JPH0926610A - 測光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 多数の測光領域の測光データを記憶するメモ
リの容量を低減する。 【構成】 被写界を複数の測光領域に分割して測光し、
各測光領域ごとに測光データを出力する測光手段１０
と、複数の測光モードの中から任意の測光モードを設定
するモード設定手段１１と、モード設定手段１１により
設定された測光モードに応じて測光データを記憶すべき
測光領域を選択する領域選択手段１２と、領域選択手段
１２により選択された測光領域の測光データを記憶手段
１４に記憶する制御手段１２とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は被写体輝度を測定す
る測光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】被写体輝度を測定する測光装置が知られ
ている。図１４により従来の測光装置の構成を説明す
る。測光回路３１は複数の測光領域を備えており、すべ
ての測光領域の測光出力はいったん記憶回路３２へ記憶
される。測光モード設定部３３は、マルチパターン測光
や中央部重点測光などの複数の測光モードを有し、撮影
者により選択された測光モードを領域選択部３４へ出力
する。領域選択部３４は、測光回路３１の複数の測光領
域の中から選択測光モードに応じた測光領域を選択し、
それらの測光領域情報を演算部３５へ出力する。演算部
３５は、領域選択部３４からの測光領域情報にしたがっ
て露出演算に必要な測光領域のデータだけを記憶回路３
２から読み出し、露出演算を行なう。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の測光装置では、
測光回路のすべての測光領域の測光出力をいったん記憶
回路に記憶し、それらの一部を露出演算に用いる場合に
は必要な領域の測光データだけを記憶回路から読み出し
て演算し、残りの測光領域の測光データは使用されるこ
となく次回の測光時に廃棄されている。

【０００４】ところで、被写界をきめ細かく測光してよ
り最適な露出値を得るために、ＣＣＤ（チャージカップ
ルドデバイス）などの測光素子を用いて被写界をさらに
多くの測光領域に分割し、測光モードや主要被写体の位
置に応じた測光領域を選択して露出演算に用いることが
考えられる。ＣＣＤなどの多くの測光領域を有する測光
素子では、各測光領域の測光データが予め定められた順
序で出力されるので、出力される順番に記憶回路に格納
すれば記憶回路のアドレスと測光領域との対応関係が明
確になり、処理がしやすくなる。しかし、測光素子の測
光領域数が多くなると記憶回路に格納する測光データ数
も多くなるので、大容量の記録回路を用意する必要があ
り、装置がコストアップするという問題がある。

【０００５】本発明の目的は、多数の測光領域の測光デ
ータを記憶するメモリの容量を低減することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、被写界を複数の測光領域に分割
して測光し、各測光領域ごとに測光データを出力する測
光手段と、複数の測光モードの中から任意の測光モード
を設定するモード設定手段と、前記モード設定手段によ
り設定された測光モードに応じて測光データを記憶すべ
き測光領域を選択する領域選択手段と、前記領域選択手
段により選択された測光領域の測光データを記憶手段に
記憶する制御手段とを備える。測光モードに応じて複数
の測光領域の中から測光データを記憶すべき測光領域を
選択し、選択領域の測光データのみを記憶手段に記憶す
る。これにより、被写界をきめ細かく測光してより最適
な露出値を得るために、多数の測光領域を有する測光手
段を用いても、測光モードに応じた必要な測光領域の測
光データだけが記憶手段に記憶されるので、記憶手段の
記憶容量が少なくてすみ、コストを削減することができ
る。請求項２の測光装置は、前記測光手段を、各測光領
域の測光データを所定の順序で出力する電荷蓄積型と
し、前記制御手段によって前記測光手段から出力される
測光データの出力順序に基づいて前記領域選択手段によ
り選択された測光領域の測光データを選別し、前記記憶
手段に記憶するようにしたものである。電荷蓄積型測光
手段は複数の測光領域の測光データを所定の順序で出力
するので、測光データの出力順序に基づいて選択領域の
測光データを選別して記憶手段に記憶する。これによ
り、上述した請求項１の効果に加え、簡単な選別方法で
選択領域の測光データだけを記憶手段に記憶することが
できる。請求項３の測光装置は、前記領域選択手段によ
って前記測光データを記憶すべき測光領域として露出演
算に用いる測光領域と前記電荷蓄積型測光手段の電荷蓄
積時間の演算に用いる測光領域とを選択し、前記記憶手
段に記憶されている測光データに基づいて露出演算と電
荷蓄積時間の演算を行なう演算手段を備えたものであ
る。露出演算に用いる測光領域の測光データと電荷蓄積
時間の演算に用いる測光領域の測光データとを記憶手段
に記憶し、前者の測光領域の測光データに基づいて露出
演算を行なうとともに、後者の測光領域の測光データに
基づいて電荷蓄積時間の演算を行なう。これにより、上
述した請求項１および請求項２の効果に加え、被写界を
きめ細かく測光してより最適な露出値を得るために、多
数の測光領域を有する電荷蓄積型測光手段を用いても、
露出演算と電荷蓄積時間演算に用いる測光領域の測光デ
ータだけが記憶手段に記憶されるので、記憶手段の記憶
容量が少なくてすみ、コストを削減することができる。
請求項４の測光装置は、前記複数の測光モードに被写界
の一部を測光する部分測光モードが含まれ、前記領域選
択手段によって、前記モード設定手段により前記部分測
光モードが選択された時は、露出演算に用いる測光領域
よりも広い範囲の測光領域を電荷蓄積時間演算に用いる
測光領域として設定するようにしたものである。被写界
の一部を測光する例えばスポット測光モードや中央部重
点測光モードのような部分測光モードが設定された時
は、露出演算に用いる測光領域を含む広い範囲の測光領
域を電荷蓄積時間演算に用いる測光領域として選択し、
選択された測光領域の測光データを記憶手段に記憶して
露出演算と蓄積時間演算に用いる。これにより、上述し
た請求項１〜３の効果に加え、露出演算に用いる測光領
域の周辺に高輝度被写体が存在する場合でもブルーミン
グ現象を回避することができる。

【０００７】

【発明の実施の形態】図１は一実施形態の構成を示す機
能ブロック図である。測光回路１０は被写界を複数の領
域に分割して測光し、それぞれの測光データを順次出力
する。測光回路１０から出力された測光データは領域判
定部１２により必要な領域のデータであるか否かが判定
され、必要な領域の測光データはＡ／Ｄ変換部１３によ
り数値化されてメモリ１４に記憶される。一方、不要な
領域の測光データは廃棄される。必要な測光領域か否か
は、測光モード設定部１１により設定された測光モード
により決定されるが、この測光モードの設定に関しては
後述する。メモリ１４に記憶された測光データは、蓄積
時間設定部１５、有効性判定部１７および露出演算部２
２へ出力される。蓄積時間設定部１５はメモリ１４に記
憶されている測光データと前回の蓄積時間とに基づいて
次回の蓄積時間を設定し、蓄積制御部１６は設定された
蓄積時間だけ測光回路１０により測光を行う。なお、次
回の蓄積時間の算出方法については後述する。

【０００８】有効性判定部１７は、メモリ１４に記憶さ
れている測光データが適正レベル内にあるか否かを判定
し、判定結果を演算実行可否判定部２０へ出力する。こ
の有効性の判定方法については後述する。演算実行可否
判定部２０では、有効性判定部１７の判定結果と、有効
性判定部１７により測光データが不適正と判定された回
数をカウントする第１カウンタ１８のカウント値と、電
源投入後からの測光回数をカウントする第２カウンタ１
９のカウント値とに基づいて、今回の測光データを用い
て露出演算を行うべきかどうかを判定する。この判定の
方法については後述する。露出演算部２２では、演算実
行可否判定部２０からの出力が演算実行可であった場合
には、メモリ１４に格納されている測光データと、レン
ズデータ２１内に収められている撮影レンズの焦点距
離、開放絞り値、射出瞳位置、ケラレ情報などのレンズ
データとに基づいて、被写界の適正露出値の演算を行
う。

【０００９】露出制御部２３は、不図示のカメラのレリ
ーズボタンが押されると、露出演算部２２により求めら
れた適正露出値に基づいてミラー２、絞り２４、シャッ
ター２５を制御し、フィルムの露光を行なう。ここで、
領域判定部１２、Ａ／Ｄ変換部１３、メモリ１４、蓄積
時間設定部１５、蓄積制御部１６、有効性判定部１７、
第１カウンタ１８、第２カウンタ１９、演算実行可否判
定部２０および露出演算部２２は、すべて制御回路であ
るマイクロコンピュータ（以下、マイコンと略す）１０
０によって実現される。マイコン１００の制御プログラ
ムについては後に詳しく説明する。

【００１０】図２は一実施形態の測光光学系の構成を示
す。撮影レンズ１を通過した光束は、クイックリターン
ミラー２、拡散スクリーン３、コンデンサレンズ４、ペ
ンタプリズム５、接眼レンズ６を通って撮影者の目に達
する。一方、拡散スクリーン３によって拡散された光束
の一部は、コンデンサレンズ４、ペンタプリズム５、測
光用プリズム７、測光用レンズ８を通って測光素子９に
導かれる。

【００１１】図３は測光素子９の分割測光領域を示す。
測光素子９は、例えばＣＣＤなどの電荷蓄積型光電変換
素子により構成されており、上下方向に１２分割、左右
方向に２０分割された合計２４０個の測光領域を有して
おり、被写界のほぼ全面を分割して測光できる。なお、
この実施形態では測光素子９の右下の測光領域から左上
の測光領域まで（１，１）から（２０，１２）のアドレ
スを付して区別する。測光モード設定部１１で設定され
た測光モードに応じて使用する測光領域が選択される。
具体的には、ＡＭＰ（オートマティックマルチパターン
測光）モードが選択されている場合には、２４０領域す
べての測光データを適正露出演算に用いる。また、ＣＷ
（センターウエイテッド測光）モードが選択されている
場合には、図３に示すように被写界の中央付近の５２個
の測光領域の測光データを適正露出演算に用いる。さら
に、ＳＰ（スポット測光）モードが選択されている場合
には、被写界の中央部付近の４個の測光領域のみを適正
露出演算に用いる。なお、ＳＰモードではスポット測光
領域の位置を変更することができ、図に示すように、Ｓ
ＰＣ，ＳＰＬ，ＳＰＲ，ＳＰＴ，ＳＰＢの５個の測光領
域の中から任意の領域を選択することができる。これら
のＳＰモードの測光領域にはそれぞれ４個の測光領域が
含まれている。

【００１２】図４は測光素子９の構造を示す。撮像画素
２６は上下方向に１２画素、左右方向に２０画素にそれ
ぞれ分割された光電変換部から構成され、これらの各画
素は図３に示す各測光領域に対応している。また、撮像
画素２６に隣接して補正用画素２７が設置される。この
補正用画素２７は、上下方向に３画素、左右方向に２０
画素にそれぞれ分割された光電変換部から構成され、こ
れらの光電変換部はすべて遮光される。補正用画素２７
の各列の出力Ｖｏｐｂ，Ｖｏ１，Ｖｏ２は、暗電流補
正、アンプゲイン補正などに用いられる。なお、暗電流
補正およびアンプゲイン補正については本発明に直接関
係しないので説明を省略する。撮像画素２６と補正用画
素２７の電荷蓄積が終了すると、それらの画素の電荷信
号は各画素に隣接して配置される不図示のＨレジスタに
よって１列ずつＶレジスタ２８へ転送され、さらにＶレ
ジスタ２８によって１画素ずつ出力回路２９へ転送され
る。出力回路２９は各画素の電荷信号を電圧に変換し、
１倍（ゲインＬ）または４倍（ゲインＨ）のシグナルア
ンプで増幅して順次出力する。

【００１３】図５はＳＰモードにおける蓄積時間算出に
用いる測光領域を示す。上述したように、ＳＰモードで
は適正露出演算に用いる測光領域は中央付近の４領域だ
けである。ここで、分割測光領域の測光データは適正露
出演算の他に、次回測光時の蓄積時間の演算にも用いら
れる。次回の蓄積時間の算出方法については後述する
が、前回の測光データと、前回の蓄積時間と、次回測光
時の測光データの目標値とに基づいて算出する。つま
り、前回の測光時と次回の測光時とで被写界輝度がほぼ
同程度であると仮定すると、前回の測光データと前回の
蓄積時間との比は、次回の測光データと次回の蓄積時間
との比に一致することを利用して算出する。通常は測光
領域内の測光データが最大の画素つまり一番明るい領域
に注目し、その領域の測光データが目標値になるように
次回の蓄積時間を決定する。ＳＰモードでは、適正露出
演算に用いる４領域を中心とする６４領域の中の最高輝
度の領域が目標値となるように、次回の蓄積時間を算出
する。ＳＰＣが選択されている場合には、（Ａ）に示す
ように（７，３）〜（１４，１０）の測光領域の測光デ
ータを蓄積時間算出に用いる。以下同様に、ＳＰＬが選
択されている場合には（Ｂ）に示すように（１１，３）
〜（１８，１０）の測光領域の測光データを、ＳＰＲが
選択されている場合には（Ｃ）に示すように（３，３）
〜（１０，１０）の測光領域の測光データを、ＳＰＴが
選択されている場合には（Ｄ）に示すように（７，５）
〜（１４，１２）の測光領域の測光データを、ＳＰＢが
選択されている場合には（Ｅ）に示すように（７，１）
〜（１４，８）の測光領域の測光データをそれぞれ蓄積
時間算出に用いる。

【００１４】ここで、次回の蓄積時間の算出に、適正露
出演算に用いる４領域を中心とする６４個の測光領域を
用いる理由は以下の通りである。ＳＰモードの適正露出
に用いる４領域の近傍に太陽などの４領域と比較して極
めて輝度の高い被写体が存在した場合には、その高輝度
被写体による光電子が周りの画素に漏れ出す、いわゆる
ブルーミング現象によって適正露出算出用の４領域の測
光データが影響を受け測光誤差の原因となる。このよう
な場合には、その高輝度被写体が飽和しないような蓄積
時間で蓄積を制御すれば、ブルーミング現象を回避する
ことができる。適正露出演算に用いる４領域を中心とす
るブルーミング現象の影響を受ける範囲は、高輝度被写
体の輝度や測光光学系などにより変化するが、本実施形
態では縦横それぞれ８領域の計６４領域をその範囲とす
る。ＳＰモードが選択されている場合には、適正露出演
算に用いる４領域を中心とした６４領域の測光データが
メモリ１４内に記憶されていれば十分であるから、領域
判定部１２は測光モード設定部１１により設定されたス
ポット位置周辺の６４領域に該当するか否かを判定すれ
ばよい。一方、ＣＷモードが選択されている場合には、
ブルーミング現象の影響を回避するために２４０領域の
すべての測光データを蓄積時間算出に用いる。また、Ａ
ＭＰモードの場合には、もともと適正露出演算に２４０
領域全部を用いるので、蓄積時間算出にも２４０領域全
部を用いる。なお、ＡＭＰモードおよびＣＷモードが選
択されている場合には、蓄積時間算出に２４０領域全部
を用いるので領域判別する必要がなく、すべての測光デ
ータをメモリ１４へ記憶すればよい。

【００１５】図６は、マイクロコンピュータ１００の測
光制御プログラムを示すフローチャートである。このフ
ローチャートにより、一実施形態の動作を説明する。カ
メラの不図示のレリーズボタンが半押しされると、カメ
ラの電源が投入され、この制御プログラムの実行が開始
される。まず、ステップ１０１において、ＣＣＤなどの
測光素子９の準備ができているか、すなわち電源投入後
の最初の測光であるか否かを判別する。最初の測光であ
ればステップ１０２へ進み、測光素子９の初期化を行
い、蓄積時間ｉｎｔを１ｍＳに設定する。また同時に、
カウンタ変数ＬＰおよびＦＮを０にリセットする。ここ
で、ＬＰは電源投入後の測光回数をカウントする変数で
あり、ＦＮは測光データが不適正であると判定された回
数をカウントする変数である。ステップ１０３では図１
３に示す蓄積記憶ルーチンを実行し、設定された蓄積時
間ｉｎｔによって測光を行い２４０領域それぞれの測光
データを読み出す。ここで、測光モード設定部１１で設
定された測光モードに対して必要な測光領域の測光デー
タであるか否かを判定し、必要な領域の測光データだけ
をＡ／Ｄ変換してメモリ１４に記憶する。測光素子９か
らの各測光領域の測光データの出力順序は図４に示すよ
うに一定であるから、測光データの出力順序と測光領域
の関係は１対１に定まっている。したがって、測光デー
タが出力される順番により必要なデータと不要なデータ
とを判定する。なお、測光素子９における電荷の蓄積と
測光データの読み出し方法については後述する。ステッ
プ１０４で、カウンタ変数ＬＰが３であるか否か、すな
わち電源投入後に３回の測光を行なったか否かを判定
し、３回に満たなければステップ１０５へ進んでＬＰを
インクリメントする。

【００１６】ステップ１０６で、図７に示す有効性判定
ルーチンを実行し、最新の測光データが適正レベル内に
収まっているかを判定する。この実施形態では、対象と
する測光領域の最高輝度が飽和レベルとノイズレベルと
の間にあるか否かにより測光データの有効性を判定し、
適正レベル内に収まっていればその測光データを有効と
し、不適正レベルであればその測光データを無効とす
る。続くステップ１０７において図９に示す蓄積時間算
出ルーチンを実行し、最新の測光データとその時の蓄積
時間と次回測光時の測光データの目標値とに基づいて、
次回測光時の蓄積時間を算出する。次にステップ１０８
で、有効性判定結果を示すＯＫフラグにより有効の判定
結果が出されたかどうかを判別し、有効であった場合は
ステップ１１１へ進み、そうでなかった場合はステップ
１０９へ進む。最新の測光データが有効でなかった場合
は、ステップ１０９でカウンタ変数ＦＮをインクリメン
トし、続くステップ１１０でＦＮ＝５であるか否かを判
別する。ＦＮ＝５、すなわち５回連続で測光データが無
効と判定された場合にはステップ１１１へ進み、そうで
なければステップ１１２へ進む。つまり、５回連続で測
光データが無効と判別された場合には、５回目の測光が
終了した時点で測光データが無効であっても有効であっ
た場合と同様にステップ１１１へ進み、カウンタ変数Ｆ
Ｎをクリヤした後、ステップ１１３で露出演算を行う。
５回の測光の内、１回でもデータが有効であると判定さ
れれば、必ずステップ１１１を通るのでＦＮは０にクリ
アされる。したがって、ＦＮ＝５となるのは５回連続し
てデータが無効と判定された場合である。これは、何ら
かの影響により測光エラーが連続すると、その後の露出
演算ができなくなるので、長時間にわたって適正露出値
が更新されない状態が続くことになり、最新の被写界状
態の適正露出が得られなくなるのを防止するためと、長
期間適正露出値が更新されないことにより撮影者にカメ
ラが故障したと思われるのを防止するためである。

【００１７】ステップ１１０で５回連続して測光データ
が無効と判定されなかった場合は、ステップ１１２でＬ
Ｐ＝２で且つＦＮ＝２であるか否かを判別する。電源投
入後に２回測光し、２回とも測光結果が無効と判定され
た場合は、ステップ１１３へ進み、そうでなければステ
ップ１０３へ戻る。電源投入直後にはまだ適正露出値が
求められていないので、適正露出値が求められるまでの
間は撮影者がレリーズスイッチを全押ししても撮影がで
きない状態にある。したがって、例えば電源投入直後に
いきなりレリーズボタンを全押しする、いわゆる一気押
しがなされた場合には、撮影が不可能になるかまたは撮
影されてもタイムラグを生じることになり、撮影者に不
快感を与えることになる。そこで、電源投入後の２回の
測光で２回とも無効と判定された場合には、速写性を重
視して再度測光のやり直しは行わず、ステップ１１３へ
進んで露出演算を行う。

【００１８】ここで、電源投入後の２回目の測光で上記
判定を行う理由は次の通りである。１回目の測光では前
回のデータがないので所定の蓄積時間で測光を行ってお
り、著しく不適正レベルの測光データが得られる可能性
がある。２回目の測光では１回目のデータを基にして蓄
積時間を調節するので適正な測光レベルで測光できる可
能性が高くなり、測光精度が上がる。また、測光サイク
ルと、速写性の度合いのバランスも考慮する必要があ
る。電源投入直後の一気押しでは、速写性に必要な時間
として約１００ｍＳ以内にふたたびレリーズ可能となる
必要がある。詳細な説明は省略するが、この実施形態で
は被写界が最も暗い状態で蓄積時間が長い場合において
も、１００ｍＳ以内に２回の測光が可能である。もし、
１００ｍＳ以内に２回以上の測光が可能であれば、２回
目ではなくそれ以上の回数でステップ１１２の判定を行
ってもよい。また、測光サイクルは、蓄積時間によって
も左右されるので、測光回数ではなく、電源投入後から
の経過時間を計測し、ステップ１１２を通過する時点で
の経過時間が所定値を越えたらステップ１１２の判定を
行うようにしてもよい。ここで、データが無効と判定さ
れたにも係わらず適正露出演算を行うと、不正確な適正
露出値が算出される可能性があるが、この場合は適正露
出値の精度よりも速写性を重視するのでやむを得ない。
また、後に説明するように、速写性重視の場合には特別
なアルゴリズムで適正露出値を算出し、適正露出値の精
度悪化をカバーする処理を行う。

【００１９】ステップ１１３では図１２に示す露出演算
ルーチンを実行し、最新の測光データを用いて適正露出
値を算出する。測光モードに対応する適正露出値の演算
方法については後に更に説明を加える。次にステップ１
１４において、レリーズスイッチが全押しされているか
どうかを判定し、全押しされていればステップ１１５へ
進み、算出された適正露出値に基づいて絞り２４とシャ
ッター２５を制御してフィルムの露光を行う。ステップ
１１６では、電源の半押しタイマーがタイムアップした
か否かを判定し、タイムアップしたらプログラムを終了
し、そうでなければステップ１０１へ戻って上記処理を
繰り返す。

【００２０】図７は測光データの有効性判定ルーチンを
示すフローチャートである。ステップ２０１において、
フラグＴＸおよびＴＮを０にクリアする。ＴＸは蓄積時
間が最長時間に達した場合にセット（１）され、ＴＮは
最短時間に達した場合にセット（１）されるフラグであ
る。次にステップ２０２と２０３で、設定された測光モ
ードがＡＭＰモードであるか、あるいはＣＷモードであ
るか、そのどちらでもないＳＰモードであるかを判別す
る。ＡＭＰモードの場合にはステップ２０４で有効性判
定レベルＶｏｋに６４０ｍＶを設定し、ＣＷモードの場
合にはステップ２０５でＶｏｋに１６０ｍＶを設定し、
ＳＰモードの場合にはステップ２０６でＶｏｋに８０ｍ
Ｖを設定する。ここで、測光モードによって有効性判定
レベルＶｏｋが異なる理由は次の通りである。それぞれ
の測光モードでは使用する測光領域の数が異なる上に、
一般に被写界内には複数の異なる輝度を持った被写体が
存在するため、使用する測光領域数が多いほど測光デー
タ間の輝度差が大きくなる。輝度差が大きいと、低輝度
側の測光データが小さくなってＳ／Ｎ比が悪化し、測光
精度が低下する。したがって、測光領域数が多いほど測
光ダイナミックレンジをできるだけ広く取るために、大
きな測光データを得る必要がある。

【００２１】次にステップ２０７で、Ｖｏｍａｘ，Ｖｏ
ｐｂ，Ｖｏｍｉｎを求める。Ｖｏｍａｘは、各測光モー
ドで適正露出演算に用いる測光領域の中の最大の測光デ
ータである。適正露出演算に用いる測光領域は、図３に
示すように、ＡＭＰモードの場合は２４０領域すべてで
あり、ＣＷモードの場合は５２領域であり、ＳＰモード
の場合はスポット位置の４領域である。Ｖｏｐｂは、Ｖ
ｏｍａｘが存在する測光領域と同列にあるＶｏｐｂ出力
である。例えば、図４に示す撮像画素２６の一番左の列
にＶｏｍａｘが存在した場合、Ｖｏｐｂは補正用画素２
７の一番左の列のＶｏｐｂの出力となる。Ｖｏｍｉｎ
は、各測光モードで適正露出演算に用いる測光領域の中
の最小の測光データである。次に、ステップ２０８で次
式が成立するかどうかを判定する。

【数１】Ｖｏｍａｘ＋Ｖｏｐｂ＜Ｖｏｖ ここで、Ｖｏｖは測光素子９の飽和出力電圧値であり、
図４の出力回路２９のゲインＨおよびＬごとにカメラ内
の不図示の不揮発性メモリに記憶されている。このＶｏ
ｖの標準的な値は３．４Ｖ程度である。測光素子９によ
る測光データには、被写界輝度に依存する信号成分と被
写界輝度に依存しない暗電流成分とが含まれている。と
ころが、測光素子９の出力は暗電流成分が取り除かれた
信号成分のみであるから、測光素子９の測光データが飽
和しているか否かを判定する場合には、改めて信号成分
Ｖｏｍａｘに暗電流成分Ｖｏｐｂを加算して飽和出力電
圧値Ｖｏｖと比較しなければならない。

【００２２】測光素子９による測光データが飽和出力電
圧値Ｖｏｖを越えていない時は、ステップ２０９へ進ん
でオーバーフローフラグＯＶをクリヤ（０）する。続く
ステップ２１１で、露出演算に用いる測光領域の中で最
小の測光データＶｏｍｉｎが測光素子９のノイズ電圧レ
ベルＶｕｎよりも大きいか否かを判定する。

【数２】Ｖｏｍｉｎ＞Ｖｕｎ ここで、Ｖｕｎは測光素子９のノイズ電圧レベルであ
り、ゲインＨおよびＬごとにカメラ内の不図示の不揮発
性メモリに記憶されている。このノイズ電圧レベルＶｕ
ｎの標準的な値は４０ｍＶ程度である。最小測光データ
Ｖｏｍｉｎがノイズ電圧レベルＶｕｎよりも大きい時
は、図８のデータＡに示すように、最大測光データＶｏ
ｍａｘと最小測光データＶｏｍｉｎが測光ダイナミック
レンジＶｕｎ〜Ｖｏｖ内に収まっているので、ステップ
２１２へ進んでアンダーフローフラグＵＮをクリヤ
（０）し、測光データの有効性を示すフラグＯＫをセッ
ト（１）して処理を終了する。

【００２３】一方、最小測光データＶｏｍｉｎがノイズ
電圧レベルＶｕｎ以下の時は、図８のデータＢに示すよ
うに、オーバーフローはしていないがアンダーフローし
ている場合であるから、ステップ２１４へ進んでアンダ
ーフローフラグＵＮをセットする。続くステップ２１５
において、最大測光データＶｏｍａｘが測光モードに応
じた有効判定レベルよりも大きいか否かを判定する。

【数３】Ｖｏｍａｘ＞Ｖｏｋ ここで、Ｖｏｋは設定された測光モードに応じて上記ス
テップ２０４または２０５または２０６で設定された有
効判定レベルである。最大測光データＶｏｍａｘが有効
判定レベルＶｏｋよりも大きい時は、アンダーフローで
はあるが適正露出演算に必要なダイナミックレンジが確
保されているとみなし、ステップ２１６でＯＫフラグを
セットして処理を終了する。一方、最大測光データＶｏ
ｍａｘが有効判定レベルＶｏｋ以下の時は、ステップ２
１７で、その回の蓄積時間ｉｎｔがｉｎｔ＿ｍａｘか、
すなわち設定可能な最長蓄積時間であったかどうかを判
定する。最長蓄積時間であった場合には、これ以上測光
出力レベルを上げることは不可能であるから、ステップ
２１８で最長蓄積時間フラグＴＸをセットし、続くステ
ップ２１９でＯＫフラグをセットする。なお、フラグＴ
Ｘは、測光ダイナミックレンジは確保されていないがこ
れ以上のレベル調整が不可能であることを示しているの
で、適正露出演算時にこのフラグＴＸを参照して特別な
処理を行うこともできるが、それについては本発明に直
接関係しないので説明を省略する。また、蓄積時間ｉｎ
ｔが最長蓄積時間ｉｎｔ＿ｍａｘでなかった時は、ステ
ップ２２０へ進んでＯＫフラグをクリヤして処理を終了
する。

【００２４】測光素子９による測光データが飽和出力電
圧値Ｖｏｖを越えた時は、ステップ２０８からステップ
２１０へ進み、オーバーフローフラグＯＶをセットす
る。続くステップ２２１で、上記数式２により、露出演
算に用いる測光領域の中で最小の測光データＶｏｍｉｎ
が測光素子９のノイズ電圧レベルＶｕｎよりも大きいか
否かを判定する。ＶｏｍｉｎがＶｕｎよりも大きい時
は、図８のデータＣに示すように、オーバーフローして
いるがアンダーフローしていない場合であるから、ステ
ップ２２２へ進んでアンダーフローフラグＵＮをクリヤ
する。一方、ＶｏｍｉｎがＶｕｎ以下の時は、図８のデ
ータＤに示すように、オーバーフローもアンダーフロー
もしている場合であるから、ステップ２２３へ進んでア
ンダーフローフラグＵＮをセットする。ステップ２２４
において、その回の蓄積時間ｉｎｔがｉｎｔ＿ｍｉｎ
か、すなわち設定可能な最短蓄積時間であったかどうか
を判定する。最短蓄積時間であった場合はこれ以上測光
出力レベルを下げることが不可能であるから、ステップ
２２５へ進んで最短蓄積時間フラグＴＮをセットし、続
くステップ２２６でＯＫフラグをセットする。なお、フ
ラグＴＮは、測光ダイナミックレンジは確保されていな
いがこれ以上のレベル調整が不可能であることを示して
いるので、適正露出演算時にこのフラグを参照して特別
な処理を行うこともできるが、それについては本発明に
直接関係しないので説明を省略する。一方、その回の蓄
積時間ｉｎｔが最短蓄積時間ｉｎｔ＿ｍｉｎでなかった
時は、ステップ２２７へ進んでＯＫフラグをクリヤし、
処理を終了する。

【００２５】図９は蓄積時間ｉｎｔの算出ルーチンを示
すフローチャートである。この蓄積時間算出ルーチンは
図６のステップ１０７で実行される。なお、この蓄積時
間算出ルーチンが実行されるまでには、電源立ち上げ後
少なくとも１回は測光が行われているので、直前の測光
データがマイコン１００内のメモリ１４に残っている。
まず、ステップ３０１と３０２で測光モードを判別す
る。測光モードにＡＭＰモードが設定されている時はス
テップ３０３へ進み、蓄積時間の演算に用いる測光領域
数ｐｘに２４０を設定し、測光目標レベルＶａｇｃに
２．５６Ｖを設定する。ＣＷモードが設定されている時
はステップ３０４へ進み、測光領域数ｐｘにＡＭＰモー
ドと同様の２４０を設定し、測光目標レベルＶａｇｃに
１．２８Ｖを設定する。ＳＰモードが設定されている時
はステップ３０５へ進み、測光領域数ｐｘに６４を設定
し、測光目標レベルＶａｇｃに０．６４Ｖを設定する。
このように、ＡＭＰモードとＣＷモードでは蓄積時間の
演算に全測光領域を用い、図５に示すようにＳＰモード
では蓄積時間の演算に設定されたスポット位置周辺の６
４領域を用いる。蓄積時間演算に用いる測光領域数が、
ＣＷモードやＳＰモードにおいて適正露出演算に用いる
測光領域数よりも大きいのは、図５によりすでに説明し
た通りである。測光目標レベルＶａｇｃは次回の測光時
に測光領域の内の最大の測光データが取るべき目標レベ
ルを示しており、設定された測光モードによって異なる
値が設定される。

【００２６】ここで、測光モードに応じて測光目標レベ
ルＶａｇｃが異なるのは次の理由による。ＡＭＰモード
の場合には、適正露出演算時に２４０個すべての測光領
域の輝度を算出する必要がある。適正露出値の演算方法
については本出願人が特開平６−９５２００号公報で詳
細に開示しているので説明を省略するが、写界内には輝
度の異なる複数の被写体が存在することが多いので、で
きるだけ測光ダイナミックレンジが広くなるような測光
の仕方が望ましい。したがって、最大輝度の測光領域が
できるだけ飽和レベルに近くなるように蓄積時間を設定
すれば、暗い被写体の出力が大きくなってノイズレベル
に対してＳ／Ｎ比のよい出力を得ることができる。ＣＷ
モードやＳＰモードの場合には、適正露出演算領域内の
測光データを全て加算し、その加算値に応じた輝度に基
づいて適正露出値を求める。つまり、適正露出演算に用
いる複数の測光領域があたかも１領域の測光セルである
かのような出力を算出する。その場合、高輝度領域の測
光出力が加算値に与える影響が極めて大きく、低輝度領
域のＳ／Ｎ比はそれほど必要としない。したがって、目
標測光レベルＶａｇｃは低くてもよいことになる。ま
た、ＳＰモードの場合には、ＣＷモードに比べて測光領
域が小さいので、測光領域内の輝度差も小さいことが予
想される。輝度差が小さければ低輝度部の出力も高輝度
部の出力に近づくので低輝度部のＳ／Ｎ比もよくなり、
低輝度部で輝度差の大きい場合と同じＳ／Ｎ比を得るた
めの目標測光レベルＶａｇｃは小さくてもよいことにな
る。

【００２７】次にステップ３０６では、次式により測光
素子９により測光された最大の測光信号成分Ｖｏｍａ
ｘ’と暗電流Ｖｏｐｂの和が飽和出力電圧値Ｖｏｖを越
えていないかを判定する。

【数４】Ｖｏｍａｘ’＋Ｖｏｐｂ＜Ｖｏｖ ここで、最大測光データＶｏｍａｘ’は蓄積時間演算に
用いる測光領域の内の最大値であり、有効性判定時に用
いる測光領域の内の測光データの最大値Ｖｏｍａｘとは
必ずしも一致しない。なお、この最大測光データの求め
方は検索対象の測光領域数が異なるだけで有効性判定時
の最大値の求め方と同様である。最大測光データＶｏｍ
ａｘ’が飽和出力電圧Ｖｏｖよりも低い時はステップ３
０７へ進み、メモリに格納されている測光データが電源
立ち上げ後の初回測光時のデータであるか否かを判定す
る。初回測光時のデータであればステップ３０８へ進
み、最大測光データＶｏｍａｘ’が４０ｍＶ未満か否か
を判定する。最大測光データＶｏｍａｘ’が４０ｍＶよ
り小さい場合は、被写界がかなり暗いと予想される。ま
た、電源投入直後にレリーズボタンが全押しされた場合
を想定して、できるだけ早くに適正露出値を出力する必
要があるので、この場合にはステップ３０９にあるよう
に測光素子９にゲインＨを設定するとともに、次回の蓄
積時間に４０ｍＳを設定する。この４０ｍＳという数値
は、カメラの測光装置に要求される測光下限から、１回
目の測光で検出不可能であった明るさまでをできるだけ
カバーできるような蓄積時間として、使用する測光系に
合わせて決定されたものである。したがって、この数値
はカメラに要求される速写性と、測光装置に要求される
低輝度限界と、測光系の明るさから最適値を決定すれば
よい。

【００２８】ステップ３０８でＶｏｍａｘ’が４０ｍＶ
以上と判定された時は、次回の蓄積時間を計算によって
最適化可能であるからステップ３１０へ進む。ステップ
３１０では最大測光データＶｏｍａｘ’が０Ｖであるか
否かを判定し、そうであればステップ３１１で次回の蓄
積時間を前回の４倍とする。一方、最大測光データＶｏ
ｍａｘ’が０Ｖの時はステップ３１２へ進み、次式によ
り次回の蓄積時間の候補値ｉｎｔ’を求める。

【数５】ｉｎｔ’＝ｉｎｔ・Ｖａｇｃ／（Ｖｏｍａｘ＋
Ｖｏｐｂ） ここで、ｉｎｔは前回の蓄積時間、Ｖａｇｃは（Ｖｏｍ
ａｘ＋Ｖｏｐｂ）の目標値であり、測光モードに応じて
ステップ３０３またはステップ３０４またはステップ３
０５において設定された値である。数式５は、仮に前回
と次回の測光時の被写界の明るさが等しいとすると、ｉ
ｎｔ’の蓄積時間で次回の測光を行えば、次回の測光時
に求められる（Ｖｏｍａｘ＋Ｖｏｐｂ）が目標測光レベ
ルＶａｇｃに等しくなることを表わしている。

【００２９】次に、ステップ３１３では次式により次回
の蓄積時間を決定する。

【数６】ｉｎｔ＝Ｋ・ｉｎｔ’＋（１−Ｋ）・ｉｎｔ ここで、ｉｎｔ’はステップ３１２で求めた蓄積時間の
候補値、ｉｎｔは前回の蓄積時間、Ｋはフリッカー光源
などの下で測光した場合に蓄積時間が急激に変化しない
ための安定係数であり、前回の蓄積時間値に応じて図１
０に示すような値をとる。例えば、前回の蓄積時間が１
０ｍＳ以下の場合にはＫ＝０．２５であるから、次回の
蓄積時間はｉｎｔが３に対してｉｎｔ’が１の割合での
加重平均される。また、前回の蓄積時間が２０ｍＳ以上
の場合にはフリッカーの影響はほとんどないのでＫ＝１
となり、上記数式５により算出された蓄積時間の候補値
ｉｎｔ’のみによって新たな蓄積時間が決定される。前
回の蓄積時間が１０ｍＳから２０ｍＳまでの間にある場
合には次式によりＫの値を求める。

【数７】Ｋ＝０．０７５・ｉｎｔ−０．５ ここで、ｉｎｔは前回の蓄積時間値である。蓄積時間ｉ
ｎｔをフリッカーによって受ける影響の度合いによって
あまり変化させないようにした方がよい理由は、本発明
に直接関係しないので説明は省略する。なお、Ｋの値は
図１０に示す値に限定されず、カメラの測光系や対象と
する光源の特性によって最適化することが望ましい。

【００３０】測光素子９により検出された最大測光信号
成分Ｖｏｍａｘ’と暗電流成分Ｖｏｐｂの和が飽和出力
電圧値Ｖｏｖを越えている時は、ステップ３０６からス
テップ３１４に進み、使用する測光領域の内のオーバー
フローした領域数をカウントして変数ｏｖｆに設定す
る。ｏｖｆの最小値は１（飽和領域が１つだけ）、最大
値はｐｘ（使用する全領域がオーバーフロー）である。
ステップ３１５ではオーバーフロー領域数ｏｖｆがｐｘ
／１６未満か否かを判別し、そうであればステップ３１
６で次回の蓄積時間ｉｎｔを前回の蓄積時間の２分の１
に設定する。また、ステップ３１７ではオーバーフロー
領域数ｏｖｆがｐｘ／８未満か否かを判別し、そうであ
ればステップ３１８で次回の蓄積時間ｉｎｔを前回の蓄
積時間の４分の１に設定する。さらに、ステップ３１９
ではオーバーフロー領域数ｏｖｆがｐｘ／４未満か否か
を判別し、そうであればステップ３２０で次回の蓄積時
間ｉｎｔを前回の蓄積時間の８分の１に設定する。ステ
ップ３２１ではオーバーフロー領域数ｏｖｆがｐｘ／２
未満か否かを判別し、そうであればステップ３２２で次
回の蓄積時間ｉｎｔを前回の蓄積時間の１６分の１に設
定する。オーバーフロー領域数ｏｖｆがｐｘ／２以上あ
る時は、ステップ３２３で前回の測光が電源投入後の１
回目の測光であったか否かを判別し、そうであれば図６
で説明したように次回の測光結果が有効無効に拘わらず
適正露出演算に用いられるので、オーバーフローしない
ようにステップ３２４で次回の蓄積時間に短めの２０μ
Ｓを設定する。測光データがオーバーフローしていた場
合の処理では、ステップ３１５からステップ３２２まで
に見られるように、オーバーフローした測光領域の数が
多ければ多い程被写界が明るいとみなして次回の蓄積時
間を前回よりも短くするようにしている。

【００３１】図１１は、次回測光時の測光素子９内の出
力回路２９のゲイン調整を行うルーチンである。図６の
ステップ１０７で、図９に示す次回の蓄積時間の演算ル
ーチンに続いてこのルーチンが実行される。ステップ４
０１では、出力回路２９のゲイン設定がゲインＬである
か否かを判定する。ゲインがＬであればステップ４０２
へ進み、次回の蓄積時間ｉｎｔがｉｎｔ＿Ｌ＿ｍａｘよ
りも大きいか否かを判定する。ここで、ｉｎｔ＿Ｌ＿ｍ
ａｘはゲイン切り換えのためのしきい値であり、４０ｍ
Ｓ程度の数値を代入すればよい。次回の蓄積時間ｉｎｔ
がｉｎｔ＿Ｌ＿ｍａｘよりも大きい時はステップ４０３
へ進み、次回の測光時はゲインＨに切り換え、蓄積時間
ｉｎｔを図９の蓄積時間演算ルーチンで求めた値の４分
の１とする。一方、現在ゲインＨが設定されている時は
ステップ４０１からステップ４０４へ進み、次回の蓄積
時間ｉｎｔがｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎより小さいか否かを判
定する。ｉｎｔ＜ｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎであればステップ
４０５へ進み、次回の測光時のゲインをＬに切り換え、
蓄積時間ｉｎｔを図９の蓄積時間演算ルーチンで求めた
値の４倍とする。ここで、ｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎは５ｍＳ
程度の数値を代入すればよい。また、ｉｎｔ＿Ｌ＿ｍａ
ｘとｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎの比は、ゲインＨ／Ｌの比であ
る４倍以上の値が望ましい。これによって、ゲイン切り
換えにヒステリシス特性を有することになるので、測光
データに多少の揺らぎがあっても頻繁にゲイン切り換え
が行われて測光データが不安定になるようなことがな
い。次にステップ４０６では、次回の蓄積時間が予め定
めた最小蓄積時間ｉｎｔ＿ｍｉｎよりも短いか否かを判
別し、短い場合はステップ４０７により蓄積時間をｉｎ
ｔ＿ｍｉｎにクリップする。同様に、ステップ４０８で
は次回の蓄積時間が予め定めた最大蓄積時間ｉｎｔ＿ｍ
ａｘよりも大きいか否かを判別し、大きい場合はステッ
プ４０９で蓄積時間をｉｎｔ＿ｍａｘにクリップする。
この実施形態ではｉｎｔ＿ｍｉｎを１０μＳとし、ｉｎ
ｔ＿ｍａｘを１００ｍＳとするが、これらの値は使用す
る測光光学系および測光範囲などによって最適化するの
がよい。

【００３２】図１２は露出演算ルーチンを示すフローチ
ャートである。図６のステップ１１３でこの露出演算ル
ーチンが実行される。ステップ５０１において、設定さ
れた測光モードがＳＰモードであるかどうかを判定す
る。ＳＰモードであればステップ５０２へ進み、設定さ
れたスポット位置の４つの測光領域の測光データを加算
して輝度値を算出し、その輝度値に基づいて適正露出値
を算出する。ステップ５０３ではＣＷモードであるか否
かを判定し、ＣＷモードであればステップ５０４へ進
む。テップ５０４ではＣＷモードの露出演算を行なう。
ＣＷモードの露出演算方法は、図３で示した５２領域の
測光データを全て加算して輝度値を算出し、その輝度値
に基づいて適正露出値を算出する。この方法では、上述
したように測光領域内の高輝度被写体の影響が支配的に
なるので、ＡＭＰモードに比べて測光データの精度が低
くても比較的安定した適正露出値を得ることができる。
一方、ＳＰモードでもＣＷモードでもない時はＡＭＰモ
ードであると判断してステップ５０５へ進み、ＯＫフラ
グがセット（１）されているか、すなわち図６ステップ
１０６の有効性判定で測光データが有効であると判定さ
れたかどうかを判別する。ここで、ＯＫフラグがクリヤ
（０）されている場合、つまりＡＭＰモードで且つ測光
データの有効性が否定された場合には、測光データの精
度が低いことが予想されるのでステップ５０４へ進んで
ＣＷモードの露出演算に切り換える。また、ＡＭＰモー
ドで有効性判定がなされた場合には、ステップ５０６で
上述した公知の手法により適正露出演算を行い処理を終
了する。

【００３３】図１３は、図６のステップ１０３で実行さ
れる、測光素子９の電荷蓄積、データ読み出しおよび記
憶ルーチンを示すフローチャートである。なおこの実施
形態では、図３に示す測光素子９の測光領域のアドレス
を変数（ｉ，ｊ）で表し、（ｉ１，ｊ１）から（ｉ２，
ｊ２）までの測光領域（ｉ１≦ｉ≦ｉ２，ｊ１≦ｊ≦ｊ
２）の測光データをＡ／Ｄ変換してメモリ１４に記憶す
る。測光モードとしてＳＰＣモードが選択された場合は
ステップ６０１から６０２へ進み、アドレス変数にｉ１
＝７，ｊ１＝３，ｉ２＝１４，ｊ２＝１０を代入し、測
光データをメモリ１４に記憶する測光領域として図５
（Ａ）に太枠で示す領域を設定する。ＳＰＬモードが選
択された場合にはステップ６０３から６０４へ進み、ア
ドレス変数にｉ１＝１１，ｊ１＝３，ｉ２＝１８，ｊ２
＝１０を代入し、測光データをメモリ１４に記憶する測
光領域として図５（Ｂ）に太枠で示す領域を設定する。
ＳＰＲモードが選択された場合にはステップ６０５から
６０６へ進み、アドレス変数にｉ１＝３，ｊ１＝３，ｉ
２＝１０，ｊ２＝１０を代入し、測光データをメモリ１
４に記憶する測光領域として図５（Ｃ）に太枠で示す領
域を設定する。ＳＰＴモードが選択された場合にはステ
ップ６０７から６０８へ進み、アドレス変数にｉ１＝
７，ｊ１＝５，ｉ２＝１４，ｊ２＝１２を代入し、測光
データをメモリ１４に記憶する測光領域として図５
（Ｄ）の太枠で示す領域を設定する。ＳＰＢモードが選
択された場合にはステップ６０９から６１０へ進み、ア
ドレス変数にｉ１＝７，ｊ１＝１，ｉ２＝１４，ｊ２＝
８を代入し、測光データをメモリ１４に記憶する測光領
域として図５（Ｅ）の太枠で示す領域を設定する。一
方、上記以外のＡＭＰモードまたはＣＷモードが選択さ
れた場合には、ステップ６１１へ進み、アドレス変数ｉ
１＝１，ｊ１＝１，ｉ２＝２０，ｊ２＝１２を代入し、
測光データをメモリ１４に記憶する測光領域として図３
に示す全測光領域を設定する。次にステップ６１２にお
いて、図９に示すサブルーチンで算出された蓄積時間だ
け測光を行なう。蓄積が終了したらステップ６１３へ進
んでアドレス変数ｉ，ｊを（１，１）に初期化し、続く
ステップ６１４でｉ１≦ｉ≦ｉ２且つｊ１≦ｊ≦ｊ２、
すなわち測光データをＡ／Ｄ変換してメモリ１４に記憶
すべき測光領域か否かを判別する。測光回路１０からは
図４で説明したように各測光領域に対応する各画素の測
光データが所定の順序で出力されるから、測光データの
出力順序により測光データを記憶すべき測光領域か否か
を判別することができる。測光データを記憶すべき測光
領域であればステップ６１５へ進み、測光データをＡ／
Ｄ変換部１３でＡ／Ｄ変換してメモリ１４へ記憶する。
一方、測光データを記憶すべき測光領域でなければその
領域のデータを破棄してステップ６１６へ進む。ステッ
プ６１６ではｊ＝１２かどうかを判別し、ｊ＝１２であ
ればステップ６１７へ進み、ｊ＝１を代入し、ｉをイン
クリメントする。また、ｊ＝１２でなければステップ６
１８へ進み、ｊをインクリメントする。ステップ６１９
でｉ≦２０であるか否かを判別し、ｉ≦２０であればス
テップ６１４へ戻って上記処理を繰り返し、ｉ＞２０で
あればすべての測光データの読み出しが終了したので処
理を終える。

【００３４】このように、測光モードに応じて複数の測
光領域の中から測光データを記憶すべき測光領域を選択
し、選択領域の測光データのみをメモリ１４に記憶する
ようにしたので、被写界をきめ細かく測光してより最適
な露出値を得るために、多数の測光領域を有する測光回
路１０を用いても、測光モードに応じた露出演算などに
用いる必要な測光領域の測光データだけがメモリ１４に
記憶され、メモリ１４の記憶容量が少なくてすみ、コス
トを削減することができる。また、ＣＣＤなどの電荷蓄
積型測光回路１０の測光データの出力順序に基づいて測
光モードに応じた選択領域の測光データを選別し、メモ
リ１４に記憶するようにしたので、簡単な選別方法で選
択領域の測光データだけをメモリ１４に記憶することが
できる。さらに、露出演算に用いる測光領域の測光デー
タと電荷蓄積時間の演算に用いる測光領域の測光データ
とをメモリ１４に記憶し、前者の測光領域の測光データ
に基づいて露出演算を行なうとともに、後者の測光領域
の測光データに基づいて電荷蓄積時間を演算するように
したので、被写界をきめ細かく測光してより最適な露出
値を得るために、多数の測光領域を有する電荷蓄積型の
測光回路１０を用いても、露出演算と電荷蓄積時間演算
に用いる測光領域の測光データだけがメモリ１４に記憶
されるので、メモリ１４の記憶容量が少なくてすみ、コ
ストを削減することができる。さらにまた、被写界の一
部を測光する、例えばスポット測光モードや中央部重点
測光モードなどの部分測光モードが設定された時は、露
出演算に用いる測光領域を含む広い範囲の測光領域を電
荷蓄積時間演算に用いる測光領域として選択し、選択さ
れた測光領域の測光データをメモリ１４に記憶して露出
演算と蓄積時間演算に用いるようにしたので、露出演算
に用いる測光領域の周辺に高輝度被写体が存在する場合
でもブルーミング現象を回避することができる。なお、
上述した実施形態では測光回路に電荷蓄積型光電変換素
子を用いた例を示したが、光電変換素子は電荷蓄積型に
限定されず、ＳＰＤ受光素子などを用いてもよい。ま
た、部分測光モードは上述した実施形態のスポット測光
モードや中央部重点測光モードに限定されない。

【００３５】以上の一実施形態の構成において、測光回
路１０が測光手段を、測光モード設定部１１がモード設
定手段を、領域判定部１２が領域選択手段および制御手
段を、メモリ１４が記憶手段を、露出演算部２２および
蓄積時間設定部１５が演算手段をそれぞれ構成する。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明によ
れば、測光モードに応じて複数の測光領域の中から測光
データを記憶すべき測光領域を選択し、選択領域の測光
データのみを記憶手段に記憶するようにしたので、被写
界をきめ細かく測光してより最適な露出値を得るため
に、多数の測光領域を有する測光手段を用いても、測光
モードに応じた露出演算などに用いる必要な測光領域の
測光データだけが記憶手段に記憶され、記憶手段の記憶
容量が少なくてすみ、コストを削減することができる。
請求項２の発明によれば、電荷蓄積型測光手段の測光デ
ータの出力順序に基づいて測光モードに応じた選択領域
の測光データを選別し、記憶手段に記憶するようにした
ので、上述した請求項１の発明の効果に加え、簡単な選
別方法で選択領域の測光データだけを記憶手段に記憶す
ることができる。請求項３の発明によれば、露出演算に
用いる測光領域の測光データと電荷蓄積時間の演算に用
いる測光領域の測光データとを記憶手段に記憶し、前者
の測光領域の測光データに基づいて露出演算を行なうと
ともに、後者の測光領域の測光データに基づいて電荷蓄
積時間を演算するようにしたので、上述した請求項１お
よび請求項２の発明の効果に加え、被写界をきめ細かく
測光してより最適な露出値を得るために、多数の測光領
域を有する電荷蓄積型測光手段を用いても、露出演算と
電荷蓄積時間演算に用いる測光領域の測光データだけが
記憶手段に記憶されるので、記憶手段の記憶容量が少な
くてすみ、コストを削減することができる。請求項４の
発明によれば、被写界の一部を測光する部分測光モード
が設定された時は、露出演算に用いる測光領域を含む広
い範囲の測光領域を電荷蓄積時間演算に用いる測光領域
として選択し、選択された測光領域の測光データを記憶
手段に記憶して露出演算と蓄積時間演算に用いるように
したので、上述した請求項１〜３の発明の効果に加え、
露出演算に用いる測光領域の周辺に高輝度被写体が存在
する場合でもブルーミング現象を回避することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】一実施形態の構成を示す機能ブロック図。

【図２】一実施形態の測光光学系の構成を示す図。

【図３】一実施形態の測光素子の分割測光領域を示す
図。

【図４】一実施形態の測光素子の構造を示す図。

【図５】スポット測光モードにおける蓄積時間演算に用
いる測光領域を示す図。

【図６】一実施形態の測光制御プログラムを示すフロー
チャート。

【図７】測光データの有効性判定ルーチンを示すフロー
チャート。

【図８】測光データと測光ダイナミックレンジとの関係
を説明する図。

【図９】次回の蓄積時間の演算ルーチンを示すフローチ
ャート。

【図１０】前回の蓄積時間と安定係数Ｋとの関係を示す
図。

【図１１】測光素子のゲイン調整ルーチンを示すフロー
チャート。

【図１２】露出演算ルーチンを示すフローチャート。

【図１３】電荷蓄積、Ａ／Ｄ変換および記憶動作を示す
フローチャート。

【図１４】従来の測光装置の構成を示す図。

【符号の説明】

１ 撮影レンズ ２ クイックリターンミラー ３ 拡散スクリーン ４ コンデンサレンズ ５ ペンタプリズム ６ 接眼レンズ ７ 測光用プリズム ８ 測光用レンズ ９ 測光素子 １０ 測光回路 １１ 測光モード設定部 １２ 領域判定部 １３ Ａ／Ｄ変換部 １４ メモリ １５ 蓄積時間設定部 １６ 蓄積制御部 １７ 有効性判定部 １８ 第１カウンタ １９ 第２カウンタ ２０ 演算実行可否判定部 ２１ レンズデータ ２２ 露出演算部 ２３ 露出制御部 ２４ 絞り ２５ シャッター ２６ 撮像画素 ２７ 補正用画素 ２８ Ｖレジスタ ２９ 出力回路 ３１ 測光回路 ３２ Ａ／Ｄ変換器 ３３ 記憶回路 ３４ 判定部 ３５ 露出演算部 ３６ 焦点検出素子 １００ マイクロプロセッサ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被写界を複数の測光領域に分割して測光
   し、各測光領域ごとに測光データを出力する測光手段
   と、 複数の測光モードの中から任意の測光モードを設定する
   モード設定手段と、 前記モード設定手段により設定された測光モードに応じ
   て測光データを記憶すべき測光領域を選択する領域選択
   手段と、 前記領域選択手段により選択された測光領域の測光デー
   タを記憶手段に記憶する制御手段とを備えることを特徴
   とする測光装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の測光装置において、 前記測光手段を、各測光領域の測光データを所定の順序
   で出力する電荷蓄積型とし、 前記制御手段は前記測光手段から出力される測光データ
   の出力順序に基づいて前記領域選択手段により選択され
   た測光領域の測光データを選別し、前記記憶手段に記憶
   することを特徴とする測光装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の測光装置において、 前記領域選択手段は前記測光データを記憶すべき測光領
   域として露出演算に用いる測光領域と前記電荷蓄積型測
   光手段の電荷蓄積時間の演算に用いる測光領域とを選択
   し、 前記記憶手段に記憶されている測光データに基づいて露
   出演算と電荷蓄積時間の演算を行なう演算手段を備える
   ことを特徴とする測光装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の測光装置において、 前記複数の測光モードに被写界の一部を測光する部分測
   光モードを含み、 前記領域選択手段は、前記モード設定手段により前記部
   分測光モードが選択された時は、露出演算に用いる測光
   領域を含む広い範囲の測光領域を電荷蓄積時間演算に用
   いる測光領域として選択することを特徴とする測光装
   置。