JPH10170975A - カメラの測光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 蓄積型の測光素子を用いた測光装置におい
て、連続撮影時などのミラーダウンが短い場合において
も、測光のための蓄積が中断されることが少なく、正確
な測光値を得ることを可能にする。 【解決手段】 蓄積型の測光素子９を用いて被写界の測
光を行う測光回路１０と、測光素子９の蓄積の開始と終
了とを制御する蓄積制御回路１３と、フィルムの給送モ
ードを少なくとも撮影間隔の短い高速モードと撮影間隔
の長い低速モードとを設定可能な給送モード設定部１６
と、給送モード設定部の出力に基づいて、測光回路の出
力ゲインを決定するゲイン決定部とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被写体の輝度を測
定する測光装置に関し、特に、カメラの自動露出制御に
用いられる測光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の装置としては、特開昭５
８−１３２７３５号公報に記載されているようなものが
あった。この装置は、撮影中ないし撮影後一定期間、測
光系及び測距系の動作を禁止するものである。具体的に
は、一眼レフカメラのようにクイックリターンミラーを
備えたカメラにおいて、レリーズ中などのミラー上昇中
には、測光系及び測距系には光が届かないことに着目
し、その間は測光及び測距を禁止する信号を発生させる
ものである。

【０００３】また、一眼レフカメラにおいて、レリーズ
の前後で制御を変更する装置としては、特開昭５８−１
１１０２２号公報に示すようなものがあった。この装置
は、連続撮影時において、初回のレリーズ前には開放測
光を行い、その後は絞り込み測光に切り換えるというも
のである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述したカメラの測光
装置は、蓄積型の測光素子を用いた場合に、測光には蓄
積動作が必要であるので、蓄積中には測光光学系に光束
を導き続けなければならない。しかし、一眼レフカメラ
におけるレリーズ時のように、ミラーアップする光学系
は、蓄積の途中で光束が遮断される場合がある。その場
合には、光束が遮断された時点で測光の継続が不可能に
なり、蓄積を中断せざるを得ない。蓄積を中断した後
は、測光データを読み出すときにも、データを読まずに
捨ててしまう場合もある。何れの場合にも、蓄積が中断
した影響により、当初予定していた測光データが得られ
ないことになるので、ミラーダウンした後に、直ちに再
測光する必要がある。

【０００５】しかし、連続撮影時のように、ミラーがダ
ウンした後に、すぐにまたミラーアップが始まる場合も
あり、再測光が再び中断される場合があり得る。この場
合には、連続撮影中に一度も十分な測光ができずに、適
正露出が得られないことになる。

【０００６】特開昭５８−１３２７３５号の装置におい
ては、ミラーアップ中に測光を禁止することにより、誤
測光を防止しているが、連続撮影時のようにミラーダウ
ン時間が短い場合に対する対策が何等開示されていな
い。また、特開昭５８−１１１０２２号の装置において
は、連続撮影時における対策がなされているが、蓄積型
の測光素子を用いた場合の開示が何等なされていない。

【０００７】そこで、本発明は、蓄積型の測光素子を用
いた測光装置において、連続撮影時などのミラーダウン
が短い場合においても、測光のための蓄積が中断される
ことが少なく、正確な測光値を得られるカメラの測光装
置を提供することを課題としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１の発明は、蓄積型の測光素子を用いて被写
界の測光を行う測光回路と、前記測光素子の蓄積の開始
と終了とを制御する蓄積制御回路と、フィルムの給送モ
ードを少なくとも撮影間隔の短い高速モードと撮影間隔
の長い低速モードとを識別するか又は前記各モードを設
定可能な給送モード設定部と、前記給送モード設定部の
出力に基づいて、測光に必要な測光パラメータを決定す
るパラメータ決定部とを備えている。

【０００９】請求項２の発明は、蓄積型の測光素子を用
いて被写界の測光を行う測光回路と、前記測光素子の蓄
積の開始と終了とを制御する蓄積制御回路と、カメラの
動作状態又は供給される電源の状態を検出する状態判定
部と、前記状態判定部の出力に基づいて、測光に必要な
測光パラメータを決定するパラメータ決定部とを備えて
いる。

【００１０】請求項３の発明は、請求項１又は請求項２
に記載されたカメラの測光装置において、前記測光回路
は、測光のための蓄積時間が長い第１のモードと、その
第１のモードに比べて蓄積時間の短い第２のモードとを
有し、前記測光パラメータ決定部は、前記蓄積制御回路
と前記給送モード設定部又は前記状態判定部との信号に
基づいて、前記第１のモード又は前記第２のモードを選
択することを特徴とする。

【００１１】請求項４の発明は、請求項１又は請求項２
に記載されたカメラの測光装置において、前記測光回路
は、測光のための蓄積速度が遅い第１のモードと、その
第１のモードに比べて蓄積速度の速い第２のモードとを
有し、前記測光パラメータ決定部は、前記蓄積制御回路
と前記給送モード設定部又は前記状態判定部との信号に
基づいて、前記第１のモード又は前記第２のモードを選
択することを特徴とする。

【００１２】請求項５の発明は、請求項３又は請求項４
に記載されたカメラの測光装置において、前記測光回路
は、出力ゲインを少なくとも高低の２段階に切り換え可
能であり、前記第１のモードは、低ゲイン、前記第２の
モードは、高ゲインであることを特徴とする。

【００１３】請求項６の発明は、請求項３又は請求項４
に記載されたカメラの測光装置において、前記測光パラ
メータは、前回の測光時に前記第１のモードであってか
つ次回蓄積時間の長さが第１の値より長い場合には、次
回測光時に前記第２のモードを選択し、前回の測光時に
前記第２のモードであってかつ次回蓄積時間の長さが前
記第１の値と異なる第２の値より短い場合には、次回測
光時に前記第１のモードを選択することを特徴とする。

【００１４】請求項７の発明は、請求項３又は請求項４
に記載されたカメラの測光装置において、前記測光パラ
メータは、前回の測光時に前記第１のモードであってか
つ電源電圧が第１の値より高い場合には、次回測光時に
前記第２のモードを選択し、前回の測光時に前記第２の
モードであってかつ電源電圧が前記第１の値と異なる第
２の値より低い場合には、次回測光時に前記第１のモー
ドを選択することを特徴とする。

【００１５】請求項８の発明は、請求項６に記載のカメ
ラの測光装置において、前記測光パラメータ決定部は、
前記給送モード設定部の設定が高速モードの場合には、
前記第１の値を第３の値に変更することを特徴とする。

【００１６】請求項９の発明は、請求項６に記載のカメ
ラの測光装置において、前記測光パラメータ決定部は、
前記給送モード設定部の設定が高速モードの場合には、
前記第２の値を第４の値に変更することを特徴とする。

【００１７】請求項１０の発明は、請求項８に記載のカ
メラの測光装置において、前記測光回路は、一眼レフカ
メラのクイックリターンミラーによって反射された光束
を測光すると共に、前記第３の値は、前記高速モード時
の最小ミラーダウン時間以下の値であることを特徴とす
る。請求項１１の発明は、請求項９に記載のカメラの測
光装置において、前記測光回路は、一眼レフカメラのク
イックリターンミラーによって反射された光束を測光す
ると共に、前記第４の値は、前記低速モード時の最小ミ
ラーダウン時間以下の値であることを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形
態に係わるカメラの測光装置の概略の構成を示すブロッ
ク図である。測光回路１０は、例えばＣＣＤ（チャージ
・カップルド・デバイス）等の蓄積型の測光素子を用い
て被写界を測光する回路であり、その測光出力は、Ａ／
Ｄ変換部１１へ出力される。測光回路１０内の出力アン
プは、高出力を得られるゲインＨと、低出力であるがノ
イズの小さいゲインＬに切替可能となっている。

【００１９】Ａ／Ｄ変換部１１は、測光回路１０のアナ
ログ出力を測光データに数値化するための部分であり、
Ａ／Ｄ変換部１１の測光データは、有効性判定部１２，
蓄積時間設定部１３及び露出演算部１７に出力される。
有効性判定部１２は、Ａ／Ｄ変換部１１から得られた測
光データが適正数値の範囲内に収まっているか否かを判
定する部分であり、収まっていた場合には、データが有
効とみなし、収まっていなかった場合には、基本的に
は、測光をやり直す。有効性判定の方法は、後に詳しく
説明する。

【００２０】蓄積時間設定部１３は、Ａ／Ｄ変換部１１
の測光データを用いて、次回測光時の蓄積時間を設定す
る部分であり、蓄積時間算出部１３の出力は、ゲイン決
定部１４に入力される。ゲイン決定部１４は、蓄積時間
算出部１３と、後述する給送モード設定部１６との出力
に基づいて、次回測光時における測光回路１０のゲイン
を決定する部分である。これらの蓄積時間算出方法及び
ゲイン決定方法については、後に詳しく説明する。

【００２１】蓄積制御部１５は、有効性判定部１２とゲ
イン決定部１４の出力に基づいて、測光回路１０の蓄積
の開始、終了を制御する制御信号を生成する部分であ
り、その出力は、測光回路１０に出力されている。

【００２２】給送モード設定部１６は、フィルムの給送
モードを設定する部分であり、不図示のレリーズボタン
が押されている間は高速連続撮影を続ける高速給送モー
ド（ＣＨ）と、レリーズボタンが押されている間は低速
連続撮影を行う低速給送モード（ＣＬ）と、レリーズボ
タンが押されると１回のみ撮影を行うシングル給送モー
ド（Ｓ）の３種類の設定が行えるようになっている。

【００２３】露出演算部１７は、Ａ／Ｄ変換部１１の測
光データに基づいて、適正露出の演算を行う部分であ
り、その出力は、測光制御部１８に出力される。露出制
御部１８は、露出演算部１７からの適正露出値に基づい
て、露出制御を行なう部分であり、レリーズ信号によ
り、撮影者がレリーズボタンを押したことを検出する
と、ミラー２を跳ね上げ、絞り１９及びシャッター２０
を適正値に制御する。

【００２４】なお、Ａ／Ｄ変換部１１、有効性判定部１
２、蓄積時間設定部１３、ゲイン決定部１４、蓄積制御
部１５、給送モード設定部１６、及び露出演算部１７
は、全て１チップマイクロコンピュータ（以下マイコン
と略す）２１によって実現されている。

【００２５】図２は、本発明の実施形態の光学系を示す
ブロック図である。撮影レンズ１を通過した光束は、ク
イックリターンミラー２、拡散スクリーン３、コンデン
サレンズ４、ペンタプリズム５、接眼レンズ６を通って
撮影者の目に到達する。一方、光束の一部は、拡散スク
リーン３によって拡散された後に、コンデンサレンズ
４、ペンタプリズム５、測光用プリズム７、測光用レン
ズ８を通して測光素子９へ到達する。

【００２６】図３は、測光素子９の分割状態を被写界に
照らし合わせて示した図である。測光素子９は、例えば
ＣＣＤ等の蓄積型センサーによって構成されており、上
下方向に１２分割、左右方向に２０分割された合計２４
０領域よりなり、被写界のほぼ全面を分割して測光でき
るようになっている。

【００２７】図４は、高速給送モード（ＣＨ）時のミラ
ー及びシャッターの動作と測光タイミングについて簡単
に説明したタイミングチャートである。まず、レリーズ
ボタンが押されたことにより、レリーズタイミングフラ
グがＨになり、それに連動してミラーが上昇を開始する
と共に、測光禁止フラグがＨになり測光が禁止される。

【００２８】蓄積制御部１５が測光禁止フラグ＝Ｈを検
出したときに蓄積中であった場合には、蓄積制御部１５
は、蓄積が途中であっても直ちに蓄積を終了してデータ
の読み出しを行い、再び測光禁止フラグ＝Ｌになるまで
次の蓄積を行わない。また、測光禁止フラグ＝Ｈを検出
したときに蓄積中でなかった場合には、測光禁止フラグ
＝Ｌになるまで次回の蓄積を行わずに待機する。

【００２９】その後に、ミラーが上昇を終了するとシャ
ッターがあらかじめ設定された秒時だけ開き、その後に
閉じる。シャッターが閉じると、次にミラーが下降し始
め下降が終了したところで、測光禁止フラグがＬに解除
されて１回の撮影が終了する。このときに、レリーズボ
タンが押し続けられていると、期間ｉｎｔＣＨのインタ
ーバルの後に、再びレリーズフラグがＨになり、同様の
動作を繰り返す。

【００３０】図５は、低速給送モード（ＣＬ）時のミラ
ー及びシャッターの動作と測光タイミングについて簡単
に説明したタイミングチャートである。基本的な動作
は、図４の場合と同様であるが、撮影のインターバル期
間が図４のｉｎｔＣＨより長いｉｎｔＣＬになっている
ところが異なっている。

【００３１】図６は、第１実施形態の測光回路１０のゲ
インの切り替え点と蓄積時間との関係及び給送モードに
よる切り替え点の変更に関する説明図である。被写界の
輝度が十分に高い場合、つまり明るい場合には、測光回
路１０のゲインはＬに設定されており、蓄積時間とゲイ
ンの関係が例えば図６中の点Ｅの位置であったとする。
その後に、輝度がだんだん低くなるに従って、測光のた
めの蓄積時間は長くなり、点Ｄを通過して最終的には点
Ａの所まで来る。

【００３２】更に輝度が低下すると、今度は、ゲインが
低感度側のＬから高感度側のＨへ切り替わり、その分だ
け蓄積時間が短くなって点Ｂの位置へ来る。そして、更
に輝度が低下すると、ゲインがＨのまま点Ｆへ近づき最
終的には最大蓄積時間となって測光低輝度限界が来る。
また、点Ａから点Ｂへ移って一度ゲインがＨになると、
ゲインの切り替え点にヒステリシスがついているため
に、その後輝度が高くなっても直ちにゲインＬへは戻ら
ずゲインＨのまま点Ｃまで蓄積時間が短くなる。そし
て、点Ｃより輝度が高くなって初めてゲインがＬに切り
替わり点Ｄへ移動するようになっている。

【００３３】また、実線で示した切り替え点の図は、フ
ィルムの給送モードがシングル（Ｓ）又は低速給送モー
ド（ＣＬ）の場合のものである。給送モードが高速給送
モード（ＣＨ）のときは、ゲインの切り替え点Ａ，Ｂ，
Ｃ，ＤをそれぞれＡ’，Ｂ’，Ｃ’，Ｄ’のように蓄積
時間の短い方へ移動させた点線の図に従って制御され
る。ここで、ゲインＬからＨへの切り替え点Ａに相当す
る蓄積時間ｉｎｔｘ０は、図５におけるインターバル時
間ｉｎｔＣＬと等しい値かｉｎｔｘ０の方をやや小さく
しておき、点Ａ’に相当する蓄積時間ｉｎｔｘ１は、図
４におけるインターバル時間ｉｎｔＣＨと等しい値かｉ
ｎｔｘ１の方をやや小さくしておく。このようにするこ
とにより、連続撮影時の測光において、蓄積時間がｉｎ
ｔＣＬ又はｉｎｔＣＨしかとれない場合においても、低
輝度時にゲインＬのまま蓄積時間が長くなり蓄積が途中
で中断されることなくゲインＨに切り替わるので、蓄積
が途中で中断され測光を失敗することが少なくなる。

【００３４】図７は、第１実施形態に係る測光装置のマ
イコン２１のプログラムを示したメインフローチャート
である。不図示のカメラのレリーズボタンが半押しされ
ることによってカメラの電源が入り、本プログラムが実
行される。まず、ステップＳ１０１において、後のステ
ップＳ１０３によって求められた蓄積時間及びゲインに
基づいて、測光素子９の蓄積を行い被写界の測光を行
う。尚、電源立ち上げ後の初回測光ではステップＳ１０
３を一度も通過していないので、蓄積時間及びゲインが
不定の状態であるが、電源立ち上げ時に初期値として蓄
積時間＝１ｍＳ、ゲイン＝Ｌを設定する。

【００３５】蓄積が終了すると、ステップＳ１０２によ
って測光出力のＡ／Ｄ変換を行い、測光データを数値化
する。ステップＳ１０３では、先に述べたように、ステ
ップＳ１０２で得られた測光データに基づいて、次回測
光時の蓄積時間とゲインを算出する。蓄積時間とゲイン
の算出方法は、後のサブルーチンを示すフローチャート
の説明において詳しく述べる。

【００３６】ステップＳ１０４では、ステップＳ１０２
で得られた測光データが適正数値の範囲内であるか否か
を判定する測光データの有効無効判定を行う。有効性判
定の方法は、後に詳しく述べる。ステップＳ１０５で
は、ステップＳ１０４の判定結果が有効であった場合に
はステップＳ１０６へ進み、無効であった場合にはステ
ップＳ１０１へ戻り測光のやり直しを行う。

【００３７】ステップＳ１０６では、図３に示した２４
０領域の測光データに基づいて、公知の手法により適正
露出値の演算を行う。ステップＳ１０７では、不図示の
レリーズボタンが全押しされたか否かを判定し、全押し
の場合にはステップＳ１０８において求められた適正露
出値に基づいて、フィルムへの露光を行った後に、全押
しでない場合には直接、ステップＳ１０９へ進む。ステ
ップＳ１０９では、半押しタイマーにより半押し解除後
に所定時間が経過したか否かを判定し、半押し継続中又
は所定時間内であった場合には、ステップＳ１０１へ戻
って処理を繰り返し、タイマー切れであった場合にはプ
ログラムを終了する。

【００３８】図８は、第１実施形態に係る測光装置の測
光データの有効性を判定するサブルーチンを示すフロー
チャートである。図７のステップＳ１０４が実行される
ことにより、本サブルーチンが呼び出されて実行され
る。まず、ステップＳ３０１により、Ｖｏｍａｘ，Ｖｏ
ｍｉｎを求める。Ｖｏｍａｘは、図３に示した２４０領
域の測光データの内の、信号成分が最大である領域の測
光データであり、同様にＶｏｍｉｎは信号成分が最小で
ある領域の測光データである。

【００３９】次に、ステップＳ３０２により、以下に示
す数式１が成立するか否かを判定する。 Ｖｏｍａｘ＜Ｖｏｖ ・・・（１） ここで、Ｖｏｖは測光素子９の飽和出力電圧値であり、
ゲインＨ、ゲインＬ毎にカメラ内の不図示の不揮発性メ
モリに記憶されており、測光を行ったゲインに応じて、
それらの中から適切な値が代入される。数式１が成立し
た場合には、全ての測光データが飽和出力以下であるの
で、ステップＳ３０３へ進みオーバーフローフラグＯＶ
に０を代入する。数式１が成立しなかった場合には、少
なくとも１領域はオーバーフローしているので、ステッ
プＳ３０４へ進みオーバーフローフラグＯＶに１を代入
する。

【００４０】次に、ステップＳ３０５により、以下に示
す数式２が成立するか否かを判定する。 Ｖｏｍｉｎ≧Ｖｕｎ ・・・（２） ここで、Ｖｕｎは、測光素子９を含めた測光回路１０の
アンダーフロー電圧値であり、測光データがこのＶｕｎ
以下であるときは、測光による信号成分よりもノイズ成
分の方が大きくデータに信頼性がないことを示してい
る。Ｖｕｎは、ゲインＨ、ゲインＬ毎にカメラ内の不図
示の不揮発性メモリに記憶されており、測光を行ったゲ
インに応じてそれらの中から適切な値が代入される。数
式２が成立した場合には、全ての測光データがアンダー
フロー電圧値以上であるので、ステップＳ３０６へ進み
アンダーフローフラグＵＮに０を代入する。数式２が成
立しなかった場合には、少なくとも１領域はアンダーフ
ローしているのでステップＳ３０７へ進みアンダーフロ
ーフラグＵＮに１を代入する。

【００４１】さらに、ステップＳ３０８により以下に示
す数式３が成立するか否かを判定する。 Ｖｏｍａｘ≧Ｖｏｋ ・・・（３） ここで、Ｖｏｋは測光データの有効性を示す値である。
数式３のようにＶｏｍａｘがＶｏｋ以上であるときは、
被写界内に輝度差があった場合でも適正露出演算に影響
を及ぼす程度の暗部の領域の測光出力が測光データとし
て十分なＳ／Ｎ比を得ることができる。従って、この場
合にはデータが有効であると言える。Ｖｏｋは、ゲイン
Ｈ、ゲインＬ毎にカメラ内の不図示の不揮発性メモリに
記憶されており、測光を行ったゲインに応じてそれらの
中から適切な値が代入される。数式３が成立した場合に
は、測光データが有効であるので、ステップＳ３０９へ
進み有効性フラグＯＫに１を代入する。数式３が成立し
なかった場合には、全ての測光データがＶｏｋより小さ
いので有効でないと判定し、ステップＳ３１０へ進み有
効性フラグＯＫに０を代入する。

【００４２】ステップＳ３１１では、ＯＶ＝０かつＵＮ
＝０、つまり測光データがオーバーフローもアンダーフ
ローもしていないか否かを判定し、そうであれば全ての
測光データが測光可能範囲内に収まっているので、この
測光結果を最終的に有効と見なし、ステップＳ３１６で
最終有効フラグＭＯＫに１を代入する。

【００４３】ステップＳ３１１が否定の場合にはステッ
プＳ３１２へ進み、ＯＶ＝０かつＯＫ＝１であるかを判
定する。ステップＳ３１２が肯定の場合は、アンダーフ
ローはしているがオーバーフローはしておらず、かつ、
Ｖｏｍａｘ≧Ｖｏｋを満足しているので、測光データが
適正露出演算に使用可能であることを示している。従っ
て、この場合にもステップＳ３１６へ進みＭＯＫ＝１と
する。

【００４４】ステップＳ３１２が否定の場合には、ステ
ップＳ３１３へ進み、ＯＶ＝０かつｉｎｔ＿ｍａｘであ
るか、つまりオーバーフローはしておらず、かつ蓄積時
間が最大値であったか否かを判別する。これが肯定だっ
た場合は、Ｖｏｍａｘ≧Ｖｏｋは満足していないが、蓄
積時間が最大であったので、これ以上測光出力レベルを
上げられなかったことを示している。従って、この場合
には可能な限りの出力レベル調整が行われており、これ
以上の改善は望めないことからステップＳ３１６におい
てＭＯＫ＝１を代入する。

【００４５】ステップＳ３１３が否定の場合には、ステ
ップＳ３１４において、ＯＶ＝１かつｉｎｔ＿ｍｉｎで
あるか、つまりオーバーフローしており、かつ蓄積時間
が最小値であったか否かを判別する。これが肯定だった
場合は、Ｖｏｍａｘ＜Ｖｏｖは満足していないが、蓄積
時間が最小であったので、これ以上測光出力レベルを下
げられなかったことを示している。従って、この場合に
は可能な限りの出力レベル調整が行われており、これ以
上の改善は望めないことからステップＳ３１６において
ＭＯＫ＝１を代入する。

【００４６】ステップＳ３１４も否定だった場合には、
出力レベル調整が不十分だったと見なして、ステップＳ
３１５によりＭＯＫ＝０を代入して処理を終了する。

【００４７】図９は、第１実施形態に係る測光装置の次
回蓄積時間ｉｎｔ及びアンプゲインを求めるサブルーチ
ンを示すフローチャートである。図７のステップＳ１０
３が実行されることにより、本サブルーチンが呼び出さ
れて実行される。本サブルーチンが呼び出される前に
は、電源立ち上げ後に少なくとも１回は測光が行われて
いるので、直前の測光データがマイコン２１内の不図示
のメモリに残っている。ステップＳ４０１では、上述し
た図８のステップＳ３０１の手法と同様にして、Ｖｏｍ
ａｘを求める。または、ステップＳ３０１で求めたＶｏ
ｍａｘをメモリに格納しておき、そのまま用いてもよ
い。ステップＳ４０２では、上述したステップＳ３０２
と同様に、Ｖｏｍａｘ＜Ｖｏｖであるか、つまり測光デ
ータがオーバーフローしていないか否かを判定する。ま
たは、ステップＳ３０２での判定結果であるフラグＯＶ
をメモリに格納しておき、それをそのまま用いてもよ
い。

【００４８】測光データがオーバーフローしていなかっ
た場合には、ステップＳ４０３へ進み通常処理ルーチン
により次回蓄積時間を算出する。通常処理の内容につい
ては後に詳しく説明する。測光データがオーバーフロー
していた場合には、ステップＳ４０４へ進み、オーバー
フロー処理ルーチンによって次回蓄積時間を算出する。
オーバーフロー処理の内容については、後に詳しく説明
する。

【００４９】次に、ステップＳ４０５によってｍｏｄｅ
＝１か否か、すなわちフィルム給送モードが高速給送モ
ード（ＣＨ）か否かを判定する。ｍｏｄｅ＝０、フィル
ム給送モードが高速給送モード（ＣＨ）でなかった、即
ちシングル（Ｓ）又は低速給送モード（ＣＬ）であった
場合には、ステップＳ４０６へ進み、以下に示す数式
４、５のようにパラメータを設定する。 ｉｎｔ＿Ｌ＿ｍａｘ＝ｉｎｔｘ０ ・・・（４） ｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎ＝ｉｎｔｎ０ ・・・（５） ここで、ｉｎｔ＿Ｌ＿ｍａｘ，ｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎは、
測光回路１０のゲインを切り換えるためのパラメータで
ある。具体的には、ステップＳ４０３又はステップＳ４
０４によって求められた次回蓄積時間の長さを上記２つ
の値と比較することによって、次回測光における測光回
路１０のゲインを高ゲイン（Ｈ）、又は低ゲイン（Ｌ）
に切り換える。処理の内容については、ステップＳ４０
８以降で詳しく説明する。

【００５０】一方、ｍｏｄｅ＝１、すなわちフィルム給
送モードが高速給送モード（ＣＨ）であった場合には、
ステップＳ４０７へ進み、以下に示す数式６、７のよう
にパラメータを設定する。 ｉｎｔ＿Ｌ＿ｍａｘ＝ｉｎｔｘ１ ・・・（６） ｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎ＝ｉｎｔｎ１ ・・・（７） ここで、ｉｎｔ＿Ｌ＿ｍａｘ，ｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎは、
上述したように測光回路１０のゲインのＨ／Ｌを切り換
えるためのパラメータである。それぞれのパラメータの
持つ具体的な意味及び数値については後に詳しく説明す
る。

【００５１】ステップＳ４０８では、現在の測光回路１
０のゲイン設定がＬ、つまり低ゲイン側で、かつステッ
プＳ４０３又はステップＳ４０４で求められた次回蓄積
時間ｉｎｔがｉｎｔ＿Ｌ＿ｍａｘより大であるか否かを
判定する。ステップＳ４０８が肯定の場合、つまりゲイ
ンＬでかつ蓄積時間が長い場合には、ステップＳ４０９
へ進み、次回蓄積時間ｉｎｔを数式８に示すようにＶＬ
で割り、ゲインをＨに切り換える。 ｉｎｔ＝ｉｎｔ／ＶＬ ・・・（８） ここで、ＶＬは測光回路１０のゲイン定数であり、ゲイ
ンＨの出力がゲインＬの出力の何倍のゲインであるかを
示すものである。また、前述した図６において、この場
合の処理を分かりやすく示してある。ステップＳ４０９
の処理は、図６のＡからＢへの切り換え（給送モードが
高速連続モード以外のとき）、又は、Ａ’からＢ’への
切り換え（給送モードが高速連続モードのとき）に相当
する。

【００５２】ステップＳ４０８が否定の場合には、ステ
ップＳ４１０によって、現在の測光回路１０のゲイン設
定がＨ、つまり高ゲイン側で、かつステップＳ４０３又
はステップＳ４０４で求められた次回蓄積時間ｉｎｔが
ｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎより小であるか否かを判定する。ス
テップＳ４１０が肯定の場合、つまりゲインＨでかつ蓄
積時間が短い場合にはステップＳ４１１へ進み、次回蓄
積時間ｉｎｔを数式９に示すＶＬ倍し、ゲインをＬに切
り換える。 ｉｎｔ＝ｉｎｔ×ＶＬ ・・・（９） ここで、ＶＬは数式８と同様に、測光回路１０のゲイン
定数である。また、この場合の処理を図６を用いて分か
りやすく示すと、ステップＳ４１１の処理は、図６のＣ
からＤへの切り換え（給送モードが高速連続モード以外
のとき）、又は、Ｃ’からＤ’への切り換え（給送モー
ドが高速連続モードのとき）に相当する。

【００５３】このように、ゲインＬかつｉｎｔ大のとき
にはゲインをＨへ切り換えｉｎｔを小さくすることによ
り蓄積時間の短縮を図り、逆に、ゲインＨかつｉｎｔ小
のときにはゲインをＬへ切り換えてｉｎｔを大きくする
ことにより、よりＳ／Ｎ特性のよいゲインＬを使用する
ようにしている。

【００５４】また、ゲインＨ／Ｌの切り換えに際して、
図６のようにヒステリシスを設けることにより、測光ば
らつきや輝度が切り換え点付近で微妙に変化した場合に
ついても、安定した制御が行われるようになっている。
更に、給送モードが高速連続モードの場合には、それら
切り換え点を蓄積時間の短い方にシフトさせることによ
り、次回蓄積時間に要する時間を通常状態より短くする
ようにしている。これは、図６で説明したように、連続
撮影時の測光において、蓄積時間がｉｎｔＣＬ又はｉｎ
ｔＣＨしかとれない場合においても、低輝度時にゲイン
Ｌのまま蓄積時間が長くなり蓄積が途中で中断されるこ
となくゲインＨに切り替わるので、蓄積が途中で中断さ
れて測光を失敗することが少なくなる。

【００５５】次に、ステップＳ４１２では、数式１０の
判定を行う。 ｉｎｔ＜ｉｎｔ＿ｍｉｎ ・・・（１０） ここで、ｉｎｔ＿ｍｉｎは測光回路１０の最小蓄積時間
である。つまり、演算によって求めた次回ｉｎｔが最小
値より小さいか否かを判定し、そうであれば、ステップ
Ｓ４１３により次回ｉｎｔをｉｎｔ＿ｍｉｎにクリップ
する。

【００５６】また、ステップＳ４１２が否定の場合に
は、ステップＳ４１４により数式１１の判定を行う。 ｉｎｔ＞ｉｎｔ＿ｍａｘ ・・・（１１） ここで、ｉｎｔ＿ｍａｘは測光回路１０の最大蓄積時間
である。つまり、演算によって求めた次回ｉｎｔが最大
値より大きいか否かを判定し、そうであれば、ステップ
Ｓ４１５により次回ｉｎｔをｉｎｔ＿ｍａｘにクリップ
する。

【００５７】以上の処理において、各パラメータの典型
的な値を以下に示す。 ｉｎｔ＿ｍｉｎ＝１０μＳ ・・・（１２） ｉｎｔ＿ｍａｘ＝１００ｍＳ ・・・（１３） ｉｎｔｘ０＝８０ｍＳ ・・・（１４） ｉｎｔｎ０＝１０ｍＳ ・・・（１５） ｉｎｔｘ１＝４０ｍＳ ・・・（１６） ｉｎｔｎ１＝ ５ｍＳ ・・・（１７） ＶＬ＝４ ・・・（１８）

【００５８】図１０は、第１実施形態に係る測光装置の
通常処理での次回蓄積時間の算出方法を示すフローチャ
ートである。図９のステップＳ４０３が実行されること
により、本サブルーチンが呼び出されて実行される。ま
ず、ステップＳ５０１により測光回路１０のゲインがＨ
であるか否かを判定する。ゲインがＬであった場合に
は、ステップＳ５０２によりＶｏｍａｘがＶｎＬより小
であるか否かを判定し、小さかった場合にはステップＳ
５０５、そうでなかった場合にはステップＳ５０４へ進
む。ここで、ＶｎＬは、ゲインＬの場合の測光出力のノ
イズレベルであり、ＶｏｍａｘがＶｎＬ以下であった場
合には全ての測光出力がノイズレベル以下であったこと
を示している。

【００５９】ステップＳ５０１においてゲインがＨであ
った場合には、ステップＳ５０３によりＶｏｍａｘがＶ
ｎＨより小であるかを判定し、小さかった場合にはステ
ップＳ５０６、そうでなかった場合にはステップＳ５０
４へ進む。ＶｎＨは、ゲインがＨの場合の測光出力のノ
イズレベルであり、ＶｎＬと同様に、ＶｏｍａｘがＶｎ
Ｈ以下であった場合には、全ての測光出力がノイズレベ
ル以下であったことを示している。

【００６０】ステップＳ５０４では、Ｖｏｍａｘがノイ
ズレベルよりも大であった場合の次回蓄積時間ｉｎｔを
以下に示す数式１９によって計算する。 ｉｎｔ＝ｉｎｔ’・Ｖａｇｃ／Ｖｏｍａｘ ・・・（１９） ここで、Ｖａｇｃは、次回測光における測光データのＶ
ｏｍａｘの目標レベルを示すものであり、測光回路１０
の飽和出力電圧よりやや低い値に設定してある。標準的
な値は、飽和出力電圧＝３．４Ｖ、Ｖａｇｃ＝３．０Ｖ
である。また、ｉｎｔ’は前回の蓄積時間である。

【００６１】ステップＳ５０５は、ゲインＬ時にＶｏｍ
ａｘがノイズレベル以下であった場合の次回蓄積時間ｉ
ｎｔの求め方であり、以下の数式２０によって計算す
る。 ｉｎｔ＝ｉｎｔ’・ＶｏｖＬ／ＶｎＬ ・・・（２０） ここで、ＶｏｖＬは、ゲインＬでの飽和出力電圧であ
り、その標準的な値は上述したように約３．４Ｖ、Ｖｎ
Ｌの標準的な値は約４０ｍＶである。

【００６２】ステップＳ５０６は、ゲインＨ時にＶｏｍ
ａｘがノイズレベル以下であった場合の次回蓄積時間ｉ
ｎｔの求め方であり、以下の数式２１によって計算す
る。 ｉｎｔ＝ｉｎｔ’・ＶｏｖＨ／ＶｎＨ ・・・（２１） ここで、ＶｏｖＨは、ゲインＨでの飽和出力電圧であ
り、その標準的な値は上述したように約３．４Ｖ、Ｖｎ
Ｈの標準的な値は約１６０ｍＶである。

【００６３】図１１は、本実施形態に係る測光装置の前
回の測光出力のＶｏｍａｘがオーバーフローした場合で
の次回蓄積時間ｉｎｔを求めるためのサブルーチン・フ
ローチャートである。図９のステップＳ４０４が実行さ
れることにより、本サブルーチンが呼び出されて実行さ
れる。まず、ステップＳ６０１において、２４０個の測
光領域の内、オーバーフローしている領域、即ちゲイン
Ｌ時はＶｏｖＬ以上、ゲインＨ時はＶｏｖＨ以上の出力
が何領域あるか否かをカウントし、変数ｏｖｆに代入す
る。

【００６４】次に、ステップＳ６０２において、ｏｖｆ
がｐｘ／１６より少ないか否かを判定する。ここで、ｐ
ｘは測光領域数であり、この場合には、ｐｘ＝２４０で
ある。ステップＳ６０２が肯定の場合にはステップＳ６
０３へ進み、ｉｎｔをｉｎｔ’／２、つまり前回の値の
１／２にする。ステップＳ６０２が否定の場合には、ス
テップＳ６０４においてｏｖｆがｐｘ／８より少ないか
否かを判定し、そうであればステップＳ６０５において
ｉｎｔをｉｎｔ’／４、つまり前回の値の１／４に設定
する。ステップＳ６０４が否定の場合には、更にステッ
プＳ６０６においてｏｖｆがｐｘ／４より少ないか否か
を判定し、そうであればステップＳ６０７においてｉｎ
ｔをｉｎｔ’／８、つまり前回の値の１／８に設定す
る。ステップＳ６０６も否定であった場合には、ステッ
プＳ６０８によりｉｎｔ＝ｉｎｔ’／１６、つまり前回
の値の１／１６として処理を終了する。

【００６５】（第２実施形態）図１２は、本発明による
カメラの測光装置の第２実施形態のアンプゲインを求め
るサブルーチンを示すフローチャートである。なお、以
下に説明する各実施形態は、前述した第１実施形態と同
様な機能を果たす部分には、同一の符号を付して、重複
する説明を適宜省略する。第１実施形態は、測光パラメ
ータとして、測光回路１０のゲインを切り換えるための
ｉｎｔ＿Ｌ＿ｍａｘ，ｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎというパラメ
ータを用いたが、第２実施形態は、直接ゲインを切り換
えるしたものである。すなわち、図１２のステップＳ４
０５によってｍｏｄｅ＝１か否か、すなわちフィルム給
送モードが高速給送モード（ＣＨ）か否かを判定する。
ｍｏｄｅ＝０、フィルム給送モードが高速給送モード
（ＣＨ）でなかった、即ちシングル（Ｓ）又は低速給送
モード（ＣＬ）であった場合には、ステップＳ４０６’
へ進み、ゲイン＝Ｌに設定する。一方、ｍｏｄｅ＝１、
すなわちフィルム給送モードが高速給送モード（ＣＨ）
であった場合には、ステップＳ４０７’へ進み、ゲイン
＝Ｈに設定する。なお、この場合には、Ｓ４０５，Ｓ４
０６’，Ｓ４０７’において、すでにＣＣＤのゲイン設
定が完了しているために、Ｓ４０８，Ｓ４０９，Ｓ４１
０及びＳ４１１は不要となる。第２実施形態は、第１実
施形態と比較して、処理ルーチンが簡単なために、制御
スピードが上がるという利点がある。

【００６６】（第３実施形態）図１３は、本発明による
カメラの測光装置の第３実施形態を示すブロック図、図
１４は、次回蓄積時間及びアンプゲインを求めるサブル
ーチンを示すフローチャートである。第３実施形態は、
バッテリの状態を判定するバッテリチェック部２１を備
えている。Ｓ４０５’において、バッテリ残量が十分に
であるか否かのフラグｂａｔｔ＝１か否かを判定し、十
分な場合には、Ｓ４０７に進み、不十分な場合には、Ｓ
４０６へ進み、図９と同様な処理を行なう。

【００６７】第３実施形態は、バッテリ残量が少なくな
り、フィルムの給送スピードが遅くなった場合には、測
光時間に余裕ができるので、測光素子の蓄積時間を長く
して、蓄積時間が短い場合に比較して、測光精度を向上
させることができる。

【００６８】（他の実施形態）以上説明した実施形態に
限定されることなく、種々の変形や変更が可能であっ
て、それらも本発明の均等の範囲である。例えば、測光
回路は、蓄積時間の長い第１のモードと、その第１のモ
ードに比べて蓄積時間の短い第２のモードを有する例に
よって説明したが、蓄積速度の遅い第１のモードと、そ
の第１のモードに比べて蓄積速度の速い第２のモードを
有するものであっても、同様に適用できる。

【００６９】また、給送モード設定部は、選択されてい
るモードを識別するようなものであってもよい。

【００７０】

【発明の効果】以上詳しく説明したように、請求項１又
は請求項２によれば、給送モード設定部又は状態検出部
の出力に基づいて、測光パラメータを決定するので、各
給送モードやカメラの状態において最適な設定条件での
測光が行える。請求項３又は４によれば、蓄積制御回路
と給送モード設定部との信号に基づいて、第１のモード
又は第２のモードから最適なモードを選択可能となる。
請求項５によれば、蓄積制御回路と給送モード設定部と
の信号に基づいて、低ゲイン又は高ゲインから最適なゲ
インを選択可能となる。請求項６又は７によれば、前回
の測光時のモードと次回蓄積時間の値より最適なモード
が選択可能になる。請求項８によれば、高速モードの場
合における測光パラメータを最適なものにすることがで
きる。請求項９によれば、高速モードの場合における測
光パラメータを最適なものにすることができる。請求項
１０によれば、一眼レフカメラの測光系において、高速
モード時の最適なパラメータ設定が可能となる。請求項
１１によれば、一眼レフカメラの測光系において、低速
モード時の最適なパラメータ設定が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるカメラの測光装置の第１実施形態
を示すブロック図である。

【図２】第１実施形態に係るカメラの光学系を示した図
である。

【図３】第１実施形態に係る測光装置の測光部の分割状
態を示す図である。

【図４】第１実施形態に係る測光装置の測光タイミング
についてのタイミングチャートである。

【図５】第１実施形態に係る測光装置の測光タイミング
についてのタイミングチャートである。

【図６】第１実施形態に係る測光装置の蓄積時間とゲイ
ンの設定のされ方を示した図である。

【図７】第１実施形態に係る測光装置のアルゴリズムを
示すフローチャートである。

【図８】第１実施形態に係る測光装置のアルゴリズムを
示すフローチャートである。

【図９】第１実施形態に係る測光装置のアルゴリズムを
示すフローチャートである。

【図１０】第１実施形態に係る測光装置のアルゴリズム
を示すフローチャートである。

【図１１】第１実施形態に係る測光装置のアルゴリズム
を示すフローチャートである。

【図１２】第２実施形態に係る測光装置のアルゴリズム
を示すフローチャートである。

【図１３】本発明によるカメラの測光装置の第３実施形
態を示すブロック図である。

【図１４】第２実施形態に係る測光装置のアルゴリズム
を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１ 撮影レンズ ２ クイックリターンミラー ３ 拡散スクリーン ４ コンデンサレンズ ５ ペンタプリズム ６ 接眼レンズ ７ 測光用プリズム ８ 測光用レンズ ９ 測光素子 １０ 測光回路 １１ Ａ／Ｄ変換部 １２ 有効性判定部 １３ 蓄積時間算出部 １４ ゲイン決定部 １５ 蓄積制御部 １６ 給送モード設定部 １７ 露出演算部 １８ 露出制御部 １９ 絞り ２０ シャッター ２１ マイクロプロセッサ

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 蓄積型の測光素子を用いて被写界の測光
   を行う測光回路と、 前記測光素子の蓄積の開始と終了とを制御する蓄積制御
   回路と、 フィルムの給送モードを少なくとも撮影間隔の短い高速
   モードと撮影間隔の長い低速モードとを識別するか又は
   前記各モードを設定可能な給送モード設定部と、 前記給送モード設定部の出力に基づいて、測光に必要な
   測光パラメータを決定するパラメータ決定部とを備えた
   カメラの測光装置。
2. 【請求項２】 蓄積型の測光素子を用いて被写界の測光
   を行う測光回路と、 前記測光素子の蓄積の開始と終了とを制御する蓄積制御
   回路と、 カメラの動作状態又は供給される電源の状態を検出する
   状態判定部と、 前記状態判定部の出力に基づいて、測光に必要な測光パ
   ラメータを決定するパラメータ決定部とを備えたカメラ
   の測光装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載されたカメ
   ラの測光装置において、 前記測光回路は、測光のための蓄積時間が長い第１のモ
   ードと、その第１のモードに比べて蓄積時間の短い第２
   のモードとを有し、 前記測光パラメータ決定部は、前記蓄積制御回路と前記
   給送モード設定部又は前記状態判定部との信号に基づい
   て、前記第１のモード又は前記第２のモードを選択する
   ことを特徴とするカメラの測光装置。
4. 【請求項４】 請求項１又は請求項２に記載されたカメ
   ラの測光装置において、 前記測光回路は、測光のための蓄積速度が遅い第１のモ
   ードと、その第１のモードに比べて蓄積速度の速い第２
   のモードとを有し、 前記測光パラメータ決定部は、前記蓄積制御回路と前記
   給送モード設定部又は前記状態判定部との信号に基づい
   て、前記第１のモード又は前記第２のモードを選択する
   ことを特徴とするカメラの測光装置。
5. 【請求項５】 請求項３又は請求項４に記載されたカメ
   ラの測光装置において、 前記測光回路は、出力ゲインを少なくとも高低の２段階
   に切り換え可能であり、前記第１のモードは、低ゲイ
   ン、前記第２のモードは、高ゲインであることを特徴と
   するカメラの測光装置。
6. 【請求項６】 請求項３又は請求項４に記載されたカメ
   ラの測光装置において、 前記測光パラメータは、 前回の測光時に前記第１のモードであってかつ次回蓄積
   時間の長さが第１の値より長い場合には、次回測光時に
   前記第２のモードを選択し、 前回の測光時に前記第２のモードであってかつ次回蓄積
   時間の長さが前記第１の値と異なる第２の値より短い場
   合には、次回測光時に前記第１のモードを選択すること
   を特徴とするカメラの測光装置。
7. 【請求項７】 請求項３又は請求項４に記載されたカメ
   ラの測光装置において、 前記測光パラメータは、 前回の測光時に前記第１のモードであってかつ電源電圧
   が第１の値より高い場合には、次回測光時に前記第２の
   モードを選択し、 前回の測光時に前記第２のモードであってかつ電源電圧
   が前記第１の値と異なる第２の値より低い場合には、次
   回測光時に前記第１のモードを選択することを特徴とす
   るカメラの測光装置。
8. 【請求項８】 請求項６に記載のカメラの測光装置にお
   いて、 前記測光パラメータ決定部は、前記給送モード設定部の
   設定が高速モードの場合には、前記第１の値を第３の値
   に変更することを特徴とするカメラの測光装置。
9. 【請求項９】 請求項６に記載のカメラの測光装置にお
   いて、 前記測光パラメータ決定部は、前記給送モード設定部の
   設定が高速モードの場合には、前記第２の値を第４の値
   に変更することを特徴とするカメラの測光装置。
10. 【請求項１０】 請求項８に記載のカメラの測光装置に
    おいて、 前記測光回路は、一眼レフカメラのクイックリターンミ
    ラーによって反射された光束を測光すると共に、前記第
    ３の値は、前記高速モード時の最小ミラーダウン時間以
    下の値であることを特徴とするカメラの測光装置。
11. 【請求項１１】 請求項９に記載のカメラの測光装置に
    おいて、 前記測光回路は、一眼レフカメラのクイックリターンミ
    ラーによって反射された光束を測光すると共に、前記第
    ４の値は、前記低速モード時の最小ミラーダウン時間以
    下の値であることを特徴とするカメラの測光装置。