JPH09266229A - 半導体装置の実装方法および半導体装置の実装体 - Google Patents
半導体装置の実装方法および半導体装置の実装体Info
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置をフェースダウンで回路基板に実
装した半導体装置の実装体において、半導体装置と回路
基板との電気的接続の信頼性を向上させる。 【解決手段】 半導体装置が回路基板に実装され、半導
体装置と回路基板との間隙に樹脂８と無機フィラー９と
を含む樹脂組成物１０が備えられ、樹脂組成物１０中の
無機フィラー９が熱膨脹係数の小さい部材の近傍に位置
した構成である。
装した半導体装置の実装体において、半導体装置と回路
基板との電気的接続の信頼性を向上させる。 【解決手段】 半導体装置が回路基板に実装され、半導
体装置と回路基板との間隙に樹脂８と無機フィラー９と
を含む樹脂組成物１０が備えられ、樹脂組成物１０中の
無機フィラー９が熱膨脹係数の小さい部材の近傍に位置
した構成である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、詳しくは半導体装置の実装方法およびその実装体に
関するものである。
し、詳しくは半導体装置の実装方法およびその実装体に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置を回路基板上へ実装す
る場合には、半田付けによる方法が一般的である。しか
し、近年、半導体装置のパッケージの小型化と接続端子
数の増加により、接続端子間の間隔が狭くなり、従来の
半田付け技術によって対処することが次第に困難になっ
てきている。
る場合には、半田付けによる方法が一般的である。しか
し、近年、半導体装置のパッケージの小型化と接続端子
数の増加により、接続端子間の間隔が狭くなり、従来の
半田付け技術によって対処することが次第に困難になっ
てきている。
【０００３】そこで、最近では、裸の半導体装置を回路
基板上に直付けすることによって、実装面積の小型化と
効率的使用とを図ろうとする方法が考え出されている。
その一例として次のようなものがある。
基板上に直付けすることによって、実装面積の小型化と
効率的使用とを図ろうとする方法が考え出されている。
その一例として次のようなものがある。
【０００４】その方法は、まず、半導体装置を回路基板
に電気的に接続する際に、半導体装置の端子電極上にあ
らかじめ密着金属や拡散防止金属の蒸着膜と、メッキに
よって形成された半田層とを積層させる。そして、次
に、以上の電極構造を有する半導体装置を回路基板上に
フェースダウンさせ、高温に加熱して半導体装置の端子
電極上の半田を回路基板の接続電極に融着させるという
ものである。
に電気的に接続する際に、半導体装置の端子電極上にあ
らかじめ密着金属や拡散防止金属の蒸着膜と、メッキに
よって形成された半田層とを積層させる。そして、次
に、以上の電極構造を有する半導体装置を回路基板上に
フェースダウンさせ、高温に加熱して半導体装置の端子
電極上の半田を回路基板の接続電極に融着させるという
ものである。
【０００５】この方法によれば、接続を一括して行うこ
とができ、さらに、この方法による実装構造は、接続後
の機械的強度が強いという特徴を有する。したがって、
この方法は、有効な方法であるとされている。
とができ、さらに、この方法による実装構造は、接続後
の機械的強度が強いという特徴を有する。したがって、
この方法は、有効な方法であるとされている。
【０００６】また、米国特許第５１２１１９０号明細書
には、半田による接合部の安定性を確保するために、半
導体装置と回路基板との間を樹脂封止した半導体装置の
実装体が開示されている。
には、半田による接合部の安定性を確保するために、半
導体装置と回路基板との間を樹脂封止した半導体装置の
実装体が開示されている。
【０００７】以下、従来の半導体装置の実装方法とその
実装体について説明する。図５は、従来技術における半
導体装置の実装体の要部断面図である。図５において、
１は半導体装置、２は半導体装置１の端子電極、４は回
路基板、５は接続電極、１３は半田による接合部、１４
は封止樹脂である。
実装体について説明する。図５は、従来技術における半
導体装置の実装体の要部断面図である。図５において、
１は半導体装置、２は半導体装置１の端子電極、４は回
路基板、５は接続電極、１３は半田による接合部、１４
は封止樹脂である。
【０００８】この従来技術においては、まず、端子電極
２上に半田バンプが形成された半導体装置１を、回路基
板４の接続端子５の所定の位置に、フェースダウンで搭
載する。次に、２００〜３００℃の高温に加熱して、端
子電極２上の半田バンプを溶融させ接続端子５に融着さ
せる。こうすることにより、半導体装置１と回路基板４
とが半田による接合部１３により接続される。その後、
半導体装置１と回路基板４との間隙に液状の封止樹脂１
４を充填し、１５０℃程度の温度で加熱硬化する。以上
の工程により、半導体装置１を封止樹脂１４で封止した
実装体を得ることができる。
２上に半田バンプが形成された半導体装置１を、回路基
板４の接続端子５の所定の位置に、フェースダウンで搭
載する。次に、２００〜３００℃の高温に加熱して、端
子電極２上の半田バンプを溶融させ接続端子５に融着さ
せる。こうすることにより、半導体装置１と回路基板４
とが半田による接合部１３により接続される。その後、
半導体装置１と回路基板４との間隙に液状の封止樹脂１
４を充填し、１５０℃程度の温度で加熱硬化する。以上
の工程により、半導体装置１を封止樹脂１４で封止した
実装体を得ることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
従来の半導体装置の実装体においては、この半導体装置
の実装体を使用する際の環境温度の変化により、半導体
装置１と回路基板４との熱膨張係数の差による熱応力が
生じ、その熱応力が半田による接合部１３に加わること
となる。また、この半導体装置の実装体を特に高温領域
で使用する場合には、半導体装置１と回路基板４との間
隙に充填されている封止樹脂１４においても熱膨張によ
る新たな熱応力が生じ、この熱応力も半田による接合部
１３に加わることとなる。したがって、この従来の実装
体においては、これらの熱応力がすべて半田による接合
部１３に加わるので、半導体装置１と回路基板４との電
気的接続の信頼性が悪化する。
従来の半導体装置の実装体においては、この半導体装置
の実装体を使用する際の環境温度の変化により、半導体
装置１と回路基板４との熱膨張係数の差による熱応力が
生じ、その熱応力が半田による接合部１３に加わること
となる。また、この半導体装置の実装体を特に高温領域
で使用する場合には、半導体装置１と回路基板４との間
隙に充填されている封止樹脂１４においても熱膨張によ
る新たな熱応力が生じ、この熱応力も半田による接合部
１３に加わることとなる。したがって、この従来の実装
体においては、これらの熱応力がすべて半田による接合
部１３に加わるので、半導体装置１と回路基板４との電
気的接続の信頼性が悪化する。
【００１０】これらの熱応力を避けるためには、封止樹
脂１４として熱膨張係数の小さなもの（さらに好ましく
は半田による接合部１３の熱膨張係数に一致するもの）
を用いて、半田による接合部１３の安定性を確保する必
要がある。このような（熱膨脹係数の小さい）封止樹脂
１４としては、封止樹脂１４中に無機フィラーを約４０
〜７５重量％（さらに好ましくは約５０〜６０重量％）
含有させたものが考えられる。
脂１４として熱膨張係数の小さなもの（さらに好ましく
は半田による接合部１３の熱膨張係数に一致するもの）
を用いて、半田による接合部１３の安定性を確保する必
要がある。このような（熱膨脹係数の小さい）封止樹脂
１４としては、封止樹脂１４中に無機フィラーを約４０
〜７５重量％（さらに好ましくは約５０〜６０重量％）
含有させたものが考えられる。
【００１１】しかし、このような封止樹脂１４（半田に
よる接合部１３の熱膨脹係数に合致する程に小さい熱膨
脹係数を有するもの）を用いると、回路基板に対して垂
直方向（以下、単に「垂直方向」ともいう。）に働く半
田による接合部１３の熱応力については解決するが、回
路基板に沿って平行方向（以下、「平面方向」とい
う。）に働く半導体装置１と回路基板４との熱膨張係数
の差によって生ずる熱応力については解決できない。そ
ればかりか、このような封止樹脂１４を用いると、平面
方向の熱応力は一層増大する。
よる接合部１３の熱膨脹係数に合致する程に小さい熱膨
脹係数を有するもの）を用いると、回路基板に対して垂
直方向（以下、単に「垂直方向」ともいう。）に働く半
田による接合部１３の熱応力については解決するが、回
路基板に沿って平行方向（以下、「平面方向」とい
う。）に働く半導体装置１と回路基板４との熱膨張係数
の差によって生ずる熱応力については解決できない。そ
ればかりか、このような封止樹脂１４を用いると、平面
方向の熱応力は一層増大する。
【００１２】このような平面方向の熱応力の増大は、半
田による接合部１３と半導体装置１および回路基板４と
の熱膨脹係数が大きく異なることにより生ずる。つま
り、封止樹脂１４の熱膨脹係数を半田の接合部１３に合
致させたとしても、半導体装置１および回路基板４の熱
膨脹係数とは合致させることができないので、その熱膨
脹係数の差によって熱応力の増大が起こるのである。し
たがって、これら平面方向の熱膨脹係数の差により生ず
る熱応力が、半田による接合部１３へ加わり、半導体装
置１と回路基板４との電気的接続の信頼性を悪化させ
る。
田による接合部１３と半導体装置１および回路基板４と
の熱膨脹係数が大きく異なることにより生ずる。つま
り、封止樹脂１４の熱膨脹係数を半田の接合部１３に合
致させたとしても、半導体装置１および回路基板４の熱
膨脹係数とは合致させることができないので、その熱膨
脹係数の差によって熱応力の増大が起こるのである。し
たがって、これら平面方向の熱膨脹係数の差により生ず
る熱応力が、半田による接合部１３へ加わり、半導体装
置１と回路基板４との電気的接続の信頼性を悪化させ
る。
【００１３】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、信頼性の高い半導体装置の実装体
と、これを得るための半導体装置の実装方法を提供する
ことを目的とする。
になされたもので、信頼性の高い半導体装置の実装体
と、これを得るための半導体装置の実装方法を提供する
ことを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、半導体装置をフェースダウンで回路基板に
実装する半導体装置の実装方法であって、前記半導体装
置を前記回路基板に実装する工程と、前記半導体装置と
前記回路基板との間隙に樹脂と無機フィラーとを含む液
状の樹脂組成物を充填する工程と、前記無機フィラーが
熱膨脹係数の小さい部材の近傍に位置する状態で前記樹
脂組成物を硬化する工程とを有することを特徴とする。
の本発明は、半導体装置をフェースダウンで回路基板に
実装する半導体装置の実装方法であって、前記半導体装
置を前記回路基板に実装する工程と、前記半導体装置と
前記回路基板との間隙に樹脂と無機フィラーとを含む液
状の樹脂組成物を充填する工程と、前記無機フィラーが
熱膨脹係数の小さい部材の近傍に位置する状態で前記樹
脂組成物を硬化する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】こうすることにより、前記半導体装置と前
記回路基板との間に介在する硬化後の前記樹脂組成物に
おいては、前記無機フィラーの分布状態、つまり前記無
機フィラーの在る部分と無い部分との間で熱膨脹係数の
傾きが発生することとなる。したがって、前記無機フィ
ラーを如何に分布させるかにより、前記樹脂組成物の熱
膨脹による熱応力の発生を、垂直方向および平面方向と
もに効果的に防止することができる。
記回路基板との間に介在する硬化後の前記樹脂組成物に
おいては、前記無機フィラーの分布状態、つまり前記無
機フィラーの在る部分と無い部分との間で熱膨脹係数の
傾きが発生することとなる。したがって、前記無機フィ
ラーを如何に分布させるかにより、前記樹脂組成物の熱
膨脹による熱応力の発生を、垂直方向および平面方向と
もに効果的に防止することができる。
【００１６】また、前記半導体装置の熱膨脹係数が前記
回路基板の熱膨脹係数よりも大きい場合には、前記無機
フィラーが前記回路基板の近傍に位置する状態で前記樹
脂組成物を硬化することが好ましい。ここで前記無機フ
ィラーは、熱伝導性を向上させる効果を有するので、前
記実装方法によれば前記回路基板に対する熱伝導が向上
し、前記半導体装置と前記回路基板の熱膨脹係数の差が
緩和される。したがって、硬化後の前記樹脂組成物は垂
直方向に熱膨脹係数の傾きを有することとなり、前記樹
脂組成物の熱膨脹による熱応力の発生を垂直方向および
平面方向ともに防止することができ、前記半導体装置と
前記回路基板とを信頼性高く実装することができる。
回路基板の熱膨脹係数よりも大きい場合には、前記無機
フィラーが前記回路基板の近傍に位置する状態で前記樹
脂組成物を硬化することが好ましい。ここで前記無機フ
ィラーは、熱伝導性を向上させる効果を有するので、前
記実装方法によれば前記回路基板に対する熱伝導が向上
し、前記半導体装置と前記回路基板の熱膨脹係数の差が
緩和される。したがって、硬化後の前記樹脂組成物は垂
直方向に熱膨脹係数の傾きを有することとなり、前記樹
脂組成物の熱膨脹による熱応力の発生を垂直方向および
平面方向ともに防止することができ、前記半導体装置と
前記回路基板とを信頼性高く実装することができる。
【００１７】さらに、前記半導体装置の熱膨脹係数が前
記回路基板の熱膨脹係数よりも小さい場合には、前記無
機フィラーが前記半導体装置の近傍に位置する状態で前
記樹脂組成物を硬化することが好ましい。こうすること
により、前記半導体装置に対する熱伝導が向上し、前記
半導体装置と前記回路基板の熱膨脹係数の差が緩和さ
れ、前記樹脂組成物の熱膨脹による熱応力の発生を垂直
方向におよび平面方向ともに防止することができる。
記回路基板の熱膨脹係数よりも小さい場合には、前記無
機フィラーが前記半導体装置の近傍に位置する状態で前
記樹脂組成物を硬化することが好ましい。こうすること
により、前記半導体装置に対する熱伝導が向上し、前記
半導体装置と前記回路基板の熱膨脹係数の差が緩和さ
れ、前記樹脂組成物の熱膨脹による熱応力の発生を垂直
方向におよび平面方向ともに防止することができる。
【００１８】また、前記無機フィラーの位置決めを行う
方法としては、前記液状の樹脂組成物中の前記樹脂と前
記無機フィラーとの比重差を利用する方法、および前記
液状の樹脂組成物中の前記樹脂の粘度が高温状態で急激
に下がる性質を利用する方法等が好ましい。さらに、前
記無機フィラーを前記半導体装置の近傍に位置させる方
法として、前記回路基板を裏返して前記樹脂と前記無機
フィラーとの比重差を利用する方法も好ましい。また、
前記無機フィラーの位置決めと、前記液状の樹脂組成物
の硬化とを同一の工程で行う方法も好ましい。
方法としては、前記液状の樹脂組成物中の前記樹脂と前
記無機フィラーとの比重差を利用する方法、および前記
液状の樹脂組成物中の前記樹脂の粘度が高温状態で急激
に下がる性質を利用する方法等が好ましい。さらに、前
記無機フィラーを前記半導体装置の近傍に位置させる方
法として、前記回路基板を裏返して前記樹脂と前記無機
フィラーとの比重差を利用する方法も好ましい。また、
前記無機フィラーの位置決めと、前記液状の樹脂組成物
の硬化とを同一の工程で行う方法も好ましい。
【００１９】さらに、前記半導体装置を半田バンプを用
いて前記回路基板に実装する方法、前記半導体装置を導
電性接着剤を用いて前記回路基板に実装する方法、およ
び前記半導体装置を突起電極と導電性接着剤とを用いて
前記回路基板に実装する方法等も好ましい。
いて前記回路基板に実装する方法、前記半導体装置を導
電性接着剤を用いて前記回路基板に実装する方法、およ
び前記半導体装置を突起電極と導電性接着剤とを用いて
前記回路基板に実装する方法等も好ましい。
【００２０】また、本発明に係る半導体装置に実装体
は、半導体装置が回路基板に実装され、前記半導体装置
と前記回路基板との間隙に樹脂と無機フィラーとを含む
樹脂組成物が備えられ、前記樹脂組成物中の前記無機フ
ィラーが熱膨脹係数の小さい部材の近傍に位置した状態
であることを特徴とする。さらに、熱膨脹係数が前記回
路基板に対して垂直方向に変化する前記樹脂組成物が備
えられていることが好ましい。また、前記半導体装置の
熱膨脹係数が前記回路基板の熱膨脹係数よりも大きい場
合には、前記樹脂組成物中の前記無機フィラーが前記回
路基板の近傍に位置した状態であること、および前記半
導体装置の熱膨脹係数が前記回路基板の熱膨脹係数より
も小さい場合には、前記樹脂組成物中の前記無機フィラ
ーが前記半導体装置の近傍に位置した状態であることが
好ましい。
は、半導体装置が回路基板に実装され、前記半導体装置
と前記回路基板との間隙に樹脂と無機フィラーとを含む
樹脂組成物が備えられ、前記樹脂組成物中の前記無機フ
ィラーが熱膨脹係数の小さい部材の近傍に位置した状態
であることを特徴とする。さらに、熱膨脹係数が前記回
路基板に対して垂直方向に変化する前記樹脂組成物が備
えられていることが好ましい。また、前記半導体装置の
熱膨脹係数が前記回路基板の熱膨脹係数よりも大きい場
合には、前記樹脂組成物中の前記無機フィラーが前記回
路基板の近傍に位置した状態であること、および前記半
導体装置の熱膨脹係数が前記回路基板の熱膨脹係数より
も小さい場合には、前記樹脂組成物中の前記無機フィラ
ーが前記半導体装置の近傍に位置した状態であることが
好ましい。
【００２１】このような構成にしたことにより、垂直方
向においては、前記樹脂組成物の垂直方向の熱膨張係数
の平均値と、前記半導体装置と前記回路基板との接続部
分の垂直方向の熱膨張係数の値とをほぼ同一に維持する
ことができ、平面方向においては、垂直方向に熱膨脹係
数が変化する前記樹脂組成物によって、前記半導体装置
側と前記回路基板側との熱膨脹係数の差を緩和すること
ができる。したがって、前記樹脂組成物の熱膨脹による
熱応力の発生を垂直方向および平面方向ともに効果的に
防止することが可能となり、前記半導体装置と前記回路
基板の熱膨脹係数が異なる場合においても、信頼性の高
い半導体装置の実装体を得ることができる。
向においては、前記樹脂組成物の垂直方向の熱膨張係数
の平均値と、前記半導体装置と前記回路基板との接続部
分の垂直方向の熱膨張係数の値とをほぼ同一に維持する
ことができ、平面方向においては、垂直方向に熱膨脹係
数が変化する前記樹脂組成物によって、前記半導体装置
側と前記回路基板側との熱膨脹係数の差を緩和すること
ができる。したがって、前記樹脂組成物の熱膨脹による
熱応力の発生を垂直方向および平面方向ともに効果的に
防止することが可能となり、前記半導体装置と前記回路
基板の熱膨脹係数が異なる場合においても、信頼性の高
い半導体装置の実装体を得ることができる。
【００２２】さらに、前記樹脂組成物の前記回路基板に
対する垂直方向の熱膨脹係数の平均値と、前記半導体装
置と前記回路基板との接続部分の前記回路基板に対する
垂直方向の熱膨脹係数の値とがほぼ一致するように、前
記樹脂と前記無機フィラーとの割合が調整された前記樹
脂組成物が備えられていることが好ましい。前記樹脂組
成物中の前記無機フィラーとしては、球状の無機フィラ
ーが用いられていることも好ましい。
対する垂直方向の熱膨脹係数の平均値と、前記半導体装
置と前記回路基板との接続部分の前記回路基板に対する
垂直方向の熱膨脹係数の値とがほぼ一致するように、前
記樹脂と前記無機フィラーとの割合が調整された前記樹
脂組成物が備えられていることが好ましい。前記樹脂組
成物中の前記無機フィラーとしては、球状の無機フィラ
ーが用いられていることも好ましい。
【００２３】また、前記半導体装置が半田バンプを用い
て前記回路基板に実装されていること、前記半導体装置
が導電性接着剤を用いて前記回路基板に実装されている
こと、および前記半導体装置が突起電極と導電性接着剤
とを用いて前記回路基板に実装されていることも好まし
い。
て前記回路基板に実装されていること、前記半導体装置
が導電性接着剤を用いて前記回路基板に実装されている
こと、および前記半導体装置が突起電極と導電性接着剤
とを用いて前記回路基板に実装されていることも好まし
い。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面に基づいて説明する。図１は、本発明の第一の
実施形態に係る半導体装置の実装方法についての工程図
を示している。図１において、１は半導体装置、２は端
子電極、３は導電性接着剤、４は回路基板、５は接続電
極、６は導電性接着剤による接合部、７は液状の樹脂組
成物、８は樹脂、９は無機フィラー、１０は硬化後の樹
脂組成物である。以下、図１の工程図に基づいて、この
第一の実施形態に係る半導体装置の実装方法について説
明する。
て、図面に基づいて説明する。図１は、本発明の第一の
実施形態に係る半導体装置の実装方法についての工程図
を示している。図１において、１は半導体装置、２は端
子電極、３は導電性接着剤、４は回路基板、５は接続電
極、６は導電性接着剤による接合部、７は液状の樹脂組
成物、８は樹脂、９は無機フィラー、１０は硬化後の樹
脂組成物である。以下、図１の工程図に基づいて、この
第一の実施形態に係る半導体装置の実装方法について説
明する。
【００２５】まず、図１（ａ）に示すように、半導体装
置１の端子電極２にあらかじめ導電性接着剤３を形成す
る。この場合、導電性接着剤３は、端子電極２の上に直
接形成してもよいし、端子電極２にあらかじめ形成した
突起電極（バンプ）の上に形成してもよい。
置１の端子電極２にあらかじめ導電性接着剤３を形成す
る。この場合、導電性接着剤３は、端子電極２の上に直
接形成してもよいし、端子電極２にあらかじめ形成した
突起電極（バンプ）の上に形成してもよい。
【００２６】次に、図１（ｂ）に示すように、この半導
体装置１をフェースダウン（下向き）にして回路基板４
（例えばガラエポ基板）の接続電極５の所定の位置に位
置合わせを行い、回路基板４の上に半導体装置１を搭載
する。これにより、半導体装置１の端子電極２と回路基
板４の接続電極５とが導電性接着剤による接合部６によ
って電気的に接続される。この場合、半導体装置１の熱
膨張係数は回路基板４の熱膨張係数よりも小さい。
体装置１をフェースダウン（下向き）にして回路基板４
（例えばガラエポ基板）の接続電極５の所定の位置に位
置合わせを行い、回路基板４の上に半導体装置１を搭載
する。これにより、半導体装置１の端子電極２と回路基
板４の接続電極５とが導電性接着剤による接合部６によ
って電気的に接続される。この場合、半導体装置１の熱
膨張係数は回路基板４の熱膨張係数よりも小さい。
【００２７】次に、図１（ｃ）に示すように、半導体装
置１と回路基板４との間隙に液状の樹脂組成物７を充填
する。そして、図１（ｄ）に示すように、回路基板４を
裏返して１５０℃程度の温度で加熱することにより液状
の樹脂組成物７を硬化させる。そうすると、液状の樹脂
組成物７中で、樹脂８（例えばエポキシ樹脂）と無機フ
ィラー９（例えばシリカ）との比重差によって無機フィ
ラー９が半導体装置１側に沈降した状態での硬化後の樹
脂組成物１０を得ることができる。
置１と回路基板４との間隙に液状の樹脂組成物７を充填
する。そして、図１（ｄ）に示すように、回路基板４を
裏返して１５０℃程度の温度で加熱することにより液状
の樹脂組成物７を硬化させる。そうすると、液状の樹脂
組成物７中で、樹脂８（例えばエポキシ樹脂）と無機フ
ィラー９（例えばシリカ）との比重差によって無機フィ
ラー９が半導体装置１側に沈降した状態での硬化後の樹
脂組成物１０を得ることができる。
【００２８】以上の工程により、図２に示すような半導
体装置１の実装体を得ることができる。このとき用いら
れる液状の樹脂組成物７には、少なくとも樹脂８と無機
フィラー９とが含有されている。またこの樹脂組成物７
としては、硬化後の樹脂組成物１０の熱膨張係数が導電
性接着剤の接合部６の熱膨張係数に一致するように、樹
脂８と無機フィラー９との割合が調整されているものが
用いられる。このため、硬化後の樹脂組成物１０中で無
機フィラー９が沈降した状態であっても、硬化後の樹脂
組成物１０の平均した垂直方向の熱膨張係数は導電性接
着剤の接合部６の垂直方向の熱膨張係数と一致してい
る。
体装置１の実装体を得ることができる。このとき用いら
れる液状の樹脂組成物７には、少なくとも樹脂８と無機
フィラー９とが含有されている。またこの樹脂組成物７
としては、硬化後の樹脂組成物１０の熱膨張係数が導電
性接着剤の接合部６の熱膨張係数に一致するように、樹
脂８と無機フィラー９との割合が調整されているものが
用いられる。このため、硬化後の樹脂組成物１０中で無
機フィラー９が沈降した状態であっても、硬化後の樹脂
組成物１０の平均した垂直方向の熱膨張係数は導電性接
着剤の接合部６の垂直方向の熱膨張係数と一致してい
る。
【００２９】また、上記工程においては、無機フィラー
９を半導体装置１側に寄せた状態で硬化させたので、硬
化後の樹脂組成物１０の平面方向の熱膨張係数は、熱膨
張係数の小さい半導体装置１側では小さく、熱膨張係数
の大きい回路基板４側では大きいといったように、硬化
後の樹脂組成物１０中で垂直方向に熱膨張係数の傾斜を
有する。
９を半導体装置１側に寄せた状態で硬化させたので、硬
化後の樹脂組成物１０の平面方向の熱膨張係数は、熱膨
張係数の小さい半導体装置１側では小さく、熱膨張係数
の大きい回路基板４側では大きいといったように、硬化
後の樹脂組成物１０中で垂直方向に熱膨張係数の傾斜を
有する。
【００３０】したがって、半導体装置１を高温で使用す
る場合においても、半導体装置１と回路基板４との間隙
に存在する硬化後の樹脂組成物１０の熱膨張による垂直
方向および平面方向の熱応力の発生を防止することがで
きる。その結果、電気的な接続の信頼性の高い半導体装
置１の実装体を得ることができる。
る場合においても、半導体装置１と回路基板４との間隙
に存在する硬化後の樹脂組成物１０の熱膨張による垂直
方向および平面方向の熱応力の発生を防止することがで
きる。その結果、電気的な接続の信頼性の高い半導体装
置１の実装体を得ることができる。
【００３１】また、以上の構成にすることにより、液状
の樹脂組成物７を加熱硬化した後に常温に戻す際におい
ても、硬化後の樹脂組成物１０の熱収縮による垂直方向
および平面方向の熱応力の発生を防止することができ
る。したがって、半導体装置１を回路基板４に実装する
際の電気的な接続の信頼性が向上する。
の樹脂組成物７を加熱硬化した後に常温に戻す際におい
ても、硬化後の樹脂組成物１０の熱収縮による垂直方向
および平面方向の熱応力の発生を防止することができ
る。したがって、半導体装置１を回路基板４に実装する
際の電気的な接続の信頼性が向上する。
【００３２】図３は、本発明の第二の実施形態に係る半
導体装置の実装体を示している。図３において、１は半
導体装置、２は端子電極、４は回路基板、５は接続電
極、６は導電性接着剤による接合部、１０は硬化後の樹
脂組成物、１１は突起電極である。
導体装置の実装体を示している。図３において、１は半
導体装置、２は端子電極、４は回路基板、５は接続電
極、６は導電性接着剤による接合部、１０は硬化後の樹
脂組成物、１１は突起電極である。
【００３３】この第二の実施形態に係る半導体装置の実
装体は、半導体装置１の端子電極２に突起電極１１を設
けた構成としている。その他の構成は、実質的に上記第
一の実施形態と同様である。突起電極１１の材料として
は、Ａｕ等を用いる。この第二の実施形態に示したよう
に、端子電極２に突起電極１１を設けた構成とすると、
上記第１の実施形態の効果に加えて、半導体装置１を回
路基板４に実装する際の導電性接着剤の広がりを規制す
ることができ、微細ピッチでの接合が可能となる。
装体は、半導体装置１の端子電極２に突起電極１１を設
けた構成としている。その他の構成は、実質的に上記第
一の実施形態と同様である。突起電極１１の材料として
は、Ａｕ等を用いる。この第二の実施形態に示したよう
に、端子電極２に突起電極１１を設けた構成とすると、
上記第１の実施形態の効果に加えて、半導体装置１を回
路基板４に実装する際の導電性接着剤の広がりを規制す
ることができ、微細ピッチでの接合が可能となる。
【００３４】図４は、本発明の第三の実施形態に係る半
導体装置の実装体を示している。図４において、１は半
導体装置、２は端子電極、４は回路基板、５は接続電
極、１０は硬化後の樹脂組成物、１２は半田による接合
部である。
導体装置の実装体を示している。図４において、１は半
導体装置、２は端子電極、４は回路基板、５は接続電
極、１０は硬化後の樹脂組成物、１２は半田による接合
部である。
【００３５】この第三の実施形態に係る半導体装置の実
装体は、半導体装置１の端子電極２を回路基板４の端子
電極５に半田による接合部１２で実装した構成としてい
る。その他の構成は、実質敵に上記第一の実施形態と同
様である。
装体は、半導体装置１の端子電極２を回路基板４の端子
電極５に半田による接合部１２で実装した構成としてい
る。その他の構成は、実質敵に上記第一の実施形態と同
様である。
【００３６】この第三の実施形態に示したように、半田
による接合部１２を用いて半導体装置１を回路基板４に
実装する構成とすると、上記第１の実施形態の効果に加
えて、半導体装置１を回路基板４に、より強固に実装す
ることができる。また、従来の半田による実装方法で
は、熱応力の問題で回路基板の材質が半導体装置の熱膨
張係数に近いもの（例えば、セラミック基板）に限定さ
れていたが、本実施形態によれば、あらゆる材質の回路
基板を用いることが可能となる。
による接合部１２を用いて半導体装置１を回路基板４に
実装する構成とすると、上記第１の実施形態の効果に加
えて、半導体装置１を回路基板４に、より強固に実装す
ることができる。また、従来の半田による実装方法で
は、熱応力の問題で回路基板の材質が半導体装置の熱膨
張係数に近いもの（例えば、セラミック基板）に限定さ
れていたが、本実施形態によれば、あらゆる材質の回路
基板を用いることが可能となる。
【００３７】また、以上の第一の実施形態、第二の実施
形態および第三の実施形態においては、半導体装置１の
熱膨脹係数よりも回路基板４の熱膨脹係数の方が大きい
場合を想定して、樹脂組成物中の無機フィラー９を半導
体装置１側に沈降させた構成について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではない。半導体装置１の熱
膨脹係数よりも回路基板４の熱膨脹係数の方が小さい場
合（本実施形態と逆の関係）には、樹脂組成物中の無機
フィラー９を回路基板４側に沈降させた構成とすればよ
く、この構成は、液状の樹脂組成物の硬化を行う際に、
回路基板４を裏返さずに硬化させることによって容易に
得ることができる。
形態および第三の実施形態においては、半導体装置１の
熱膨脹係数よりも回路基板４の熱膨脹係数の方が大きい
場合を想定して、樹脂組成物中の無機フィラー９を半導
体装置１側に沈降させた構成について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではない。半導体装置１の熱
膨脹係数よりも回路基板４の熱膨脹係数の方が小さい場
合（本実施形態と逆の関係）には、樹脂組成物中の無機
フィラー９を回路基板４側に沈降させた構成とすればよ
く、この構成は、液状の樹脂組成物の硬化を行う際に、
回路基板４を裏返さずに硬化させることによって容易に
得ることができる。
【００３８】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置の実装方法によ
れば、半導体装置の実装体を生産する際に高温状態から
常温状態にする工程を行った場合においても、樹脂組成
物の熱収縮による垂直方向および平面方向の熱応力の発
生を防止することができる。したがって、半導体装置を
回路基板に信頼性高く実装することができる。
れば、半導体装置の実装体を生産する際に高温状態から
常温状態にする工程を行った場合においても、樹脂組成
物の熱収縮による垂直方向および平面方向の熱応力の発
生を防止することができる。したがって、半導体装置を
回路基板に信頼性高く実装することができる。
【００３９】また、本発明に係る半導体装置の実装体に
よれば、この半導体装置の実装体を高温状態で使用する
場合にあっても、樹脂組成物の熱膨張による垂直方向お
よび平面方向の熱応力の発生を防止することができる。
したがって、半導体装置の実装体は信頼性の高いものと
なる。
よれば、この半導体装置の実装体を高温状態で使用する
場合にあっても、樹脂組成物の熱膨張による垂直方向お
よび平面方向の熱応力の発生を防止することができる。
したがって、半導体装置の実装体は信頼性の高いものと
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る半導体装置の実
装方法を示す工程図
装方法を示す工程図
【図２】本発明の第一の実施形態に係る半導体装置の実
装体の要部断面図
装体の要部断面図
【図３】本発明の第二の実施形態に係る半導体装置の実
装体の要部断面図
装体の要部断面図
【図４】本発明の第三の実施形態に係る半導体装置の実
装体の要部断面図
装体の要部断面図
【図５】従来技術における半導体装置の実装体の要部断
面図
面図
１ 半導体装置 ２ 端子電極 ３ 導電性接着剤 ４ 回路基板 ５ 接続電極 ６ 導電性接着剤による接合部 ７ 液状の樹脂組成物 ８ 樹脂 ９ 無機フィラー １０ 硬化後の樹脂組成物 １１ 突起電極 １２，１３ 半田による接合部 １４ 封止樹脂
Claims (21)
- 【請求項１】 半導体装置をフェースダウンで回路基板
に実装する半導体装置の実装方法であって、前記半導体
装置を前記回路基板に実装する工程と、前記半導体装置
と前記回路基板との間隙に樹脂と無機フィラーとを含む
液状の樹脂組成物を充填する工程と、前記無機フィラー
が熱膨脹係数の小さい部材の近傍に位置する状態で前記
樹脂組成物を硬化する工程とを有することを特徴とする
半導体装置の実装方法。 - 【請求項２】 前記半導体装置の熱膨脹係数が前記回路
基板の熱膨脹係数よりも大きい場合には、前記無機フィ
ラーが前記回路基板の近傍に位置する状態で前記樹脂組
成物を硬化する請求項１記載の半導体装置の実装方法。 - 【請求項３】 前記半導体装置の熱膨脹係数が前記回路
基板の熱膨脹係数よりも小さい場合には、前記無機フィ
ラーが前記半導体装置の近傍に位置する状態で前記樹脂
組成物を硬化する請求項１記載の半導体装置の実装方
法。 - 【請求項４】 前記無機フィラーの位置決めを行う方法
として、前記液状の樹脂組成物中の前記樹脂と前記無機
フィラーとの比重差を利用する請求項１，２または３記
載の半導体装置の実装方法。 - 【請求項５】 前記無機フィラーを前記半導体装置の近
傍に位置させる方法として、前記回路基板を裏返して前
記樹脂と前記無機フィラーとの比重差を利用する請求項
３記載の半導体装置の実装方法。 - 【請求項６】 前記無機フィラーの位置決めを行う方法
として、前記液状の樹脂組成物中の前記樹脂の粘度が高
温状態で急激に下がる性質を利用する請求項１から５の
いずれか１項記載の半導体装置の実装方法。 - 【請求項７】 前記無機フィラーの位置決めと、前記液
状の樹脂組成物の硬化とを同一の工程で行う請求項６記
載の半導体装置の実装方法。 - 【請求項８】 前記半導体装置を半田バンプを用いて前
記回路基板に実装する請求項１から７のいずれか１項記
載の半導体装置の実装方法。 - 【請求項９】 前記半導体装置を導電性接着剤を用いて
前記回路基板に実装する請求項１から７のいずれか１項
記載の半導体装置の実装方法。 - 【請求項１０】 前記半導体装置を突起電極と導電性接
着剤とを用いて前記回路基板に実装する請求項１から７
のいずれか１項記載の半導体装置の実装方法。 - 【請求項１１】 半導体装置が回路基板に実装され、前
記半導体装置と前記回路基板との間隙に樹脂と無機フィ
ラーとを含む樹脂組成物が備えられ、前記樹脂組成物中
の前記無機フィラーが熱膨脹係数の小さい部材の近傍に
位置した状態であることを特徴とする半導体装置の実装
体。 - 【請求項１２】 熱膨脹係数が前記回路基板に対して垂
直方向に変化する前記樹脂組成物が備えられている請求
項１１記載の半導体装置の実装体。 - 【請求項１３】 前記半導体装置の熱膨脹係数が前記回
路基板の熱膨脹係数よりも大きい場合には、前記樹脂組
成物中の前記無機フィラーが前記回路基板の近傍に位置
した状態である請求項１１または１２記載の半導体装置
の実装体。 - 【請求項１４】 前記半導体装置の熱膨脹係数が前記回
路基板の熱膨脹係数よりも小さい場合には、前記樹脂組
成物中の前記無機フィラーが前記半導体装置の近傍に位
置した状態である請求項１１または１２記載の半導体装
置の実装体。 - 【請求項１５】 前記樹脂組成物の前記回路基板に対す
る垂直方向の熱膨脹係数の平均値が、前記半導体装置と
前記回路基板との接続部分の前記回路基板に対する垂直
方向の熱膨脹係数の値とほぼ一致している請求項１２，
１３または１４記載の半導体装置の実装体。 - 【請求項１６】 前記樹脂組成物の前記回路基板に対す
る垂直方向の熱膨脹係数の平均値と、前記半導体装置と
前記回路基板との接続部分の前記回路基板に対する垂直
方向の熱膨脹係数の値とがほぼ一致するように、前記樹
脂と前記無機フィラーとの割合が調整された前記樹脂組
成物が備えられている請求項１５記載の半導体装置の実
装体。 - 【請求項１７】 前記樹脂組成物中の前記無機フィラー
として、球状の無機フィラーを用いた請求項１１から１
６のいずれか１項記載の半導体装置の実装体。 - 【請求項１８】 前記半導体装置が半田バンプを用いて
前記回路基板に実装されている請求項１１から１７のい
ずれか１項記載の半導体装置の実装体。 - 【請求項１９】 前記半導体装置が導電性接着剤を用い
て前記回路基板に実装されている請求項１１から１７の
いずれか１項記載の半導体装置の実装体。 - 【請求項２０】 前記半導体装置が突起電極と導電性接
着剤とを用いて前記回路基板に実装されている請求項１
１から１７のいずれか１項記載の半導体装置の実装体。 - 【請求項２１】 熱膨脹係数の異なる前記半導体装置と
前記回路基板とが備えられている請求項１１から２０の
いずれか１項記載の半導体装置の実装体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7367496A JP2930186B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 半導体装置の実装方法および半導体装置の実装体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7367496A JP2930186B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 半導体装置の実装方法および半導体装置の実装体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266229A true JPH09266229A (ja) | 1997-10-07 |
| JP2930186B2 JP2930186B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=13525020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7367496A Expired - Lifetime JP2930186B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 半導体装置の実装方法および半導体装置の実装体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2930186B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286298A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| JP2000286297A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| JP2001244638A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路部品内蔵モジュール及びその製造方法 |
| US6674178B1 (en) | 1999-09-20 | 2004-01-06 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device having dispersed filler between electrodes |
| KR100514425B1 (ko) * | 1999-02-18 | 2005-09-14 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 접착 부재, 반도체 장치 및 그 제조 방법, 회로 기판 및 전자 기기 |
| JP2007288228A (ja) * | 1999-01-29 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| CN100370210C (zh) * | 2002-11-06 | 2008-02-20 | 徐惠群 | 填满热传导件间间隙的方法及其热传导件结构 |
| JP2009049164A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7683482B2 (en) | 1999-01-29 | 2010-03-23 | Panasonic Corporation | Electronic component unit |
| JP2011077167A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Toshiba Corp | 電子部品の実装方法 |
| JP2011091461A (ja) * | 2011-02-10 | 2011-05-06 | Toshiba Corp | 装置および磁力印加装置 |
| US8154123B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-04-10 | Panasonic Corporation | Solder bump, semiconductor chip, method of manufacturing the semiconductor chip, conductive connection structure, and method of manufacturing the conductive connection structure |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP7367496A patent/JP2930186B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7683482B2 (en) | 1999-01-29 | 2010-03-23 | Panasonic Corporation | Electronic component unit |
| JP2000286297A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| JP2007288228A (ja) * | 1999-01-29 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| JP2000286298A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| US8007627B2 (en) | 1999-01-29 | 2011-08-30 | Panasonic Corporation | Electronic component mounting method and apparatus |
| KR100514425B1 (ko) * | 1999-02-18 | 2005-09-14 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 접착 부재, 반도체 장치 및 그 제조 방법, 회로 기판 및 전자 기기 |
| US6674178B1 (en) | 1999-09-20 | 2004-01-06 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device having dispersed filler between electrodes |
| JP2001244638A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路部品内蔵モジュール及びその製造方法 |
| CN100370210C (zh) * | 2002-11-06 | 2008-02-20 | 徐惠群 | 填满热传导件间间隙的方法及其热传导件结构 |
| JP2009049164A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8154123B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-04-10 | Panasonic Corporation | Solder bump, semiconductor chip, method of manufacturing the semiconductor chip, conductive connection structure, and method of manufacturing the conductive connection structure |
| JP2011077167A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Toshiba Corp | 電子部品の実装方法 |
| JP2011091461A (ja) * | 2011-02-10 | 2011-05-06 | Toshiba Corp | 装置および磁力印加装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2930186B2 (ja) | 1999-08-03 |
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