JP3777099B2 - 高周波ダイオード発振器およびそれを用いたミリ波送受信器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ミリ波集積回路等の高周波回路に組み込まれるガンダイオード発振器等の高周波ダイオード発振器であって、バラクタダイオード等の周波数変調用ダイオードを有する非放射性誘電体線路型の高周波ダイオード発振器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図7に従来のNRDガイド型の高周波ダイオード発振器を、図8に従来の高周波ダイオード発振器用の周波数変調用ダイオードを有する周波数調整部材および補助配線基板を示す。これらの図において、1は一対の平行平板導体であり、それらの間隔zをz≦λ/2とすることにより外部から誘電体線路7へのノイズの侵入をなくしかつ外部への高周波信号の放射をなくして信号を伝送させる、所謂非放射性誘電体線路(nonradiative dielectric waveguide で、以下、NRDガイドという)を構成する。尚、λは使用周波数において空気中を伝搬する電磁波(高周波信号)の波長である。2はガンダイオード3を設置(マウント)するための略直方体状の金属ブロック等の金属部材、3はマイクロ波,ミリ波を発振する高周波ダイオードの1種であるガンダイオード、4は金属部材2の一側面に設置され、ガンダイオード3にバイアス電圧を供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐローパスフィルタとして機能するチョーク型バイアス供給線路4aを形成した配線基板、5はチョーク型バイアス供給線路4aとガンダイオード3の上部導体とを接続する金属箔リボン等の帯状導体、7はガンダイオード3の近傍に配置され高周波信号を受信し外部へ伝搬させる誘電体線路である。尚、図7では、内部を透視するために平行平板導体1の上側を一部切り欠いている。
【0003】
また、10は周波数調整部材14に設置された周波数変調用ダイオードとしてのバラクタダイオードであり、そのバイアス電圧印加方向は帯状導体5に生じ空間に放射形成される電磁界の電界に平行な方向とされ、即ち電界方向と合致した状態とされ、帯状導体5に近接配置されて電磁結合している。11は、周波数調整部材14に形成されたバラクタダイオード10接続用のバイアス供給線路、12は、補助配線基板13の主面に形成された第二のチョーク型バイアス供給線路である。20は、バラクタダイオード10を設けた周波数調整器であり、第二のチョーク型バイアス供給線路12が主面に形成されかつその主面が平行平板導体1に対し垂直に設置される補助配線基板13aと、第二のチョーク型バイアス供給線路12の中途に立設され、かつ第二のチョーク型バイアス供給線路12に連続するバイアス供給線路をその主面に有する周波数調整部材14とから成る。
【0004】
このような構成により、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオードの発振周波数を決定する共振器として機能し、その共振器の帯状導体に周波数変調用ダイオードを設けた周波数調整器を近接配置して電磁結合させるとともに、周波数変調用ダイオードに印加するバイアス電圧を変化させることで、発振周波数を制御できる。
【0005】
なお、チョーク型バイアス供給線路4aは、幅の広い線路と幅の狭い線路とが交互に形成されており、幅の広い線路の一つの長さと幅の狭い線路の一つの長さとがそれぞれ略λ/4で反復されたチョークを構成しており、また帯状導体5の長さも略λ/4に設定されローパスフィルタの一部として機能している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のガンダイオード発振器では、周波数調整部材14を作製する際、チョーク型バイアス供給線路12に連続するバイアス供給線路11を周波数調整部材14用の配線基板の両主面および一端面に形成する場合、配線基板の両主面にバイアス供給線路11を形成して所望の大きさに配線基板を切断した後、一端面にメタライズ層を施していたが、メタライズ時に両主面のバイアス供給線路11の保護膜が必要であった。また、一端面のメタライズ層形成用のペーストの塗布を行うには、そのパターンの精度が低いうえ密着強度が小さいという問題があり、高い信頼性の確保が難しいという問題があった。また、配線基板の両主面と一端面との境界部でバイアス供給線路11に接続の継目が生じることにより、インピーダンスの不連続点が生じ、高周波特性の劣化を招くという問題があった。
【0007】
従って、本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり、その目的は、バイアス供給線路が精度良く形成でき、またインピーダンスの不連続点がないため、高い高周波特性を有するとともに、量産性に優れたものとすることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波ダイオード発振器は、高周波信号の波長λの2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に金属部材を設置し、該金属部材に高周波信号を発振する高周波ダイオードと、幅の広い線路と幅の狭い線路が交互に形成されたチョーク型バイアス供給線路と、該チョーク型バイアス供給線路および前記高周波ダイオードを直線状に接続する帯状導体とを設けるとともに、前記高周波ダイオードの近傍に前記高周波信号を受信し伝搬させる誘電体線路を配設して成る高周波ダイオード発振器において、前記チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路の長さと幅の狭い線路の長さをそれぞれ略λ/4、前記帯状導体の長さを略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)とし、略四角形の配線基板の両主面に一端面を介してバイアス供給線路が形成されかつ前記バイアス供給線路の中途にバイアス電圧印加方向が前記バイアス供給線路の線路方向に平行となるように周波数変調用ダイオードが接続された周波数変調部材が、前記バイアス供給線路が前記帯状導体に電磁結合するように前記一端面が前記帯状導体に近接配置されるとともに前記線路方向が前記帯状導体に生じる電界方向に平行となるように前記平行平板導体の内面に立設されており、前記バイアス供給線路は前記一端面に前記両主面を貫通して形成された切欠部を介して前記両主面に形成されていることを特徴とする。
【0009】
本発明は、上記の構成により、周波数変調部材の配線基板において、断面が円形状のビアホール等を切断することで断面が半円形状等とされた切欠部(所謂ハーフビア)により、両主面のバイアス供給線路の結合が完全に行われる。その結果、バイアス供給線路用の電極パターン全面に金メッキ処理が可能となり、高い信頼性を確保することができる。また、切欠部と両主面との境界部でバイアス供給線路が滑らかに連続形成可能であり、バイアス供給線路に継目等が一切ないことから、バイアス供給線路におけるインピーダンスが一定となり、周波数により高周波信号の出力が変動しにくくなり、高い高周波特性を得ることができる。さらに、ハーフビアにより切欠部を精度良く配線基板の一端面に形成できることから、高い量産性を確保することができる。
【0010】
また、切欠部の内面にはバイアス供給線路用の導体層が被着されており、切欠部の側面よりみた形状が円弧状等の凹んだ曲面をなしていることから、帯状導体からその主面に垂直方向(平行平板導体の内面に平行な方向)に生じる電界成分と、帯状導体から離れるに従い帯状導体の主面に平行な方向(平行平板導体の内面に垂直な方向)に生じる電界成分とで形成される電界分布を乱すことなく、切欠部の内面が帯状導体に高い安定性をもって電磁結合し得る。即ち、帯状導体から放射された電気力線は帯状導体から離れるに従い上下に広がっていく成分を生じるが、このような広がった電気力線が、切欠部の内面に対して自然に垂直に出入りできることから、電磁結合が強化されて安定的な電磁結合がなされる。
【0011】
本発明において、好ましくは、第二のチョーク型バイアス供給線路が主面に形成された補助配線基板が前記主面を前記平行平板導体の内面に対し垂直にして該内面に設置されるとともに、前記主面の第二のチョーク型バイアス供給線路の中途に前記周波数変調部材が前記一端面に対向する他端面において立設され、かつ前記バイアス供給線路と前記第二のチョーク型バイアス供給線路とが接続されていることを特徴とする。
【0012】
上記構成により、周波数調整部材および補助配線基板の上面視における形状が凸型あるいはT形となり、その位置ずれや捩じれ等が小さくなり設置の安定性がきわめて高くなる。また、周波数変調用ダイオードのバイアス電圧印加方向を帯状導体の高周波信号の電界方向に合致させた状態で周波数変調用ダイオードを帯状導体に近接配置し、位置調整できるため、容易に周波数変調幅を調整可能となる。
【0013】
また好ましくは、前記周波数変調用ダイオードと前記帯状導体との間隔をλ以下としたことを特徴とする。前記範囲内に調整することで、高周波信号の出力を大きくして周波数変調幅を広げることができる。
また、本発明のミリ波送受信器は、
送信用のミリ波信号の波長の2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に、
高周波ダイオードから出力され周波数変調またはパルス化されたミリ波信号をミキサー側へ伝搬させる第1の誘電体線路と、
該第1の誘電体線路に付設され、前記高周波ダイオードから出力された高周波信号を周期的に周波数変調するかまたはパルス化して送信用のミリ波信号として出力し前記第1の誘電体線路中を伝搬させるミリ波信号発振部と、
前記第1の誘電体線路に、一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは前記第1の誘電体線路に一端が接合されて、前記ミリ波信号の一部をサーキュレータ側へ伝搬させる第2の誘電体線路と、
前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波信号の入出力端とされた第1の接続部,第2の接続部および第3の接続部を有し、一つの前記接続部から入力された前記ミリ波信号をフェライト板の面内で時計回りまたは反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサーキュレータであって、前記第2の誘電体線路の前記ミリ波信号の出力端に前記第1の接続部が接続されるサーキュレータと、
該サーキュレータの前記第2の接続部に接続され、前記ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送受信アンテナを有する第3の誘電体線路と、
前記送受信アンテナで受信され第3の誘電体線路を伝搬して前記サーキュレータの前記第3の接続部より出力した受信波をミキサー側へ伝搬させる第4の誘電体線路と、
前記第1の誘電体線路の中途と前記第4の誘電体線路の中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させることにより、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて中間周波信号を発生させるミキサー部と、
を設けたミリ波送受信器において、
前記ミリ波信号発振部が上記本発明の高周波ダイオード発振器を具備することを特徴とする。
【0014】
本発明のミリ波送受信器は、高周波ダイオード発振器部が上記構成であることにより、周波数変調部材の配線基板において、断面が円形状のビアホール等を切断することで断面が半円形状等とされた切欠部により、両主面のバイアス供給線路の結合が完全に行われ、バイアス供給線路用の電極パターン全面に金メッキ処理が可能となり、高い信頼性を得ることができる。また、切欠部と両主面との境界部でバイアス供給線路が滑らかに連続形成可能であり、バイアス供給線路に継目等が一切ないことから、バイアス供給線路におけるインピーダンスが一定となり、周波数により高周波信号の出力が変動しにくくなり、高い高周波特性を得ることができる。また、切欠部と帯状導体との電磁結合が強化され安定化される。さらに、ハーフビアにより切欠部を精度良く配線基板の一端面に形成できることから、高い量産性を確保することができる。
【0015】
従って、広帯域において高周波信号の出力が安定し、ミリ波レーダー等に用いた場合、周波数変動による出力変動が小さい良好な高周波特性が得られる。
また、本発明のミリ波送受信器は、
送信用のミリ波信号の波長の2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に、
高周波ダイオードから出力され周波数変調されるかまたはパルス化されたミリ波信号を伝搬させる第1の誘電体線路と、
該第1の誘電体線路に付設され、前記高周波ダイオードから出力された高周波信号を周期的に周波数変調するかまたはパルス化して送信用のミリ波信号として出力し前記第1の誘電体線路中を伝搬させるミリ波信号発振部と、
前記第1の誘電体線路に、一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは前記第1の誘電体線路に一端が接合されて、前記ミリ波信号の一部をミキサー側へ伝搬させる第2の誘電体線路と、
前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波信号の入出力端とされた第1の接続部,第2の接続部および第3の接続部を有し、一つの前記接続部から入力された前記ミリ波信号をフェライト板の面内で時計回りまたは反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサーキュレータであって、前記第1の誘電体線路の前記ミリ波信号の出力端に前記第1の接続部が接続されるサーキュレータと、
該サーキュレータの前記第2の接続部に接続され、前記ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送信アンテナを有する第3の誘電体線路と、
先端部に受信アンテナ、他端部にミキサーが各々設けられた第4の誘電体線路と、
前記第2の誘電体線路の中途と前記第4の誘電体線路の中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させることにより、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて中間周波信号を発生させるミキサー部と、
を設けたミリ波送受信器において、
前記ミリ波信号発振部が上記本発明の高周波ダイオード発振器を具備することを特徴とする。
【0016】
本発明のミリ波送受信器は、上記と同様の作用効果が得られるとともに、送信用のミリ波信号がサーキュレータを介してミキサーへ混入することがなく、従ってミリ波レーダーモジュールに適用した場合受信信号のノイズが低減し探知距離が増大し、ミリ波信号の伝送特性に優れ、ミリ波レーダーの探知距離をさらに増大し得るものとなる。
【0017】
本発明のミリ波送受信器において、好ましくは、前記第2の誘電体線路は、前記第3の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは前記第3の誘電体線路に一端側が接合されて、前記ミリ波信号の一部をミキサー側へ伝搬させるように配置されていることを特徴とする。この場合にも、上記と同様の作用効果を奏するものとなる。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明の電圧制御型の高周波ダイオード発振器について以下に説明する。図1,図3は、本発明のNRDガイド型の高周波ダイオード発振器を、図2,図4は、本発明の高周波ダイオード発振器用の周波数変調用ダイオードを有する周波数調整部材および補助配線基板から成る周波数調整器を示す。
【0019】
これらの図において、1はガンダイオード等の高周波ダイオードが発振する高周波信号の空気中での波長λの2分の1以下の間隔で配置した一対の平行平板導体、2はガンダイオード3を設置(マウント)するための略直方体状の金属ブロック等の金属部材、3はマイクロ波,ミリ波を発振する高周波ダイオードの1種であるガンダイオードである。4は、金属部材2の一側面に設置され、ガンダイオード3にバイアス電圧を供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐローパスフィルタとして機能するチョーク型バイアス供給線路4aを形成した配線基板、5は、チョーク型バイアス供給線路4aとガンダイオード3の上部導体とを接続する金属箔リボン等の帯状導体、7は、ガンダイオード3の近傍に配置され高周波信号を受信し外部へ伝搬させる誘電体線路である。尚、図1,図3では、内部を透視するために平行平板導体1の上側を一部切り欠いている。
【0020】
また、10は、略四角形の配線基板13から成る周波数調整部材14に設置された周波数変調用ダイオードとしてのバラクタダイオードであり、そのバイアス電圧印加方向は帯状導体5に生じ空間に放射形成される電磁界の電界方向に平行な方向とされ、即ち電界方向と合致した状態とされ、帯状導体5に近接配置されて電磁結合している。
【0021】
11,16は、周波数調整部材14に形成されたバラクタダイオード10接続用のバイアス供給線路、12は、補助配線基板13aの主面に形成された第二のチョーク型バイアス供給線路である。15は、配線基板13の両主面のバイアス供給線路11,16を接続する切欠部、20aは、バラクタダイオード10を設けた周波数調整部材14を補助配線基板13aの主面に立設した周波数調整器であり、第二のチョーク型バイアス供給線路12が主面に形成されかつその主面が平行平板導体1に対し垂直に設置される補助配線基板13aと、第二のチョーク型バイアス供給線路12の中途に立設され、かつ第二のチョーク型バイアス供給線路12に連続するバイアス供給線路をその主面に有する周波数調整部材14とから成る。
【0022】
図1,図2に示すように、周波数調整部材14は、略四角形の配線基板の両主面に一端面Aを介してバイアス供給線路11,16が形成されかつバイアス供給線路11の中途にバイアス電圧印加方向がバイアス供給線路11の線路方向に平行となるようにバラクタダイオード10が接続される。そして、周波数変調部材14は、バイアス供給線路11,16が帯状導体5に電磁結合するように一端面Aが帯状導体5に近接配置されるとともに、バイアス供給線路11,16の線路方向が帯状導体5に生じる電界方向に平行となるように平行平板導体1の内面に立設され、バイアス供給線路11,16は一端面Aに両主面を貫通して形成された切欠部15を介して両主面に形成される。
【0023】
図3,図4に示すように、第二のチョーク型バイアス供給線路12が主面に形成された補助配線基板13aが主面を平行平板導体1の内面に対し垂直にしてその内面に設置されるとともに、主面の第二のチョーク型バイアス供給線路12の中途に周波数変調部材14が一端面Aに対向する他端面において立設され、かつバイアス供給線路11,16と第二のチョーク型バイアス供給線路12とが接続されている。
【0024】
本発明の周波数変調部材14の一端面Aの切欠部15は、略四角形の配線基板の中央部にビアホール等の貫通導体を形成し、その貫通導体の中央を横断するように配線基板を切断することにより、形成できる。あるいは、略四角形の配線基板領域を分割線により区切るように多数形成した母基板を用い、配線基板領域の中央部に貫通導体を形成するとともにその貫通導体の中央を横断するように分割線を形成しておき分割していくことにより、配線基板領域を分割していくことで、切欠部15を形成し得る。即ち、このように貫通導体を中央で分割することにより形成した、所謂ハーフビアとすることができる。この場合配線基板の両主面に貫通導体と連続するように接続されたバイアス供給線路11,16を予め形成しておくことで、ハーフビアとバイアス供給線路11,16とを連続的に接続するように形成できる。
【0025】
周波数変調部材14の一端面Aに形成される切欠部15の断面形状は、半円形、長半円形、半楕円形、半多角形等の種々の形状とし得る。また、完全な半円形ではなくてもよく、半円に達しない円弧状、半円よりも大きい円弧状等でもよい。このうち、半円形の形状がよく、帯状導体5から放射された電気力線のうち帯状導体5から離れるに従い上下に広がっていく成分が、切欠部15の内面に対して自然に垂直に出入りし易くなり、電磁結合が強化されて安定化され易くなる。
【0026】
本発明において、チョーク型バイアス供給線路4aは、幅の広い線路の一つの長さと幅の狭い線路の一つの長さとがそれぞれ略λ/4の広狭線路から成り、また帯状導体5の長さは略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)である。この帯状導体5の長さは略3λ/4〜略{(3/4)+3}λが良く、略{(3/4)+3}λを超えると帯状導体5が長くなり、撓み、捩じれ等が生じ易くなり、個々の高周波ダイオード発振器間で発振周波数等の特性のばらつきが大きくなるとともに、種々の共振モードが発生して、所望の発振周波数と異なる周波数の信号が発生するという問題が生じる。より好ましくは、略3λ/4,略{(3/4)+1}λである。
【0027】
また、略{(3/4)+n}λとしたのは、{(3/4)+n}λから多少ずれていても共振は可能だからである。例えば、帯状導体5を{(3/4)+n}λよりも10〜20%程度長く形成しても良く、その場合、帯状導体5の接するチョーク型バイアス供給線路4aの1パターン目の長さλ/4のうち一部が共振に寄与すると考えられるからである。従って、帯状導体5の長さは{(3/4)+n}λ±20%程度の範囲内で変化させることができる。
【0028】
これらチョーク型バイアス供給線路4aおよび帯状導体5の材料は、Cu,Al,Au,Ag,W,Ti,Ni,Cr,Pd,Pt等から成り、特にCu,Agが、電気伝導度が良好であり、損失が小さく、発振出力が大きくなるといった点で好ましい。
【0029】
また、チョーク型バイアス供給線路4aはプリント配線基板等の配線基板4に形成され、帯状導体5の一端をチョーク型バイアス供給線路4aに他端をガンダイオード3の上部導体に半田付けや熱圧着等により接続しているが、帯状導体5も配線基板4に形成して、チョーク型バイアス供給線路4aと一体化しても良い。
【0030】
そして、金属部材2は、ガンダイオード3の電気的な接地(アース)を兼ねているため金属導体であれば良く、その材料は金属(合金を含む)導体であれば特に限定するものではなく、真鍮(黄銅:Cu−Zn合金),Al,Cu,SUS(ステンレス),Ag,Au,Pt等から成る。また金属部材2は、全体が金属から成る金属ブロック,セラミックスやプラスチック等の絶縁基体の表面全体または部分的に金属メッキしたもの,絶縁基体の表面全体または部分的に導電性樹脂材料等をコートしたものであっても良い。
【0031】
また、誘電体線路7の材料は、コーディエライト(2MgO・2Al2O3・5SiO2),アルミナ(Al2O3)等のセラミックス、その他ポリテトラフルオロエチレン(テフロン)等の樹脂材料が好ましく、これらは高周波帯域において低損失である。ガンダイオード3と誘電体線路7との間隔は1.0mm程度以下が好ましく、1.0mmを超えると損失を小さくして電磁的結合が可能な最大離間幅を超える。
【0032】
本発明において、好ましくは、周波数変調用ダイオードと帯状導体5との間隔をλ以下とする。λよりも大きいと、バラクタダイオード10の容量変化による周波数の変調が困難となり、周波数変調幅が小さくなる。より好ましくは、周波数変調用ダイオードと帯状導体5との間隔は0.1mm〜λであり、0.1mm未満では電極11と帯状導体5とが接触し易くなる。
【0033】
また、バラクタダイオード10の帯状導体5に対する位置は、帯状導体5の中心部から、チョーク型バイアス供給線路4a側へ帯状導体5の長さの1/4程度までの範囲が良い。バラクタダイオード10が、帯状導体5の中心部よりもガンダイオード3側へ近くなると発振出力が低下し、チョーク型バイアス供給線路4a側へ帯状導体5の長さの1/4を超えて配置されると、周波数変調幅が小さくなる。
【0034】
上記実施形態では、バラクタダイオード10のバイアス電圧印加方向が、帯状導体5で生じる電界の方向、即ち平行平板導体1に平行な方向かつ帯状導体5表面に垂直な方向に合致するようにしたが、帯状導体5より生じる電界は帯状導体5から離れるに従い広がり、平行平板導体1に垂直な方向の成分が発生する。従って、平行平板導体1に垂直な方向の電界にバラクタダイオード10のバイアス電圧印加方向を合致させるように設けることもできる。
【0035】
本発明でいう高周波帯域は、数10〜数100GHz帯域のマイクロ波帯域およびミリ波帯域に相当し、例えば30GHz以上、特に50GHz以上、更には70GHz以上の高周波帯域が好適である。
【0036】
また本発明の高周波ダイオードとしては、インパット(impatt:impact ionisation avalanche transit time)・ダイオード,トラパット(trapatt:trapped plasma avalanche triggered transit)・ダイオード,ガンダイオード等のマイクロ波ダイオードおよびミリ波ダイオードが好適に使用される。また、周波数変調用ダイオードとしては、バラクタダイオードが好適である。
【0037】
本発明のNRDガイド用の平行平板導体1は、高い電気伝導度および加工性等の点で、Cu,Al,Fe,SUS(ステンレス),Ag,Au,Pt等の導体板、あるいはセラミックス,樹脂等から成る絶縁板の表面にこれらの導体層を形成したものでもよい。
【0038】
また、本発明のNRDガイド型の高周波ダイオード発振器は、無線LAN,自動車のミリ波レーダ等に使用されるものであり、例えば自動車の周囲の障害物および他の自動車に対しミリ波を照射し、反射波を元のミリ波と合成して中間周波信号を得、この中間周波信号を分析することにより障害物および他の自動車までの距離、それらの移動速度等が測定できる。
【0039】
かくして、本発明は、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが共振器として機能し、その共振器の帯状導体に周波数変調用ダイオードを近接配置して電磁結合させ、周波数変調用ダイオードに印加するバイアス電圧を変化させることで発振周波数を制御することを可能とする。また、周波数変調部材の一端面Aに形成された切欠部により、両主面のバイアス供給線路の結合が完全に行われ、切欠部と両主面との境界部でバイアス供給線路が滑らかに連続形成可能となる。その結果、バイアス供給線路に継目等が一切ないことから、バイアス供給線路におけるインピーダンスが一定となり、高い高周波特性が得られる。さらに、ハーフビアにより切欠部を精度良く配線基板の一端面に形成できることから、高い量産性を確保することができる。
【0040】
また、切欠部の内面にはバイアス供給線路用の導体層が被着されており、切欠部の側面よりみた形状が円弧状等の凹んだ曲面をなしていることから、帯状導体から放射された電気力線のうち帯状導体から離れるに従い上下に広がっていく成分が、切欠部の内面に対して自然に垂直に出入りできることから、電磁結合が強化されて安定的な電磁結合がなされる。
【0041】
次に、本発明のミリ波送受信器としてのミリ波レーダーモジュールについて以下に説明する。図5、図6は、本発明のミリ波レーダーモジュールについて示すものであり、図5は送信アンテナと受信アンテナが一体化されたものの平面図、図6は送信アンテナと受信アンテナが独立したものの平面図である。
【0042】
図5において、30は本発明の一方の平行平板導体(他方は省略する)、31は第1の誘電体線路32の一端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振部であり、本発明の高周波ダイオード発振器を具備している。さらに、バイアス電圧印加方向が高周波信号の電界方向に合致するように、第1の誘電体線路32のガンダイオード3近傍に配置された可変容量ダイオード(バラクタダイオード)のバイアス電圧を周期的に制御して、三角波,正弦波等とすることにより、周波数変調した送信用のミリ波信号として出力する。
【0043】
32は、高周波発生素子としてのガンダイオード等の高周波ダイオードから出力された高周波信号が変調されたミリ波信号を伝搬させる第1の誘電体線路、34は、第2,第3,第4の誘電体線路35,36,38にそれぞれ接続される第1,第2,第3の接続部34a,34b,34cを有する、一対のフェライト円板から成るサーキュレータである。36は、サーキュレータ34の第2の接続部34bに接続され、ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送受信アンテナ37を有する第3の誘電体線路、37は、第3の誘電体線路36の先端をテーパー状等とすることにより設けられた送受信アンテナである。
【0044】
また38は、送受信アンテナ37で受信され第3の誘電体線路36を伝搬してサーキュレータ34の第3の接続部34cより出力した受信波をミキサー33側へ伝搬させる第4の誘電体線路、35は、第1の誘電体線路32に一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは第1の誘電体線路32に一端が接合されて、ミリ波信号の一部をサーキュレータ34側へ伝搬させる第2の誘電体線路、35aは、第2の誘電体線路35のサーキュレータ34と反対側の一端部に設けられた無反射終端部(ターミネータ)である。また、33は、第1の誘電体線路32の中途と第4の誘電体線路38の中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させることにより、ミリ波信号の一部と受信波を混合させて中間周波信号を発生させるミキサーである。
【0045】
本発明のサーキュレータ34は、平行平板導体30に平行に配設されたフェライト円板の周縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれミリ波信号の入出力端とされた第1の接続部34a、第2の接続部34bおよび第3の接続部34cを有し、一つの接続部から入力されたミリ波信号をフェライト円板の面内で時計回りまたは反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるものである。
【0046】
そして、これらの各種部品は、ミリ波信号の波長の2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体30間に設けられる。
【0047】
図5のものにおいて、第1の誘電体線路32の中途にスイッチを介在させることで、ミリ波信号をパルス化することもできる。例えば、配線基板の一主面にチョーク型バイアス供給線路を形成し、その中途に半田実装されたビームリードタイプのPINダイオードやショットキーバリアダイオードを設け、そのPINダイオード部やショットキーバリアダイオード部を、バイアス電圧印加方向が高周波信号の電界方向に合致するように第1の誘電体線路32の断面に挿入設置したスイッチである。
【0048】
また、本発明のミリ波送受信器としてのミリ波レーダーモジュールの他の実施形態として、送信アンテナと受信アンテナを独立させた図6のタイプがある。同図において、41は本発明の一方の平行平板導体(他方は省略する)、42は第1の誘電体線路43の一端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振部であり、本発明の高周波ダイオード発信器を具備するものである。さらに、バイアス電圧印加方向が高周波信号の電界方向に合致するように第1の誘電体線路43の高周波ダイオード近傍に配置された可変容量ダイオードのバイアス電圧を周期的に制御して、三角波,正弦波等とすることにより、周波数変調した送信用のミリ波信号として出力する。
【0049】
43は、高周波ダイオードから出力された高周波信号が周波数変調されたミリ波信号を伝搬させる第1の誘電体線路、44は、第1,第3,第5の誘電体線路43,45,47にそれぞれ接続される第1,第2,第3の接続部44e,44f,44gを有する、一対のフェライト円板44aから成るサーキュレータである。45は、サーキュレータ44の第2の接続部44fに接続され、ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送信アンテナ46を有する第3の誘電体線路、46は、第3の誘電体線路45の先端をテーパー状等にすることにより設けられた送信アンテナ、47は、サーキュレータ44の第3の接続部44gに接続され、送信用のミリ波信号を減衰させる無反射終端部47aが先端に設けられた第5の誘電体線路である。
【0050】
また48は、第1の誘電体線路43に一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは第1の誘電体線路43に一端が接合されて、ミリ波信号の一部をミキサー51側へ伝搬させる第2の誘電体線路、48aは、第2の誘電体線路48のミキサー51と反対側の一端部に設けられた無反射終端部、49は、受信アンテナ50で受信された受信波をミキサー51側へ伝搬させる第4の誘電体線路である。また、図中51は、第2の誘電体線路48の中途と第4の誘電体線路49の中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させることにより、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて中間周波信号を発生させるミキサー部である。
【0051】
なお、サーキュレータ44は図5のものと同様の構成である。
【0052】
そして、これらの各種部品は、ミリ波信号の波長の2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体41,41間に設けられる。なお、図6において、53はLSE(Longitudinal Section Electric)モードの電磁波を遮断するモードサプレッサである。
【0053】
この図6のものにおいて、第1の誘電体線路43の中途にスイッチを介在させることで、ミリ波信号をパルス化することもできる。例えば、配線基板の一主面にチョーク型バイアス供給線路を形成し、その中途に半田実装されたビームリードタイプのPINダイオードやショットキーバリアダイオードを設け、そのPINダイオード部やショットキーバリアダイオード部を、バイアス電圧印加方向が高周波信号の電界方向に合致するように第1の誘電体線路43の断面に挿入設置したスイッチである。
【0054】
また、これらのミリ波レーダーモジュールにおいて、平行平板導体間の間隔は、ミリ波信号の空気中での波長であって使用周波数での波長の2分の1以下となる。
【0055】
図5,図6のミリ波レーダーモジュール用のミリ波信号発振部31,42は、図1、図3に示した高周波ダイオード発信器を具備し、さらに、例えば図1において、第1の誘電体線路としての誘電体線路7の中途の断面に、周波数変調用ダイオードであって可変容量ダイオードの1種であるバラクタダイオードを装荷した配線基板(図示せず)を、バラクタダイオード部を挿入して設置する構成であってもよい。この場合、バラクタダイオードのバイアス電圧印加方向は、誘電体線路7での高周波信号の伝搬方向に垂直かつ平行平板導体の主面に平行な方向(電界方向)とされている。即ち、バラクタダイオードのバイアス電圧印加方向は、誘電体線路7中を伝搬するLSM01モードの高周波信号の電界方向と合致しており、これにより高周波信号とバラクタダイオードとを電磁結合させ、バイアス電圧を制御することによりバラクタダイオードの静電容量を変化させることで、高周波信号の周波数を制御できる。また、バラクタダイオードと誘電体線路7とのインピーダンス整合をとるための高比誘電率の誘電体板を、バラクタダイオードと誘電体線路7との間に設けることもできる。
【0056】
また、このバラクタダイオードは、配線基板の一主面に形成されたチョーク型バイアス供給線路の中途に配置接続され、その配線基板を、中途で切断されるように分割された誘電体線路7の分割面間に挿入配置する。
【0057】
そして、ガンダイオード3から発振された高周波信号は、誘電体線路7に導出され、次いで、高周波信号の一部はバラクタダイオード部で反射されてガンダイオード3側へ戻る。この反射信号がバラクタダイオードの静電容量の変化に伴って変化し、発振周波数が変化する。
【0058】
また、図5,図6のミリ波レーダーモジュールは、FMCW(Frequency Modulation Continuous Waves)方式またはパルス方式等であり、FMCW方式の場合その動作原理は以下のようなものである。ミリ波信号発振部の変調信号入力用のMODIN端子に、電圧振幅の時間変化が三角波,正弦波等となる入力信号を入力し、その出力信号を周波数変調し、ミリ波信号発振部の出力周波数偏移を三角波,正弦波等になるように偏移させる。そして、送受信アンテナ37,送信アンテナ46より出力信号(送信波)を放射した場合、送受信アンテナ37,送信アンテナ46の前方にターゲットが存在すると、電波の伝搬速度の往復分の時間差をともなって、反射波(受信波)が戻ってくる。この時、ミキサー33,51の出力側のIFOUT端子には、送信波と受信波の周波数差が出力される。
【0059】
このIFOUT端子の出力周波数等の周波数成分を解析することで、Fif=4R・fm・Δf/c{Fif:IF(Intermediate Frequency)出力周波数,R:距離,fm:変調周波数,Δf:周波数偏移幅,c:光速}という関係式から距離を求めることができる。
【0060】
かくして、本発明のミリ波送受信器としてのミリ波レーダーモジュールは、高周波ダイオード発振器部が本発明の上記構成であることにより、周波数により高周波信号の出力が変動しにくくなり、高い高周波特性を得ることができるため、広帯域において高周波信号の出力が安定し、ミリ波レーダー等に用いた場合、周波数変動による出力変動が小さい良好な高周波特性が得られる。
【0061】
【実施例】
本発明の実施例を以下に説明する。
(実施例)
図3のNRDガイド型のガンダイオード発振器を以下のように構成した。一対の平行平板導体1,1として、縦80mm×横80mm×厚さ2mmのAl板を1.8mmの間隔で配置し、それらの間にガンダイオード3をネジ止めした真鍮製の金属部材2とコーディエライトセラミックスから成る誘電体線路7を設置した。この金属部材2は高さが約1.8mmの直方体状であり、その一側面には、発振周波数約77GHzで波長λが約3.9mmの高周波信号(電磁波)を発振するガンダイオード3と、ガンダイオード3にバイアス電圧を入力するチョーク型バイアス供給線路4aが形成された配線基板4と、チョーク型バイアス供給線路4aとガンダイオード3の上部導体とを接続する帯状導体5を設けた。そして、ビームリードタイプのバラクタダイオード10を図4の周波数調整器20aに装荷し、周波数調整部材14が平行平板導体1の内面に立設された状態で、バラクタダイオード10を帯状導体5の略中心部に対応する位置に近接配置した。
【0062】
配線基板4はガラスエポキシ樹脂から成り、金属部材2に接着剤により固定した。また、チョーク型バイアス供給線路4aの幅の広い線路と幅の狭い線路について、幅の広い線路の長さはλ/4=0.70mm(誘電体基板上では短波長化する)、幅の狭い線路の長さはλ/4=0.70mmであり、幅の広い線路部の幅は1.5mm、幅の狭い線路部の幅は0.2mmであり、帯状導体5は厚さ35μm,幅0.6mmの銅箔リボンから成り、一端をチョーク型バイアス供給線路4aに他端をガンダイオード3の上部導体に各々半田付けした。誘電体線路7は、比誘電率5のコーディエライトセラミックスから成り、ガンダイオード3の上部導体から約0.5mmの間隔をあけて配置した。
【0063】
バラクタダイオード10マウント用の周波数調整部材14はガラスエポキシ樹脂から成り、横幅1.8mm,高さ2.0mmの導体パターンの中心部に0.2mmの隙間を設けて、バイアス供給線路11,11を形成し、その隙間にビームリードタイプのバラクタダイオード10を電極11,11に接続し設置した。そして、周波数調整部材14のバラクタダイオード10が設置された主面と対向する主面に、横幅0.3mm、高さ2.0mmのバイアス供給線路16を形成した。周波数調整部材14の一端面Aにおいて、直径0.3mmの半円状の切欠部15を介してバイアス供給線路11,16を接続した。バイアス供給線路11,16の両端は第二のチョーク型バイアス供給線路12に半田付けにより接続した。
【0064】
また、周波数調整部材14は一端面Aに対向する他端面において接着剤で補助配線基板13aに接着されており、補助配線基板13aはガラスエポキシ樹脂から成る。そして、補助配線基板13aの主面には、幅1.5mmの幅の広い線路と幅0.2mmの幅の狭い線路が0.7mm毎に交互に形成されて成る第二のチョーク型バイアス供給線路12が形成され、第二のチョーク型バイアス供給線路12の両端にはエナメル線を接続し、電源部よりバイアス電圧を印加するようにした。
【0065】
そして、帯状導体5と周波数調整部材14の一端面Aとの間隔を0.8mmとした場合、バラクタダイオード10のバイアス電圧を0〜5Vに変化させることにより発振周波数が180MHz変化した。この発振周波数の変化は、バイアス電圧を何度も同様に変化させても忠実に再現された。また、発振周波数が77GHzを中心に200MHz程度変動してもその出力はほとんど変化しなかった。
【0066】
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行っても何等差し支えない。
【0067】
【発明の効果】
本発明は、高周波信号の波長λの2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に金属部材を設置し、金属部材に高周波信号を発振する高周波ダイオードと、幅の広い線路と幅の狭い線路が交互に形成されたチョーク型バイアス供給線路と、チョーク型バイアス供給線路および高周波ダイオードを直線状に接続する帯状導体とを設けるとともに、高周波ダイオードの近傍に高周波信号を受信し伝搬させる誘電体線路を配設して成り、チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路の長さと幅の狭い線路の長さをそれぞれ略λ/4、帯状導体の長さを略{(3/4)+n}λとし、略四角形の配線基板の両主面に一端面を介してバイアス供給線路が形成されかつバイアス供給線路の中途にバイアス電圧印加方向がバイアス供給線路の線路方向に平行となるように周波数変調用ダイオードが接続された周波数変調部材が、バイアス供給線路が帯状導体に電磁結合するように一端面が帯状導体に近接配置されるとともに線路方向が帯状導体に生じる電界方向に平行となるように平行平板導体の内面に立設され、バイアス供給線路は一端面に両主面を貫通して形成された切欠部を介して両主面に形成されていることにより、周波数変調部材の配線基板において、断面が円形状のビアホール等を切断することで断面が半円形状等とされた切欠部により、両主面のバイアス供給線路の結合が完全に行われる。その結果、バイアス供給線路用の電極パターン全面に金メッキ処理が可能となり、高い信頼性を確保することができる。
【0068】
また、切欠部と両主面との境界部でバイアス供給線路が滑らかに連続形成可能であり、バイアス供給線路に継目等が一切ないことから、バイアス供給線路におけるインピーダンスが一定となり、周波数により高周波信号の出力が変動しにくくなり、高い高周波特性を得ることができる。さらに、ハーフビアにより切欠部を精度良く配線基板の一端面に形成できることから、高い量産性を確保することができる。
【0069】
さらに、切欠部の内面にはバイアス供給線路用の導体層が被着されており、切欠部の側面よりみた形状が円弧状等の凹んだ曲面をなしていることから、帯状導体からその主面に垂直方向(平行平板導体の内面に平行な方向)に生じる電界成分と、帯状導体から離れるに従い帯状導体の主面に平行な方向(平行平板導体の内面に垂直な方向)に生じる電界成分とで形成される電界分布を乱すことなく、切欠部の内面が帯状導体に高い安定性をもって電磁結合し得る。即ち、帯状導体から放射された電気力線は帯状導体から離れるに従い上下に広がっていく成分を生じるが、このような広がった電気力線が、切欠部の内面に対して自然に垂直に出入りできることから、電磁結合が強化されて安定的な電磁結合がなされる。
【0070】
また本発明は、好ましくは第二のチョーク型バイアス供給線路が主面に形成された補助配線基板が主面を平行平板導体の内面に対し垂直にしてその内面に設置されるとともに、主面の第二のチョーク型バイアス供給線路の中途に周波数変調部材が一端面に対向する他端面において立設され、かつバイアス供給線路と第二のチョーク型バイアス供給線路とが接続されていることにより、周波数調整部材および補助配線基板の上面視における形状が凸型あるいはT形となり、その位置ずれや捩じれ等が小さくなり設置の安定性がきわめて高くなる。また、周波数変調用ダイオードのバイアス電圧印加方向を帯状導体の高周波信号の電界方向に合致させた状態で周波数変調用ダイオードを帯状導体に近接配置し、位置調整できるため、容易に周波数変調幅を調整可能となる。
【0071】
また本発明は、好ましくは周波数変調用ダイオードと帯状導体との間隔をλ以下としたことで、高周波信号の出力を大きくして周波数変調幅を広げることができる。
【0072】
本発明の送受信アンテナを兼用するタイプのミリ波送受信器は、ミリ波信号発振部が本発明の高周波ダイオード発振器を具備することにより、高い量産性と安定した高周波特性を確保するものとなる。また、広帯域において高周波信号の出力が安定し、ミリ波レーダー等に用いた場合、周波数変動による出力変動が小さい良好な高周波特性が得られる。
【0073】
また、本発明の送信アンテナと受信アンテナが独立したタイプのミリ波送受信器は、ミリ波信号発振部が本発明の高周波ダイオード発振器を具備することにより、高い量産性と安定した高周波特性を確保するものとなる。また、上記と同様の作用効果が得られるとともに、送信用のミリ波信号がサーキュレータを介してミキサーへ混入することがなく、従ってミリ波レーダーモジュールに適用した場合受信信号のノイズが低減し探知距離が増大し、ミリ波信号の伝送特性に優れ、ミリ波レーダーの探知距離をさらに増大し得るものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のNRDガイド型の高周波ダイオード発振器について実施の形態の例を示すものであり、内部を透視した斜視図である。
【図2】図1の高周波ダイオードにおける周波数調整器の斜視図である。
【図3】本発明のNRDガイド型の高周波ダイオード発振器について実施の形態の他の例を示すものであり、内部を透視した斜視図である。
【図4】図3の高周波ダイオード発振器における周波数調整器の斜視図である。
【図5】本発明の高周波ダイオード発振器を用いたミリ波レーダーモジュールについて実施の形態の例を示す平面図である。
【図6】本発明の高周波ダイオード発振器を用いたミリ波レーダーモジュールについて実施の形態の他の例を示す平面図である。
【図7】従来のNRDガイド型のガンダイオード発振器の例を示すものであり、内部を透視した斜視図である。
【図8】図7の高周波ダイオード発振器における周波数調整器の斜視図である。
【符号の説明】
1:平行平板導体
2:金属部材
3:ガンダイオード
4:配線基板
4a:チョーク型バイアス供給線路
5:帯状導体
7:誘電体線路
10:バラクタダイオード
11,16:バイアス供給線路
12:第二のチョーク型バイアス供給線路
13:配線基板
14:周波数調整部材
15:切欠部
20:周波数調整器
Claims (6)
- 高周波信号の波長λの2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に金属部材を設置し、該金属部材に高周波信号を発振する高周波ダイオードと、幅の広い線路と幅の狭い線路が交互に形成されたチョーク型バイアス供給線路と、該チョーク型バイアス供給線路および前記高周波ダイオードを直線状に接続する帯状導体とを設けるとともに、前記高周波ダイオードの近傍に前記高周波信号を受信し伝搬させる誘電体線路を配設して成る高周波ダイオード発振器において、前記チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路の長さと幅の狭い線路の長さをそれぞれ略λ/4、前記帯状導体の長さを略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)とし、略四角形の配線基板の両主面に一端面を介してバイアス供給線路が形成されかつ前記バイアス供給線路の中途にバイアス電圧印加方向が前記バイアス供給線路の線路方向に平行となるように周波数変調用ダイオードが接続された周波数変調部材が、前記バイアス供給線路が前記帯状導体に電磁結合するように前記一端面が前記帯状導体に近接配置されるとともに前記線路方向が前記帯状導体に生じる電界方向に平行となるように前記平行平板導体の内面に立設されており、前記バイアス供給線路は前記一端面に前記両主面を貫通して形成された切欠部を介して前記両主面に形成されていることを特徴とする高周波ダイオード発振器。
- 第二のチョーク型バイアス供給線路が主面に形成された補助配線基板が前記主面を前記平行平板導体の内面に対し垂直にして該内面に設置されるとともに、前記主面の第二のチョーク型バイアス供給線路の中途に前記周波数変調部材が前記一端面に対向する他端面において立設され、かつ前記バイアス供給線路と前記第二のチョーク型バイアス供給線路とが接続されていることを特徴とする請求項1記載の高周波ダイオード発振器。
- 前記周波数変調用ダイオードと前記帯状導体との間隔をλ以下としたことを特徴とする請求項1または請求項2記載の高周波ダイオード発振器。
- 送信用のミリ波信号の波長の2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に、
高周波ダイオードから出力され周波数変調またはパルス化されたミリ波信号をミキサー側へ伝搬させる第1の誘電体線路と、
該第1の誘電体線路に付設され、前記高周波ダイオードから出力された高周波信号を周期的に周波数変調するかまたはパルス化して送信用のミリ波信号として出力し前記第1の誘電体線路中を伝搬させるミリ波信号発振部と、
前記第1の誘電体線路に、一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは前記第1の誘電体線路に一端が接合されて、前記ミリ波信号の一部をサーキュレータ側へ伝搬させる第2の誘電体線路と、
前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波信号の入出力端とされた第1の接続部,第2の接続部および第3の接続部を有し、一つの前記接続部から入力された前記ミリ波信号をフェライト板の面内で時計回りまたは反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサーキュレータであって、前記第2の誘電体線路の前記ミリ波信号の出力端に前記第1の接続部が接続されるサーキュレータと、
該サーキュレータの前記第2の接続部に接続され、前記ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送受信アンテナを有する第3の誘電体線路と、
前記送受信アンテナで受信され第3の誘電体線路を伝搬して前記サーキュレータの前記第3の接続部より出力した受信波をミキサー側へ伝搬させる第4の誘電体線路と、
前記第1の誘電体線路の中途と前記第4の誘電体線路の中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させることにより、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて中間周波信号を発生させるミキサー部と、
を設けたミリ波送受信器において、
前記ミリ波信号発振部が請求項1〜3のいずれかに記載の高周波ダイオード発振器を具備することを特徴とするミリ波送受信器。 - 送信用のミリ波信号の波長の2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に、
高周波ダイオードから出力され周波数変調されるかまたはパルス化されたミリ波信号を伝搬させる第1の誘電体線路と、
該第1の誘電体線路に付設され、前記高周波ダイオードから出力された高周波信号を周期的に周波数変調するかまたはパルス化して送信用のミリ波信号として出力し前記第1の誘電体線路中を伝搬させるミリ波信号発振部と、
前記第1の誘電体線路に、一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは前記第1の誘電体線路に一端が接合されて、前記ミリ波信号の一部をミキサー側へ伝搬させる第2の誘電体線路と、
前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波信号の入出力端とされた第1の接続部,第2の接続部および第3の接続部を有し、一つの前記接続部から入力された前記ミリ波信号をフェライト板の面内で時計回りまたは反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサーキュレータであって、前記第1の誘電体線路の前記ミリ波信号の出力端に前記第1の接続部が接続されるサーキュレータと、
該サーキュレータの前記第2の接続部に接続され、前記ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送信アンテナを有する第3の誘電体線路と、
先端部に受信アンテナ、他端部にミキサーが各々設けられた第4の誘電体線路と、
前記第2の誘電体線路の中途と前記第4の誘電体線路の中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させることにより、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて中間周波信号を発生させるミキサー部と、
を設けたミリ波送受信器において、
前記ミリ波信号発振部が請求項1〜3のいずれかに記載の高周波ダイオード発振器を具備することを特徴とするミリ波送受信器。 - 前記第2の誘電体線路は、前記第3の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは前記第3の誘電体線路に一端側が接合されて、前記ミリ波信号の一部をミキサー側へ伝搬させるように配置されていることを特徴とする請求項5記載のミリ波送受信器。
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JP2001035173A JP3777099B2 (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 高周波ダイオード発振器およびそれを用いたミリ波送受信器 |
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