JPH09246311A - 半導体装置の製造方法および製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法および製造装置

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JPH09246311A
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秀光 江川
Hirokazu Ezawa
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体素子に損傷を与えることのない半導体装
置の製造方法および製造装置を提供する。 【解決手段】半導体素子５のボンディングパッド６とこ
のボンディングパッド６と電気的に接続される外部導体
とを接続する金属細線３を挿通する第１の貫通孔２を有
し、第１の貫通孔２の外部に突出した金属細線３の先端
部分４をボンディングパッド６に接触させるボンディン
グツール１を具備し、ボンディングツール１は、ボンデ
ィングパッド６と金属細線３の先端部分４とを接着する
接着物を供給する第２の貫通孔１２を具備し、この第２
の貫通孔１２は金属細線３とボンディングパッド６との
接触点に接着物が供給されるような方向に形成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子のボン
ディングパッドとこの半導体素子が収納されているパッ
ケージのリード等とを金属細線により接続する時に使用
される半導体装置の製造方法および製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体素子を外部環境から保護
するために、この半導体素子はパッケージに収納されて
使用される。この時、半導体素子に電源を供給したり、
信号を入力または出力するために、半導体素子上のボン
ディングパッドと例えばパッケージのリード等の外部導
体とを電気的に接続する必要がある。このための１つの
方法が、ワイヤーボンディング法である。これは、複数
のリードが連結されている例えばリードフレーム上に半
導体素子を搭載し、この半導体素子上のボンディングパ
ッドとリードとを、例えばＡｌまたはＡｕ等の金属細線
を用いて接続する方法である。
【０００３】図２に、従来のワイヤーボンディング法に
おける金属細線とボンディングパッドとの接続方法を示
す。この図は、ボンディングパッド装置の先端部分と半
導体素子のボンディングパッド領域とを拡大した断面図
である。半導体素子５上に、ボンディングパッド６が形
成されており、このボンディングパッド６上に金属細線
３を接着する工程を示している。
【０００４】図２の（ａ）に示すように、金属細線３
は、一般にキャピラリと呼ばれる接着ツール１の貫通孔
２に挿通されており、この貫通孔２の外部に突出した金
属細線３の先端部分は、例えば電気的スパーク等により
ボール４が形成されている。このボール４により、キャ
ピラリ１を移動させる間に、金属細線３が貫通孔２の内
側に引き込まれることを防止する。また、ボール４をボ
ンディングパッド６上に押し当てる時に、金属細線３と
ボンディングパッド６との接着面積を拡大して、接着強
度を増大することができる。
【０００５】次に、図２の（ｂ）に示すように、キャピ
ラリ１を下降させて、ボンディングパッド６上にボール
４を接触させる。さらに、キャピラリ１を介してボンデ
ィングパッド５に熱あるいは超音波振動を加えると同時
に、キャピラリ１によりボール４をボンディングパッド
６上に押しつける。ここで、熱あるいは超音波振動によ
り、押し潰されたボール４ａおよびボンディングパッド
６に新生面が形成され、この新生面同志が接触すること
により、金属細線３とボンディングパッド６とを接着す
ることができる。
【０００６】しかし、このような従来のボンディング方
法では、ボンディング時に、熱または超音波振動または
圧力等の外力が直接ボンディングパッド６に伝搬するた
め、ボンディングパッド６の近傍の半導体素子部分が損
傷を受ける可能性がある。例えば、ボンディングパッド
６とボンディングパッド６の下の絶縁膜７との界面にお
いて剥離が生じたり、ボンディングパッド６の下方の半
導体基板８に亀裂が発生する可能性がある。
【０００７】また、このような剥離または亀裂等の不良
がボンディング時に発生しない場合にも、ボンディング
時に受けた損傷に起因して、半導体装置を使用している
間に故障に至る可能性があり、十分な信頼性を確保する
ことが困難であるという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の半
導体装置の製造方法および製造装置では、熱および超音
波振動および圧力等の外力による損傷に起因して、ボン
ディングパッド近傍の半導体素子部分が損傷を受ける可
能性あるいは不良が発生する可能性があった。
【０００９】本発明の目的は、半導体素子に損傷を与え
ることのなく半導体素子のボンディングパッドと外部導
体との接続を行うことのできる半導体装置の製造方法お
よび製造装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明による半導体装置の製造装置
は、半導体素子のボンディングパッドとこのボンディン
グパッドと電気的に接続される外部導体とを接続する金
属細線を挿通する第１の貫通孔を有し、前記第１の貫通
孔の外部に突出した前記金属細線の先端部分を前記ボン
ディングパッドに接触させるボンディングツールを具備
する半導体装置の製造装置において、前記ボンディング
ツールは、前記ボンディングパッドと前記金属細線の先
端部分とを接着する接着物を供給する第２の貫通孔を具
備し、この第２の貫通孔は、前記金属細線と前記ボンデ
ィングパッドとの接触点に前記接着物が供給されるよう
な方向に形成されていることを特徴とする。
【００１１】また、上記の半導体装置の製造装置におい
て、前記第２の貫通孔は、前記第１の貫通孔を垂線と
し、前記金属細線と前記ボンディングパッドとを接触さ
せた時のこの接触点を頂点とする仮想の円錐面に沿って
形成されていることも可能である。
【００１２】また、上記の半導体装置の製造装置におい
て、前記円錐面を円周方向で分割するように形成されて
いる複数の前記第２の貫通孔を具備することも可能であ
る。また、前記の半導体装置の製造装置において、前記
円錐面の全面に形成されている溝状の前記第２の貫通孔
を具備することも可能である。
【００１３】さらに、前記の半導体装置の製造装置にお
いて、前記第２の貫通孔から前記接着物として金属超微
粒子を噴射する手段を具備することも可能である。ま
た、前記の半導体装置の製造装置において、前記第２の
貫通孔から前記接着物として導電性ペーストを滴下する
手段を具備することも可能である。
【００１４】また、前記の半導体装置の製造装置におい
て、前記導電性ペーストは、ＡｕまたはＰｔを含有する
ことも可能である。また、本発明による半導体装置の製
造方法は、半導体素子のボンディングパッドとこのボン
ディングパッドと電気的に接続される外部導体とを金属
細線を用いて接続する半導体装置の製造方法において、
前記金属細線を挿通する第１の貫通孔を有するボンディ
ングツールの先端より前記金属細線の先端部分が突出す
るように前記金属細線を前記第１の貫通孔に挿通する工
程と、前記金属細線の突出した前記先端部分を前記ボン
ディングパッドに接触させる工程と、前記ボンディング
ツールに設けられた第２の貫通孔より前記金属細線の先
端部分と前記ボンディングパッドとの接触領域に接着物
を供給してこの接着物により前記金属細線の先端部分と
前記ボンディングパッドとを接着する工程を具備するこ
とを特徴とする。
【００１５】また、上記の半導体装置の製造方法におい
て、前記接着物として金属微粒子を使用し、この金属微
粒子を前記第２の貫通孔から噴射することにより、前記
金属細線の先端部分と前記ボンディングパッドとの接触
領域に前記金属微粒子を供給することも可能である。
【００１６】また、前記の半導体装置の製造方法におい
て、前記接着物として導電性ペーストを使用し、この導
電性ペーストを前記第２の貫通孔から滴下することによ
り、前記金属細線の先端部分と前記ボンディングパッド
との接触領域に前記導電性ペーストを供給することも可
能である。
【００１７】このように、本発明による半導体装置の製
造装置では、ボンディングツールが、ボンディングパッ
ドと金属細線の先端部分とを接着する接着物を供給する
第２の貫通孔を具備しているため、ボンディングパッド
と金属細線の先端部分とを、この第２の貫通孔から供給
された接着物により接着することができる。これによ
り、ボンディングパッドと金属細線の先端部分とを接着
するために、熱または超音波振動等の外力を加える必要
がなくなるため、この外力によりボンディングパッド近
傍の半導体素子部分に損傷を与えることを防止すること
ができる。
【００１８】また、この第２の貫通孔は、金属細線とボ
ンディングパッドとの接触点に接着物が供給されるよう
な方向に形成されているため、第２の貫通孔から供給さ
れた接着物は金属細線とボンディングパッドとの接触点
近傍に供給されることにより、金属細線とボンディング
パッドとを確実に接着することができる。
【００１９】さらに、この第２の貫通孔が、第１の貫通
孔を垂線とし、金属細線とボンディングパッドとが接触
した状態においてこの接触点を頂点とする仮想の円錐面
に沿って形成されている本発明による半導体装置の製造
装置では、第２の貫通孔から供給された接着物を金属細
線とボンディングパッドとの接触点近傍に供給すること
ができ、金属細線とボンディングパッドとを確実に接着
することができる。特に、第１の貫通孔と第２の貫通孔
との相対位置が固定されているため、第１の貫通孔より
供給される金属細線に対して、常に固定された位置に、
第２の貫通孔より供給される接着物を供給することがで
きる。
【００２０】また、ボンディングツールが複数の第２の
貫通孔を具備し、この複数の第２の貫通孔は円錐面を円
周方向で分割するように形成されている本発明による半
導体装置の製造装置では、接着物が複数箇所に供給さ
れ、さらに、金属細線の先端部分とボンディングパッド
との接触点の周囲に分割して供給されるため、金属細線
とボンディングパッドとの接着力を増大させることがで
きる。特に、複数の第２の貫通孔が円錐面を円周方向で
均等に分割するように形成されている場合には、接着物
が金属細線の先端部分とボンディングパッドとの接触点
の周囲に均等に供給されるため、望ましい。
【００２１】また、第２の貫通孔が円錐面の全面に溝状
に形成されている本発明による半導体装置の製造装置で
は、金属細線の先端とボンディングパッドとの接触点の
周囲に全体に接着物を供給することができるため、さら
に接着力を増大させることができる。
【００２２】また、第２の貫通孔から接着物として金属
超微粒子を噴射する手段を具備する本発明による半導体
装置の製造装置では、噴出された金属超微粒子が第２の
貫通孔から、金属細線の先端部分とボンディングパッド
との接触点に向かって直線的に供給されるため、より正
確な位置に接着物である金属超微粒子を供給することが
できる。
【００２３】また、第２の貫通孔から接着物として導電
性ペーストを滴下する手段を具備する本発明による半導
体装置の製造装置では、一般に導電性ペーストは流動性
が高いため、第２の貫通孔より供給された領域のみでな
く、金属細線の先端部分の影となる領域にも、この導電
性ペーストが回り込むことが可能である。このため、金
属細線の先端部分とボンディングパッドとの接触点の周
囲に全体に接着物を供給することができるため、接着力
を増大させることができる。
【００２４】特に、導電性ペーストが、ＡｕまたはＰｔ
を含有する場合には、これらの貴金属が酸化しにくいた
め、金属細線とボンディングパッドとの接着部分の信頼
性を向上させることができる。
【００２５】また、本発明による半導体装置の製造方法
では、ボンディングツールに設けられた第１の貫通孔か
ら金属細線の先端部分を突出させて、この先端部分をボ
ンディングパッドに接触させた後に、ボンディングツー
ルに設けられた第２の貫通孔より金属細線の先端部分と
ボンディングパッドとの接触領域に接着物を供給してこ
の接着物により金属細線の先端部分とボンディングパッ
ドとを接着するため、ボンディングツールを介して金属
細線の先端部分に例えば熱または超音波振動等の外力を
加えることにより金属細線の先端部分とボンディングパ
ッドとを接着する従来の製造方法に比べて、ボンディン
グパッド近傍の半導体素子部分が外力により損傷を受け
ることを防止することができる。
【００２６】また、上記の半導体装置の製造方法におい
て、接着物として金属微粒子を使用し、この金属微粒子
を第２の貫通孔から噴射することにより、金属細線の先
端部分とボンディングパッドとの接触領域に金属微粒子
を供給する場合には、金属微粒子を噴射により供給する
ため、方向性に優れており、接着物として金属微粒子を
常に安定した位置に供給することができるため、金属細
線とボンディングパッドとを確実に接着することができ
る。
【００２７】また、前記の半導体装置の製造方法におい
て、接着物として導電性ペーストを使用し、この導電性
ペーストを前記第２の貫通孔から滴下することにより、
金属細線の先端部分とボンディングパッドとの接触領域
に導電性ペーストを供給する場合には、導電性ペースト
の流動性が高いため、導電性ペーストが供給される位置
に対して金属細線の影となる部分にも、表面張力により
導電性ペーストが回り込むことができる。これにより、
金属細線の先端部分を全面的に導電性ペーストにより覆
うことができるため、金属細線とボンディングパッドと
の密着性を向上させることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明に
よる半導体装置の製造装置の第１の実施の形態を示す断
面図で、そのキャピラリ部分とボンディングパッド近傍
の拡大図を示している。図１の（ｂ）および（ｃ）は、
このキャピラリをボンディングパッド側から見た下面図
である。
【００２９】図１の（ａ）に示すように、本実施の形態
のキャピラリ１は、従来と同様に、金属細線３が挿通さ
れる貫通孔２を有しているが、従来と異なり、さらに、
第２の貫通孔１２を有している。本発明においては、従
来の熱圧着あるいは超音波溶接に代えて、ボール４をボ
ンディングパッド６に接触させた状態で圧力を加えるこ
となく、これらの接触部の周囲に接着物を噴射または滴
下して供給し接着するものである。この第２の貫通孔１
２は、図１の（ａ）に示す実施の形態では２つ設けられ
ており、ボール４とボンディングパッド６とを接着する
ための接着物を噴射または滴下するために設けられたも
のである。このため、例えば図１の（ａ）に示すよう
に、第２の貫通孔１２の中心線の延長線上に、例えばボ
ール４とボンディングパッド６との接触点が位置するよ
うに、第１の貫通孔２に対して第２の貫通孔１２を配置
する。すなわち、第１の貫通孔２を垂線とし、ボール４
とボンディングパッド６との接触点を頂点とする円錐面
上に第２の貫通孔１２は形成されている。このように、
本実施の形態によるキャピラリでは、第１の貫通孔２に
対する第２の貫通孔１２の位置が固定されているため、
ボール４とボンディングパッド６との接触点に対して常
に固定された位置に接着物を供給することが可能とな
る。
【００３０】また、この第２の貫通孔１２は、図１の
（ｂ）に示すように、第１の貫通孔２を中心とする円の
円周を均等に分割するような位置に配置することが望ま
しい。このようにすることにより、接着物を例えばボー
ル４の周囲に均等に分布させることができる。例えば、
接着物の流動性が高い場合には、例えば表面張力によ
り、ボール４とボンディングパッド６との間の狭い空間
に沿って接着物がボール４の周囲に均等に回り込むこと
が可能であるため、この第２の貫通孔１２の個数は少な
くてよい。一方、接着物の流動性が低い場合には、接着
物がボール４の周囲に均等に回り込むことが困難である
ため、第２の貫通孔１２の個数を多くする必要がある。
【００３１】また、図１の（ｃ）に示すように、貫通孔
１２を、貫通孔２を中心とする円を描くように、溝状に
形成することもできる。このような構造とすることによ
り、接着物を、例えばボール４の周囲に全体に均等に分
布させることが可能となる。特に、接着物の流動性が低
い場合には、前述のように、接着物がボール４の周囲に
回り込むことが困難である。このため、このような溝状
の構造とすることにより、接着物をボール４の周囲に分
布させて、ボール４とボンディングパッド６とを確実に
接着することができる。
【００３２】次に、このような構造の装置を用いて、金
属細線３をボンディングパッド６上に接着する方法につ
いて説明する。まず、従来と同様に、例えばＡｕまたは
Ａｌ等の金属細線３を、キャピラリ１に形成されている
第１の貫通孔２に挿通する。また、この貫通孔２の外部
に突出した金属細線３の先端部分に、例えば電気的スパ
ーク等によりボール４を形成する。
【００３３】この電気的スパークは、例えばキャピラリ
１を保持し、上下に移動させる機構を具備する保持具に
搭載させることができる。また、ボール４を形成せず
に、金属細線３のキャピラリ１に対する位置を固定する
治具を用いて、金属細線３が第１の貫通孔２の内部に引
き込まれることを防止することも可能である。
【００３４】次に、このボール４がボンディングパッド
６に接触するまで、キャピラリ１を降下させる。図１の
（ａ）は、ボール４がボンディングパッド６に接触して
いる状態を示している。実際に実施する場合は、ボール
４がボンディングパッド６に接触していなくともボール
４がボンディングパッド６の近傍に位置していればよ
い。
【００３５】このような状態で、第２の貫通孔１２か
ら、ボール４とボンディングパッド６との間の接触面に
向かって、接着物を噴射または滴下する。この接着物と
しては、例えば金属超微粒子または導電性ペースト等を
用いることができる。以下、これらの接着物を用いた接
着方法について、説明する。
【００３６】金属超微粒子を用いる場合には、まず、例
えば加圧チャンバの中で例えばＡｕ、Ｐｔ等の貴金属等
の金属原料を加熱し蒸発させることにより、金属超微粒
子を発生させる。また、キャピラリ１とボンディングパ
ッド６が形成されている半導体素子５とを、減圧チャン
バの内部に設置する。加圧チャンバと減圧チャンバと
は、キャピラリ１の第２の貫通孔１２を介して接続され
ている。加圧チャンバの中で発生された金属超微粒子
は、加圧チャンバと減圧チャンバの圧力の差により、第
２の貫通孔１２を通って、減圧チャンバ側へ移動され
て、第２の貫通孔１２の先端部より、例えばボール４と
ボンディングパッド６との接触面に噴射される。さらに
噴射された金属超微粒子は、ボール４とボンディングパ
ッド６との間の空間領域に堆積されて、ボール４とボン
ディングパッド６とが接着される。第２の貫通孔１２の
加圧チャンバ側と減圧チャンバ側の圧力の差が十分にあ
る場合には、キャピラリ１および半導体素子５は、減圧
チャンバの内部ではなく大気中に設置することも可能で
ある。
【００３７】ここで、前述のように、第１の貫通孔２と
第２の貫通孔１２との相対的な位置が固定されているた
め、金属超微粒子を、常に固定された位置に噴射するこ
とができる。さらに、金属超微粒子は、噴射により供給
されるため、第２の貫通孔１２の先端部よりボンディン
グパッド６に向かって直線的に供給される。このため、
例えばボール４とボンディングパッド６との接触面に、
常に安定して接着物である金属超微粒子を供給すること
ができ、ボール４とボンディングパッド６と確実に接着
することができる。
【００３８】ただし、このように噴射により供給された
金属超微粒子は、直線的に供給され、例えばボール４の
影となる部分に回り込むことが困難である。このため、
このような方法を用いる場合には、第２の貫通孔１２
を、第１の貫通孔２を中心として対称的に複数個設ける
必要があり、さらに、その数は多い方が望ましい。また
は、図１の（ｃ）に示すように、溝状の貫通孔１２を設
けることが望ましい。
【００３９】また、このような接続方法では、ボール４
とボンディングパッド６との間の空間に金属超微粒子を
堆積することにより、ボール４とボンディングパッド６
とを接着するため、ボンディングパッド６に熱または超
音波振動等の外力を加える必要がない。このため、外力
によりボンディングパッド６近傍の半導体素子部分が損
傷を受けることを防止することができる。
【００４０】次に、導電性ペーストを使用する場合につ
いて説明する。この場合には、例えば溶剤中に例えばＡ
ｕまたはＰｔ等の金属が含有されている導電性ペースト
を、第２の貫通孔１２からボール４とボンディングパッ
ド６との接触面に向かって滴下する。ここで、導電性ペ
ーストの滴下は、導電性ペーストに圧力を加えることに
より行う。このため、導電性ペーストは、第２の貫通口
の方向に沿って、ボール４とボンディングパッド６との
接触面に向かって滴下される。この後、この滴下領域を
例えば１５０℃程度の温度で加熱して溶剤を除去する。
この加熱は、例えばボンディング装置に設置した加熱装
置により行うことが可能である。
【００４１】このような導電性ペーストを用いた方法で
は、金属を溶剤中に混合することにより構成される導電
性ペーストの流動性が高い。このため、ボンディングパ
ッド６上に滴下された導電性ペーストは、滴下された位
置に対して例えばボール４の裏側へ容易に回り込むこと
ができる。このように、接着物である導電性ペースト
が、ボール４とボンディングパッド６との間に均一に十
分に充填されることにより、ボール４とボンディングパ
ッド６との密着性を向上することができる。
【００４２】また、導電性ペーストを用いて接着する場
合には、高温の熱処理、または超音波振動等の外力を与
える必要がない。従来のボンディング方法において必要
とされる加熱温度は例えば約３００℃程度であるが、本
実施の形態において溶剤を除去するための加熱温度は、
例えば１５０℃程度で十分である。さらに、このような
加熱を必要としない導電性ペーストも開発されつつあ
る。このため、前述の金属微粒子の場合と同様に、ボン
ディングパッド６近傍の半導体素子部分が外力による損
傷を受けることを防止し、不良の発生を抑制することが
できる。
【００４３】また、加熱処理を必要としない導電性ペー
ストを使用した場合には、導電性ペーストが収縮しない
ため、この収縮による応力の発生を防止し、金属細線３
とボンディングパッド６との接着部分の不良の発生を防
止することができる。
【００４４】なお、上記の実施の形態では、接着物を構
成する材料として、例えばＡｕまたはＰｔ等の貴金属を
用いた。これは、貴金属は酸化されにくいため、接着部
の信頼性を確保するためである。さらに、ボンディング
パッド６近傍に損傷を与えない導電性の接着物であれ
ば、他の材料を用いることも可能である。
【００４５】また、本実施の形態に示したキャピラリ
は、従来のボンディング装置に搭載することが可能であ
る。このため、従来のボンディング装置に設けられてい
る加熱装置または加圧機構等を用いてボンディングを行
うことも可能である。ただし、これらの加熱、加圧等の
外力は、ボンディングパッド６近傍の半導体素子５部分
に損傷を与えない程度に抑制する必要がある。この範囲
内であれば、例えば加熱または加圧等を用いて、より接
着力を増強させることができる。
【００４６】
【発明の効果】以上のように、本発明による半導体装置
の製造方法および製造装置では、ボンディングパッド近
傍の半導体素子部分が損傷を受けることを防止すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置の製造装置の構造を示
す断面図および上面図。
【図２】従来の半導体装置の製造装置の構造を示す断面
図。
【符号の説明】
１…キャピラリ、 ２、１２…貫通孔、 ３…金属細線、 ４…ボール、 ５…半導体素子、 ６…ボンディングパッド、 ７…絶縁膜、 ８…半導体基板

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子のボンディングパッドとこの
    ボンディングパッドと電気的に接続される外部導体とを
    接続する金属細線を挿通する第１の貫通孔を有し、前記
    第１の貫通孔の外部に突出した前記金属細線の先端部分
    を前記ボンディングパッドに接触させるボンディングツ
    ールを具備する半導体装置の製造装置において、前記ボ
    ンディングツールは、前記ボンディングパッドと前記金
    属細線の先端部分とを接着する接着物を供給する第２の
    貫通孔を具備し、この第２の貫通孔は、前記金属細線と
    前記ボンディングパッドとの接触点に前記接着物が供給
    されるような方向に形成されていることを特徴とする半
    導体装置の製造装置。
  2. 【請求項２】 前記第２の貫通孔は、前記第１の貫通孔
    を垂線とし、前記金属細線と前記ボンディングパッドと
    を接触させた時のこの接触点を頂点とする仮想の円錐面
    に沿って形成されている請求項１記載の半導体装置の製
    造装置。
  3. 【請求項３】 前記第２の貫通孔は、前記円錐面を円周
    方向で分割するように複数個形成されている請求項２記
    載の半導体装置の製造装置。
  4. 【請求項４】 前記第２の貫通孔は、前記円錐面の全面
    に沿って溝状に形成されている請求項２記載の半導体装
    置の製造装置。
  5. 【請求項５】 前記第２の貫通孔から前記接着物として
    金属超微粒子を噴射する手段を具備する請求項１乃至４
    記載の半導体装置の製造装置。
  6. 【請求項６】 前記第２の貫通孔から前記接着物として
    導電性ペーストを滴下する手段を具備する請求項１乃至
    ４記載の半導体装置の製造装置。
  7. 【請求項７】 前記導電性ペーストは、ＡｕまたはＰｔ
    を含有する請求項６記載の半導体装置の製造装置。
  8. 【請求項８】 半導体素子のボンディングパッドとこの
    ボンディングパッドと電気的に接続される外部導体とを
    金属細線を用いて接続する半導体装置の製造方法におい
    て、前記金属細線を挿通する第１の貫通孔を有するボン
    ディングツールの先端より前記金属細線の先端部分が突
    出するように前記金属細線を前記第１の貫通孔に挿通す
    る工程と、前記金属細線の突出した前記先端部分を前記
    ボンディングパッドに接触させる工程と、前記ボンディ
    ングツールに設けられた第２の貫通孔より前記金属細線
    の先端部分と前記ボンディングパッドとの接触領域に接
    着物を供給してこの接着物により前記金属細線の先端部
    分と前記ボンディングパッドとを接着する工程を具備す
    ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記接着物として金属微粒子を使用し、
    この金属微粒子を前記第２の貫通孔から噴射することに
    より、前記金属細線の先端部分と前記ボンディングパッ
    ドとの接触領域に前記金属微粒子を供給する請求項８記
    載の半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記接着物として導電性ペーストを使
    用し、この導電性ペーストを前記第２の貫通孔から滴下
    することにより、前記金属細線の先端部分と前記ボンデ
    ィングパッドとの接触領域に前記導電性ペーストを供給
    する請求項８記載の半導体装置の製造方法。
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