JPH09251651A - 位相差電圧生成回路 - Google Patents

位相差電圧生成回路

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JPH09251651A
JPH09251651A JP8058985A JP5898596A JPH09251651A JP H09251651 A JPH09251651 A JP H09251651A JP 8058985 A JP8058985 A JP 8058985A JP 5898596 A JP5898596 A JP 5898596A JP H09251651 A JPH09251651 A JP H09251651A
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phase difference
transistor
circuit
difference voltage
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Takeshi Yamamoto
剛 山本
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    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高精度と高速性が要求されるDVD等の光学デ
ィスク再生におけるトラッキングエラーの生成において
も、十分な性能が得られる電荷の順次転送による積分回
路を提供する。 【解決手段】2つのデジタル入力1,2の対応するエッ
ジの片側だけが到来して1次コンデンサC1を充電中
は、電荷転送用の制御スイッチSW1を接地側にしてト
ランジスタQ1をオフし、対になるエッジが来て位相差
情報を検出し終わったら、すぐにスイッチSW1をバイ
アス電圧Vb側に倒してトランジスタQ1を動作させ充
電電荷を2次コンデンサC2へ転送し、入力1,2の位
相差の積算情報を得る。転送が終われば、コンデンサC
1はVb−VBE(VBEはQ1オン時のエミッタ・ベース
間電圧)で初期化する。電荷転送に1個のNPNトラン
ジスタをベース接地モードで使うことで高速動作を可能
とし、誤差も少なくできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばデジタル
ビデオディスクなどの光ディスクのトラッキングサーボ
信号の生成に適する位相差電圧生成回路に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、画像圧縮したビデオ信号やパーソ
ナルコンピュータ等で扱うデジタル情報を、デジタル記
録した光ディスクの再生装置(以下、デジタル・ビデオ
・ディスク(DVD)という。)が提案され、製品化に
向けて開発が鋭意進められている。これは2時間を越え
る映画でも、コンパクトディスクと同じ直径12cmの
一枚のディスクの片面に収められるように、これまでの
コンパクトディスクに比べ、はるかに高密度記録となっ
ている。
【0003】このような記録媒体から情報を正確に再生
するためには、正確かつ精密なトラッキングサーボが必
要であり、このためにはピックアップの信号からトラッ
キング誤差信号を精度良く生成することが重要となる。
DVDでは、その規格上、レーザーによる光スポットか
らの反射光を、4分割のフォトディテクタで受け、その
出力の対角線方向の成分同士を加算し、それぞれの信号
の位相差によってトラッキング誤差の検出を行う方法が
最適とされている。これはトラッキング誤差によって、
これら対角方向の和信号の間に位相差が生じるという原
理に基づくもので、位相差方式のトラッキングエラー生
成と呼んでいる。
【0004】この方式による具体的なトラッキングエラ
ー生成回路としては、特開昭58−150144号が提
案され、その改良特許として、特公平5−80053号
が提案されている。これらのエラー信号生成回路を実際
に構成する場合、DVDのように記録密度が高くなって
くると、1パルス毎に高速にしかも精度良く位相差検出
をしなければならないため、非常に難しい問題が持ち上
がってくる。例えば、特公平5−80053号では不良
波形発生ときの影響を除去しつつ、1パルス毎の位相比
較結果を順次積分し、トラッキングエラー信号を生成す
る回路として、図6のような回路が示されている。
【0005】図6の回路の動作について、図7の波形図
を用いて説明する。4分割のフォトディテクタ出力の対
角成分同士が加算された信号は、図7のA+CとB+D
にあるように、トラッキングのずれ量に対応した位相差
を持つ。A+Cの波形整形を行った入力1とB+Dの波
形整形を行った入力2のパルス信号として生成する。こ
の2つのパルス波の対になる立ち上がりエッジまたは立
ち上がりエッジを、確認した時点で反転するようなパル
ス波を入力極性パルスとする。
【0006】以上の3つのパルス信号を、図6の位相比
較回路61の入力とする。位相比較回路61では、入力
1と入力極性、入力2と入力極性のそれぞれのEX(Ex
clusive )−ORをとる。その出力を抵抗R4とR5で
電流に変換し、1次コンデンサC1を充電する。入力1
が入力2より進んでいる場合は、図7にあるように入力
1側のEX−ORの出力がその時間差だけHigh にな
り、抵抗R4を電流I1が流れてコンデンサC1を充電
する。逆に、入力1が入力2より遅れている場合は、入
力2側のEX−ORの出力が遅れ時間差だけHigh にな
り、抵抗R5を電流I2が流れて逆方向にコンデンサC
1を充電する。
【0007】このとき、スイッチSW1とSW3はオー
プンになっている。2つの入力パルス波の対になるエッ
ジが到来して充電を終えた瞬間から、次のどちらかの入
力のエッジが到来するまでは、図7にあるようにスイッ
チSW1がオンする。このオン条件は、ロジック回路で
構成するスイッチ制御回路62で決めている。スイッチ
SW1がオン状態では、コンデンサC1はオペアンプO
PとコンデンサC2とで構成する積分器63と接続する
ことになり、オペアンプOPは入力間電圧がゼロになる
ように動作する。
【0008】コンデンサC1に蓄えられた位相差に比例
した電荷は、コンデンサC2へと転送(電流I3)され
る。入力に次のエッジが来るときには、コンデンサC1
の両端電圧はゼロにリセットされている。電荷はオペア
ンプの帯域で決まるスピードで転送されるが、このとき
瞬間的に相当大きなパルス電流が流れるため、必要以上
に大きくならないように、電流制限の目的で抵抗R6と
R7が電流経路に挿入してある。
【0009】このようにして、入力のパルス毎にコンデ
ンサC1に蓄えられた電荷は、順次2次コンデンサC2
に転送し積分していく。積分器63の出力には、位相差
の平均値に相当する電圧が発生して、これがトラッキン
グエラー信号となる。入力に不良波形がある場合は、不
良波形検出回路64でこれを見つけてスイッチSW3を
閉じ、不良波形の影響をコンデンサC1だけで食い止
め、積分出力へ影響させないようにしている。図7の波
形例ではA+Cの2つめのパルスの山が2値化のスレッ
シュホールドに届かないため、対になるB+Dの2つめ
の山だけが孤立波形型の不良波形になっている例であ
る。
【0010】この場合は、パルス終了直後からのスイッ
チSW1のオンによる電荷転送はなく、図7にあるよう
に孤立波形であることが確定する、入力2の立ち下がり
エッジの直後にスイッチSW3をオンして、1次コンデ
ンサC1をショートし、2次コンデンサC2に転送する
ことなく初期化している。
【0011】この回路の欠点は、このままバイポーラI
Cに集積化した場合、DVDのように高速動作が実現し
にくい、高速動作させると必要な精度がとれない、とい
う問題があることである。光ディスクのトラッキングエ
ラー生成を集積化するならば、信号の流れから考えてR
Fアンプやフォーカスエラー生成回路と同一のチップに
収めるのが最適である。これらのRF処理には、高速性
と低オフセット、低S/Nが要求されるため、そのIC
はバイポーラプロセスを用いるのが一般的である。とこ
ろが、図6の回路をバイポーラICで実現するとなる
と、いくつかの問題がでてくることが予想される。
【0012】まず、スイッチSW1のオン/オフスイッ
チは、双方向の電流スイッチの実現が難しい。これを実
現するには、図8のようにダイオードブリッジで構成
し、そのバイアス電流をオン/オフさせることにより双
方向の電流スイッチの機能を実現する方法がある。
【0013】しかし、電源Vcc側の電流源をPNPト
ランジスタ、接地側の電流源をNPNトランジスタ、と
いうように異なる種類のトランジスタで構成することに
なるため、これらを完全に同時にはオン/オフできな
い。電流源の電流値は電荷転送時に流れる最大電流より
も、大きく取っておく必要があるため、この電流値は小
さくできない。
【0014】従って、PNPとNPNのトランジスタに
オン/オフの時間差が僅かであっても、大きなオフセッ
ト電流が1次コンデンサと2次コンデンサに流れ、エラ
ー生成精度を悪化させる。実際DVDでは位相差オフセ
ットを数nsec以下に抑える必要がある。上下の電流
源のオン/オフ時間差は、これよりも小さくする必要が
あるが、これを実現する手段がないのが現状である。ま
た、オン時には電荷の転送が終わってからも電流を流し
続けることになり、上下の電流源の差電流がオフセット
電流となって積分経路へ流れ、誤差発生の要因となる。
【0015】この場合も、上下の電流源は異なる導電型
のトランジスタであるため、相対精度がとれない、とい
う点が問題を深刻にする。トラッキングセンターの位相
差がゼロ付近では、エラー検出位相が1周期のうちごく
僅かの時間なのに対し、電荷転送スイッチオンの時間は
ほぼ1周期すべてになる。電流オフセット量としては小
さくともエラー生成電圧にかなり、大きな誤差を発生さ
せる。ダイオードブリッジのスイッチの代わりに、図9
のような飽和スイッチ使う方法もあるが、この場合は、
電圧オフセットが大きいとかスピードが遅いなどの欠点
があり、やはり大きな誤差を持つ。
【0016】次に、十分な性能を持つオペアンプの実現
が困難な点があげられる。オペアンプの出力段は、PN
PとNPNのトランジスタのプッシュプル回路で構成す
るのが一般的であるが、電荷転送が充電か放電かで動作
トランジスタが変わる。通常のバイポーラICでは、P
NPは横型構造とNPNは縦型構造で作られ、構造上そ
の高速動作に著しい違いがある。
【0017】これによって、充電と放電でのスピード動
作に大きな違いができ、結果的に進み位相と遅れ位相と
の特性の差となって表れる。位相差特性のカーブで言え
ば、原点の位相ゼロを境に傾斜の差ができてしまう。こ
れは出力段がプッシュプルではなく、NPNのエミッタ
ホロワであっても、今度はエミッタでの充電とコレクタ
による定電流放電という動作になる。やはり、進み位相
と遅れ位相との間の特性に大きな差ができてしまう。こ
のほか、オペアンプの入力電流オフセットも誤差要因と
して無視できない。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のオペア
ンプとオン/オフスイッチを用いた電荷転送による位相
差電圧生成回路では、高速かつ高精度の動作が必要なD
VDのようなものには十分な性能が得られない、という
問題があった。
【0019】この発明は、高精度と高速性が要求される
DVD等の光学ディスク再生におけるトラッキングエラ
ーの生成においても、十分な性能が得られる電荷の順次
転送による積分回路を提供する。
【0020】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、この発明の位相差電圧生成回路では、2つの入
力デジタル信号を電圧比較し、該デジタル信号間の進み
遅れに応じて出力極性を切り換え、前記入力デジタル信
号間の時間差を出力する位相比較回路と、前記時間差に
応じた電荷を蓄える第1のコンデンサと、エミッタが前
記第1のコンデンサに接続されたベース接地トランジス
タと、前記トランジスタのコレクタに接続した第2のコ
ンデンサと、前記2つの入力デジタル信号の対応するエ
ッジを検出した後、次のエッジが到来するまでの間、前
記トランジスタをバイアスするスイッチ制御回路とを備
え、前記第1のコンデンサに発生する入力信号の各エッ
ジ毎の時間差情報を、前記トランジスタにより前記第2
のコンデンサに順次転送し、該第2のコンデンサより2
つの入力デジタル信号の位相差の積算情報を得ることを
特徴とする。
【0021】このような手段により、ベース接地トラン
ジスタのベース端にパルス電圧を与え、パルスがHigh
またはLowのどちらかの期間だけ第1のコンデンサに蓄
えた電荷を第2のコンデンサに転送するような制御とす
る。あるいはベース接地トランジスタのスイッチ制御回
路として、エミッタ端にオンオフ制御のパルス電流を与
え、電流がオンの期間だけ第1のコンデンサに蓄えた電
荷を第2のコンデンサに転送するような制御とする。
【0022】また、2つの入力デジタル信号を電圧比較
し、該デジタル信号間の進み遅れに応じて第1の出力端
子と第2の出力端子とを切り換え、前記デジタル信号の
時間差を出力する位相比較回路と、前記時間差に応じた
電荷を蓄える第1のコンデンサと、エミッタが前記第1
のコンデンサの両端にそれぞれ接続されたベース接地の
第1および第2のトランジスタと、前記各トランジスタ
のコレクタ間に接続した第2のコンデンサと、前記2つ
の入力デジタル信号の対応するエッジを検出した後、次
のエッジが到来するまでの間、前記各トランジスタをバ
イアスするスイッチ制御回路とを備え、前記第1のコン
デンサに発生する入力信号の各エッジ毎の時間差情報
を、前記各トランジスタによって1周期毎に、前記第2
のコンデンサに順次転送し、該第2のコンデンサの両端
より入力デジタル信号の位相差の積算情報を得ることを
特徴とする。
【0023】この手段では、エミッタ同士が接続された
1組のトランジスタ対を追加し、そのエミッタをベース
接地トランジスタのコレクタに接続し、その一方のコレ
クタに前記第2のコンデンサを接続し、もう一方のコレ
クタは電源または接地などの定電圧点に接続し、入力信
号に異常のある場合は、トランジスタ対のベース間電圧
を制御することにより、第1のコンデンサに蓄えた電荷
を電源または接地などの定電圧点に流して第2のコンデ
ンサに転送しないような制御をする。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。図1はこの
発明の第1の実施の形態を説明するための回路図であ
る。この実施の形態では、図6のオペアンプOPをベー
ス接地トランジスタQ1に置き換えている。また、位相
比較回路のEX−ORの出力を、High で定電流出力と
なるようにし、片側をカレントミラーCMで折り返し、
差電流で片側を接地した1次コンデンサC1を充放電す
る。そしてこれも片側を接地した2次コンデンサC2と
の間にベース接地トランジスタQ1を挿入し、エミッタ
をコンデンサC1に、コレクタをコンデンサC2に接続
する。電荷転送の経路は、トランジスタQ1のコレクタ
電流の経路となる。入力1,2の信号のエッジを見てス
イッチ制御回路12は、スイッチSW1を接地あるいは
バイアス電圧Vbに切り換える信号を出力する。
【0025】この場合の電荷転送は、入力1,2の対応
するエッジの片側だけが到来して1次コンデンサC1を
充電中は、スイッチSW1を接地側に倒してトランジス
タQ1をオフさせておく。対になるエッジが来て位相差
情報を検出し終わったら、すぐにスイッチSW1をバイ
アス電圧Vb側に倒してトランジスタQ1を動作させ、
充電電荷を2次コンデンサC2へ転送する。転送が終わ
れば、コンデンサC1はVb−VBE(VBEはトランジス
タQ1がオン時のベース・エミッタ電圧で一定)で初期
化を行う。図1の従来回路と同じ動作を行い、各部の波
形も図7の従来例と同じになる。ただし、転送電荷はト
ランジスタQ1のコレクタからエミッタへの一方向だけ
のため、電流I2に定電流を加算してバイアス設定して
おく必要がある。
【0026】この実施の形態では、スイッチ制御電流が
電荷転送経路に洩れこむことがないこと、電荷転送を行
うトランジスタとして1個のNPNをしかも高速動作が
可能なベース接地モードで使っているため、高速にも対
応できて誤差も少なくすることができる。
【0027】次に、図2のブロック図を用い、この発明
の第2の実施の形態について説明する。この実施の形態
は、図1の回路構成を全差動型に変えたものである。
【0028】すなわち、位相比較回路11の2つのEX
−ORの出力は、High で定電流出力となるようにし、
両方の端子間に1次コンデンサC1を配置した。この両
端子にエミッタを接続し、ベースを共通の定電圧Vbで
バイアスしたベース接地トランジスタQ1とQ2のコレ
クタ間に2次コンデンサC2を接続する。また、コンデ
ンサC1の電荷は、トランジスタQ1とQ2のコレクタ
電流の差分で転送されることになる。この場合の電荷転
送の制御スイッチは、図1のようにトランジスタQ1の
ベース電圧を制御する方法を用いてもよいが、図中に示
したように、電流源Ia,IbをスイッチSW1,SW
2でオン/オフさせて、トランジスタQ1とQ2にバイ
アス電流を流す制御する方法もある。
【0029】この場合は電荷転送を定電流で行うことに
なるが、従来例や図1の実施の形態でも電流制限抵抗を
入れるのが普通なので電流制限値程度に設定すればよ
い。実際に大部分の時間では、パルスの位相差で1次側
を充電している期間よりも転送期間のほうが長いので、
位相比較の出力電流よりもやや大きくとっておく程度で
十分である。この2つの電流源の電流差は、出力のオフ
セットを発生させるが同じ種類のトランジスタ(ここで
はNPN)で構成できる。このため、電流源の電流差は
あまり大きくならない。積分出力はコンデンサC2の両
端の差電圧に現われ、これを差動−シングル変換回路1
3により差動−シングル変換を行い、エラー生成の出力
を得る。
【0030】この回路は、入力パルス1周期毎のスイッ
チング波形がトランジスタQ1とQ2に同相で現われ
る。差動−シングル変換回路13は通常同相除去比が大
きいので、原理的にはここで除去されて出力には現われ
ない。しかし、この影響は無視できないので、2次コン
デンサを図3にあるように、片側を接地した2つのコン
デンサC2aとC2bに分解して構成する。この2次側
の時定数はサーボ帯域程度に設定する。
【0031】2次コンデンサC2aとC2bには、数千
pFから数万pFの大きな容量のものを使う。従って、
数百kHzから数MHzのスイッチングによる同相パル
スは、この2次コンデンサで大部分が除去でき、さらに
差動−シングル変換回路13で完全に取り除くことがで
きる。
【0032】同じような考え方で、1次側のコンデンサ
も図4に示すように、片側を接地した2つのコンデンサ
C1とC1´に分解して構成することもできる。この場
合は、1個のコンデンサで構成する場合との違いはほと
んどない。
【0033】この第2の実施の形態では、位相比較回路
11から差動−シングル変換回路13の入力までを、完
全に対称な全差動回路で構成しているため、位相の進み
側と遅れ側とで特性が非対称という問題は解消でき、完
全に対称な特性が実現できる。また、スイッチ制御電流
の電荷転送経路への洩れこみがなく、高速動作をさせて
も高精度の位相差の生成も実現できる。
【0034】図3にあるように、ベース接地トランジス
タQ1,Q2と2次コンデンサC2a,C2bとの間に
それぞれ挿入されたスイッチSW3,SW4は、入力
1,2の信号波形に不良がある場合、これをオフして電
荷転送を行わないようにするものある。スイッチSW
3,SW4は、入力1,2の信号波形に不良を検出する
不良波形検出回路14により切り換え制御する。
【0035】このスイッチSW3,SW4の具体的な回
路例を図5に示して説明する。第1および第2の実施の
形態ともに、ベース接地トランジスタとしてNPNを使
うならば電荷転送の方向は、2次コンデンサから1次コ
ンデンサへの単方向である。つまり、双方向の電流スイ
ッチを使う必要がない。
【0036】単方向の電流スイッチは、互いにエミッタ
を接続したQ3,Q4およびQ5,Q6の2つのトラン
ジスタ対により構成でき、ベース間に与える制御電圧に
よって電流経路をどちらかのトランジスタに切り換え
る。不良波形が検出されたときに、ベースをHigh に制
御する側のトランジスタQ3,Q6のコレクタを電源V
ccに接続し、このときの転送電荷を電源Vccにバイ
パスする。逆に不良波形が検出されない場合は、トラン
ジスタQ4,Q5のベースをHigh に制御し、トランジ
スタQ1,Q2のコレクタより、コンデンサC2a,C
2bへ電荷の転送を行う。
【0037】これにより、不良波形発生時の位相差検出
エラーが影響して、大きな生成誤差にならないように防
止する。ベース電圧で制御するので、制御信号の誤差分
が電荷転送の経路に洩れこむことはなく、性能劣化を招
くことはない。このような電流スイッチを、トランジス
タQ1とQ2のそれぞれに対して2系統持たせてある。
【0038】上記したこの発明の各実施の形態では、D
VDのトラッキングエラー生成について説明してきた
が、これに限定されるものではなく、2信号の平均位相
差を生成してフィードバック制御する位相制御ループな
らば、広い用途への応用が可能である。特に、高速かつ
高精度で位相差を検出する必要のある用途における利用
価値には高いものがある。
【0039】
【発明の効果】以上記載したように、この発明の位相差
電圧生成回路によれば、高精度と高速性が要求されるD
VD等のようなトラッキングエラー生成においても、十
分な性能を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態を説明するための
回路図。
【図2】この発明の第2の実施の形態を説明するための
回路図。
【図3】図2の2次コンデンサの変形例について説明す
るための回路図。
【図4】図2の1次コンデンサの変形例について説明す
るための回路図。
【図5】図2で用いたスイッチを、より具体的に説明す
るための回路図。
【図6】従来のトラッキングエラー信号の生成について
説明するための回路図。
【図7】図6の回路の動作を説明するための波形図。
【図8】図6で用いるスイッチの具体例について説明す
るための回路図。
【図9】図6で用いるスイッチの他の具体例について説
明するための回路図。
【符号の説明】
11…位相比較回路、12…スイッチ回路、13…差動
−シングル変換回路、14…不良波波形検出回路、C
1,C2,C2a,C2b…コンデンサ、SW1〜SW
4…スイッチ、Vb…バイアス電圧、Q1,Q2…ベー
ス接地トランジスタ。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2つの入力デジタル信号を電圧比較し、
    該デジタル信号間の進み遅れに応じて出力極性を切り換
    え、前記デジタル信号間の時間差を出力する位相比較回
    路と、 前記時間差に応じた電荷を蓄える第1のコンデンサと、 エミッタが前記第1のコンデンサに接続されたベース接
    地トランジスタと、 前記トランジスタのコレクタに接続した第2のコンデン
    サと、 前記2つの入力デジタル信号の対応するエッジを検出し
    た後、次のエッジが到来するまでの間、前記トランジス
    タをバイアスするスイッチ制御回路とを備え、 前記第1のコンデンサに発生する入力信号の各エッジ毎
    の時間差情報を、前記トランジスタにより前記第2のコ
    ンデンサに順次転送し、該第2のコンデンサより2つの
    入力デジタル信号の位相差の積算情報を得ることを特徴
    とする位相差電圧生成回路。
  2. 【請求項2】 2つの入力デジタル信号を電圧比較し、
    該デジタル信号間の進み遅れに応じて第1の出力端子と
    第2の出力端子とを切り換え、前記デジタル信号間の時
    間差を出力する位相比較回路と、 前記時間差に応じた電荷を蓄える第1のコンデンサと、 エミッタが前記第1のコンデンサの両端にそれぞれ接続
    されたベース接地の第1および第2のトランジスタと、 前記各トランジスタのコレクタ間に接続した第2のコン
    デンサと、 前記2つの入力デジタル信号の対応するエッジを検出し
    た後、次のエッジが到来するまでの間、前記各トランジ
    スタをバイアスするスイッチ制御回路とを備え、 前記第1のコンデンサに発生する入力信号の各エッジ毎
    の時間差情報を、前記各トランジスタによって1周期毎
    に、前記第2のコンデンサに順次転送し、該第2のコン
    デンサの両端より入力デジタル信号の位相差の積算情報
    を得ることを特徴とする位相差電圧生成回路。
  3. 【請求項3】 前記第1のコンデンサの代わりに、前記
    位相比較回路の第1の出力端子か第2の出力端子のそれ
    ぞれに他端が接地されたコンデンサを別々に接続したこ
    とを特徴とする請求項2に記載の位相差電圧生成回路。
  4. 【請求項4】 前記第2のコンデンサの代わりに、前記
    各トランジスタのそれぞれのコレクタに他端が接地され
    たコンデンサを別々に接続したことを特徴とする請求項
    2記載の位相差電圧生成回路。
  5. 【請求項5】 前記ベース接地トランジスタのスイッチ
    制御回路として、ベース端にパルス電圧を与えることに
    より、パルスがHigh またはLowのどちらかの期間だ
    け、第1のコンデンサに蓄えた電荷を第2のコンデンサ
    に転送するように制御してなることを特徴とする請求項
    1または2記載の位相差電圧生成回路。
  6. 【請求項6】 前記ベース接地トランジスタのスイッチ
    制御回路として、エミッタ端にオンオフ制御のパルス電
    流を与えることにより、電流がオンの期間だけ第1のコ
    ンデンサに蓄えた電荷を第2のコンデンサに転送するよ
    うに制御してなることを特徴とする請求項1または2記
    載の位相差電圧生成回路。
  7. 【請求項7】 エミッタ同士が接続された1組のトラン
    ジスタ対を追加し、その共通エミッタは前記ベース接地
    トランジスタのコレクタに接続し、その一方のコレクタ
    は前記第2のコンデンサに接続し、他方のコレクタは定
    電圧点に接続し、 入力信号に異常のある場合は、前記トランジスタ対のベ
    ース間電圧を制御することにより、第1のコンデンサに
    蓄えた電荷を定電圧点に流して第2のコンデンサに転送
    しないよう制御してなることを特徴とする請求項1また
    は2記載の位相差電圧生成回路。
  8. 【請求項8】 入力信号に異常のある場合は、前記位相
    比較回路の出力を停止してなることを特徴とする請求項
    1または2記載の位相差電圧生成回路。
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