JPH09211352A

JPH09211352A - 走査光学装置

Info

Publication number: JPH09211352A
Application number: JP8037266A
Authority: JP
Inventors: Naoshi Mizuguchi; 直志水口; Masahiro Ono; 政博大野; Mitsunori Iima; 光規飯間; Hiroshi Kanazawa; 浩金沢
Original assignee: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd
Current assignee: Pentax Corp
Priority date: 1996-01-31
Filing date: 1996-01-31
Publication date: 1997-08-15
Also published as: US5841566A; IL120117A0; IL120117A; DE19703606A1; DE19703606C2

Abstract

(57)【要約】【課題】独立した複数の半導体レーザーを光源として
用いる場合、半導体レーザーの個体差により発光の中心
波長にバラツキがあると、倍率色収差が発生して一回の
走査で形成される複数の走査線の長さが互いに等しくな
らないという問題が生じる。【解決手段】独立して発光制御される複数の半導体レ
ーザー１０１〜１０８から発した光束をポリゴンミラー
１８０により同時に偏向し、ｆθレンズ１９０により感
光体ドラム２１０上に結像させることによりることによ
り感光体ドラム上に一回の走査で複数の走査線を形成す
る走査光学装置において、複数の半導体レーザーの発光
中心波長の基準波長からの誤差をΔλ(単位ｎｍ)、解像
度(単位ｄｐｉ)をＤとしたときに、以下の条件(１)、｜Δλ｜＜１.８×１０³／Ｄ …(１) を満たすことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、レーザープリン
タ等に用いられる走査光学装置に関し、特に複数の光源
から発する光束により一回の走査で複数の走査線を形成
するいわゆるマルチビームの走査光学装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のマルチビーム走査光学装置で
は、走査対象面上に微少な間隔で複数のビームスポット
を形成するために、互いに近接した複数の点光源を物点
として形成する必要がある。この互いに近接した複数の
点光源を形成するための光源としては、従来からモノリ
シックな多点発光半導体レーザーを用いるタイプと、独
立した複数の半導体レーザーからの光束を偏光ビームス
プリッターや光ファイバー等を利用して互いに近接させ
るタイプとが知られている。

【０００３】前者のタイプは、現在の製品レベルでは発
光点の数が２〜３点に限られるため、処理速度の向上の
ために一度の走査で形成される走査線の数を４本以上に
したい場合には後者のタイプを選択せざるを得ない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、走査光
学系は単一波長での使用を前提としており一般に色収差
が補正されていないため、独立した複数の半導体レーザ
ーを光源として用いる場合、半導体レーザーの個体差に
より発光の中心波長にバラツキがあると、倍率色収差が
発生して一回の走査で形成される複数の走査線の長さが
互いに等しくならないという問題が生じる。

【０００５】走査光学系の解像度が低い場合には、倍率
色収差による走査線の長さの違いが描画性能に与える影
響は小さいが、解像度が高くなると、その影響が無視で
きなくなる。なお、倍率色収差による影響は、走査光学
系の色収差を補正することによっても抑えることができ
るが、限られたレンズ枚数で像面湾曲等の他の収差を抑
えつつ色収差を補正することは困難である。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明は、上述した従
来技術の課題に鑑みてなされたものであり、独立して発
光制御される複数の発光素子から発した光束を偏向器に
より同時に偏向し、結像光学系により走査対象面上に結
像させることによりることにより前記走査対象面上に一
回の走査で複数の走査線を形成する走査光学装置におい
て、複数の発光素子の発光中心波長の基準波長からの誤
差をΔλ(単位ｎｍ)、解像度(単位ｄｐｉ)をＤとしたと
きに、以下の条件(１)、｜Δλ｜＜１.８×１０³／Ｄ …(１) を満たすことを特徴とする。

【０００７】また、この発明は、解像度が５００ｄｐｉ
〜２０００ｄｐｉの走査光学装置に対して有効である。
５００ｄｐｉ以下の低解像度の装置では、発光素子の発
光波長のバラツキがあったとしてもドット径に対する走
査線の長さの変化の割合は小さく、その影響は無視する
ことができる。また、２０００ｄｐｉ以上の高解像度の
装置では、上記の条件(１)を満たしたとしてもドット径
に対する走査線の長さの変化の割合が大きくなる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、この発明にかかる走査光学
装置の実施形態を説明する。実施形態として示される走
査光学装置は、８本のレーザ光を同時に走査させること
により、一回の走査で８本の走査線を同時に形成するマ
ルチビーム走査光学装置である。まず、装置全体の斜視
図である図１、その光学系の配置を示す図２、断面図で
ある図３、そして平面図である図４に基づいて概略構成
を説明する。なお、以下の説明において「主走査方向」
は、光軸に垂直な面内で光束の走査方向に相当する方
向、「副走査方向」は、光軸に垂直な面内で主走査方向
に直行する方向をいうものとする。

【０００９】この装置は、図１に示されるように、ほぼ
直方体状の偏平なケーシング１内に走査光学系を配して
構成されている。ケーシング１の上部開口は、使用時に
は上部蓋体２により閉成される。

【００１０】走査光学系の光源部１００は、図１および
図２に示されるように、それぞれ支持基板３００に取り
付けられた８つのレーザーブロック３１０ａ〜３１０ｈ
と、これらのレーザーブロックに１つづつ取り付けられ
た半導体レーザー１０１〜１０８と、半導体レーザーか
ら発する光束を伝達する８本の石英ガラス製の光ファイ
バー１２１〜１２８と、これらの光ファイバーの射出側
の端部を直線上に並べて保持することにより直線上に配
列する８つの点光源を形成するファイバーアライメント
ブロック１３０とから構成されている。なお、光ファイ
バー１２１〜１２８の入射側の端部は、レーザーブロッ
ク３１０ａ〜３１０ｈに固定されたファイバー支持体３
１９ａ〜３１９ｈにより保持されている。

【００１１】光源部１００のファイバーアライメントブ
ロック１３０から射出される発散光束は、円筒状のコリ
メートレンズホルダー３４０により保持されたコリメー
トレンズ１４０により平行光束とされ、スリット１４２
を透過してハーフミラー１４４に入射する。ハーフミラ
ー１４４の透過率は、５〜１０％である。

【００１２】ハーフミラー１４４を透過した光束は、半
導体レーザーの出力をコントロールするための信号を得
るＡＰＣ(オートパワーコントロール)信号検出部１５０
に入射する。ＡＰＣ信号検出部１５０は、透過光束を収
束させるコンデンサレンズ１５１と、この光束を直交す
る２つの偏光成分に分離する偏光ビームスプリッター１
５３と、それぞれの偏光成分を受光するＡＰＣ用第１受
光素子１５５、ＡＰＣ用第２受光素子１５７とから構成
されている。各受光素子の出力信号は、所定の比率で加
算され、半導体レーザーの出力をフィードバック制御す
るために利用される。

【００１３】一方、ハーフミラー１４４で反射された光
束は、副走査方向の角度を逐次制御するダイナミックプ
リズム１６０により角度制御された後、副走査方向にの
み正のパワーを持つシリンドリカルレンズ１７０により
ポリゴンミラー１８０のミラー面の近傍で線状に結像さ
れる。ダイナミックプリズム１６０は、後述の感光体ド
ラムの回転ムラ等に起因する走査対象面上でのスポット
の副走査方向の位置ズレを補正するために利用される。
シリンドリカルレンズ１７０は、円筒状のシリンドリカ
ルレンズホルダー３６１により保持されており、図２に
示されるように、副走査方向においてそれぞれ正・負の
パワーを持つ２枚のレンズ１７１、１７３から構成され
る。

【００１４】ポリゴンミラー１８０は、図３に示される
ようにケーシング１に固定されたポリゴンモータ３７１
により駆動され、図４中の矢印で示したように時計回り
方向に回転する。また、ポリゴンミラー１８０は、回転
による風切り音の発生や、空気中の塵埃との衝突による
ミラー面の損傷を避けるため、図１に示されるようにカ
ップ状のポリゴンカバー３７３により外気から遮断され
て配置されている。

【００１５】ポリゴンカバー３７３には、その側面に光
路孔３７３ｅが形成されており、この光路孔３７３ｅに
はカバーガラス３７５がはめ込まれている。シリンドリ
カルレンズ１７０を透過した光束は、カバーガラス３７
５を通してカバー内に入射し、ポリゴンミラー１８０に
より反射、偏向されて再びカバーガラス３７５を通して
外部に射出される。なお、ポリゴンカバー３７３の上面
には、ポリゴンミラーの６つの反射面のいずれの反射面
により光束が偏向されているかを識別するためのセンサ
ブロック１７６が設けられている。

【００１６】ポリゴンミラー１８０の反射面には加工誤
差があり、一般に各反射面の加工誤差量にはバラツキが
生じる。そこで、各面の誤差量を予め測定して記憶させ
ておき、使用時にセンサの出力に応じていずれの反射面
が使用されているかを識別することにより、反射面毎の
固有の誤差量に応じてビーム位置やビーム強度等を補正
することができる。

【００１７】ポリゴンミラー１８０で反射された光束
は、結像光学系であるｆθレンズ１９０を透過した後、
図３に示されるように折り返しミラー２００により反射
されて感光体ドラム２１０上に達し、８つのビームスポ
ットを形成する。これらのビームスポットは、ポリゴン
ミラー１８０の回転に伴って同時に走査され、感光体ド
ラム２１０上には一回の走査で８本の走査線が形成され
る。

【００１８】ｆθレンズ１９０は、ポリゴンミラー１８
０側から折り返しミラー２００側に向けて順に、主走査
方向、副走査方向の両方向に関してそれぞれ負、正、
正、負のパワーを有する第１、第２、第３、第４レンズ
１９１,１９３,１９５,１９７が配列して構成され、副
走査方向においてポリゴンミラー１８０の反射面近傍で
線状に結像された光束を感光体ドラム２１０上に楕円形
状に再結像させるパワーを有する。ｆθレンズ１９０の
４枚のレンズは、図３および図４に示されるように単一
のレンズ台３８０上に固定されている。

【００１９】図１〜図４中のｘ軸は、ｆθレンズ１９０
の光軸と平行な軸、ｙ軸およびｚ軸は、ｘ軸に垂直な面
内で互いに直行する軸である。ｙ軸は主走査方向に一致
し、ｚ軸はポリゴンミラー１８０と折り返しミラー２０
０との間の光路中では副走査方向に一致する。

【００２０】ｆθレンズ１９０の第１レンズ１９１は、
ポリゴンミラー１８０側が負のパワーを持つ球面、折り
返しミラー２００側が副走査方向にのみ負のパワーを持
つシリンダー面である負レンズであり、主走査方向に比
較的弱い負のパワーを有すると共に、副走査方向に比較
的強い負のパワーを有する。

【００２１】第２レンズ１９３は、ポリゴンミラー１８
０側が凸の球面、折り返しミラー２００側が正のトーリ
ック面であるメニスカス形状のトーリックレンズであ
り、主走査方向に比較的弱い正のパワーを有すると共
に、副走査方向に比較的強い正のパワーを有する。第３
レンズ１９５は、両面が球面であるメニスカス正レンズ
である。第４レンズ１９７は、両面が球面であり、ポリ
ゴンミラー１８０側の面が強い負のパワーを有し、折り
返しミラー２００側の面が弱い正のパワー持つ負メニス
カスレンズである。

【００２２】感光体ドラム２１０は、ビームスポットの
走査に同期して矢印Ｒ方向に回転駆動され、これにより
感光体ドラム２１０上に静電潜像が形成される。この潜
像は、公知の電子写真プロセスにより、図示せぬ用紙に
転写される。

【００２３】なお、ｆθレンズ１９０を透過した光束
は、各走査毎に、すなわちポリゴンミラーの１つの反射
面による走査毎に、描画範囲に入る手前で同期信号検出
用光学系２２０により検出される。同期信号検出用光学
系２２０は、ｆθレンズ１９０の第４レンズ１９７と折
り返しミラー２００との間の光路中に配置されて描画範
囲の手前で光束を反射させる第１ミラー２２１と、この
第１ミラー２２１で反射された光束を順に反射させる第
２、第３ミラー２２３,２２５と、これらのミラーによ
り導かれた光束を受光する受光素子２３０とから構成さ
れている。受光素子２３０は、感光体ドラム２１０と光
学的に等価な位置に配置されている。受光素子２３０の
出力パルスは、各半導体レーザーを駆動する図示せぬレ
ーザー駆動部に１ライン分の画像データを転送するタイ
ミングと、書き込みの開始タイミングとを決定するため
に使用される。

【００２４】また、ケーシング１には、折り返しミラー
２００で反射された光束を透過させる描画用開口１１が
形成されると共に、折り返しミラー２００の背後に光学
調整用開口１２が形成されている。描画用開口１１に
は、カバーガラス２０１が装着されている。光学調整用
開口１２は、折り返しミラー２００を除く光学素子を組
み付けた後に、これらの光学素子を調整する際に使用さ
れ、描画のための使用時には図３に示されるように蓋板
１３により閉成される。

【００２５】次に、光源部１００を構成する半導体レー
ザー１０１〜１０８の発光波長の許容幅について説明す
る。ここで使用される半導体レーザーの発光中心波長の
基準波長からの誤差Δλ(単位ｎｍ)は、解像度(単位ｄ
ｐｉ)をＤとして、以下の条件(１)で示される範囲内で
あれば許容される。｜Δλ｜＜１.８×１０³／Ｄ …(１) 上記の条件(１)は、以下の式(２)を整理することにより
導かれる。｜Δλ｜×４.２×１０³＜０.３×(２５.４／Ｄ)×１０⁶ …(２)

【００２６】この式(２)の右辺の２５.４／Ｄは、１ド
ットの径をｍｍ単位で示したものであり、これに１０⁶
をかけることにより単位を波長誤差Δλの単位であるｎ
ｍに変換している。左辺の４.２は最大像高における１
ｎｍの波長変動に対する主走査方向における倍率色収差
変動量の基準値をμｍ単位で示したものであり、これに
１０³をかけることにより単位をｎｍに変換している。

【００２７】したがって、これらの式(１)、(２)は、結
像光学系に倍率色収差が残存していることを前提とし
て、発光素子の発光中心波長の基準波長からの誤差Δλ
を、この誤差による倍率色収差の変動量が１ドットの径
の±３０％を越えない範囲内で許容することを意味して
いる。

【００２８】実施形態の走査光学系では、コリメートレ
ンズ１４０の焦点距離が１００ｍｍ、シリンドリカルレ
ンズ１７０の副走査方向の焦点距離が１１６ｍｍ、ｆθ
レンズ１９０の主走査方向の焦点距離が３３０ｍｍに設
定されており、解像度は約８００ｄｐｉである。ｆθレ
ンズは、単一波長での使用を前提としているため、色収
差については考慮されていない。式(１)に８００ｄｐｉ
を代入すると、この例では基準波長からの許容誤差Δλ
が±２.２５ｎｍとなる。

【００２９】中心波長の誤差がこの±２.２５ｎｍの範
囲内に収まる場合には、ｆθレンズに色収差がある場合
にも感光体ドラム上に形成される走査線の最大像高での
ドット位置の誤差が１ドット径の±３０％以内に抑えら
れ、ドット列の副走査方向の蛇行を防ぐことができる。

【００３０】続いて、図５〜１２に基づいて上記の走査
光学系の各構成要素の詳細について説明する。図５は、
レーザーブロック３１０ａの具体的な構成を示す断面
図、図６は図５をＶＩ-ＶＩ線の方向から見た正面図で
ある。なお、レーザーブロック３１０ａ〜３１０ｈは、
全て同一の構造を有しているため、３１０ａを代表とし
て説明する。これらの図に示されるように、レーザーブ
ロック３１０ａは、半導体レーザー１０１を保持する半
導体レーザー保持部材３１１と、カップリングレンズ１
１１を保持するカップリングレンズ保持部材３１３ａ
と、ファイバー支持体３１９ａが固定されるファイバー
固定部材３１５ａとの３つのブロックから構成されてい
る。半導体レーザー保持部材３１１ａとカップリングレ
ンズ保持部材３１３ａとは、図６に示されるように円柱
状であり、ファイバー固定部材３１５ａは、直交する２
つの壁面から成る台座面が形成されるよう円柱のほぼ１
／４に相当する部分を軸線方向に沿って切り欠いた形状
に形成されている。

【００３１】半導体レーザー保持部材３１１ａとファイ
バー固定部材３１５ａとは、カップリングレンズ保持部
材３１３ａを光の進行方向に沿って両側から挟み込むよ
うにボルトで固定されており、半導体レーザー保持部材
３１１ａを支持基板３００にネジ止めすることにより３
つの部材が一体のブロックとして支持基板３００に固定
される。また、ファイバー支持体３１９ａは、固定用金
具３１７ａによりファイバー固定部材３１５ａの２つの
壁面に当てつけられた状態で固定されている。

【００３２】半導体レーザー１０１から発する発散光束
は、カップリングレンズ１１１により収束されて光ファ
イバー１２１に入射する。光ファイバー１２１は、ファ
イバー支持体３１９ａの中心軸に沿って形成された貫通
孔に挿入されて接着剤により支持体３１９ａに固定され
ている。

【００３３】光ファイバー１２１の入射端面は、半導体
レーザー１０１から入射する光束が入射端面で反射して
半導体レーザー１０１に戻ることを防止するため、光軸
に直交しないよう傾けて設定されている。また、入射端
面を傾けた際にも入射端面で屈折した光軸上の光線が光
ファイバー１２１の中心軸に一致するようファイバー支
持体３１９ａも全体的に傾けて配置されている。

【００３４】反射光が半導体レーザーに戻ると、半導体
レーザーの発振モードが変化し、本来中心波長のみのシ
ングルモードで発光すべきレーザーの発光波長が複数の
波長のピークを持ち、あるいは発光波長の幅が広がる。
このようにレーザーの発振モードがシングルモードでな
くなると、ｆθレンズの持つ色収差により単一のレーザ
ーからの光束により形成されるスポットの径が拡大し、
所望の解像度が得られなくなる。

【００３５】上記のように光ファイバー１２１の入射端
面を光軸に直交しないよう傾けることにより、この入射
端面での反射光は図５に示されるように入射方向とは異
なる方向に向かい、半導体レーザーに戻ることがない。
したがって、半導体レーザーの発振モードの変化を防ぐ
ことができる。

【００３６】ここで、図７に示すように、カップリング
レンズ１１１の光軸Ｌ1と光ファイバー１２１の入射端
面１２１ａの法線Ｌ2とのなす角度をθ1、カップリング
レンズ１１１の光軸Ｌ1と光ファイバー１２１の中心軸
Ｌ3とのなす角度をθ2、光ファイバー１２１の中心軸Ｌ
3と入射端面１２１ａの法線Ｌ2とのなす角度をθ3と
し、光ファイバー１２１のコアの屈折率をｎとすると、
以下の関係が成立する。すなわち、角度θ1が決まれ
ば、他の角度θ2、θ3は一義的に定められる。

【００３７】θ3＝ｓｉｎ^-1((ｓｉｎθ1)／ｎ) θ2＝θ1−ｓｉｎ^-1((ｓｉｎθ1)／ｎ)

【００３８】なお、この例では、光ファイバー１２１を
ファイバー支持体３１９ａに取り付けられた状態で一体
に研磨することにより、ファイバーの入射端面とファイ
バー支持体３１９の入射側の端面とを面一とし、かつ、
これらの面の法線が共にファイバーの中心軸に対して角
度θ3をなすよう加工されている。

【００３９】また、この例では、光ファイバー１２１の
射出端面１２１ｂを光ファイバーの中心軸に直交する平
面に対して角度θ4だけ傾斜するよう斜めにカットして
いる。この構成によれば、たとえ光束の一部が光ファイ
バーの射出端面で内面反射したとしても、戻り光の角度
は全反射の条件を満たさないため、クラッドとの境界面
で反射される毎に一部がコアから漏れ出して光量が次第
に減衰し、半導体レーザー１０１に戻る光量はほぼ０に
なる。したがって、射出端面での内面反射光が半導体レ
ーザー１０１側に戻るのが阻止され、半導体レーザーの
発光モードの変化による軸外の結像位置での倍率色収差
の発生を抑えることができる。

【００４０】光ファイバー１２１〜１２８の射出側の端
部は、図８に示されるようにファイバーアライメントブ
ロック１３０によりまとめられ、射出側の端部では各光
ファイバーの中心軸が一直線上に並ぶよう位置決めされ
る。直方体状のファイバーアライメントブロック１３０
は、分解斜視図である図９に示されるように、光ファイ
バー１２１〜１２８の射出端を位置決めするためのアラ
イメント部１３３が形成された本体１３０と、本体１３
０に位置決めされた光ファイバーを押さえる押さえ板１
３９とから構成されている。なお、本体１３１のアライ
メント部１３３より光入射側には、押さえ板から離れる
方向に段差をもって導入部１３５が形成されている。

【００４１】アライメント部１３３には、図９、および
ファイバーアライメントブロック１３０の拡大正面図で
ある図１０に示されるように、それぞれの光ファイバー
に対応して互いに平行な８本のＶ字溝１３７,１３７,…
が形成されている。Ｖ字溝の深さは、光ファイバーをＶ
字溝にセットした際にファイバーの上面がＶ字溝より突
出して押さえ板１３９に当接するよう定められている。

【００４２】組み付け時には、光ファイバー１２１〜１
２８をＶ字溝１３７,１３７,…にセットした後、押さえ
板１３９を強く押さえることによりファイバーをＶ字溝
内に強制的に圧入させて各ファイバーを位置決めし、本
体と押さえ板との間に接着剤を流し込んで光ファイバー
１２１〜１２８とファイバーアライメントブロック１３
０とを一体に固定する。ファイバーアライメントブロッ
ク１３０の本体１３１は、光ファイバーより硬度が低い
物質、例えばプラスチックにより形成され、押さえ板１
３９は本体１３１より硬度が高い物質、例えばガラスに
より形成されている。

【００４３】上記の構成によれば、光ファイバーの位置
合わせの基準面として平面である押さえ板１３９を用い
ることができる。平面を高精度で作成することはＶ字溝
を同等の精度で作成するよりもきわめて容易であるた
め、容易に正確な位置合わせが可能となると共に、複雑
な形状のＶ字溝側の精度の許容幅を広げることができ
る。

【００４４】ファイバーアライメントブロック１３０に
保持された光ファイバーの射出端面は、図１１に示され
るように、中心軸が一直線上に揃って配列する。光ファ
イバーは、コア径が６μｍ、クラッドを含めた全体の径
が１２５μｍである。隣接する光ファイバーの中心軸間
の距離は１２８μｍであり、隣接するファイバー間の間
隔は３μｍとなる。ファイバーアライメントブロック１
３０は、図示せぬホルダーに保持され、感光体ドラム２
１０上でのビームスポットが主走査、副走査両方向にそ
れぞれ所定間隔離れて形成されるように、ファイバーの
中心軸を結ぶ直線が主走査方向に対して５.３３５４゜
をなすよう斜めに設定される。隣接する光ファイバーの
中心軸間の主走査方向、副走査方向の間隔は、それぞれ
１２７.４４μｍ、１１.９４μｍである。また、両端の
光ファイバーの中心軸間の距離は８９６μｍ、その主走
査方向、副走査方向の間隔は、それぞれ８９２.０９μ
ｍ、８３.６０μｍとなる。

【００４５】図１２は、感光体ドラム上のビームスポッ
トの配列を示す。各ビームスポットの主走査方向の径は
３８μｍ、副走査方向の径は５０μｍとなる。物点とな
る光ファイバーの端面を図１１のように配列することに
より、ビームスポットもそれぞれの中心が一直線上にの
るよう形成される。この中心を結ぶ直線は、主走査方向
に対して４.２３５゜をなす。これにより隣接するビー
ムスポットの中心間隔は主走査方向については４２１.
９μｍ、副走査方向においては３１.２４μｍとなり、
ビームスポットを主走査、副走査の両方向について分離
することができる。両端のビームスポットの中心間の主
走査方向、副走査方向の間隔は、それぞれ２９５３.３
μｍ、２１８.６８μｍとなる。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、複数の発光素子の発光波長の基準値からの誤差を所
定の範囲に抑えることにより、走査光学系が色収差を持
つ場合にも、各発光素子からの光束により形成される走
査線の長さを一定に保つことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施態様を示す走査光学装置の斜
視図である。

【図２】図１の装置の光学系のみを取り出して示す主
走査方向の説明図である。

【図３】図１の装置の副走査方向の断面図である。

【図４】図１の装置の主走査方向の平面図である。

【図５】図１の装置のレーザーブロック部分の詳細を
示す断面図である。

【図６】図５をＶＩ-ＶＩ線方向から見た正面図であ
る。

【図７】レーザーブロック内における光束の入射方向
と光ファイバーの入射端面の角度との関係を示す説明図
である。

【図８】図１の装置のファイバー支持体からファイバ
ーアライメントブロックまでの構成を示す平面図であ
る。

【図９】ファイバーアライメントブロック部分の分解
斜視図である。

【図１０】ファイバーアライメントブロックの拡大正
面図である。

【図１１】ファイバーの配列を示す説明図である。

【図１２】感光体ドラム上でのビームスポットの配列
を示す説明図である。

【符号の説明】

１００光源部１０１〜１０８半導体レーザー１２１〜１２８光ファイバー１３０ファイバーアライメントブロック１４０コリメートレンズ１４４ハーフミラー１５０ＡＰＣ信号検出部１６０ダイナミックプリズム１７０シリンドリカルレンズ１８０ポリゴンミラー１９０ｆθレンズ２００折り返しミラー２１０感光体ドラム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者金沢浩東京都板橋区前野町２丁目36番９号旭光学工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】独立して発光制御される複数の発光素子か
ら発した光束を偏向器により同時に偏向し、結像光学系
により走査対象面上に結像させることによりることによ
り前記走査対象面上に一回の走査で複数の走査線を形成
する走査光学装置において、前記複数の発光素子の発光
中心波長の基準波長からの誤差をΔλ(単位ｎｍ)、解像
度(単位ｄｐｉ)をＤとしたときに、以下の条件、｜Δλ｜＜１.８×１０³／Ｄを満たすことを特徴とする走査光学装置。
【請求項２】前記解像度Ｄが、以下の条件、５００ｄｐｉ＜Ｄ＜２０００ｄｐｉを満たすことを特徴とする請求項１に記載の走査光学装
置。