JP2002016405A - 非放射性誘電体線路およびミリ波送受信器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＬＳＭモードの電磁波のＬＳＥモードへの変換
を少なくし、また直線部と曲線部からなる複雑形状の誘
電体線路を容易に作製することができる。 【解決手段】高周波信号の波長の２分の１以下の間隔で
配置した平行平板導体１，３間に誘電体線路２を介装し
てなる非放射性誘電体線路において、誘電体線路２は、
３つのの線路部分２ａ，２ｂ，２ｃの端面同士を所定間
隔で対向配置させて成るとともに、線路部分２ａ，２
ｂ，２ｃの長さがその内部を伝搬する高周波信号の波長
の（２ｎ−１）／４倍（ｎは正の整数）である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばミリ波等の
高周波帯域で用いられる非放射性誘電体線路であってミ
リ波集積回路等に好適に使用される非放射性誘電体線路
に関するものであり、また非放射性誘電体線路型のミリ
波集積回路，ミリ波レーダーモジュール等のミリ波送受
信器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の非放射性誘電体線路（nonradiati
ve dielectric waveguideで、以下、ＮＲＤガイドと
いう）Ｓ１の構成を図２に示す。図２のＮＲＤガイドＳ
１は、使用周波数において空気中を伝搬する電磁波（高
周波信号）の波長λに対して、間隔がλ／２以下である
一対の平行平板導体１１，１３の間に誘電体線路１２を
介装することにより、その誘電体線路１２に沿って電磁
波が伝搬でき、放射波は平行平板導体１１，１３の遮断
効果によって抑制されるという動作原理に基づいてい
る。

【０００３】このＮＲＤガイドＳ１の電磁波伝搬モード
としては、ＬＳＭモード，ＬＳＥモードの２種類がある
ことが知られているが、損失の小さいＬＳＭモードが一
般的に使用されている。また、ＮＲＤガイドの他のタイ
プとして、図３のような曲線状の誘電体線路１４を設け
たＮＲＤガイドＳ２もあり、これにより電磁波を容易に
曲線的に伝搬させることができ、ミリ波集積回路の小型
化や自由度の高い回路設計ができるという利点を持って
いる。

【０００４】なお、図２および図３において、上側の平
行平板導体１３は内部を透視するように一部を切り欠く
か、破線で示した。また、１１は下側の平行平板導体で
ある。

【０００５】また、従来、ＮＲＤガイドＳ１，Ｓ２の誘
電体線路１２，１４の材料としては、加工性の良さなど
の理由で、テフロン（登録商標），ポリスチレン等の比
誘電率２〜４の樹脂材料が使われてきた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来用
いられてきたテフロン，ポリスチレン等の比誘電率２〜
４の誘電体からなる誘電体線路でＮＲＤガイドＳ１，Ｓ
２を構成すると、曲線部での曲げ損失や、誘電体線路の
接合部での損失が大きいという欠点があった。このた
め、急峻な曲線部を設けることができなかった。また、
緩やかな曲線部とした場合にも、その曲線部の曲率半径
を精密に決定する必要があった。さらに、小さい曲げ損
失でもって使用可能な周波数範囲が、例えば６０ＧＨｚ
付近では１〜２ＧＨｚと十分ではなかった。これは、比
誘電率が２〜４の誘電体を用いてＮＲＤガイドＳ１，Ｓ
２を構成した場合、上記ＬＳＭモードとＬＳＥモードの
分散曲線が非常に近いため、ＬＳＭモードの電磁波の１
部がＬＳＥモードに変換されてしまい、損失が増大する
ためであった。

【０００７】また、誘電体線路１２，１４の材料とし
て、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）セラミックス等の比誘電率が
１０程度のセラミックスを用いたものもあるが、５０Ｇ
Ｈｚ以上の高周波で使用するためには、誘電体線路１
２，１４の幅を非常に細くしなければならず、加工性お
よび実装上実用的ではない。

【０００８】また、セラミックス等の無機化合物からな
る誘電体線路１２，１４を用いたＮＲＤガイドにより高
周波デバイス，高周波回路モジュールを作製した場合、
誘電体線路１２，１４に急峻な曲線部を設けることはで
きるが、複数の直線部と曲線部からなるような複雑形状
を作製することは困難であった。さらに、平行平板導体
１１，１３と誘電体線路１２，１４との熱膨張係数の
差、さらには衝撃により誘電体線路１２，１４の破損が
生じる等の問題があった。

【０００９】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、ＬＳＭモードの電磁波の
ＬＳＥモードへの変換が少なく、従って小さい曲率半径
で使用周波数範囲が広い急峻な曲線部を作製することが
でき、その結果ミリ波集積回路等を小型化でき、しかも
加工が容易で作製の自由度の高いＮＲＤガイドを提供す
ることである。また、このようなＮＲＤガイドを用いる
ことにより、高周波信号の伝送損失が小さく、小型化さ
れたミリ波送受信器を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の非放射性誘電体
線路は、高周波信号の波長の２分の１以下の間隔で配置
した平行平板導体間に誘電体線路を介装してなる非放射
性誘電体線路において、前記誘電体線路は、複数の線路
部分の端面同士を所定間隔で対向配置させて成るととも
に、前記線路部分の長さがその内部を伝搬する前記高周
波信号の波長の（２ｎ−１）／４倍（ｎは正の整数）で
あることを特徴とする。

【００１１】本発明のＮＲＤガイドは、ＬＳＭモードの
電磁波のＬＳＥモードへの変換が少なく、従って小さい
曲率半径で使用周波数範囲が広い急峻な曲線部を作製す
ることができ、その結果ミリ波集積回路等を小型化で
き、しかも加工が容易で作製の自由度の高いＮＲＤガイ
ドを作製できる。また、直線部と曲線部とから成る複雑
形状の誘電体線路を容易に作製でき、さらには、雰囲気
温度変化に伴う平行平板導体と誘電体線路との熱膨張差
から生じる応力や外的衝撃により生じる応力に対して、
その影響を受け難くなる。このようにして、より自由度
が高く、小型で安価なＮＲＤガイドを構成することがで
きる。

【００１２】本発明において、好ましくは、前記誘電体
線路は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉの複合酸化物を主成分とする
セラミックスからなるとともに、測定周波数６０ＧＨｚ
でのＱ値が１０００以上であることを特徴とする。

【００１３】上記の構成により、高周波信号の伝送損失
が小さいものとなり、また形状精度が精密で安定した誘
電体線路をセラミックスにより容易に多数個作製できる
ため安価なものとなる。また、誘電体線路の比誘電率が
テフロン等の樹脂材料と比して高いので、例えばこれら
の樹脂材料を用いて誘電体線路の支持用治具や回路基板
等を作製し、誘電体線路近傍に配置してもその影響を受
けにくくなる。

【００１４】また本発明において、好ましくは、前記複
合酸化物のモル比組成式がｘＭｇＯ・ｙＡｌ₂Ｏ₃・ｚＳ
ｉＯ₂（但し、ｘ＝１０〜４０モル％，ｙ＝１０〜４０
モル％，ｚ＝２０〜８０モル％，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モ
ル％を満足する）で表されることを特徴とする。

【００１５】上記の構成により、さらに伝送損失が少な
く、かつ安価で高い形状精度の誘電体線路を用いたＮＲ
Ｄガイドを作製できる。

【００１６】本発明のミリ波送受信器は、ミリ波信号の
波長の２分の１以下の間隔で配置した平行平板導体間
に、ミリ波帯の高周波信号を出力する高周波ダイオード
と、バイアス電圧印加方向が前記高周波信号の電界方向
に合致するように配置され、バイアス電圧を周期的に制
御することによって前記高周波信号を周波数変調させる
可変容量ダイオードとを具備するとともに、第１の誘電
体線路の一端部に付設されたミリ波信号発振部と、前記
第１の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近接配
置されるかまたは一端が接合されて、前記ミリ波信号の
一部をミキサー側へ伝搬させる第２の誘電体線路と、前
記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周縁
部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波信号の
入出力端とされた第１の接続部，第２の接続部および第
３の接続部を有し、一つの前記接続部から入力された前
記ミリ波信号をフェライト板の面内で時計回りまたは反
時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサーキュ
レータであって、前記第１の誘電体線路の前記ミリ波信
号の出力端に前記第１の接続部が接合されるサーキュレ
ータと、該サーキュレータの第２の接続部に接合され、
前記ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送受信ア
ンテナを有する第３の誘電体線路と、前記送受信アンテ
ナで受信され第３の誘電体線路を伝搬して前記サーキュ
レータの第３の接続部より出力した受信波をミキサー側
へ伝搬させる第４の誘電体線路と、前記第２の誘電体線
路の中途と前記第４の誘電体線路の中途とを近接させて
電磁結合させるかまたは接合させて成り、ミリ波信号の
一部と受信波とを混合させて中間周波信号を発生させる
ミキサー部と、を設けたミリ波送受信器において、前記
第１〜４の誘電体線路のうち少なくとも一つが、上記本
発明の非放射性誘電体線路から成ることを特徴とする。

【００１７】本発明は、上記の構成により、誘電体線路
を伝搬するＬＳＭモードの電磁波のＬＳＥモードへの変
換が少なく、従って誘電体線路に小さい曲率半径で使用
周波数範囲が広い急峻な曲線部を作製することができ、
その結果ミリ波送受信器を使用周波数範囲が広く、小型
化でき、しかも加工が容易で作製の自由度の高いものと
することができる。

【００１８】また、本発明のミリ波送受信器は、ミリ波
信号の波長の２分の１以下の間隔で配置した平行平板導
体間に、ミリ波帯の高周波信号を出力する高周波ダイオ
ードと、バイアス電圧印加方向が前記高周波信号の電界
方向に合致するように配置され、バイアス電圧を周期的
に制御することによって前記高周波信号を周波数変調さ
せる可変容量ダイオードとを具備するとともに、第１の
誘電体線路の一端部に付設されたミリ波信号発振部と、
第１の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近接配
置されるかまたは一端が接合されて、前記ミリ波信号の
一部をミキサー側へ伝搬させる第２の誘電体線路と、前
記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周縁
部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波信号の
入出力端とされた第１の接続部，第２の接続部および第
３の接続部を有し、一つの前記接続部から入力された前
記ミリ波信号をフェライト板の面内で時計回りまたは反
時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサーキュ
レータであって、前記第１の誘電体線路の前記ミリ波信
号の出力端に第１の接続部が接続されるサーキュレータ
と、該サーキュレータの第２の接続部に接続され、前記
ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送信アンテナ
を有する第３の誘電体線路と、先端部に受信アンテナ、
他端部にミキサーが各々設けられた第４の誘電体線路
と、前記サーキュレータの第３の接続部に接続され、前
記送信アンテナで受信混入したミリ波信号を伝搬させる
とともに先端部に設けられた無反射終端部で前記ミリ波
信号を減衰させる第５の誘電体線路と、前記第２の誘電
体線路の中途と前記第４の誘電体線路の中途とを近接さ
せて電磁結合させるかまたは接合させて成り、ミリ波信
号の一部と受信波とを混合させて中間周波信号を発生さ
せるミキサー部と、を設けたミリ波送受信器において、
前記第１〜５の誘電体線路のうち少なくとも一つが、上
記本発明の非放射性誘電体線路から成ることを特徴とす
る。

【００１９】本発明は、上記の構成により、誘電体線路
を伝搬するＬＳＭモードの電磁波のＬＳＥモードへの変
換が少なく、従って誘電体線路に小さい曲率半径で使用
周波数範囲が広い急峻な曲線部を作製することができ、
その結果ミリ波送受信器を使用周波数範囲が広く、小型
化でき、しかも加工が容易で作製の自由度の高いものと
することができる。また、送信用のミリ波信号がサーキ
ュレータを介してミキサーへ混入することがなく、その
結果受信信号のノイズが低減し探知距離が増大し、ミリ
波信号の伝送特性に優れたものとなる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明のＮＲＤガイドについて以
下に詳細に説明する。図１は本発明のＮＲＤガイドＳの
斜視図であり、同図において、１，３は高周波信号の波
長λの２分の１以下の間隔で配置した下側，上側の平行
平板導体、２は平行平板導体１，３間に介装、挟持され
た誘電体線路であり、複数の線路部分の端面同士を所定
間隔で対向配置させて構成されている。なお、上記波長
λは、使用周波数における高周波信号の空気中での波長
に相当する。

【００２１】そして、３つの線路部分２ａ，２ｂ，２ｃ
は、高周波信号伝搬方向に略垂直な端面同士を対向配置
することにより一連のものとして構成され、線路部分２
ａ，２ｂ，２ｃのそれぞれの長さＬａは、その内部を伝
搬する高周波信号の波長λａに対し、λａ／４の（２ｎ
−１）倍（ｎは正の整数）である。

【００２２】線路部分２ａ，２ｂ，２ｃの端面の間隔Ｌ
は、０．０１ｍｍ〜λａ／８が好ましく、０．０１ｍｍ
未満では、線路部分２ａ，２ｂ，２ｃの端面の加工精度
の点で端面同士が一部接触するといった不具合が発生し
易く、λａ／８を超えると、高周波信号の損失が大きく
なる。

【００２３】また、線路部分２ａ，２ｂ，２ｃの端面は
高周波信号伝搬方向に略垂直でればよく、完全な垂直で
なくても良い。またこの端面は平面状でなくともよく、
ある程度の曲面状とされていても構わない。

【００２４】本発明において、線路部分２ａ，２ｂ，２
ｃのそれぞれの長さは（２ｎ−１）λａ／４であるが、
この値からずれると高周波信号の伝送損失が増大し易く
なる。

【００２５】本発明の誘電体線路２は、使用周波数６０
ＧＨｚでのＱ値が１０００以上である、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓ
ｉの複合酸化物を主成分としたセラミックスを用いるの
がよい。上記のセラミックスは比誘電率が４．５〜８程
度である。比誘電率をこの範囲に限定したのは、比誘電
率が４．５未満の場合、上記したようにＬＳＭモードの
電磁波のＬＳＥモードへの変換が大きくなるからであ
る。また、比誘電率が８を超えると、５０ＧＨｚ以上の
周波数で使用する際、誘電体線路２の幅を非常に細くし
なければならず、加工が困難になって形状精度が劣化
し、強度の点でも問題が生じる。また、使用周波数６０
ＧＨｚでのＱ値が１０００以上である、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓ
ｉの複合酸化物を主成分としたセラミックスの場合、こ
れは、近年におけるマイクロ波帯域，ミリ波帯に含まれ
る６０ＧＨｚで使用される誘電体線路として、十分な低
損失性を実現するものである。

【００２６】そして、誘電体線路２の組成および組成比
は、モル比組成式をｘＭｇＯ・ｙＡｌ₂Ｏ₃・ｚＳｉＯ₂
と表した時に、ｘ＝１０〜４０モル％，ｙ＝１０〜４０
モル％，ｚ＝２０〜８０モル％，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モ
ル％を満足する、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉの複合酸化物を主成
分とする。

【００２７】本発明の誘電体線路２の材料であるセラミ
ックス（誘電体磁器組成物）の主成分の組成比を上記範
囲に限定したのは、次の理由による。即ち、ｘを１０〜
４０モル％としたのは、１０モル％未満では良好な焼結
体が得られず、また４０モル％を超えると比誘電率が大
きくなるからである。特にｘは、６０ＧＨｚでのＱ値を
２０００以上とするという点から１５〜３５モル％が望
ましい。

【００２８】また、ｙを１０〜４０モル％としたのは、
ｙが１０モル％よりも小さい場合には良好な焼結体が得
られず、４０モル％を超えると比誘電率が大きくなるか
らである。ｙは、６０ＧＨｚでのＱ値を２０００以上と
するという点から１７〜３５モル％が望ましい。

【００２９】ｚを２０〜８０モル％としたのは、ｚが２
０モル％よりも小さい場合には比誘電率が大きくなり、
８０モル％を超えると良好な焼結体が得られずＱ値が低
下するからである。ｚは、６０ＧＨｚでのＱ値を２００
０以上とするという点から３０〜６５モル％が望まし
い。

【００３０】これらＭｇＯ，Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂のモル
％を示すｘ，ｙ，ｚは、ＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｓｉｓ）法，ＸＲ
Ｄ（Ｘ−ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：Ｘ線回折）
法等の分析方法で特定できる。

【００３１】また、本発明の誘電体線路２用のセラミッ
クス（誘電体磁器組成物）は、主結晶相がコーディエラ
イト（２ＭｇＯ・２Ａｌ₂Ｏ₃・５ＳｉＯ₂）であり、他
の結晶相としてムライト（３Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂），
スピネル（ＭｇＯ・Ａｌ₂Ｏ₃），プロトエンスタタイト
｛メタ珪酸マグネシウム（ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）を主成分
とするステアタイトの一種｝，クリノエンスタタイト
｛メタ珪酸マグネシウム（ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）を主成分
とするステアタイトの一種｝，フォルステライト（２Ｍ
ｇＯ・ＳｉＯ₂），クリストバライト｛珪酸（ＳｉＯ₂）
の一種｝，トリジマイト｛珪酸（ＳｉＯ₂）の一種｝，
サファリン（Ｍｇ，Ａｌの珪酸塩の一種）等が析出する
場合があるが、組成によってその析出相が異なる。な
お、本発明の誘電体磁器組成物ではコーディエライトの
みからなる結晶相であってもよい。

【００３２】本発明の誘電体線路２用の誘電体磁器組成
物は、以下のようにして製造する。原料粉末として、例
えばＭｇＣＯ₃粉末，Ａｌ₂Ｏ₃粉末，ＳｉＯ₂粉末を用
い、これらを所定割合で秤量し、湿式混合した後乾燥
し、この混合物を大気中において１１００〜１３００℃
で仮焼した後、粉砕し粉末状とする。得られた粉末に適
量の樹脂バインダを加えて成形し、この成形体を大気中
１３００〜１４５０℃で焼成することにより得られる。

【００３３】原料粉末中に含まれるＭｇ，Ａｌ，Ｓｉの
元素から成る原料粉末は、それぞれ酸化物，炭酸塩，酢
酸塩等の無機化合物、もしくは有機金属等の有機化合物
のいずれであってもよく、焼成により酸化物となるもの
であれば良い。

【００３４】なお、本発明の誘電体磁器組成物の主成分
は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉの複合酸化物を主成分とし、６０
ＧＨｚでのＱ値を１０００以上であるという特性を損な
わない範囲で、上記元素以外に、粉砕ボールや原料粉末
の不純物が混入したり、焼結温度範囲の制御、機械的特
性向上を目的に他の成分を含有させても良い。例えば、
希土類元素化合物、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｉ
ｎ，Ｇａ，Ｔｉ等の酸化物、ならびに窒化ケイ素等の窒
化物などの非酸化物である。これらは単独または複数種
が含まれていても良い。

【００３５】本発明のＮＲＤガイドＳ用の平行平板導体
１，３は、高い電気伝導度および加工性等の点で、Ｃ
ｕ，Ａｌ，Ｆｅ，ＳＵＳ（ステンレススチール），Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｐｔ等の導体板、あるいはセラミックス，樹
脂等から成る絶縁板の表面にこれらの導体層を形成した
ものでもよい。

【００３６】本発明でいう高周波帯域は、数１０〜数１
００ＧＨｚ帯域のマイクロ波帯域およびミリ波帯域に相
当し、例えば３０ＧＨｚ以上、特に５０ＧＨｚ以上、更
には７０ＧＨｚ以上の高周波帯域が好適である。

【００３７】さらに、誘電体線路のその他の材料とし
て、テフロン，ポリスチレン，ガラスエポキシ樹脂等の
樹脂系のもの、アルミナセラミックス，ガラスセラミッ
クス，フォルステライトセラミックス等のものでもよい
が、誘電特性、加工性、強度、小型化、信頼性等の点で
コーディエライトセラミックスが好ましい。

【００３８】本発明のＮＲＤガイドＳは、無線ＬＡＮ，
自動車のミリ波レーダ等に使用されるものであり、例え
ば自動車の周囲の障害物および他の自動車に対しミリ波
を照射し、反射波を元のミリ波と合成して中間周波信号
を得、この中間周波信号を分析することにより障害物及
び他の自動車までの距離、それらの移動速度等が測定で
きる。

【００３９】かくして、本発明は、直線部と曲線部から
なる複雑形状の誘電体線路を容易に作製することがで
き、また雰囲気温度変化に伴う平行平板導体と誘電体線
路との熱膨張差から生じる応力や外的衝撃により生じる
応力に対して、その影響を受けにくくなる。従って、よ
り自由度が高く、小型で安価なＮＲＤガイドを構成する
ことができる。また、従来のアルミナセラミックス等よ
りも低比誘電率のセラミックスからなる誘電体線路を用
いているため、ＬＳＭモードの電磁波のＬＳＥモードへ
の変換を少なくでき、高周波信号の損失が抑えられる。

【００４０】本発明のＮＲＤガイドを用いたミリ波送受
信器について、以下に説明する。図４，図５は本発明の
ミリ波送受信器としてのミリ波レーダーを示すものであ
り、図４は送信アンテナと受信アンテナが一体化された
ものの平面図、図５は送信アンテナと受信アンテナが独
立したものの平面図である。

【００４１】図４において、５１は本発明の一方の平行
平板導体（他方は省略する）、５２は第１の誘電体線路
５３の一端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振
部、即ち電圧制御発振部であり、バイアス電圧印加方向
が高周波信号の電界方向に合致するように、第１の誘電
体線路５３の高周波ダイオード近傍に配置された可変容
量ダイオードのバイアス電圧を周期的に制御して、三角
波，正弦波等とすることにより、周波数変調した送信用
のミリ波信号として出力する。

【００４２】５３は、高周波ダイオードから出力された
高周波信号が変調されたミリ波信号を伝搬させる第１の
誘電体線路、５４は、第１，第３，第４の誘電体線路５
３，５５，５７にそれぞれ結合される第１，第２，第３
の接続部（図示せず）を有する、フェライト円板等から
成るサーキュレータ、５５は、サーキュレータ５４の第
２の接続部に接続され、ミリ波信号を伝搬させるととも
に先端部に送受信アンテナ５６を有する第３の誘電体線
路、５６は、第３の誘電体線路５５の先端をテーパー状
等とすることにより構成された送受信アンテナである。

【００４３】また５７は、送受信アンテナ５６で受信さ
れ第３の誘電体線路５５を伝搬してサーキュレータ５４
の第３の接続部より出力した受信波をミキサー５９側へ
伝搬させる第４の誘電体線路、５８は、第１の誘電体線
路５３に一端側が電磁結合するように近接配置されて、
ミリ波信号の一部をミキサー５９側へ伝搬させる第２の
誘電体線路、５８ａは、第２の誘電体線路５８のミキサ
ー５９と反対側の一端部に設けられた無反射終端部（タ
ーミネータ）である。また、図中Ｍ１は、第２の誘電体
線路５８の中途と第４の誘電体線路５７の中途とを近接
させて電磁結合させることにより、ミリ波信号の一部と
受信波を混合させて中間周波信号を発生させるミキサー
部である。

【００４４】本発明のサーキュレータ５４は、平行平板
導体５１，５１間に平行に配設された一対のフェライト
円板の周縁部に所定間隔、例えばフェライト円板の中心
点に関して角度で１２０°間隔で配置され、かつそれぞ
れミリ波信号の入出力端とされた第1の接続部，第2の接
続部および第3の接続部を有し、一つの接続部から入力
されたミリ波信号をフェライト円板の面内で時計回りま
たは反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるも
のである。また、平行平板導体５１の外側主面のフェラ
イト円板に相当する部位には、フェライト円板を伝搬す
る電磁波の波面を回転させるための磁石が、磁力線がフ
ェライト円板に対し略垂直方向（略上下方向）に通過す
るように設けられる。なお、本発明のフェライト円板は
円板状のもの限らず、多角形状等のものでもよい。

【００４５】また、本発明のミリ波送受信器の他の実施
形態として、送信アンテナと受信アンテナを独立させた
図５のタイプがある。同図において、６１は一方の平行
平板導体（他方は省略する）、６２は第１の誘電体線路
６３の一端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振部
であり、バイアス電圧印加方向が高周波信号の電界方向
に合致するように第１の誘電体線路６３の高周波ダイオ
ード近傍に配置された可変容量ダイオードのバイアス電
圧を周期的に制御して、三角波，正弦波等とすることに
より、周波数変調した送信用のミリ波信号として出力す
る。

【００４６】６３は、高周波ダイオードから出力された
高周波信号が変調されたミリ波信号を伝搬させる第１の
誘電体線路、６４は、第１，第３，第５の誘電体線路６
３，６５，６７にそれぞれ接続される第１，第２，第３
の接続部（図示せず）を有する、フェライト円板等から
成るサーキュレータ、６５は、サーキュレータ６４の第
２の接続部に接続され、ミリ波信号を伝搬させるととも
に先端部に送信アンテナ６６を有する第３の誘電体線
路、６６は、第３の誘電体線路６５の先端をテーパー状
等とすることにより構成された送信アンテナ、６７は、
サーキュレータ６４の第３の接続部に接続され、送信用
のミリ波信号を減衰させる無反射終端部６７ａが先端に
設けられた第５の誘電体線路である。

【００４７】また６８は、第１の誘電体線路６３に一端
側が電磁結合するように近接配置されて、ミリ波信号の
一部をミキサー７１側へ伝搬させる第２の誘電体線路、
６８ａは、第２の誘電体線路６８のミキサー７１と反対
側の一端部に設けられた無反射終端部、６９は、受信ア
ンテナ７０で受信された受信波をミキサー７１側へ伝搬
させる第４の誘電体線路である。また、図中Ｍ２は、第
２の誘電体線路６８の中途と第４の誘電体線路６９の中
途とを近接させて電磁結合させることにより、ミリ波信
号の一部と受信波とを混合させて中間周波信号を発生さ
せるミキサー部である。

【００４８】本発明では、図４において、第１の誘電体
線路５３に第２の誘電体線路５８の一端側を近接配置す
るかまたは一端部を接合するが、接合する場合、接合部
において、第１の誘電体線路５３を直線状、第２の誘電
体線路５８を円弧状となし、その円弧状部の曲率半径ｒ
を高周波信号の波長λ以上とする。これにより、高周波
信号を損失を小さくして均等の出力で分岐させ得る。ま
た、接合部において、第２の誘電体線路５８を直線状、
第１の誘電体線路５３を円弧状となし、その円弧状部の
曲率半径ｒを高周波信号の波長λ以上としてもよく、こ
の場合も上記と同様の効果が得られる。

【００４９】また、ミキサー５９部において、第２の誘
電体線路５８と第４の誘電体線路５７とを接合すること
もでき、この場合、上記と同様に、これらの誘電体線路
５８，５７のいずれか一方の接合部を円弧状となし、そ
の円弧状部の曲率半径ｒを高周波信号の波長λ以上とす
るのがよい。また、第２の誘電体線路５８と第４の誘電
体線路５７とを電磁結合するように近接配置する場合、
その近接部において、第２の誘電体線路５８と第４の誘
電体線路５７との近接部の少なくとも一方を円弧状とす
ることにより、近接配置の構成とすることができる。

【００５０】また好ましくは、上記の接合部の曲率半径
ｒは３λ以下が良く、３λを超えると接合構造が大きく
なり小型化のメリットが得られない。接合部の曲率半径
ｒを波長λより小さく設定すると、円弧状の接合部を有
する誘電体線路への分岐強度は小さくなる。

【００５１】このような第１の誘電体線路５３と第２の
誘電体線路５８との接合構造、および第２の誘電体線路
５８と第４の誘電体線路５７との接合構造、並びに第２
の誘電体線路５８と第４の誘電体線路５７との近接配置
の構成については、図５の場合も上記と同様である。

【００５２】そして、これらの各種部品は、ミリ波信号
の波長λの２分の１以下の間隔で配置した平行平板導体
間に設けられる。

【００５３】図４のものにおいて、第１の誘電体線路５
３の中途にスイッチを設け、それをＯＮ−ＯＦＦするこ
とでパルス変調制御することもできる。例えば、図７に
示すような、配線基板８８の一主面に第２のチョーク型
バイアス供給線路１１２を形成し、その中途に半田実装
されたビームリードタイプのＰＩＮダイオードやショッ
トキーバリアダイオードを設けたスイッチである。な
お、図７においてＥは誘電体線路７７内を伝搬する高周
波信号の電界方向を示す。

【００５４】この配線基板８８を、第１の誘電体線路５
３の第２の誘電体線路５８との信号分岐部とサーキュレ
ータ５４との間に、ＰＩＮダイオードやショットキーバ
リアダイオードのパルス変調用ダイオードのバイアス電
圧印加方向がＬＳＭモードの高周波信号の電界方向に合
致するように配置し、第１の誘電体線路５３に介在させ
るものである。また、第１の誘電体線路５３にもう一つ
のサーキュレータを介在させ、その第１，第３の接続部
に第１の誘電体線路５３を接続し、第２の接続部に他の
誘電体線路を接続し、その誘電体線路の先端部の端面
に、図８ような構成でショットキーバリアダイオードを
設けたスイッチを設置してもよい。

【００５５】図５のものにおいて、サーキュレータ６４
をなくし、第１の誘電体線路６３の先端部に送信アンテ
ナ６６を接続した構成とすることもできる。この場合、
小型化されたものとなるが、受信波の一部が電圧制御発
振部（ミリ波信号発振部）６２に混入しノイズ等の原因
となり易いため、図５のタイプが好ましい。

【００５６】また、図５のタイプにおいて、第２の誘電
体線路６８は、第３の誘電体線路６５に一端側が電磁結
合するように近接配置されるか第３の誘電体線路６５に
一端が接合されて、ミリ波信号の一部をミキサー７１側
へ伝搬させるように配置されていてもよい。この構成に
おいても、図５のものと同様の機能、作用効果を有す
る。

【００５７】この図５のものにおいて、第１の誘電体線
路６３の中途に、図７に示したものと同様に構成したス
イッチを設け、それをＯＮ−ＯＦＦすることでパルス変
調制御することもできる。例えば、図７のような、配線
基板８８の一主面に第２のチョーク型バイアス供給線路
１１２を形成し、その中途に半田実装されたビームリー
ドタイプのＰＩＮダイオードやショットキーバリアダイ
オードを設けたスイッチである。この配線基板８８を、
第１の誘電体線路６３の第２の誘電体線路６８との信号
分岐部と、サーキュレータ６４との間に、ＰＩＮダイオ
ードやショットキーバリアダイオードのバイアス電圧印
加方向がＬＳＭモードの高周波信号の電界方向に合致す
るように配置し、第１の誘電体線路６３に介在させるも
のである。

【００５８】また、第１の誘電体線路６３にもう一つの
サーキュレータを介在させ、その第１，第３の接続部に
第１の誘電体線路６３を接続し、第２の接続部に他の誘
電体線路を接続し、その誘電体線路の先端部の端面に、
図７のような構成のショットキーバリアダイオードを設
けたスイッチを設置してもよい。

【００５９】また、これらのミリ波送受信器において、
平行平板導体間の間隔は、ミリ波信号の空気中での波長
であって、使用周波数での波長λの２分の１以下とな
る。

【００６０】また、図４，図５のミリ波送受信器はＦＭ
ＣＷ（Frequency Modulation Cotinuous Waves）方
式であり、ＦＭＣＷ方式の動作原理は以下のようなもの
である。電圧制御発振部の変調信号入力用のＭＯＤＩＮ
端子に、電圧振幅の時間変化が三角波等となる入力信号
を入力し、その出力信号を周波数変調し、電圧制御発振
部の出力周波数偏移を三角波等になるように偏移させ
る。そして、送受信アンテナ５６，送信アンテナ６６よ
り出力信号（送信波）を放射した場合、送受信用アンテ
ナ５６，送信アンテナ６６の前方にターゲットが存在す
ると、電波の伝搬速度の往復分の時間差をともなって、
反射波（受信波）が戻ってくる。この時、ミキサー５
９，７１の出力側のＩＦＯＵＴ端子には、送信波と受信
波の周波数差が出力される。

【００６１】このＩＦＯＵＴ端子の出力周波数等の周波
数成分を解析することで、Ｆif＝４Ｒ・ｆｍ・Δｆ／ｃ
｛Fif：ＩＦ（Intermediate Frequency）出力周波数，
Ｒ：距離，ｆｍ：変調周波数，Δｆ：周波数偏移幅，
ｃ：光速｝という関係式から距離を求めることができ
る。

【００６２】このように、自動車のミリ波レーダ等に適
用した場合、自動車の周囲の障害物および他の自動車に
対しミリ波を照射し、反射波を元のミリ波と合成して中
間周波信号を得、この中間周波信号を分析することによ
り障害物および他の自動車までの距離、それらの移動速
度等が測定できる。

【００６３】本発明の高周波ダイオード発振器を用いた
電圧制御発振部５２，６２について以下に説明する。図
６，図７は本発明のＮＲＤガイド型の高周波ダイオード
発振器を示し、これらの図において、７１は一対の平行
平板導体、７２はガンダイオード７３を設置（マウン
ト）するための略直方体状の金属ブロック等の金属部
材、７３はマイクロ波，ミリ波を発振する高周波ダイオ
ードの１種であるガンダイオード、７４は金属部材７２
の一側面に設置され、ガンダイオード７３にバイアス電
圧を供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐローパス
フィルタとして機能するチョーク型バイアス供給線路７
４ａを形成した配線基板、７５はチョーク型バイアス供
給線路７４ａとガンダイオード７３の上部導体とを接続
する金属箔リボン等の帯状導体、７７はガンダイオード
７３の近傍に配置され高周波信号を受信し外部へ伝搬さ
せる誘電体線路（第１の誘電体線路５３，６３）であ
る。

【００６４】また図７において、チョーク型バイアス供
給線路７４ａは、幅の広い線路および幅の狭い線路の長
さがそれぞれ略λ／４であり、また帯状導体７５の長さ
は略｛（３／４）＋ｍ｝λ（ｍは０以上の整数）であ
る。この帯状導体７５の長さは略３λ／４〜略｛（３／
４）＋３｝λが良く、略｛（３／４）＋３｝λを超える
と帯状導体７５が長くなり、撓み、捩じれ等が生じ易く
なり、個々の高周波ダイオード発振器間で発振周波数等
の特性のばらつきが大きくなるとともに、種々の共振モ
ードが発生して、所望の発振周波数と異なる周波数の信
号が発生するという問題が生じる。より好ましくは、略
３λ／４，略｛（３／４）＋１｝λである。

【００６５】また、略｛（３／４）＋ｍ｝λとしたの
は、｛（３／４）＋ｍ｝λから多少ずれていても共振は
可能だからである。例えば、帯状導体５を｛（３／４）
＋ｍ｝λよりも１０〜２０％程度長く形成しても良く、
その場合、帯状導体７５の接するチョーク型バイアス供
給線路７４ａの１パターン目の長さλ／４のうち一部が
共振に寄与すると考えられるからである。従って、帯状
導体５の長さは｛（３／４）＋ｍ｝λ±２０％程度の範
囲内で変化させることができる。

【００６６】これらチョーク型バイアス供給線路７４ａ
および帯状導体７５の材料は、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ等から成り、特
にＣｕ，Ａｇが、電気伝導度が良好であり、損失が小さ
く、発振出力が大きくなるといった点で好ましい。

【００６７】また、帯状導体７５は金属部材７２の表面
から所定間隔をあけて金属部材７２と電磁結合してお
り、チョーク型バイアス供給線路７４ａとガンダイオー
ド７３間に架け渡されている。即ち、帯状導体７５の一
端はチョーク型バイアス供給線路７４ａの一端に半田付
け等により接続され、帯状導体７５の他端はガンダイオ
ード７３の上部導体に半田付け等により接続されてお
り、帯状導体７５の接続部を除く中途部分は宙に浮いた
状態となっている。

【００６８】そして、金属部材７２は、ガンダイオード
７３の電気的な接地（アース）を兼ねているため金属導
体であれば良く、その材料は金属（合金を含む）導体で
あれば特に限定するものではなく、真鍮（黄銅：Ｃｕ−
Ｚｎ合金），Ａｌ，Ｃｕ，ＳＵＳ（ステンレススチー
ル），Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ等から成る。また金属部材７２
は、全体が金属から成る金属ブロック、セラミックスや
プラスチック等の絶縁基体の表面全体または部分的に金
属メッキしたもの、絶縁基体の表面全体または部分的に
導電性樹脂材料等をコートしたものであっても良い。

【００６９】また、誘電体線路７７は、図４，図５の第
1の誘電体線路５３，６３に相当するものであり、その
材料は上記の通りコーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ
₂Ｏ₃・５ＳｉＯ₂）セラミックス（比誘電率４〜５）等
が好ましく、これらは高周波帯域において低損失であ
る。ガンダイオード７３と誘電体線路７７との間隔は
１．０ｍｍ程度以下が好ましく、１．０ｍｍを超えると
損失を小さくして電磁的結合が可能な最大離間幅を超え
る。

【００７０】また、本発明の高周波ダイオードとして
は、インパット（impatt：impact ionisation avalan
che transit time）・ダイオード，トラパット（trap
att：trapped plasma avalanche triggered transi
t）・ダイオード，ガンダイオード等のマイクロ波ダイ
オードおよびミリ波ダイオードが好適に使用される。

【００７１】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で変更
を行うことは何等差し支えない。

【００７２】

【実施例】本発明の実施例を以下に示す。

【００７３】（実施例）図１のＮＲＤガイドＳを以下の
ように構成した。誘電体線路２の材料として、本発明の
Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉの複合酸化物を主成分としたセラミッ
クスであって、種々の組成比としたものを作製した。そ
れらの比誘電率と周波数６０ＧＨｚにおけるＱ値を表１
に示す。

【００７４】

【表１】

【００７５】一対の平行平板導体１，３として、表面を
鏡面加工した縦８０ｍｍ×横８０ｍｍ×厚さ２ｍｍのＣ
ｕ板を１．８ｍｍの間隔で配置し、表１のＮＯ．２４の
コーディエライトセラミックスからなる誘電体線路２を
介装した。この誘電体線路２の断面形状は、高さが約
１．８ｍｍ、幅が０．８ｍｍの長方形状であり、３つの
線路部分２ａ，２ｂ，２ｃの間隔ＬをＬ＝０．７ｍｍ
（λａ／８）、またはＬ＝０．３５ｍｍ（λａ／１６）
として配置した。また、線路部分２ａ，２ｂ，２ｃのそ
れぞれの長さ（線路長）Ｌａは、０．７ｍｍ（λａ／
８）程度〜２．１ｍｍ（３λａ／８）程度の範囲で種々
に変化させた。

【００７６】このＮＲＤガイドＳについて、周波数特性
を測定した結果を図８に示す。同図は、周波数７７ＧＨ
ｚにおける間隔Ｌ，長さＬａと伝送損失（｜Ｓ２１｜）
との関係を示すものであり、線路部分２ａ，２ｂ，２ｃ
のＬａがλａ／４の場合、誘電体線路２による挿入損失
が−０．１ｄＢ以下となった。３λａ／４，５λａ／４
においても同様の結果が得られた。

【００７７】なお、本発明は上記実施形態および実施例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲内で変更を行うことは何等差し支えない。

【００７８】

【発明の効果】本発明は、ＮＲＤガイドにおいて、誘電
体線路が、複数の線路部分の端面同士を所定間隔で対向
配置させて成るとともに、線路部分の長さがその内部を
伝搬する高周波信号の波長の（２ｎ−１）／４倍（ｎは
正の整数）であることにより、ＬＳＭモードの電磁波の
ＬＳＥモードへの変換を少なくすることができ、また直
線部と曲線部からなる複雑形状の誘電体線路を容易に作
製することができる。また、雰囲気温度変化に伴う平行
平板導体と誘電体線路との熱膨張差から生じる応力や外
的衝撃により生じる応力に対して、その影響を受けにく
くなる。従って、より自由度が高く、小型で安価なＮＲ
Ｄガイドを構成することができる。さらに、誘電体線路
に急峻な曲線部を設けて小型化できるので、全体を小型
化できる。そして、樹脂材料で誘電体線路の支持用治具
や回路基板等を作製し、誘電体線路近傍に配置しても、
その影響を受けにくくなる。

【００７９】また好ましくは、誘電体線路は、Ｍｇ，Ａ
ｌ，Ｓｉの複合酸化物を主成分とするセラミックスから
なるとともに、測定周波数６０ＧＨｚでのＱ値が１００
０以上であることにより、従来のアルミナセラミックス
等よりも低比誘電率のセラミックスからなる誘電体線路
を用いることにより、ＬＳＭモードの電磁波のＬＳＥモ
ードへの変換を少なくでき、高周波信号の損失が抑えら
れる。

【００８０】また好ましくは、複合酸化物のモル比組成
式がｘＭｇＯ・ｙＡｌ₂Ｏ₃・ｚＳｉＯ₂（但し、ｘ＝１
０〜４０モル％，ｙ＝１０〜４０モル％，ｚ＝２０〜８
０モル％，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％を満足する）で表
されることにより、さらに伝送損失が少なく、かつ安価
で高い形状精度の誘電体線路を用いたＮＲＤガイドを作
製できる。

【００８１】本発明のミリ波送受信器は、送受信アンテ
ナを備えたタイプ、および送信アンテナと受信アンテナ
とが独立したタイプにおいて、各誘電体線路のうち少な
くとも一つが、上記本発明の非放射性誘電体線路から成
ることにより、誘電体線路を伝搬するＬＳＭモードの電
磁波のＬＳＥモードへの変換が少なく、従って誘電体線
路に小さい曲率半径で使用周波数範囲が広い急峻な曲線
部を作製することができ、その結果ミリ波送受信器を使
用周波数範囲が広く、小型化でき、しかも加工が容易で
作製の自由度の高いものとすることができる。さらに、
送信アンテナと受信アンテナとが独立したタイプでは、
送信用のミリ波信号がサーキュレータを介してミキサー
へ混入することがなく、その結果受信信号のノイズが低
減し探知距離が増大し、さらにミリ波信号の伝送特性に
優れたものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＮＲＤガイドの内部を透視した斜視図
である。

【図２】従来のＮＲＤガイドの内部を透視した斜視図で
ある。

【図３】従来の他のＮＲＤガイドの内部を透視した斜視
図である。

【図４】本発明のＮＲＤガイドを備えたミリ波レーダー
の一実施形態の平面図である。

【図５】本発明のＮＲＤガイドを備えたミリ波レーダー
の他の実施形態の平面図である。

【図６】本発明のミリ波レーダー用のミリ波発振部の斜
視図である。

【図７】図６のミリ波発振部に組み込まれる可変容量ダ
イオードを設けた配線基板の斜視図である。

【図８】本発明のＮＲＤガイドの線路部分の線路長およ
び間隔と高周波信号の減衰量との関係を示すグラフであ
る。

【符号の説明】

１：下側の平行平板導体 ２： 誘電体線路 ２ａ，２ｂ，２ｃ：線路部分 ３：上側の平行平板導体

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】高周波信号の波長の２分の１以下の間隔で
   配置した平行平板導体間に誘電体線路を介装してなる非
   放射性誘電体線路において、前記誘電体線路は、複数の
   線路部分の端面同士を所定間隔で対向配置させて成ると
   ともに、前記線路部分の長さがその内部を伝搬する前記
   高周波信号の波長の（２ｎ−１）／４倍（ｎは正の整
   数）であることを特徴とする非放射性誘電体線路。
2. 【請求項２】前記誘電体線路は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉの複
   合酸化物を主成分とするセラミックスからなるととも
   に、測定周波数６０ＧＨｚでのＱ値が１０００以上であ
   ることを特徴とする請求項１記載の非放射性誘電体線
   路。
3. 【請求項３】前記複合酸化物のモル比組成式がｘＭｇＯ
   ・ｙＡｌ₂Ｏ₃・ｚＳｉＯ₂（但し、ｘ＝１０〜４０モル
   ％，ｙ＝１０〜４０モル％，ｚ＝２０〜８０モル％，ｘ
   ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％を満足する）で表されることを
   特徴とする請求項２記載の非放射性誘電体線路。
4. 【請求項４】ミリ波信号の波長の２分の１以下の間隔で
   配置した平行平板導体間に、 ミリ波帯の高周波信号を出力する高周波ダイオードと、
   バイアス電圧印加方向が前記高周波信号の電界方向に合
   致するように配置され、バイアス電圧を周期的に制御す
   ることによって前記高周波信号を周波数変調させる可変
   容量ダイオードとを具備するとともに、第１の誘電体線
   路の一端部に付設されたミリ波信号発振部と、 前記第１の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近
   接配置されるかまたは一端が接合されて、前記ミリ波信
   号の一部をミキサー側へ伝搬させる第２の誘電体線路
   と、 前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周
   縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波信号
   の入出力端とされた第１の接続部，第２の接続部および
   第３の接続部を有し、一つの前記接続部から入力された
   前記ミリ波信号をフェライト板の面内で時計回りまたは
   反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサーキ
   ュレータであって、前記第１の誘電体線路の前記ミリ波
   信号の出力端に前記第１の接続部が接合されるサーキュ
   レータと、 該サーキュレータの第２の接続部に接合され、前記ミリ
   波信号を伝搬させるとともに先端部に送受信アンテナを
   有する第３の誘電体線路と、 前記送受信アンテナで受信され第３の誘電体線路を伝搬
   して前記サーキュレータの第３の接続部より出力した受
   信波をミキサー側へ伝搬させる第４の誘電体線路と、 前記第２の誘電体線路の中途と前記第４の誘電体線路の
   中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させて
   成り、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて中間周
   波信号を発生させるミキサー部と、を設けたミリ波送受
   信器において、 前記第１〜４の誘電体線路のうち少なくとも一つが、請
   求項１〜３のいずれかに記載の非放射性誘電体線路から
   成ることを特徴とするミリ波送受信器。
5. 【請求項５】ミリ波信号の波長の２分の１以下の間隔で
   配置した平行平板導体間に、 ミリ波帯の高周波信号を出力する高周波ダイオードと、
   バイアス電圧印加方向が前記高周波信号の電界方向に合
   致するように配置され、バイアス電圧を周期的に制御す
   ることによって前記高周波信号を周波数変調させる可変
   容量ダイオードとを具備するとともに、第１の誘電体線
   路の一端部に付設されたミリ波信号発振部と、 第１の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近接配
   置されるかまたは一端が接合されて、前記ミリ波信号の
   一部をミキサー側へ伝搬させる第２の誘電体線路と、 前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周
   縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波信号
   の入出力端とされた第１の接続部，第２の接続部および
   第３の接続部を有し、一つの前記接続部から入力された
   前記ミリ波信号をフェライト板の面内で時計回りまたは
   反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサーキ
   ュレータであって、前記第１の誘電体線路の前記ミリ波
   信号の出力端に第１の接続部が接続されるサーキュレー
   タと、 該サーキュレータの第２の接続部に接続され、前記ミリ
   波信号を伝搬させるとともに先端部に送信アンテナを有
   する第３の誘電体線路と、 先端部に受信アンテナ、他端部にミキサーが各々設けら
   れた第４の誘電体線路と、 前記サーキュレータの第３の接続部に接続され、前記送
   信アンテナで受信混入したミリ波信号を伝搬させるとと
   もに先端部に設けられた無反射終端部で前記ミリ波信号
   を減衰させる第５の誘電体線路と、 前記第２の誘電体線路の中途と前記第４の誘電体線路の
   中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させて
   成り、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて中間周
   波信号を発生させるミキサー部と、を設けたミリ波送受
   信器において、 前記第１〜５の誘電体線路のうち少なくとも一つが、請
   求項１〜３のいずれかに記載の非放射性誘電体線路から
   成ることを特徴とするミリ波送受信器。