JP3611654B2 - 電子写真感光体 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体に関し、より詳しくは、長時間にわたる繰り返し使用に対して優れた機械的強度及び電子写真特性を維持し、種々の電子写真分野に好適に利用できる電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真感光体としては、従来よりセレンやα−シリコンなどの無機光導電性材料を用いたものが使用されていたが、最近では、導電性基体上に、有機光導電性材料とバインダー樹脂とからなる感光層を設けた有機電子写真感光体（ＯＰＣ）の性能が向上し、その使用も急速に拡大している。このような有機電子写真感光体としては、積層型の電子写真感光体、即ち、感光層が、露光により電荷を発生させる電荷発生層（ＣＧＬ）と電荷を輸送する電荷輸送層（ＣＴＬ）との少なくとも２層を有する積層型の有機電子写真感光体や、感光層が電荷発生物質及び電荷輸送物質をバインダー樹脂に分散させた単一層からなる単層型の有機電子写真感光体が利用されている。
【０００３】
一方、電子写真感光体には、適応される電子写真プロセスに応じた所定の感度、電気特性、光学特性を備えていることが要求される。特に、繰り返し使用される感光体には、その感光体の表面層、即ち基体（通常は導電性基体）より最も離れて位置する層には、コロナ帯電、トナー現像、紙への転写、クリーニング処理等の際に、電気的、機械的外力が直接に加えられるため、長期間にわたって画質を維持するためには、それらに対する耐久性が要求される。具体的には、摩擦による表面の摩耗や傷の発生、高温下においてのコロナ帯電時に発生するオゾンによる表面の劣化などに対する耐久性が要求される。このような要求に対応するために、有機電子写真感光体の感光層のバインダー樹脂としては、電荷輸送物質との相溶性がよく、しかも機械的強度が高いビスフェノールＡやビスフェノールＺなどを原料とするポリカーボネート樹脂が利用されてきた。しかしながら、これらのポリカーボネート樹脂も、無機光導電性材料からなる層と比較すると耐久性に劣っている。
【０００４】
そこで、更に耐久性に優れる電子写真感光体を得るために、架橋性ポリカーボネートをバインダー樹脂材料として用いることが提案されている。例えば、特開平４−２９１３４８号公報には、側鎖に不飽和基を有する架橋性ポリカーボネートを架橋して得られる架橋ポリカーボネートをバインダー樹脂として含有する架橋型電子写真感光体が提案されている。
【０００５】
しかしながら、該公報記載のバインダー樹脂である架橋ポリカーボネートは、その架橋された度合（架橋度）に関する規定がなく、該公報の実施例を再現し、バインダー樹脂として用いたところ、その層は脆く、結果として耐摩耗性の改善が不十分であった。
【０００６】
また、電子写真感光体に用いられるバインダー樹脂には、溶媒に溶解させて感光層を形成するための塗工液を調製する際に、塗工液が白化又はゲル化したりしないことが要求される。塗工液の白化又はゲル化が生じると、塗工、乾燥後の感光層が結晶化を起こすことがある。この結晶化を起こした部分では、光減衰がなく、電荷は残留電位となって残り、画質上ディフェクトとなって出現する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に基づいてなされたものであり、電荷輸送物質との相溶性が良い上に、溶媒に溶解しても白化又はゲル化を起こさず、かつ、架橋物が高い表面硬度及び耐摩耗性を有する架橋性ポリカーボネート樹脂をバインダー樹脂材料として用いて作製される架橋型有機電子写真感光体であって、耐刷性に優れ、長期間に亘って優れた電子写真特性を維持する電子写真感光体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、架橋後の溶媒不溶化率が一定の範囲内にある架橋性ポリカーボネート樹脂をバインダー樹脂材料として用いることにより、耐刷性に優れ、長期使用期間に亘って優れた電子写真特性及び耐久性を維持することを見出し、これら知見に基づき、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、導電性基体上に電荷発生物質、電荷輸送物質及びバインダー樹脂を含有する感光層を設けた電子写真感光体において、感光層がバインダー樹脂として、主鎖末端に反応しうる炭素・炭素二重結合を有する架橋性ポリカーボネート樹脂又は下記一般式（１）で表されるエポキシ基を有する繰り返し単位（１）を有する架橋性ポリカーボネート樹脂の架橋物である架橋ポリカーボネート樹脂であって、塩化メチレン不溶分が０．１〜７５重量％の架橋ポリカーボネート樹脂を含有していることを特徴とする電子写真感光体を提供するものである。
【化４】

（式中、Ｒ ¹ 及びＲ ² は各々独立に炭素数１〜２０の飽和炭化水素基、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又はハロゲン原子であり、ａ及びｂは各々独立に０〜３の整数であり、Ｘは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ ₂ −、−ＣＲ ³ Ｒ ⁴ −、炭素数５〜１２のシクロアルキレン基若しくはシクロアルキリデン基又はフルオレニリデン基であり、ただし、Ｒ ³ 及びＲ ⁴ は各々独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基である。）
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明において、架橋ポリカーボネート樹脂の塩化メチレン不溶分とは、感光体中に含まれる架橋後の架橋ポリカーボネート樹脂の量を１００重量％とした場合、この架橋ポリカーボネート樹脂を２５℃で塩化メチレンに溶解したときに溶解しなかった架橋ポリカーボネート樹脂の量の重量％をいう。
【００１１】
本発明の電子写真感光体中の上記架橋ポリカーボネートは、塩化メチレン不溶分が０．１〜７５重量％、好ましくは２０〜５０重量％である。０．１重量％未満では耐久性向上が不十分であり、７５重量％を超えると脆くなり、やはり耐久性が悪くなる。
【００１２】
本発明において用いられる架橋前の架橋性ポリカーボネート樹脂は、塩化メチレンを溶媒として濃度０．５ｇ／ｄｌで３０℃において測定した還元粘度が通常０．１〜２．０ｄｌ／ｇ、好ましくは０．３〜１．６ｄｌ／ｇであることが望ましい。還元粘度が０．１ｄｌ／ｇ未満の架橋性ポリカーボネート樹脂を用いると、架橋後であってもその架橋性ポリカーボネート樹脂を用いて形成される層の表面高度が不足し、電子写真感光体表面が摩耗しやすくなることがある。一方、還元粘度が２．０ｄｌ／ｇを超える架橋性ポリカーボネート樹脂を用いると、架橋性ポリカーボネート樹脂の溶液粘度が上昇し、塗工液の塗布による電子写真感光体の製造が困難になることがある。
【００１３】
本発明に用いられる架橋性ポリカーボネート樹脂は、直鎖状、環状のいずれであってもよく、更に、合成時に末端停止剤や分岐剤等を用いることにより、ポリマー末端に特殊な末端構造や特殊な分岐構造が導入されているものであってもよい。
【００１６】
本発明に好適に用いられる前記一般式（１）で表されるエポキシ基を有する繰り返し単位（１）を有する架橋性ポリカーボネート樹脂において、一般式（１）中、Ｒ ¹ 、Ｒ ² 、Ｒ ³ 及びＲ ⁴ が表す炭素数１〜２０の飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数５〜２０のシクロアルキル基などが挙げられる。
【００１８】
Ｒ^１及びＲ^２が表す炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
【００１９】
Ｒ^１及びＲ^２が表すハロゲン原子としては、フロロ基、クロロ基、ブロモ基が好ましい。
【００２０】
Ｘが表す炭素数５〜１２のシクロアルキレン基及びシクロアルキリデン基としては、例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロペンチリデン基、シクロヘキシリデン基が好ましい。
【００２１】
Ｒ^３及びＲ^４が表す炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。
【００２２】
主鎖に反応しうる炭素・炭素二重結合を有する架橋性ポリカーボネート樹脂としては、例えば、分子の主鎖部分に反応しうる炭素・炭素二重結合を有する二価フェノールをモノマー原料の１種として用いて得られるポリカーボネート樹脂が挙げられる。このような二価フェノールとしては、例えば下記のものが挙げられる。
【００２３】
下記構造を有する１−オキソ−１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロペン
【００２４】
【化５】

下記構造を有する３−オキソ−１，５−ビス（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）−１，４−ペンタジエン
【００２５】
【化６】

下記構造を有する２，６−ビス（４−ヒドロキシフェニルメチリデン）シクロヘキサノン
【００２６】
【化７】

下記構造を有する４，４−ジメチル−２，６−ビス（４−ヒドロキシフェニルメチリデン）シクロヘキサノン
【００２７】
【化８】

下記構造を有する３，３，５，５−テトラメチル−２，６−ビス（４−ヒドロキシフェニルメチリデン）シクロヘキサノン
【００２８】
【化９】

下記構造を有するα，α′−ビス（４−ヒドロキシフェニルメチリデン）アセトン
【００２９】
【化１０】

下記構造を有する２，４−ビス（４−ヒドロキシフェニルメチリデン）−３−ペンタノン
【００３０】
【化１１】

側鎖に反応しうる炭素・炭素二重結合を有する架橋性ポリカーボネート樹脂の好適な例としては、例えば、分子の側鎖に反応しうる炭素・炭素二重結合を有する二価フェノール、例えば、下記一般式（Ｉ）
【００３１】
【化１２】

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｘ、ａ及びｂは、上記と同じ意味を有する。）
で表される二価フェノールをモノマー原料の１種として用いて得られるポリカーボネート樹脂が挙げられる。
【００３２】
上記一般式（Ｉ）で表される二価フェノールの具体例としては、例えば、３，３′−ジアリル−４，４′−ジヒドロキシビフェニル、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）オクタン、４，４−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジフェニルメタン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルメタン、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン、９，９−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）フルオレン、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メタン、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）エーテル、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）スルホン、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）スルホキシド、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）スルフィド、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ケトン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）エタン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−１−フェニルエタン、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ジフェニルメタンなどが挙げられる。
【００３３】
なかでも、３，３′−ジアリル−４，４′−ジヒドロキシビフェニル、９，９−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）フルオレン、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メタン、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）エーテル、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）スルホン、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）スルホキシド、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）スルフィド、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ケトン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）エタン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−１−フェニルエタン、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ジフェニルメタンなどが好適に用いられる。
【００３４】
本発明に用いられる架橋性ポリカーボネート樹脂は、もちろん、上記の分子の主鎖部分に反応しうる炭素・炭素二重結合を有する二価フェノール及び分子の側鎖に反応しうる炭素・炭素二重結合を有する二価フェノールは、各々１種単独で用いて、２種以上を併用して、又は両者を併用して製造されたものであってもよい。更に、本発明の目的の達成を阻害しない範囲で、上記二価フェノールに基づく繰り返し単位の他に、反応しうる炭素・炭素二重結合をもたない繰り返し単位、例えば、下記一般式（２）で表される繰り返し単位（２）を更に含有していてもよい。
【００３５】
【化１３】

（式中、Ｒ^５及びＲ^６は各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の飽和炭化水素基又は炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基であり、ｃ及びｄは各々独立に０〜４の整数を表し、Ｗは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＣＲ^７Ｒ^８−、炭素数５〜１２の１，１−シクロアルキリデン基又は炭素数２〜１２のα，ω−アルキレン基を表し、ただしＲ^７及びＲ^８は各々独立に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基である。）
このような、反応しうる炭素・炭素二重結合を持たない繰り返し単位を導入することにより、様々な力学特性を有する樹脂を製造することができ、様々な機種に適合した電子写真感光体を得ることができる。このような繰り返し単位の共重合組成比としては、通常、０〜９５モル％が好適であり、更に好ましくは１０〜９０モル％である。
【００３６】
上記繰り返し単位（２）の導入に用いられる二価フェノールは、下記一般式（ＩＩ）で表される構造を有する。
【００３７】
【化１４】

（式中、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｗ、ｃ及びｄは、上記と同じ意味を有する。）
一般式（ＩＩ）で表される二価フェノールの例としては、例えば、４，４′−ジヒドロキシビフェニル、３，３′−ジフルオロ−４，４′−ジヒドロキシビフェニル、４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジメチルビフェニル、４，４′−ジヒドロキシ−２，２′−ジメチルビフェニル、４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジシクロヘキシルビフェニル等の４，４′−ジヒドロキシビフェニル類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：ビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）イソブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−１−フェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−２−メチル−５−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル）ブタン、ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：テトラフルオロビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：テトラクロロビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名：テトラブロモビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１−フェニル−１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（３−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等のビス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル等のビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド等のビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン等のビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン等のケトン類などが挙げられる。
【００３８】
なかでも、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン等が好ましい。
【００３９】
主鎖末端に反応しうる炭素・炭素二重結合を有する架橋性ポリカーボネート樹脂としては、例えば、上記の分子の主鎖部分に反応しうる炭素・炭素結合を有する二価フェノール、分子の側鎖に反応しうる炭素・炭素二重結合を有する二価フェノール及び反応しうる炭素・炭素二重結合をもたない二価フェノールから選ばれる少なくとも１種の二価フェノールと、末端停止剤として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、ビニル酢酸、２−ペンテン酸、３−ペンテン酸、５−ヘキセン酸、９−デセン酸などの不飽和カルボン酸、アクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライド、ソルビン酸クロライド、アリルアルコールクロロホーメート、イソプロペニルフェノールクロロホーメートなどの酸クロライド又はクロロホーメート、イソプロペニルフェノール、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシフェニルマレイミド、ヒドロキシ安息香酸アリルエステル又は安息香酸メチルアリルエステルなどの不飽和基を有するフェノール等より得られるポリカーボネート樹脂などが挙げられる。これらの不飽和基を有する末端停止剤は、不飽和基をもたない末端停止剤と併用してもよく、上記の各種二価フェノール１モルに対して、通常１〜２５モル％用いられる。
【００４０】
本発明に用いられるエポキシ基を有し、上記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する架橋性ポリカーボネート樹脂は、例えば、エポキシ基の部分が炭素・炭素二重結合である下記一般式（３）で表される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂を前駆体として、メタクロロ過安息香酸を用いる酸化反応により得ることができる。具体的には、二重結合に対して、過剰量のメタクロロ過安息香酸を塩化メチレン中、室温下で、例えば一昼夜ほど、反応させ、反応終了後メタノールにポリマーを再沈させることにより得ることができる。
【００４１】
【化１５】

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｘ、ａ及びｂは、上記と同じ意味を有する。）
上記一般式（３）で表される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂は、先に記載した一般式（Ｉ）で表される二価フェノールをモノマー原料として用いて製造することができる。
【００４２】
また、本発明において、架橋性ポリカーボネート樹脂としては、上記一般式（１）で表される繰り返し単位と上記一般式（２）で表される繰り返し単位（２）とを含有し、繰り返し単位（１）の含有率が１モル％以上である共重合ポリカーボネート樹脂を用いることもできる。このような、エポキシ基をもたない繰り返し単位（２）を導入することにより、様々な力学特性を有する樹脂を製造することができ、様々な機種に適合した電子写真感光体を得ることができる。このような繰り返し単位の更に好ましい共重合組成比は、１０〜９０モル％である。上記繰り返し単位（２）の導入に用いられる二価フェノールは、上記一般式（ＩＩ）で表される構造を有するものであり、その具体例、好適な例も上記と同様である。
【００４３】
なお、二価フェノールをモノマー原料とする上記各種の反応しうる炭素・炭素二重結合を有するポリカーボネート樹脂は、常法に従い、二価フェノールと炭酸エステル形成性化合物とを反応させることにより合成することができる。合成方式としては、例えば、炭酸エステル形成性化合物としてホスゲン等を用い、適当な酸結合剤の存在下に二価フェノールと重縮合させる方法が挙げられる。また、炭酸エステル形成性化合物としてビスアリールカーボネートを用い、エステル交換反応を行う方式もある。これらの反応は、必要に応じ、末端停止剤及び／又は分岐剤の存在下で行われる。
【００４４】
上記の反応しうる炭素・炭素二重結合を有する末端停止剤以外に本発明において用いることのできる末端停止剤としては、一価のカルボン酸及びその誘導体、一価のフェノールを用いることができる。例えば、ｐ−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−（パーフロオロノニルフェニル）フェノール、ｐ−（パーフルオロキシルフェニル）フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−パーフルオロブチルフェノール、１−（ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフルオロデカン、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロトリデシルオキシ）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル）フェノール、３，５−ビス（パーフルオロヘキシルオキシカルボニル）フェノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロドデシル、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロオクチルオキシ）フェノール、２Ｈ，２Ｈ，９Ｈ−パーフルオロノナン酸等が好適に用いられる。
【００４５】
分岐剤としては、３価以上のフェノール又はカルボン酸を用いることができる。分岐剤の例としては、フロログリシン、ピロガロール、４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテン、２，４−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、２，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−３−ヘプテン、１，３，５−トリス（２−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、２，２−ビス（４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル）プロパン、２，４−ビス｛２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル｝フェノール、２，６−ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェノール、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロパン、テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、テトラキス（４−（４−ヒドロキシフェニルイソプロピル）フェノキシ）メタン、１，４−ビス（４′、４″−ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼン、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、トリメシン酸、シアヌル酸、３，３−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドール、３，３−ビス（４−ヒドロキシアリール）オキシインドール、５−クロロイサチン、５，７−ジクロロイサチン、５−ブロモイサチン等が挙げられる。
【００４６】
この中で好ましく用いられるのは、フロログリシン、１，３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等である。
【００４７】
炭酸エステル形成性化合物として前記ホスゲンをはじめとする各種のジハロゲン化カルボニル、クロロホルメート等のハロホルメート類、炭酸エステル化合物などを用い、酸結合剤の存在下に重縮合を行う反応は、通常、溶媒中で行われる。ホスゲン等のガス状の炭酸エステル形成性化合物を使用する場合、これを反応系に吹き込む方法が好適に採用できる。
【００４８】
炭酸エステル形成性化合物の使用割合は、反応の化学量論比（当量）を考慮して適宜調整すればよい。
【００４９】
前記酸結合剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、ピリジン等の有機塩基或いはこれらの混合物などが用いられる。
【００５０】
酸結合剤の使用割合も、反応の化学量論比（当量）を考慮して適宜定めればよい。具体的には、使用する二価フェノールのモル数（通常１モルは２当量に相当）に対して２当量若しくはこれより過剰量、好ましくは２〜１０当量の酸結合剤を用いることが好ましい。
【００５１】
前記溶媒としては、公知のポリカーボネート樹脂の製造に使用されるものなど各種の溶媒を１種単独で或いは混合溶媒として使用すればよい。代表的な例としては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素溶媒、塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼンをはじめとするハロゲン化炭化水素溶媒などが挙げられる。互いに混ざり合わない２種の溶媒を用いて界面重縮合反応を行ってもよい。
【００５２】
また、重縮合反応を促進するために、トリエチルアミン等の第三級アミン又は第四級アンモニウム塩などの触媒を添加して反応を行うことが望ましい。また、所望に応じ、亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイドなどの酸化防止剤を少量添加してもよい。反応は、通常、０〜１５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲の温度で行われる。反応圧力は、減圧、常圧、加圧のいずれでも可能であるが、通常は、常圧若しくは反応系の自圧程度で好適に行い得る。反応時間は、反応温度等によって左右されるが、通常０．５分間〜１０時間、好ましくは１分間〜２時間程度である。
【００５３】
得られる架橋性ポリカーボネート樹脂の還元粘度を前記の範囲にするには、例えば、前記反応条件の選択、前記末端停止剤や分岐剤の使用量の調節など、各種の方法によってなすことができる。また、場合により、得られたポリカーボネート樹脂に適宜物理的処理（混合、分画など）及び／又は化学的処理（ポリマー反応、部分分解処理など）を施して、所定の還元粘度のポリカーボネート樹脂として取得することもできる。
【００５４】
本発明の電子写真感光体は、感光層中にバインダー樹脂として上記の架橋性ポリカーボネート樹脂の架橋物である架橋ポリカーボネート樹脂少なくとも１種と電荷発生物質と電荷輸送物質とを含有するものである。
【００５５】
本発明の電子写真感光体はこのような感光層が導電性基体上に形成されたものである限り、その構造に特に制限はなく、単層型、積層型等の公知の種々の形式の電子写真感光体はもとより、どのようなものとしてもよい。通常は、感光層が少なくとも１層の電荷発生層と少なくとも１層の電荷輸送層を有する積層型電子写真感光体が好ましく、その電荷輸送層中に上記架橋ポリカーボネート樹脂がバインダー樹脂として用いられていることが好ましい。
【００５６】
本発明の電子写真感光体において、バインダー樹脂は、上記の架橋ポリカーボネート樹脂１種のみ又は２種以上を組み合わせたものであってもよいし、また、所望に応じて本発明の目的達成を阻害しない範囲で、他のポリカーボネート樹脂等の樹脂成分を含有させてもよい。
【００５７】
本発明の電子写真感光体に用いられる導電性基体の材料としては、公知のものなど各種のものを使用することができ、具体的にはアルミニウム、ニッケル、クロム、パラジウム、チタン、金、銀、銅、亜鉛、ステンレス、モリブデン、インジウム、白金、真鍮、酸化鉛、酸化錫、酸化インジウム、ＩＴＯ若しくはグラファイトの板、ドラム及びシート、並びに蒸着、スパッタリング、塗布等によりコーティングするなどして導電処理したガラス、布、紙若しくはプラスチックのフィルム、シート及びシームレスベルト、アルミニウム等の金属箔を積層したプラスチックフィルム、シート及びシームレスベルト、並びに金属板のフィルム状シート及びシームレスベルト、並びに電極酸化などにより金属酸化処理した金属ドラムなどを使用することができる。
【００５８】
積層型電子写真感光体の電荷発生層は少なくとも電荷発生物質を含むものであり、この電荷発生層はその下地となる基体上に真空蒸着、スパッタ法、ＣＶＤ法等により電荷発生物質の層を形成せしめるか、又はその下地となる層上に電荷発生物質をバインダー樹脂を用いて結着してなる層を形成せしめることによって得ることができる。バインダー樹脂を用いる電荷発生層の形成方法としては公知の方法等、各種の方法を使用することができるが、通常、例えば、電荷発生物質をバインダー樹脂と共に適当な溶媒により分散若しくは溶解した塗工液を、所定の下地となる層上に塗布し、乾燥せしめる方法が好適に用いられる。
【００５９】
前記電荷発生物質としては、公知のものなど各種のものを使用することができ、具体的には、非晶質セレン、三方晶セレン等のセレン単体、テルル単体、セレン−テルル合金、セレン−ヒ素合金等のセレンの合金、Ａｓ_２Ｓｅ_３等のセレン還元化合物若しくはセレン含有組成物、酸化亜鉛、硫化カドミウム、硫化アンチモン、硫化亜鉛、ＣｄＳ−Ｓｅ等の合金、第１２族及び第１６族元素からなる無機材料、酸化チタン等の酸化物系半導体、アモルファスシリコンなどのシリコン系材料等の各種の無機材料、τ型無金属フタロシアニン、χ型無金属フタロシアニン等の無金属フタロシアニン顔料、α型銅フタロシアニン、β型銅フタロシアニン、γ型銅フタロシアニン、ε型銅フタロシアニン、Ｘ型銅フタロシアニン、Ａ型チタニルフタロシアニン、Ｂ型チタニルフタロシアニン、Ｃ型チタニルフタロシアニン、Ｄ型チタニルフタロシアニン、Ｅ型チタニルフタロシアニン、Ｆ型チタニルフタロシアニン、Ｈ型チタニルフタロシアニン、Ｇ型チタニルフタロシアニン、Ｋ型チタニルフタロシアニン、Ｌ型チタニルフタロシアニン、Ｍ型チタニルフタロシアニン、Ｎ型チタニルフタロシアニン、Ｙ型チタニルフタロシアニン、オキソチタニウムフタロシアニン、Ｘ線回折図におけるブラック角２θが２７．３±０．２度に強い回折ピークを示すチタニルフタロシアニンなどの金属フタロシアニン顔料、シアニン染料、アントラセン顔料、ビスアゾ顔料、ピレン顔料、多環キノン顔料、キナクリドン顔料、インジゴ顔料、ぺリレン顔料、ピリリウム染料、チアピリリウム染料、ポリビニルカルバゾール、スクェアリウム顔料、アントアントロン顔料、ベンズイミダゾール顔料、アゾ顔料、チオインジゴ顔料、ビスベンゾイミダゾール顔料、キノリン顔料、レーキ顔料、オキサジン顔料、ジオキサジン顔料、トリフェニルメタン顔料、アズレニウム染料、スクウェアリウム染料、トリアリールメタン染料、キサンチン染料、チアジン染料などが挙げられる。
【００６０】
例えば、下記一般式で表されるような化合物が好適に用いられる。
【００６１】
【化１６】

［式中、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３及びＺ^４は各々独立にピロール環上の２個の炭素原子と共に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環若しくは複素環を形成することができる原子団を表し、Ｍは２個の水素原子又は配位子を有していてもよい金属原子若しくは金属化合物を表す。］
【００６２】
【化１７】

［式中、Ａｒ^６は芳香族系炭化水素環又は複素環を含んでいてもよい共役系を有するｔ価の残基を表し、ｔは１以上の正数であり、Ｃｐは芳香族系水酸基を有するカップラー残基を表し、ｔが２以上の場合は、各々のＣｐは同一であっても異なっていてもよい。］
【００６３】
【化１８】

［式中、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４及びＸ^５は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子を表し、Ｒ^Ｐ及びＲ^Ｑは炭素数１〜１２のアルキル基若しくはアリール基を表し、Ｘ^２若しくはＸ^３とＲ^Ｐ及びＸ^４若しくはＸ^５とＲ^Ｑとで置換基を有していてもよい複素環を形成していてもよい。］
フルオレン系ジスアゾ顔料としては、以下のような例がある。
【００６４】
【化１９】

【００６５】
【化２０】

【００６６】
【化２１】

ペリレン系顔料としては、以下のような例がある。
【００６７】
【化２２】

【００６８】
【化２３】

多環キノン顔料としては、以下のような例がある。
【００６９】
【化２４】

アントアントロン顔料としては、以下のような例がある。
【００７０】
【化２５】

ジベンズピレンキノン顔料としては、以下のような例がある。
【００７１】
【化２６】

ピラントロン顔料としては、以下のような例がある。
【００７２】
【化２７】

これらの顔料を単独または２種以上を混合して用いることもできる。
【００７３】
電荷発生層の厚さは、０．０１〜２．０μｍが好ましく、０．１〜０．８μｍがより好ましい。０．０１μｍ未満であると、電荷発生層を均一に形成することが困難であり、２．０μｍを超えると、電子写真特性が低下する傾向がある。
【００７４】
前記電荷発生層に用いられるバインダー樹脂としては、特に制限はなく、公知のものなど各種のものを使用できる。具体的には、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアセタール、アルキッド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリロニトリル、ボリカーボネート、ポリウレタン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリケトン、ポリアクリルアミド、ブチラール樹脂、ポリエステル、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、メタクリル樹脂、ポリスチレン、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルフォルマール、ポリスルホン、カゼイン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、ニトロセルロース、カルボキシ−メチルセルロース、塩化ビニリデン系ポリマーラテックス、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ビニルトルエン−スチレン共重合体、大豆油変性アルキッド樹脂、ニトロ化ポリスチレン、ポリメチルスチレン、ポリイソプレン、ポリチオカーボネート、ポリアリレート、ポリハロアリレート、ポリアリルエーテル、ポリビニルアクリレート、メラミン樹脂、ポリエーテル樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステルアクリレート等の熱硬化性樹脂を使用することができる。
【００７５】
上記電荷発生層におけるバインダー樹脂として上記の架橋ポリカーボネート樹脂を使用することもできる。
【００７６】
次に、電荷輸送層は、下地となる層（例えば電荷発生層）上に、電荷輸送物質をバインダー樹脂で結着してなる層を形成することによって得ることができる。
【００７７】
この電荷輸送層の形成方法としては、公知の方法等の各種の方式を使用することができるが、通常、上記電荷輸送物質を上記架橋前の架橋性ポリカーボネート樹脂及び、必要に応じ、架橋反応に必要な熱重合開始剤、光開始剤又は硬化剤等と共に適当な溶媒に分散若しくは溶解した塗工液を、所定の下地となる層上に塗布し、乾燥及び架橋性ポリカーボネート樹脂を架橋させる方式などが使用される。電荷輸送層形成に用いられる電荷輸送物質と架橋性ポリカーボネート樹脂との配合割合は、好ましくは重量で２０：８０〜８０：２０、さらに好ましくは３０：７０〜７０：３０である。
【００７８】
この電荷輸送層において、上記架橋性ポリカーボネート樹脂は１種単独で用いることもできるし、また、２種以上を混合して用いることもできる。また、本発明の目的達成を阻害しない範囲で、前記電荷発生層に用いられるバインダー樹脂として挙げたような他の樹脂を上記架橋性ポリカーボネート樹脂と併用することもできる。
【００７９】
電荷輸送物質としては、公知のものなど各種のものを使用することができる。例えば、カルバゾール化合物、インドール化合物、イミダゾール化合物、オキサゾール化合物、ピラゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ピラゾリン化合物、チアジアゾール化合物、アニリン化合物、ヒドラゾン化合物、芳香族アミン化合物、脂肪族アミン化合物、スチルべン化合物、フルオレノン化合物、キノン化合物、キノジメタン化合物、チアゾール化合物、トリアゾール化合物、イミダゾロン化合物、イミダゾリジン化合物、ビスイミダゾリジン化合物、オキサゾロン化合物、ベンゾチアゾール化合物、ベンズイミダゾール化合物、キナゾリン化合物、ベンゾフラン化合物、アクリジン化合物、フェナジン化合物、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール樹脂、あるいはこれらを主鎖、側鎖に有する重合体が用いられ、好ましくは下記一般式で表されるような化合物が用いられる。
【００８０】
【化２８】

［式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３は各々独立に、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ^１とＡｒ^２、Ａｒ^２とＡｒ^３及びＡｒ^３とＡｒ^１で環を形成していてもよい。］
【００８１】
【化２９】

［式中、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ及びＲ^Ｄは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは各々独立に、０〜５の整数である。］
【００８２】
【化３０】

［式中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ^１とＡｒ^２は環を形成してもよい。Ｒ^Ａはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｒ^Ｅはエチレン基又はエテニレン基を表し、Ｅは０〜４の整数である。］
【００８３】
【化３１】

［式中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ^１とＡｒ^２は環を形成してもよい。Ｒ^Ａはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｒ^Ｆ及びＲ^Ｇは各々独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はハロゲン原子を表し、Ｅは０〜４の整数である。］
【００８４】
【化３２】

［式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ^６とＡｒ^７は各々独立に、炭素数１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基或は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール化合物、多環式炭化水素、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素、複素環化合物、多環系複素環化合物又は縮合多環系複素環化合物の２価残基を表し、Ａｒ^１とＡｒ^２及びＡｒ^３とＡｒ^４は環を形成してもよい。］
【００８５】
【化３３】

［式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ^１とＡｒ^２及びＡｒ^３とＡｒ^４は環を形成してもよい。Ｒ^Ｈ及びＲ^Ｉは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｅ及びＦは各々独立に０〜４の整数である。］
【００８６】
【化３４】

［式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ^１とＡｒ^２及びＡｒ^３とＡｒ^４は環を形成してもよい。Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Ｃは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｅ、Ｆ及びＧは各々独立に０〜４の整数である。Ｘ^１は−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｔｅ−、−ＣＲ^ＪＲ^Ｋ−、−ＳｉＲ^ＪＲ^Ｋ−、−ＮＲ^Ｊ−又は−ＰＲ^Ｊ−（式中、Ｒ^Ｊ及びＲ^Ｋは各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表す。）を表す。］
【００８７】
【化３５】

［式中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ^１とＡｒ^２は環を形成してもよい。Ｒ^Ａはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａは０〜５の整数である。］
【００８８】
【化３６】

［式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｒ^Ａ及びＲ^Ｂは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ^１とＡｒ^２及びＡｒ^３とＡｒ^４は環を形成してもよい。Ｆ及びＥは各々独立に０〜４の整数である。］
【００８９】
【化３７】

［式中、Ａｒ^１は水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Ｃは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ｎは０又は１、Ａ、Ｂ及びＣは各々独立に０〜５の整数である。］
【００９０】
【化３８】

［式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｒ^Ａ及びＲ^Ｃは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｒ^Ｂ′は水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ｎは０又は１、Ｅは０〜４の整数、Ｈは０〜３の整数である。］
【００９１】
【化３９】

［式中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は各々独立に、水素原子、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ^１とＡｒ^２は環を形成してもよい。］
【００９２】
【化４０】

［式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ^１とＡｒ^２は環を形成してもよい。］
【００９３】
【化４１】

［式中、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｈ及びＲ^Ｉは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｉ及びＪは各々独立に０〜５の整数である。］
【００９４】
【化４２】

［式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４は各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ^６は炭素数１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基或は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール化合物、多環式炭化水素、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素、複素環化合物、多環系複素環化合物又は縮合多環系複素環化合物の２価残基を表し、Ａｒ^１とＡｒ^２及びＡｒ^３とＡｒ^４は環を形成してもよく、ｎは０又は１である。］
【００９５】
【化４３】

［式中、Ｒ^Ｌ、Ｒ^Ｍ、Ｒ^Ｎ及びＲ^Ｏは各々独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表す。］
具体的には次に示すような化合物が用いられる。
【００９６】
【化４４】

【００９７】
【化４５】

【００９８】
【化４６】

【００９９】
【化４７】

【０１００】
【化４８】

【０１０１】
【化４９】

【０１０２】
【化５０】

【０１０３】
【化５１】

【０１０４】
【化５２】

【０１０５】
【化５３】

【０１０６】
【化５４】

【０１０７】
【化５５】

【０１０８】
【化５６】

【０１０９】
【化５７】

【０１１０】
【化５８】

【０１１１】
【化５９】

【０１１２】
【化６０】

【０１１３】
【化６１】

【０１１４】
【化６２】

【０１１５】
【化６３】

【０１１６】
【化６４】

【０１１７】
【化６５】

【０１１８】
【化６６】

【０１１９】
【化６７】

【０１２０】
【化６８】

【０１２１】
【化６９】

【０１２２】
【化７０】

【０１２３】
【化７１】

【０１２４】
【化７２】

【０１２５】
【化７３】

【０１２６】
【化７４】

【０１２７】
【化７５】

【０１２８】
【化７６】

【０１２９】
【化７７】

【０１３０】
【化７８】

【０１３１】
【化７９】

【０１３２】
【化８０】

【０１３３】
【化８１】

【０１３４】
【化８２】

【０１３５】
【化８３】

【０１３６】
【化８４】

【０１３７】
【化８５】

【０１３８】
【化８６】

【０１３９】
【化８７】

【０１４０】
【化８８】

【０１４１】
【化８９】

上記電荷輸送物質は単独で又は２種以上を混合して用いることができる。電荷輸送層の厚さは５〜１００μｍが好ましく、１０〜３０μｍがより好ましい。５μｍ未満であると、初期電位が低くなり、１００μｍを超えると、電子写真特性が低下する傾向がある。
【０１４２】
導電性基体と感光層との間に通常使用されるような公知の下引き層を設けることができる。下引き層としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、ジルコニア、チタン酸、ジルコン酸、ランタン鉛、チタンブラック、シリカ、チタン酸鉛、チタン酸バリウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化珪素等の微粒子、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、カゼイン、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、セルロース、ニトロセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール樹脂等の成分を使用することができる。これらの微粒子や樹脂を単独で又は２種以上混合して使用することができる。特に微粒子を用いると、微粒子に樹脂が吸着され、平滑な皮膜を得ることができるため、微粒子と樹脂を併用することが望ましい。また、下引き層には前記バインダー樹脂を用いることができる。また、上記の架橋ポリカーボネート樹脂も用いることもできる。
【０１４３】
下引き層の厚さは、通常０．０１〜１０．０μｍ、好ましくは０．０１〜１．０μｍである。この厚さが０．０１μｍ未満であると、下引き層を均一に形成することが困難になり、１０．０μｍを超えると、電子写真特性が低下することがある。
【０１４４】
また、導電性基体と感光層との間に通常使用されているような公知のブロッキング層を設けることができる。ブロッキング層には前記バインダー樹脂を用いることができる。ブロッキング層の厚さは、通常０．０１〜２０．０μｍ、好ましくは、０．１〜１０．０μｍである。この厚さが０．０１μｍ未満であると、ブロッキング層を均一に形成することが困難になり、２０．０μｍを超えると、電子写真特性が低下することがある。
【０１４５】
本発明の電子写真感光体には、感光層の上に保護層を積層してもよい。保護層の膜厚は０．０１〜２０μｍが可能であり、より好ましくは０．１〜１０μｍである。保護層には前記バインダー樹脂を用いることができる。保護層には、前記の電荷発生物質、電荷輸送物質、添加剤、金属及びその酸化物、窒化物、塩、合金、カーボンなどの導電材料を含有してもよい。
【０１４６】
更に、本発明の電子写真感光体には、その性能を向上させるために電荷発生層、電荷輸送層に結合剤、可塑剤、硬化触媒、流動付与剤、ピンホール制御剤、電子写真感度を改良するための分光感度増感剤（増感染料）、分光感度増感剤とは別に、繰り返し使用に対しての残留電位の増加、帯電電位の低下、感度の低下を防止する目的の種々の化学物質、酸化防止剤、界面活性剤、カール防止剤、レベリング剤等などの添加剤を添加することができる。
【０１４７】
結合剤の具体的な例としては、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリレート樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイソプレン樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ポリクロロプレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ホルマール樹脂、酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル／塩化ビニル共重合体、ポリエステルカーボネート樹脂等が挙げられる。また、熱及び／又は光硬化性樹脂も使用できる。いずれにしても、電気絶縁性で通常の状態で皮膜を形成しうる樹脂であれば、特に制限はない。
【０１４８】
結合剤は電荷輸送物質に対して、５〜２００重量％添加することが好ましく、１０〜１００重量％がより好ましい。５重量％未満では感光層の皮膜が不均一となりやすく、画質が劣る傾向がある。２０重量％を超えると、感度が低下し、残留電位が高くなる傾向がある。
【０１４９】
可塑剤の具体的な例としては、ビフェニル、塩化ビフェニル、ｏ−ターフェニル、ハロゲン化パラフィン、ジメチルナフタリン、ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジエチレングリコールフタレート、トリフェニルフォスフェート、ジイソブチルアジペート、ジメチルセバケート、ジブチルセバケート、ラウリル酸ブチル、メチルフタリールエチルグリコレート、ジメチルグリコールフタレート、メチルナフタレン、ベンゾフェノン、ポリプロピレン、ポリスチレン、各種フルオロ炭化水素等が挙げられる。
【０１５０】
硬化触媒の具体的な例としては、メタンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸等が挙げられる。
【０１５１】
流動付与剤としては、モダフロー、アクロナール４Ｆ等が挙げられる。
【０１５２】
ピンホール制御剤としては、ベンゾイン、ジメチルフタレート等が挙げられる。
【０１５３】
可塑剤、硬化触媒、流動付与剤、ピンホール制御剤は、前記電荷輸送物質に対して、５重量％以下で用いることが好ましい。
【０１５４】
増感染料の具体的な例としては、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、ナイトブルー、ビクトリアブルー等で代表されるトリフェニルメタン系染料、エリスロシン、ローダミンＢ、ローダミン３Ｒ、アクリジンオレンジ、フラペオシン等に代表されるアクリジン染料、メチレンブルー、メチレングリーン等に代表されるチアジン染料、カプリブルー、メルドラブルー等に代表されるオキサジン染料、その他シアニン染料、メロシアニン染料、スチリル染料、ピリリュウム塩染料、チオピリリュウム塩染料等が挙げられる。
【０１５５】
感光層には感度の向上、残留電位〜反復使用時の疲労低減等を目的として、電子受容性物質を加えることができる。
【０１５６】
電子受容性物質としては、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラクロロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、１，３，５−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾニトリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロラニル、ブロマニル、ベンゾキノン、２，３−ジクロロベンゾキノン、ジクロロジシアノパラベンゾキノン、ナフトキノン、ジフェノキノン、トロポキノン、アントラキノン、１−クロロアントラキノン、ジニトロトロアントラキノン、４−ニトロベンゾフェノン、４，４−ニトロベンゾフェノン、４−ニトロベンザルマロンジニトリル、α−シアノ−β−（ｐ−シアノフェニル）アクリル酸エチル、９−アントラセニルメチルマロンジニトリル、１−シアノ−（ｐ−ニトロフェニル）−２−（ｐ−クロロフェニル）エチレン、２，７−ジニトロフルオレノン、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン、９−フルオレニリデン［ジシアノメチレンマロノニトリル］、ポリニトロ−９−フルオレニリデン−［ジシアノメチレンマロノジニトリル］、ピクリン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、３，５−ジニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロサリチル酸、３，５−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリット酸など、電子親和力が大きい化合物がある。
【０１５７】
この電子受容性物質は、電荷輸送層、電荷発生層のいずれに加えてもよく、電荷輸送物質又は電荷発生物質に対して通常０．０１〜２００重量％、より好ましくは０．１〜５０重量％配合される。
【０１５８】
また、表面性の改良のために、四フッ化エチレン樹脂、三フッ化塩化エチレン樹脂、四フッ化エチレン六フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、二フッ化二塩化エチレン樹脂及びそれらの共重合体、フッ素系グラフトポリマーを用いてもよい。
【０１５９】
これらの表面改質剤は前記バインダー樹脂に対して０．１〜６０重量％、より好ましくは５〜４０重量％配合される。０．１重量％より少ないと耐摩耗性、表面耐久性、表面エネルギー低下等の表面改質が十分でなく、６０重量％より多いと電子写真特性が悪くなることがある。
【０１６０】
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、芳香族アミン系酸化防止剤、ヒンダードアミン系酸化防止剤、スルフィド系酸化防止剤、有機リン酸系酸化防止剤などが挙げられる。
【０１６１】
これらの酸化防止剤は電荷輸送物質に対して通常０．０１〜１０重量％、より好ましくは０．１〜２重量％配合される。
【０１６２】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、以下の例がある。
【０１６３】
【化９０】

【０１６４】
【化９１】

【０１６５】
【化９２】

芳香族アミン系酸化防止剤としては以下のような例がある。
【０１６６】
【化９３】

ヒンダードアミン系酸化防止剤としては、以下のような例がある。
【０１６７】
【化９４】

スルフィド系酸化防止剤としては以下のような例がある。
【０１６８】
【化９５】

有機リン酸系酸化防止剤としては以下のような例がある。
【０１６９】
【化９６】

ヒンダードフェノール構造単位とヒンダードアミン構造単位を分子内に有する酸化防止剤としては以下のような例がある。
【０１７０】
【化９７】

これら添加剤は１種単独で用いてもよいし、あるいは、２種類以上を混合するなどして併用してもよい。これらの添加剤は保護層、下引き層、ブロッキング層に添加してもよい。
【０１７１】
前記電荷発生層、電荷輸送層の形成の際に使用する前記溶媒の具体例としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール、酢酸エチル、エチルセロソルブ等のエステル、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムアミド等を挙げることができる。
【０１７２】
これらの溶媒は、１種単独で使用してもよく、或いは、２種以上を混合溶媒として用いてもよい。
【０１７３】
電荷輸送層を形成する方法としては、前記電荷輸送物質、添加剤、バインダー樹脂、及び必要に応じ熱重合開始剤、光開始剤、硬化剤などを溶剤に分散、又は溶解した溶液を所定の下地となる基体、層上に浸漬塗工法、静電塗工法、粉体塗工法、スプレー塗工法、ロール塗工法、アプリケーター塗工法、スプレーコーター塗工法、バーコーター塗工法、ロールコーター塗工法、ディップコーター塗工法、ドクターブレード塗工法、ワイヤーバー塗工法、ナイフコーター塗工法、アトライター塗工法、スピナー塗工法、ビード塗工法、ブレード塗工法、カーテン塗工法などの塗工法を用いて塗工し、乾燥及び架橋性ポリカーボネート樹脂の架橋反応を行って形成することができる。
【０１７４】
その分散又は溶解法としては、ボールミル、超音波、ペイントシェーカー、レッドデビル、サンドミル、ミキサー、アトライターなどを用いることができる。
【０１７５】
架橋反応は減圧から加圧の如何なる圧力下でも行い得るが、好ましくは減圧又は常圧下で行われる。
【０１７６】
バインダー樹脂として、主鎖、側鎖、主鎖末端の少なくともいずれか１位置に反応しうる炭素・炭素二重結合を有する架橋性ポリカーボネート樹脂を用いた場合の架橋反応は、通常のラジカル重合、例えば加熱、或は、紫外線、赤外線、電子線、又はマイクロ波等の照射により行うことができる。
【０１７７】
加熱による架橋反応（熱重合）に用いられる熱重合開始剤としては、例えば、２，２′−アゾビスイソブチロニトリル、２，２′−アゾ−ジ−（２，４−ジメチルバレロニトリル）等のアゾ化合物、ベンゾイルパーオキシド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド、アセチルパーオキシド、ｔ−ブチルパーベンゾエート、メチルエチルケトンパーオキシド等のパーオキシド、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩などが挙げられる。また、上記パーオキシドとナフテン酸コバルト或は芳香族アミンなどのレドックス開始剤も使用可能である。
【０１７８】
紫外線照射による架橋反応に使用される光開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾイン及びその誘導体の他、４，４′−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、２−クロロアントラセン、２−メチルアントラキノン、チオキサントン、ジフェニルジサルファイド、ジメチルジチオカーバメート等が挙げられ、紫外線強度は、通常１〜１００ｍＪ／ｃｍ^２の値が用いられる。
【０１７９】
電子線などの電離性放射線による架橋反応は、通常、無触媒下で行われ、通常、２〜１０ＭｅＶの強度で照射される。
【０１８０】
これらの架橋反応は、エチレン性二重結合を有する単量体の存在下で行ってもよい。このような単量体を使用する場合、その量は、通常、上記反応しうる炭素・炭素二重結合を有する架橋性ポリカーボネート樹脂と単量体の合計に対して１〜５０重量％が好適である。本発明に好適に用いられるエチレン性二重結合を有する単量体としては、例えばジアリルイソフタレート、ジアリルカーボネート、ジアリルエーテル、ジビニルベンゼン、スチレン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリルアミドなどが挙げられる。
【０１８１】
上記各種開始剤の使用量は、一般には、反応しうる炭素・炭素二重結合を有する架橋性ポリカーボネート樹脂の量、又はこの架橋性ポリカーボネート樹脂及びエチレン性二重結合を有する単量体の合計量に対して、０．０１〜２０重量％、好ましくは０．１〜１０重量％である。０．０１重量％未満では、架橋反応は進行するものの、長時間を必要とするため好ましくない。
【０１８２】
上記の熱重合による架橋反応は、通常、４０〜１８０℃、好ましくは６０〜１４０℃で行われ、紫外線等の照射による架橋反応は、通常０〜１２０℃、好ましくは２０〜６０℃で行われる。
【０１８３】
上記反応しうる炭素・炭素二重結合を有する架橋性ポリカーボネート樹脂の架橋反応の反応時間は、架橋方法、使用するエチレン性二重結合を有する単量体の種類、単量体濃度、開始剤の種類などにより異なるため、一概に規定できないが、通常０．１〜５０時間、好ましくは０．１〜２５時間である。５０時間を超える反応時間の選定は、経済的ではない。
【０１８４】
エポキシ基を有する架橋性ポリカーボネート樹脂の架橋反応に用いる硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ジエチルアミノプロピルアミン、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、アミノエチルピペラジン、メンタンジアミン、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２′−メチルイミダゾリル−（１）′］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２′−ウンデシルイミダゾール−（１）′］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２′−エチル−４′−メチルイミダゾリル−（１）′］−エチル−Ｓ−トリアジン、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロリド、１，３−ジベンジル−２−メチルイミダゾリウムクロリド、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニル−４，５−ジ（シアノエトキシメチル）イミダゾール、２−メチルイミダゾールとトリアジン複合物、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラメチレン無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチル・テトラヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロキシフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、無水メチルナジック酸、無水トリメリット酸混合物、三ふっ化ほう素・トリエタノールアミン錯化合物、三ふっ化ほう素・ピペリジン錯化合物、三ふっ化ほう素ｎ−ブチルエーテル錯化合物、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、イソフタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスファイト、ブタンテトラカルボン酸、１，８−ジアザ−ビシクロ−（５，４，０）−ウンデセン−７（Ｄ．Ｂ．Ｕ．）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−イソプロピルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾールトリメリテート、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾールトリメリテート、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾールトリメリテート、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、無水クロレン酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水フタル酸、無水ドデセニルコハク酸、無水ピロメリット酸、無水ナジック酸、２，６−ジアミノピリジン、４−クロロ−ｏ−フェニレンジアミン、ベンジジン、ｍ−キシリレンジアミン、ビス（３，４−ジアミノフェニル）スルホン、ｍ−アミノベンジルアミンなどが挙げられ、通常、エポキシ基を有する架橋性ポリカーボネート樹脂に対して０．０１〜３０重量％、好ましくは０．１〜１０重量％用いられる。
【０１８５】
エポキシ基を有する架橋性ポリカーボネート樹脂の架橋反応の反応温度は、通常１００〜２３０℃、好ましくは１４０〜１９０℃が適当である。反応時間は、通常０．１〜５０時間、好ましくは０．１〜２５時間である。
【０１８６】
単層型電子写真感光体の感光層の形成は、前記電荷発生物質、電荷輸送物質、添加剤、バインダー樹脂材料、及び必要に応じ熱重合開始剤、光開始剤、硬化剤などを溶剤に分散、又は溶解した溶液を所定の下地となる基体上に塗布し、乾燥及び架橋性樹脂を架橋させることによって行われる。塗布方法、架橋方法、添加剤等は上記と同様である。また、上記と同様に保護層、下引き層、ブロッキング層を設けてもよい。
【０１８７】
単層型感光体の膜厚は通常５〜１００μｍが好ましく、８〜５０μｍがより好ましい。５μｍ未満であると、初期電位が低くなりやすく、１００μｍを超えると電子写真特性が低下する傾向がある。
【０１８８】
単層型電子写真感光体製造に用いられる電荷発生物質：架橋性ポリカーボネート樹脂の重量による割合は、好ましくは１：９９〜３０：７０、さらに好ましくは３：９７〜１５：８５である。また、電荷輸送物質：架橋性ポリカーボネート樹脂の重量による割合は、好ましくは１０：９０〜８０：２０、さらに好ましくは３０：７０〜７０：３０である。
【０１８９】
また、本発明の目的達成を阻害しない範囲で、他の樹脂を上記架橋性ポリカーボネート樹脂と併用することも可能である。
【０１９０】
なお、本発明の電子写真感光体の感光層の層構成としては、上記架橋性ポリカーボネート樹脂を含む層が感光層の表面層となる構成とすることが好ましい。このようにして得られる本発明の電子写真感光体は高い表面硬度を有し、長期間にわたって優れた耐刷性を維持する感光体であり、複写機（モノクロ、マルチカラー、フルカラー；アナログ、デジタル）、プリンター（レーザー、ＬＥＤ、液晶シャッター）、ＦＡＸ、製版機等の各種の電子写真分野に好適に利用することができる。
【０１９１】
本発明の電子写真感光体を使用するにあたって、帯電器は、コロナ放電（コロトロン、スコトロン）、接触帯電（帯電ロール、帯電ブラシ）などが用いられる。露光は、ハロゲンランプ、蛍光灯、レーザー（半導体、Ｈｅ−Ｎｅ）、ＬＥＤ、感光体内部露光方式で行われる。現像工程はカスケード現像、二成分磁気ブラシ現像、一成分絶縁トナー現像、一成分導電トナー現像などの乾式現像方式や湿式現像方式などが用いられる。転写工程はコロナ転写、ローラ転写、ベルト転写などの静電転写法、圧力転写法、粘着転写法が用いられる。定着は、熱ローラ定着、ラジアント・フラッシュ定着、オーブン定着、圧力定着などが用いられる。クリーニング・除電には、ブラシクリーナー、磁気ブラシクリーナー、静電ブラシクリーナー、磁気ローラクリーナー、ブレードクリーナーなどが用いられる。
【０１９２】
【実施例】
以下、本発明の実施例及びその比較例によって本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１９３】
なお、以下の実施例及び比較例において、電子写真感光体中の架橋ポリカーボネート樹脂の塩化メチレン不溶分は、以下のようにして求めた。
【０１９４】
電子写真感光体の感光層から、電荷発生層中の電荷発生物質（オキソチタニウムフタロシアニン）及びバインダー樹脂（ブチラール樹脂）、電荷輸送層中の電荷輸送物質、バインダー樹脂（架橋ポリカーボネート）の塩化メチレン可溶分、その他の塩化メチレン可溶分を２５℃における塩化メチレンによる洗浄によって除去し、残った塩化メチレン不溶物を乾燥して重量を測定した。電荷輸送層の形成のために電荷発生層上に塗布した塗工液の重量を測定し、塗工液の組成比から、架橋ポリカーボネート樹脂の構造中に含まれることになる架橋性ポリカーボネート、エチレン性二重結合を有する単量体、硬化剤等の合計重量を算出した。この合計重量に対する上記塩化メチレン不溶物の重量の百分率を算出し、これを塩化メチレン不溶分とした。
【０１９５】
実施例１
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（４５ｇ）を、５重量％水酸化ナトリウム水溶液（５５０ｍｌ）に溶解した溶液と塩化メチレン（２５０ｍｌ）とを混合して撹拌しながら、冷却下、液中にホスゲンガスを９５０ｍｌ／ｓｅｃの割合で１５分間吹き込んだ。次いで、この反応液を静置分離し、重合度が２〜４であり、分子末端にクロロホルメート基を有するオリゴマーの塩化メチレン溶液を得た。
【０１９６】
得られたオリゴマーの塩化メチレン溶液（２００ｍｌ）に塩化メチレンを加えて全量を４５０ｍｌとした後、３，３′−ジアリル−４，４′−ジヒドロキシビフェニル（ＢＰ−１）（１２．５ｇ）を８重量％濃度の水酸化ナトリウム水溶液（１５０ｍｌ）に溶解した溶液を混合し、これに２−アリルフェノール（１．６ｇ）を加えた。次いでこの混合溶液を激しく撹拌しながら、触媒として７重量％トリエチルアミン水溶液（２ｍｌ）を加え、２８℃において１．５時間撹拌して反応を行った。反応終了後、反応生成物を塩化メチレン（１リットル）で希釈し、次いで純水（１．５リットル）で２回、０．０１Ｎ塩酸（１リットル）で１回、純水（１リットル）で２回洗浄した。さらに、有機相をメタノール中に投入し、ポリマーを取り出した。
【０１９７】
ポリマーの還元粘度（塩化メチレンを溶媒として用いて濃度０．５ｇ／ｄｌで３０℃で測定した還元粘度、以下同様）は０．９ｄｌ／ｇであった。このポリマーの^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにおいて７．３ｐｐｍ付近の芳香族に基づく吸収、５−６ｐｐｍ付近のアリル基に基づく吸収、１．７ｐｐｍ付近のビスフェノールＡのメチル基に基づく吸収の積分比から３，３′−ジアリル−４，４′−ジヒドロキシビフェニル（ＢＰ−１）、ビスフェノールＡ、２−アリルフェノール構造をモル比で８０対１７対３で有する下記繰り返し単位及び共重合組成を有するポリカーボネートであることがわかった。
【０１９８】
【化９８】

オキソチタニウムフタロシアニン０．５部（重量部、以下同様）、ブチラール樹脂０．５部及び塩化メチレン１９部をボールミルにて分散し、この分散液をバーコーターを用いて導電性基体としてのアルミニウムを蒸着したペットフィルム上に塗工して乾燥し、電荷発生層（膜厚約０．５μｍ）とした。電荷輸送物質として下記構造式
【０１９９】
【化９９】

の化合物（Ｃ−１）を用い、得られたポリカーボネート１部、（Ｃ−１）１部、ジアリルイソフタレート０．３部、アゾビスイソブチロニトリル０．０５部、塩化メチレン８部の溶液を調製し、塗工液とした。この塗工液をアプリケーターを用いて前記の電荷発生層上に塗布した。１４０℃、１０分間で加熱したところ塩化メチレン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得られた。
【０２００】
この架橋型有機電子写真感光体中のバインダー樹脂である架橋ポリカーボネートの塩化メチレン不溶分を測定したところ、６５重量％であった。
【０２０１】
実施例２
実施例１のビスフェノールＡ（４５ｇ）に変えて下記のＢＰ−１（５２．５ｇ）
【０２０２】
【化１００】

を用いてオリゴマーを製造し、２−アリルフェノールを用いない以外は実施例１と同様の方法で下記繰り返し単位を有するポリマーを合成した。ポリマーの還元粘度は１．１ｄｌ／ｇであった。
【０２０３】
【化１０１】

得られたポリカーボネート１００部とメタクロロ過安息香酸２００部を塩化メチレン５００部中で２４時間室温下で反応させ、メタノールにポリマーを沈殿させることによりアリル基がほぼ完全にエポキシ化された下記繰り返し単位を有するポリカーボネートを収率９５％で得た。構造の確認は^１Ｈ−ＮＭＲの芳香族（７−８ｐｐｍ）、エポキシ（４ｐｐｍ付近）に基づく吸収により行った。ポリマーの還元粘度は１．２ｄｌ／ｇであった。
【０２０４】
【化１０２】

実施例１と同様にして基体上に電荷発生層を形成した後、得られたポリカーボネート１部、（Ｃ−１）１部、無水フタル酸０．３部及び塩化メチレン８部を用いて塗工液を調製し、電荷発生層上に実施例１のように塗工した。１６０℃、１時間で加熱したところ塩化メチレン不溶の架橋型有機電子写真感光体が得られた。塩化メチレンでの洗浄により、この架橋型有機電子写真感光体から電荷発生物質、電荷輸送物質、ブチラール樹脂及びその他の塩化メチレン可溶物を取り除き乾燥した。
【０２０５】
この架橋型有機電子写真感光体中のバインダー樹脂である架橋ポリカーボネートの塩化メチレン不溶分を測定したところ、７２重量％であった。
【０２０６】
実施例３
実施例２のＢＰ−１（５２．５ｇ）に変えて下記ＢＰ−２（６０．８ｇ）を用いてオリゴマーを製造し、後で添加したＢＰ−１（１２．５ｇ）に変え、ＢＰ−２（１４．５ｇ）を用いた以外は実施例２と同様の方法でポリマーを合成した。ポリマーの還元粘度は０．９ｄｌ／ｇであった。
【０２０７】
【化１０３】

得られたポリカーボネート１００部とメタクロロ過安息香酸２００部を実施例２と同様の方法で反応させ、メタノールにポリマーを沈殿させることによりアリル基がほぼ完全にエポキシ化された下記繰り返し単位を有するポリカーボネートを収率９０％で得た。ポリマーの還元粘度は１．０ｄｌ／ｇであった。
【０２０８】
【化１０４】

実施例１と同様にして基体上に電荷発生層を形成した後、得られたポリカーボネート１部、（Ｃ−１）１部、無水フタル酸０．３部及び塩化メチレン８部を用いて塗工液を調製し、実施例１のように塗工した。１６０℃、１時間で加熱したところ塩化メチレン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得られた。
【０２０９】
この架橋型有機電子写真感光体中のバインダー樹脂である架橋ポリカーボネートの塩化メチレン不溶分を測定したところ、６０重量％であった。
【０２１０】
実施例４
実施例２のＢＰ−１（５２．５ｇ）に変えて下記ＢＰ−３（８４．９ｇ）を用いてオリゴマーを製造し、後で添加したＢＰ−１（１２．５ｇ）に変えてＢＰ−３（２０．２ｇ）を用いた以外は実施例２と同様の方法でポリマーを合成した。ポリマーの還元粘度は１．２ｄｌ／ｇであった。
【０２１１】
【化１０５】

得られたポリカーボネート１００部とメタクロロ過安息香酸２００部を反応させ、メタノールにポリマーを沈殿させることによりアリル基がほぼ完全にエポキシ化された下記繰り返し単位を有するポリカーボネートを収率９３％で得た。ポリマーの還元粘度は１．３ｄｌ／ｇであった。
【０２１２】
【化１０６】

実施例１と同様にして基体上に電荷発生層を形成した後、得られたポリカーボネート１部、（Ｃ−１）１部、無水フタル酸０．３部及び塩化メチレン８部を用いて塗工液を調製し、電荷発生層上に実施例１のように塗工した。１６０℃、１時間で加熱したところ塩化メチレン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得られた。
【０２１３】
この架橋型有機電子写真感光体中のバインダー樹脂である架橋ポリカーボネートの塩化メチレン不溶分を測定したところ、５２重量％であった。
【０２１４】
比較例１
特開平４−２９１３４８号公報記載の架橋前のポリカーボネートを製造するまでの方法に従い、下記の操作で架橋性ポリカーボネートを合成した。
【０２１５】
攪拌機、温度計、ガス導入管及び還流冷却機を備えた三つ口丸底フラスコに、乾燥窒素ガスを流しながら、４８．５重量％の水酸化ナトリウム水溶液５３．７部、水２３０．８部、３，３′−ジアリルビスフェノールＡ３１．４部、ビスフェノールＺ２７．３部を仕込んで溶解した。この溶液を氷浴で２０℃に冷却し、撹拌しながらホスゲンガス２６．２部を１時間かけて徐々に導入した。その後４８．５重量％の水酸化ナトリウム水溶液８．４部を加え、更に反応停止剤としてｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール０．６１部を加えた後、３０℃で１時間重合反応を続けた。反応終了後、塩化メチレン層を分離して塩酸酸性にした後、水洗を繰り返し、溶存塩類を除去した。その後、塩化メチレンを蒸発して固体を得た。得られた固体は、下記の繰り返し単位及び共重合組成を有するものであった。
【０２１６】
【化１０７】

実施例１と同様にして基体上に電荷発生層を形成した後、得られたポリカーボネート１部、（Ｃ−１）１部、無水フタル酸０．３部、塩化メチレン８部を用いて塗工液を調製し、電荷発生層上に実施例１のように塗工した。１４０℃、１０分間の加熱によって架橋反応を行ったところ、塩化メチレン不溶成分を含有する架橋型有機電子写真感光体が得られた。
【０２１７】
この架橋型有機電子写真感光体中のバインダー樹脂である架橋ポリカーボネートの塩化メチレン不溶分を測定したところ、９０重量％であった。
【０２１８】
耐摩耗性試験
上記実施例及び比較例で形成された電荷輸送層の耐摩耗性をスガ摩耗試験機ＮＵＳ−ＩＳＯ−３型（スガ試験機（株）製）を用いて評価した。試験条件は５００ｇの荷重をかけた摩耗紙（スガ摩耗試験機（株）製研磨紙Ａｌ_２Ｏ_３、３μｍ）上でサンプルを２０００回往復運動させ、その減少量を測定することにより評価した。
【０２１９】
評価結果を表１に示した。
【０２２０】
【表１】

【０２２１】
【発明の効果】
本発明の電子写真感光体中のバインダー樹脂は、電荷輸送物質との相溶性が良い上に、溶媒に溶解しても白化又はゲル化を起こさない架橋性ポリカーボネート樹脂をバインダー樹脂材料として用い、それを一定の架橋度に架橋させたものであり、高い表面硬度及び耐摩耗性を有する。従って、本発明の電子写真感光体は、耐刷性に優れ、長期間に亘って優れた電子写真特性を維持することができる。

Claims (4)

1. 導電性基体上に電荷発生物質、電荷輸送物質及びバインダー樹脂を含有する感光層を設けた電子写真感光体において、感光層がバインダー樹脂として、主鎖末端に反応しうる炭素・炭素二重結合を有する架橋性ポリカーボネート樹脂又は下記一般式（１）で表されるエポキシ基を有する繰り返し単位（１）を有する架橋性ポリカーボネート樹脂の架橋物である架橋ポリカーボネート樹脂であって、塩化メチレン不溶分が０．１〜７５重量％の架橋ポリカーボネート樹脂を含有していることを特徴とする電子写真感光体。
   

   

   （式中、Ｒ ¹ 及びＲ ² は各々独立に炭素数１〜２０の飽和炭化水素基、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又はハロゲン原子であり、ａ及びｂは各々独立に０〜３の整数であり、Ｘは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ ₂ −、−ＣＲ ³ Ｒ ⁴ −、炭素数５〜１２のシクロアルキレン基若しくはシクロアルキリデン基又はフルオレニリデン基であり、ただし、Ｒ ³ 及びＲ ⁴ は各々独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基である。）
2. 感光層が、電荷発生物質を含有する電荷発生層、並びに、電荷輸送物質及びバインダー樹脂を含有する電荷輸送層からなる請求項１記載の電子写真感光体。
3. 架橋性ポリカーボネート樹脂が上記繰り返し単位（１）と下記一般式（２）で表される繰り返し単位（２）とを含有し、繰り返し単位（１）の含有率が１モル％以上であるものである請求項１記載の電子写真感光体。
   

   

   （式中、Ｒ⁵及びＲ⁶は各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１０の飽和炭化水素基又は炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基であり、ｃ及びｄは各々独立に０〜４の整数であり、Ｗは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＲ⁷Ｒ⁸−、炭素数５〜１２のシクロアルキリデン基又は炭素数２〜１２のα，ω−アルキレン基を表し、ただしＲ⁷及びＲ⁸は各々独立に、水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基である。）
4. 繰り返し単位（１）が下記式で表されるものである請求項１又は３記載の電子写真感光体。