JP2002290112A - 非放射性誘電体線路用のモードサプレッサおよびそれを用いたミリ波送受信器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 モードサプレッサの内部にあるＬＳＥモード
抑制用の導体パターンの位置ズレを未然に検知すること
によって、不要モードであるＬＳＥモードを安定して減
衰し、特性バラツキが小さなものを提供すること。 【解決手段】 高周波信号の波長の２分の１以下の間隔
で配置した平行平板導体１、２間に配設された高周波信
号伝送用の誘電体線路３の内部に、平行平板導体１、２
の主面に垂直でありかつ高周波信号の伝送方向に平行な
面で誘電体線路３の幅方向の略中心に位置する一面内に
ＬＳＥモード抑制用の導体パターン７ａを設けて成り、
ＬＳＥモード抑制用の導体パターン７ａが設けられた一
面内の隅部に誘電体線路３の上面または下面との間隔ｂ
が０．０１〜０．５ｍｍの導体マーカ７ｂが形成されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非放射性誘電体線
路型のマイクロ波集積回路、ミリ波集積回路、ミリ波レ
ーダーモジュール等に組み込まれ、誘電体線路の端部に
設けられてＬＳＥモードおよびＴＥＭモードの電磁波を
遮断するモードサプレッサ、およびそれを用いた非放射
性誘電体線路構造のミリ波送受信器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、マイクロ波やミリ波の高周波信号
を伝送させる非放射性誘電体線路（NonRadiative Diel
ectric Waveguideで、以下、ＮＲＤガイドという）の
基本構成を図１０に示す。同図に示すように、所定の間
隔Ａでもって平行配置された平行平板導体７１、７２と
の間に、断面が長方形等の矩形状の誘電体線路７３を配
置した構成であり、この間隔Ａが高周波信号の波長λに
対してＡ≦λ／２であれば、外部から誘電体線路７３へ
のノイズの侵入をなくしかつ外部への高周波信号の放射
をなくして、誘電体線路７３中で高周波信号を伝搬させ
ることができる。なお、高周波信号の波長λは使用周波
数における空気中（自由空間）での波長である。

【０００３】このようなＮＲＤガイドの誘電体線路７３
中を伝搬する高周波信号（電磁波）の動作モードはＬＳ
Ｍ（Longitudinal Section Magnetic）モードである
が、曲がりの部分やＮＲＤガイドに組み込まれるサーキ
ュレータおよび高周波発振部等では、不要モードのＬＳ
Ｅ（Longitudinal Section Electric）モードが発生
する。このＬＳＥモードを効果的に減衰させ抑制するた
めに、誘電体線路７３の端部にモードサプレッサが設け
られる。

【０００４】そして、従来のモードサプレッサを図３、
図４に示す。これらの図において、１、２は高周波信号
の波長の２分の１の間隔で平行配置された平行平板導
体、３はテフロン（登録商標）、ポリスチレン等から成
る誘電体線路、７はＣｕ箔等からなるＬＳＥモード抑制
用の導体パターン、６は平行平板導体１、２の主面に垂
直でありかつ高周波信号の伝送方向に平行な面で誘電体
線路３の幅方向の略中心に位置する一面内に導体パター
ン７を設けて成るモードサプレッサである。

【０００５】モードサプレッサ６は誘電体線路３の先端
部に配置され、電界成分が誘電体線路３の高周波信号の
伝送方向に平行で平行平板導体１、２の主面に垂直な面
に平行であるＬＳＥモードの電磁波を遮断する。そし
て、導体パターン７部分でＬＳＥモードから変換される
ＴＥＭモードを除去するために、幅の広い部分（幅Ｗ
１）と幅の狭い部分（幅Ｗ２）とが、ＴＥＭモードの電
磁波の波長λｔに対しλｔ／４の幅Ｌで交互に繰り返し
形成された、所謂λｔ／４チョークパターンが施されて
いる（従来例１：特開昭６３−１８５１０１号公報参
照）。

【０００６】また、他の従来例として、ＮＲＤガイドに
おいて、誘電体ストリップ内の上下導体板に対して垂直
でかつ幅方向の中央位置に、信号伝送方向に沿った長さ
が伝送モードの誘電体線路間の波長の１／４以下の導体
ピンを、伝送モードの誘電体線路間の波長の１／４以下
のピッチで配置したことにより、製造特性のばらつきを
均一化させた精度の高いものを低コストに製造可能なも
のが提案されている（従来例２：特開平９−２１９６０
８号公報参照）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例１のモードサプレッサ６では、ＬＳＥモード抑制用
の導体パターン７が位置ずれを起こして平行平板導体
１、２に近づいたときに、高周波信号の伝搬モードの形
が変わるために、ＬＳＥモードの減衰が不十分になると
いう問題点があった。

【０００８】また、従来例２のＮＲＤガイド素子用のモ
ードサプレッサでは、導体ピンが上下方向に露出してい
るが、導体ピンが接触するときと、製造上不可避のすき
まにより接触しないときのＬＳＥモードの減衰特性が大
きく異なるため、製品毎のＬＳＥモードの減衰特性のバ
ラツキが非常に大きくなるという問題点があった。

【０００９】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、ＬＳＥモード抑制用の導
体パターンの位置ズレを未然に検知することによって、
安定した特性を有し、特性バラツキの小さなモードサプ
レッサを提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の非放射性誘電体
線路用のモードサプレッサは、高周波信号の波長の２分
の１以下の間隔で配置した平行平板導体間に配設された
高周波信号伝送用の誘電体線路の内部に、前記平行平板
導体の主面に垂直でありかつ前記高周波信号の伝送方向
に平行な面で前記誘電体線路の幅方向の略中心に位置す
る一面内にＬＳＥモード抑制用の導体パターンを設けて
成る非放射性誘電体線路用のモードサプレッサにおい
て、前記ＬＳＥモード抑制用の導体パターンが設けられ
た一面内の隅部に前記誘電体線路の上面または下面との
間隔が０．０１〜０．５ｍｍの導体マーカが形成されて
いることを特徴とする。

【００１１】本発明は、上記の構成により、目視検査に
よってＬＳＥモード抑制用の導体パターンの位置ズレを
容易に検知することができ、その結果モードサプレッサ
が安定した特性を有するものとなり、その特性バラツキ
を小さくすることができる。また、ＬＳＥモード抑制用
の導体パターンが、その形成位置がずれて平行平板導体
に近づいて、モードサプレッサの減衰特性が劣化する程
度の位置ズレが生じたときに導体マーカが露出するよう
に設定することができる。従って、導体マーカの目視検
査によってＬＳＥモード抑制用の導体パターンの位置ズ
レを検知することができ、より安定した特性を有し、特
性バラツキの小さいモードサプレッサとすることができ
る。

【００１２】本発明において、好ましくは、前記高周波
信号の伝送方向における前記導体マーカと前記ＬＳＥモ
ード抑制用の導体パターンとの距離が１０μｍ以上であ
ることを特徴とする。

【００１３】本発明は、このような構成により、導体マ
ーカの存在によってＬＳＥモード抑制用の導体パターン
のＬＳＥモードの減衰効果を損なうことなく、導体マー
カの目視検査によってＬＳＥモード抑制用の導体パター
ンの位置ズレを検知することができ、さらに安定した特
性を有し、特性バラツキの小さいモードサプレッサとす
ることができる。

【００１４】また、本発明のミリ波送受信器は、送信用
のミリ波信号の波長の２分の１以下の間隔で配置した平
行平板導体間に、高周波発生素子から出力され周波数変
調されるかまたはパルス化されたミリ波信号をミキサー
側へ伝搬させる第１の誘電体線路と、該第１の誘電体線
路に付設され、前記高周波発生素子から出力された高周
波信号を周期的に周波数変調するかまたはパルス化して
送信用のミリ波信号として出力し前記第１の誘電体線路
中を伝搬させるミリ波信号発振部と、前記第１の誘電体
線路に一端側が電磁結合するように近接配置されるかま
たは前記第１の誘電体線路に一端側が接合されて、前記
ミリ波信号の一部をサーキュレータ側へ伝搬させる第２
の誘電体線路と、前記平行平板導体に平行に配設された
フェライト板の周縁部に所定間隔で配置されかつそれぞ
れ前記ミリ波信号の入出力端とされた第１の接続部，第
２の接続部および第３の接続部を有し、一つの前記接続
部から入力された前記ミリ波信号を前記フェライト板の
面内で時計回りまたは反時計回りに隣接する他の接続部
より出力させるサーキュレータであって、前記第２の誘
電体線路の前記ミリ波信号の出力端に前記第１の接続部
が接合されるサーキュレータと、該サーキュレータの前
記第２の接続部に接続され、前記ミリ波信号を伝搬させ
るとともに先端部に送受信アンテナを有する第３の誘電
体線路と、前記送受信アンテナで受信され前記第３の誘
電体線路を伝搬して前記サーキュレータの前記第３の接
続部より出力した受信波をミキサー側へ伝搬させる第４
の誘電体線路と、前記第１の誘電体線路の中途と前記第
４の誘電体線路の中途とを近接させて電磁結合させるか
または接合させて成り、前記ミリ波信号の一部と受信波
とを混合させて中間周波信号を発生させるミキサー部
と、を設けたミリ波送受信器において、前記第１の誘電
体線路の前記ミリ波信号発振部との接続部、および前記
第２の誘電体線路・前記第３の誘電体線路・前記第４の
誘電体線路の前記サーキュレータとの接続部側の端部
に、それぞれ本発明のモードサプレッサを設けたことを
特徴とする。

【００１５】本発明のミリ波送受信器は、上記構成によ
り、不要モードであるＬＳＥモードの電磁波を安定に減
衰することができ、また送信波の一部がサーキュレータ
を介してミキサーへ混入する量が減少し、その結果ミリ
波レーダー等に適用した場合にミリ波信号の伝送特性に
優れ、受信波のノイズを低減してその探知距離を増大し
得るものとなる。

【００１６】また、本発明のミリ波送受信器は、送信用
のミリ波信号の波長の２分の１以下の間隔で配置した平
行平板導体間に、高周波発生素子から出力され周波数変
調されるかまたはパルス化されたミリ波信号を伝搬させ
る第１の誘電体線路と、該第１の誘電体線路に付設さ
れ、前記高周波発生素子から出力された高周波信号を周
期的に周波数変調するかまたはパルス化して送信用のミ
リ波信号として出力し前記第１の誘電体線路中を伝搬さ
せるミリ波信号発振部と、前記第１の誘電体線路に一端
側が電磁結合するように近接配置されるかまたは前記第
１の誘電体線路に一端側が接合されて、前記ミリ波信号
の一部をミキサー側へ伝搬させる第２の誘電体線路と、
前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周
縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波信号
の入出力端とされた第１の接続部，第２の接続部および
第３の接続部を有し、一つの前記接続部から入力された
前記ミリ波信号を前記フェライト板の面内で時計回りま
たは反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサ
ーキュレータであって、前記第１の誘電体線路の前記ミ
リ波信号の出力端に前記第１の接続部が接合されるサー
キュレータと、該サーキュレータの第２の接続部に接続
され、前記ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送
信アンテナを有する第３の誘電体線路と、先端部に受信
アンテナ、他端部にミキサーが各々設けられた第４の誘
電体線路と、前記サーキュレータの前記第３の接続部に
接続され、前記送信アンテナで受信したミリ波信号を伝
搬させるとともに、先端部に設けられた無反射終端部で
受信したミリ波信号を減衰させる第５の誘電体線路と、
前記第２の誘電体線路の中途と前記第４の誘電体線路の
中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させて
成り、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて中間周
波信号を発生させるミキサー部と、を設けたミリ波送受
信器において、前記第１の誘電体線路の前記ミリ波信号
発振部との接続部、および前記第１の誘電体線路・前記
第３の誘電体線路・前記第５の誘電体線路の前記サーキ
ュレータとの接続部側の端部に、それぞれ本発明のモー
ドサプレッサを設けたことを特徴とする。

【００１７】本発明のミリ波送受信器は、このような構
成により、不要モードであるＬＳＥモードの電磁波を効
果的に減衰することができ、また送信アンテナで受信し
たミリ波信号がミリ波信号発振部へ混入することがな
く、従ってミリ波レーダーモジュールに適用した場合ミ
リ波信号の伝送特性に優れ、ノイズが低減してその探知
距離が増大したものとなる。

【００１８】また、上記構成のミリ波送受信器におい
て、前記第２の誘電体線路は、前記第３の誘電体線路に
一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは前
記第３の誘電体線路に一端側が接合されて、前記ミリ波
信号の一部をミキサー側へ伝搬させるように配置される
ように構成することもできる。この場合にも、上記と同
様の作用効果を奏する。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明のＮＲＤガイド用のモード
サプレッサ、およびそれを用いたミリ波送受信器として
のミリ波レーダーモジュールについて以下に説明する。
図１、図２は本発明のモードサプレッサを示すものであ
り、これらの図において、１、２は高周波信号の波長の
２分の１の間隔で平行配置された平行平板導体、３はテ
フロン、ポリスチレン、セラミックス等から成る誘電体
線路、７ａはＬＳＥモード抑制用の導体パターン、７ｂ
は導体マーカ、８は導体パターン７ａと導体マーカ７ｂ
を内部に設けたモードサプレッサある。なお、ここでい
う波長は使用周波数における空気中（自由空間）での波
長である。

【００２０】本発明の導体パターン７ａおよび導体マー
カ７ｂは、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ等から成り、平行平板導体
１、２の主面に垂直でありかつ高周波信号の伝送方向に
平行な面で誘電体線路３の幅方向の略中心に位置する一
面内に配設されたものである。そして、モードサプレッ
サ８は、電界成分が誘電体線路３の伝送方向に平行であ
りかつ平行平板導体１、２の主面に垂直な面に平行な方
向であるＬＳＥモードの電磁波を遮断する。

【００２１】これら導体パターン７ａおよび導体マーカ
７ｂは、導体パターン７ａのパターン形成用のマスクに
導体マーカ７ｂのパターンを形成しておき、導体パター
ン７ａのパターン形成時に同時に導体マーカ７ｂのパタ
ーンを形成すればよい。あるいは、導体パターン７ａの
パターン形成後に、そのパターンに位置合わせして導体
マーカ７ｂのパターンを形成してもよい。このようにし
て、導体マーカ７ｂは導体パターン７ａに対して正確に
位置合わせされた状態で形成される。

【００２２】本発明では、導体マーカ７ｂとそれに近い
平行平板導体１、２との間隔ｂが、導体パターン７ａと
それに近い平行平板導体１、２との間隔ａよりも小さく
されている。これにより、導体パターン７ａが上下方向
にずれた場合に、導体マーカ７ｂがモードサプレッサ８
部の誘電体線路の上面または下面に先に露出することに
なり、導体パターン７ａの正確な位置ズレを検知でき
る。

【００２３】本発明においては、導体マーカ７ｂと誘電
体線路の上面または下面との間隔ｂが０．０１〜０．５
ｍｍである。０．０１ｍｍ未満では、導体マーカ７ｂに
にじみが生じて露出の判別が難しくなり、０．５ｍｍを
超えると、導体パターン７ａの位置ズレ量が大きくな
り、平行平板導体１、２に近づいて、高周波信号の伝搬
モードの形が変わるため、ＬＳＥモードの減衰が不十分
になる。より好ましくは、間隔ｂは０．１〜０．３ｍｍ
である。

【００２４】また、高周波信号の伝送方向における導体
マーカと導体パターン７ａとの距離ｄが１０μｍ以上で
あることが好ましい。距離ｄが１０μｍ未満では、導体
パターン７ａでの電界分布等の伝搬モードの形に影響を
及ぼし、導体パターン７ａの減衰効果を損なうこととな
る。より好ましくは、距離ｄは２０μｍ以上がよい。

【００２５】導体パターン７ａおよび導体マーカ７ｂの
材質は、高い電気伝導度を有する点で、Ｃｕ，Ａｌ，Ｆ
ｅ，ＳＵＳ（ステンレススチール），Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ
等が好ましい。導体パターン７ａのパターンとしては、
図２のような、高周波信号の伝送方向に延びるように形
成された、λｔ／４（λｔはＴＥＭモードの電磁波の波
長）チョークパターンの他に、高周波信号の伝送方向に
沿って所定の繰り返し間隔をおいて複数設けられたパタ
ーン等でもよい。

【００２６】導体マーカ７ｂの形状は、図２に示すよう
な長方形、正方形が好ましいが、円形、楕円形等種々の
形状とし得る。導体マーカ７ｂの個数は、１個以上であ
れば何個でもよいが、図２のように導体パターン７ａの
形成面の４つの隅部に形成するのがよく、導体パターン
７ａの位置ずれを検知するのが容易であるうえ、必要以
上に設ける手間が省ける。導体マーカ７ｂは、目視検査
の時にこれが露出しているかどうかを判別できるために
は、平行平板導体１、２に平行な方向の長さｃは０．０
１ｍｍ以上であるのが良い。より好ましくは肉眼で検査
が容易にできる０．０５ｍｍ以上が良い。

【００２７】導体パターン７ａおよび導体マーカ７ｂの
厚さは０．１ｍｍ以下であることが好ましい。導体パタ
ーン７ａの厚さが０．１ｍｍを超えると、ＬＳＭモード
の電磁波が反射され易くなり、その透過損失が増大す
る。より好ましくは、導体パターン７ａの厚さは５μｍ
以上が良く、５μｍ未満では、導体パターン７ａのパタ
ーンが所定通りに形成できなくなったり、導体マーカ７
ｂが露出しても検出できないことがある。

【００２８】このようなモードサプレッサ８用の導体パ
ターン７ａは、Ｃｕ等の金属粒子を含有する金属ペース
トを印刷塗布し焼成する方法、または蒸着法，スパッタ
リング法，ＣＶＤ法等の薄膜形成法により被着させるこ
とで形成される。また、導体パターン７ａを薄い導体板
として、誘電体線路３の端部を半割りしてその内面に接
着させる、または誘電体線路３の端部に形成された溝内
に嵌め込むか配置することによって設けてもよい。ま
た、モードサプレッサ８の作製および組み込みについて
は、誘電体線路３とモードサプレッサ８とを別個に作製
し、平行平板導体２上に位置合わせして設置するか、誘
電体線路３とモードサプレッサ８とを接着した後平行平
板導体２上に設置してもよい。

【００２９】本発明において、誘電体線路３の材料は、
テフロン、ポリスチレン等の樹脂系誘電体材料、または
低比誘電率のコーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ₂Ｏ₃
・５ＳｉＯ₂）セラミックス、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）セ
ラミックス、ガラスセラミックス、フォルステライト
（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）セラミックス等のセラミックス
が好ましく、これらは高周波帯域において低損失であ
る。特に、誘電特性、加工性、強度、小型化、信頼性等
の点で、コーディエライトセラミックスから成るのが好
ましい。さらに、コーディエライトセラミックスに対
し、Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｄｙ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる少なくとも
１種の元素を含有させることにより、Ｑ値等の誘電特性
を向上させ、低損失で高周波信号を伝送し得る。

【００３０】また本発明のモードサプレッサ８は、誘電
体線路３においてＬＳＥモード等の不要モードが発生し
易い、サーキュレータや発振部等との接続部に設けられ
る。

【００３１】本発明でいう高周波帯域は、数〜数１００
ＧＨｚ帯域のマイクロ波帯域およびミリ波帯域に相当
し、例えば１０ＧＨｚ以上、特に３０ＧＨｚ以上、更に
は７０ＧＨｚ以上の高周波帯域が好適である。

【００３２】本発明のＮＲＤガイド用の平行平板導体
１、２は、高い電気伝導度および加工性等の点で、Ｃ
ｕ，Ａｌ，Ｆｅ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，ＳＵＳ（ステンレ
ススチール），真鍮（Ｃｕ−Ｚｎ合金）等の導体板、あ
るいはセラミックス，樹脂等から成る絶縁板の表面にこ
れらの導体層を形成したものでもよい。

【００３３】また、本発明のＮＲＤガイドは、高周波発
生素子としてガンダイオード等の高周波ダイオードを組
み込むことによって、無線ＬＡＮ、自動車のミリ波レー
ダ等に使用されるものであり、例えば自動車の周囲の障
害物および他の自動車に対しミリ波を照射し、反射波を
元のミリ波と合成して中間周波信号を得、この中間周波
信号を分析することにより障害物および他の自動車まで
の距離、それらの移動速度等が測定できる。

【００３４】かくして、本発明のＮＲＤガイド用のモー
ドサプレッサは、ＬＳＥモード抑制用の導体パターンの
位置ずれがあってもそれを未然に検知することによっ
て、安定した特性が得られ、特性バラツキが小さくなる
という作用効果を有する。

【００３５】次に、本発明のミリ波送受信器としてのミ
リ波レーダーモジュールについて以下に説明する。図６
〜図９は本発明のミリ波レーダーモジュールについて示
すものであり、図６は送信アンテナと受信アンテナが一
体化されたものの平面図、図７は送信アンテナと受信ア
ンテナが独立したものの平面図、図８はミリ波信号発振
部の斜視図、図９はミリ波信号発振部用の可変容量ダイ
オード（バラクタダイオード）を設けた配線基板の斜視
図である。

【００３６】図６において、１１は本発明の一方の平行
平板導体（他方は省略する）、１２は第１の誘電体線路
２０の一端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振部
であり、バイアス電圧印加方向が高周波信号の電界方向
に合致するように、第１の誘電体線路２０の高周波ダイ
オード（高周波発生素子）近傍に配置された可変容量ダ
イオードのバイアス電圧を周期的に制御して、三角波，
正弦波等とすることにより、周波数変調した送信用のミ
リ波信号として出力する。

【００３７】２０は、高周波発生素子としてのガンダイ
オード等の高周波ダイオードから出力された高周波信号
が変調されたミリ波信号を伝搬させる第１の誘電体線路
であり、その他端側はミキサー部１６に接続される。１
４は、第２，第３，第４の誘電体線路２１，２２，２３
にそれぞれ接続される第１，第２，第３接続部（図示せ
ず）を有する、２枚のフェライト円板から成るサーキュ
レータ、２２は、サーキュレータ１４の第２の接続部に
接続され、ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送
受信アンテナ１５を有する第３の誘電体線路、１５は、
第３の誘電体線路２２の先端をテーパー状とすることに
より設けられた送受信アンテナである。

【００３８】なお、送受信アンテナ１５は、平行平板導
体１１に形成された貫通孔を通して高周波信号を入力ま
たは出力させ、平行平板導体１１の外面に貫通孔に接続
された金属導波管を介して設置されたホーンアンテナ等
であってもよい。

【００３９】また２３は、送受信アンテナ１５で受信さ
れ第３の誘電体線路２２を伝搬してサーキュレータ１４
の第３の接続部より出力した受信波をミキサー部１６側
へ伝搬させる第４の誘電体線路である。

【００４０】そして、第１の誘電体線路２０のミリ波信
号発振部１２側の一端側と第２の誘電体線路２１の一端
側とが電磁結合するように近接配置されるか、または第
１の誘電体線路２０の一端側が第２の誘電体線路２１の
一端側に接合されることにより、ミリ波信号の一部をサ
ーキュレータ１４側へ伝搬させる。

【００４１】また、１７は、第２の誘電体線路２１のサ
ーキュレータ１４と反対側の一端部に設けられた無反射
終端部（ターミネータ）である。また、１６は、第１の
誘電体線路２０の中途と第４の誘電体線路２３の中途を
近接させて電磁結合させるか、または接合させることに
より、ミリ波信号の一部と受信波を混合させて中間周波
信号を発生させるミキサー部である。

【００４２】このような構成において、第１の誘電体線
路２０のミリ波信号発振部１２との接続部側の端部、お
よび第２の誘電体線路２１・第３の誘電体線路２２・第
４の誘電体線路２３のサーキュレータ１４との接続部側
の端部に、上記本発明のモードサプレッサ１８を設けて
いる。

【００４３】そして、これらの各種部品は、ミリ波信号
の波長の２分の１以下の間隔で配置した平行平板導体１
１、１１間に設けられている。

【００４４】図６のものにおいて、第１の誘電体線路２
０の中途に、図９に示したものと同様に構成したスイッ
チを設けることで、パルス化されたミリ波信号を発振す
ることもできる。例えば、図９のように、配線基板５８
の一主面に第２のチョーク型バイアス供給線路６０を形
成し、その中途に半田実装されたビームリードタイプの
ＰＩＮダイオードやショットキーバリアダイオードを設
けたスイッチである。

【００４５】また、本発明のミリ波レーダーモジュール
の他の実施の形態として、送信アンテナと受信アンテナ
を独立させた図７のタイプがある。同図において、３１
は本発明の一方の平行平板導体（他方は省略する）、３
２は第１の誘電体線路３３の一端に設けられた電圧制御
型のミリ波信号発振部であり、バイアス電圧印加方向が
高周波信号の電界方向に合致するように第１の誘電体線
路３３の高周波ダイオード近傍に配置された可変容量ダ
イオードのバイアス電圧を周期的に制御して、三角波，
正弦波等とすることにより、周波数変調した送信用のミ
リ波信号として出力する。

【００４６】３３は、高周波ダイオードから出力された
高周波信号が周波数変調されたミリ波信号を伝搬させる
第１の誘電体線路、３４は、第１，第３，第５の誘電体
線路３３，３５，３７にそれぞれ接続される第１，第
２，第３の接続部（図示せず）を有する、２枚のフェラ
イト円板３４ａから成るサーキュレータである。３５
は、サーキュレータ３４の第２の接続部に接続され、ミ
リ波信号を伝搬させるとともに先端部に送信アンテナ３
６を有する第３の誘電体線路、３６は、第３の誘電体線
路３５の先端をテーパー状等にすることにより設けられ
た送信アンテナ、３７は、サーキュレータ３４の第３の
接続部に接続され、送信アンテナ３６で受信したミリ波
信号を減衰させる無反射終端部３７ａが先端に設けられ
た第５の誘電体線路である。

【００４７】また３８は、第１の誘電体線路３３に一端
側が電磁結合するように近接配置されるか、または第１
の誘電体線路３３に一端側が接合されて、ミリ波信号の
一部をミキサー部４１側へ伝搬させる第２の誘電体線
路、３８ａは、第２の誘電体線路３８のミキサー部４１
と反対側の一端部に設けられた無反射終端部、３９は、
受信アンテナ４０で受信された受信波をミキサー部４１
側へ伝搬させる第４の誘電体線路である。また、４２
は、第２の誘電体線路３８の中途と第４の誘電体線路３
９の中途を近接させて電磁結合させるか、または接合さ
せることにより、ミリ波信号の一部と受信波とを混合さ
せて中間周波信号を発生させるミキサー部である。

【００４８】なお、送信アンテナ３６および受信アンテ
ナ４０は、平行平板導体３１に形成された貫通孔を通し
て高周波信号を入力または出力させ、平行平板導体３１
の外面に貫通孔に接続された金属導波管を介して設置さ
れたホーンアンテナ等であってもよい。

【００４９】上記構成において、第１の誘電体線路３３
のミリ波信号発振部３２との接続部側の端部、および第
１の誘電体線路３３・第３の誘電体線路３５・第５の誘
電体線路３７のサーキュレータ３４との接続部側の端部
に、本発明のモードサプレッサ４３を設けている。

【００５０】そして、これらの各種部品は、ミリ波信号
の波長の２分の１以下の間隔で配置した平行平板導体間
に設けられる。

【００５１】この図７のものにおいて、第１の誘電体線
路３３または第３の誘電体線路３５の中途に、図９に示
したものと同様に構成したスイッチを設けることで、パ
ルス化されたミリ波信号を発振することもできる。例え
ば、図９のように、配線基板５８の一主面に第２のチョ
ーク型バイアス供給線路６０を形成し、その中途に半田
実装されたビームリードタイプのＰＩＮダイオードやシ
ョットキーバリアダイオードを設けたスイッチである。

【００５２】なお、図７の構成において、第２の誘電体
線路３８は、第３の誘電体線路３５に一端側が電磁結合
するように近接配置されるか、または第３の誘電体線路
３５に一端側が接合されて、ミリ波信号の一部をミキサ
ー部４１側へ伝搬させるように、配置されていてもよ
い。

【００５３】また、これらのミリ波レーダーモジュール
において、平行平板導体間の間隔は、ミリ波信号の空気
中での波長であって、使用周波数での波長の２分の１以
下となる。

【００５４】図６，図７のミリ波レーダーモジュール用
のミリ波信号発振部１２，３２を図８，図９に示す。こ
れらの図において、５２は、ガンダイオード素子５３を
設置（マウント）するための略直方体の金属ブロック等
の金属部材、５３は、ミリ波を発振する高周波ダイオー
ドの１種であるガンダイオード素子、５４は、金属部材
５２の一側面に設置され、ガンダイオード素子５３にバ
イアス電圧を供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐ
ローパスフィルタとして機能するチョーク型バイアス供
給線路５４ａを形成した配線基板、５５は、チョーク型
バイアス供給線路５４ａとガンダイオード素子５３の上
部導体とを接続する金属箔リボン等の帯状導体、５６
は、誘電体の基体に共振用の金属ストリップ線路５６ａ
を設けた金属ストリップ共振器、５７は、金属ストリッ
プ共振器５６により共振した高周波信号をミリ波信号発
振部外へ導く誘電体線路である。

【００５５】さらに、誘電体線路５７の中途には、周波
数変調用ダイオードであって可変容量ダイオードの１種
であるバラクタダイオード５０を装荷した配線基板５８
を設置している。このバラクタダイオード５０のバイア
ス電圧印加方向は、誘電体線路５７での高周波信号の伝
搬方向に垂直かつ平行平板導体の主面に平行な方向（電
界方向）とされている。また、バラクタダイオード５０
のバイアス電圧印加方向は、誘電体線路５７中を伝搬す
るＬＳＭ₀₁モードの高周波信号の電界方向と合致してお
り、これにより高周波信号とバラクタダイオード５０と
を電磁結合させ、バイアス電圧を制御することによりバ
ラクタダイオード５０の静電容量を変化させることで、
高周波信号の周波数を制御できる。また、５９は、バラ
クタダイオード５０と誘電体線路５７とのインピーダン
ス整合をとるための高比誘電率の誘電体板である。

【００５６】また図９に示すように、配線基板５８の一
主面には第２のチョーク型バイアス供給線路６０が形成
され、第２のチョーク型バイアス供給線路６０の中途に
ビームリードタイプのバラクタダイオード５０が配置さ
れる。第２のチョーク型バイアス供給線路６０のバラク
タダイオード５０との接続部には、接続用の電極５１が
形成されている。

【００５７】そして、ガンダイオード素子５３から発振
された高周波信号は、金属ストリップ共振器５６を通し
て誘電体線路５７に導出される。次いで、高周波信号の
一部はバラクタダイオード５０部で反射されてガンダイ
オード素子５３側へ戻る。この反射信号がバラクタダイ
オード５０の静電容量の変化に伴って変化し、発振周波
数が変化する。

【００５８】また、図６，図７のミリ波レーダーモジュ
ールはＦＭＣＷ（Frequency Modulation Cotinuous
Waves）方式、パルス方式等であり、ＦＭＣＷ方式の場
合その動作原理は以下のようなものである。ミリ波信号
発振部の変調信号入力用のＭＯＤＩＮ端子に、電圧振幅
の時間変化が三角波，正弦波等となる入力信号を入力
し、その出力信号を周波数変調し、ミリ波信号発振部の
出力周波数偏移を三角波，正弦波等になるように偏移さ
せる。そして、送受信アンテナ１５，送信アンテナ３６
より出力信号（送信波）を放射した場合、送受信アンテ
ナ１５，送信アンテナ３６の前方にターゲットが存在す
ると、電波の伝搬速度の往復分の時間差をともなって、
反射波（受信波）が戻ってくる。この時、ミキサー部１
６，４１の出力側のＩＦＯＵＴ端子には、送信波と受信
波の周波数差が出力される。

【００５９】このＩＦＯＵＴ端子の出力周波数等の周波
数成分を解析することで、Ｆif＝４Ｒ・ｆｍ・Δｆ／ｃ
（Fif：ＩＦ出力周波数，Ｒ：距離，ｆｍ：変調周波
数，Δｆ：周波数偏移幅，ｃ：光速）という関係式から
距離を求めることができる。

【００６０】本発明のミリ波信号発振部において、チョ
ーク型バイアス供給線路５４ａおよび帯状導体５５の材
料は、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃ
ｒ，Ｐｄ，Ｐｔ等から成り、特にＣｕ，Ａｇが、電気伝
導度が良好であり、損失が小さく、発振出力が大きくな
るといった点で好ましい。

【００６１】また、帯状導体５５は金属部材５２の表面
から所定間隔をあけて金属部材５２と電磁結合してお
り、チョーク型バイアス供給線路５４ａとガンダイオー
ド素子５３間に架け渡されている。即ち、帯状導体５５
の一端はチョーク型バイアス供給線路５４ａの一端に半
田付け等により接続され、帯状導体５５の他端はガンダ
イオード素子５３の上部導体に半田付け等により接続さ
れており、帯状導体５５の接続部を除く中途部分は宙に
浮いた状態となっている。

【００６２】そして、金属部材５２は、ガンダイオード
素子５３の電気的な接地（アース）を兼ねているため金
属導体であれば良く、その材料は金属（合金を含む）導
体であれば特に限定するものではなく、真鍮（黄銅：Ｃ
ｕ−Ｚｎ合金），Ａｌ，Ｃｕ，ＳＵＳ（ステンレススチ
ール），Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ等から成る。また金属部材５
２は、全体が金属から成る金属ブロック、セラミックス
やプラスチック等の絶縁基体の表面全体または部分的に
金属メッキしたもの、絶縁基体の表面全体または部分的
に導電性樹脂材料等をコートしたものであっても良い。

【００６３】かくして、本発明のミリ波送受信器として
の図６のミリ波レーダーモジュールは、ＬＳＥモードお
よびＴＥＭモード等の不要モードの電磁波を安定に減衰
し得、その結果探知距離を増大し得る。また、図７のも
のでは、ＬＳＥモードおよびＴＥＭモード等の不要モー
ドの電磁波を安定に減衰し得、また送信用のミリ波信号
がサーキュレータを介してミキサーへ混入することがな
く、従ってミリ波信号の伝送特性に優れ、受信信号のノ
イズが低減しさらに探知距離が増大し得る。

【００６４】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内におい
て種々の変更を行うことは何等差し支えない。

【００６５】

【実施例】本発明のＮＲＤガイド用のモードサプレッサ
の実施例について以下に説明する。

【００６６】（実施例１）図１および図２のモードサプ
レッサ８を以下のようにして構成した。ＳｉＯ₂を４４
重量％、Ａｌ₂Ｏ₃を２９重量％、ＭｇＯを１１重量％、
ＺｎＯを７重量％、Ｂ₂Ｏ₃を９重量％含有し、かつ平均
粒径１．５〜２．５μｍのガラスに対して、ＳｉＯ₂を
１５重量部、ＺｎＯを１０重量部添加するために、平均
粒径１．５〜２．５μｍのセラミックフィラーを加えた
混合粉末を作製した。この混合粉末に有機樹脂バインダ
および溶剤を添加混合してスラリーを作製した後、ドク
ターブレード法によってシート状に成形した。

【００６７】そのシートの表面に、図２に示すようなパ
ターン（ａ＝０．４ｍｍ、ｂ＝０．２ｍｍ、ｃ＝０．３
ｍｍ、ｄ＝１ｍｍ）となるように、Ｃｕペーストをスク
リーン印刷法により印刷塗布してＬＳＥモード抑制用の
導体パターン７ａと導体マーカ７ｂを被着させた。さら
にその表面に、上記と同様にして作製したシートを積層
させた。得られた積層体を、非酸化性雰囲気中で８５０
〜１０００℃で焼成した後、高さ（ｗ）１．８ｍｍ，長
さ（ｌ）５．５ｍｍにカットしてモードサプレッサ８を
作製した。

【００６８】そして、平行平板導体１、２として、厚さ
６ｍｍの２枚のＡｌ板を１．８ｍｍの間隔で配置し、そ
れらの間に、断面形状が１．８ｍｍ（高さ）×０．８ｍ
ｍ（幅）の矩形状であり比誘電率４．８のコーディエラ
イトセラミックスから成る誘電体線路３と、この誘電体
線路３の端部に接続されたモードサプレッサ８とを設置
した。

【００６９】このモードサプレッサ８についてＬＳＥモ
ードの減衰特性を評価した。このとき、ＬＳＭモードで
励振された電磁波をＬＳＥモードに変換し、またＬＳＭ
モードに変換するＮＲＤガイド、例えば、ＬＳＭモード
が伝搬する誘電体線路の端部にその伝送方向と直角に他
の誘電体線路を接続してＬＳＥモードに変換し、他の誘
電体線路の他方の端部にその伝送方向と直角にさらに他
の誘電体線路を接続してＬＳＭモードに変換する、とい
った構成のものを作製した。ＬＳＥモードが伝送する部
分にモードサプレッサ８を挿入して、ネットワークアナ
ライザを用いて７５〜８５ＧＨｚでの透過特性（Ｓ₂₁）
を測定した結果を図５に示す。図５より、７６〜７７Ｇ
Ｈｚにおいて、１５ｄＢ以上（３８ｄＢ程度）の優れた
減衰特性が得られた。 （実施例２）ＬＳＥモード抑制用の導体パターン７ａお
よび導体マーカ７ｂを、それらの形成面の中心から上方
向に０．１５ｍｍずらして形成した以外は上記実施例１
と同様に作製した。このとき、導体マーカ７ｂはモード
サプレッサ８の上面に露出していなかった。上記実施例
１と同様に測定した結果を図５に示す。図５より、７６
〜７７ＧＨｚにおいて１５ｄＢ以上（３５ｄＢ程度）の
減衰特性が得られた。 （比較例）ＬＳＥモード抑制用の導体パターン７ａおよ
び導体マーカ７ｂを、それらの形成面の中心から上方向
に０．２ｍｍずらして形成した以外は上記実施例１と同
様に作製した。このとき、導体マーカ７ｂはモードサプ
レッサ８の上面に露出していた。上記実施例１と同様に
測定した結果を図５に示す。図５より、７６〜７７ＧＨ
ｚにおいて減衰特性が９〜１６ｄＢと劣化している。

【００７０】このように、本実施例１，２のものは比較
例に比べ、減衰特性が良好であった。従って、導体マー
カ７ｂが露出しているかどうかを検査することにより、
ＬＳＥモード抑制用の導体パターン７ａの位置ズレを未
然に検知し、安定した特性を有し、特性バラツキが小さ
いものを作製できることが判った。

【００７１】

【発明の効果】本発明は、高周波信号の波長の２分の１
以下の間隔で配置した平行平板導体間に配設された高周
波信号伝送用の誘電体線路の内部に、平行平板導体の主
面に垂直でありかつ高周波信号の伝送方向に平行な面で
誘電体線路の幅方向の略中心に位置する一面内にＬＳＥ
モード抑制用の導体パターンを設けて成り、ＬＳＥモー
ド抑制用の導体パターンが設けられた一面内の隅部に誘
電体線路の上面または下面との間隔が０．０１〜０．５
ｍｍの導体マーカが形成されていることにより、導体マ
ーカをＬＳＥモード抑制用の導体パターンの位置ズレ検
知用のマーカーとして用いることができるため、ＬＳＥ
モード抑制用の導体パターンの位置ズレを未然に検知す
ることができる。その結果、ＬＳＥモードを安定に減衰
することができ、特性バラツキが小さいモードサプレッ
サとすることができる。

【００７２】また、ＬＳＥモード抑制用の導体パターン
が平行平板導体に近づいて伝送特性が劣化する程度の位
置ズレが生じたときに、導体マーカが誘電体線路の上下
面に露出するように設定することで、ＬＳＥモード抑制
用の導体パターンの位置ズレを検知することができ、よ
り安定した特性を有し、特性バラツキの小さいものとす
ることができる。

【００７３】また本発明は、好ましくは、高周波信号の
伝送方向における導体マーカとＬＳＥモード抑制用の導
体パターンとの距離が１０μｍ以上であることによっ
て、導体マーカの存在によってＬＳＥモード抑制用の導
体パターンの減衰効果を損なうことなく、ＬＳＥモード
抑制用の導体パターンの位置ズレを検知することがで
き、さらに安定した特性を有し、特性バラツキが小さい
ものとなる。

【００７４】また、本発明の送受信アンテナを有するミ
リ波送受信器は、本発明のモードサプレッサを用いるこ
とにより、不要モードであるＬＳＥモードの電磁波を安
定に減衰することができ、送信用のミリ波信号がサーキ
ュレータを介してミキサーへ混入する量が減少し、その
結果ミリ波レーダーモジュール等に適用した場合、ミリ
波信号の伝送特性に優れ、受信信号のノイズが減少して
その探知距離を増大するものとなる。

【００７５】また、本発明の送信アンテナと受信アンテ
ナが独立したミリ波送受信器は、本発明のモードサプレ
ッサを用いることにより、不要モードであるＬＳＥモー
ドの電磁波を安定に減衰することができ、また送信アン
テナで受信したミリ波信号がミリ波信号発振部へ混入す
ることがなく、従ってミリ波レーダーモジュール等に適
用した場合、ミリ波信号の伝送特性に優れ、発振ノイズ
が低減してその探知距離が増大するものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のモードサプレッサを有するＮＲＤガイ
ドの内部を一部透視したものの斜視図である。

【図２】図１のモードサプレッサ用のＬＳＥモード抑制
用の導体パターンおよび導体マーカのパターンを示す側
面図である。

【図３】従来のモードサプレッサを有するＮＲＤガイド
の内部を一部透視したものの斜視図である。

【図４】図３のモードサプレッサ用のＬＳＥモード抑制
用の導体パターンのパターンを示す側面図である。

【図５】本発明のモードサプレッサについて、ＬＳＥモ
ードの透過特性を測定した結果のグラフである。

【図６】本発明のミリ波レーダーモジュールについて実
施の形態の例を示す平面図である。

【図７】本発明のミリ波レーダーモジュールについて実
施の形態の他の例を示す平面図である。

【図８】本発明のミリ波レーダーモジュールにおける電
圧制御型のミリ波信号発振部の斜視図である。

【図９】図９のミリ波信号発振部用のバラクタダイオー
ドを設けた配線基板の斜視図である。

【図１０】従来のＮＲＤガイドの基本構成を示す部分透
視斜視図である。

【符号の説明】

１：平行平板導体 ２：平行平板導体 ３：誘電体線路 ７ａ：ＬＳＥモード抑制用の導体パターン ７ｂ：導体マーカ ８：モードサプレッサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J012 CA01 5J014 HA06 5K011 AA16 BA03 BA04 BA09 BA10 DA02 DA03 DA24 JA00 KA13

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波信号の波長の２分の１以下の間隔
   で配置した平行平板導体間に配設された高周波信号伝送
   用の誘電体線路の内部に、前記平行平板導体の主面に垂
   直でありかつ前記高周波信号の伝送方向に平行な面で前
   記誘電体線路の幅方向の略中心に位置する一面内にＬＳ
   Ｅモード抑制用の導体パターンを設けて成る非放射性誘
   電体線路用のモードサプレッサにおいて、前記ＬＳＥモ
   ード抑制用の導体パターンが設けられた一面内の隅部に
   前記誘電体線路の上面または下面との間隔が０．０１〜
   ０．５ｍｍの導体マーカが形成されていることを特徴と
   する非放射性誘電体線路用のモードサプレッサ。
2. 【請求項２】 前記高周波信号の伝送方向における前記
   導体マーカと前記ＬＳＥモード抑制用の導体パターンと
   の距離が１０μｍ以上であることを特徴とする請求項１
   記載の非放射性誘電体線路用のモードサプレッサ。
3. 【請求項３】 送信用のミリ波信号の波長の２分の１以
   下の間隔で配置した平行平板導体間に、 高周波発生素子から出力され周波数変調されるかまたは
   パルス化されたミリ波信号をミキサー側へ伝搬させる第
   １の誘電体線路と、 該第１の誘電体線路に付設され、前記高周波発生素子か
   ら出力された高周波信号を周期的に周波数変調するかま
   たはパルス化して送信用のミリ波信号として出力し前記
   第１の誘電体線路中を伝搬させるミリ波信号発振部と、 前記第１の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近
   接配置されるかまたは前記第１の誘電体線路に一端側が
   接合されて、前記ミリ波信号の一部をサーキュレータ側
   へ伝搬させる第２の誘電体線路と、 前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周
   縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波信号
   の入出力端とされた第１の接続部，第２の接続部および
   第３の接続部を有し、一つの前記接続部から入力された
   前記ミリ波信号を前記フェライト板の面内で時計回りま
   たは反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサ
   ーキュレータであって、前記第２の誘電体線路の前記ミ
   リ波信号の出力端に前記第１の接続部が接合されるサー
   キュレータと、 該サーキュレータの前記第２の接続部に接続され、前記
   ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送受信アンテ
   ナを有する第３の誘電体線路と、 前記送受信アンテナで受信され前記第３の誘電体線路を
   伝搬して前記サーキュレータの前記第３の接続部より出
   力した受信波をミキサー側へ伝搬させる第４の誘電体線
   路と、 前記第１の誘電体線路の中途と前記第４の誘電体線路の
   中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させて
   成り、前記ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて中
   間周波信号を発生させるミキサー部と、を設けたミリ波
   送受信器において、 前記第１の誘電体線路の前記ミリ波信号発振部との接続
   部、および前記第２の誘電体線路・前記第３の誘電体線
   路・前記第４の誘電体線路の前記サーキュレータとの接
   続部側の端部に、それぞれ請求項１または請求項２記載
   のモードサプレッサを設けたことを特徴とするミリ波送
   受信器。
4. 【請求項４】 送信用のミリ波信号の波長の２分の１以
   下の間隔で配置した平行平板導体間に、 高周波発生素子から出力され周波数変調されるかまたは
   パルス化されたミリ波信号を伝搬させる第１の誘電体線
   路と、 該第１の誘電体線路に付設され、前記高周波発生素子か
   ら出力された高周波信号を周期的に周波数変調するかま
   たはパルス化して送信用のミリ波信号として出力し前記
   第１の誘電体線路中を伝搬させるミリ波信号発振部と、 前記第１の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近
   接配置されるかまたは前記第１の誘電体線路に一端側が
   接合されて、前記ミリ波信号の一部をミキサー側へ伝搬
   させる第２の誘電体線路と、 前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周
   縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波信号
   の入出力端とされた第１の接続部，第２の接続部および
   第３の接続部を有し、一つの前記接続部から入力された
   前記ミリ波信号を前記フェライト板の面内で時計回りま
   たは反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサ
   ーキュレータであって、前記第１の誘電体線路の前記ミ
   リ波信号の出力端に前記第１の接続部が接合されるサー
   キュレータと、 該サーキュレータの第２の接続部に接続され、前記ミリ
   波信号を伝搬させるとともに先端部に送信アンテナを有
   する第３の誘電体線路と、 先端部に受信アンテナ、他端部にミキサーが各々設けら
   れた第４の誘電体線路と、 前記サーキュレータの前記第３の接続部に接続され、前
   記送信アンテナで受信したミリ波信号を伝搬させるとと
   もに、先端部に設けられた無反射終端部で受信したミリ
   波信号を減衰させる第５の誘電体線路と、 前記第２の誘電体線路の中途と前記第４の誘電体線路の
   中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させて
   成り、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて中間周
   波信号を発生させるミキサー部と、を設けたミリ波送受
   信器において、 前記第１の誘電体線路の前記ミリ波信号発振部との接続
   部、および前記第１の誘電体線路・前記第３の誘電体線
   路・前記第５の誘電体線路の前記サーキュレータとの接
   続部側の端部に、それぞれ請求項１または請求項２記載
   のモードサプレッサを設けたことを特徴とするミリ波送
   受信器。
5. 【請求項５】 前記第２の誘電体線路は、前記第３の誘
   電体線路に一端側が電磁結合するように近接配置される
   かまたは前記第３の誘電体線路に一端側が接合されて、
   前記ミリ波信号の一部をミキサー側へ伝搬させるように
   配置されていることを特徴とする請求項４記載のミリ波
   送受信器。