JPH0923109A - 非放射性誘電体線路装置および回路基板の特性測定用治具 - Google Patents
非放射性誘電体線路装置および回路基板の特性測定用治具Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非放射性誘電体線路に対する回路基板の実装
性を高め、回路基板上に形成する導電体膜のパターンの
自由度を高め、小型で集積度を容易に高められるように
する。 【解決手段】 平行配置された２つの導電体板１３，１
４の間に誘電体ストリップ１０，１１を設けると共に、
導電体板１３，１４に平行に回路基板１２を配置し、回
路基板上の導電体パターンと非放射性誘電体線路の伝送
波とを電磁界結合させる。
性を高め、回路基板上に形成する導電体膜のパターンの
自由度を高め、小型で集積度を容易に高められるように
する。 【解決手段】 平行配置された２つの導電体板１３，１
４の間に誘電体ストリップ１０，１１を設けると共に、
導電体板１３，１４に平行に回路基板１２を配置し、回
路基板上の導電体パターンと非放射性誘電体線路の伝送
波とを電磁界結合させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、非放射性誘電体
線路を用いた装置に関し、より特定的には、ミリ波帯や
マイクロ波帯に用いられる集積回路に好適なものに関す
る。
線路を用いた装置に関し、より特定的には、ミリ波帯や
マイクロ波帯に用いられる集積回路に好適なものに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図２６は従来の非放射性誘電体線路（Ｎ
ＲＤガイド）の３つのタイプの構成を示す断面図であ
る。（Ａ）はいわゆるノーマルタイプであり、略平行に
配設される導電体１０１と１０２の間に誘電体ストリッ
プ１００を備える。（Ｂ）はいわゆるグルーブドタイプ
であり、導電体１０１と１０２にそれぞれ溝を形成し
て、その溝に誘電体ストリップ１００をはめ合わせてい
る。（Ｃ）のタイプは、いわゆるウイングドタイプであ
り、それぞれツバ（ウイング）を有する誘電体ストリッ
プ１０３，１０４の平面部に導電体１０１，１０２を形
成し、誘電体ストリップ部分を対向させている。
ＲＤガイド）の３つのタイプの構成を示す断面図であ
る。（Ａ）はいわゆるノーマルタイプであり、略平行に
配設される導電体１０１と１０２の間に誘電体ストリッ
プ１００を備える。（Ｂ）はいわゆるグルーブドタイプ
であり、導電体１０１と１０２にそれぞれ溝を形成し
て、その溝に誘電体ストリップ１００をはめ合わせてい
る。（Ｃ）のタイプは、いわゆるウイングドタイプであ
り、それぞれツバ（ウイング）を有する誘電体ストリッ
プ１０３，１０４の平面部に導電体１０１，１０２を形
成し、誘電体ストリップ部分を対向させている。
【０００３】このような非放射性誘電体線路は、導電体
の間隔ｙを電磁波の伝搬波長の半波長以下にして、曲が
り部分や不連続部分における放射波を抑制して、伝送損
失を低減させている。
の間隔ｙを電磁波の伝搬波長の半波長以下にして、曲が
り部分や不連続部分における放射波を抑制して、伝送損
失を低減させている。
【０００４】図２７はこのような非放射性誘電体線路を
用いた従来の装置の例を示す。同図において１０５は、
電極１０６，１０７などを形成し、ビームリードダイオ
ード１０８をマウントした回路基板である。このような
電極を形成し、電子部品を実装した回路基板を誘電体ス
トリップ１００の端面に配置することによって、この例
ではビームリードダイオード１０８が誘電体ストリップ
１００を伝搬してきた電磁波と結合することになる。
用いた従来の装置の例を示す。同図において１０５は、
電極１０６，１０７などを形成し、ビームリードダイオ
ード１０８をマウントした回路基板である。このような
電極を形成し、電子部品を実装した回路基板を誘電体ス
トリップ１００の端面に配置することによって、この例
ではビームリードダイオード１０８が誘電体ストリップ
１００を伝搬してきた電磁波と結合することになる。
【０００５】図２８は非放射性誘電体線路をガン発振器
に適用した例を示す。同図において１０９は回路基板１
０５に形成されたストリップライン、１１０はブロック
内に組み込まれたガンダイオードであり、その電極をス
トリップライン１０９に接続している。回路基板１０５
は誘電体ストリップ１００の端面に平行（誘電体ストリ
ップの長手方向に対し垂直な方向）に配置していて、誘
電体ストリップ１００を伝搬する電磁波とストリップラ
イン１０９とを電磁界で結合させている。
に適用した例を示す。同図において１０９は回路基板１
０５に形成されたストリップライン、１１０はブロック
内に組み込まれたガンダイオードであり、その電極をス
トリップライン１０９に接続している。回路基板１０５
は誘電体ストリップ１００の端面に平行（誘電体ストリ
ップの長手方向に対し垂直な方向）に配置していて、誘
電体ストリップ１００を伝搬する電磁波とストリップラ
イン１０９とを電磁界で結合させている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の非
放射性誘電体線路を用いた装置では、誘電体ストリップ
と回路基板上の導電体線路などとの結合をとるために、
誘電体ストリップの端部に回路基板を配置して、誘電体
ストリップの長手方向に垂直な方向に回路基板を配置し
ている。ところが、このような構造では、回路基板を装
置内に固定しにくく、傾きやすいため実装性に欠ける。
また、２枚の導電体の間に回路基板を設ける構造となる
ため、細長い短冊状の回路基板しか用いることができ
ず、形成可能な導電体線路などのパターンが限られてし
まう。そのため少ない部品点数で比較的回路規模の大き
な集積回路を構成することができなかった。
放射性誘電体線路を用いた装置では、誘電体ストリップ
と回路基板上の導電体線路などとの結合をとるために、
誘電体ストリップの端部に回路基板を配置して、誘電体
ストリップの長手方向に垂直な方向に回路基板を配置し
ている。ところが、このような構造では、回路基板を装
置内に固定しにくく、傾きやすいため実装性に欠ける。
また、２枚の導電体の間に回路基板を設ける構造となる
ため、細長い短冊状の回路基板しか用いることができ
ず、形成可能な導電体線路などのパターンが限られてし
まう。そのため少ない部品点数で比較的回路規模の大き
な集積回路を構成することができなかった。
【０００７】また、導電体の間に誘電体ストリップを配
置し、回路基板と共に集積回路を構成する際、回路基板
単体では調整を行うことができず、非放射性誘電体線路
に組み付けた状態で特性の測定を行い、調整時には回路
基板を取り外し、調整後に再び組み立てて特性測定を行
う、といった作業を繰り返さなければならず、調整作業
が煩雑で非効率的であった。
置し、回路基板と共に集積回路を構成する際、回路基板
単体では調整を行うことができず、非放射性誘電体線路
に組み付けた状態で特性の測定を行い、調整時には回路
基板を取り外し、調整後に再び組み立てて特性測定を行
う、といった作業を繰り返さなければならず、調整作業
が煩雑で非効率的であった。
【０００８】この発明の目的は、非放射性誘電体線路に
対する回路基板の実装性を高め、回路基板上に形成する
導電体膜のパターンの自由度を高め、小型で集積度を容
易に高められるようにした非放射性誘電体線路装置を提
供することにある。
対する回路基板の実装性を高め、回路基板上に形成する
導電体膜のパターンの自由度を高め、小型で集積度を容
易に高められるようにした非放射性誘電体線路装置を提
供することにある。
【０００９】この発明の他の目的は、回路基板単体での
特性測定および調整を可能とした回路基板の特性測定用
治具を提供することにある。
特性測定および調整を可能とした回路基板の特性測定用
治具を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明の非放射性誘電
体線路装置は、非放射性誘電体線路に対する回路基板の
実装性を高め、回路基板上に形成する導電体膜のパター
ンの自由度を高め、小型で集積度を容易に高められるよ
うにするため、請求項１に記載したとおり、導電体膜ま
たは導電体膜とともに回路素子を設けた回路基板を、２
つの導電体の間で且つ、該導電体に略平行に配設すると
ともに、前記回路基板に設けられた導電体膜または回路
素子を誘電体ストリップに近接または侵入させて、導電
体膜または回路素子と非放射性誘電体線路とを結合させ
る。この構成により、回路基板上の導電体膜または回路
素子が誘電体ストリップを伝搬する電磁波と結合し、非
放射性誘電体線路と共に回路基板を組み込んだ集積回路
としての非放射性誘電体線路装置が得られる。ここで回
路基板は２つの導電体の間にその導電体に略平行に配設
されているため、例えば２つの導電体を平行配置する
際、その間に挟み込むように、または導電体に沿って配
置することになるため、回路基板の実装性に優れる。ま
た、回路基板は２つの導電体に沿って配置されるため、
大面積の回路基板を用いて、多くの導電体膜または導電
体膜と共に回路素子を設けることができ、集積度の高い
装置が容易に得られる。
体線路装置は、非放射性誘電体線路に対する回路基板の
実装性を高め、回路基板上に形成する導電体膜のパター
ンの自由度を高め、小型で集積度を容易に高められるよ
うにするため、請求項１に記載したとおり、導電体膜ま
たは導電体膜とともに回路素子を設けた回路基板を、２
つの導電体の間で且つ、該導電体に略平行に配設すると
ともに、前記回路基板に設けられた導電体膜または回路
素子を誘電体ストリップに近接または侵入させて、導電
体膜または回路素子と非放射性誘電体線路とを結合させ
る。この構成により、回路基板上の導電体膜または回路
素子が誘電体ストリップを伝搬する電磁波と結合し、非
放射性誘電体線路と共に回路基板を組み込んだ集積回路
としての非放射性誘電体線路装置が得られる。ここで回
路基板は２つの導電体の間にその導電体に略平行に配設
されているため、例えば２つの導電体を平行配置する
際、その間に挟み込むように、または導電体に沿って配
置することになるため、回路基板の実装性に優れる。ま
た、回路基板は２つの導電体に沿って配置されるため、
大面積の回路基板を用いて、多くの導電体膜または導電
体膜と共に回路素子を設けることができ、集積度の高い
装置が容易に得られる。
【００１１】また、この発明の非放射性誘電体線路装置
は、発振器として用いられるようにするため、請求項２
に記載のとおり、回路基板に発振素子および、該発振素
子の発振信号を伝送する導電体線路を設け、該導電体線
路を誘電体ストリップに近接または侵入させて、発振信
号を非放射性誘電体線路に伝送させる。この構成によ
り、発振素子の発振信号が非放射性誘電体線路に伝送さ
れ、非放射性誘電体線路と共に発振器を組み込んだ集積
回路としての非放射性誘電体線路装置が得られる。
は、発振器として用いられるようにするため、請求項２
に記載のとおり、回路基板に発振素子および、該発振素
子の発振信号を伝送する導電体線路を設け、該導電体線
路を誘電体ストリップに近接または侵入させて、発振信
号を非放射性誘電体線路に伝送させる。この構成によ
り、発振素子の発振信号が非放射性誘電体線路に伝送さ
れ、非放射性誘電体線路と共に発振器を組み込んだ集積
回路としての非放射性誘電体線路装置が得られる。
【００１２】また、この発明の非放射性誘電体線路装置
は、減衰器または終端器として用いられるようにするた
め、請求項３に記載したとおり、回路基板に抵抗体膜を
形成するとともに、該抵抗体膜を誘電体ストリップに近
接または侵入させて、非放射性誘電体線路を伝搬する電
磁波を減衰させる。この構成により、抵抗膜に対し平行
に電界成分を持つモードすなわちＬＳＭモードの電磁波
のエネルギーが抵抗体膜でジュール熱に変換されるた
め、非放射性誘電体線路を伝搬する電磁波が減衰され、
非放射性誘電体線路と共に減衰器または終端器を組み込
んだ集積回路としての非放射性誘電体線路装置が得られ
る。
は、減衰器または終端器として用いられるようにするた
め、請求項３に記載したとおり、回路基板に抵抗体膜を
形成するとともに、該抵抗体膜を誘電体ストリップに近
接または侵入させて、非放射性誘電体線路を伝搬する電
磁波を減衰させる。この構成により、抵抗膜に対し平行
に電界成分を持つモードすなわちＬＳＭモードの電磁波
のエネルギーが抵抗体膜でジュール熱に変換されるた
め、非放射性誘電体線路を伝搬する電磁波が減衰され、
非放射性誘電体線路と共に減衰器または終端器を組み込
んだ集積回路としての非放射性誘電体線路装置が得られ
る。
【００１３】また、この発明の非放射性誘電体線路装置
は、方向性結合器として用いられるようにするため、請
求項４に記載したとおり、誘電体ストリップを２つ並設
して２つの非放射性誘電体線路を構成し、回路基板に１
／４管内波長の間隔で複数の導電体膜パターンを配設
し、この複数の導電体膜パターンを前記２つの誘電体ス
トリップの間に配置するとともに、該複数の導電体膜パ
ターンを前記２つの誘電体ストリップに近接または侵入
させて、前記２つの非放射性誘電体線路を結合させる。
この構成によれば、２つの導電体の間に２つの誘電体ス
トリップが併設されることによって、２つの非放射性誘
電体線路が構成され、複数の導電体膜パターンを介して
２つの非放射性誘電体線路が結合する。例えば図１４に
おいて２つの誘電体ストリップに対し３つのストリップ
ラインａ，ｂ，ｃが設けられている場合、(1) から入射
した波は一部(2) の方へ出ていくが、一部は３つのスト
リップラインａ，ｂ，ｃを通って右の誘電体ストリップ
へ漏れ出る。その際、(4) へ出る波は、いずれのストリ
ップラインを通過する波も同じ位相だけずれているの
で、同位相で合成される。しかし、(3) へ出る波につい
ては、手前のストリップライン（例えばストリップライ
ンａ）を通過した波に比べて、後ろのストリップライン
（例えばストリップラインｂ）を通過した波がλｇ／４
＋λｇ／４＝λｇ／２に相当する位相（１８０度）だけ
遅れているので、その合成波は打ち消されて、(3) 方向
へは波が現れない。これによって方向性結合器として作
用する。
は、方向性結合器として用いられるようにするため、請
求項４に記載したとおり、誘電体ストリップを２つ並設
して２つの非放射性誘電体線路を構成し、回路基板に１
／４管内波長の間隔で複数の導電体膜パターンを配設
し、この複数の導電体膜パターンを前記２つの誘電体ス
トリップの間に配置するとともに、該複数の導電体膜パ
ターンを前記２つの誘電体ストリップに近接または侵入
させて、前記２つの非放射性誘電体線路を結合させる。
この構成によれば、２つの導電体の間に２つの誘電体ス
トリップが併設されることによって、２つの非放射性誘
電体線路が構成され、複数の導電体膜パターンを介して
２つの非放射性誘電体線路が結合する。例えば図１４に
おいて２つの誘電体ストリップに対し３つのストリップ
ラインａ，ｂ，ｃが設けられている場合、(1) から入射
した波は一部(2) の方へ出ていくが、一部は３つのスト
リップラインａ，ｂ，ｃを通って右の誘電体ストリップ
へ漏れ出る。その際、(4) へ出る波は、いずれのストリ
ップラインを通過する波も同じ位相だけずれているの
で、同位相で合成される。しかし、(3) へ出る波につい
ては、手前のストリップライン（例えばストリップライ
ンａ）を通過した波に比べて、後ろのストリップライン
（例えばストリップラインｂ）を通過した波がλｇ／４
＋λｇ／４＝λｇ／２に相当する位相（１８０度）だけ
遅れているので、その合成波は打ち消されて、(3) 方向
へは波が現れない。これによって方向性結合器として作
用する。
【００１４】更に、この発明の回路基板の特性測定用治
具は、非放射性誘電体線路装置に用いる回路基板の特性
測定を行えるようにするため、請求項５に記載したとお
り、平行配置された２つの導電体と、該２つの導電体の
間に配設される誘電体ストリップと、２つの導電体の間
に請求項１〜４のいずれかに記載の回路基板を収容する
回路基板収容部とを設けて成り、該回路基板収容部に回
路基板を収容した状態で、上記誘電体ストリップを介し
て回路基板の特性を測定する。この構成によれば、平行
配置された２つの導電体の間に設けられた回路基板収容
部に請求項１〜４のいずれかに記載した回路基板を収容
することによって、回路基板を備えた非放射性誘電体線
路装置が構成される。従って誘電体ストリップを介し
て、その誘電体ストリップを伝搬する電磁波を測定する
ことによって、回路基板の特性を測定することができ
る。さらに所定の特性が得られることを確認した後、ま
たは所定の特性が得られるまで回路基板の調整を行った
後、その回路基板を実際の非放射性誘電体線路に組み込
むことによって、所望の特性を有する非放射性誘電体線
路装置が得られる。
具は、非放射性誘電体線路装置に用いる回路基板の特性
測定を行えるようにするため、請求項５に記載したとお
り、平行配置された２つの導電体と、該２つの導電体の
間に配設される誘電体ストリップと、２つの導電体の間
に請求項１〜４のいずれかに記載の回路基板を収容する
回路基板収容部とを設けて成り、該回路基板収容部に回
路基板を収容した状態で、上記誘電体ストリップを介し
て回路基板の特性を測定する。この構成によれば、平行
配置された２つの導電体の間に設けられた回路基板収容
部に請求項１〜４のいずれかに記載した回路基板を収容
することによって、回路基板を備えた非放射性誘電体線
路装置が構成される。従って誘電体ストリップを介し
て、その誘電体ストリップを伝搬する電磁波を測定する
ことによって、回路基板の特性を測定することができ
る。さらに所定の特性が得られることを確認した後、ま
たは所定の特性が得られるまで回路基板の調整を行った
後、その回路基板を実際の非放射性誘電体線路に組み込
むことによって、所望の特性を有する非放射性誘電体線
路装置が得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施例に係る非
放射性誘電体線路装置の構成を図１および図２に示す。
放射性誘電体線路装置の構成を図１および図２に示す。
【００１６】図１は主要部の構成を示す斜視図、図２は
図１に示した装置の分解斜視図である。両図において１
３，１４は導電体板であり、この両導電体板の対向する
面にそれぞれ溝を形成していて、断面矩形状の誘電体ス
トリップ１０，１１をその溝に設けている。１２は例え
ばフッ素樹脂系の回路基板であり、その上面に図２に示
すようにストリップライン１５（正確にはこの導電体線
路と導電体板１３，１４とによってストリップラインを
構成する）およびアース導体１６を形成している。この
ストリップラインは導電体線路１７とアース導体１６と
から構成されるコプレーナガイドへ変換し、また誘電体
である回路基板とアース導体１６および２つの導電体板
１３，１４とによって図中１８で示す部分で平面誘電体
線路へ変換している。この平面誘電体線路に関しては、
特願平７−６９８６７号で出願しており、本願発明には
この技術を適用することもできる。このように各種導電
体膜を形成した回路基板１２を２つの導電体板１３，１
４との間で、且つ誘電体ストリップ１０，１１の間に挟
み込む形態で配設することによって、誘電体ストリップ
１０，１１、回路基板１２および導電体板１３，１４と
によって１つの非放射性誘電体線路を構成する。後述す
るように、２枚の導電体板１３，１４の間隔、回路基板
１２の厚さ寸法および誘電体ストリップ１０，１１と回
路基板１２の誘電率を定めて、ＬＳＭ01モードの電磁波
を利用するように構成する。図５の（Ａ）はこの場合の
ＬＳＭモードの電磁界分布を示している。但し、上下の
導電体板は省略している。同図において実線は電気力
線、破線は磁力線である。回路基板の誘電率および誘電
体ストリップの誘電率によって電磁界分布は変化する
が、基本的にＬＳＭモードは磁界が誘電体ストリップと
空気の境界面に平行なモードであるため、図２に示した
ストリップライン１５とその電磁界とが結合する。
図１に示した装置の分解斜視図である。両図において１
３，１４は導電体板であり、この両導電体板の対向する
面にそれぞれ溝を形成していて、断面矩形状の誘電体ス
トリップ１０，１１をその溝に設けている。１２は例え
ばフッ素樹脂系の回路基板であり、その上面に図２に示
すようにストリップライン１５（正確にはこの導電体線
路と導電体板１３，１４とによってストリップラインを
構成する）およびアース導体１６を形成している。この
ストリップラインは導電体線路１７とアース導体１６と
から構成されるコプレーナガイドへ変換し、また誘電体
である回路基板とアース導体１６および２つの導電体板
１３，１４とによって図中１８で示す部分で平面誘電体
線路へ変換している。この平面誘電体線路に関しては、
特願平７−６９８６７号で出願しており、本願発明には
この技術を適用することもできる。このように各種導電
体膜を形成した回路基板１２を２つの導電体板１３，１
４との間で、且つ誘電体ストリップ１０，１１の間に挟
み込む形態で配設することによって、誘電体ストリップ
１０，１１、回路基板１２および導電体板１３，１４と
によって１つの非放射性誘電体線路を構成する。後述す
るように、２枚の導電体板１３，１４の間隔、回路基板
１２の厚さ寸法および誘電体ストリップ１０，１１と回
路基板１２の誘電率を定めて、ＬＳＭ01モードの電磁波
を利用するように構成する。図５の（Ａ）はこの場合の
ＬＳＭモードの電磁界分布を示している。但し、上下の
導電体板は省略している。同図において実線は電気力
線、破線は磁力線である。回路基板の誘電率および誘電
体ストリップの誘電率によって電磁界分布は変化する
が、基本的にＬＳＭモードは磁界が誘電体ストリップと
空気の境界面に平行なモードであるため、図２に示した
ストリップライン１５とその電磁界とが結合する。
【００１７】次に、この発明の第２の実施例に係る非放
射性誘電体線路装置の構成を図３および図４に示す。
射性誘電体線路装置の構成を図３および図４に示す。
【００１８】図３は主要部の構成を示す斜視図、図４は
図３に示した装置の分解斜視図である。両図において１
３，１４は導電体板であり、この両導電体板の対向する
面にそれぞれ溝を形成していて、断面矩形状の誘電体ス
トリップ１０をその溝に嵌め合わせるように設けてい
る。回路基板１２は導電体板１３，１４の間で、且つ両
導電体板に平行に配設している。例えば導電体板１３に
突出部を設けて、回路基板１２をその突出部にネジ止め
することなどによって所定位置に所定の姿勢で固定して
いる。図５の（Ｂ）はこの場合のＬＳＭモードの電磁界
分布を示している。但し、この場合も上下の導電体板は
省略している。同図において実線は電気力線、破線は磁
力線である。このように回路基板１２を２つの誘電体ス
トリップ間に挟み込ませなくても、ＬＳＭ01モードの磁
界は導電体板１３，１４間において誘電体ストリップ１
０と空気との境界面より外部へ漏れているため、その磁
界とストリップライン１５とが磁界結合する。
図３に示した装置の分解斜視図である。両図において１
３，１４は導電体板であり、この両導電体板の対向する
面にそれぞれ溝を形成していて、断面矩形状の誘電体ス
トリップ１０をその溝に嵌め合わせるように設けてい
る。回路基板１２は導電体板１３，１４の間で、且つ両
導電体板に平行に配設している。例えば導電体板１３に
突出部を設けて、回路基板１２をその突出部にネジ止め
することなどによって所定位置に所定の姿勢で固定して
いる。図５の（Ｂ）はこの場合のＬＳＭモードの電磁界
分布を示している。但し、この場合も上下の導電体板は
省略している。同図において実線は電気力線、破線は磁
力線である。このように回路基板１２を２つの誘電体ス
トリップ間に挟み込ませなくても、ＬＳＭ01モードの磁
界は導電体板１３，１４間において誘電体ストリップ１
０と空気との境界面より外部へ漏れているため、その磁
界とストリップライン１５とが磁界結合する。
【００１９】次に、第３の実施例に係る発振器として用
いる非放射性誘電体線路装置の構成を図６に示す。同図
（Ｂ）は出力端側から見た正面図、（Ａ）は上部の導電
体板を取り除いた状態での上面図である。同図において
１３，１４はそれぞれ下部ハウジング，上部ハウジング
を構成する導電体板であり、その間に誘電体ストリップ
１０を所定位置に取り付けている。これにより、誘電体
ストリップ１０と導電体板１３，１４の内面とによって
非放射性誘電体線路を構成している。また回路基板１２
を導電体板１３にネジ止め固定している。この回路基板
１２にはストリップライン１５およびＲＦチョーク用導
電体パターン２０を設けている。導電体板１３にはガン
ダイオード１９をネジ止め固定していて、その端子をス
トリップライン１５およびＲＦチョーク用導電体パター
ン２０の一端へワイヤーボンディングしている。また、
導電体板１３にはバイアス用端子２１を取り付けてい
て、その内部と基板上のＲＦチョーク用導電体パターン
２０の端部間をリード接続している。この構成で、ガン
ダイオード１９にＤＣバイアスを印加することによっ
て、ガンダイオード１９が発振し、その発振信号がスト
リップライン１５を介して伝搬され、ストリップライン
１５と上記誘電体線路とが結合して、非放射性誘電体線
路を伝搬していくことになる。
いる非放射性誘電体線路装置の構成を図６に示す。同図
（Ｂ）は出力端側から見た正面図、（Ａ）は上部の導電
体板を取り除いた状態での上面図である。同図において
１３，１４はそれぞれ下部ハウジング，上部ハウジング
を構成する導電体板であり、その間に誘電体ストリップ
１０を所定位置に取り付けている。これにより、誘電体
ストリップ１０と導電体板１３，１４の内面とによって
非放射性誘電体線路を構成している。また回路基板１２
を導電体板１３にネジ止め固定している。この回路基板
１２にはストリップライン１５およびＲＦチョーク用導
電体パターン２０を設けている。導電体板１３にはガン
ダイオード１９をネジ止め固定していて、その端子をス
トリップライン１５およびＲＦチョーク用導電体パター
ン２０の一端へワイヤーボンディングしている。また、
導電体板１３にはバイアス用端子２１を取り付けてい
て、その内部と基板上のＲＦチョーク用導電体パターン
２０の端部間をリード接続している。この構成で、ガン
ダイオード１９にＤＣバイアスを印加することによっ
て、ガンダイオード１９が発振し、その発振信号がスト
リップライン１５を介して伝搬され、ストリップライン
１５と上記誘電体線路とが結合して、非放射性誘電体線
路を伝搬していくことになる。
【００２０】次に、第４の実施例に係る発振器として用
いる他の非放射性誘電体線路装置の構成を図７に示す。
第３の実施例とは異なり、ここでは回路基板１２を２つ
の誘電体ストリップ１０，１１の間に挟み込んでいる。
回路基板１２にはストリップライン１５を設けていて、
ブロック内に設けたガンダイオード１９の端子とストリ
ップライン１５とを接続している。ストリップライン１
５は２つの誘電体ストリップ１０，１１の対向面の内部
にまで侵入していて、誘電体ストリップ１０，１１、回
路基板１２および導電体板１３，１４とから非放射性誘
電体線路を構成し、ガンダイオード１９の発振信号をス
トリップライン１５を介して上記線路に伝搬させる。
いる他の非放射性誘電体線路装置の構成を図７に示す。
第３の実施例とは異なり、ここでは回路基板１２を２つ
の誘電体ストリップ１０，１１の間に挟み込んでいる。
回路基板１２にはストリップライン１５を設けていて、
ブロック内に設けたガンダイオード１９の端子とストリ
ップライン１５とを接続している。ストリップライン１
５は２つの誘電体ストリップ１０，１１の対向面の内部
にまで侵入していて、誘電体ストリップ１０，１１、回
路基板１２および導電体板１３，１４とから非放射性誘
電体線路を構成し、ガンダイオード１９の発振信号をス
トリップライン１５を介して上記線路に伝搬させる。
【００２１】次に、第５の実施例に係る変調器を含む発
振器として用いる非放射性誘電体線路装置の構成を図８
に示す。同図において（Ｂ）は変調信号の出力端側から
見た正面図、（Ａ）は上部の導電体板を取り除いた状態
での上面図である。同図において、上下のハウジングと
してそれぞれ作用する導電体板１３，１４の所定位置に
誘電体ストリップ１０，１１を設けている。回路基板１
２は導電体板１３にネジ止め固定している。また、この
導電体板１３にはバラクタダイオード用ＤＣ端子２８と
ガンダイオード用ＤＣ端子２７を設けている。回路基板
１２にはストリップライン１５、ＲＦチョーク用導電体
パターン２０および電極２３，２４を設けている。ま
た、導電体板１３にはガンダイオード１９をネジ止め固
定していて、その端子を回路基板表面においてストリッ
プライン１５に接続している。また、ストリップライン
１５とＲＦチョーク用導電体パターン２０との間にバラ
クタダイオード２９を接続している。さらに回路基板上
の電極２３，２４とバイアス用ＤＣ端子２７，変調用端
子２８間をそれぞれリードで接続している。この構成に
よって、変調用端子２８とバイアス用端子２７間に変調
信号を入力し、バイアス用端子２７とアース間に直流高
電圧を印加することによって、ガンダイオードが発振
し、バラクタダイオードの静電容量に応じてその発振周
波数が変化する。
振器として用いる非放射性誘電体線路装置の構成を図８
に示す。同図において（Ｂ）は変調信号の出力端側から
見た正面図、（Ａ）は上部の導電体板を取り除いた状態
での上面図である。同図において、上下のハウジングと
してそれぞれ作用する導電体板１３，１４の所定位置に
誘電体ストリップ１０，１１を設けている。回路基板１
２は導電体板１３にネジ止め固定している。また、この
導電体板１３にはバラクタダイオード用ＤＣ端子２８と
ガンダイオード用ＤＣ端子２７を設けている。回路基板
１２にはストリップライン１５、ＲＦチョーク用導電体
パターン２０および電極２３，２４を設けている。ま
た、導電体板１３にはガンダイオード１９をネジ止め固
定していて、その端子を回路基板表面においてストリッ
プライン１５に接続している。また、ストリップライン
１５とＲＦチョーク用導電体パターン２０との間にバラ
クタダイオード２９を接続している。さらに回路基板上
の電極２３，２４とバイアス用ＤＣ端子２７，変調用端
子２８間をそれぞれリードで接続している。この構成に
よって、変調用端子２８とバイアス用端子２７間に変調
信号を入力し、バイアス用端子２７とアース間に直流高
電圧を印加することによって、ガンダイオードが発振
し、バラクタダイオードの静電容量に応じてその発振周
波数が変化する。
【００２２】その発振信号はストリップライン１５を介
して非放射性誘電体線路へ伝搬する。
して非放射性誘電体線路へ伝搬する。
【００２３】次に、第６の実施例に係る終端器として用
いる非放射性誘電体線路装置の構成を図９に示す。同図
は回路基板１２に設けたパターンを示すために表した分
解斜視図である。回路基板１２には誘電体ストリップ１
０，１１間に挟まれる位置に抵抗体膜３０を図に示すよ
うにテーパ形状に形成している。この回路基板１２を誘
電体ストリップ１０，１１および導電体板１３，１４で
挟み込むように配置することによって、非放射性誘電体
線路が構成されるが、その線路を伝搬する電磁波は抵抗
体膜３０と結合し、電磁波のエネルギーが抵抗体膜３０
で消費され、入射端方向への反射をなくす。
いる非放射性誘電体線路装置の構成を図９に示す。同図
は回路基板１２に設けたパターンを示すために表した分
解斜視図である。回路基板１２には誘電体ストリップ１
０，１１間に挟まれる位置に抵抗体膜３０を図に示すよ
うにテーパ形状に形成している。この回路基板１２を誘
電体ストリップ１０，１１および導電体板１３，１４で
挟み込むように配置することによって、非放射性誘電体
線路が構成されるが、その線路を伝搬する電磁波は抵抗
体膜３０と結合し、電磁波のエネルギーが抵抗体膜３０
で消費され、入射端方向への反射をなくす。
【００２４】図１０は第７の実施例に係る終端器として
用いる他の非放射性誘電体線路装置の構成を示す分解斜
視図である。図９に示した例とは異なり、抵抗体膜を誘
電体ストリップ１０，１１の対向面よりはみ出した領域
にまで形成している。これにより、誘電体ストリップの
近傍に分布する電磁波とも結合し、より効果的に電磁波
を減衰させることができる。
用いる他の非放射性誘電体線路装置の構成を示す分解斜
視図である。図９に示した例とは異なり、抵抗体膜を誘
電体ストリップ１０，１１の対向面よりはみ出した領域
にまで形成している。これにより、誘電体ストリップの
近傍に分布する電磁波とも結合し、より効果的に電磁波
を減衰させることができる。
【００２５】図１１は終端器として用いる他の非放射性
誘電体線路装置の構成を示す図であり、（Ａ）は上部の
誘電体ストリップ１１と共に導電体板１４を分離した状
態での分解斜視図、（Ｂ）は下部の導電体板１３から回
路基板１２を取り外した状態での部分分解斜視図であ
る。このように、誘電体ストリップ１０側に抵抗体膜３
０を形成し、その抵抗体膜の形成部を避けるように回路
基板１２に開口部３１を形成する。これにより抵抗体膜
３０の膜厚が厚くても、回路基板１２の表面を略平坦に
することができ、回路基板１２上に上部のストリップラ
イン１１を密着した状態で配置できるようになる。この
抵抗体膜３０は抵抗体ペーストを誘電体ストリップへ印
刷するか、テープ状の抵抗体シートを誘電体ストリップ
へ貼付することによって形成する。
誘電体線路装置の構成を示す図であり、（Ａ）は上部の
誘電体ストリップ１１と共に導電体板１４を分離した状
態での分解斜視図、（Ｂ）は下部の導電体板１３から回
路基板１２を取り外した状態での部分分解斜視図であ
る。このように、誘電体ストリップ１０側に抵抗体膜３
０を形成し、その抵抗体膜の形成部を避けるように回路
基板１２に開口部３１を形成する。これにより抵抗体膜
３０の膜厚が厚くても、回路基板１２の表面を略平坦に
することができ、回路基板１２上に上部のストリップラ
イン１１を密着した状態で配置できるようになる。この
抵抗体膜３０は抵抗体ペーストを誘電体ストリップへ印
刷するか、テープ状の抵抗体シートを誘電体ストリップ
へ貼付することによって形成する。
【００２６】次に、第９の実施例に係る減衰器として用
いる非放射性誘電体線路装置の構成を図１２に示す。
（Ｂ）は電磁波の入射端側から見た正面図、（Ａ）は上
部のハウジングを構成する導電体板１４を取り除いた状
態での上面図である。同図において回路基板１２には抵
抗体膜３０を図に示すようなテーパ形状に形成してい
る。これにより、誘電体ストリップ１０と導電体板１
３，１４とによって非放射性誘電体線路が構成され、そ
の線路を伝搬する電磁波と抵抗体膜３０とが結合して、
電磁波のエネルギーが徐々に抵抗体膜３０で消費され
る。これによりこの装置が減衰器として作用する。
いる非放射性誘電体線路装置の構成を図１２に示す。
（Ｂ）は電磁波の入射端側から見た正面図、（Ａ）は上
部のハウジングを構成する導電体板１４を取り除いた状
態での上面図である。同図において回路基板１２には抵
抗体膜３０を図に示すようなテーパ形状に形成してい
る。これにより、誘電体ストリップ１０と導電体板１
３，１４とによって非放射性誘電体線路が構成され、そ
の線路を伝搬する電磁波と抵抗体膜３０とが結合して、
電磁波のエネルギーが徐々に抵抗体膜３０で消費され
る。これによりこの装置が減衰器として作用する。
【００２７】次に、第１０の実施例に係る方向性結合器
として作用する非放射性誘電体線路装置の構成を図１３
および図１４に示す。図１３は装置の分解斜視図であ
り、上下の導電体板１３，１４にそれぞれ２つの誘電体
ストリップ１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂを設け、そ
の間に回路基板１２を挟み込んで組み立てる。回路基板
１２にはストリップライン１５を１／４管内波長の間隔
で設けている。この回路基板１２を上下の導電体板１
３，１４との間に挟み込んだ状態で、誘電体ストリップ
１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂ、回路基板１２および
導電体板１３，１４とによって２本の非放射性誘電体線
路が構成され、ストリップライン１５はその２つの誘電
体線路をまたぐ形で配置されることになる。
として作用する非放射性誘電体線路装置の構成を図１３
および図１４に示す。図１３は装置の分解斜視図であ
り、上下の導電体板１３，１４にそれぞれ２つの誘電体
ストリップ１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂを設け、そ
の間に回路基板１２を挟み込んで組み立てる。回路基板
１２にはストリップライン１５を１／４管内波長の間隔
で設けている。この回路基板１２を上下の導電体板１
３，１４との間に挟み込んだ状態で、誘電体ストリップ
１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂ、回路基板１２および
導電体板１３，１４とによって２本の非放射性誘電体線
路が構成され、ストリップライン１５はその２つの誘電
体線路をまたぐ形で配置されることになる。
【００２８】図１４は２つの非放射性誘電体線路とスト
リップラインとの関係を示す図である。このように、２
つの誘電体ストリップに対し１／４管内波長の間隔で２
つ以上のストリップラインａ，ｂ，ｃが設けられている
場合、(1) から入射した波は殆ど(2) の方へ出ていく
が、一部は３つのストリップラインａ，ｂ，ｃを通って
右の誘電体ストリップへ漏れ出る。その際、(4) へ出る
波は、いずれのストリップラインを通過する波も同じ位
相だけずれているので、同位相で合成される。しかし、
(3) へ出る波については、手前のストリップライン（例
えばストリップラインａ）を通過した波に比べて、後ろ
のストリップライン（例えばストリップラインｂ）を通
過した波がλｇ／４＋λｇ／４＝λｇ／２に相当する位
相（１８０度）遅れているので、その合成波は打ち消さ
れて、(3) 方向へは波が現れない。
リップラインとの関係を示す図である。このように、２
つの誘電体ストリップに対し１／４管内波長の間隔で２
つ以上のストリップラインａ，ｂ，ｃが設けられている
場合、(1) から入射した波は殆ど(2) の方へ出ていく
が、一部は３つのストリップラインａ，ｂ，ｃを通って
右の誘電体ストリップへ漏れ出る。その際、(4) へ出る
波は、いずれのストリップラインを通過する波も同じ位
相だけずれているので、同位相で合成される。しかし、
(3) へ出る波については、手前のストリップライン（例
えばストリップラインａ）を通過した波に比べて、後ろ
のストリップライン（例えばストリップラインｂ）を通
過した波がλｇ／４＋λｇ／４＝λｇ／２に相当する位
相（１８０度）遅れているので、その合成波は打ち消さ
れて、(3) 方向へは波が現れない。
【００２９】これによって方向性結合器として作用す
る。
る。
【００３０】次に、第１１の実施例に係るＦＭ−ＣＷレ
ーダフロントエンド部として作用する非放射性誘電体線
路装置の構成を図１５および図１６に示す。
ーダフロントエンド部として作用する非放射性誘電体線
路装置の構成を図１５および図１６に示す。
【００３１】図１５の（Ａ）は上部ハウジングとしての
導電体板の内面を示す図、（Ｂ）は下部ハウジングとし
ての導電体板に回路基板を載置した状態における平面図
である。同図において、上下のハウジングとしてそれぞ
れ作用する導電体板１３，１４の所定位置には互いに対
向する鏡対称のパターンで誘電体ストリップ１０ａ，１
０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１１ａ，１１ｂ，１１
ｃ，１１ｄ，１１ｅを設けている。回路基板１２はこの
導電体板１３，１４間に挟み込まれる。回路基板１２に
は発振器、終端器およびミキサとしてそれぞれ作用させ
るための各種導電体膜パターンおよび抵抗体膜パターン
を形成している。このうち発振器部分の構成は図８に示
したものと同様である。また、終端器部分の構成は図９
または図１０に示したものと同様である。回路基板１２
のミキサ部分にはＲＦチョーク用導電体パターン２０、
ＲＦ整合用導電体パターン２５およびストリップライン
１５などの各種パターンを形成していて、ＲＦ整合用導
電体パターン２５にはショットキーバリアダイオード２
６をマウントしている。このＲＦ整合用導電体パターン
２５を挟むようにして２つの誘電体ストリップ１０ａ，
１１ａを配置する。
導電体板の内面を示す図、（Ｂ）は下部ハウジングとし
ての導電体板に回路基板を載置した状態における平面図
である。同図において、上下のハウジングとしてそれぞ
れ作用する導電体板１３，１４の所定位置には互いに対
向する鏡対称のパターンで誘電体ストリップ１０ａ，１
０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１１ａ，１１ｂ，１１
ｃ，１１ｄ，１１ｅを設けている。回路基板１２はこの
導電体板１３，１４間に挟み込まれる。回路基板１２に
は発振器、終端器およびミキサとしてそれぞれ作用させ
るための各種導電体膜パターンおよび抵抗体膜パターン
を形成している。このうち発振器部分の構成は図８に示
したものと同様である。また、終端器部分の構成は図９
または図１０に示したものと同様である。回路基板１２
のミキサ部分にはＲＦチョーク用導電体パターン２０、
ＲＦ整合用導電体パターン２５およびストリップライン
１５などの各種パターンを形成していて、ＲＦ整合用導
電体パターン２５にはショットキーバリアダイオード２
６をマウントしている。このＲＦ整合用導電体パターン
２５を挟むようにして２つの誘電体ストリップ１０ａ，
１１ａを配置する。
【００３２】この構成によって、誘電体ストリップ１０
ａ，１１ａ、回路基板１２および導電体板１３，１４と
により１つの非放射性誘電体線路が構成され、その線路
を伝搬するＲＦ＋ＬＯの電磁界と上記ＲＦ整合用導電体
パターン２５とが結合し、ショットキーバリアダイオー
ド２６に高周波電流が流れ、そのダイオードの非線形性
により中間周波信号が発生し、これがＲＦチョーク用導
電体パターン２０を通してＩＦ出力端子２２へ取り出さ
れる。尚、ＲＦ信号およびＬＯ信号はＲＦチョーク用導
電体パターン２０でカットされ、ＩＦ出力端子へは出力
されない。導電体板１３，１４にはその内側にフェライ
トディスク３２を、その外側には磁石（図示せず）をそ
れぞれ設けていて、誘電体ストリップ１０ｄ，１０ｃ，
１０ｅ，１１ｄ，１１ｃ，１１ｅ、フェライトディスク
３２および磁石がサーキュレータを構成する。このサー
キュレータと誘電体ストリップ１０ｅ，１１ｅおよび抵
抗体膜３０からなる終端器とによって、アイソレータを
構成する。すなわち、発振器からの伝送波は誘電体スト
リップ１０ｃ，１１ｃ方向へ伝送されるが、その反射波
は終端器３０で消費され発振器へは殆ど戻らない。誘電
体ストリップ１０ｂ，１１ｂと１０ｃ，１１ｃ間および
誘電体ストリップ１０ｂ，１１ｂと１０ａ，１１ａ間は
カプラとして作用する。これにより、ＲＦ＋ＬＯの伝送
波が上記ミキサに入力されることになる。誘電体ストリ
ップ１０ｃ，１１ｃの端部は送信アンテナ（図示せず）
へ、また誘電体ストリップ１０ａ，１１ａの端部は受信
アンテナ（図示せず）へそれぞれ接続されている。これ
らのアンテナとしては、誘電体ストリップをロッド状に
加工したものや、漏れ波ＮＲＤガイドアンテナなどが用
いられる。
ａ，１１ａ、回路基板１２および導電体板１３，１４と
により１つの非放射性誘電体線路が構成され、その線路
を伝搬するＲＦ＋ＬＯの電磁界と上記ＲＦ整合用導電体
パターン２５とが結合し、ショットキーバリアダイオー
ド２６に高周波電流が流れ、そのダイオードの非線形性
により中間周波信号が発生し、これがＲＦチョーク用導
電体パターン２０を通してＩＦ出力端子２２へ取り出さ
れる。尚、ＲＦ信号およびＬＯ信号はＲＦチョーク用導
電体パターン２０でカットされ、ＩＦ出力端子へは出力
されない。導電体板１３，１４にはその内側にフェライ
トディスク３２を、その外側には磁石（図示せず）をそ
れぞれ設けていて、誘電体ストリップ１０ｄ，１０ｃ，
１０ｅ，１１ｄ，１１ｃ，１１ｅ、フェライトディスク
３２および磁石がサーキュレータを構成する。このサー
キュレータと誘電体ストリップ１０ｅ，１１ｅおよび抵
抗体膜３０からなる終端器とによって、アイソレータを
構成する。すなわち、発振器からの伝送波は誘電体スト
リップ１０ｃ，１１ｃ方向へ伝送されるが、その反射波
は終端器３０で消費され発振器へは殆ど戻らない。誘電
体ストリップ１０ｂ，１１ｂと１０ｃ，１１ｃ間および
誘電体ストリップ１０ｂ，１１ｂと１０ａ，１１ａ間は
カプラとして作用する。これにより、ＲＦ＋ＬＯの伝送
波が上記ミキサに入力されることになる。誘電体ストリ
ップ１０ｃ，１１ｃの端部は送信アンテナ（図示せず）
へ、また誘電体ストリップ１０ａ，１１ａの端部は受信
アンテナ（図示せず）へそれぞれ接続されている。これ
らのアンテナとしては、誘電体ストリップをロッド状に
加工したものや、漏れ波ＮＲＤガイドアンテナなどが用
いられる。
【００３３】図１６は図１５に示した装置の等価回路図
である。このように三角波で発振器の発振周波数を変調
すれば、ミキサからはアンテナから反射物体までの距離
と相対速度情報を含んだビート周波数信号がＩＦ信号と
して出力されることになり、そのＩＦ信号を処理するこ
とによって、物体までの距離と相対速度が求まる。
である。このように三角波で発振器の発振周波数を変調
すれば、ミキサからはアンテナから反射物体までの距離
と相対速度情報を含んだビート周波数信号がＩＦ信号と
して出力されることになり、そのＩＦ信号を処理するこ
とによって、物体までの距離と相対速度が求まる。
【００３４】次に、上記ＦＭ−ＣＷレーダフロントエン
ド部に用いる回路基板の特性測定用治具の構成を図１７
および図１８に示す。
ド部に用いる回路基板の特性測定用治具の構成を図１７
および図１８に示す。
【００３５】図１７の（Ａ）は上部ハウジングとしての
導電体板の内面を示す図、（Ｂ）は下部ハウジングとし
ての導電体板の平面図である。導電体板１３，１４の所
定位置には互いに対向する鏡対称のパターンで誘電体ス
トリップ１０ａ，１０ｃ，１１ａ，１１ｃを設けてい
る。図１５に示したものと異なり、ここではカプラを構
成するための誘電体ストリップ１０ｂ，１１ｂやサーキ
ュレータを構成するための誘電体ストリップ１０ｅ，１
１ｅを設けていない。上記回路基板１２はこの導電体板
１３，１４間に挟み込まれる。図１８はその状態での等
価回路図である。
導電体板の内面を示す図、（Ｂ）は下部ハウジングとし
ての導電体板の平面図である。導電体板１３，１４の所
定位置には互いに対向する鏡対称のパターンで誘電体ス
トリップ１０ａ，１０ｃ，１１ａ，１１ｃを設けてい
る。図１５に示したものと異なり、ここではカプラを構
成するための誘電体ストリップ１０ｂ，１１ｂやサーキ
ュレータを構成するための誘電体ストリップ１０ｅ，１
１ｅを設けていない。上記回路基板１２はこの導電体板
１３，１４間に挟み込まれる。図１８はその状態での等
価回路図である。
【００３６】このように、誘電体ストリップ１０ｃ，１
１ｃの端部に非放射性誘電体線路−導波管変換器を介し
て測定器を接続する。これによって、発振器単独での特
性を測定することができる。また、誘電体ストリップ１
０ａ，１１ａの端部に非放射性誘電体線路−導波管変換
器を介して試験用信号発生器を接続し、回路基板のＩＦ
出力信号を測定することによって、ミキサ単独での特性
を測定することができる。
１ｃの端部に非放射性誘電体線路−導波管変換器を介し
て測定器を接続する。これによって、発振器単独での特
性を測定することができる。また、誘電体ストリップ１
０ａ，１１ａの端部に非放射性誘電体線路−導波管変換
器を介して試験用信号発生器を接続し、回路基板のＩＦ
出力信号を測定することによって、ミキサ単独での特性
を測定することができる。
【００３７】図１５に示した例では、ミキサ部分から回
路基板の端部にまでストリップラインを形成したが、例
えば図１９に示すように、下部の導電体板を貫通して同
軸ケーブルでＩＦ回路およびアースへ接続するようにし
てもい。また、図２０の（Ａ）に示すように、回路基板
にアース接続用パターンを形成しておき、この部分を同
図（Ｂ）に示すように上部導電体板１４に設けた突出部
１４′に接触させることによって、アース接続を行うよ
うにしてもよい。
路基板の端部にまでストリップラインを形成したが、例
えば図１９に示すように、下部の導電体板を貫通して同
軸ケーブルでＩＦ回路およびアースへ接続するようにし
てもい。また、図２０の（Ａ）に示すように、回路基板
にアース接続用パターンを形成しておき、この部分を同
図（Ｂ）に示すように上部導電体板１４に設けた突出部
１４′に接触させることによって、アース接続を行うよ
うにしてもよい。
【００３８】上記各実施例では、図２１の（Ａ）または
（Ｃ）に示すように、誘電体ストリップに対してストリ
ップラインをその近傍に位置させるか、ストリップライ
ンの一部を誘電体ストリップの内部にまで侵入させる例
を示したが、その他に、（Ｂ）に示すように、誘電体ス
トリップの端部とストリップラインの端部とを一致させ
るようにしてもよい。また、（Ｄ）に示すように、誘電
体ストリップに対してストリップラインを左右対称に配
置することによって、結合させるようにしてもよい。
（Ｃ）に示すように、誘電体ストリップに対してストリ
ップラインをその近傍に位置させるか、ストリップライ
ンの一部を誘電体ストリップの内部にまで侵入させる例
を示したが、その他に、（Ｂ）に示すように、誘電体ス
トリップの端部とストリップラインの端部とを一致させ
るようにしてもよい。また、（Ｄ）に示すように、誘電
体ストリップに対してストリップラインを左右対称に配
置することによって、結合させるようにしてもよい。
【００３９】また、上記各実施例では、分離した誘電体
ストリップの間に回路基板を挟み込む形で配置した例を
示したが、例えば図２２の（Ａ）に示すように、誘電体
ストリップの側部に回路基板１２の端部を挿入するよう
にしてもよい。また、上記各実施例では、上下の導電体
板と略同じ程度の比較的大きな回路基板を用いた例を示
したが、例えば同図（Ｂ）に示すように、誘電体ストリ
ップに対してその一部にのみ回路基板１２を近接または
挿入するようにしてもよい。また、上記各実施例では、
２つの導電体板間の略中間位置に回路基板１２を配置す
る例を示したが、同図（Ｃ）に示すように、必要に応じ
て導電体板からの距離を変えてもよい。
ストリップの間に回路基板を挟み込む形で配置した例を
示したが、例えば図２２の（Ａ）に示すように、誘電体
ストリップの側部に回路基板１２の端部を挿入するよう
にしてもよい。また、上記各実施例では、上下の導電体
板と略同じ程度の比較的大きな回路基板を用いた例を示
したが、例えば同図（Ｂ）に示すように、誘電体ストリ
ップに対してその一部にのみ回路基板１２を近接または
挿入するようにしてもよい。また、上記各実施例では、
２つの導電体板間の略中間位置に回路基板１２を配置す
る例を示したが、同図（Ｃ）に示すように、必要に応じ
て導電体板からの距離を変えてもよい。
【００４０】更に、上記いくつかの実施例では、上下に
分離した誘電体ストリップの間に略密着する形で回路基
板１２を配置したが、例えば同図（Ｄ）に示すように、
回路基板１２は一方または両方の誘電体ストリップから
離れていてもよい。
分離した誘電体ストリップの間に略密着する形で回路基
板１２を配置したが、例えば同図（Ｄ）に示すように、
回路基板１２は一方または両方の誘電体ストリップから
離れていてもよい。
【００４１】これまでに述べた例では全てＬＳＭ01モー
ドを用いた非放射性誘電体線路装置について示したが、
本願発明はＬＳＥ01モードを用いる非放射性誘電体線路
にも同様に適用できる。図２３〜図２５を基に以下にそ
の例について説明する。
ドを用いた非放射性誘電体線路装置について示したが、
本願発明はＬＳＥ01モードを用いる非放射性誘電体線路
にも同様に適用できる。図２３〜図２５を基に以下にそ
の例について説明する。
【００４２】図２３の（Ａ）はＬＳＥ01モードの電磁界
分布を示している。但し、上下の導電体板は省略してい
る。（Ｂ）はストリップラインの電磁界分布を示してい
る。
分布を示している。但し、上下の導電体板は省略してい
る。（Ｂ）はストリップラインの電磁界分布を示してい
る。
【００４３】同図において、実線は電気力線、破線は磁
力線である。回路基板の誘電率および誘電体ストリップ
の誘電率によって電磁界分布は変化するが、基本的にＬ
ＳＥモードは磁界が誘電体ストリップの端面に平行なモ
ードであるため、誘電体ストリップとその伝送方向に延
びるストリップライン１５との電磁界が結合する。
力線である。回路基板の誘電率および誘電体ストリップ
の誘電率によって電磁界分布は変化するが、基本的にＬ
ＳＥモードは磁界が誘電体ストリップの端面に平行なモ
ードであるため、誘電体ストリップとその伝送方向に延
びるストリップライン１５との電磁界が結合する。
【００４４】図２４は誘電体ストリップとストリップラ
インとの位置関係を示す。ストリップラインは誘電体ス
トリップの端部に近接または誘電体ストリップの内部に
侵入するように配置することによって、誘電体ストリッ
プとその上下にある導電体からなる非放射性誘電体線路
とストリップラインとはＬＳＥ01モードで結合する。
インとの位置関係を示す。ストリップラインは誘電体ス
トリップの端部に近接または誘電体ストリップの内部に
侵入するように配置することによって、誘電体ストリッ
プとその上下にある導電体からなる非放射性誘電体線路
とストリップラインとはＬＳＥ01モードで結合する。
【００４５】図２５は発振器として用いる非放射性誘電
体線路装置の構成を示す。同図（Ａ）は上部の導電体板
を取り除いた状態での上面図、（Ｂ）は断面図である。
同図において１３，１４はそれぞれ下部ハウジング，上
部ハウジングを構成する導電体板であり、それぞれの所
定位置に誘電体ストリップ１０，１１を取り付けてい
る。これにより、誘電体ストリップ１０，１１と導電体
板１３，１４の内面とによって非放射性誘電体線路を構
成している。回路基板１２は導電体板１３に固定してい
て、この回路基板１２にはストリップライン１５および
ＲＦチョーク用導電体パターン２０を設けている。導電
体板１３にはガンダイオード１９をネジ止め固定してい
て、その端子をストリップライン１５およびＲＦチョー
ク用導電体パターン２０の一端へワイヤーボンディング
している。また、導電体板１３にはバイアス用端子２１
を取り付けていて、その内部と基板上のＲＦチョーク用
導電体パターン２０の端部間をリード接続している。こ
の構成で、ガンダイオード１９にＤＣバイアスを印加す
ることによって、ガンダイオード１９が発振し、その発
振信号がストリップライン１５を介して伝搬され、スト
リップライン１５と上記誘電体線路とが結合して、非放
射性誘電体線路を伝搬していくことになる。
体線路装置の構成を示す。同図（Ａ）は上部の導電体板
を取り除いた状態での上面図、（Ｂ）は断面図である。
同図において１３，１４はそれぞれ下部ハウジング，上
部ハウジングを構成する導電体板であり、それぞれの所
定位置に誘電体ストリップ１０，１１を取り付けてい
る。これにより、誘電体ストリップ１０，１１と導電体
板１３，１４の内面とによって非放射性誘電体線路を構
成している。回路基板１２は導電体板１３に固定してい
て、この回路基板１２にはストリップライン１５および
ＲＦチョーク用導電体パターン２０を設けている。導電
体板１３にはガンダイオード１９をネジ止め固定してい
て、その端子をストリップライン１５およびＲＦチョー
ク用導電体パターン２０の一端へワイヤーボンディング
している。また、導電体板１３にはバイアス用端子２１
を取り付けていて、その内部と基板上のＲＦチョーク用
導電体パターン２０の端部間をリード接続している。こ
の構成で、ガンダイオード１９にＤＣバイアスを印加す
ることによって、ガンダイオード１９が発振し、その発
振信号がストリップライン１５を介して伝搬され、スト
リップライン１５と上記誘電体線路とが結合して、非放
射性誘電体線路を伝搬していくことになる。
【００４６】上記各実施例では、図２６の（Ｂ）に示し
たグルーブドタイプの非放射性誘電体線路を構成した
が、同図の（Ａ）に示したノーマルタイプや（Ｃ）のウ
イングタイプであっても同様に適用できる。
たグルーブドタイプの非放射性誘電体線路を構成した
が、同図の（Ａ）に示したノーマルタイプや（Ｃ）のウ
イングタイプであっても同様に適用できる。
【００４７】
【実施例】さて、次に各種タイプの非放射性誘電体線路
について、回路の伝搬周波数を６０ＧＨｚとしたとき
の、その各部の寸法および材質を変えた場合の解析結果
を以降に述べる。
について、回路の伝搬周波数を６０ＧＨｚとしたとき
の、その各部の寸法および材質を変えた場合の解析結果
を以降に述べる。
【００４８】まず、図２９に示すように、非放射性誘電
体線路のうち誘電体ストリップのない部分（以下カット
オフ部と言う。）に回路基板を挿入した時の全体厚を
ｙ、基板厚をｔ、基板の比誘電率をεｒとした時のカッ
トオフ周波数を求める。
体線路のうち誘電体ストリップのない部分（以下カット
オフ部と言う。）に回路基板を挿入した時の全体厚を
ｙ、基板厚をｔ、基板の比誘電率をεｒとした時のカッ
トオフ周波数を求める。
【００４９】図３１〜図３３はそれぞれ異なった比誘電
率の基板を用いて、その基板厚ｔを変えた時の、カット
オフ部厚ｙとカットオフ周波数との関係を示す。図３１
は回路基板の比誘電率εｒを２．５としたものであり、
例えば基板厚ｔが０．４ｍｍの時、例えばカットオフ部
のカットオフ周波数を６６．７ＧＨｚとして設計したと
きカットオフ部厚ｙは１．７ｍｍとなる。図３２は回路
基板の比誘電率εｒを３．５としたときの例であり、例
えば基板厚ｔが０．２ｍｍの時カットオフ周波数が６
６．７ＧＨｚとなるカットオフ部厚ｙは１．７５ｍｍと
なる。また、図３３は回路基板のεｒを１０とした時の
例であり、基板厚ｔが０．１ｍｍの時、カットオフ周波
数が６６．７ＧＨｚとなるカットオフ部厚ｙは１．４５
ｍｍとなる。
率の基板を用いて、その基板厚ｔを変えた時の、カット
オフ部厚ｙとカットオフ周波数との関係を示す。図３１
は回路基板の比誘電率εｒを２．５としたものであり、
例えば基板厚ｔが０．４ｍｍの時、例えばカットオフ部
のカットオフ周波数を６６．７ＧＨｚとして設計したと
きカットオフ部厚ｙは１．７ｍｍとなる。図３２は回路
基板の比誘電率εｒを３．５としたときの例であり、例
えば基板厚ｔが０．２ｍｍの時カットオフ周波数が６
６．７ＧＨｚとなるカットオフ部厚ｙは１．７５ｍｍと
なる。また、図３３は回路基板のεｒを１０とした時の
例であり、基板厚ｔが０．１ｍｍの時、カットオフ周波
数が６６．７ＧＨｚとなるカットオフ部厚ｙは１．４５
ｍｍとなる。
【００５０】一般に、回路基板を挿入しないノーマルタ
イプの非放射性誘電体線路に比較して、そのカットオフ
部にある誘電率を有する回路基板を挿入すると、上下の
導電体に平行な偏波面を持つ電磁波のカットオフ周波数
は低下する。そのため、所定のカットオフ周波数６６．
７ＧＨｚを得るために、カットオフ部の上下の導電体の
間隔を狭める必要がある。図３１〜図３３の結果から求
めた、カットオフ部のカットオフ周波数が６６．７ＧＨ
ｚとなるカットオフ部厚ｙおよびグルーブドの深さｇを
次の表に示す。
イプの非放射性誘電体線路に比較して、そのカットオフ
部にある誘電率を有する回路基板を挿入すると、上下の
導電体に平行な偏波面を持つ電磁波のカットオフ周波数
は低下する。そのため、所定のカットオフ周波数６６．
７ＧＨｚを得るために、カットオフ部の上下の導電体の
間隔を狭める必要がある。図３１〜図３３の結果から求
めた、カットオフ部のカットオフ周波数が６６．７ＧＨ
ｚとなるカットオフ部厚ｙおよびグルーブドの深さｇを
次の表に示す。
【００５１】〔 表１ 〕
【００５２】ここでグルーブドの深さｇはｇ＝（２．２
５−ｙ）／２で求めている。
５−ｙ）／２で求めている。
【００５３】次に、図３０のモデルについて次の表２の
パラメータで伝送線路の分散曲線および伝送損失を求め
た。
パラメータで伝送線路の分散曲線および伝送損失を求め
た。
【００５４】〔 表２ 〕
【００５５】ここで、誘電体ストリップの比誘電率は
２．０４、 tanδは１．５×１０-4、回路基板の tanδ
は0.01〜0.0001である。
２．０４、 tanδは１．５×１０-4、回路基板の tanδ
は0.01〜0.0001である。
【００５６】図３４〜図３７から、ノーマルタイプの非
放射性誘電体線路とグルーブドタイプの非放射性誘電体
線路との分散曲線を比較すると、グルーブの深さｇが大
きくなるにつれて、最低次モードがＬＳＥ01モードから
ＬＳＭ01モードに変化していることがわかる。ここで、
ｇ＝０．１５と０．３０ｍｍの間でＬＳＭ01モードとＬ
ＳＥ01モードが重なるため、グルーブの深さｇがこの範
囲となる設計を避ける必要がある。また、ｇ＝０．４５
ｍｍでは、他と比較してＬＳＭ01モードとＬＳＥ01モー
ドとの差が広がっていることから、グルーブの深さｇを
定めることによってＬＳＭ01モードの単一モードでの伝
送が可能となる。
放射性誘電体線路とグルーブドタイプの非放射性誘電体
線路との分散曲線を比較すると、グルーブの深さｇが大
きくなるにつれて、最低次モードがＬＳＥ01モードから
ＬＳＭ01モードに変化していることがわかる。ここで、
ｇ＝０．１５と０．３０ｍｍの間でＬＳＭ01モードとＬ
ＳＥ01モードが重なるため、グルーブの深さｇがこの範
囲となる設計を避ける必要がある。また、ｇ＝０．４５
ｍｍでは、他と比較してＬＳＭ01モードとＬＳＥ01モー
ドとの差が広がっていることから、グルーブの深さｇを
定めることによってＬＳＭ01モードの単一モードでの伝
送が可能となる。
【００５７】また、図３８〜図４１の結果からεｒ＝
２．５，３．５などの低誘電率の回路基板を挿入して
も、分散曲線の大きな変化がなく、伝送特性への影響は
小さいことがわかる。但し、基板を挿入しないモデル図
３６と挿入したモデル図３８などを比較すると、基板を
挿入することにより、カットオフ周波数が下がる。しか
し上述したように、ｙ寸法を設定することによってこの
カットオフ周波数の低下分を補正すればよい。
２．５，３．５などの低誘電率の回路基板を挿入して
も、分散曲線の大きな変化がなく、伝送特性への影響は
小さいことがわかる。但し、基板を挿入しないモデル図
３６と挿入したモデル図３８などを比較すると、基板を
挿入することにより、カットオフ周波数が下がる。しか
し上述したように、ｙ寸法を設定することによってこの
カットオフ周波数の低下分を補正すればよい。
【００５８】図３４〜図４６の結果から、低誘電率（ε
ｒ＝２．５〜３．５）、基板厚ｔ＝０．１〜０．３ｍ
ｍ、回路基板の誘電正接ｔａｎδ＝２×１０-3（フッ素
樹脂系の基板に相当する）を用いた時、伝送損失が２０
ｄＢ／ｍ以下の実用可能な伝送線路を形成することが可
能であることがわかる。
ｒ＝２．５〜３．５）、基板厚ｔ＝０．１〜０．３ｍ
ｍ、回路基板の誘電正接ｔａｎδ＝２×１０-3（フッ素
樹脂系の基板に相当する）を用いた時、伝送損失が２０
ｄＢ／ｍ以下の実用可能な伝送線路を形成することが可
能であることがわかる。
【００５９】
【発明の効果】請求項１に係る非放射性誘電体線路装置
によれば、回路基板は２つの導電体の間にその導電体に
略平行に配設されているため、例えば２つの導電体を平
行配置する際、回路基板をその間に挟み込むように、ま
たは導電体に沿って配置することになるため、回路基板
の実装性に優れる。また、回路基板は２つの導電体に沿
って配置されるため、大面積の回路基板を用いて、多く
の導電体膜または導電体膜と共に回路素子を設けること
ができ、非放射性誘電体線路と共に回路基板を組み込ん
だ集積度の高い集積回路としての非放射性誘電体線路装
置が得られる。
によれば、回路基板は２つの導電体の間にその導電体に
略平行に配設されているため、例えば２つの導電体を平
行配置する際、回路基板をその間に挟み込むように、ま
たは導電体に沿って配置することになるため、回路基板
の実装性に優れる。また、回路基板は２つの導電体に沿
って配置されるため、大面積の回路基板を用いて、多く
の導電体膜または導電体膜と共に回路素子を設けること
ができ、非放射性誘電体線路と共に回路基板を組み込ん
だ集積度の高い集積回路としての非放射性誘電体線路装
置が得られる。
【００６０】請求項２に係る非放射性誘電体線路装置に
よれば、２つの導電体の間で且つ導電体に平行に回路基
板を配設した状態で、発振素子の発振信号が非放射性誘
電体線路に伝送されるため、回路基板の実装性に優れ、
精度および安定性の高い発振器として作用する非放射性
誘電体線路装置が得られる。
よれば、２つの導電体の間で且つ導電体に平行に回路基
板を配設した状態で、発振素子の発振信号が非放射性誘
電体線路に伝送されるため、回路基板の実装性に優れ、
精度および安定性の高い発振器として作用する非放射性
誘電体線路装置が得られる。
【００６１】請求項３に係る非放射性誘電体線路装置に
よれば、２つの導電体の間で且つ導電体に平行に回路基
板を配設した状態で、回路基板に形成した抵抗体膜に対
し平行に電界成分を持つＬＳＭモードの電磁波のエネル
ギーが抵抗体膜で消費されるため、回路基板の実装性に
優れ、精度および安定性の高い減衰器または終端器とし
て作用する非放射性誘電体線路装置が得られる。
よれば、２つの導電体の間で且つ導電体に平行に回路基
板を配設した状態で、回路基板に形成した抵抗体膜に対
し平行に電界成分を持つＬＳＭモードの電磁波のエネル
ギーが抵抗体膜で消費されるため、回路基板の実装性に
優れ、精度および安定性の高い減衰器または終端器とし
て作用する非放射性誘電体線路装置が得られる。
【００６２】請求項４に係る非放射性誘電体線路装置に
よれば、２つの導電体の間で且つ導電体に平行に回路基
板を配設した状態で、２つの非放射性誘電体線路が構成
され、回路基板に形成した複数の導電体膜パターンを介
して２つの非放射性誘電体線路が結合することによっ
て、方向性結合器として作用する非放射性誘電体線路装
置が容易に得られる。
よれば、２つの導電体の間で且つ導電体に平行に回路基
板を配設した状態で、２つの非放射性誘電体線路が構成
され、回路基板に形成した複数の導電体膜パターンを介
して２つの非放射性誘電体線路が結合することによっ
て、方向性結合器として作用する非放射性誘電体線路装
置が容易に得られる。
【００６３】請求項５に係る回路基板の特性測定用治具
では、特性測定用の誘電体ストリップが配設された２つ
の導電体の間に回路基板を収容することによって、回路
基板を備えた測定測定用の非放射性誘電体線路装置が構
成される。従って誘電体ストリップを介して、その誘電
体ストリップを伝搬する電磁波を測定することによっ
て、回路基板の特性を測定することができる。そのた
め、所定の特性が得られることを確認した後、または所
定の特性が得られるまで回路基板の調整を行った後、そ
の回路基板を実際の非放射性誘電体線路に組み込むこと
によって、所望の特性を有する非放射性誘電体線路装置
が容易に得られる。
では、特性測定用の誘電体ストリップが配設された２つ
の導電体の間に回路基板を収容することによって、回路
基板を備えた測定測定用の非放射性誘電体線路装置が構
成される。従って誘電体ストリップを介して、その誘電
体ストリップを伝搬する電磁波を測定することによっ
て、回路基板の特性を測定することができる。そのた
め、所定の特性が得られることを確認した後、または所
定の特性が得られるまで回路基板の調整を行った後、そ
の回路基板を実際の非放射性誘電体線路に組み込むこと
によって、所望の特性を有する非放射性誘電体線路装置
が容易に得られる。
【図１】 第１の実施例に係る非放射性誘電体線路装置
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】 図１の分解斜視図である。
【図３】 第２の実施例に係る非放射性誘電体線路装置
の斜視図である。
の斜視図である。
【図４】 図３の分解斜視図である。
【図５】 非放射性誘電体線路の電磁界分布と回路基板
上の導電体膜パターンとの関係を示す部分斜視図であ
る。
上の導電体膜パターンとの関係を示す部分斜視図であ
る。
【図６】 第３の実施例に係る発振器として用いる非放
射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
【図７】 第４の実施例に係る発振器として用いる非放
射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
【図８】 第５の実施例に係る変調器を含む発振器とし
て用いる非放射性誘電体線路装置の構成を示す図であ
る。
て用いる非放射性誘電体線路装置の構成を示す図であ
る。
【図９】 第６の実施例に係る終端器として用いる非放
射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
【図１０】 第７の実施例に係る終端器として用いる非
放射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
放射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
【図１１】 第８の実施例に係る終端器として用いる非
放射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
放射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
【図１２】 第９の実施例に係る減衰器として用いる非
放射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
放射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
【図１３】 第１０の実施例に係る方向性結合器として
用いる非放射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
用いる非放射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
【図１４】 方向性結合器における誘電体ストリップと
ストリップラインとの関係を示す図である。
ストリップラインとの関係を示す図である。
【図１５】 第１１の実施例に係るＦＭ−ＣＷレーダフ
ロントエンド部の構成を示す図である。
ロントエンド部の構成を示す図である。
【図１６】 図１５に示すＦＭ−ＣＷレーダフロントエ
ンド部の等価回路を示す図である。
ンド部の等価回路を示す図である。
【図１７】 図１５に示すＦＭ−ＣＷレーダフロントエ
ンド部に用いる回路基板の特性測定用治具の構成を示す
図である。
ンド部に用いる回路基板の特性測定用治具の構成を示す
図である。
【図１８】 図１７に示す回路基板の特性測定用治具を
用いた回路の等価回路を示す図である。
用いた回路の等価回路を示す図である。
【図１９】 図１５に示すミキサ部分の他の構成例を示
す図である。
す図である。
【図２０】 図１５に示すミキサ部分の他の構成例を示
す図である。
す図である。
【図２１】 誘電体ストリップとストリップラインとの
位置関係を示す図である。
位置関係を示す図である。
【図２２】 非放射性誘電体線路内における回路基板の
配置例を示す図である。
配置例を示す図である。
【図２３】 非放射性誘電体線路の電磁界分布とストリ
ップラインの電磁界分布との関係を示す図である。
ップラインの電磁界分布との関係を示す図である。
【図２４】 誘電体ストリップとストリップラインとの
位置関係を示す図である。
位置関係を示す図である。
【図２５】 ＬＳＥ01モードを用いた、発振器として用
いる非放射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
いる非放射性誘電体線路装置の構成を示す図である。
【図２６】 従来の非放射性誘電体線路の構成を示す図
である。
である。
【図２７】 従来のビームリードダイオードマウント部
を有する非放射性誘電体線路装置の構成を示す一部破断
斜視図である。
を有する非放射性誘電体線路装置の構成を示す一部破断
斜視図である。
【図２８】 従来の発振器として用いる非放射性誘電体
線路装置の構成を示す図である。
線路装置の構成を示す図である。
【図２９】 非放射性誘電体線路各部の寸法および材質
とカットオフ周波数との関係を求める際の計算モデルを
示す図である。
とカットオフ周波数との関係を求める際の計算モデルを
示す図である。
【図３０】 非放射性誘電体線路の分散曲線および伝送
損失を求める際の計算モデルを示す図である。
損失を求める際の計算モデルを示す図である。
【図３１】 回路基板の比誘電率を一定として、回路基
板の厚み寸法を変化させたときのカットオフ部厚に対す
るカットオフ周波数の関係を示す図である。
板の厚み寸法を変化させたときのカットオフ部厚に対す
るカットオフ周波数の関係を示す図である。
【図３２】 回路基板の比誘電率を一定として、回路基
板の厚み寸法を変化させたときのカットオフ部厚に対す
るカットオフ周波数の関係を示す図である。
板の厚み寸法を変化させたときのカットオフ部厚に対す
るカットオフ周波数の関係を示す図である。
【図３３】 回路基板の比誘電率を一定として、回路基
板の厚み寸法を変化させたときのカットオフ部厚に対す
るカットオフ周波数の関係を示す図である。
板の厚み寸法を変化させたときのカットオフ部厚に対す
るカットオフ周波数の関係を示す図である。
【図３４】 所定の設定条件での分散曲線を示す図であ
る。
る。
【図３５】 所定の設定条件での分散曲線を示す図であ
る。
る。
【図３６】 所定の設定条件での分散曲線を示す図であ
る。
る。
【図３７】 所定の設定条件での分散曲線を示す図であ
る。
る。
【図３８】 所定の設定条件での分散曲線を示す図であ
る。
る。
【図３９】 所定の設定条件での分散曲線を示す図であ
る。
る。
【図４０】 所定の設定条件での分散曲線を示す図であ
る。
る。
【図４１】 所定の設定条件での分散曲線を示す図であ
る。
る。
【図４２】 所定の設定条件での分散曲線を示す図であ
る。
る。
【図４３】 設定した各条件における伝送損失の結果を
示す図である。
示す図である。
【図４４】 設定した各条件における伝送損失の結果を
示す図である。
示す図である。
【図４５】 設定した各条件における伝送損失の結果を
示す図である。
示す図である。
【図４６】 設定した各条件における伝送損失の結果を
示す図である。
示す図である。
【図４７】 ノーマルタイプの非放射性誘電体線路の電
界分布を示す図である。
界分布を示す図である。
【図４８】 グルーブドタイプの非放射性誘電体線路の
電界分布を示す図である。
電界分布を示す図である。
【図４９】 グルーブドタイプで、且つ中間位置に回路
基板を挿入した非放射性誘電体線路の電界分布を示す図
である。
基板を挿入した非放射性誘電体線路の電界分布を示す図
である。
１０，１１−誘電体ストリップ １２−回路基板 １３，１４−導電体板 １５−ストリップライン １６−アース導体 １７−導電体線路 １８−平面誘電体線路 １９−ガンダイオード ２０−ＲＦチョーク用導電体パターン ２１−バイアス用端子 ２２−ＩＦ出力端子 ２３，２４−電極 ２５−ＲＦ整合用導電体パターン ２６−ショットキーバリアダイオード ２７−バイアス用端子 ２８−変調用端子 ２９−バラクタダイオード ３０−抵抗体膜 ３１−開口部 ３２−フェライトディスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 1/26 Ｈ０１Ｐ 5/18 Ｅ 3/16 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｔ 5/18 (72)発明者 山下 貞夫 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 斉藤 篤 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (5)
- 【請求項１】 平行配置された２つの導電体の間に誘電
体ストリップを配設して成る非放射性誘電体線路を有す
る集積回路であって、 導電体膜または導電体膜とともに回路素子を設けた回路
基板を、前記２つの導電体の間で且つ、該導電体に略平
行に配設するとともに、前記回路基板に設けられた導電
体膜または回路素子を前記誘電体ストリップに近接また
は侵入させて、前記導電体膜または前記回路素子と前記
非放射性誘電体線路とを結合させたことを特徴とする非
放射性誘電体線路装置。 - 【請求項２】 前記回路基板に発振素子および、該発振
素子の発振信号を伝送する導電体線路を設け、該導電体
線路を前記誘電体ストリップに近接または侵入させて、
前記発振信号を前記非放射性誘電体線路に伝送させる請
求項１に記載の非放射性誘電体線路装置。 - 【請求項３】 前記回路基板に抵抗体膜を形成するとと
もに、該抵抗体膜を前記誘電体ストリップに近接または
侵入させて、前記非放射性誘電体線路を伝搬する電磁波
を減衰させる請求項１に記載の非放射性誘電体線路装
置。 - 【請求項４】 前記誘電体ストリップを２つ並設して２
つの非放射性誘電体線路を構成し、前記回路基板に１／
４管内波長の間隔で複数の導電体膜パターンを配設し、
この複数の導電体膜パターンを前記２つの誘電体ストリ
ップの間に配置するとともに、該複数の導電体膜パター
ンを前記２つの誘電体ストリップに近接または侵入させ
て、前記２つの非放射性誘電体線路を結合させた請求項
１に記載の非放射性誘電体線路装置。 - 【請求項５】 平行配置された２つの導電体と、該２つ
の導電体の間に配設される誘電体ストリップと、前記２
つの導電体の間に請求項１〜４のいずれかに記載の回路
基板を収容する回路基板収容部とを設けて成り、該回路
基板収容部に回路基板を収容した状態で、前記誘電体ス
トリップを介して前記回路基板の特性を測定するように
した回路基板の特性測定用治具。
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