JPH09199435A - 反応器 - Google Patents
反応器Info
- Publication number
- JPH09199435A JPH09199435A JP8347343A JP34734396A JPH09199435A JP H09199435 A JPH09199435 A JP H09199435A JP 8347343 A JP8347343 A JP 8347343A JP 34734396 A JP34734396 A JP 34734396A JP H09199435 A JPH09199435 A JP H09199435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction
- purge
- reaction chamber
- purge gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Abstract
(57)【要約】
【課題】 改善された反応ガスパージ機構を有する、Ｃ
ＶＤにより物質を蒸着させる反応器を提供する。 【解決手段】 反応器は、半導体ウェーハを受容する反
応チャンバーを規定し、反応チャンバー内に開口するジ
ェット口空隙（４４）を有するシェル（１２）、その空
隙内に配置されたノズル（７２）を有する反応ガス供給
システム、ならびにパージガス供給システム（その空隙
内にパージガスを導いて空隙から反応ガスをパージする
パージガス口（１５０）、パージガス・ソース（８２）
およびパージガス供給手段を有する）を有する。
ＶＤにより物質を蒸着させる反応器を提供する。 【解決手段】 反応器は、半導体ウェーハを受容する反
応チャンバーを規定し、反応チャンバー内に開口するジ
ェット口空隙（４４）を有するシェル（１２）、その空
隙内に配置されたノズル（７２）を有する反応ガス供給
システム、ならびにパージガス供給システム（その空隙
内にパージガスを導いて空隙から反応ガスをパージする
パージガス口（１５０）、パージガス・ソース（８２）
およびパージガス供給手段を有する）を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学蒸着またはＣ
ＶＤ（chemical vapor deposition）により半導体ウェ
ーハ上に物質を付着させるバレル・リアクター（barrel
reactor、円筒状反応器）に一般的に関し、より詳しく
はバレル・リアクターのジェット・ポート・キャビティ
（ジェット口の空隙部、jet port cavity）から反応ガ
スをパージする（purge、例えば除去または一掃する）
方法および装置に関する。
ＶＤ（chemical vapor deposition）により半導体ウェ
ーハ上に物質を付着させるバレル・リアクター（barrel
reactor、円筒状反応器）に一般的に関し、より詳しく
はバレル・リアクターのジェット・ポート・キャビティ
（ジェット口の空隙部、jet port cavity）から反応ガ
スをパージする（purge、例えば除去または一掃する）
方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハにエピタキシャル相を付
着させるためにバレル・リアクターが使用される。エピ
タキシーは、格子構造をウェーハのものと同一にするよ
うに半導体ウェーハ上にある物質の薄層を成長させる方
法である。この方法を用いて、半導体ウェーハ上に異な
る導電率の層を適用して必要な電気的特性を得る。例え
ば、高濃度でドープした基板の上に成長させた低濃度で
ドープしたエピタキシャル層により、ＣＭＯＳデバイス
が基板の低抵抗の結果としてラッチアップ・イミュニテ
ィ（latch up immunity）に対して最適化できる。他の
利点、例えばドーパント濃度分布の精密なコントロール
および酸素の排除も達成される。
着させるためにバレル・リアクターが使用される。エピ
タキシーは、格子構造をウェーハのものと同一にするよ
うに半導体ウェーハ上にある物質の薄層を成長させる方
法である。この方法を用いて、半導体ウェーハ上に異な
る導電率の層を適用して必要な電気的特性を得る。例え
ば、高濃度でドープした基板の上に成長させた低濃度で
ドープしたエピタキシャル層により、ＣＭＯＳデバイス
が基板の低抵抗の結果としてラッチアップ・イミュニテ
ィ（latch up immunity）に対して最適化できる。他の
利点、例えばドーパント濃度分布の精密なコントロール
および酸素の排除も達成される。
【０００３】一般的に、化学蒸着法は、蒸着（または付
着）物質（例えば、シリコン）を含んで成る反応ガスを
ウェーハを含むバレル・リアクターの反応チャンバーに
導入することにより行う。ウェーハはサスセプター（su
sceptor）上にほぼ垂直向きに反応チャンバー（反応
室、reaction chamber）内で保持され、ウェーハの一面
が反応ガスにさらされるようになっている。反応チャン
バーのベッセル（容器）は、石英から作られた反転ベル
状のジャーであるのが一般的である。ステンレススチー
ルのガス・リング（gas ring）が、ベルジャーの上方開
口部の上に座する。ガス・リングの内側の周囲で間隔を
隔てて離れたジェット・ポート・キャビティ内に配置さ
れたガス注入ジェット（gas injection jet）を介して
反応ガスが反応チャンバー内に注入または導入される。
ガス・リングの上にあるステンレススチールのシール・
プレートが反応チャンバー内のウェーハを封止する。こ
のプレートを動かして、チャンバーを開いて半導体ウェ
ーハをベッセルに挿入したり、また、それから取り出し
たりできる。
着）物質（例えば、シリコン）を含んで成る反応ガスを
ウェーハを含むバレル・リアクターの反応チャンバーに
導入することにより行う。ウェーハはサスセプター（su
sceptor）上にほぼ垂直向きに反応チャンバー（反応
室、reaction chamber）内で保持され、ウェーハの一面
が反応ガスにさらされるようになっている。反応チャン
バーのベッセル（容器）は、石英から作られた反転ベル
状のジャーであるのが一般的である。ステンレススチー
ルのガス・リング（gas ring）が、ベルジャーの上方開
口部の上に座する。ガス・リングの内側の周囲で間隔を
隔てて離れたジェット・ポート・キャビティ内に配置さ
れたガス注入ジェット（gas injection jet）を介して
反応ガスが反応チャンバー内に注入または導入される。
ガス・リングの上にあるステンレススチールのシール・
プレートが反応チャンバー内のウェーハを封止する。こ
のプレートを動かして、チャンバーを開いて半導体ウェ
ーハをベッセルに挿入したり、また、それから取り出し
たりできる。
【０００４】ウェーハ上に付着したシリコン層が金属、
例えば鉄、ニッケルおよびモリブデンにより汚染されな
いことが重要であるが、それは、そのような汚染はエピ
タキシャル層の微量成分たるキャリヤーの寿命に悪影響
を及ぼし得るからである。非金属粒状物の異物による層
の汚染も避ける必要がある。石英の反応チャンバー用ベ
ッセルは金属汚染の根源とはならないが、ガス・リング
のステンレススチールは金属汚染のソースとなる場合が
ある。残留湿気の存在下における反応ガスのある種の副
生物（例えばＨＣｌ）との接触により、ステンレススチ
ールが腐食することがある。更に、化学エッチングによ
りサスセプターからシリコンの付着物を除去すること
は、ＨＣｌのような腐食性成分を反応チャンバーに導入
する場合があるが、それがステンレススチールを腐食さ
せることがある。ステンレススチールからの腐食生成物
は、付着物質内に同伴されるようになる場合があり、そ
れにより、ウェーハが汚染される。更に、バレル・リア
クター内に残留する酸素および／または湿気と反応ガス
の反応により反応チャンバー内に生成するＳｉＯ2付着
物は、清掃除去する必要があり、さもなければ付着物が
剥離してウェーハを汚染することがある。
例えば鉄、ニッケルおよびモリブデンにより汚染されな
いことが重要であるが、それは、そのような汚染はエピ
タキシャル層の微量成分たるキャリヤーの寿命に悪影響
を及ぼし得るからである。非金属粒状物の異物による層
の汚染も避ける必要がある。石英の反応チャンバー用ベ
ッセルは金属汚染の根源とはならないが、ガス・リング
のステンレススチールは金属汚染のソースとなる場合が
ある。残留湿気の存在下における反応ガスのある種の副
生物（例えばＨＣｌ）との接触により、ステンレススチ
ールが腐食することがある。更に、化学エッチングによ
りサスセプターからシリコンの付着物を除去すること
は、ＨＣｌのような腐食性成分を反応チャンバーに導入
する場合があるが、それがステンレススチールを腐食さ
せることがある。ステンレススチールからの腐食生成物
は、付着物質内に同伴されるようになる場合があり、そ
れにより、ウェーハが汚染される。更に、バレル・リア
クター内に残留する酸素および／または湿気と反応ガス
の反応により反応チャンバー内に生成するＳｉＯ2付着
物は、清掃除去する必要があり、さもなければ付着物が
剥離してウェーハを汚染することがある。
【０００５】ガス・リングからの汚染を避けるために、
バレル・リアクターはバッフル（そらせ板または邪魔
板、baffle）によりガス・リングから反応ガスをそらし
て離すように、また、ガス・リングの露出する領域を横
切るようにパージガスを導くことにより反応ガスを置換
するような構造になっている。従来のパージシステム
は、パージガスを反応チャンバーの周囲の幾つかの異な
る位置に供給するために、反応チャンバー用ベッセルに
達する前に、複数のラインに分岐する単一のパージガス
・ラインを有して成る。これらのラインは、反応ガスに
さらされるシール・プレートおよびガス・リングのその
ような領域にパージガスを供給するために、シール・プ
レートおよびガス・リングを通って延びるポート（口部
分、port）に接続されている。
バレル・リアクターはバッフル（そらせ板または邪魔
板、baffle）によりガス・リングから反応ガスをそらし
て離すように、また、ガス・リングの露出する領域を横
切るようにパージガスを導くことにより反応ガスを置換
するような構造になっている。従来のパージシステム
は、パージガスを反応チャンバーの周囲の幾つかの異な
る位置に供給するために、反応チャンバー用ベッセルに
達する前に、複数のラインに分岐する単一のパージガス
・ラインを有して成る。これらのラインは、反応ガスに
さらされるシール・プレートおよびガス・リングのその
ような領域にパージガスを供給するために、シール・プ
レートおよびガス・リングを通って延びるポート（口部
分、port）に接続されている。
【０００６】典型的なバレル・リアクターの操作におい
て、パージガス・システムは、窒素により反応チャンバ
ーを最初にパージして反応チャンバーから酸素を取り除
く。窒素パージに続いて、水素をパージラインを介して
数分間供給して、その後、反応ガスを反応チャンバーに
注入する。幾つかのポートを介する水素の流れを蒸着サ
イクルの間ずっと継続して、その後、反応ガスをチャン
バーからパージする。シール・プレートをチャンバーか
ら外す前に、再度窒素を使用して水素をチャンバーから
除去する。
て、パージガス・システムは、窒素により反応チャンバ
ーを最初にパージして反応チャンバーから酸素を取り除
く。窒素パージに続いて、水素をパージラインを介して
数分間供給して、その後、反応ガスを反応チャンバーに
注入する。幾つかのポートを介する水素の流れを蒸着サ
イクルの間ずっと継続して、その後、反応ガスをチャン
バーからパージする。シール・プレートをチャンバーか
ら外す前に、再度窒素を使用して水素をチャンバーから
除去する。
【０００７】汚染を防止するためのバッフルおよびパー
ジガスの現存するシステムは、部分的に有効であるに過
ぎない。特に、パージシステムは、ジェット・ポート・
キャビティから酸素および水蒸気を実質的に全てパージ
するのに適当ではない。（遊離酸素および水蒸気の形態
の）酸素の存在の結果として、各付着サイクルの間、Ｓ
ｉＯ2の付着物が相当量ガス・リングのジェット・ポー
ト・キャビティ内で生成する。これらの付着物は、バレ
ル・リアクターの操作のわずか数サイクルの後で除去す
る必要があるが、ジェット・ポート・キャビティからＳ
ｉＯ2付着物を清掃除去（クリーニング）することによ
りガス・リングの腐食がもたらされる場合がある。それ
は、クリーニングの間にキャビティ内に入った水が、除
去されないなら、ＨＣｌとステンレススチールとの間の
反応を促進するからである。更に、ジェット・ポート・
キャビティの形状のために、水を全部除去するのがしば
しば困難になる。
ジガスの現存するシステムは、部分的に有効であるに過
ぎない。特に、パージシステムは、ジェット・ポート・
キャビティから酸素および水蒸気を実質的に全てパージ
するのに適当ではない。（遊離酸素および水蒸気の形態
の）酸素の存在の結果として、各付着サイクルの間、Ｓ
ｉＯ2の付着物が相当量ガス・リングのジェット・ポー
ト・キャビティ内で生成する。これらの付着物は、バレ
ル・リアクターの操作のわずか数サイクルの後で除去す
る必要があるが、ジェット・ポート・キャビティからＳ
ｉＯ2付着物を清掃除去（クリーニング）することによ
りガス・リングの腐食がもたらされる場合がある。それ
は、クリーニングの間にキャビティ内に入った水が、除
去されないなら、ＨＣｌとステンレススチールとの間の
反応を促進するからである。更に、ジェット・ポート・
キャビティの形状のために、水を全部除去するのがしば
しば困難になる。
【０００８】バレル・リアクター内においてウェーハ上
に反応ガスから蒸着させるエピタキシャル層を最適にす
るために、周期的にガス注入ジェットをエイミング（ai
ming、ジェットの照準を定めること）する必要がある。
ジェット・ポート・キャビティを手でクリーニングする
行為は、不注意でガス注入ジェットを動かすことがあ
り、そのために、頻繁に再エイミングをする必要があ
る。注入ジェットのエイミングの行為はジェット上の、
あるいはジェット・ポート・キャビティ内の付着物を剥
離することになり得、それにより、更にもう１つの潜在
的な汚染のソースをもたらすことになる。
に反応ガスから蒸着させるエピタキシャル層を最適にす
るために、周期的にガス注入ジェットをエイミング（ai
ming、ジェットの照準を定めること）する必要がある。
ジェット・ポート・キャビティを手でクリーニングする
行為は、不注意でガス注入ジェットを動かすことがあ
り、そのために、頻繁に再エイミングをする必要があ
る。注入ジェットのエイミングの行為はジェット上の、
あるいはジェット・ポート・キャビティ内の付着物を剥
離することになり得、それにより、更にもう１つの潜在
的な汚染のソースをもたらすことになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の幾つかの目的
および特徴の中で特に着目すべきものは、エピタキシャ
ル・バレル・リアクターのジェット・ポート・キャビテ
ィから反応ガスをパージする方法および装置を提供する
こと；ガス注入ジェットおよびジェット・ポート・キャ
ビティから付着物を除去するために必要な停止時間を減
らす、そのような方法および装置を提供すること；ガス
注入ジェットおよびジェット・ポート・キャビティに対
する化学的攻撃の量を減らす、そのような方法および装
置を提供すること；ガス注入ジェットのエイミングの頻
度を減らす、そのような方法および装置を提供するこ
と；ならびに半導体ウェーハのエピタキシャル層の汚染
の量を減らす、そのような方法および装置を提供するこ
とである。
および特徴の中で特に着目すべきものは、エピタキシャ
ル・バレル・リアクターのジェット・ポート・キャビテ
ィから反応ガスをパージする方法および装置を提供する
こと；ガス注入ジェットおよびジェット・ポート・キャ
ビティから付着物を除去するために必要な停止時間を減
らす、そのような方法および装置を提供すること；ガス
注入ジェットおよびジェット・ポート・キャビティに対
する化学的攻撃の量を減らす、そのような方法および装
置を提供すること；ガス注入ジェットのエイミングの頻
度を減らす、そのような方法および装置を提供するこ
と；ならびに半導体ウェーハのエピタキシャル層の汚染
の量を減らす、そのような方法および装置を提供するこ
とである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】要約すると、本発明の装
置は、反応ガスを使用して化学蒸着（またはＣＶＤ）法
により半導体ウェーハ上に物質を付着（例えば蒸着）す
るための反応器である。この反応器は、シェル、反応ガ
ス供給システムおよびパージガス供給システムを有して
成る。この反応器のシェルは、少なくとも１つの半導体
ウェーハを受容する寸法の反応チャンバーを規定する。
このシェルは、反応チャンバー内に開口し、チャンバー
から離れるように延在するジェット・ポート・キャビテ
ィを有する。反応ガス供給システムは、反応チャンバー
内に反応ガスを供給するために、ジェット・ポート・キ
ャビティ内に配置されたガス注入ジェット、反応ガス・
ソースおよび反応ガス・ソースと注入ジェットとの間で
延在する反応ガスラインを有して成る。パージガス供給
システムは、反応ガス、空気および水蒸気（または湿
気）をキャビティからパージするためにジェット・ポー
ト・キャビティ内にパージガスを導くためにジェット・
ポート・キャビティ内に開口しているパージガス・ポー
ト、パージガス・ソースならびにパージガス・ソースか
らパージガス・ポートまでパージガスを供給するための
手段を含む。
置は、反応ガスを使用して化学蒸着（またはＣＶＤ）法
により半導体ウェーハ上に物質を付着（例えば蒸着）す
るための反応器である。この反応器は、シェル、反応ガ
ス供給システムおよびパージガス供給システムを有して
成る。この反応器のシェルは、少なくとも１つの半導体
ウェーハを受容する寸法の反応チャンバーを規定する。
このシェルは、反応チャンバー内に開口し、チャンバー
から離れるように延在するジェット・ポート・キャビテ
ィを有する。反応ガス供給システムは、反応チャンバー
内に反応ガスを供給するために、ジェット・ポート・キ
ャビティ内に配置されたガス注入ジェット、反応ガス・
ソースおよび反応ガス・ソースと注入ジェットとの間で
延在する反応ガスラインを有して成る。パージガス供給
システムは、反応ガス、空気および水蒸気（または湿
気）をキャビティからパージするためにジェット・ポー
ト・キャビティ内にパージガスを導くためにジェット・
ポート・キャビティ内に開口しているパージガス・ポー
ト、パージガス・ソースならびにパージガス・ソースか
らパージガス・ポートまでパージガスを供給するための
手段を含む。
【００１１】本発明の方法は、上述と同様の反応器にお
いて反応ガスを使用して化学蒸着（またはＣＶＤ）法を
使用して半導体ウェーハ上に物質を付着（または蒸着）
させるために使用する。この方法は、半導体ウェーハを
反応チャンバー内に挿入する工程および反応チャンバー
を封止する工程を含んで成る。反応ガスを封止された反
応チャンバー内に導入して半導体ウェーハ上に物質を付
着させる。反応ガスの流れを停止して、パージガスを反
応チャンバー内に導入して、反応ガスを反応チャンバー
からパージする（purge、例えば除去する、追い出すま
たは一掃する）。パージガスを導入する工程は、パージ
ガスをジェット・ポート・キャビティ内に導いて、反応
ガスをジェット・ポート・キャビティからパージする工
程を含む。パージされた反応チャンバーを開いて、ウェ
ーハを反応チャンバーから取り出す。
いて反応ガスを使用して化学蒸着（またはＣＶＤ）法を
使用して半導体ウェーハ上に物質を付着（または蒸着）
させるために使用する。この方法は、半導体ウェーハを
反応チャンバー内に挿入する工程および反応チャンバー
を封止する工程を含んで成る。反応ガスを封止された反
応チャンバー内に導入して半導体ウェーハ上に物質を付
着させる。反応ガスの流れを停止して、パージガスを反
応チャンバー内に導入して、反応ガスを反応チャンバー
からパージする（purge、例えば除去する、追い出すま
たは一掃する）。パージガスを導入する工程は、パージ
ガスをジェット・ポート・キャビティ内に導いて、反応
ガスをジェット・ポート・キャビティからパージする工
程を含む。パージされた反応チャンバーを開いて、ウェ
ーハを反応チャンバーから取り出す。
【００１２】本発明の他の目的および特徴は、この後、
部分的に明らかであり、また部分的に説明する。
部分的に明らかであり、また部分的に説明する。
【００１３】
【発明の実施の形態】図面（対応する引用符号は、図面
を通じて対応する部分を示す）、特に図１を参照する
と、全体を１０で示すバレル・リアクターは、その中で
サスセプター（susceptor、保持体）Ｓに保持された半
導体ウェーハＷ上にある物質（例えばシリコン（Ｓ
ｉ））を化学蒸着法により付着させる場合に使用するタ
イプのものである。バレル・リアクター１０は、シェル
１２、反応ガス供給システム１４およびパージガス供給
システム１６を含む。
を通じて対応する部分を示す）、特に図１を参照する
と、全体を１０で示すバレル・リアクターは、その中で
サスセプター（susceptor、保持体）Ｓに保持された半
導体ウェーハＷ上にある物質（例えばシリコン（Ｓ
ｉ））を化学蒸着法により付着させる場合に使用するタ
イプのものである。バレル・リアクター１０は、シェル
１２、反応ガス供給システム１４およびパージガス供給
システム１６を含む。
【００１４】図２に示すように、シェル１２は、反応チ
ャンバー２２を規定する石英反応チャンバー用ベッセル
２０、ガス・リング２４およびシール・プレート２６を
有して成る。反応チャンバー用ベッセル２０は開口頂部
３０を有し、また、反応チャンバー２２からガスを排出
するために、その底部にベントまたは排気口（またはポ
ート）３２（図１）を有する。排気ライン３６をベッセ
ル２０に接続するために排気口３２にフィッティング
（例えば継手）が配置されている。ガス・リング２４は
ステンレススチール製であり、反応チャンバー用ベッセ
ル２０に隣接してその上に配置されている。ガス・リン
グ２４は開口部４２を規定する内側表面４０を有し、ウ
ェーハＷを反応チャンバー２２に入れる、またはそこか
ら出す場合、この開口部をサスセプターＳに配置された
ウェーハＷが通過する。２つのジェット・ポート・キャ
ビティ４４ａおよび４４ｂ（図３）が反応チャンバー２
２内にある角度でガス・リング２４を通って延在してい
る。ガス・リング２４と反応チャンバー用ベッセル２０
との間の界面は、ガス・リング２４内に配置され、反応
チャンバー用ベッセル２０に封止的に係合するＯ−リン
グ４６（図２）により封止される。反応チャンバー用ベ
ッセル２０の開口頂部３０はシール・プレート２６によ
り閉じられ、このシール・プレートは、ウェーハＷを支
持するサスセプターＳの挿入および取り出しのためにベ
ッセルからシール・プレートを離している開放状態（図
示せず）、およびシール・プレートがガス・リング２４
に係合してベッセル２０の開口頂部３０を閉じて反応チ
ャンバー２２を周辺環境から隔離する閉鎖状態（図２）
から動かすことができる。シール・プレート２６は、回
転機構（図示せず）を収容する、シール・プレート上で
中央に配置された回転ハウジング４８（図１）を含む。
ウェーハＷを支持するサスセプターＳは、バレル・リア
クター１０の蒸着サイクルの間、サスセプターを回転さ
せるための回転機構から吊される。
ャンバー２２を規定する石英反応チャンバー用ベッセル
２０、ガス・リング２４およびシール・プレート２６を
有して成る。反応チャンバー用ベッセル２０は開口頂部
３０を有し、また、反応チャンバー２２からガスを排出
するために、その底部にベントまたは排気口（またはポ
ート）３２（図１）を有する。排気ライン３６をベッセ
ル２０に接続するために排気口３２にフィッティング
（例えば継手）が配置されている。ガス・リング２４は
ステンレススチール製であり、反応チャンバー用ベッセ
ル２０に隣接してその上に配置されている。ガス・リン
グ２４は開口部４２を規定する内側表面４０を有し、ウ
ェーハＷを反応チャンバー２２に入れる、またはそこか
ら出す場合、この開口部をサスセプターＳに配置された
ウェーハＷが通過する。２つのジェット・ポート・キャ
ビティ４４ａおよび４４ｂ（図３）が反応チャンバー２
２内にある角度でガス・リング２４を通って延在してい
る。ガス・リング２４と反応チャンバー用ベッセル２０
との間の界面は、ガス・リング２４内に配置され、反応
チャンバー用ベッセル２０に封止的に係合するＯ−リン
グ４６（図２）により封止される。反応チャンバー用ベ
ッセル２０の開口頂部３０はシール・プレート２６によ
り閉じられ、このシール・プレートは、ウェーハＷを支
持するサスセプターＳの挿入および取り出しのためにベ
ッセルからシール・プレートを離している開放状態（図
示せず）、およびシール・プレートがガス・リング２４
に係合してベッセル２０の開口頂部３０を閉じて反応チ
ャンバー２２を周辺環境から隔離する閉鎖状態（図２）
から動かすことができる。シール・プレート２６は、回
転機構（図示せず）を収容する、シール・プレート上で
中央に配置された回転ハウジング４８（図１）を含む。
ウェーハＷを支持するサスセプターＳは、バレル・リア
クター１０の蒸着サイクルの間、サスセプターを回転さ
せるための回転機構から吊される。
【００１５】図１および図３に示すように、反応ガス供
給システムは、ジェット・ポート・キャビティ４４ａお
よび４４ｂ内に配置されたガス注入ジェット５０ａおよ
び５０ｂ、反応ガスライン５２ａおよび５２ｂ、ならび
に反応ガスソース５４を含む。反応ガス（例えばＳｉＣ
ｌ4、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＨ2Ｃｌ2またはＳｉＨ4）はガ
スソース５４（即ち、ガス貯蔵タンク）内にすぐに使用
できるように貯蔵されている。反応ガスが必要である場
合、バルブ（図示せず）を開いて、反応ガスライン５２
ａおよび５２ｂを介してガスをそれぞれのガス注入ジェ
ット５０ａおよび５０ｂに、そして、反応チャンバー２
２内にガスが送られ、そこで、ガス中のシリコンが化学
蒸着によりウェーハＷ上に付着する。
給システムは、ジェット・ポート・キャビティ４４ａお
よび４４ｂ内に配置されたガス注入ジェット５０ａおよ
び５０ｂ、反応ガスライン５２ａおよび５２ｂ、ならび
に反応ガスソース５４を含む。反応ガス（例えばＳｉＣ
ｌ4、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＨ2Ｃｌ2またはＳｉＨ4）はガ
スソース５４（即ち、ガス貯蔵タンク）内にすぐに使用
できるように貯蔵されている。反応ガスが必要である場
合、バルブ（図示せず）を開いて、反応ガスライン５２
ａおよび５２ｂを介してガスをそれぞれのガス注入ジェ
ット５０ａおよび５０ｂに、そして、反応チャンバー２
２内にガスが送られ、そこで、ガス中のシリコンが化学
蒸着によりウェーハＷ上に付着する。
【００１６】各ガス注入ジェット５０ａおよび５０ｂ
は、注入ポート・ボディ５６ａおよび５６ｂ（図４およ
び図５）を有して成り、これは、ジェットをジェット・
ポート・キャビティ４４ａおよび４４ｂ内のネジ付き部
分にジェットを取り付けるための対になるネジ付き外側
部分を有する。Ｏ−リング５８ａおよび５８ｂが注入ポ
ート・ボディ５６ａおよび５６ｂとジェット・ポート・
キャビティ４４ａおよび４４ｂとの間で界面を封止する
ようにトラップ（拘束）されている。ガス・ポート・キ
ャップ６０ａおよび６０ｂが各注入ポート・ボディ５６
ａおよび５６ｂの外向き端部にネジ留めされ、もう１つ
のＯ−リング６２ａおよび６２ｂがこれらの界面を封止
する。各キャップ６０ａおよび６０ｂは、それぞれの反
応ガス供給ライン５２ａおよび５２ｂの継手６３ａおよ
び６３ｂとの接続のために、ネジ付き外側部分を有す
る。ボアまたは孔（bore）６４ａおよび６４ｂが各注入
ポート・ボディ５６ａおよび５６ｂを通過して延び、ス
プールまたは管（spool）６６ａおよび６６ｂが各ボア
内に装着されている。スプールの両端は、面取り部分
（chamfer）６８ａ、６８ｂ、６８ａ'および６８ｂ'を
有する。ノズル７２ａおよび７２ｂのボール状端部７０
ａおよび７０ｂは、内向き面取り部分６８ａおよび６８
ｂのそれぞれの内側に座し、その結果、ノズルはポート
・ボディ５６ａおよび５６ｂ内で回転して反応ガスが反
応チャンバーに入る方向を調節できる。ボア６４ａおよ
び６４ｂから内向きに環状フランジ７４ａおよび７４ｂ
が突出し、これらはノズル７２ａおよび７２ｂのボール
状端部７０ａおよび７０ｂを注入ポート・ボディのボア
６４ａおよび６４ｂ内に保持する。通路７６ａおよび７
６ｂがガス・ポート・キャップ６０ａおよび６０ｂから
それぞれのガス注入ジェット５０ａおよび５０ｂを経由
してノズル７２ａおよび７２ｂの先端部まで延び、反応
ガスを反応チャンバーに供給するようになっている。
は、注入ポート・ボディ５６ａおよび５６ｂ（図４およ
び図５）を有して成り、これは、ジェットをジェット・
ポート・キャビティ４４ａおよび４４ｂ内のネジ付き部
分にジェットを取り付けるための対になるネジ付き外側
部分を有する。Ｏ−リング５８ａおよび５８ｂが注入ポ
ート・ボディ５６ａおよび５６ｂとジェット・ポート・
キャビティ４４ａおよび４４ｂとの間で界面を封止する
ようにトラップ（拘束）されている。ガス・ポート・キ
ャップ６０ａおよび６０ｂが各注入ポート・ボディ５６
ａおよび５６ｂの外向き端部にネジ留めされ、もう１つ
のＯ−リング６２ａおよび６２ｂがこれらの界面を封止
する。各キャップ６０ａおよび６０ｂは、それぞれの反
応ガス供給ライン５２ａおよび５２ｂの継手６３ａおよ
び６３ｂとの接続のために、ネジ付き外側部分を有す
る。ボアまたは孔（bore）６４ａおよび６４ｂが各注入
ポート・ボディ５６ａおよび５６ｂを通過して延び、ス
プールまたは管（spool）６６ａおよび６６ｂが各ボア
内に装着されている。スプールの両端は、面取り部分
（chamfer）６８ａ、６８ｂ、６８ａ'および６８ｂ'を
有する。ノズル７２ａおよび７２ｂのボール状端部７０
ａおよび７０ｂは、内向き面取り部分６８ａおよび６８
ｂのそれぞれの内側に座し、その結果、ノズルはポート
・ボディ５６ａおよび５６ｂ内で回転して反応ガスが反
応チャンバーに入る方向を調節できる。ボア６４ａおよ
び６４ｂから内向きに環状フランジ７４ａおよび７４ｂ
が突出し、これらはノズル７２ａおよび７２ｂのボール
状端部７０ａおよび７０ｂを注入ポート・ボディのボア
６４ａおよび６４ｂ内に保持する。通路７６ａおよび７
６ｂがガス・ポート・キャップ６０ａおよび６０ｂから
それぞれのガス注入ジェット５０ａおよび５０ｂを経由
してノズル７２ａおよび７２ｂの先端部まで延び、反応
ガスを反応チャンバーに供給するようになっている。
【００１７】バレル・リアクター１０のパージガス・シ
ステム１６（図１）は、８２により一般的に示すパージ
ガス・ソースからバレル・リアクターまで延びる供給ラ
イン８０を含む。図１に模式的に示すように、供給ライ
ン８０は、２つのバッフル・パージライン８４ａおよび
８４ｂ、回転ハウジング・パージライン８６、シール・
プレート・パージライン８８、２つのガス注入ジェット
・パージライン９０ａおよび９０ｂおよび２つのジェッ
ト・ポート・キャビティ・パージライン９２ａおよび９
２ｂ（図４および図５）を含む幾つかのパージラインに
分岐している。これらのパージライン８４ａ〜９２ｂの
それぞれは、シール・プレート２６またはガス・リング
２４に接続されて、シール・プレートおよびガス・リン
グの種々の領域にパージガスを供給するようになってい
る。ガス注入ジェット・パージライン９０ａおよび９０
ｂは、反応ガス供給ライン５２ａおよび５２ｂにつなが
り、ある距離にわたり一緒に延びて、ガス注入ジェット
通路７６ａおよび７６ｂを介してパージガスを供給す
る。ガス注入ジェット・パージライン９０ａおよび９０
ｂまたは反応ガスライン５２ａおよび５２ｂをガス注入
ジェット５０ａおよび５０ｂに選択的に接続するように
バルブ（図示せず）を操作できる。
ステム１６（図１）は、８２により一般的に示すパージ
ガス・ソースからバレル・リアクターまで延びる供給ラ
イン８０を含む。図１に模式的に示すように、供給ライ
ン８０は、２つのバッフル・パージライン８４ａおよび
８４ｂ、回転ハウジング・パージライン８６、シール・
プレート・パージライン８８、２つのガス注入ジェット
・パージライン９０ａおよび９０ｂおよび２つのジェッ
ト・ポート・キャビティ・パージライン９２ａおよび９
２ｂ（図４および図５）を含む幾つかのパージラインに
分岐している。これらのパージライン８４ａ〜９２ｂの
それぞれは、シール・プレート２６またはガス・リング
２４に接続されて、シール・プレートおよびガス・リン
グの種々の領域にパージガスを供給するようになってい
る。ガス注入ジェット・パージライン９０ａおよび９０
ｂは、反応ガス供給ライン５２ａおよび５２ｂにつなが
り、ある距離にわたり一緒に延びて、ガス注入ジェット
通路７６ａおよび７６ｂを介してパージガスを供給す
る。ガス注入ジェット・パージライン９０ａおよび９０
ｂまたは反応ガスライン５２ａおよび５２ｂをガス注入
ジェット５０ａおよび５０ｂに選択的に接続するように
バルブ（図示せず）を操作できる。
【００１８】シール・プレート２６、ガス・リング２４
および反応チャンバー用ベッセル２０の一部分をシール
・プレートが閉じた状態で図２に示している。簡単のた
め、回転ハウジング４８、回転機構およびサスセプター
Ｓは図面から除外している。シール・プレート２６は、
中央開口部１００を有し、これを通ってサスセプターＳ
は回転機構に取り付けられる。シール・プレート２６は
内側環状通路１０２を有し、これに水を循環させてシー
ル・プレートを冷却する。同様の通路１０４がガス・リ
ング２４に形成され、ガス・リングの周囲で水を循環す
るようになっている。
および反応チャンバー用ベッセル２０の一部分をシール
・プレートが閉じた状態で図２に示している。簡単のた
め、回転ハウジング４８、回転機構およびサスセプター
Ｓは図面から除外している。シール・プレート２６は、
中央開口部１００を有し、これを通ってサスセプターＳ
は回転機構に取り付けられる。シール・プレート２６は
内側環状通路１０２を有し、これに水を循環させてシー
ル・プレートを冷却する。同様の通路１０４がガス・リ
ング２４に形成され、ガス・リングの周囲で水を循環す
るようになっている。
【００１９】石英バッフル・プレート１１０は、リップ
１１２を有し、これはシール・プレート２６にあるタブ
１１４（２つのみを図示）上に載置され、反応チャンバ
ー２２からシール・プレートをシールドする。石英バッ
フル・プレート１１０は、シール・プレート２６を実質
的に全部覆い、さもなければシール・プレートは反応チ
ャンバー２２のガスにさらされることになる。環状の外
側バッフル１１６は、バッフルプレートの周囲の内側の
位置にてバッフルプレート１１０からたれ下がり、環状
の内側バッフル１１８が、シール・プレートの中央開口
部１００とほぼそろって中央開口部１２０の周囲でバッ
フルプレートからたれ下がっている。内側バッフルプレ
ート１１８は、サスセプターＳを回転機構に接続するハ
ンガー（図示せず）を保護するのを助長する。同様に、
ガス・リング２４の内側表面４０は石英ライナー１２２
により覆われている。バッフルプレート１１０および石
英ライナー１２２は、ジェット・ポート・キャビティ４
４ａおよび４４ｂとほぼ整列した開口部（図示せず）を
有し、これを通して反応ガスが反応チャンバー２２内に
反応ガスライン５２ａおよび５２ｂから注入される。
１１２を有し、これはシール・プレート２６にあるタブ
１１４（２つのみを図示）上に載置され、反応チャンバ
ー２２からシール・プレートをシールドする。石英バッ
フル・プレート１１０は、シール・プレート２６を実質
的に全部覆い、さもなければシール・プレートは反応チ
ャンバー２２のガスにさらされることになる。環状の外
側バッフル１１６は、バッフルプレートの周囲の内側の
位置にてバッフルプレート１１０からたれ下がり、環状
の内側バッフル１１８が、シール・プレートの中央開口
部１００とほぼそろって中央開口部１２０の周囲でバッ
フルプレートからたれ下がっている。内側バッフルプレ
ート１１８は、サスセプターＳを回転機構に接続するハ
ンガー（図示せず）を保護するのを助長する。同様に、
ガス・リング２４の内側表面４０は石英ライナー１２２
により覆われている。バッフルプレート１１０および石
英ライナー１２２は、ジェット・ポート・キャビティ４
４ａおよび４４ｂとほぼ整列した開口部（図示せず）を
有し、これを通して反応ガスが反応チャンバー２２内に
反応ガスライン５２ａおよび５２ｂから注入される。
【００２０】バッフル・パージライン８４ａおよび８４
ｂは外側バッフル１１６と石英ライナー１１８との間の
空間にパージガスを供給して、その空間をパージする。
回転ハウジング・パージガスライン８６は、回転ハウジ
ング４８にパージガスを供給し、パージガスは内側バッ
フル１１８を通って下降する。シール・プレート・パー
ジライン８８はガス・リング２４とシール・プレート２
６との間の位置にパージガスを供給してその間の空間を
パージする。
ｂは外側バッフル１１６と石英ライナー１１８との間の
空間にパージガスを供給して、その空間をパージする。
回転ハウジング・パージガスライン８６は、回転ハウジ
ング４８にパージガスを供給し、パージガスは内側バッ
フル１１８を通って下降する。シール・プレート・パー
ジライン８８はガス・リング２４とシール・プレート２
６との間の位置にパージガスを供給してその間の空間を
パージする。
【００２１】図２および図３を参照すると、シール・プ
レート２６は環状表面１３０を有し、これは、シール・
プレートがその閉じた状態（図２）にある場合、ガス・
リング２４の対応する表面１３２の上に位置する。シー
ル・プレート２６にある対の同心状の環状チャンネル１
３４ａおよび１３４ｂがＯ−リング１３６ａおよび１３
６ｂを含み、これらは、シール・プレートが閉じた状態
にあってガス・リングと共にシールを形成して反応チャ
ンバー２２を周辺環境から隔離する場合、ガス・リング
２２の環状表面１３２に係合する。Ｏ−リング１３６ａ
および１３６ｂの間でガス・リング２４にあるチャンネ
ル１３８をポンプ減圧して、Ｏ−リングシールの漏れを
検知するために使用できる。シール・プレート２６は環
状溝１４０を有し、これは、内側Ｏ−リングチャンネル
１３４ｂから半径内側方向に位置して、それと同心状で
ある。シール・プレート・パージライン８８は環状溝１
４０に開口して溝にパージガスを供給する。環状溝１４
０に供給されるパージガスは、反応チャンバー２２内に
漏れ出て、最終的には、反応チャンバー用ベッセル２０
の底部においてポート３２を通って排出される。
レート２６は環状表面１３０を有し、これは、シール・
プレートがその閉じた状態（図２）にある場合、ガス・
リング２４の対応する表面１３２の上に位置する。シー
ル・プレート２６にある対の同心状の環状チャンネル１
３４ａおよび１３４ｂがＯ−リング１３６ａおよび１３
６ｂを含み、これらは、シール・プレートが閉じた状態
にあってガス・リングと共にシールを形成して反応チャ
ンバー２２を周辺環境から隔離する場合、ガス・リング
２２の環状表面１３２に係合する。Ｏ−リング１３６ａ
および１３６ｂの間でガス・リング２４にあるチャンネ
ル１３８をポンプ減圧して、Ｏ−リングシールの漏れを
検知するために使用できる。シール・プレート２６は環
状溝１４０を有し、これは、内側Ｏ−リングチャンネル
１３４ｂから半径内側方向に位置して、それと同心状で
ある。シール・プレート・パージライン８８は環状溝１
４０に開口して溝にパージガスを供給する。環状溝１４
０に供給されるパージガスは、反応チャンバー２２内に
漏れ出て、最終的には、反応チャンバー用ベッセル２０
の底部においてポート３２を通って排出される。
【００２２】図１は、ガス注入ジェット・パージライン
９０ａおよび９０ｂがパージガスをガス注入ジェット５
０ａおよび５０ｂに供給して、ガス注入ジェットの内側
通路７６ａおよび７６ｂから反応ガスをパージするのを
模式的に示す。ガス注入ジェットに供給されるパージガ
スは、反応チャンバー２２に入り、チャンバーの底部に
て排気ポート３２を通って排出される。
９０ａおよび９０ｂがパージガスをガス注入ジェット５
０ａおよび５０ｂに供給して、ガス注入ジェットの内側
通路７６ａおよび７６ｂから反応ガスをパージするのを
模式的に示す。ガス注入ジェットに供給されるパージガ
スは、反応チャンバー２２に入り、チャンバーの底部に
て排気ポート３２を通って排出される。
【００２３】図４および図５に示す最も好ましい態様で
は、パージガス・ポート１５０ａおよび１５０ｂがリン
グの外部表面１５２からジェット・ポート・キャビティ
４４ａおよび４４ｂまでガス・リング２４を通過して斜
めに延びる。ポート１５０ａおよび１５０ｂは、ジェッ
ト・ポート・キャビティ４４ａおよび４４ｂに斜めに入
るが、ポートはキャビティに垂直に入ってよく、これ
は、本発明の概念から逸脱するものではない。ジェット
・ポート・キャビティ・パージライン９２ａおよび９２
ｂはパージガスソース８２からジェット・ポート・キャ
ビティ４４ａおよび４４ｂにパージガスを移送し、キャ
ビティ内から、またガス注入ジェット５０ａおよび５０
ｂの周囲から反応ガスをパージする（例えば一掃す
る）。
は、パージガス・ポート１５０ａおよび１５０ｂがリン
グの外部表面１５２からジェット・ポート・キャビティ
４４ａおよび４４ｂまでガス・リング２４を通過して斜
めに延びる。ポート１５０ａおよび１５０ｂは、ジェッ
ト・ポート・キャビティ４４ａおよび４４ｂに斜めに入
るが、ポートはキャビティに垂直に入ってよく、これ
は、本発明の概念から逸脱するものではない。ジェット
・ポート・キャビティ・パージライン９２ａおよび９２
ｂはパージガスソース８２からジェット・ポート・キャ
ビティ４４ａおよび４４ｂにパージガスを移送し、キャ
ビティ内から、またガス注入ジェット５０ａおよび５０
ｂの周囲から反応ガスをパージする（例えば一掃す
る）。
【００２４】従来の反応器（図示せず）では、ジェット
・ポート・キャビティ内にパージガスを導く構造が無
く、ジェット・ポート・キャビティ内に、また、ガス注
入ジェット５０ａおよび５０ｂの外側表面に実質量のＳ
ｉＯ2が蓄積することが見いだされた。しかしながら、
本発明のパージガス移送システム１６によりジェット・
ポート・キャビティ４４ａおよび４４ｂにパージガスを
導くことにより、反応ガスが反応チャンバー２２に入る
前に、より多くの酸素および水が、キャビティおよびガ
ス注入ジェット５０ａおよび５０ｂの外部から除去され
る。更に、蒸着サイクルの後にパージガスをジェット・
ポート・キャビティ４４ａおよび４４ｂに導くことによ
り、より多くの反応ガスが、反応チャンバー２２を開く
前に、キャビティおよびガス注入ジェット５０ａおよび
５０ｂの外部から除去されることになる。
・ポート・キャビティ内にパージガスを導く構造が無
く、ジェット・ポート・キャビティ内に、また、ガス注
入ジェット５０ａおよび５０ｂの外側表面に実質量のＳ
ｉＯ2が蓄積することが見いだされた。しかしながら、
本発明のパージガス移送システム１６によりジェット・
ポート・キャビティ４４ａおよび４４ｂにパージガスを
導くことにより、反応ガスが反応チャンバー２２に入る
前に、より多くの酸素および水が、キャビティおよびガ
ス注入ジェット５０ａおよび５０ｂの外部から除去され
る。更に、蒸着サイクルの後にパージガスをジェット・
ポート・キャビティ４４ａおよび４４ｂに導くことによ
り、より多くの反応ガスが、反応チャンバー２２を開く
前に、キャビティおよびガス注入ジェット５０ａおよび
５０ｂの外部から除去されることになる。
【００２５】図６に示すもう１つの態様において、４つ
のパージガス・ポート（３つだけ（１６０ａ、１６０
ａ’および１６０ａ”）を示す）がノズル７２ａの外側
表面１６２ａの周囲で角度的に同じ間隔を隔てて離れて
いる。ポート１６０ａ、１６０ａ’および１６０ａ”は
ノズル通路７６ａからノズルの外側表面１６２ａまで半
径外向きに延在する。この態様では、ガス注入ジェット
・パージライン９０ａを通ってノズル７２ａに送られる
パージガスは、通路７６ａを通って、また、パージガス
・ポート１６０ａ、１６０ａ’および１６０ａ”を通っ
て外向きに、そして、ジェット・ポート・キャビティ４
４ａ内にキャビティの側面１６４ａに向けて送られるこ
とにより、ジェット・ポート・キャビティ４４ａをパー
ジする。ジェット・ポート・キャビティ・パージライン
９２ａおよび９２ｂならびにパージガス・ポート１５０
ａおよび１５０ｂは、この第２の態様から省略されてい
る。図６に示す態様のパージガス・ポート１６０ａ、１
６０ａ’および１６０ａ”は、ノズル通路７６ａを通過
するガスの流れに対して垂直方向にジェット・ポート・
キャビティ４４ａに入るが、ポートはノズル通路に対し
て斜めに向いていてもよく、これも本発明の概念から逸
脱するものではない。ジェット・ポート・キャビティ・
ライン９２ａおよび９２ｂならびにパージガス・ポート
１５０ａおよび１５０ｂをパージガス・ポート１６０
ａ、１６０ａ’および１６０ａ”と組み合わせて使用で
きることも考えられる。
のパージガス・ポート（３つだけ（１６０ａ、１６０
ａ’および１６０ａ”）を示す）がノズル７２ａの外側
表面１６２ａの周囲で角度的に同じ間隔を隔てて離れて
いる。ポート１６０ａ、１６０ａ’および１６０ａ”は
ノズル通路７６ａからノズルの外側表面１６２ａまで半
径外向きに延在する。この態様では、ガス注入ジェット
・パージライン９０ａを通ってノズル７２ａに送られる
パージガスは、通路７６ａを通って、また、パージガス
・ポート１６０ａ、１６０ａ’および１６０ａ”を通っ
て外向きに、そして、ジェット・ポート・キャビティ４
４ａ内にキャビティの側面１６４ａに向けて送られるこ
とにより、ジェット・ポート・キャビティ４４ａをパー
ジする。ジェット・ポート・キャビティ・パージライン
９２ａおよび９２ｂならびにパージガス・ポート１５０
ａおよび１５０ｂは、この第２の態様から省略されてい
る。図６に示す態様のパージガス・ポート１６０ａ、１
６０ａ’および１６０ａ”は、ノズル通路７６ａを通過
するガスの流れに対して垂直方向にジェット・ポート・
キャビティ４４ａに入るが、ポートはノズル通路に対し
て斜めに向いていてもよく、これも本発明の概念から逸
脱するものではない。ジェット・ポート・キャビティ・
ライン９２ａおよび９２ｂならびにパージガス・ポート
１５０ａおよび１５０ｂをパージガス・ポート１６０
ａ、１６０ａ’および１６０ａ”と組み合わせて使用で
きることも考えられる。
【００２６】バレル・リアクター１０の一般的な操作は
当業者には周知である。シール・プレートを開いた状態
にして、ウェーハＷを支持するサスセプターＳをシール
・プレート２６の上にある回転機構から吊す。次に、シ
ール・プレート２６を下げて、ガス・リング２４と封止
係合させて、ウェーハＷを反応チャンバー２２内に配置
して、シール・プレートのＯ−リング１３６ａおよび１
３６ｂをガス・リング２４と係合させることによりチャ
ンバーを周辺環境からシールする。パージガスをパージ
ガスソース８２から供給ライン８０を通して個々のパー
ジガスライン８４ａ〜９２ｂに供給して、反応チャンバ
ー２２から酸素および水蒸気をパージする。好ましい態
様の２つのパージガス（窒素および水素）の好ましいシ
ーケンスを先に説明したが、これは、当業者には周知で
ある。反応チャンバー２２を十分にパージした後、反応
ガスを注入ライン５２ａおよび５２ｂを通してガス注入
ジェット５０ａおよび５０ｂへ、ノズル７２ａおよび７
２ｂを出て、反応チャンバー２２内へ送り、ガスにより
輸送されるシリコンを層状にウェーハ上に蒸着する。パ
ージガスは、蒸着サイクルの間、ライン８４ａ〜８８、
９２ａおよび９２ｂの幾つかを通して連続的に流してよ
く、反応チャンバー２２の幾らかの領域（例えば外側バ
ッフル１１６と石英ライナー１１８の間の空間）から反
応ガスをそらせることができる。蒸着サイクルの終了
時、反応ガスの流れを停止するが、パージガスは各パー
ジガスライン８４ａ〜９２ｂを通して送り、反応チャン
バー２２から反応ガスをパージする。
当業者には周知である。シール・プレートを開いた状態
にして、ウェーハＷを支持するサスセプターＳをシール
・プレート２６の上にある回転機構から吊す。次に、シ
ール・プレート２６を下げて、ガス・リング２４と封止
係合させて、ウェーハＷを反応チャンバー２２内に配置
して、シール・プレートのＯ−リング１３６ａおよび１
３６ｂをガス・リング２４と係合させることによりチャ
ンバーを周辺環境からシールする。パージガスをパージ
ガスソース８２から供給ライン８０を通して個々のパー
ジガスライン８４ａ〜９２ｂに供給して、反応チャンバ
ー２２から酸素および水蒸気をパージする。好ましい態
様の２つのパージガス（窒素および水素）の好ましいシ
ーケンスを先に説明したが、これは、当業者には周知で
ある。反応チャンバー２２を十分にパージした後、反応
ガスを注入ライン５２ａおよび５２ｂを通してガス注入
ジェット５０ａおよび５０ｂへ、ノズル７２ａおよび７
２ｂを出て、反応チャンバー２２内へ送り、ガスにより
輸送されるシリコンを層状にウェーハ上に蒸着する。パ
ージガスは、蒸着サイクルの間、ライン８４ａ〜８８、
９２ａおよび９２ｂの幾つかを通して連続的に流してよ
く、反応チャンバー２２の幾らかの領域（例えば外側バ
ッフル１１６と石英ライナー１１８の間の空間）から反
応ガスをそらせることができる。蒸着サイクルの終了
時、反応ガスの流れを停止するが、パージガスは各パー
ジガスライン８４ａ〜９２ｂを通して送り、反応チャン
バー２２から反応ガスをパージする。
【００２７】このように、本発明の幾つかの目的は、バ
レル・リアクター１０のジェット・ポート・キャビティ
４４ａおよび４４ｂをパージする上述の装置および方法
により達成される。半導体ウェーハＷ上に付着する層に
金属および粒状物の汚染物質が存在することは大幅に減
少する。ジェット・ポート・キャビティ４４ａおよび４
４ｂならびにガス注入ジェット５０ａおよび５０ｂはよ
り十分にパージされ、従って、従来のように頻繁に清掃
をする必要がなくなる。更に、清掃はドライクロス（dr
y cloth）を用いて実施でき、従って、清掃工程におい
てキャビティまたはジェットに水が導入されることはな
い。従って、バレル・リアクター１０は、ＳｉＯ2付着
物を清掃するためのシャットダウンを実施することな
く、より長い期間運転することができ、それによりウェ
ーハの処理量が増える。更に、ガス注入ジェットおよび
ジェット・ポート・キャビティに対する化学的攻撃（ch
emical attack）が本発明の方法および装置により減少
する。また、ＳｉＯ2付着物の除去の必要性が減少する
ので、手動清掃操作の間に不用意にガス注入ジェットを
動かす機会が減り、本発明により注入ジェットのエイミ
ングの頻度も減少する。
レル・リアクター１０のジェット・ポート・キャビティ
４４ａおよび４４ｂをパージする上述の装置および方法
により達成される。半導体ウェーハＷ上に付着する層に
金属および粒状物の汚染物質が存在することは大幅に減
少する。ジェット・ポート・キャビティ４４ａおよび４
４ｂならびにガス注入ジェット５０ａおよび５０ｂはよ
り十分にパージされ、従って、従来のように頻繁に清掃
をする必要がなくなる。更に、清掃はドライクロス（dr
y cloth）を用いて実施でき、従って、清掃工程におい
てキャビティまたはジェットに水が導入されることはな
い。従って、バレル・リアクター１０は、ＳｉＯ2付着
物を清掃するためのシャットダウンを実施することな
く、より長い期間運転することができ、それによりウェ
ーハの処理量が増える。更に、ガス注入ジェットおよび
ジェット・ポート・キャビティに対する化学的攻撃（ch
emical attack）が本発明の方法および装置により減少
する。また、ＳｉＯ2付着物の除去の必要性が減少する
ので、手動清掃操作の間に不用意にガス注入ジェットを
動かす機会が減り、本発明により注入ジェットのエイミ
ングの頻度も減少する。
【００２８】上述の内容に鑑み、本発明の幾つかの目的
が達成され、他の有利な結果が得られることが理解され
よう。上述の態様において、本発明の範囲から逸脱する
ことなく、種々の変更をすることができるので、上述の
説明または添付図面に示した全ての事項は、例示的なも
のであり、限定的なことを意図するものではないと解釈
すべきである。
が達成され、他の有利な結果が得られることが理解され
よう。上述の態様において、本発明の範囲から逸脱する
ことなく、種々の変更をすることができるので、上述の
説明または添付図面に示した全ての事項は、例示的なも
のであり、限定的なことを意図するものではないと解釈
すべきである。
【図１】 図１は、バレル・リアクターの簡素化模式図
であり、パージガスおよび反応ガス供給システムを示
す。
であり、パージガスおよび反応ガス供給システムを示
す。
【図２】 図２は、簡単のためにパーツを省略したバレ
ル・リアクターの部分断面図である。
ル・リアクターの部分断面図である。
【図３】 図３は、反応器のガス・リングおよびガス注
入ジェットの模式的上面図である。
入ジェットの模式的上面図である。
【図４】 図４は、１つのジェット・ポート・キャビテ
ィおよびノズルを示した、ガス・リングの拡大部分断面
図である。
ィおよびノズルを示した、ガス・リングの拡大部分断面
図である。
【図５】 図５は、もう１つのジェット・ポート・キャ
ビティおよびノズルを示した、ガス・リングの拡大部分
断面図である。
ビティおよびノズルを示した、ガス・リングの拡大部分
断面図である。
【図６】 図６は、パージガス・ポートのもう１つの態
様を示す、ガス・リングの拡大部分断面図である。
様を示す、ガス・リングの拡大部分断面図である。
１０…バレル・リアクター、１２…シェル、１６…パー
ジガス・システム、２０…反応チャンバー用ベッセル、
２２…反応チャンバー、２４…ガス・リング、２６…シ
ール・プレート、３０…開口頂部、３２…ベント、３６
…排気ライン、４０…内側表面、４２…開口部、４４
ａ、４４ｂ…ジェット・ポート・キャビティ、４６…Ｏ
−リング、４８…回転ハウジング、５０ａ、５０ｂ…ガ
ス注入ジェット、５２ａ、５２ｂ…反応ガス供給ライ
ン、５４…ガスソース、５６ａ、５６ｂ…注入ポート・
ボディ、５８ａ、５８ｂ…Ｏ−リング、６０ａ、６０ｂ
…ガス・ポート・キャップ、６２ａ、６２ｂ…Ｏ−リン
グ、６３ａ、６３ｂ…継手、６４ａ、６４ｂ…ボア、６
６ａ、６６ｂ…スプール、６８ａ、６８ｂ、６８ａ’、
６８ｂ’…面取り部分、７０ａ、７０ｂ…ボール状端
部、７２ａ、７２ｂ…ノズル、７４ａ、７４ｂ…環状フ
ランジ、７６ａ、７６ｂ…ガス注入ジェット通路、８０
…供給ライン、８２…パージガスソース、８４ａ、８４
ｂ…バッフル・パージライン、８６…回転ハウジング・
パージガスライン、８８…シール・プレート・パージラ
イン、９０ａ、９０ｂ…ガス注入ジェット・パージライ
ン、９２ａ、９２ｂ…ジェット・ポート・キャビティ・
パージライン、１００…中央開口部、１０２…内側環状
通路、１０４…通路、１１０…バッフル・プレート、１
１２…リップ、１１４…タブ、１１６…外側バッフル、
１１８…内側バッフル、石英ライナー、１２０…中央開
口部、１２２…石英ライナー、１３０、１３２…環状表
面、１３４ａ、１３４ｂ…環状チャンネル、１３６ａ、
１３６ｂ…Ｏ−リング、１３８…チャンネル、１４０…
環状溝、１５０ａ、１５０ｂ…パージガス・ポート、１
５２…外部表面、１６０ａ、１６０ａ’、１６０ａ”…
パージガス・ポート、１６２ａ…外側表面、１６４ａ…
側面。
ジガス・システム、２０…反応チャンバー用ベッセル、
２２…反応チャンバー、２４…ガス・リング、２６…シ
ール・プレート、３０…開口頂部、３２…ベント、３６
…排気ライン、４０…内側表面、４２…開口部、４４
ａ、４４ｂ…ジェット・ポート・キャビティ、４６…Ｏ
−リング、４８…回転ハウジング、５０ａ、５０ｂ…ガ
ス注入ジェット、５２ａ、５２ｂ…反応ガス供給ライ
ン、５４…ガスソース、５６ａ、５６ｂ…注入ポート・
ボディ、５８ａ、５８ｂ…Ｏ−リング、６０ａ、６０ｂ
…ガス・ポート・キャップ、６２ａ、６２ｂ…Ｏ−リン
グ、６３ａ、６３ｂ…継手、６４ａ、６４ｂ…ボア、６
６ａ、６６ｂ…スプール、６８ａ、６８ｂ、６８ａ’、
６８ｂ’…面取り部分、７０ａ、７０ｂ…ボール状端
部、７２ａ、７２ｂ…ノズル、７４ａ、７４ｂ…環状フ
ランジ、７６ａ、７６ｂ…ガス注入ジェット通路、８０
…供給ライン、８２…パージガスソース、８４ａ、８４
ｂ…バッフル・パージライン、８６…回転ハウジング・
パージガスライン、８８…シール・プレート・パージラ
イン、９０ａ、９０ｂ…ガス注入ジェット・パージライ
ン、９２ａ、９２ｂ…ジェット・ポート・キャビティ・
パージライン、１００…中央開口部、１０２…内側環状
通路、１０４…通路、１１０…バッフル・プレート、１
１２…リップ、１１４…タブ、１１６…外側バッフル、
１１８…内側バッフル、石英ライナー、１２０…中央開
口部、１２２…石英ライナー、１３０、１３２…環状表
面、１３４ａ、１３４ｂ…環状チャンネル、１３６ａ、
１３６ｂ…Ｏ−リング、１３８…チャンネル、１４０…
環状溝、１５０ａ、１５０ｂ…パージガス・ポート、１
５２…外部表面、１６０ａ、１６０ａ’、１６０ａ”…
パージガス・ポート、１６２ａ…外側表面、１６４ａ…
側面。
Claims (3)
- 【請求項１】 反応ガスを使用して化学蒸着法により物
質を半導体ウェーハに付着させるための反応器であっ
て、 少なくとも１つの半導体ウェーハを受容する寸法の反応
チャンバーを規定し、該反応チャンバー内に開口して反
応チャンバーから離れるように延在するジェット・ポー
ト・キャビティを有するシェル、 反応チャンバーに反応ガスを送るための反応ガス供給シ
ステムであって、 （ａ）反応チャンバー内に反応ガスを導くためにジェッ
ト・ポート・キャビティ内に配置されたノズル、 （ｂ）反応チャンバー内にノズルを介して反応ガスを導
く前に、反応ガスを貯蔵するための反応ガスソース、お
よび （ｃ）反応ガスソースと反応ガスを供給するノズルとの
間でノズルまで延在する反応ガスラインを有して成るシ
ステム、ならびに （ａ）ジェット・ポート・キャビティ内にパージガスを
導いて、該キャビティ内から反応ガスをパージするため
に該ジェット・ポート・キャビティ内に開口しているパ
ージガス・ポート、 （ｂ）パージガス・ポートを介してパージガスをジェッ
ト・ポート・キャビティ内に導く前に、パージガスを貯
蔵するパージガス・ソース、および （ｃ）ジェット・ポート・キャビティをパージするため
に、パージガス・ソースからパージガス・ポートにパー
ジガスを送るための手段を有して成るパージガス供給シ
ステムを有して成る反応器。 - 【請求項２】 パージガス・ポートは該ノズルに配置さ
れ、ジェット・ポート・キャビティの側面に向かってい
る請求項１記載の反応器。 - 【請求項３】 パージガス・ポートはキャビティの側面
に配置されている請求項１記載の反応器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/582,650 US5746834A (en) | 1996-01-04 | 1996-01-04 | Method and apparatus for purging barrel reactors |
| US08/582650 | 1996-01-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199435A true JPH09199435A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=24329947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8347343A Withdrawn JPH09199435A (ja) | 1996-01-04 | 1996-12-26 | 反応器 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5746834A (ja) |
| EP (1) | EP0783041B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09199435A (ja) |
| KR (1) | KR970060366A (ja) |
| CN (1) | CN1158493A (ja) |
| DE (1) | DE69606969T2 (ja) |
| MY (1) | MY115858A (ja) |
| SG (1) | SG90016A1 (ja) |
| TW (1) | TW444261B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013512170A (ja) * | 2009-11-25 | 2013-04-11 | ダイナテック エンジニアリング エーエス | シリコンの生産のための反応器および方法 |
| JP2013149753A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置の清浄度評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2015035460A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US9793116B2 (en) | 2011-09-26 | 2017-10-17 | Dynatec Engineering As | Reactor and method for production of silicon by chemical vapor deposition |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5932013A (en) * | 1997-04-23 | 1999-08-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus for cleaning a semiconductor processing tool |
| US5846330A (en) * | 1997-06-26 | 1998-12-08 | Celestech, Inc. | Gas injection disc assembly for CVD applications |
| US6475284B1 (en) | 1999-09-20 | 2002-11-05 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas dispersion head |
| US6799603B1 (en) | 1999-09-20 | 2004-10-05 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas flow controller system |
| US6328221B1 (en) | 2000-02-09 | 2001-12-11 | Moore Epitaxial, Inc. | Method for controlling a gas injector in a semiconductor processing reactor |
| US6347749B1 (en) | 2000-02-09 | 2002-02-19 | Moore Epitaxial, Inc. | Semiconductor processing reactor controllable gas jet assembly |
| US6738683B1 (en) * | 2000-09-05 | 2004-05-18 | Cxe Equipment Services, Llc | Apparatus and method for cleaning a bell jar in a barrel epitaxial reactor |
| US6390394B1 (en) * | 2000-12-04 | 2002-05-21 | Industrial Technology Research Institute | Nozzle and adjust module |
| US7378127B2 (en) * | 2001-03-13 | 2008-05-27 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods |
| US6758909B2 (en) * | 2001-06-05 | 2004-07-06 | Honeywell International Inc. | Gas port sealing for CVD/CVI furnace hearth plates |
| KR20030002070A (ko) * | 2001-06-30 | 2003-01-08 | 삼성전자 주식회사 | 원심력을 이용한 비점착 웨이퍼 건조방법 및 장치 |
| US7229666B2 (en) * | 2002-01-22 | 2007-06-12 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition method |
| US6787185B2 (en) | 2002-02-25 | 2004-09-07 | Micron Technology, Inc. | Deposition methods for improved delivery of metastable species |
| US7468104B2 (en) * | 2002-05-17 | 2008-12-23 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus and deposition method |
| US6887521B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-05-03 | Micron Technology, Inc. | Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices |
| TW200508413A (en) * | 2003-08-06 | 2005-03-01 | Ulvac Inc | Device and method for manufacturing thin films |
| US7384486B2 (en) * | 2004-03-26 | 2008-06-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chamber cleaning method |
| US7794667B2 (en) * | 2005-10-19 | 2010-09-14 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas ring and method of processing substrates |
| US8137463B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-03-20 | Applied Materials, Inc. | Dual zone gas injection nozzle |
| US8298338B2 (en) * | 2007-12-26 | 2012-10-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| CN103240233A (zh) * | 2012-02-01 | 2013-08-14 | 上海科秉电子科技有限公司 | 一种用于内遮蔽挡板的洗净方法 |
| WO2014163742A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-10-09 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas injection assembly with azimuthal and radial distribution control |
| US20220307129A1 (en) * | 2021-03-23 | 2022-09-29 | Applied Materials, Inc. | Cleaning assemblies for substrate processing chambers |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4147571A (en) * | 1977-07-11 | 1979-04-03 | Hewlett-Packard Company | Method for vapor epitaxial deposition of III/V materials utilizing organometallic compounds and a halogen or halide in a hot wall system |
| DE3326043A1 (de) * | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Licentia Gmbh | Verfahren zur herstellung eines aerosolstromes und dessen verwendung |
| US4632060A (en) * | 1984-03-12 | 1986-12-30 | Toshiba Machine Co. Ltd | Barrel type of epitaxial vapor phase growing apparatus |
| JPS61143579A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-07-01 | Nachi Fujikoshi Corp | プラズマイオン供給方法 |
| JPS61156270A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Ricoh Co Ltd | 両面複写機における定着温度制御方法 |
| US4728389A (en) * | 1985-05-20 | 1988-03-01 | Applied Materials, Inc. | Particulate-free epitaxial process |
| JPS62136871A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | Canon Inc | 光センサ−、その製造方法及びその製造装置 |
| JPS62261119A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Sony Corp | 気相成長方法及びその装置 |
| FR2599558B1 (fr) * | 1986-05-27 | 1988-09-02 | Labo Electronique Physique | Procede de realisation d'un dispositif semi-conducteur, incluant le depot en phase vapeur de couches sur un substrat |
| US5000113A (en) * | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
| US4854263B1 (en) * | 1987-08-14 | 1997-06-17 | Applied Materials Inc | Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films |
| US5160545A (en) * | 1989-02-03 | 1992-11-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for epitaxial deposition |
| JPH02222134A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-04 | Nobuo Mikoshiba | 薄膜形成装置 |
| US4928626A (en) * | 1989-05-19 | 1990-05-29 | Applied Materials, Inc. | Reactant gas injection for IC processing |
| US5227708A (en) * | 1989-10-20 | 1993-07-13 | Applied Materials, Inc. | Two-axis magnetically coupled robot |
| JP2763222B2 (ja) * | 1991-12-13 | 1998-06-11 | 三菱電機株式会社 | 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置 |
| US5352636A (en) * | 1992-01-16 | 1994-10-04 | Applied Materials, Inc. | In situ method for cleaning silicon surface and forming layer thereon in same chamber |
| US5298107A (en) * | 1992-02-27 | 1994-03-29 | Applied Materials, Inc. | Processing method for growing thick films |
| JPH06291040A (ja) * | 1992-03-03 | 1994-10-18 | Rintetsuku:Kk | 液体気化供給方法と液体気化供給器 |
| US5316794A (en) * | 1992-12-11 | 1994-05-31 | Applied Materials, Inc. | Method for servicing vacuum chamber using non-reactive gas-filled maintenance enclosure |
| US5345999A (en) * | 1993-03-17 | 1994-09-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cooling semiconductor wafers |
| US5332443A (en) * | 1993-06-09 | 1994-07-26 | Applied Materials, Inc. | Lift fingers for substrate processing apparatus |
-
1996
- 1996-01-04 US US08/582,650 patent/US5746834A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-17 TW TW085112674A patent/TW444261B/zh active
- 1996-10-18 MY MYPI96004340A patent/MY115858A/en unknown
- 1996-11-05 EP EP96308007A patent/EP0783041B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-05 DE DE69606969T patent/DE69606969T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-29 KR KR1019960059990A patent/KR970060366A/ko active IP Right Grant
- 1996-12-10 CN CN96119772A patent/CN1158493A/zh active Pending
- 1996-12-26 JP JP8347343A patent/JPH09199435A/ja not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-01-03 SG SG9700276A patent/SG90016A1/en unknown
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013512170A (ja) * | 2009-11-25 | 2013-04-11 | ダイナテック エンジニアリング エーエス | シリコンの生産のための反応器および方法 |
| US9793116B2 (en) | 2011-09-26 | 2017-10-17 | Dynatec Engineering As | Reactor and method for production of silicon by chemical vapor deposition |
| JP2013149753A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置の清浄度評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2015035460A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG90016A1 (en) | 2002-07-23 |
| DE69606969T2 (de) | 2000-10-05 |
| MY115858A (en) | 2003-09-30 |
| TW444261B (en) | 2001-07-01 |
| KR970060366A (ko) | 1997-08-12 |
| EP0783041B1 (en) | 2000-03-08 |
| DE69606969D1 (de) | 2000-04-13 |
| EP0783041A1 (en) | 1997-07-09 |
| CN1158493A (zh) | 1997-09-03 |
| US5746834A (en) | 1998-05-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09199435A (ja) | 反応器 | |
| KR102538106B1 (ko) | 수직형 퍼니스용 라이너와 플랜지의 어셈블리 그리고 라이너 및 수직형 퍼니스 | |
| US5578132A (en) | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure | |
| TW552315B (en) | High throughput cold wall vapor deposition reactor and gas distribution system, and method of controlling gas flow in the reactor | |
| JP2763222B2 (ja) | 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置 | |
| US6117244A (en) | Deposition resistant lining for CVD chamber | |
| US20020106909A1 (en) | Silicon nitride film forming method, silicon nitride film forming system and silicon nitride film forming system precleaning method | |
| KR20000069146A (ko) | 화학 기상 증착 장치 | |
| JPH02138473A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP5477145B2 (ja) | 多結晶シリコン反応炉 | |
| GB2282825A (en) | Chemical vapour deposition apparatus | |
| TWI257461B (en) | Purgeable container for low vapor pressure chemicals | |
| TWI618115B (zh) | 基板處理裝置以及清洗腔室的方法 | |
| JP4600820B2 (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| EP0764726B1 (en) | Method for tuning barrel reactor purge system | |
| US5964948A (en) | Exhaust insert for barrel-type epitaxial reactors | |
| US5154773A (en) | Vapor phase epitaxial growth apparatus having exhaust unit for removing unwanted deposit | |
| JP3611780B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0574712A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JP2007067422A (ja) | 成膜処理装置及び成膜処理装置のクリーニング方法 | |
| KR950007542Y1 (ko) | 저압화학기상증착 반응로의 이물질 발생 방지장치 | |
| KR20140089167A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR200429542Y1 (ko) | 평면 패널 디스플레이 기판 처리용 플라즈마 처리 장치 | |
| JPH05251360A (ja) | 膜形成装置 | |
| JPH1192280A (ja) | シリコンエピタキシャル気相成長装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040302 |