す。
図１の（ａ）は補正前のラマンスペクトルとブランクレ
ベルを共に示している。この補正前のラマンスペクトル
からブランクレベルを差し引くことにより、図１の
（ｂ）で示したような正味のラマンスペクトルが得られ
る。
【０００９】このようにしてブランク補正を行った後、
800cm-1におけるスペクトル強度（Ｉ800）と、そこから
1200cm-1離れた2000cm-1における強度（Ｉ2000）との２
点を用いて、傾き係数ａを次式により得る。
800cm-1におけるスペクトル強度（Ｉ800）と、そこから
1200cm-1離れた2000cm-1における強度（Ｉ2000）との２
点を用いて、傾き係数ａを次式により得る。
【００１０】
【数１】
【００１１】そして本発明による磁気記録媒体において
は、保護層について得られたこの係数ａが0.10≦ａ≦0.
90なる関係を満たすものである。
は、保護層について得られたこの係数ａが0.10≦ａ≦0.
90なる関係を満たすものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】上記のような、蛍光有機分子を含
み特定の傾斜のラマンスペクトルを有する保護層は、公
知の種々の方法によって形成することができる。前述し
たように保護層はＤＬＣに限られず、炭化ホウ素、炭化
ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウム等の各種の炭化物、窒化物、酸化物などであ
ることができ、例えば真空中で磁性層上に成膜すること
により形成される。保護層の成膜は、化学的気相成長法
（ＣＶＤ）と物理的蒸着法（ＰＶＤ）の何れによっても
可能である。例えばＣＶＤ法ではマイクロ波を用いたＥ
ＣＲプラズマＣＶＤや、高周波（ＲＦ）を用いた方法が
有効である。ＣＶＤ法により保護層を形成する場合、原
料は気体状、液体状、固体状の何れでもよいが、蛍光有
機分子を適宜含むようにするためには、共有結合を有す
る化合物からなる炭素源、例えばベンゼンを原料とする
のが好適である。
み特定の傾斜のラマンスペクトルを有する保護層は、公
知の種々の方法によって形成することができる。前述し
たように保護層はＤＬＣに限られず、炭化ホウ素、炭化
ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウム等の各種の炭化物、窒化物、酸化物などであ
ることができ、例えば真空中で磁性層上に成膜すること
により形成される。保護層の成膜は、化学的気相成長法
（ＣＶＤ）と物理的蒸着法（ＰＶＤ）の何れによっても
可能である。例えばＣＶＤ法ではマイクロ波を用いたＥ
ＣＲプラズマＣＶＤや、高周波（ＲＦ）を用いた方法が
有効である。ＣＶＤ法により保護層を形成する場合、原
料は気体状、液体状、固体状の何れでもよいが、蛍光有
機分子を適宜含むようにするためには、共有結合を有す
る化合物からなる炭素源、例えばベンゼンを原料とする
のが好適である。
【００１３】ＰＶＤ法としては、熱蒸発、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等が挙げられる。例えばＤＬ
Ｃをスパッタリングにより成膜する場合には、グラファ
イトターゲットを用いてメタンとアルゴンの混合ガス又
はメタンと水素の混合ガス中でスパッタすることができ
る。また酸化ケイ素の保護層を形成する場合、ターゲッ
トはケイ素、放電ガスはアルゴンと酸素の混合ガスとす
ることができる。保護層の厚みに特に限定はないが、通
常は10〜300Å程度である。
グ、イオンプレーティング等が挙げられる。例えばＤＬ
Ｃをスパッタリングにより成膜する場合には、グラファ
イトターゲットを用いてメタンとアルゴンの混合ガス又
はメタンと水素の混合ガス中でスパッタすることができ
る。また酸化ケイ素の保護層を形成する場合、ターゲッ
トはケイ素、放電ガスはアルゴンと酸素の混合ガスとす
ることができる。保護層の厚みに特に限定はないが、通
常は10〜300Å程度である。
【００１４】本発明の磁気記録媒体に用いられる支持体
としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレートのようなポリエステル；ポリエチレン、ポ
リプロピレン等のポリオレフィン；セルローストリアセ
テート、セルロースジアセテート等のセルロース誘導
体；ポリカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；
芳香族ポリアミドといったプラスチックを使用すること
ができる。支持体の厚さは３〜50μm程度である。
としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレートのようなポリエステル；ポリエチレン、ポ
リプロピレン等のポリオレフィン；セルローストリアセ
テート、セルロースジアセテート等のセルロース誘導
体；ポリカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；
芳香族ポリアミドといったプラスチックを使用すること
ができる。支持体の厚さは３〜50μm程度である。
【００１５】支持体上に設けられる磁性層は塗布型のも
のでもよいが、蒸着等により形成された金属薄膜型の磁
性層であるのが好ましい。磁性層を構成する磁性材料と
しては、通常の金属薄膜型の磁気記録媒体の製造に用い
られる強磁性金属材料が挙げられる。例えばCo，Ni，Fe
等の強磁性金属、或いはFe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−
Co−Ni、Fe−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Ｙ、Co−La、Co
−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−
Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、Ni
−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられる。磁性層としては
鉄の薄膜或いは鉄を主体とする強磁性合金の薄膜が好ま
しく、特に鉄、コバルト、ニッケルを主体とする強磁性
合金及びこれらの窒化物又は炭化物から選ばれる少なく
とも１種が好ましい。また磁性層は、いわゆる斜め蒸着
によって成膜することが好ましい。本発明において磁性
層は２層以上で設けられるが、実用的な範囲としては２
〜５が適当と考えられる。磁性層の厚さは、２層の場合
は下層100〜2000Å、上層50〜1000Å程度が好ましく、
３層の場合は下層100〜2000Å、中間層100〜1000Å、上
層50〜1000Å程度が好ましい。
のでもよいが、蒸着等により形成された金属薄膜型の磁
性層であるのが好ましい。磁性層を構成する磁性材料と
しては、通常の金属薄膜型の磁気記録媒体の製造に用い
られる強磁性金属材料が挙げられる。例えばCo，Ni，Fe
等の強磁性金属、或いはFe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−
Co−Ni、Fe−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Ｙ、Co−La、Co
−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−
Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、Ni
−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられる。磁性層としては
鉄の薄膜或いは鉄を主体とする強磁性合金の薄膜が好ま
しく、特に鉄、コバルト、ニッケルを主体とする強磁性
合金及びこれらの窒化物又は炭化物から選ばれる少なく
とも１種が好ましい。また磁性層は、いわゆる斜め蒸着
によって成膜することが好ましい。本発明において磁性
層は２層以上で設けられるが、実用的な範囲としては２
〜５が適当と考えられる。磁性層の厚さは、２層の場合
は下層100〜2000Å、上層50〜1000Å程度が好ましく、
３層の場合は下層100〜2000Å、中間層100〜1000Å、上
層50〜1000Å程度が好ましい。
【００１６】さらに本発明の磁気記録媒体には、磁性層
と反対の面において支持体にバックコート層を形成する
ことができる。バックコート層の形成は磁性層の形成よ
りも前でも後でもよい。バックコート層は常法によりバ
ックコート塗料を塗布して形成してもよいし、真空中で
金属又は半金属を付着させることにより形成することも
できる。また保護層上に、適当な潤滑剤からなるトップ
コート層を形成することもできる。これは例えばフッ素
系潤滑剤を大気中で塗布し、或いは真空中で磁性層上に
噴霧して形成される。バックコート層を設ける場合は、
その上にもトップコート層を形成することができる。
と反対の面において支持体にバックコート層を形成する
ことができる。バックコート層の形成は磁性層の形成よ
りも前でも後でもよい。バックコート層は常法によりバ
ックコート塗料を塗布して形成してもよいし、真空中で
金属又は半金属を付着させることにより形成することも
できる。また保護層上に、適当な潤滑剤からなるトップ
コート層を形成することもできる。これは例えばフッ素
系潤滑剤を大気中で塗布し、或いは真空中で磁性層上に
噴霧して形成される。バックコート層を設ける場合は、
その上にもトップコート層を形成することができる。
【００１７】
実施例１ 厚さ６μmのＰＥＴフィルム上に斜め蒸着によってコバ
ルト磁性層を2000Åの厚みで成膜した。蒸着の際の真空
度は５×10-5Torr、フィルム走行速度は100ｍ／分、電
子ビーム出力は100kWとし、酸素ガスを600SCCMの流量で
流した。次いでグラファイトをターゲットして、スパッ
タリングにより膜厚100Åの保護層を成膜した。チャン
バの排気真空度は9.0×10-6Torrとし、アルゴンと水素
を６：４の比で混合したガスを、成膜時の真空度が4.0
×10-3Torrとなる流量でチャンバ内に供給した。スパッ
タリングの電圧は430Ｖ、出力は２kW、フィルム走行速
度は0.3ｍ／分とした。
ルト磁性層を2000Åの厚みで成膜した。蒸着の際の真空
度は５×10-5Torr、フィルム走行速度は100ｍ／分、電
子ビーム出力は100kWとし、酸素ガスを600SCCMの流量で
流した。次いでグラファイトをターゲットして、スパッ
タリングにより膜厚100Åの保護層を成膜した。チャン
バの排気真空度は9.0×10-6Torrとし、アルゴンと水素
を６：４の比で混合したガスを、成膜時の真空度が4.0
×10-3Torrとなる流量でチャンバ内に供給した。スパッ
タリングの電圧は430Ｖ、出力は２kW、フィルム走行速
度は0.3ｍ／分とした。
【００１８】得られた保護層について、ラマンスペクト
ルを測定した。ラマン分光計としてはスペックス社製の
多重分光器「トリプルスペクトロメーター」を用い、波
長488nmのアルゴンレーザーを出力300mWで用い、照射時
間（積算時間）は600秒とした。試料面に対してレーザ
ーを約５゜の角度で低角入射させ、試料からの散乱光の
うち、レーザービームと90゜方向に散乱される光を集光
し、検出器により分光した。測定点は１試料について少
なくとも３点とし、平均を求めた。また試料を分光計に
セットせずに、検出器を600秒間働かせてブランクレベ
ルを測定した。ブランクレベルを差し引くことにより得
られた正味のラマンスペクトルを図２に示す。このスペ
クトルについて求めた800cm-1における強度（Ｉ8 00）と
2000cm-1における強度（Ｉ2000）との間の傾きａは0.58
であった。
ルを測定した。ラマン分光計としてはスペックス社製の
多重分光器「トリプルスペクトロメーター」を用い、波
長488nmのアルゴンレーザーを出力300mWで用い、照射時
間（積算時間）は600秒とした。試料面に対してレーザ
ーを約５゜の角度で低角入射させ、試料からの散乱光の
うち、レーザービームと90゜方向に散乱される光を集光
し、検出器により分光した。測定点は１試料について少
なくとも３点とし、平均を求めた。また試料を分光計に
セットせずに、検出器を600秒間働かせてブランクレベ
ルを測定した。ブランクレベルを差し引くことにより得
られた正味のラマンスペクトルを図２に示す。このスペ
クトルについて求めた800cm-1における強度（Ｉ8 00）と
2000cm-1における強度（Ｉ2000）との間の傾きａは0.58
であった。
【００１９】実施例２ 実施例１において、スパッタリング時のフィルム走行速
度を0.26ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が2.0×10-3Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図３に示す。この場合の傾きａは0.42であった。
度を0.26ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が2.0×10-3Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図３に示す。この場合の傾きａは0.42であった。
【００２０】実施例３ 実施例１において、スパッタリング時のフィルム走行速
度を0.22ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が1.2×10-3Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図４に示す。この場合の傾きａは0.16であった。
度を0.22ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が1.2×10-3Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図４に示す。この場合の傾きａは0.16であった。
【００２１】比較例１ 実施例１において、スパッタリング時のフィルム走行速
度を0.4ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が8.0×10-3Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図５に示す。この場合の傾きａは0.92であった。
度を0.4ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が8.0×10-3Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図５に示す。この場合の傾きａは0.92であった。
【００２２】比較例２ 実施例１において、スパッタリング時のフィルム走行速
度を0.1ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が9.2×10-4Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図６に示す。この場合の傾きａは0.04であった。
度を0.1ｍ／分とし、混合ガス流量を、成膜時の真空度
が9.2×10-4Torrとなるように調節した。その他は同じ
条件で磁性層及び保護層の成膜を行い、実施例１と同様
にして保護層の正味のラマンスペクトルを求めた。これ
を図６に示す。この場合の傾きａは0.04であった。
【００２３】実施例及び比較例で得られた処理フィルム
について、ＰＥＴフィルムの磁性層が形成された面とは
反対側に、平均粒径40nmのカーボンブラックをウレタン
樹脂と塩化ビニル系樹脂とのバインダー樹脂中に分散さ
せてなるバックコート用の塗料を、乾燥膜厚0.5μmとな
るようにダイコーティング方式により塗布し、乾燥して
バックコート層を形成した。次いで、パーフルオロポリ
エーテル（FOMBLIN AM2001、アウジモント社製）をフッ
素系不活性液体（PF-5080、住友スリーエム株式会社
製）に0.05重量％となるように希釈、分散させた塗料
を、乾燥膜厚が15Åとなるように保護層上にダイコーテ
ィング方式により塗布し、100℃で乾燥させて潤滑層を
形成した。得られたものを８mm幅に裁断し、カセットに
ロードしてHi−８用のビデオカセットを作製した。
について、ＰＥＴフィルムの磁性層が形成された面とは
反対側に、平均粒径40nmのカーボンブラックをウレタン
樹脂と塩化ビニル系樹脂とのバインダー樹脂中に分散さ
せてなるバックコート用の塗料を、乾燥膜厚0.5μmとな
るようにダイコーティング方式により塗布し、乾燥して
バックコート層を形成した。次いで、パーフルオロポリ
エーテル（FOMBLIN AM2001、アウジモント社製）をフッ
素系不活性液体（PF-5080、住友スリーエム株式会社
製）に0.05重量％となるように希釈、分散させた塗料
を、乾燥膜厚が15Åとなるように保護層上にダイコーテ
ィング方式により塗布し、100℃で乾燥させて潤滑層を
形成した。得られたものを８mm幅に裁断し、カセットに
ロードしてHi−８用のビデオカセットを作製した。
【００２４】上記により得たビデオカセットのスチル耐
久性を評価した。評価に際しては市販のHi−８用ＶＴＲ
を改造した装置にビデオカセットを装填してスチル状態
とし、20.92MHzにおける出力が２dB低下するまでの時間
を測定した。結果を表１に示す。
久性を評価した。評価に際しては市販のHi−８用ＶＴＲ
を改造した装置にビデオカセットを装填してスチル状態
とし、20.92MHzにおける出力が２dB低下するまでの時間
を測定した。結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【発明の効果】以上の如く本発明によれば、耐久性に優
れた磁気記録媒体を得ることができる。この磁気記録媒
体は蛍光有機分子を含む保護層を有し、硬さと共に適度
な弾性を備え、従来の不具合を解消することができる。
れた磁気記録媒体を得ることができる。この磁気記録媒
体は蛍光有機分子を含む保護層を有し、硬さと共に適度
な弾性を備え、従来の不具合を解消することができる。
【図１】ラマンスペクトルのブランク補正について説明
するためのグラフであり、（ａ）は補正前のスペクトル
とブランクレベルを、（ｂ）はブランクレベルを差し引
いた正味のスペクトルを示す。
するためのグラフであり、（ａ）は補正前のスペクトル
とブランクレベルを、（ｂ）はブランクレベルを差し引
いた正味のスペクトルを示す。
【図２】実施例１により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図３】実施例２により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図４】実施例３により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図５】比較例１により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
【図６】比較例２により得られた保護層のラマンスペク
トルを示すグラフである。
トルを示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 支持体と、該支持体上に形成された磁性
層と、該磁性層上に形成された保護層とを有する磁気記
録媒体において、前記保護層のラマンスペクトルが、ブ
ランク補正を行った後、800cm-1における強度（Ｉ800）
と2000cm-1における強度（Ｉ2000）との間の傾きａ＝
（Ｉ2000−Ｉ800）／（2000−800）が、0.10≦ａ≦0.90
なる関係を満たすことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記保護層がダイヤモンドライクカーボ
ンである、請求項１の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1328896A JPH09204643A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1328896A JPH09204643A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09204643A true JPH09204643A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11829021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1328896A Pending JPH09204643A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09204643A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004152667A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Tyco Electronics Amp Kk | 電気コネクタ |
-
1996
- 1996-01-29 JP JP1328896A patent/JPH09204643A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004152667A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Tyco Electronics Amp Kk | 電気コネクタ |
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