JPH09216944A - 側鎖に架橋反応しうる官能基を有するポリカーボネート樹脂及びそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 架橋反応しうる官能基を側鎖に有する新規な
ポリカーボネート樹脂を提供すると共に、そのポリカー
ボネート樹脂を感光層形成用の樹脂として用い、耐刷性
に優れ、長期間優れた電子写真特性を維持する電子写真
感光体を提供する。 【解決手段】 モル比（１）／［（１）＋（２ａ）＋
（２ｂ）］が０．００１〜１である側鎖に架橋反応しう
る官能基を有するポリカーボネート樹脂及びこれを用い
た電子写真感光体。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、架橋ポリカーボネ
ート樹脂やグラフト重合体の製造に好適に用いられる新
規なポリカーボネート樹脂を提供することを目的とす
る。また、本発明は、ポリカーボネート樹脂を感光層中
のバインダー樹脂として含有する電子写真感光体であっ
て、長時間にわたる繰り返し使用に対して優れた機械的
強度及び電子写真特性を維持し、種々の電子写真分野に
好適に利用できる電子写真感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真感光体としては、従来よりセレ
ンやα−シリコンなどの無機光導電性材料を用いたもの
が使用されていたが、最近では、導電性基体上に、有機
光導電性材料とバインダー樹脂とからなる感光層を設け
た有機電子写真感光体（ＯＰＣ）の性能が向上し、その
使用も急速に拡大している。このような有機電子写真感
光体としては、積層型の電子写真感光体、即ち、感光層
が、露光により電荷を発生させる電荷発生層（ＣＧＬ）
と電荷を輸送する電荷輸送層（ＣＴＬ）との少なくとも
２層を有する積層型の有機電子写真感光体や、感光層が
電荷発生物質及び電荷輸送物質をバインダー樹脂に分散
させた単一層からなる単層型の有機電子写真感光体が利
用されている。

【０００３】一方、電子写真感光体には、適用される電
子写真プロセスに応じた所定の感度、電気特性、光学特
性を備えていることが要求される。特に、繰り返し使用
される感光体には、その感光体の表面層、即ち基体（通
常は導電性基体）より最も離れて位置する層には、コロ
ナ帯電、トナー現像、紙への転写、クリーニング処理等
の際に、電気的、機械的外力が直接に加えられるため、
長期間にわたって画質を維持するためには、それらに対
する耐久性が要求される。具体的には、摩擦による表面
の摩耗や傷の発生、高温下においてのコロナ帯電時に発
生するオゾンによる表面の劣化などに対する耐久性が要
求される。このような要求に対応するために、有機電子
写真感光体の感光層のバインダー樹脂としては、電荷輸
送物質との相溶性がよく、しかも機械的強度が高いビス
フェノールＡやビスフェノールＺなどを原料とするポリ
カーボネート樹脂が利用されてきた。しかしながら、こ
れらのポリカーボネート樹脂も、無機光導電性材料から
なる層と比較すると耐久性に劣っている。

【０００４】そこで、更に耐久性に優れる電子写真感光
体を得るために、架橋性ポリカーボネートをバインダー
樹脂材料として用いることが提案されている。例えば、
特開平４−２９１３４８号公報には、側鎖に不飽和基を
有する架橋性ポリカーボネートを架橋して得られる架橋
ポリカーボネートをバインダー樹脂として含有する架橋
型電子写真感光体が提案されている。しかしながら、該
公報記載の架橋性ポリカーボネート樹脂は、架橋前ポリ
カーボネートの構造が、剛直性に欠ける構造であるため
に、結果としてこのポリカーボネートの架橋体をバイン
ダー樹脂として含有する層は脆く、耐摩耗性の改善が不
十分となっている。

【０００５】また、電子写真感光体に用いられるバイン
ダー樹脂には、溶媒に溶解させて感光層を形成するため
の塗工液を調製する際に、塗工液が白化又はゲル化した
りしないことが要求される。塗工液の白化又はゲル化が
生じると、塗工、乾燥後の感光層が結晶化を起こすこと
がある。この結晶化を起こした部分では、光減衰がな
く、電荷は残留電位となって残り、画質上ディフェクト
となって出現する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
基づいてなされたものであり、架橋ポリカーボネート樹
脂やグラフト重合体の製造に好適に用いられる不飽和結
合を有する新規なポリカーボネート樹脂を提供するとと
もに、電荷輸送物質との相溶性が良い上に、溶媒に溶解
しても白化又はゲル化を起こさず、かつ、架橋体が高い
表面硬度及び耐摩耗性を有する新規なポリカーボネート
樹脂をバインダー樹脂材料として用いて作製される架橋
型電子写真感光体であって、耐刷性に優れ、長期間に亘
って優れた電子写真特性を維持する電子写真感光体を提
供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記問題
点を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、ビスフェノール
類の中心炭素部を、剛直成分である直結構造又はフルオ
レニリデン構造にすること又は／及び側鎖に反応しうる
不飽和結合を有し、又は／及び置換基を導入することで
ポリカーボネートの回転自由度を制御することにより剛
直性を付与した新規なポリカーボネート樹脂が架橋ポリ
カーボネートやグラフト重合体の製造に好適に用いられ
ることを見いだした。また、そのポリカーボネート樹脂
のうち特定の還元粘度を有するものは、電荷輸送物質と
の相溶性が良い上に、溶媒に溶解しても白化又はゲル化
を起こさず、かつ、そのポリカーボネート樹脂の架橋体
が高い表面硬度及び耐摩耗性を有することを見いだし、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。

【０００８】即ち本発明は、下記一般式（１）で表され
る繰り返し単位（１）並びに下記一般式（２ａ）で表さ
れる繰り返し単位（２ａ）及び／又は下記一般式（２
ｂ）で表される繰り返し単位（２ｂ）を、繰り返し単位
（１）、繰り返し単位（２ａ）及び繰り返し単位（２
ｂ）の合計に対する繰り返し単位（１）のモル比、
（１）／［（１）＋（２ａ）＋（２ｂ）］、が０．００
１〜１となる割合で有する、側鎖に架橋反応しうる官能
基を有するポリカーボネート樹脂を提供するものであ
る。

【０００９】

【化１５】

【００１０】［一般式（１）中、Ａｒは、

【００１１】

【化１６】

【００１２】で表される２価の芳香族基であり、式（１
ａ）中、Ｘは単結合、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−
ＳＯ₂−、−Ｏ−、−ＣＲ⁵Ｒ⁶−（ただし、Ｒ⁵及びＲ⁶
は各々独立に炭素数１〜１０のアルキル基、トリフルオ
ロメチル基又は炭素数６〜３６のアリール基である）、
炭素数５〜１２のシクロアルキリデン基、フルオレニリ
デン基、−ＣＲ⁷Ｒ⁸−（ただし、Ｒ⁷及びＲ⁸は各々独立
に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜
３６のアリール基又は少なくとも１つの不飽和結合を有
する炭素数２〜１０の脂肪族炭化水素基であり、ただ
し、Ｒ⁷及びＲ⁸の少なくとも一方は少なくとも１つの不
飽和結合を有する炭素数２〜１０の脂肪族炭化水素基で
ある）、少なくとも１つの不飽和結合を有する炭素数２
〜１２の脂肪族炭化水素基を置換基として有する炭素数
５〜１２のシクロアルキリデン基、少なくとも１つの不
飽和結合を有する炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基を
置換基として有する炭素数５〜１２のシクロアルキリデ
ン基、或は少なくとも１つの不飽和結合を有する炭素数
２〜１２の脂肪族炭化水素基を置換基として有するフル
オレニリデン基であり、Ｒ¹及びＲ³は各々独立に少なく
とも１つの不飽和結合を有する炭素数２〜１０の脂肪族
炭化水素基であり、Ｒ²及びＲ⁴は各々独立にハロゲン原
子、炭素数１〜１０の飽和炭化水素基、炭素数６〜１８
のアリール基、又は炭素数１〜１０のアルコキシル基で
置換された炭素数６〜１８のアリール基であり、ａ、
ｂ、ｃ及びｄは各々独立に０〜４の整数であり（ただし
ａ＋ｂは０〜４の整数であり、ｃ＋ｄは０〜４の整数で
ある）、ただし、Ｘが単結合又はフルオレニリデン基の
場合、ａ＋ｃは０ではなく、Ｘが−ＣＯ−、−Ｓ−、−
ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−Ｏ−、−ＣＲ⁵Ｒ⁶−又は炭素数
５〜１２のシクロアルキリデン基である場合、ａ＋ｃは
０ではなく、かつｂ＋ｄは０ではなく、Ｘが−ＣＲ⁷Ｒ⁸
−、少なくとも１つの不飽和結合を有する炭素数２〜１
２の脂肪族炭化水素基を置換基として有する炭素数５〜
１２のシクロアルキリデン基、又は少なくとも１つの不
飽和結合を有する炭素数２〜１２の脂肪族炭化水素基を
置換基として有するフルオレニリデン基である場合、Ｒ
²及びＲ⁴のいずれもハロゲン原子ではなく、式（１ｂ）
中、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は各々独立にハロゲン原子、炭素数１
〜６のアルキル基、炭素数１〜４のアルキルオキシ基、
炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基又は
炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリールオキシ
基を表し、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は各々独立にハロゲン原子、炭
素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜４のアルキルオキ
シ基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
オキシ基を表し、ＦＧは次に示す官能基から選ばれる基
であり、

【００１３】

【化１７】

【００１４】（式中、ｈは０〜４の整数を表し、Ｒ¹³及
びＲ¹⁴は各々独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリー
ル基を表し、ｉ、ｊ、ｋ及びｌは各々独立に０〜３の整
数を表し、但し、ｉ＋ｊ＝１〜６、ｉ＋ｋ＝０〜３、ｊ
＋ｌ＝０〜３である。）を表し、一般式（２ａ）中、Ｙ
はアリーレン基を含有し、側鎖に架橋反応しうる官能基
を持たない二価の基であり、一般式（２ｂ）中、Ｚは

【００１５】

【化１８】

【００１６】（式中、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸は各々
独立に炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数６〜３６の
アリール基であり、ｎは１〜６の整数、ｍは１〜１５０
の数である。）で表される基である。］ また、本発明は、上記本発明のポリカーボネート樹脂を
架橋させて得られる架橋ポリカーボネート樹脂を提供す
るものである。

【００１７】さらに、本発明は、導電性基体上に感光層
を有する電子写真感光体において、感光層に、本発明の
ポリカーボネート樹脂又は本発明のポリカーボネート樹
脂を架橋させて得られる架橋ポリカーボネート樹脂を含
有していることを特徴とする電子写真感光体を提供する
ものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】

［ポリカーボネート樹脂］本発明のポリカーボネート樹
脂は、直鎖状、環状のいずれであってもよく、更に、合
成時に末端停止剤や分岐剤等を用いることにより、ポリ
マー末端に特殊な末端構造や特殊な分岐構造が導入され
ているものであってもよい。

【００１９】本発明のポリカーボネート樹脂は、繰り返
し単位（１）並びに繰り返し単位（２ａ）及び／又は
（２ｂ）を、繰り返し単位（１）、繰り返し単位（２
ａ）及び繰り返し単位（２ｂ）の合計に対する繰り返し
単位（１）のモル比、（１）／［（１）＋（２ａ）＋
（２ｂ）］、が０．００１〜１、好ましくは０．０１〜
０．４、さらに好ましくは０．１〜０．３となる割合で
有する。繰り返し単位（２）及び繰り返し単位（２ｂ）
は反応しうる不飽和結合を持たない繰り返し単位であ
り、このような繰り返し単位を導入することにより、ポ
リカーボネート樹脂に架橋性やグラフト重合性を付与す
るのみでなく、様々な特性を有する樹脂を製造すること
ができ、様々な用途に適したポリカーボネート樹脂を提
供することができる。例えば、本発明のポリカーボネー
ト樹脂を電子写真感光体の製造に用いる場合には、様々
な機種に適合した電子写真感光体を得ることができる。

【００２０】また、本発明のポリカーボネート樹脂は、
本発明の目的達成を阻害しない範囲で、繰り返し単位
（１）、（２ａ）及び（２ｂ）以外の繰り返し単位を有
していてもよい。一般式（１ａ）中、Ｘが表す−ＣＲ⁵
Ｒ⁶−において、Ｒ⁵及びＲ⁶が表す炭素数１〜１０のア
ルキル基及び炭素数６〜３６のアリール基としては、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘ
プチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、フェニル
基、トリル基、スチリル基、ビフェニリル基、ナフチル
基、ターフェニル基、フェナントリル基、アントリル基
等が挙げられる。

【００２１】Ｘが表す炭素数５〜１２のシクロアルキリ
デン基としては、例えば、シクロペンチリデン基、シク
ロヘキシリデン基等が挙げられる。Ｘが表す−ＣＲ⁷Ｒ⁸
−において、Ｒ⁷及びＲ⁸が表す炭素数１〜１０のアルキ
ル基、炭素数６〜３６のアリール基及び少なくとも１つ
の不飽和結合を有する炭素数２〜１０の脂肪族炭化水素
基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デ
シル基、フェニル基、トリル基、スチリル基、ビフェニ
リル基、ナフチル基、ターフェニル基、フェナントリル
基、アントリル基、ビニル基、アリル基、プロペニル
基、プロパルギル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキ
セニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、
デセニル基等が挙げられる。

【００２２】Ｘが表す少なくとも１つの不飽和結合を有
する炭素数２〜１２の脂肪族炭化水素基を置換基として
有する炭素数５〜１２のシクロアルキリデン基におい
て、少なくとも１つの不飽和結合を有する炭素数２〜１
２の脂肪族炭化水素基としては、例えば、ビニル基、ア
リル基、２−プロペニル基等が挙げられ、炭素数５〜１
２のシクロアルキリデン基としては、例えば、シクロペ
ンチリデン基、３，３，４，４−テトラメチルシクロペ
ンチリデン基、シクロヘキシリデン基、４，４−ジメチ
ルシクロヘキシリデン基、３，３，５，５−テトラメチ
ルシクロヘキシリデン基等が挙げられる。

【００２３】Ｘが表す少なくとも１つの不飽和結合を有
する炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基を置換基として
有する炭素数５〜１２のシクロアルキリデン基におい
て、少なくとも１つの不飽和結合を有する炭素数５〜１
２の脂環式炭化水素基としては、例えば、１−シクロヘ
キセニル基等が挙げられ、炭素数５〜１２のシクロアル
キリデン基としては、例えば、シクロヘキシリデン基が
挙げられる。

【００２４】Ｘが表す少なくとも１つの不飽和結合を有
する炭素数２〜１２の脂肪族炭化水素基を置換基として
有するフルオレニリデン基としては、例えば、９，９−
フルオレニリデン基等が挙げられる。Ｒ¹及びＲ³が表す
少なくとも１つの不飽和結合を有する炭素数２〜１０の
脂肪族炭化水素基としては、例えば、ビニル基、アリル
基、プロペニル基、プロパルギル基、ブテニル基、ペン
テニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル
基、ノネニル基、デセニル基等が挙げらる。

【００２５】Ｒ²及びＲ⁴が表すハロゲン原子としては、
特にフルオロ基、クロロ基が好ましい。Ｒ²及びＲ⁴が表
す炭素数１〜１０の飽和炭化水素基及び炭素数６〜１８
のアリール基としては、例えば、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニ
ル基、デシル基、フェニル基、トリル基、スチリル基、
ビフェニリル基、ナフチル基、ターフェニル基、フェナ
ントリル基、アントリル基等が挙げられる。

【００２６】Ｒ²及びＲ⁴が表す炭素数１〜１０のアルコ
キシル基で置換された炭素数６〜１８のアリール基とし
ては、例えば、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニ
ル基等が挙げられる。一般式（１ｂ）中、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、
Ｒ¹³及びＲ¹⁴が表す基の具体例は、次のとおりである。
炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イ
ソブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘ
キシル基が挙げられ、特にメチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基及びｔｅｒｔ
−ブチル基が好ましい。炭素数１〜４のアルキルオキシ
基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオ
キシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−
ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基及びイソブトキシ基
が挙げられ、特にメトキシ基、エトキシ基、イソプロポ
キシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましい。炭素数６
〜１２のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナ
フチル基及びビフェニリル基が挙げられ、特にフェニル
基が好ましい。炭素数６〜１２のアリールオキシ基とし
ては、例えば、フェノキシ基、ナフトキシ基及びビフェ
ニリロキシ基が挙げられ、特にフェノキシ基が好まし
い。上記アリール基及びアリールオキシ基の置換基とし
ては、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素
数１〜４のアルキルオキシ基、炭素数６〜１２のアリー
ル基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基等が挙げら
れ、特に炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシル基及
び炭素数６〜１２のアリール基が好ましい。

【００２７】一般式（２ａ）中、Ｙが表すアリーレン基
を有し、側鎖に架橋反応しうる官能基を持たない二価の
基としては、例えば、キシリレン基、フェニレン基、ト
リレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナ
ントレニレン基、ピレニレン基及び下記一般式（４）

【００２８】

【化１９】

【００２９】［式中、Ｒ¹¹及びＲ¹²は各々独立にハロゲ
ン原子、炭素数１〜１０の飽和炭化水素基又は炭素数６
〜１２の芳香族炭化水素基であり、ｅ及びｆは各々独立
に０〜４の整数であり、Ｗは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＲ¹⁹Ｒ²⁰−、
炭素数５〜１２のシクロアルキリデン基又は炭素数２〜
１２のα，ω−アルキレン基を表し、ただしＲ¹⁹及びＲ
²⁰は各々独立に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭
素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜３６の芳香族炭
化水素基又は下記一般式（５）

【００３０】

【化２０】

【００３１】（式中、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸は各々
独立に炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数６〜３６の
アリール基であり、ｎは１〜６の数、ｍは１〜１５０の
数である。）である。］で表される基が挙げられる。

【００３２】一般式（２ａ）中のＲ¹¹及びＲ¹²が表すハ
ロゲン原子としては、特にフルオロ基、クロロ基、ブロ
モ基が好ましい。Ｒ¹¹及びＲ¹²が表す炭素数１〜１０の
飽和炭化水素基及び炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基
としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル
基、トリル基、ビフェニリル基、ナフチル基等が挙げら
れる。Ｒ¹⁹及びＲ²⁰が表す炭素数１〜１０のアルキル基
及び炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプ
チル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、フェニル
基、トリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、ターフェ
ニル基、フェナントリル基、アントリル基等が挙げられ
る。

【００３３】一般式（２ｂ）中、Ｚで表される基は上記
の一般式（５）で表される基と同じである。一般式
（５）中のＲ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸の具体例として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェ
ニル基などが挙げられ、フェニル基の芳香環はハロゲン
原子、アルキル基などで置換されていてもよい。本発明
のポリカーボネート樹脂を架橋型電子写真感光体のバイ
ンダー樹脂材料として用いる場合には、一般式（２ａ）
で表される繰り返し単位（２ａ）としては、Ｙが上記一
般式（３）で表される二価の基であるもの、即ち、下記
一般式（３）で表される繰り返し単位（３）が好適であ
る。

【００３４】

【化２１】

【００３５】（式中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、ｅ、ｆ及びＷは上記
と同じ意味を有する。） 本発明のポリカーボネート樹脂の具体例としては、例え
ば、繰り返し単位（１ａ）、（１ｂ）として下記繰り返
し単位の少なくとも１種を含有するもの、

【００３６】

【化２２】

【００３７】及び上記繰り返し単位の少なくとも１種
と、繰り返し単位（２ａ）として下記繰り返し単位とを
含有するものなどが挙げられる。

【００３８】

【化２３】

【００３９】本発明のポリカーボネート樹脂は、例え
ば、一般式ＨＯ−Ａｒ−ＯＨ（Ｉ）で表される二価フェ
ノール（Ｉ）並びに一般式ＨＯ−Ｙ−ＯＨ（ＩＩａ）で
表される二価フェノール（ＩＩａ）及び／又は一般式Ｎ
Ｈ₂−Ｚ−ＮＨ₂（ＩＩｂ）で表されるジアミン（ＩＩ
ｂ）に、炭酸エステル形成性化合物を反応させることに
より合成することができる。二価フェノール（Ｉ）とし
ては、下記一般式（Ｉａ）及び（Ｉｂ）で表される二価
フェノールが用いられる。二価フェノール（ＩＩａ）と
しては一般式（ＩＩＩ）で表される二価フェノールが好
ましく用いられる。

【００４０】合成方式としては、例えば、炭酸エステル
形成性化合物としてホスゲン等を用い、適当な酸結合剤
の存在下に上記二価フェノール類と重縮合させる方法が
好適である。また、炭酸エステル形成性化合物としてビ
スアリールカーボネートを用い、エステル交換反応を行
う方式も適用可能である。これらの反応は、必要に応
じ、末端停止剤及び／又は分岐剤の存在下で行われる。

【００４１】

【化２４】

【００４２】［一般式（Ｉａ）中、Ｘ、Ｒ¹、Ｒ²、
Ｒ³、Ｒ⁴、ａ、ｂ、ｃ及びｄは上記と同じ意味を有し、
一般式（Ｉｂ）中、ＦＧ、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、ｉ、ｊ、ｋ及び
ｌは上記と同じ意味を有し、一般式（ＩＩａ）中、Ｙは
上記と同じ意味を有し、一般式（ＩＩＩ）中、Ｗ、
Ｒ¹¹、Ｒ¹²、ｅ及びｆは上記と同じ意味を有し、一般式
（ＩＩｂ）中，Ｚは上記と同じ意味を有する。］ 上記（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）は、一種単独で用いてもよ
いし、二種以上を併用してもよい。

【００４３】一般式（Ｉａ）で表される二価フェノール
（Ｉａ）の具体例としては、例えば下記のものが挙げら
れる。Ｘが単結合又はフルオレニリデン基である二価フ
ェノール（Ｉａ）の具体例としては、例えば下記のもの
が挙げられる。

【００４４】

【化２５】

【００４５】Ｘが−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂−、−Ｏ−、−ＣＲ⁵Ｒ⁶−又は炭素数５〜１２のシク
ロアルキリデン基である二価フェノール（Ｉａ）の具体
例としては、例えば下記のものが挙げられる。

【００４６】

【化２６】

【００４７】

【化２７】

【００４８】これらの二価フェノール化合物は、対応す
るアリルエーテルのクライゼン転移反応により得ること
ができる。Ｘが−ＣＲ⁷Ｒ⁸−、少なくとも１つの不飽和
結合を有する炭素数２〜１２の脂肪族炭化水素基を置換
基として有する炭素数５〜１２のシクロアルキリデン
基、又は少なくとも１つの不飽和結合を有する炭素数２
〜１２の脂肪族炭化水素基を置換基として有するフルオ
レニリデン基である二価フェノール（Ｉａ）の具体例と
しては、例えば下記のものが挙げられる。

【００４９】

【化２８】

【００５０】

【化２９】

【００５１】上記のような二価フェノール（Ｉａ）は、
対応する反応しうる不飽和結合を有するケトンとフェノ
ールやクレゾールなどのフェノール類との酸触媒による
縮合反応により得ることができる。一般式（Ｉｂ）で表
される二価フェノール（Ｉｂ）の具体例としては、例え
ば２，７−ジアリル−３，６−ジヒドロキシナフタレ
ン、３，６−ジビニル−２，７−ジヒドロキシナフタレ
ン、１，８−ジアリル−２，７−ジヒドロキシナフタレ
ン、２，５−ジアリル−３，６−ジヒドロキシナフタレ
ン、２，６−ジアリル−３，７−ジヒドロキシナフタレ
ン、１，６−ジアリル−２，７−ジヒドロキシナフタレ
ン等が挙げられる。

【００５２】これらの二価フェノール（Ｉ）は、一種単
独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。一般
式ＮＨ₂−Ｚ−ＮＨ₂（ＩＩｂ）で表されるジアミンとし
ては、下記式で表されるシロキサン骨格を有するジアミ
ンが好適に用いられる。

【００５３】

【化３０】

【００５４】一般式（ＩＩＩ）で表される二価フェノー
ル（ＩＩＩ）の具体例としては、例えば、４，４′−ジ
ヒドロキシビフェニル、３，３′−ジフルオロ−４，
４′−ジヒドロキシビフェニル、４，４′−ジヒドロキ
シ−３，３′−ジメチルビフェニル、４，４′−ジヒド
ロキシ−２，２′−ジメチルビフェニル、４，４′−ジ
ヒドロキシ−３，３′−ジシクロヘキシルビフェニル等
の４，４′−ジヒドロキシビフェニル類；ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン（別名：ビスフェノールＡ）、２，２−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、４，４
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジフェニル
メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１
−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２
−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−（４
−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，
１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキサン、２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ブチル−４
−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−
ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）エタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパ
ン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２
−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェ
ニル）イソブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ヘプタン、
１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
−５−メチルフェニル）−１−フェニルメタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシ−２−メチル−５−ｔｅｒｔ−
ペンチルフェニル）ブタン、ビス（３−クロロ−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−
４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−
クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：テトラフルオ
ロビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３，５−ジクロ
ロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：テトラ
クロロビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３，５−ジ
ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：テ
トラブロモビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３−ブ
ロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシ
フェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−
４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１−フェニル−１，
１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エ
タン、１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（３−ヒ
ドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサ
フルオロプロパン、２，２−ビス（３−フェニル−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（３−フ
ェニル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等の
ビス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン類；ビス（４
−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−フルオロ
−４−ヒドロキシフェニル）エーテル等のビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エーテル類；ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）スルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）スルフィド等のビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）スルフィド類；ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）スルホン、ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシ
フェニル）スルホン等のビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケト
ン等のケトン類、

【００５５】

【化３１】

【００５６】などが挙げられる。なかでも、ビス（４−
ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ス
ルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシ
ド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパン、２，２
−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）
プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−
３−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエ
タン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタ
ン、前記シロキサン骨格を有するビスフェノール等が好
ましい。

【００５７】これらの二価フェノール（ＩＩａ）、例え
ば二価フェノール（ＩＩＩ）、及びジアミン（ＩＩｂ）
は、一種単独で用いてもよいし、二種以上を併用しても
よい。本発明のポリカーボネート樹脂の製造に用いるこ
とのできる末端停止剤としては、一価のカルボン酸及び
その誘導体、一価のフェノールを用いることができる。
例えば、ｐ−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェノール、ｐ−フ
ェニルフェノール、ｐ−（パーフロオロノニルフェニ
ル）フェノール、ｐ−（パーフルオロキシルフェニル）
フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−パーフルオロブチルフェノ
ール、１−（ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフルオロデ
カン、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロトリデシ
ルオキシ）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ
プロピル）フェノール、３，５−ビス（パーフルオロヘ
キシルオキシカルボニル）フェノール、ｐ−ヒドロキシ
安息香酸パーフルオロドデシル、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パ
ーフルオロオクチルオキシ）フェノール、２Ｈ，２Ｈ，
９Ｈ−パーフルオロノナン酸等が好適に用いられる。

【００５８】末端停止剤の総量の好ましい範囲は、共重
合組成比として１〜３０モル％、より好ましくは１〜１
０モル％である。３０モル％を超えると表面高度不足の
ため感光層が摩耗しやすくなり、耐刷寿命が短くなり、
１モル％未満では溶液粘度が上昇し、液塗工法による感
光体の製造が困難になることがある。分岐剤としては、
３価以上のフェノール又はカルボン酸を用いることがで
きる。分岐剤の例としては、フロログリシン、ピロガロ
ール、４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）−２−ヘプテン、２，４−ジメチル
−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプ
タン、２，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）−３−ヘプテン、１，３，５−トリ
ス（２−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，３，５−
トリス（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，１，
１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、トリス
（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、２，２−
ビス｛４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキシル｝プロパン、２，４−ビス｛２−（４−ヒドロ
キシフェニル）−２−プロピル｝フェノール、２，６−
ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メ
チルフェノール、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２
−（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロパン、テトラ
キス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、テトラキス
（４−（４−ヒドロキシフェニルイソプロピル）フェノ
キシ）メタン、１，４−ビス（４′、４″−ジヒドロキ
シトリフェニルメチル）ベンゼン、２，４−ジヒドロキ
シ安息香酸、トリメシン酸、シアヌル酸、３，３−ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−オキソ
−２，３−ジヒドロインドール、３，３−ビス（４−ヒ
ドロキシアリール）オキシインドール、５−クロロイサ
チン、５，７−ジクロロイサチン、５−ブロモイサチン
等が挙げられる。

【００５９】この中で好ましく用いられるのは、フロロ
グリシン、１，３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン等である。分岐剤の量の好ましい範囲
は、共重合組成比として３０モル％以下、より好ましく
は５モル％以下である。３０モル％を超えると、溶液粘
度が上昇し、液塗工法による感光体の製造が困難になる
ことがある。

【００６０】炭酸エステル形成性化合物として前記ホス
ゲンをはじめとする各種のジハロゲン化カルボニル、ク
ロロホルメート等のハロホルメート類、炭酸エステル化
合物などを用い、酸結合剤の存在下に重縮合を行う反応
は、通常、溶媒中で行われる。ホスゲン等のガス状の炭
酸エステル形成性化合物を使用する場合、これを反応系
に吹き込む方法が好適に採用できる。

【００６１】炭酸エステル形成性化合物の使用割合は、
反応の化学量論比（当量）を考慮して適宜調整すればよ
い。前記酸結合剤としては、例えば水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、ピリジン
等の有機塩基或いはこれらの混合物などが用いられる。

【００６２】酸結合剤の使用割合も、反応の化学量論比
（当量）を考慮して適宜定めればよい。具体的には、使
用する二価フェノール及びジアミンのモル数（通常１モ
ルは２当量に相当）に対して２当量若しくはこれより過
剰量、好ましくは２〜１０当量の酸結合剤を用いること
が好ましい。前記溶媒としては、公知のポリカーボネー
ト樹脂の製造に使用されるものなど各種の溶媒を１種単
独で或いは混合溶媒として使用すればよい。代表的な例
としては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素溶
媒、塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼンをは
じめとするハロゲン化炭化水素溶媒などが挙げられる。
互いに混ざり合わない２種の溶媒を用いて界面重縮合反
応を行ってもよい。

【００６３】また、重縮合反応を促進するために、トリ
エチルアミン等の第三級アミン又は第四級アンモニウム
塩などの触媒を添加して反応を行うことが望ましい。ま
た、所望に応じ、亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファ
イドなどの酸化防止剤を少量添加してもよい。反応は、
通常、０〜１５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲の温
度で行われる。反応圧力は、減圧、常圧、加圧のいずれ
でも可能であるが、通常は、常圧若しくは反応系の自圧
程度で好適に行い得る。反応時間は、反応温度等によっ
て左右されるが、通常０．５分間〜１０時間、好ましく
は１分間〜２時間程度である。

【００６４】得られるポリカーボネート樹脂の還元粘度
を前記の範囲にするには、例えば、前記反応条件の選
択、前記末端停止剤や分岐剤の使用量の調節など、各種
の方法によってなすことができる。また、場合により、
得られたポリカーボネート樹脂に適宜物理的処理（混
合、分画など）及び／又は化学的処理（ポリマー反応、
部分分解処理など）を施して、所定の還元粘度のポリカ
ーボネート樹脂として取得することもできる。

【００６５】［架橋ポリカーボネート樹脂］本発明の架
橋ポリカーボネート樹脂は、上記本発明のポリカーボネ
ート樹脂を架橋させて得られるものである。上記ポリカ
ーボネート樹脂のうち、側鎖に官能基として炭素−炭素
不飽和結合基を有するものの架橋反応は、通常のラジカ
ル重合、例えば加熱、或は、紫外線、赤外線、電子線、
又はマイクロ波等の照射により行うことができる。

【００６６】加熱による架橋反応（熱重合）に用いられ
る熱重合開始剤としては、例えば、２，２′−アゾビス
イソブチロニトリル、２，２′−アゾ−ジ−（２，４−
ジメチルバレロニトリル）等のアゾ化合物、ベンゾイル
パーオキシド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド、アセチル
パーオキシド、ｔ−ブチルパーベンゾエート、メチルエ
チルケトンパーオキシド等のパーオキシド、過硫酸アン
モニウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩などが挙げられ
る。また、上記パーオキシドとナフテン酸コバルト或は
芳香族アミンなどのレドックス開始剤も使用可能であ
る。

【００６７】紫外線照射による架橋反応に使用される光
開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチ
ルエーテル等のベンゾイン及びその誘導体の他、４，
４′−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、２−ク
ロロアントラセン、２−メチルアントラキノン、チオキ
サントン、ジフェニルジサルファイド、ジメチルジチオ
カーバメート等が挙げられ、紫外線強度は、通常１〜１
００ｍＪ／ｃｍ²の値が用いられる。

【００６８】電子線などの電離性放射線による架橋反応
は、通常、無触媒下で行われ、通常、２〜１０ＭｅＶの
強度で照射される。これらの架橋反応は、エチレン性二
重結合を有する単量体の存在下で行ってもよい。このよ
うな単量体を使用する場合、その量は、通常、本発明の
ポリカーボネート樹脂と単量体の合計に対して１〜５０
重量％が好適である。本発明に好適に用いられるエチレ
ン性二重結合を有する単量体としては、例えばジアリル
イソフタレート、ジアリルカーボネート、ジアリルエー
テル、ジビニルベンゼン、スチレン、アクリロニトリ
ル、メタクリロニトリル、アクリル酸メチル、メタクリ
ル酸メチル、アクリルアミドなどが挙げられる。

【００６９】上記各種開始剤の使用量は、一般には、本
発明のポリカーボネート樹脂の量、又はこのポリカーボ
ネート樹脂及びエチレン性二重結合を有する単量体の合
計量に対して、０．０１〜２０重量％、好ましくは０．
１〜１０重量％である。０．０１重量％未満では、架橋
反応は進行するものの、長時間を必要とするため好まし
くない。

【００７０】上記の熱重合による架橋反応は、通常、５
０〜１６０℃、好ましくは６０〜１４０℃で行われ、紫
外線等の照射による架橋反応は、通常０〜５０℃、好ま
しくは２０〜４０℃で行われる。上記ポリカーボネート
樹脂の架橋反応の反応時間は、架橋方法、使用するエチ
レン性二重結合を有する単量体の種類、単量体濃度、開
始剤の種類などにより異なるため、一概に規定できない
が、通常０．１〜５０時間、好ましくは０．１〜２５時
間である。５０時間を超える反応時間の選定は、経済的
ではない。

【００７１】架橋反応は、減圧から加圧の如何なる圧力
下でも行い得るが、好ましくは減圧又は常圧下で行われ
る。架橋の確認は、ポリカーボネート樹脂が塩化メチレ
ンやジメチルスルホキシドなどの溶媒に不溶化すること
により行うことができる。 ［電子写真感光体］本発明の電子写真感光体は、導電性
基体上に感光層を有し、その感光層中に上記のポリカー
ボネート樹脂又はその架橋体である架橋ポリカーボネー
ト樹脂少なくとも１種を含有するものである。

【００７２】本発明の電子写真感光体はこのような感光
層が導電性基体上に形成されたものである限り、その構
造に特に制限はなく、単層型、積層型等の公知の種々の
形式の電子写真感光体はもとより、どのようなものとし
てもよい。感光層が表面に表面保護層を有しているもの
であってもよい。通常は、感光層が少なくとも１層の電
荷発生層と少なくとも１層の電荷輸送層を有する積層型
電子写真感光体、又は、少なくとも１層の電荷発生層と
少なくとも１層の電荷輸送層と１層の表面保護層を有す
る積層型電子写真感光体が好ましく、その電荷輸送層中
に上記架橋ポリカーボネート樹脂がバインダー樹脂とし
て用いられていること及び／又は該感光層の表面保護層
として上記架橋ポリカーボネートが使用されていること
が好ましい。

【００７３】本発明の電子写真感光体において、バイン
ダー樹脂は、上記の架橋ポリカーボネート樹脂１種のみ
又は２種以上を組み合わせたものであってもよいし、ま
た、所望に応じて本発明の目的達成を阻害しない範囲
で、他のポリカーボネート樹脂等の樹脂成分を含有させ
てもよい。なお、電子写真感光体の製造に用いられる上
記本発明のポリカーボネート樹脂（架橋前）は、塩化メ
チレンを溶媒として濃度０．５ｇ／ｄｌで３０℃で測定
した還元粘度が０．１〜２．０ｄｌ／ｇ、好ましくは
０．３〜１．６ｄｌ／ｇであることが望ましい。還元粘
度が０．１ｄｌ／ｇ未満のポリカーボネート樹脂を用い
ると、架橋後であってもそのポリカーボネート樹脂を用
いて形成される層の表面高度が不足し、電子写真感光体
表面が摩耗しやすくなることがある。一方、還元粘度が
２．０ｄｌ／ｇを超える架橋性ポリカーボネート樹脂を
用いると、架橋性ポリカーボネート樹脂の溶液粘度が上
昇し、塗工液の塗布による電子写真感光体の製造が困難
になることがあり、また、架橋後の架橋ポリカーボネー
トが脆くなり、電子写真感光体の耐久性の向上が不可能
となることがある。

【００７４】本発明の電子写真感光体に用いられる導電
性基体の材料としては、公知のものなど各種のものを使
用することができ、具体的にはアルミニウム、ニッケ
ル、クロム、パラジウム、チタン、金、銀、銅、亜鉛、
ステンレス、モリブデン、インジウム、白金、真鍮、酸
化鉛、酸化錫、酸化インジウム、ＩＴＯ若しくはグラフ
ァイトの板、ドラム及びシート、並びに蒸着、スパッタ
リング、塗布等によりコーティングするなどして導電処
理したガラス、布、紙若しくはプラスチックのフィル
ム、シート及びシームレスベルト、アルミニウム等の金
属箔を積層したプラスチックフィルム、シート及びシー
ムレスベルト、並びに金属板のフィルム状シート及びシ
ームレスベルト、並びに電極酸化などにより金属酸化処
理した金属ドラムなどを使用することができる。

【００７５】積層型電子写真感光体の電荷発生層は少な
くとも電荷発生物質を含むものであり、この電荷発生層
はその下地となる基体上に真空蒸着、スパッタ法、ＣＶ
Ｄ法等により電荷発生物質の層を形成せしめるか、又は
その下地となる層上に電荷発生物質をバインダー樹脂を
用いて結着してなる層を形成せしめることによって得る
ことができる。バインダー樹脂を用いる電荷発生層の形
成方法としては公知の方法等、各種の方法を使用するこ
とができるが、通常、例えば、電荷発生物質をバインダ
ー樹脂と共に適当な溶媒により分散若しくは溶解した塗
工液を、所定の下地となる層上に塗布し、乾燥せしめる
方法が好適に用いられる。

【００７６】前記電荷発生物質としては、公知のものな
ど各種のものを使用することができ、具体的には、非晶
質セレン、三方晶セレン等のセレン単体、テルル単体、
セレン−テルル合金、セレン−ヒ素合金等のセレンの合
金、Ａｓ₂Ｓｅ₃等のセレン化合物若しくはセレン含有組
成物、酸化亜鉛、硫化カドミウム、硫化アンチモン、硫
化亜鉛、ＣｄＳ−Ｓｅ等の合金、第１２族及び第１６族
元素からなる無機材料、酸化チタン等の酸化物系半導
体、アモルファスシリコンなどのシリコン系材料等の各
種の無機材料、τ型無金属フタロシアニン、χ型無金属
フタロシアニン等の無金属フタロシアニン顔料、α型銅
フタロシアニン、β型銅フタロシアニン、γ型銅フタロ
シアニン、ε型銅フタロシアニン、Ｘ型銅フタロシアニ
ン、Ａ型チタニルフタロシアニン、Ｂ型チタニルフタロ
シアニン、Ｃ型チタニルフタロシアニン、Ｄ型チタニル
フタロシアニン、Ｅ型チタニルフタロシアニン、Ｆ型チ
タニルフタロシアニン、Ｈ型チタニルフタロシアニン、
Ｇ型チタニルフタロシアニン、Ｋ型チタニルフタロシア
ニン、Ｌ型チタニルフタロシアニン、Ｍ型チタニルフタ
ロシアニン、Ｎ型チタニルフタロシアニン、Ｙ型チタニ
ルフタロシアニン、オキソチタニウムフタロシアニン、
Ｘ線回折図におけるブラック角２θが２７．３±０．２
度に強い回折ピークを示すチタニルフタロシアニンなど
の金属フタロシアニン顔料、シアニン染料、アントラセ
ン顔料、ビスアゾ顔料、ピレン顔料、多環キノン顔料、
キナクリドン顔料、インジゴ顔料、ぺリレン顔料、ピリ
リウム染料、チアピリリウム染料、ポリビニルカルバゾ
ール、スクェアリウム顔料、アントアントロン顔料、ベ
ンズイミダゾール顔料、アゾ顔料、チオインジゴ顔料、
ビスベンゾイミダゾール顔料、キノリン顔料、レーキ顔
料、オキサジン顔料、ジオキサジン顔料、トリフェニル
メタン顔料、アズレニウム染料、スクウェアリウム染
料、トリアリールメタン染料、キサンチン染料、チアジ
ン染料などが挙げられる。

【００７７】例えば、下記一般式で表されるような化合
物が好適に用いられる。

【００７８】

【化３２】

【００７９】［式中、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³及びＺ⁴は各々独立
にピロール環上の２個の炭素原子と共に、置換基を有し
ていてもよい芳香族炭化水素環若しくは複素環を形成す
ることができる原子団を表し、Ｍは２個の水素原子又は
配位子を有していてもよい金属原子若しくは金属化合物
を表す。］

【００８０】

【化３３】

【００８１】［式中、Ａｒ⁶は芳香族系炭化水素環又は
複素環を含んでいてもよい共役系を有するｔ価の残基を
表し、ｔは１以上の正数であり、Ｃｐは芳香族系水酸基
を有するカップラー残基を表し、ｔが２以上の場合は、
各々のＣｐは同一であっても異なっていてもよい。］

【００８２】

【化３４】

【００８３】［式中、Ｘ²、Ｘ³、Ｘ⁴及びＸ⁵は、各々独
立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子を表し、Ｒ^P及
びＲ^Qは炭素数１〜１２のアルキル基若しくはアリール
基を表し、Ｘ²若しくはＸ³とＲ^P及びＸ⁴若しくはＸ⁵と
Ｒ^Qとで置換基を有していてもよい複素環を形成してい
てもよい。］ フルオレン系ジスアゾ顔料としては、以下のような例が
ある。

【００８４】

【化３５】

【００８５】

【化３６】

【００８６】

【化３７】

【００８７】ペリレン系顔料としては、以下のような例
がある。

【００８８】

【化３８】

【００８９】

【化３９】

【００９０】多環キノン顔料としては、以下のような例
がある。

【００９１】

【化４０】

【００９２】アントアントロン顔料としては、以下のよ
うな例がある。

【００９３】

【化４１】

【００９４】ジベンズピレンキノン顔料としては、以下
のような例がある。

【００９５】

【化４２】

【００９６】ピラントロン顔料としては、以下のような
例がある。

【００９７】

【化４３】

【００９８】これらの顔料を単独または２種以上を混合
して用いることもできる。電荷発生層の厚さは、０．０
１〜２．０μｍが好ましく、０．１〜０．８μｍがより
好ましい。０．０１μｍ未満であると、電荷発生層を均
一に形成することが困難であり、２．０μｍを超える
と、電子写真特性が低下する傾向がある。前記電荷発生
層に用いられるバインダー樹脂としては、特に制限はな
く、公知のものなど各種のものを使用できる。具体的に
は、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアセター
ル、アルキッド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリロニト
リル、ボリカーボネート、ポリウレタン、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリケトン、ポリア
クリルアミド、ブチラール樹脂、ポリエステル、塩化ビ
ニリデン−塩化ビニル共重合体、メタクリル樹脂、ポリ
スチレン、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリ
デン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリ
コーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒ
ド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルフォ
ルマール、ポリスルホン、カゼイン、ゼラチン、ポリビ
ニルアルコール、エチルセルロース、ニトロセルロー
ス、カルボキシ−メチルセルロース、塩化ビニリデン系
ポリマーラテックス、アクリロニトリル−ブタジエン共
重合体、ビニルトルエン−スチレン共重合体、大豆油変
性アルキッド樹脂、ニトロ化ポリスチレン、ポリメチル
スチレン、ポリイソプレン、ポリチオカーボネート、ポ
リアリレート、ポリハロアリレート、ポリアリルエーテ
ル、ポリビニルアクリレート、メラミン樹脂、ポリエー
テル樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、エポキシアクリレー
ト樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステルアク
リレート等の熱硬化性樹脂を使用することができる。

【００９９】上記電荷発生層におけるバインダー樹脂と
して本発明の架橋ポリカーボネート樹脂を使用すること
もできる。次に、電荷輸送層は、下地となる層（例えば
電荷発生層）上に、電荷輸送物質をバインダー樹脂で結
着してなる層を形成することによって得ることができ
る。この電荷輸送層の形成方法としては、公知の方法等
の各種の方式を使用することができるが、通常、上記電
荷輸送物質を上記架橋前の本発明の架橋性ポリカーボネ
ート樹脂及び、必要に応じ、架橋反応に必要な熱重合開
始剤、光開始剤、エチレン性二重結合を有する単量体と
共に適当な溶媒に分散若しくは溶解した塗工液を、所定
の下地となる層上に塗布し、乾燥及びポリカーボネート
樹脂を架橋させる方式などが使用される。電荷輸送層中
の電荷輸送物質と架橋性ポリカーボネート樹脂との配合
割合は、好ましくは重量で２０：８０〜８０：２０、さ
らに好ましくは３０：７０〜７０：３０である。

【０１００】この電荷輸送層において、本発明のポリカ
ーボネート樹脂は１種単独で用いることもできるし、ま
た、２種以上を混合して用いることもできる。また、本
発明の目的達成を阻害しない範囲で、前記電荷発生層に
用いられるバインダー樹脂として挙げたような他の樹脂
を上記ポリカーボネート樹脂と併用することもできる。

【０１０１】電荷輸送物質としては、公知のものなど各
種のものを使用することができる。例えば、カルバゾー
ル化合物、インドール化合物、イミダゾール化合物、オ
キサゾール化合物、ピラゾール化合物、オキサジアゾー
ル化合物、ピラゾリン化合物、チアジアゾール化合物、
アニリン化合物、ヒドラゾン化合物、芳香族アミン化合
物、脂肪族アミン化合物、スチルべン化合物、フルオレ
ノン化合物、キノン化合物、キノジメタン化合物、チア
ゾール化合物、トリアゾール化合物、イミダゾロン化合
物、イミダゾリジン化合物、ビスイミダゾリジン化合
物、オキサゾロン化合物、ベンゾチアゾール化合物、ベ
ンズイミダゾール化合物、キナゾリン化合物、ベンゾフ
ラン化合物、アクリジン化合物、フェナジン化合物、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９
−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデ
ヒド樹脂、エチルカルバゾール樹脂、あるいはこれらを
主鎖、側鎖に有する重合体が用いられ、好ましくは下記
一般式で表されるような化合物が用いられる。

【０１０２】

【化４４】

【０１０３】［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²及びＡｒ³は各々独
立に、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ²とＡｒ³
及びＡｒ³とＡｒ¹で環を形成していてもよい。］

【０１０４】

【化４５】

【０１０５】［式中、Ｒ^A、Ｒ^B、Ｒ^C及びＲ^Dは各々独立
に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル
基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは各々独立に、０〜５
の整数である。］

【０１０６】

【化４６】

【０１０７】［式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は各々独立に、水
素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキ
ル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキ
ル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を形成して
もよい。Ｒ^Aはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル
基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、
アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミ
ノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ｒ^Eはエチレン基又はエテニ
レン基を表し、Ｅは０〜４の整数である。］

【０１０８】

【化４７】

【０１０９】［式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は各々独立に、水
素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキ
ル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキ
ル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を形成して
もよい。Ｒ^Aはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル
基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、
アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミ
ノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ｒ^F及びＲ^Gは各々独立に、水
素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はハロゲン原子を
表し、Ｅは０〜４の整数である。］

【０１１０】

【化４８】

【０１１１】［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴及び
Ａｒ⁵は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換
若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若
しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若
しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若
しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多
環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ
⁶とＡｒ⁷は各々独立に、炭素数１〜６の置換若しくは無
置換のアルキレン基或は炭素数６〜１２の置換若しくは
無置換のアリール化合物、多環式炭化水素、置換若しく
は無置換の縮合多環式炭化水素、複素環化合物、多環系
複素環化合物又は縮合多環系複素環化合物の２価残基を
表し、Ａｒ¹とＡｒ²及びＡｒ³とＡｒ⁴は環を形成しても
よい。］

【０１１２】

【化４９】

【０１１３】［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴は
各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは
無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無
置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無
置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無
置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素
環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²
及びＡｒ³とＡｒ⁴は環を形成してもよい。Ｒ^H及びＲ^Iは
各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル
基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、
アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミ
ノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ｅ及びＦは各々独立に０〜４
の整数である。］

【０１１４】

【化５０】

【０１１５】［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴は
各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは
無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無
置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無
置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無
置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素
環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²
及びＡｒ³とＡｒ⁴は環を形成してもよい。Ｒ^A、Ｒ^B及び
Ｒ^Cは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキ
シル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ
基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキル
アミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアル
キル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラル
キル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリー
ル基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多
環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮
合多環系複素環式基を表し、Ｅ、Ｆ及びＧは各々独立に
０〜４の整数である。Ｘ¹は−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ
−、−Ｔｅ−、−ＣＲ^JＲ^K−、−ＳｉＲ^JＲ^K−、−ＮＲ
^J−又は−ＰＲ^J−（式中、Ｒ^J及びＲ^Kは各々独立に、水
素原子、ハロゲン原子、アルキルアミノ基、アリールア
ミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若
しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若し
くは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若し
くは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若し
くは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環
系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表す。）を表
す。］

【０１１６】

【化５１】

【０１１７】［式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は各々独立に、水
素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキ
ル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキ
ル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を形成して
もよい。Ｒ^Aはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル
基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、
アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミ
ノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ａは０〜５の整数である。］

【０１１８】

【化５２】

【０１１９】［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴及び
Ａｒ⁵は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換
若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若
しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若
しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若
しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多
環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｒ^A
及びＲ^Bは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カル
ボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、ア
ミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラル
キルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換の
アルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のア
ラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のア
リール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮
合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又
は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²及びＡｒ
³とＡｒ⁴は環を形成してもよい。Ｆ及びＥは各々独立に
０〜４の整数である。］

【０１２０】

【化５３】

【０１２１】［式中、Ａｒ¹は水素原子、炭素数１〜１
０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３
の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２
の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素
基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素
環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を
表し、Ｒ^A、Ｒ^B及びＲ^Cは各々独立に、シアノ基、ハロ
ゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル
基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール
アミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換
若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若
しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若
しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若
しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多
環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ｎは
０又は１、Ａ、Ｂ及びＣは各々独立に０〜５の整数であ
る。］

【０１２２】

【化５４】

【０１２３】［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²及びＡｒ³は、各々
独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置
換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換
のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換
のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換
の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式
基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｒ^A及びＲ^Cは各々
独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、ア
シル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキ
ルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、
炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭
素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭
素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環
式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水
素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複
素環式基を表し、Ｒ^B′は水素原子、シアノ基、ハロゲ
ン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、
ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミ
ノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若し
くは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しく
は無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しく
は無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しく
は無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系
複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ｎは０又
は１、Ｅは０〜４の整数、Ｈは０〜３の整数である。］

【０１２４】

【化５５】

【０１２５】［式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は各々独立に、水
素原子、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置
換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換
のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換
のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換
の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式
基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環
を形成してもよい。］

【０１２６】

【化５６】

【０１２７】［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²及びＡｒ³は各々独
立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換
のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換の
アラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換の
アリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の
縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基
又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を
形成してもよい。］

【０１２８】

【化５７】

【０１２９】［式中、Ｒ^A、Ｒ^B、Ｒ^C、Ｒ^D、Ｒ^H及びＲ^I
は各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル
基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、
アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミ
ノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｉ及びＪは
各々独立に０〜５の整数である。］

【０１３０】

【化５８】

【０１３１】［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴は
各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは
無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無
置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無
置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無
置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素
環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ⁶は炭素
数１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基或は炭素
数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール化合物、多
環式炭化水素、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水
素、複素環化合物、多環系複素環化合物又は縮合多環系
複素環化合物の２価残基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²及びＡｒ
³とＡｒ⁴は環を形成してもよく、ｎは０又は１であ
る。］

【０１３２】

【化５９】

【０１３３】［式中、Ｒ^L、Ｒ^M、Ｒ^N及びＲ^Oは各々独立
に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換の
アルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のア
ラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のア
リール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮
合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又
は縮合多環系複素環式基を表す。］ 具体的には次に示すような化合物が用いられる。

【０１３４】

【化６０】

【０１３５】

【化６１】

【０１３６】

【化６２】

【０１３７】

【化６３】

【０１３８】

【化６４】

【０１３９】

【化６５】

【０１４０】

【化６６】

【０１４１】

【化６７】

【０１４２】

【化６８】

【０１４３】

【化６９】

【０１４４】

【化７０】

【０１４５】

【化７１】

【０１４６】

【化７２】

【０１４７】

【化７３】

【０１４８】

【化７４】

【０１４９】

【化７５】

【０１５０】

【化７６】

【０１５１】

【化７７】

【０１５２】

【化７８】

【０１５３】

【化７９】

【０１５４】

【化８０】

【０１５５】

【化８１】

【０１５６】

【化８２】

【０１５７】

【化８３】

【０１５８】

【化８４】

【０１５９】

【化８５】

【０１６０】

【化８６】

【０１６１】

【化８７】

【０１６２】

【化８８】

【０１６３】

【化８９】

【０１６４】

【化９０】

【０１６５】

【化９１】

【０１６６】

【化９２】

【０１６７】

【化９３】

【０１６８】

【化９４】

【０１６９】

【化９５】

【０１７０】

【化９６】

【０１７１】

【化９７】

【０１７２】

【化９８】

【０１７３】

【化９９】

【０１７４】

【化１００】

【０１７５】

【化１０１】

【０１７６】

【化１０２】

【０１７７】

【化１０３】

【０１７８】

【化１０４】

【０１７９】

【化１０５】

【０１８０】上記電荷輸送物質は単独で又は２種以上を
混合して用いることができる。電荷輸送層の厚さは５〜
１００μｍが好ましく、１０〜３０μｍがより好まし
い。５μｍ未満であると、初期電位が低くなり、１００
μｍを超えると、電子写真特性が低下する傾向がある。
導電性基体と感光層との間に通常使用されるような公知
の下引き層を設けることができる。下引き層としては、
酸化チタン、酸化アルミニウム、ジルコニア、チタン
酸、ジルコン酸、ランタン鉛、チタンブラック、シリ
カ、チタン酸鉛、チタン酸バリウム、酸化錫、酸化イン
ジウム、酸化珪素等の微粒子、ポリアミド樹脂、フェノ
ール樹脂、カゼイン、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン
樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、セルロース、
ニトロセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニル
ブチラール樹脂等の成分を使用することができる。これ
らの微粒子や樹脂を単独で又は２種以上混合して使用す
ることができる。特に微粒子を用いると、微粒子に樹脂
が吸着され、平滑な皮膜を得ることができるため、微粒
子と樹脂を併用することが望ましい。また、下引き層に
は前記バインダー樹脂を用いることができる。また、上
記の架橋ポリカーボネート樹脂も用いることもできる。

【０１８１】下引き層の厚さは、通常０．０１〜１０．
０μｍ、好ましくは０．０１〜１．０μｍである。この
厚さが０．０１μｍ未満であると、下引き層を均一に形
成することが困難になり、１０．０μｍを超えると、電
子写真特性が低下することがある。また、導電性基体と
感光層との間に通常使用されているような公知のブロッ
キング層を設けることができる。ブロッキング層には前
記バインダー樹脂を用いることができる。ブロッキング
層の厚さは、通常０．０１〜２０．０μｍ、好ましく
は、０．１〜１０．０μｍである。この厚さが０．０１
μｍ未満であると、ブロッキング層を均一に形成するこ
とが困難になり、２０．０μｍを超えると、電子写真特
性が低下することがある。

【０１８２】本発明の電子写真感光体においては、感光
層は表面に表面保護層を積層してもよく、保護層の膜厚
は０．０１〜２０μｍが可能であり、より好ましくは
０．１〜１０μｍである。保護層には前記バインダー樹
脂、特に本発明ポリカーボネート樹脂又は架橋ポリカー
ボネート樹脂を用いることができる。保護層には、前記
の電荷発生物質、電荷輸送物質、添加剤、金属及びその
酸化物、窒化物、塩、合金、カーボンなどの導電材料を
含有してもよい。

【０１８３】更に、本発明の電子写真感光体には、その
性能を向上させるために電荷発生層、電荷輸送層に結合
剤、可塑剤、硬化触媒、流動付与剤、ピンホール制御
剤、電子写真感度を改良するための分光感度増感剤（増
感染料）、分光感度増感剤とは別に、繰り返し使用に対
しての残留電位の増加、帯電電位の低下、感度の低下を
防止する目的の種々の化学物質、酸化防止剤、界面活性
剤、カール防止剤、レベリング剤等などの添加剤を添加
することができる。

【０１８４】結合剤の具体的な例としては、シリコーン
樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリレート樹
脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポ
リイソプレン樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹
脂、ポリクロロプレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹
脂、エチルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、尿
素樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニル
ブチラール樹脂、ホルマール樹脂、酢酸ビニル樹脂、酢
酸ビニル／塩化ビニル共重合体、ポリエステルカーボネ
ート樹脂等が挙げられる。また、熱及び／又は光硬化性
樹脂も使用できる。いずれにしても、電気絶縁性で通常
の状態で皮膜を形成しうる樹脂であれば、特に制限はな
い。

【０１８５】結合剤は電荷輸送物質に対して、５〜２０
０重量％添加することが好ましく、１０〜１００重量％
がより好ましい。５重量％未満では感光層の皮膜が不均
一となりやすく、画質が劣る傾向がある。２０重量％を
超えると、感度が低下し、残留電位が高くなる傾向があ
る。可塑剤の具体的な例としては、ビフェニル、塩化ビ
フェニル、ｏ−ターフェニル、ハロゲン化パラフィン、
ジメチルナフタリン、ジメチルフタレート、ジブチルフ
タレート、ジオクチルフタレート、ジエチレングリコー
ルフタレート、トリフェニルフォスフェート、ジイソブ
チルアジペート、ジメチルセバケート、ジブチルセバケ
ート、ラウリル酸ブチル、メチルフタリールエチルグリ
コレート、ジメチルグリコールフタレート、メチルナフ
タレン、ベンゾフェノン、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、各種フルオロ炭化水素等が挙げられる。

【０１８６】硬化触媒の具体的な例としては、メタンス
ルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ジノニルナフ
タレンジスルホン酸等が挙げられる。流動付与剤として
は、モダフロー、アクロナール４Ｆ等が挙げられる。ピ
ンホール制御剤としては、ベンゾイン、ジメチルフタレ
ート等が挙げられる。

【０１８７】可塑剤、硬化触媒、流動付与剤、ピンホー
ル制御剤は、前記電荷輸送物質に対して、５重量％以下
で用いることが好ましい。増感染料の具体的な例として
は、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、ナ
イトブルー、ビクトリアブルー等で代表されるトリフェ
ニルメタン系染料、エリスロシン、ローダミンＢ、ロー
ダミン３Ｒ、アクリジンオレンジ、フラペオシン等に代
表されるアクリジン染料、メチレンブルー、メチレング
リーン等に代表されるチアジン染料、カプリブルー、メ
ルドラブルー等に代表されるオキサジン染料、その他シ
アニン染料、メロシアニン染料、スチリル染料、ピリリ
ュウム塩染料、チオピリリュウム塩染料等が挙げられ
る。

【０１８８】感光層には感度の向上、残留電位〜反復使
用時の疲労低減等を目的として、電子受容性物質を加え
ることができる。電子受容性物質としては、無水コハク
酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸、無水フ
タル酸、テトラクロロ無水フタル酸、テトラブロモ無水
フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、４−ニトロ無水フ
タル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット酸、テトラ
シアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ−ジニ
トロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、１，３，５−ト
リニトロベンゼン、パラニトロベンゾニトリル、ピクリ
ルクロライド、キノンクロルイミド、クロラニル、ブロ
マニル、ベンゾキノン、２，３−ジクロロベンゾキノ
ン、ジクロロジシアノパラベンゾキノン、ナフトキノ
ン、ジフェノキノン、トロポキノン、アントラキノン、
１−クロロアントラキノン、ジニトロトロアントラキノ
ン、４−ニトロベンゾフェノン、４，４−ニトロベンゾ
フェノン、４−ニトロベンザルマロンジニトリル、α−
シアノ−β−（ｐ−シアノフェニル）アクリル酸エチ
ル、９−アントラセニルメチルマロンジニトリル、１−
シアノ−（ｐ−ニトロフェニル）−２−（ｐ−クロロフ
ェニル）エチレン、２，７−ジニトロフルオレノン、
２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７
−テトラニトロフルオレノン、９−フルオレニリデン
［ジシアノメチレンマロノニトリル］、ポリニトロ−９
−フルオレニリデン−［ジシアノメチレンマロノジニト
リル］、ピクリン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ
安息香酸、３，５−ジニトロ安息香酸、ペンタフルオロ
安息香酸、５−ニトロサリチル酸、３，５−ジニトロサ
リチル酸、フタル酸、メリット酸など、電子親和力が大
きい化合物がある。

【０１８９】この電子受容性物質は、電荷輸送層、電荷
発生層のいずれに加えてもよく、電荷輸送物質又は電荷
発生物質に対して通常０．０１〜２００重量％、より好
ましくは０．１〜５０重量％配合される。また、表面性
の改良のために、四フッ化エチレン樹脂、三フッ化塩化
エチレン樹脂、四フッ化エチレン六フッ化プロピレン樹
脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、二フッ
化二塩化エチレン樹脂及びそれらの共重合体、フッ素系
グラフトポリマーを用いてもよい。

【０１９０】これらの表面改質剤は前記バインダー樹脂
に対して０．１〜６０重量％、より好ましくは５〜４０
重量％配合される。０．１重量％より少ないと耐摩耗
性、表面耐久性、表面エネルギー低下等の表面改質が十
分でなく、６０重量％より多いと電子写真特性が悪くな
ることがある。酸化防止剤としては、ヒンダードフェノ
ール系酸化防止剤、芳香族アミン系酸化防止剤、ヒンダ
ードアミン系酸化防止剤、スルフィド系酸化防止剤、有
機リン酸系酸化防止剤などが挙げられる。

【０１９１】これらの酸化防止剤は電荷輸送物質に対し
て通常０．０１〜１０重量％、より好ましくは０．１〜
２重量％配合される。ヒンダードフェノール系酸化防止
剤としては、以下の例がある。

【０１９２】

【化１０６】

【０１９３】

【化１０７】

【０１９４】

【化１０８】

【０１９５】芳香族アミン系酸化防止剤としては以下の
ような例がある。

【０１９６】

【化１０９】

【０１９７】ヒンダードアミン系酸化防止剤としては、
以下のような例がある。

【０１９８】

【化１１０】

【０１９９】スルフィド系酸化防止剤としては以下のよ
うな例がある。

【０２００】

【化１１１】

【０２０１】有機リン酸系酸化防止剤としては以下のよ
うな例がある。

【０２０２】

【化１１２】

【０２０３】ヒンダードフェノール構造単位とヒンダー
ドアミン構造単位を分子内に有する酸化防止剤としては
以下のような例がある。

【０２０４】

【化１１３】

【０２０５】これら添加剤は１種単独で用いてもよい
し、あるいは、２種類以上を混合するなどして併用して
もよい。これらの添加剤は保護層、下引き層、ブロッキ
ング層に添加してもよい。前記電荷発生層、電荷輸送層
の形成の際に使用する前記溶媒の具体例としては、例え
ば、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等
の芳香族系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン、メタノール、エタノール、イ
ソプロパノール等のアルコール、酢酸エチル、エチルセ
ロソルブ等のエステル、四塩化炭素、クロロホルム、ジ
クロロメタン、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化
水素、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル、
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチ
ルホルムアミド等を挙げることができる。

【０２０６】これらの溶媒は、１種単独で使用してもよ
く、或いは、２種以上を混合溶媒として用いてもよい。
電荷輸送層を形成する方法としては、前記電荷輸送物
質、添加剤、バインダー樹脂材料（主鎖及び／又は末端
に反応しうる炭素・炭素二重結合を有する上記架橋性ポ
リカーボネート樹脂）、及び必要に応じ熱重合開始剤、
光開始剤などを溶剤に分散、又は溶解した溶液を所定の
下地となる基体、層上に浸漬塗工法、静電塗工法、粉体
塗工法、スプレー塗工法、ロール塗工法、アプリケータ
ー塗工法、スプレーコーター塗工法、バーコーター塗工
法、ロールコーター塗工法、ディップコーター塗工法、
ドクターブレード塗工法、ワイヤーバー塗工法、ナイフ
コーター塗工法、アトライター塗工法、スピナー塗工
法、ビード塗工法、ブレード塗工法、カーテン塗工法な
どの塗工法を用いて塗工し、乾燥及び架橋性ポリカーボ
ネート樹脂の架橋反応を行って形成することができる。

【０２０７】その分散又は溶解法としては、ボールミ
ル、超音波、ペイントシェーカー、レッドデビル、サン
ドミル、ミキサー、アトライターなどを用いることがで
きる。架橋反応は減圧から加圧の如何なる圧力下でも行
い得るが、好ましくは減圧又は常圧下で行われる。塗工
液塗布後のポリカーボネート樹脂の架橋反応は、先に架
橋ポリカーボネート樹脂の製法において記載した方法に
従い、通常のラジカル重合、例えば加熱、或は、紫外
線、赤外線、電子線、又はマイクロ波等の照射により行
うことができる。

【０２０８】単層型電子写真感光体の感光層の形成は、
前記電荷発生物質、電荷輸送物質、添加剤、バインダー
樹脂材料、及び必要に応じ熱重合開始剤、光開始剤、エ
チレン性二重結合を有する単量体などを溶剤に分散、又
は溶解した溶液を所定の下地となる基体上に塗布し、乾
燥及び架橋性樹脂を架橋させることによって行われる。
塗布方法、架橋方法、添加剤等は上記と同様である。ま
た、上記と同様に保護層、下引き層、ブロッキング層を
設けてもよい。

【０２０９】単層型感光体の膜厚は通常５〜１００μｍ
が好ましく、８〜５０μｍがより好ましい。５μｍ未満
であると、初期電位が低くなりやすく、１００μｍを超
えると電子写真特性が低下する傾向がある。単層型電子
写真感光体中の電荷発生物質：架橋ポリカーボネート樹
脂の重量による割合は、好ましくは１：９９〜３０：７
０、更に好ましくは３：９７〜１５：８５である。ま
た、電荷輸送物質：架橋ポリカーボネート樹脂の重量に
よる割合は、好ましくは１０：９０〜８０：２０、更に
好ましくは３０：７０〜７０：３０である。

【０２１０】また、本発明の目的達成を阻害しない範囲
で、他の樹脂を本発明のポリカーボネート樹脂と併用す
ることも可能である。なお、本発明の電子写真感光体の
感光層の層構成としては、本発明のポリカーボネート樹
脂を含む層が感光層の表面層となる構成とすることが好
ましい。このようにして得られる本発明の電子写真感光
体は高い表面硬度を有し、長期間にわたって優れた耐刷
性を維持する感光体であり、複写機（モノクロ、マルチ
カラー、フルカラー；アナログ、デジタル）、プリンタ
ー（レーザー、ＬＥＤ、液晶シャッター）、ＦＡＸ、製
版機等の各種の電子写真分野に好適に利用することがで
きる。

【０２１１】本発明の電子写真感光体を使用するにあた
って、帯電器は、コロナ放電（コロトロン、スコトロ
ン）、接触帯電（帯電ロール、帯電ブラシ）などが用い
られる。露光は、ハロゲンランプ、蛍光灯、レーザー
（半導体、Ｈｅ−Ｎｅ）、ＬＥＤ、感光体内部露光方式
で行われる。現像工程はカスケード現像、二成分磁気ブ
ラシ現像、一成分絶縁トナー現像、一成分導電トナー現
像などの乾式現像方式や湿式現像方式などが用いられ
る。転写工程はコロナ転写、ローラ転写、ベルト転写な
どの静電転写法、圧力転写法、粘着転写法が用いられ
る。定着は、熱ローラ定着、ラジアント・フラッシュ定
着、オーブン定着、圧力定着などが用いられる。クリー
ニング・除電には、ブラシクリーナー、磁気ブラシクリ
ーナー、静電ブラシクリーナー、磁気ローラクリーナ
ー、ブレードクリーナーなどが用いられる。

【０２１２】

【実施例】以下、本発明の実施例及びその比較例によっ
て本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの
実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例
及び比較例において、合成物の構造は、日本電子（株）
製のＥＸ−９０を用いる¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定
によって行った。

【０２１３】実施例１ ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（７
４ｇ）を、６重量％濃度の水酸化ナトリウム水溶液（５
５０ｍｌ）に溶解した溶液と塩化メチレン（２５０ｍ
ｌ）とを混合して撹拌しながら、冷却下、液中にホスゲ
ンガスを９５０ｍｌ／ｓｅｃの割合で１５分間吹き込ん
だ。次いで、この反応液を静置して有機層を分離し、重
合度が２〜４であり、分子末端がクロロホルメート基で
あるビスフェノールＡ（２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン）のポリカーボネートオリゴマーの
塩化メチレン溶液を得た。なお、生成オリゴマーの構
造、重合度及び末端基は¹Ｈ−ＮＭＲ、ＭＳ、ＧＰＣに
より確認した。

【０２１４】得られたオリゴマーの塩化メチレン溶液
（２００ｍｌ）に塩化メチレンを加えて全量を４５０ｍ
ｌとした後、下記ＢＰ−１（２８．８ｇ）を８重量％濃
度の水酸化ナトリウム水溶液（１５０ｍｌ）に溶解した
溶液を混合し、これに分子量調整剤であるｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノール（２．０ｇ）を加えた。次いでこの
混合溶液を激しく撹拌しながら、触媒として７重量％ト
リエチルアミン水溶液（２ｍｌ）を加え、２８℃におい
て１．５時間撹拌して反応を行った。反応終了後、反応
生成物を塩化メチレン（１リットル）で希釈し、次いで
純水（１．５リットル）で２回、０．０１Ｎ塩酸（１リ
ットル）で１回、純水（１リットル）で２回洗浄した。
更に、有機相をメタノール中に投入し、ポリマーを取り
出した。

【０２１５】ポリマーの還元粘度（塩化メチレンを溶媒
として用いて濃度０．５ｇ／ｄｌで３０℃で測定した還
元粘度。還元粘度はウッベローデ改良型（ＲＭ型）粘度
計を用いて測定。以下同様。）は１．３ｄｌ／ｇであっ
た。このポリマーの¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルチャートを
図１に示す。このポリマーの¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルに
おいて５．８ｐｐｍ付近及び４．１ｐｐｍ付近のアリル
基に基づく吸収と、１．５ｐｐｍ付近のビスフェノール
Ａのメチル基に基づく吸収の積分比から、ＢＰ−１とビ
スフェノールＡ構造をモル比で１８対８２で有するポリ
カーボネートであることがわかった。

【０２１６】

【化１１４】

【０２１７】オキソチタニウムフタロシアニン０．５部
（重量部、以下同様）、ブチラール樹脂０．５部及び塩
化メチレン１９部をボールミルにて分散し、この分散液
をバーコーターを用いて導電性基体としてのアルミニウ
ムを蒸着したペットフィルム上に塗工して乾燥し、電荷
発生層（膜厚約０．５μｍ）とした。電荷輸送物質とし
て下記構造式

【０２１８】

【化１１５】

【０２１９】の化合物（Ｃ−１）を用い、得られたポリ
カーボネート１部、（Ｃ−１）１部、アゾビスイソブチ
ロニトリル０．０５部、塩化メチレン８部の溶液を調製
し、塗工液とした。この塗工液をアプリケーターを用い
て前記の電荷発生層上に塗布した。１４０℃、１０分間
で加熱したところ塩化メチレン不溶成分（架橋ポリカー
ボネート）を含有する架橋型有機電子写真感光体が得ら
れた。

【０２２０】実施例２ ＢＰ−１の代わりに下記ＢＰ−２（２２．５ｇ）を用い
た以外は実施例１と同様の方法でポリカーボネートを合
成した。得られたポリカーボネートの還元粘度は１．５
ｄｌ／ｇであった。

【０２２１】

【化１１６】

【０２２２】実施例１と同様にして基体上に電荷発生層
を形成した後、得られたポリカーボネートを用いて実施
例１と同様にして塗工液を調製し、実施例１のように塗
工した。１４０℃、１０分間で加熱したところ塩化メチ
レン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得
られた。 実施例３ ＢＰ−１の代わりに下記ＢＰ−３（１７．８ｇ）を用い
た以外は実施例１と同様の方法でポリカーボネートを合
成した。得られたポリカーボネートの還元粘度は１．３
ｄｌ／ｇであった。

【０２２３】

【化１１７】

【０２２４】実施例１と同様にして基体上に電荷発生層
を形成した後、得られたポリカーボネートを用いて実施
例１と同様にして塗工液を調製し、実施例１のように塗
工した。１４０℃、１０分間で加熱したところ塩化メチ
レン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得
られた。 実施例４ ＢＰ−１の代わりに下記ＢＰ−４（２０．２ｇ）を用い
た以外は実施例１と同様の方法でポリカーボネートを合
成した。得られたポリカーボネートの還元粘度は１．１
ｄｌ／ｇであった。

【０２２５】

【化１１８】

【０２２６】実施例１と同様にして基体上に電荷発生層
を形成した後、得られたポリカーボネートを用いて実施
例１と同様にして塗工液を調製し、実施例１のように塗
工した。１４０℃、１０分間で加熱したところ塩化メチ
レン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得
られた。 実施例５ ＢＰ−１の代わりに下記ＢＰ−５（２０．８ｇ）を用い
た以外は実施例１と同様の方法でポリカーボネートを合
成した。得られたポリカーボネートの還元粘度は１．２
ｄｌ／ｇであった。

【０２２７】

【化１１９】

【０２２８】実施例１と同様にして基体上に電荷発生層
を形成した後、得られたポリカーボネートを用いて実施
例１と同様にして塗工液を調製し、実施例１のように塗
工した。１４０℃、１０分間で加熱したところ塩化メチ
レン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得
られた。 実施例６ 実施例１のビスフェノールＡ（７４ｇ）に変えてＢＰ−
３（８６ｇ）を用いてオリゴマーを製造し、ＢＰ−１に
変えてＢＰ−３（１７．８ｇ）を用いた以外は実施例１
と同様の方法でポリカーボネートを合成した。得られた
ポリカーボネートの還元粘度は１．５ｄｌ／ｇであっ
た。

【０２２９】

【化１２０】

【０２３０】実施例１と同様にして基体上に電荷発生層
を形成した後、得られたポリカーボネートを用いて実施
例１と同様にして塗工液を調製し、実施例１のように塗
工した。１４０℃、１０分間で加熱したところ塩化メチ
レン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得
られた。 実施例７ ＢＰ−１の代わりに下記ＢＰ−６（２１．６ｇ）を用い
た以外は実施例１と同様の方法でポリカーボネートを合
成した。得られたポリカーボネートの還元粘度は１．１
ｄｌ／ｇであった。

【０２３１】

【化１２１】

【０２３２】実施例１と同様にして基体上に電荷発生層
を形成した後、得られたポリカーボネートを用いて実施
例１と同様にして塗工液を調製し、実施例１のように塗
工した。１４０℃、１０分間で加熱したところ塩化メチ
レン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得
られた。 実施例８ ＢＰ−１の代わりに下記ＢＰ−７（１５．１ｇ）を用い
た以外は実施例１と同様の方法でポリカーボネートを合
成した。得られたポリカーボネートの還元粘度は１．０
ｄｌ／ｇであった。

【０２３３】

【化１２２】

【０２３４】実施例１と同様にして基体上に電荷発生層
を形成した後、得られたポリカーボネートを用いて実施
例１と同様にして塗工液を調製し、実施例１のように塗
工した。１４０℃、１０分間で加熱したところ塩化メチ
レン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得
られた。 実施例９ ＢＰ−１の代わりに下記ＢＰ−８（２０．６ｇ）を用い
た以外は実施例１と同様の方法でポリカーボネートを合
成した。得られたポリカーボネートの還元粘度は１０．
９ｄｌ／ｇであった。

【０２３５】

【化１２３】

【０２３６】実施例１と同様にして基体上に電荷発生層
を形成した後、得られたポリカーボネートを用いて実施
例１と同様にして塗工液を調製し、実施例１のように塗
工した。１４０℃、１０分間で加熱したところ塩化メチ
レン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得
られた。 実施例１０ ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（７
４ｇ）の代わりに１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン：ビスフェノールＺ（８７．１ｇ）
を用い、６重量％濃度の水酸化ナトリウム水溶液（５５
０ｍｌ）の代わりに８．４重量％濃度の水酸化カリウム
水溶液（５５０ｍｌ）を用い、ＢＰ−１（２８．８ｇ）
の代わりに下記ＢＰ−９（３０．７ｇ）及びＢＰ−１０
（５ｇ）を用い、８重量％濃度の水酸化ナトリウム水溶
液（１５０ｍｌ）の代わりに１１．２重量％濃度の水酸
化カリウム水溶液（１５０ｍｌ）を用いた以外は実施例
１と同様の方法でポリカーボネートを合成した。得られ
たポリカーボネートの還元粘度は１．２ｄｌ／ｇであっ
た。

【０２３７】

【化１２４】

【０２３８】実施例１と同様にして基体上に電荷発生層
を形成した後、得られたポリカーボネートを用いて実施
例１と同様にして塗工液を調製し、実施例１のように塗
工した。１４０℃、１０分間で加熱したところ塩化メチ
レン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得
られた。 実施例１１ ＢＰ−９（３０．７ｇ）の代わりに下記ＢＰ−１１（２
７．３ｇ）及びＢＰ−１０（５ｇ）の代わりにＢＰ−１
２（１０ｇ）を用いた以外は実施例１０と同様の方法で
ポリカーボネートを合成した。得られたポリカーボネー
トの還元粘度は１．１ｄｌ／ｇであった。

【０２３９】

【化１２５】

【０２４０】実施例１と同様にして基体上に電荷発生層
を形成した後、得られたポリカーボネートを用いて実施
例１と同様にして塗工液を調製し、実施例１のように塗
工した。１４０℃、１０分間で加熱したところ塩化メチ
レン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得
られた。 実施例１２ ＢＰ−９（３０．７ｇ）の代わりに下記ＢＰ−１３（３
０．０ｇ）及びＢＰ−１０（５ｇ）の代わりにＢＰ−１
０（１ｇ）を用いた以外は実施例１０と同様の方法でポ
リカーボネートを合成した。得られたポリカーボネート
の還元粘度は１．３ｄｌ／ｇであった。

【０２４１】

【化１２６】

【０２４２】実施例１と同様にして基体上に電荷発生層
を形成した後、得られたポリカーボネートを用いて実施
例１と同様にして塗工液を調製し、実施例１のように塗
工した。１４０℃、１０分間で加熱したところ塩化メチ
レン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得
られた。 実施例１３ ＢＰ−９（３０．７ｇ）の代わりに下記ＢＰ−１４（１
５．０ｇ）及びＢＰ−１０（５ｇ）の代わりにＢＰ−１
２（２０ｇ）を用いた以外は実施例１０と同様の方法で
ポリカーボネートを合成した。得られたポリカーボネー
トの還元粘度は１．１ｄｌ／ｇであった。

【０２４３】

【化１２７】

【０２４４】実施例１と同様にして基体上に電荷発生層
を形成した後、得られたポリカーボネートを用いて実施
例１と同様にして塗工液を調製し、実施例１のように塗
工した。１４０℃、１０分間で加熱したところ塩化メチ
レン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得
られた。 比較例１ 特開平４−２９３１４号公報記載の方法に従い、下記の
操作でポリカーボネートを合成した。

【０２４５】攪拌機、温度計、ガス導入管及び還流冷却
機を備えた三つ口丸底フラスコに、乾燥窒素ガスを流し
ながら、４８．５重量％の水酸化ナトリウム水溶液５
３．７部、水２３０．８部、３，３′−ジアリルビスフ
ェノールＡ３１．４部、ビスフェノールＺ２７．３部を
仕込んで溶解した。この溶液を氷浴で２０℃に冷却し、
撹拌しながらホスゲンガス２６．２部を１時間かけて徐
々に導入した。その後４８．５重量％の水酸化ナトリウ
ム水溶液８．４部を加え、更に反応停止剤としてｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール０．６１部を加えた後、３０
℃で１時間重合反応を続けた。反応終了後、塩化メチレ
ン層を分離して塩酸酸性にした後、水洗を繰り返し、溶
存塩類を除去した。その後、塩化メチレンを蒸発して固
体を得た。得られた固体は、下記の繰り返し単位及び共
重合組成を有するものであった。

【０２４６】

【化１２８】

【０２４７】このポリマーの還元粘度は１．２ｄｌ／ｇ
であった 実施例１と同様にして基体上に電荷発生層を形成した
後、得られたポリカーボネート１部、アゾビスイソブチ
ロニトリル０．０５部、塩化メチレン８部の溶液を調整
し、塗工液とした。この塗工液をアプリケーターを用い
て前記の電荷発生層上に塗工した。１４０℃、１０分間
加熱によって架橋反応を行ったところ、塩化メチレン不
溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得られ
た。

【０２４８】比較例２ 下記の繰り返し単位からなるポリカーボネート（還元粘
度は０．７７ｄｌ／ｇ）をバインダー樹脂して用いた他
は比較例１と同様にして有機電子写真感光体が得た。

【０２４９】

【化１２９】

【０２５０】比較例３ 下記の繰り返し単位からなるポリカーボネート（還元粘
度は０．７３ｄｌ／ｇ）をバインダー樹脂して用いた他
は比較例１と同様にして有機電子写真感光体が得た。

【０２５１】

【化１３０】

【０２５２】耐摩耗性試験 上記実施例及び比較例で形成された電荷輸送層の耐摩耗
性をスガ摩耗試験機ＮＵＳ−ＩＳＯ−３型（スガ試験機
（株）製）を用いて評価した。試験条件は５００ｇの荷
重をかけた摩耗紙（スガ試験機（株）製研磨紙Ａｌ
₂Ｏ₃、３μｍ）上でサンプルを２０００回往復運動さ
せ、減少量を測定することにより評価した。評価結果を
表１に示した。

【０２５３】

【表１】

【０２５４】

【発明の効果】本発明のポリカーボネート樹脂は、架橋
ポリカーボネート樹脂やグラフト重合体の製造に好適に
用いられる側鎖に反応しうる不飽和結合を有する新規な
ポリカーボネート樹脂である。また、本発明のポリカー
ボネート樹脂は、電子写真感光体の感光層中のバインダ
ー樹脂材料として使用する場合、溶媒に溶解しても白化
やゲル化を起こさず、また、その架橋体は優れた表面高
度を有することから、長時間にわたる繰り返し使用に対
して優れた機械的強度及び電子写真特性を維持電子写真
感光体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で合成したポリカーボネート樹脂の¹
Ｈ−ＮＭＲスペクトルチャート。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で表される繰り返し単
   位（１）並びに下記一般式（２ａ）で表される繰り返し
   単位（２ａ）及び／又は下記一般式（２ｂ）で表される
   繰り返し単位（２ｂ）を、繰り返し単位（１）、繰り返
   し単位（２ａ）及び繰り返し単位（２ｂ）の合計に対す
   る繰り返し単位（１）のモル比、（１）／［（１）＋
   （２ａ）＋（２ｂ）］、が０．００１〜１となる割合で
   有する、側鎖に架橋反応しうる官能基を有するポリカー
   ボネート樹脂。 【化１】 ［一般式（１）中、Ａｒは、 【化２】 で表される２価の芳香族基であり、式（１ａ）中、Ｘは
   単結合、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−
   Ｏ−、−ＣＲ⁵Ｒ⁶−（ただし、Ｒ⁵及びＲ⁶は各々独立に
   炭素数１〜１０のアルキル基、トリフルオロメチル基又
   は炭素数６〜３６のアリール基である）、炭素数５〜１
   ２のシクロアルキリデン基、フルオレニリデン基、−Ｃ
   Ｒ⁷Ｒ⁸−（ただし、Ｒ⁷及びＲ⁸は各々独立に水素原子、
   炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜３６のアリー
   ル基又は少なくとも１つの不飽和結合を有する炭素数２
   〜１０の脂肪族炭化水素基であり、ただし、Ｒ⁷及びＲ⁸
   の少なくとも一方は少なくとも１つの不飽和結合を有す
   る炭素数２〜１０の脂肪族炭化水素基である）、少なく
   とも１つの不飽和結合を有する炭素数２〜１２の脂肪族
   炭化水素基を置換基として有する炭素数５〜１２のシク
   ロアルキリデン基、少なくとも１つの不飽和結合を有す
   る炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基を置換基として有
   する炭素数５〜１２のシクロアルキリデン基、或は少な
   くとも１つの不飽和結合を有する炭素数２〜１２の脂肪
   族炭化水素基を置換基として有するフルオレニリデン基
   であり、Ｒ¹及びＲ³は各々独立に少なくとも１つの不飽
   和結合を有する炭素数２〜１０の脂肪族炭化水素基であ
   り、Ｒ²及びＲ⁴は各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜
   １０の飽和炭化水素基、炭素数６〜１８のアリール基、
   又は炭素数１〜１０のアルコキシル基で置換された炭素
   数６〜１８のアリール基であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各
   々独立に０〜４の整数であり（ただしａ＋ｂは０〜４の
   整数であり、ｃ＋ｄは０〜４の整数である）、ただし、
   Ｘが単結合又はフルオレニリデン基の場合、ａ＋ｃは０
   ではなく、Ｘが−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂
   −、−Ｏ−、−ＣＲ⁵Ｒ⁶−又は炭素数５〜１２のシクロ
   アルキリデン基である場合、ａ＋ｃは０ではなく、かつ
   ｂ＋ｄは０ではなく、Ｘが−ＣＲ⁷Ｒ⁸−、少なくとも１
   つの不飽和結合を有する炭素数２〜１２の脂肪族炭化水
   素基を置換基として有する炭素数５〜１２のシクロアル
   キリデン基、又は少なくとも１つの不飽和結合を有する
   炭素数２〜１２の脂肪族炭化水素基を置換基として有す
   るフルオレニリデン基である場合、Ｒ²及びＲ⁴のいずれ
   もハロゲン原子ではなく、式（１ｂ）中、Ｒ⁹及びＲ¹⁰
   は各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル
   基、炭素数１〜４のアルキルオキシ基、炭素数６〜１２
   の置換若しくは無置換のアリール基又は炭素数６〜１２
   の置換若しくは無置換のアリールオキシ基を表し、ＦＧ
   は、 【化３】 （式中、ｈは０〜４の整数を表し、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は各々
   独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素
   数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基を表し、
   ｉ、ｊ、ｋ及びｌは各々独立に０〜３の整数を表し、但
   し、ｉ＋ｊ＝１〜６、ｉ＋ｋ＝０〜３、ｊ＋ｌ＝０〜３
   である。）を表し、一般式（２ａ）中、Ｙはアリーレン
   基を含有し、側鎖に架橋反応しうる官能基を持たない二
   価の基であり、一般式（２ｂ）中、Ｚは 【化４】 （式中、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸は各々独立に炭素数
   １〜４のアルキル基又は炭素数６〜３６のアリール基で
   あり、ｎは１〜６の整数、ｍは１〜１５０の整数であ
   る。）で表される基である。］
2. 【請求項２】 繰り返し単位（１）のＡｒが 【化５】 である請求項１記載のポリカーボネート樹脂。
3. 【請求項３】 繰り返し単位（１）のＡｒが 【化６】 である請求項１記載のポリカーボネート樹脂。
4. 【請求項４】 繰り返し単位（１）が 【化７】 【化８】 【化９】 【化１０】 【化１１】 又は、 【化１２】 である請求項１記載のポリカーボネート樹脂。
5. 【請求項５】 繰り返し単位（２ａ）が下記一般式
   （３）で表される繰り返し単位（３）である請求項１〜
   ４いずれか記載のポリカーボネート樹脂。 【化１３】 ［式中、Ｒ¹¹及びＲ¹²は各々独立にハロゲン原子、炭素
   数１〜１０の飽和炭化水素基又は炭素数６〜１２の芳香
   族炭化水素基であり、ｅ及びｆは各々独立に０〜４の整
   数であり、Ｗは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−
   ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＲ¹⁹Ｒ²⁰−、炭素数５〜１２
   のシクロアルキリデン基又は炭素数２〜１２のα，ω−
   アルキレン基を表し、ただしＲ¹⁹及びＲ²⁰は各々独立
   に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜１０
   のアルキル基、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は 【化１４】 （式中、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸はそれぞれ独立に炭
   素数１〜４のアルキル基又は炭素数６〜３６のアリール
   基であり、ｎは１〜６の整数、ｍは１〜１５０の数であ
   る。）で表される基である。］
6. 【請求項６】 請求項１〜５いずれか記載のポリカーボ
   ネート樹脂を架橋させて得られる架橋ポリカーボネート
   樹脂。
7. 【請求項７】 導電性基体上に感光層を有する電子写真
   感光体において、感光層に請求項１〜５いずれか記載の
   ポリカーボネート樹脂を含有していることを特徴とする
   電子写真感光体。
8. 【請求項８】 感光層が、電荷発生物質を含有する電荷
   発生層、並びに、電荷輸送物質及びバインダー樹脂を含
   有する電荷輸送層からなるものであり、該バインダー樹
   脂が請求項１〜５いずれか記載のポリカーボネート樹脂
   である請求項７記載の電子写真感光体。
9. 【請求項９】 導電性基体上に感光層を有する電子写真
   感光体において、感光層に請求項６記載の架橋ポリカー
   ボネート樹脂を含有していることを特徴とする電子写真
   感光体。
10. 【請求項１０】 感光層が、電荷発生物質を含有する電
    荷発生層、並びに、電荷輸送物質及びバインダー樹脂を
    含有する電荷輸送層からなるものであり、該バインダー
    樹脂が請求項６記載の架橋ポリカーボネート樹脂である
    請求項９記載の電子写真感光体。