DE19703606C2 - Mehrstrahl-Abtastvorrichtung - Google Patents
Mehrstrahl-AbtastvorrichtungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine
Mehrstrahl-Abtastvorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1,
wie sie z. B. aus US 5 208 456 bekannt ist.
Eine Mehrstrahl-Abtastvorrichtung erzeugt mehrere Abtastzei
len pro Abtastbewegung durch Abgabe mehrerer Strahlen von
einer Strahlungsquelleneinheit. Hierzu enthält die Strah
lungsquelleneinheit einen monolithischen mehrstrahligen Halb
leiterlaser oder mehrere Einstrahl-Halbleiterlaser oder auch
sonstige Strahlungsquellen.
Da die Anzahl der abstrahlenden Punkte des mehrstrahligen
Halbleiterlasers auf zwei oder drei begrenzt ist, muß die
Strahlungsquelleneinheit mehrere Einstrahl-Halbleiterlaser
haben, um vier oder mehr Abtastzeilen pro Abtastbewegung zu
erzeugen.
Da ein Abtastsystem jedoch im allgemeinen nicht bezüglich der
chromatischen Aberration korrigiert ist, kann die Länge der
Abtastzeilen in einer Abtastbewegung aufgrund der lateralen
chromatischen Aberration variieren, die auftritt, wenn die
Wellenlänge der einzelnen Laser bzw. sonstiger Strah
lungsquellen unterschiedlich ist.
Eine unterschiedliche Länge der Abtastzeilen beeinträchtigt
die Bilderzeugungsleistung insbesondere bei hoher Auflösung.
Obwohl der Einfluß der lateralen chromatischen Aberration
durch optische Korrektur der chromatischen Aberration des Abtastsy
stems verringert werden kann (siehe z. B. US 5 270 851), ist es schwierig, die chromati
sche Aberration zu korrigieren und gleichzeitig andere Aber
rationen wie zum Beispiel die Bildfeldwölbung zu verringern
und die Anzahl der verwendeten Linsen zu begrenzen.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine verbesserte Mehrstrahl-
Abtastvorrichtung anzugeben, in welcher die Einflüsse der la
teralen chromatischen Aberration verringert sind, um eine ge
naue Bilderzeugung auch bei hoher Auflösung zu erzielen.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die Mehr
strahl-Abtastvorrichtung dadurch charakterisiert, daß für ei
nen Wellenlängenfehler Δλ (Einheit: nm) des jeweiligen
Elements, bezogen auf eine für alle Elemente vorgegebene Referenzwellenlänge, folgende Beziehung gilt:
|Δλ| < 7,6 . 103/(α . D),
wobei D die Auflösung der optischen Abtastvorrichtung
von 500 bis 2000 dpi und α die Änderung der
lateralen chromatischen Aberration (Einheit: µm) pro nm Wel
lenlängenänderung am Rand des Bildbereiches ist.
Die Größe α wird auch als ein Abstand zwischen zwei Strahl
punkten definiert, die am Rand des Bildbereichs liegen, ei
nem ersten Strahlpunkt, welcher durch einen Lichtstrahl mit
der Referenzwellenlänge erzeugt wird, und einem zweiten
Strahlpunkt, welcher durch einen Lichtstrahl mit einer von
der Referenzwellenlänge um 1 nm abweichenden Wellenlänge er
zeugt wird.
Wenn die Auflösung weniger als 500 dpi beträgt, kann die Län
genänderung der Abtastzeilen aufgrund der lateralen chromati
schen Aberration vernachlässigt werden, da die Längenänderung
bezogen auf den Durchmesser des Strahlpunktes klein ist. Das
bedeutet, daß die Längenänderung die Bilderzeugungsleistung
nicht beeinflußt.
Wenn die Auflösung größer als 2000 dpi ist, kann der Einfluß
der Längenänderung der Abtastzeilen auch nicht unter Einhal
tung der Bedingung (1) eingehalten werden, da das Verhältnis
der Längenänderung zu dem Durchmesser des Strahlpunktes zu
groß ist.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbei
spiels unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert. Darin
zeigen:
Fig. 1 eine räumliche Ansicht einer optischen Abtastvor
richtung,
Fig. 2 eine Draufsicht auf die optische Abtastvorrichtung
gemäß Fig. 1 in der Hauptabtastrichtung,
Fig. 3 eine Schnittansicht der optischen Abtastvorrichtung
gemäß Fig. 1 in der Nebenabtastrichtung,
Fig. 4 den optischen Aufbau der optischen Abtastvorrich
tung gemäß Fig. 1 in der Hauptabtastrichtung,
Fig. 5 eine Schnittdarstellung, welche die Details eines
Laserblocks der optischen Abtastvorrichtung gemäß
Fig. 1 zeigt,
Fig. 6 eine Vorderansicht entlang der Linie VI-VI in Fig.
5,
Fig. 7 eine schematische Darstellung der Beziehung zwi
schen der Eintrittsrichtung der Lichtstrahlen in
einen Laserblock und dem Winkel an der Eintritts
endfläche eines optischen Lichtwellenleiters,
Fig. 8 eine Draufsicht auf die Elemente von einem Licht
wellenleiter-Trägerelement zu einem Lichtwellen
leiter-Ausrichtblock,
Fig. 9 eine Explosionsansicht des Lichtwellenleiter-Aus
richtblocks,
Fig. 10 eine vergrößerte Vorderansicht des Lichtwellenlei
ter-Ausrichtblocks,
Fig. 11 ein Schema der Anordnung der Lichtwellenleiter, und
Fig. 12 ein Schema der Anordnung der Strahlauftreffpunkte
auf einer Fotoleitertrommel.
Das erläuterte Ausführungsbeispiel betrifft eine optische
Mehrstrahl-Abtastvorrichtung, die eine Abtastbewegung mehre
rer Laserstrahlen über einen vorgegebenen Winkel durchführt,
wobei acht Abtastzeilen pro Abtastbewegung auf einer
Oberfläche erzeugt werden, zum Beispiel auf der Oberfläche
eines fotoleitenden Elementes. Unter dem Begriff "Licht" ist
im folgenden ein Strahlungsspektrum zu verstehen, das im
sichtbaren und im unsichtbaren Bereich liegt.
Wie in den Fig. 3 und 4 gezeigt, enthält die Abtastvorrich
tung eine Lichtübertragungseinheit 100, einen Polygonspiegel
180 und ein fθ-Linsensystem 190 (Abtastoptik). Im Betrieb
werden acht Laserstrahlen von der Lichtübertragungseinheit
100 abgestrahlt, vom Polygonspiegel abgelenkt (abtastend) und
durch das fθ-Linsensystem 190 geleitet, um acht Abtastzeilen
auf einer fotoleitenden Oberfläche zu erzeugen, zum Beispiel
auf einer Fotoleitertrommel 210.
In dieser Beschreibung ist eine "Hauptabtastrichtung" als ei
ne Richtung definiert, in welcher ein Laserstrahl eine Ab
tastbewegung über die Oberfläche eines fotoleitenden Elements
ausführt, und eine "Nebenabtastrichtung" ist eine Richtung,
in welcher das fotoleitende Element bewegt oder gedreht wird,
um es für eine folgende Hauptabtastbewegung zu positionieren.
Die Hauptabtastrichtung und die Nebenabtastrichtung sind
senkrecht zueinander, und beide sind senkrecht zur optischen
Achse der die Laserstrahlen übertragenden Linsen. Da ein
Laserstrahl gewöhnlich mehrere Male bei der Übertragung von
der Lichtquelle zu einem fotoleitenden Element reflektiert
wird, sind die Hauptabtastrichtung und die
Nebenabtastrichtung bezogen auf die
Richtung der optischen Achse an einem Punkt des optischen Weges.
In dieser Beschreibung ist in der Fig. 1 bis 4 ein XYZ-Koor
dinatensystem definiert. Die X-Achse ist eine Achse parallel
zur optischen Achse des fθ-Linsensystem 190, und die Y- und
die Z-Achsen liegen rechtwinklig zueinander in der Ebene
senkrecht zur X-Achse. Die Y-Achse liegt parallel zur
Hauptabtastrichtung, und die Z-Achse liegt parallel zur Ne
benabtastrichtung.
Wie in Fig. 1 gezeigt, enthält die Abtastvorrichtung weiter
hin ein offenes Gehäuse 1. Im Betriebszustand ist die obere
Öffnung des Gehäuses 1 durch einen Gehäusedeckel 2 ver
schlossen.
Wie in Fig. 4 gezeigt, enthält die Lichtübertragungseinheit
100 acht Halbleiterlaser 101 bis 108, acht Laserblöcke 310a
bis 310h (jeder auf einem Träger 300 befestigt), die jeweils
einem der Laser 101 bis 108 zugeordnet sind, acht optische
Lichtwellenleiter (z. B. Lichtleitfaserbündel) 121 bis 128 aus
Hartglas (Silikaglas), die jeweils einem der Laser 101 bis
108 zugeordnet sind, und einen Lichtwellenleiter-Aus
richtblock 130. Jeder Laser 101 bis 108 ist in dem zugehöri
gen Laserblock 310a bis 310h so befestigt, daß sein Laser
strahl in den jeweils zugehörigen Lichtwellenleiter 121 bis
138 eintritt. Außerdem werden die Eintrittsendabschnitte der
optischen Lichtwellenleiter 121 bis 128 von Lichtwellenlei
ter-Halteelementen 319a bis 319h an den jeweiligen Laser
blöcken 310a bis 310h festgehalten. Der Lichtwellenleiter-
Ausrichtblock 130 hält die Austrittsendabschnitte der opti
schen Lichtwellenleiter 121 bis 128 zum Ausrichten derart,
daß acht Punktlichtquellen auf einer Geraden erzeugt werden.
Ein vom Lichtwellenleiter-Ausrichtblock 130 abgestrahltes di
vergierendes Lichtbündel wird mit Hilfe einer Sammellinse 140
gebündelt, die durch einen zylindrischen Sammellinsentubus
340 gehalten wird, und durch eine Blende 142 hindurchgerich
tet. Die Blende 142 hat eine rechteckige Durchtrittsöffnung,
die in der Hauptabtastrichtung länger ist und in der
Hauptabtastrichtung und der Nebenabtastrichtung das aus der
Sammellinse 140 austretende Lichtbündel begrenzt.
Das durch die Blende 142 hindurchtretende Lichtbündel wird
auf einen Strahlteiler 144 gerichtet. Der Strahlteiler 144
teilt die Strahlung in einen Steuerstrahl und in einen Haupt
strahl, der reflektiert wird. Die Durchlässigkeit des
Strahlteilers 144 (d. h. die Menge des als Steuerstrahl hin
durchgelassenen Lichtes) beträgt zum Beispiel zwischen 5 und
10 Prozent als Mittelwert des S-polarisierten Lichtes und des
P-polarisierten Lichtes.
Der Steuerstrahl wird in ein automatisches Leistungssteue
rungs-Sensorsystem (ALS-Sensorsystem) 150 gerichtet. Dieses
enthält eine Sammellinse 151 zum Bündeln des Steuerstrahls,
einen Polarisationsstrahlteiler 153, der den Steuerstrahl in
zwei linear polarisierte Komponenten aufteilt, die ortogonal
zueinander sind, einen ersten ALS-Lichtsensor 155 und einen
zweiten ALS-Lichtsensor 157.
Der erste und der zweite ALS-Lichtsensor 155 und 157 erfassen
die Lichtenergie der entsprechenden linearen Polarisations
komponente, und die Ausgangssignale der Lichtsensoren 155 und
157 werden für eine Regelung der Ausgangsleistung der
Halbleiterlaser 101 bis 108 genutzt.
Der am Strahlteiler 144 reflektierte Hauptstrahl tritt durch
ein dynamisches Prisma 160 hindurch. Das dynamische Prisma
160 ist in Richtung einer zur optischen Achse rechtwinkligen
Achse drehbar gelagert, um die Lage des Auftreffpunktes in
der Nebenabtastrichtung auf der Bildebene zu steuern. Das
dynamische Prisma 160 ist vorzugsweise ein Keilprisma, das um
die Hauptabtastrichtung drehbar gelagert ist, um den
Hauptstrahl in Richtung der Nebenabtastrichtung abzulenken.
Das dynamische Prisma 160 berichtigt Änderungen der Lage der
Bildpunkte (in der Nebenabtastrichtung) auf der Abtastebene,
welche durch Neigungsfehler der reflektierenden Flächen des
Polygonspiegels 180 und/oder durch eine ungleichmäßige
Drehung der Fotoleitertrommel 210 entstehen (vgl. Fig. 3 und
die später folgenden Erläuterungen).
Der durch das dynamische Prisma 160 hindurchtretende Haupt
strahl bildet mit Hilfe einer Zylinderlinse 170 ein lineares
Bild in der Umgebung der Spiegeloberfläche des Polygonspie
gels 180. Die Zylinderlinse 170 hat nur in der Neben
abtastrichtung eine positive Brechkraft. Wie in den Fig. 1
und 2 gezeigt, wird die Zylinderlinse 170 durch einen zylin
drischen Linsentubus 361 gehalten und besteht aus zwei Linsen
171, 173 mit positiver bzw. negativer Brechkraft in der
Nebenabtastrichtung.
Der Polygonspiegel 180 wird, wie in Fig. 3 gezeigt, durch ei
nen Spiegelmotor 371 angetrieben (befestigt im Gehäuse 1) und
rotiert im Uhrzeigersinn in der Darstellung der Fig. 2
(dargestellt durch einen Pfeil). Außerdem ist der Poly
gonspiegel 180, wie in Fig. 1 gezeigt, von der Umgebung durch
eine haubenartige Polygonabdeckung 373 getrennt, um Drehge
räusche zu dämpfen und um Beschädigungen der Spiegeloberflä
che durch Staub oder Schmutz in der Luft zu vermeiden.
Eine Lichtweg-Durchtrittsöffnung 373e befindet sich an der
Seite der Polygonabdeckung 373, und ein Abdeckglas 375 ist in
die Lichtweg-Durchtrittsöffnung 373e eingepaßt. Der durch die
Zylinderlinse 170 hindurchtretende Hauptstrahl tritt in die
Polygonabdeckung 373 durch das Abdeckglas 375 ein, wird durch
den Polygonspiegel 180 abgelenkt und nach außen gerichtet,
wobei er wieder durch das Abdeckglas 375 hindurchtritt. Auf
der Oberseite des Polygonspiegels 180 ist weiterhin ein
Kennzeichen M befestigt oder einmarkiert, und ein Sensorblock
376 an der Oberseite der Polygonabdeckung 373 enthält einen
Sensor zum Erfassen des Kennzeichens M.
Ein Polygonspiegel kann Flächenfehler (Formfehler) auf den
reflektierenden Flächen haben, die während der Herstellung
entstanden sind. Diese Herstellungsfehler sind meist für die
verschiedenen reflektierenden Flächen unterschiedlich (d. h.
für die Seiten des Polygonspiegels). Um diese Flächenfehler
auszugleichen, kann der Fehlerbetrag jeder Fläche des Poly
gonspiegels 180 gemessen und in einem Speicher (nicht darge
stellt) während der Herstellung der Abtastvorrichtung ge
speichert werden. Durch Unterscheiden, welche Reflexions
fläche des Polygonspiegels 180 gerade für die Abtastbewegung
verwendet wird, zum Beispiel mit dem Ausgangssignal des Sen
sors im Sensorblock 376, kann zumindest die Strahlposition
und die Strahlintensität abhängig von dem Fehlerbetrag korri
giert werden, welcher jeder reflektierenden Fläche des Poly
gonspiegels 180 eigen ist.
Wie in Fig. 3 gezeigt, tritt der am den Polygonspiegel 180
reflektierte Hauptstrahl durch das fθ-Linsensystem 190 hin
durch (ein optisches System zur Bilderzeugung) und wird an
einem Faltungsspiegel 200 zur Fotoleitertrommel 210 reflek
tiert, wobei acht Strahlpunkte entstehen. Die Strahlpunkte
führen eine Abtastbewegung gemäß der Drehung des Poly
gonspiegel 180 aus, wobei acht Abtastzeilen pro Abtastbewe
gung auf der Fotoleitertrommel 210 entstehen. Die Fotoleiter
trommel 210 wird angetrieben und rotiert in der Richtung ei
nes Pfeiles R synchron mit der Abtastbewegung der Strahl
punkte, um ein elektrostatisches latentes Bild auf der Foto
leitertrommel 210 zu erzeugen. Das latente Bild wird dann mit
Hilfe eines bekannten elektrofotographischen Verfahrens
entwickelt und auf ein Papierblatt (nicht dargestellt)
übertragen.
Das fθ-Linsensystem 190 enthält eine erste, eine zweite, eine
dritte und eine vierte Linse 191, 193, 194, 197, die in
dieser Reihenfolge von der dem Polygonspiegel 180 zugewandten
Seite zu der dem Faltungsspiegel 200 zugewandten Seite
negative, positive, positive und negative Brechkraft sowohl
in der Hauptabtastrichtung als auch in der Nebenabtastrich
tung haben. Sie sind auf einem Linsenträger 380 angeordnet.
Ihre Kombination in dem fθ-Linsensystem 190 bewirkt, daß der
Lichtstrahl, der als Bild eine lineare Form in der Nebenab
tastrichtung auf dem Polygonspiegel 180 hatte, auf der Foto
leitertrommel 210 als Bild eine elliptische Form hat.
Die erste Linse 191 des fθ-Linsensystem 190 ist eine negative
Linse mit einer konkaven sphärischen Oberfläche auf der dem
Polygonspiegel 180 zugewandten Seite und einer zylindrischen
Oberfläche mit negativer Brechkraft nur in der Nebenab
tastrichtung auf der dem Faltungsspiegel 200 zugewandten
Seite. Die Oberflächen der Linse sind so entworfen, daß die
erste Linse 191 eine vergleichsweise große negative (d. h.
größere negative) Brechkraft in der Nebenabtastrichtung und
eine vergleichsweise geringe negative Brechkraft in der
Hauptabtastrichtung hat.
Die zweite Linse 193 des fθ-Linsensystem 190 ist eine menis
kusförmige torische Linse mit einer konvexen sphärischen
Oberfläche auf der dem Polygonspiegel 180 zugewandten Seite
und einer konvexen torischen Oberfläche auf der dem Fal
tungsspiegel 200 zugewandten Seite. Die Oberflächen der Linse
sind so gestaltet, daß die zweite Linse 193 eine ver
gleichsweise große positive (d. h. größere positive) Brech
kraft in der Nebenabtastrichtung und eine vergleichsweise
kleine positive Brechkraft in der Hauptabtastrichtung hat.
Die dritte Linse 195 ist eine positive Meniskuslinse mit zwei
sphärischen Oberflächen.
Die vierte Linse 197 ist eine negative Meniskuslinse mit zwei
sphärischen Oberflächen.
Der durch das fθ-Linsensystem 190 übertragene Hauptlichtfluß
wird durch ein Synchronisations-Sensorsystem 220 bei jeder
Abtastbewegung erfaßt (d. h. für jede Fläche des Polygonspie
gels 180). Das Synchronisations-Sensorsystem 220 ist im opti
schen Weg zwischen der vierten Linse 197 des fθ-Linsensystems
190 und dem Faltungsspiegel 200 angeordnet. Das
Synchronisations-Sensorsystem 220 enthält einen ersten, einen
zweiten und einen dritten Spiegel 221, 223, 225 und einen
Synchronisations-Lichtsensor 230, der die an den Spiegeln
221, 223, 225 reflektierte Strahlen empfängt. Der erste
Spiegel 221 ist im optischen Weg vom Polygonspiegel 180 zum
Faltungsspiegel 200 an einem Rand des Hauptabtastbereichs
angeordnet, jedoch außerhalb des vorgegebenen Bilderzeugungs
bereichs (nicht dargestellt). Der zweite und der dritte
Spiegel 223 und 225 sind außerhalb des optischen Weges auf
der dem ersten Spiegel 221 abgewandten Seite angeordnet. Der
Synchronisations-Lichtsensor 230 ist in einer Position ange
ordnet, die der Position auf der Oberfläche der Fotoleiter
trommel 210 optisch äquivalent ist, auf der die Abtastung
erfolgt. Somit werden die acht Lichtstrahlen bei jeder
Hauptabtastbewegung nacheinander am ersten, zweiten und drit
ten Spiegel 221, 223, 225 reflektiert und treffen auf den
Synchronisations-Lichtsensor 230. Ein Ausgangssignal oder
Ausgangssignale des Synchronisations-Lichtsensors 230 werden
dann zur Synchronisation der Übertragung der Bilddaten für
eine Abtastbewegung von einer Steuerschaltung (nicht darge
stellt) zum Ansteuern der Halbleiterlaser 101 bis 108 mit den
Bilddaten verwendet.
Eine Abbildungsöffnung 11 im Gehäuse 1 ermöglicht, den am
Faltungsspiegel 200 reflektierten Hauptstrahl (einschließlich
der acht einzelnen Lichtstrahlen) zur Fotoleitertrommel 210
zu übertragen. Ein Abdeckglas 201 ist an der Abbildungs
öffnung 11 befestigt.
Eine Inspektionsöffnung 12 ist hinter dem Faltungsspiegel 200
angeordnet. Diese wird beim Einstellen der optischen Elemente
verwendet, nachdem (ausschließlich des Faltungsspiegels 200)
sie montiert sind. Wie in Fig. 3 gezeigt ist die In
spektionsöffnung 12 durch eine Abdeckplatte 13 beim normalen
Gebrauch abgedeckt.
Das Abtastsystem wird nun genauer unter Bezug auf die Fig. 5
bis 12 erläutert.
Fig. 5 ist eine Schnittansicht, die den detaillierten Aufbau
des Laserblocks 310a zeigt, und Fig. 6 ist eine Vorderansicht
des in Fig. 5 gezeigten Laserblocks entlang der Linie VI-VI
Fig. 5. Sämtliche Laserblöcke 310a bis 310h haben den glei
chen Aufbau, und eine Beschreibung wird nur für den Laser
block 310a als repräsentatives Beispiel gegeben. Der Laser
block 310a enthält ein Halbleiterlaser-Halteelement 311a zum
Befestigen des Halbleiterlasers 101, ein Koppellinsen-Halte
element 313a zum Befestigen der Koppellinse 111, und ein
Lichtwellenleiter-Halteelement 315a zum Halten eines Licht
wellenleiter-Halteelements 319a. Wie in Fig. 6 gezeigt, sind
das Halbleiterlaser-Halteelement 311a und das Koppellinsen-
Halteelement 313a im wesentlichen zylindrisch, und das Licht
wellenleiter-Halteelement 315a ist als Zylinder geformt,
wobei im wesentlichen ein Viertel des Zylinders wegge
schnitten ist (entlang der Richtung der optischen Achse ge
sehen) und wobei die entstehenden Oberflächen zwei zueinander
rechtwinklige Wände bilden.
Das Halbleiterlaser-Halteelement 311a und das Lichtwellen
leiter-Halteelement 315a sind mit Schrauben auf einander ab
gewandten Seiten des Koppellinsen-Halteelements 313a befe
stigt. Das Halbleiterlaser-Halteelement 311a ist auch am
Träger 300 angeschraubt. Demzufolge sind die drei Elemente
311a, 313a und 315a am Träger 300 als Block befestigt. Wei
terhin ist das Lichtwellenleiter-Halteelement 319a mit einem
metallenen Haltewinkel 317a in der Ecke der Wandflächen des
Lichtwellenleiter-Halteelements 315a befestigt.
Der vom Halbleiterlaser 101 abgestrahlte divergente Licht
strahl wird durch die Koppellinse 111 gebündelt und in den
Lichtwellenleiter 121 gerichtet. Der Lichtwellenleiter 121
ist in ein entlang der Mittelachse des Lichtwellenleiter-Hal
teelements 319a verlaufendes Durchgangsloch gesteckt und mit
einem Klebstoff am Lichtwellenleiter-Halteelement 319a befe
stigt.
Vorzugsweise wird, wie in Fig. 5 gezeigt, die Ein
trittsendfläche des Lichtwellenleiters 121 schräg zur ein
fallenden optischen Achse abgeschnitten. Weiterhin ist das
Lichtwellenleiter-Halteelement 319a selbst, (d. h. die Mittel
achse desselben) zur einfallenden optischen Achse so geneigt,
daß ein an der Eintrittsendfläche gebrochener Lichtstrahl
parallel zur Mittelachse des optischen Lichtwellenleiters 121
gerichtet ist.
Wie in Fig. 5 gezeigt, ist der an der Eintrittsendfläche re
flektierte Lichtstrahl von der Eintrittsrichtung weggerich
tet, d. h. weg vom Halbleiterlaser 101, da die Eintrittsend
fläche des optischen Lichtwellenleiters 121 so geneigt ist,
daß sie nicht rechtwinklig zur optischen Achse der Koppel
linse 111 liegt.
Würde der reflektierte Lichtstrahl zum Halbleiterlaser 101
zurückkehren, so würde seine Schwingung instabil, und die der
Oszillationsmode könnte von einem Monomode zu einem Multimode
wechseln, so daß die Breite des Oszillationswellenlän
genbandes vergrößert würde. Daher kann dann das Zurückkehren
des Lichtes zum Halbleiterlaser 101 eine Veränderung des ge
wünschten Durchmessers des Laserauftreffpunkts aufgrund der
longitudinalen chromatischen Aberration des fθ-Linsensystem
190 und eine Veränderung der Länge der Abtastzeilen aufgrund
der lateralen chromatischen Aberration des fθ-Linsensystems
190 zur Folge haben. Diese Veränderung verringert die Abbil
dungsschärfe und die Auflösung. Beim Verwenden des erläuter
ten Aufbaus zum Verhindern der Rückkehr des Laserstrahls zum
Halbleiterlaser 101 wird der Halbleiterlaser 101 hinsichtlich
der abgestrahlten Wellenlänge stabiler.
Wie genauer in Fig. 7 gezeigt, wird ein Einfallswinkel θ1
durch die optische Achse L1 der Koppellinse 111 und eine Nor
male L2 zur Eintrittsendfläche 121a des optischen Lichtwel
lenleiters 121 gebildet, θ2 ist ein zwischen der optischen
Achse L1 der Koppellinse 111 und der Mittelachse L3 des opti
schen Lichtwellenleiters 121 gebildeter Winkel, weiterhin ist
θ3 ein Brechungswinkel, der aus der Mittelachse L3 des opti
schen Lichtwellenleiters 121 und der Normalen L2 zur Ein
trittsendfläche 121a gebildet wird. Außerdem ist n als der
Kernbrechungsindex des Lichtwellenleiters 121 festgelegt.
Wenn der Winkel θ1 vorgegeben wird, dann sind die verblei
benden Winkel θ2 und θ3 gemäß den folgenden zwei Formeln
festgelegt:
Die Eintrittsendfläche 121a des Lichtwellenleiters 121 wird
vorzugsweise geschliffen, wenn sie am Lichtwellenleiter-Hal
teelement 319a befestigt ist. Demgemäß wird die Eintritts
endfläche 121a des Lichtwellenleiters 121 mit der Endfläche
an der Eintrittsseite des Lichtwellenleiter-Halteelements
319a in einer Ebene ausgerichtet, und die Oberflächen werden
gemeinsam geschliffen.
Außerdem ist die Austrittsendfläche 121b des Lichtwellen
leiters 121 unter einem Winkel θ4 zu einer Ebene abgeschnit
ten, die zur Mittelachse L3 des Lichtwellenleiters 121
rechtwinklig ist. Durch diesen Aufbau wird erreicht, daß,
obwohl ein Teil des Lichtes im Innern an der Austrittsend
fläche 121b des Lichtwellenleiters 121 reflektiert wird, das
reflektierte Licht nicht die Bedingung für Totalreflektion
erfüllt, nicht vollständig innerhalb des optischen Lichtwel
lenleiters 121 übertragen wird und somit gedämpft ist, bevor
es zur dem Halbleiterlaser 101 zugewandten Seite zurückkehrt.
Somit wird wiederum kein zurückkehrendes Licht zum Halb
leiterlaser 101 gesendet, und der Lichtabstrahlungsmode des
Halbleiterlasers 101 bleibt stabil.
Die Austrittsendflächen der Lichtwellenleiter 121 bis 128
werden mit Hilfe eines Lichtwellenleiter-Ausrichtblocks 130
ausgerichtet, wie in Fig. 8 gezeigt. Die Mittelachsen der op
tischen Lichtwellenleiter 121 bis 128 werden in einer geraden
Reihe angeordnet. Fig. 9 ist eine Explosionsansicht des
Lichtwellenleiter-Ausrichtblocks 130. Wie in Fig. 9 gezeigt,
ist in einem Sockel 131 ein Ausrichtabschnitt 133 zum Aus
richten der Austrittsendabschnitte der Lichtwellenleiter 121
bis 128 ausgebildet, und eine Anpreßplatte 139 drückt die
Lichtwellenleiter 121 bis 128 auf den Sockel 131. Ein Füh
rungsabschnitt 135 ist auf der dem Ausrichtabschnitt 133
abgewandten Blockeingangsseite des Sockels 131 als eine Auf
lagelücke zwischen der Anpreßplatte 139 und dem Sockel 131
ausgebildet. Wie in den Fig. 9 und 10 gezeigt, hat der Aus
richtabschnitt 133 acht parallele V-förmige Aussparungen 137,
die den Lichtwellenleitern 121 bis 128 zugeordnet sind. Die
Tiefe jeder V-förmigen Aussparung 137 gewährleistet, daß
jeder optische Lichtwellenleiter 121 bis 128 etwas über den
Ausrichtabschnitt 133 hinausragt und mit der Anpreßplatte 139
angedrückt werden kann.
Vorzugsweise werden der Sockel 131 des Lichtwellenleiter-Aus
richtblocks 130 aus einem Material mit einer geringeren Härte
als die Lichtwellenleiter 121 bis 128, zum Beispiel Plastik,
und die Anpreßplatte 139 aus einem Material mit einer größe
ren Härte als der Sockel 131 hergestellt, zum Beispiel Glas.
Bei der Montage wird jeder Lichtwellenleiter 121 bis 128 in
die entsprechende Aussparung 137 gelegt, ein Klebstoff hinzu
gefügt, und die Lichtwellenleiter werden dann durch die An
preßplatte 139 fest angepreßt. Bei diesem Verfahren werden
die Lichtwellenleiter 121 bis 128 in die Aussparungen 137 ge
preßt, und diese verformen sich so stark wie notwendig um die
Lichtwellenleiter 121 bis 128 herum. Die Lichtwellenleiter
121 bis 128 und der Lichtwellenleiter-Ausrichtblock 130 sind
somit durch den Klebstoff zwischen dem Sockel 131 und der
Anpreßplatte 139 dauerhaft befestigt. Bei diesem Verfahren
kann die Anpreßplatte 139 eine flache Oberfläche haben, die
als Referenzebene dient, gegen die die Lichtwellenleiter ge
preßt werden. Da es leichter ist, eine extrem maßhaltige fla
che Oberfläche als eine extrem maßhaltige Aussparung herzu
stellen, erlauben die härtere Anpreßplatte 139 und die wei
cheren Aussparungen 137 des Sockels 131, daß die Maßhaltig
keit der V-förmigen Aussparungen 137 einen weiteren Bereich
von Entwurfskenngrößen (Toleranzen) hat, während die Maßhal
tigkeit der Ausrichtung der Lichtwellenleiter 121 bis 128
erhalten bleibt.
Wie in Fig. 11 gezeigt, sind die im Lichtwellenleiter-Aus
richtblock 130 befestigten Austrittsendflächen der Lichtwel
lenleiter 121 bis 128 so angeordnet, daß ihre Mittelachsen in
einer geraden Reihe liegen. Der Lichtwellenleiter-Ausricht
block 130 ist durch einen Halter (nicht dargestellt) gehalten
und diagonal angebracht, so daß die die Mittelachsen der
Lichtwellenleiter 121 bis 128 verbindende Gerade einen vor
gegebenen Winkel γ1 zu der Hauptabtastrichtung hat. Bei dem
vorgegebenen Winkel γ1 bilden die Strahlpunkte auf der Foto
leitertrommel 210 eine Reihe, in der sie zueinander einen
vorgegebenen Abstand in der Hauptabtastrichtung und in der
Nebenabtastrichtung haben.
Fig. 12 zeigt die auf der Fotoleitertrommel 210 entstehende
Reihe aus Strahlpunkten. Wenn die Lichtwellenleiter 121 bis
128 (entsprechend Objektpunkten) in der in Fig. 11 gezeigten
Art aufgereiht sind, bilden die Strahlpunkte mit ihren Mit
telpunkten eine Gerade, die einen vorgegebenen Winkel γ2 zu
der Hauptabtastrichtung hat. Auf diese Art haben die Mittel
punkte der Strahlpunkte in der Nebenabtastrichtung einen
vorgegebenen Abstand zueinander, so daß sich in der Hauptab
tastrichtung gebildete Abtastzeilen etwas überlappen können.
Im vorliegenden Mehrstrahl-Abtastsystem sind die Halbleiter
laser 101 bis 108 so ausgewählt, daß die Wellenlänge des von
den Halbleiterlasern 101 bis 108 abgestrahlten Lichts, wie
unten beschrieben, in einem vorgegebenen Bereich liegt.
Der Wellenlängenfehler Δλ (Einheit, nm) eines jeden Halblei
terlasers 101 bis 108 bezüglich einer für alle Halbleiterlaser vorgegebenen Refe
renzwellenlänge liegt in dem durch die folgende Formel (3)
festgelegten Bereich:
|Δλ| < 7,6 . 103/(α . D) (3),
wobei D eine Auflösung der Abtastvorrichtung (Einheit: Bildpunkte
pro Inch (25,4 mm), dpi ist, und α die Änderung der lateralen
chromatischen Aberration (Einheit: µm) pro nm Wellenlängenän
derung am Rand des Abtastbereiches ist. Der Abtastbereich be
stimmt ein Gebiet, in dem ein Bild erzeugt wird.
Die Größe α wird auch bestimmt als ein Abstand zwischen
zwei Strahlpunkten am Rand des Abtastbereichs, wobei ein er
ster Strahlpunkt durch einen Lichtstrahl mit der Refe
renzwellenlänge und ein zweiter Strahlpunkt durch einen
Lichtstrahl mit einer von der Referenzwellenlänge um 1 nm ab
weichenden Wellenlänge gebildet wird.
Die Bedingung (3) ergibt sich aus der folgenden Formel (4):
|Δλ| . α . 103 < 0,3 . (25,4/D) . 106 (4),
in welcher der Ausdruck (25,4/D) . 106 der Durch
messer eines Bildpunktes ist (Einheit: nm).
Die Formeln (3) und (4) stellen den Zusammenhang her, daß
beim Auftreten von lateraler chromatischer Aberration im op
tischen Bilderzeugungssystem ein Wellenlängenfehler Δλ gegen
über der Referenzwellenlänge in einem Bereich liegt, in wel
chem die Abweichung der Lage des Strahlauftreffpunktes auf
grund der lateralen chromatischen Aberration ±30% des Durch
messers eines Bildpunktes (Pixel) nicht übersteigt.
Die obige Bedingung ist für eine optische Abtastvorrichtung
mit einer Auflösung von 500 dpi bis 2000 dpi sinnvoll.
Wenn die Auflösung kleiner als 500 dpi ist, kann die Änderung
der Abtastzeilenlänge aufgrund der lateralen chromatischen
Aberration vernachlässigt werden, da das Verhältnis der Ände
rung zum Durchmesser des Auftreffpunktes klein ist. D. h. die
Änderung beeinflußt die Bilderzeugungsleistung, d. h. z. B. die
Abbildungsqualität, nur vernachlässigbar.
Wenn die Auflösung größer als 2000 dpi ist, kann der Einfluß
der Änderung der Abtastzeilenlänge auch nicht verringert wer
den, wenn die Bedingung (1) erfüllt ist, da die Änderung, be
zogen auf den Durchmesser des Auftreffpunktes, zu groß ist.
In der Abtastvorrichtung des Ausführungsbeispiels hat ein
spezielles Beispiel die folgenden Kenngrößen: die Brennweite
der Sammellinse 140 beträgt 100 mm, die Brennweite der Zylin
derlinse 170 in der Nebenabtastrichtung beträgt 116 mm, die
Brennweite des fθ-Linsensystems 190 beträgt in der Hauptab
tastrichtung 330 mm, und die Größe α ist gleich 4,2.
In diesem speziellen Fall kann die Formel (3) wie folgt ge
schrieben werden:
|Δλ| < 1,8 . 103/D.
Beträgt weiterhin die Auflösung etwa 800 dpi, so ergibt sich
der zulässige Wellenlängenfehler Δλ, bezogen auf die Refe
renzwellenlänge, in diesem Beispiel zu ±2,25 nm.
Auf diese Art wird die Lageabweichung eines Bildpunktes (an
den Enden einer Abtastzeile) auf der fotoleitenden Trommel
auf einen Wert im Bereich von ±30% des Bildpunktdurchmessers
herabgesetzt, auch wenn chromatische Aberration im fθ-Lin
sensystem auftritt und wenn der Wellenlängenfehler Δλ in dem
Bereich von ±2,25 nm liegt. Dabei bleibt die Ausrichtung je
der Abtastzeile an den Enden einer Hauptabtastbewegung genau,
d. h. die Enden der Hauptabtastzeilen liegen auf einer Geraden
parallel zur Nebenabtastrichtung.
Claims (3)
1. Mehrstrahl-Abtastvorrichtung für die Bilderzeugung, in der eine von
mehreren Elementen abgegebene Strahlung an einer Ablenkeinheit (180,
200) so abgelenkt wird, daß in einem Bildbereich mehrere Abtastzeilen pro
Abtastbewegung durch ein Abtastlinsensystem (190) erzeugt werden, in dem
insbesondere chromatische Aberration auftritt, dadurch gekennzeichnet,
daß für einen Wellenlängenfehler Δλ (Einheit: nm) des jeweiligen Elements, bezogen auf eine für alle Elemente vorgegebene Referenzwellenlänge, folgende Beziehung gilt:
|Δλ| < 7,6 . 103/(α . D),
wobei D eine Auflösung der optischen Abtastvorrichtung von 500 bis 2000 dpi und α die Änderung der lateralen chromatischen Aberration (Einheit: µm) pro nm Wellenlängenänderung am Rand des Bildbereiches ist.
daß für einen Wellenlängenfehler Δλ (Einheit: nm) des jeweiligen Elements, bezogen auf eine für alle Elemente vorgegebene Referenzwellenlänge, folgende Beziehung gilt:
|Δλ| < 7,6 . 103/(α . D),
wobei D eine Auflösung der optischen Abtastvorrichtung von 500 bis 2000 dpi und α die Änderung der lateralen chromatischen Aberration (Einheit: µm) pro nm Wellenlängenänderung am Rand des Bildbereiches ist.
2. Mehrstrahl-Abtastvorrichtung für die Bilderzeugung, in der eine von
mehreren Elementen abgegebene Strahlung an einer Ablenkeinheit (180,
200) so abgelenkt wird, daß in einem Bildbereich mehrere Abtastzeilen pro
Abtastbewegung durch ein Abtastlinsensystem (190) erzeugt werden, in dem
insbesondere chromatische Aberration auftritt, dadurch gekennzeichnet,
daß für einen Wellenlängenfehler Δλ (Einheit: nm) des jeweiligen Elements, bezögen auf eine für alle Elemente vorgegebene Referenzwellenlänge, folgende Beziehung gilt:
|Δλ| < 1,8 . 103/D,
wobei D eine Auflösung der optischen Abtastvorrichtung von 500 bis 2000 dpi ist.
daß für einen Wellenlängenfehler Δλ (Einheit: nm) des jeweiligen Elements, bezögen auf eine für alle Elemente vorgegebene Referenzwellenlänge, folgende Beziehung gilt:
|Δλ| < 1,8 . 103/D,
wobei D eine Auflösung der optischen Abtastvorrichtung von 500 bis 2000 dpi ist.
3. Mehrstrahl-Abtastvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die lichtabstrahlenden Elemente einstrahlige
Halbleiterlaser (101 bis 108) enthalten.
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