JPS61143579A - プラズマイオン供給方法 - Google Patents
プラズマイオン供給方法Info
- Publication number
- JPS61143579A JPS61143579A JP59263977A JP26397784A JPS61143579A JP S61143579 A JPS61143579 A JP S61143579A JP 59263977 A JP59263977 A JP 59263977A JP 26397784 A JP26397784 A JP 26397784A JP S61143579 A JPS61143579 A JP S61143579A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hollow
- anode
- tube
- hollow tube
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、通常プラズマを用いる薄膜の気相合成（以後
プラズマＯＶＤという）方法に係り特に導入ガス体のイ
オン化効率を著しく大ならしめ、プラズマイオン反応を
積極的に可能にし、従来のコーティング方法では調整不
可能な化合物組成膜を得ることのできるプラズマイオン
の供給方法に関するものである。
プラズマＯＶＤという）方法に係り特に導入ガス体のイ
オン化効率を著しく大ならしめ、プラズマイオン反応を
積極的に可能にし、従来のコーティング方法では調整不
可能な化合物組成膜を得ることのできるプラズマイオン
の供給方法に関するものである。
（従来技術）
近年プラズマＣｖＤの手法として高周波容量結合放電型
、高周波誘導結合放電型、マイクロ波放電型直流平行平
板放電型及びそｎらの組み合せ型、マグネトロン併用型
等多数の方法が提案さｎている。一方従来からイオンプ
レーディング法による薄膜合成も盛んである。しかし従
来の各種方案ともガス体蒸発物質をいかに効率よくイオ
ン化せしめ、反応性を高めて膜合成を計るか検討さｎて
いるものであるが、こｎら従来の方式でのイオン化率は
通常４％から大きく見ても４０％程度であり、導入ガス
の反応性、反応物質の被処理物（以後基板という）との
密着性が不足している。
、高周波誘導結合放電型、マイクロ波放電型直流平行平
板放電型及びそｎらの組み合せ型、マグネトロン併用型
等多数の方法が提案さｎている。一方従来からイオンプ
レーディング法による薄膜合成も盛んである。しかし従
来の各種方案ともガス体蒸発物質をいかに効率よくイオ
ン化せしめ、反応性を高めて膜合成を計るか検討さｎて
いるものであるが、こｎら従来の方式でのイオン化率は
通常４％から大きく見ても４０％程度であり、導入ガス
の反応性、反応物質の被処理物（以後基板という）との
密着性が不足している。
しかも二つ以上の異種ガス（化合物ガス、金属蒸気をも
含む〕を同時に導入しイオン化を計る場合各元素毎に結
合、化合の様子が異なるためイオつ ン化Ｐ節が困難であるばかりでなく、導入ガス体の分解
すら不可能な場合が多い。従って生成さｎる膜材質に期
待する組成・構造を持たせることが非常に困難である。
含む〕を同時に導入しイオン化を計る場合各元素毎に結
合、化合の様子が異なるためイオつ ン化Ｐ節が困難であるばかりでなく、導入ガス体の分解
すら不可能な場合が多い。従って生成さｎる膜材質に期
待する組成・構造を持たせることが非常に困難である。
一般に生成された膜特性は、処理真空度、処理温度、イ
オン供給源からの不純物混入、真空チャンバー内残留不
純物元素の混入等処理条件によって著しく変化するため
、要求さｎる種々の膜合成に対応できていない。さらに
、例えば切削工具、金型等への薄膜コーティングの如く
、極めて高い被覆膜密着性を要求さｎる場合、従来方式
によるコーティングではイオン化率が低く、処理圧力上
の制限等により任意に改善することが非常に困難である
。
オン供給源からの不純物混入、真空チャンバー内残留不
純物元素の混入等処理条件によって著しく変化するため
、要求さｎる種々の膜合成に対応できていない。さらに
、例えば切削工具、金型等への薄膜コーティングの如く
、極めて高い被覆膜密着性を要求さｎる場合、従来方式
によるコーティングではイオン化率が低く、処理圧力上
の制限等により任意に改善することが非常に困難である
。
一方比較的イオン化率の高いイオン供給手段としてイオ
ン銃があり、イオン注入への応用が試みらｎているが、
現状では製造さｎているものは構造複雑で高電圧異常放
電の発生、熱陰極Ｐ工Ｇ（Ｐｅｎｎｉｎｇｉｏｎ１ｚａ
’ｅｉｏｎ ｇａｕｇｅ ： 熱フィラメントより電
子を発生させ、プラズマを形成する方式のもの）のよう
に熱陰極の使用寿命が短いこと、熱フイラメント等電子
供給補助手段が必要でフィラメントの真空蒸発による膜
材質の汚染、イオン供給量の不足等現状モはイオン銃の
プラズマＣＶＤあるいはイオンブレーティング等の膜合
成へ適応を可能にするには種々改良さ【なけｎばならな
い。
ン銃があり、イオン注入への応用が試みらｎているが、
現状では製造さｎているものは構造複雑で高電圧異常放
電の発生、熱陰極Ｐ工Ｇ（Ｐｅｎｎｉｎｇｉｏｎ１ｚａ
’ｅｉｏｎ ｇａｕｇｅ ： 熱フィラメントより電
子を発生させ、プラズマを形成する方式のもの）のよう
に熱陰極の使用寿命が短いこと、熱フイラメント等電子
供給補助手段が必要でフィラメントの真空蒸発による膜
材質の汚染、イオン供給量の不足等現状モはイオン銃の
プラズマＣＶＤあるいはイオンブレーティング等の膜合
成へ適応を可能にするには種々改良さ【なけｎばならな
い。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記問題点を検討し装置改良を積み重ねて発明
に致ったもので、前記導入ガス体のイオン化率不足に関
する問題、二つ以上の異種ガス（化合物ガス、金属蒸気
等）のそｎぞｎのイオン化率向上と、イオン化の調節に
関する問題膜組成コントロールに関する問題、真空室、
イオン供給源から発生する膜汚染に関する問題、被覆膜
の基板との密着性に関する問題等の解決を計ることを目
的とする。
に致ったもので、前記導入ガス体のイオン化率不足に関
する問題、二つ以上の異種ガス（化合物ガス、金属蒸気
等）のそｎぞｎのイオン化率向上と、イオン化の調節に
関する問題膜組成コントロールに関する問題、真空室、
イオン供給源から発生する膜汚染に関する問題、被覆膜
の基板との密着性に関する問題等の解決を計ることを目
的とする。
さらに従来イオン注入に使用さｎているイオン銃の複雑
構造や高電圧に基づく異常現象の発生、寿命、イオン供
給量の不足等種々の問題点を検討し解決を計る。
構造や高電圧に基づく異常現象の発生、寿命、イオン供
給量の不足等種々の問題点を検討し解決を計る。
即ち本発明は合成しようとする目的元素を含むガス体を
比較的低い電圧で、著しく高いイオン化率、大イオン電
流を容易に得ることのできるイオン供給方法を提供し、
上記問題点を大幅に改善可能にした。
比較的低い電圧で、著しく高いイオン化率、大イオン電
流を容易に得ることのできるイオン供給方法を提供し、
上記問題点を大幅に改善可能にした。
（問題を解決するための手段）
本発明は放電室（以下真空チャンバーという〕内に設置
された中空管内にガス体を導入し、その中空管に直流陽
極電位を印加した中空管（以後正電位印加した中空管を
中空陽極放電管という〕を用い、導入ガスを励起し中空
陽極放電管より陽イオンとして引き出すことができるプ
ラズマイオン供給方法を提供し前記問題点の解決を計る
ものである。
された中空管内にガス体を導入し、その中空管に直流陽
極電位を印加した中空管（以後正電位印加した中空管を
中空陽極放電管という〕を用い、導入ガスを励起し中空
陽極放電管より陽イオンとして引き出すことができるプ
ラズマイオン供給方法を提供し前記問題点の解決を計る
ものである。
中空陽極放電管は円筒状あるいは多角形状でいずｎの形
状であｎ中空であｎば使用可能であり、導入ガス体真空
チャンバー内の真空度、真空チャンバー内周辺機器等の
状況に応じ形状に変化させ１； イオン化率の調整を行なうもので、その陽極電ミは５ｖ
〜３ＱＫＶの範囲で使用する。また複数のガス体を同時
に導入しイオン化を計ろうとする場合、各々陽極電位を
印加できる中空陽極放電管を複数個並用したり、１つの
中空管内に別の中空管を電気的絶縁を計りつつ配置した
陽極放電管構造を用いたジ、各種金属蒸気発生配置と並
用して使用することも可能にして前記様々の問題点解決
を計る。
状であｎ中空であｎば使用可能であり、導入ガス体真空
チャンバー内の真空度、真空チャンバー内周辺機器等の
状況に応じ形状に変化させ１； イオン化率の調整を行なうもので、その陽極電ミは５ｖ
〜３ＱＫＶの範囲で使用する。また複数のガス体を同時
に導入しイオン化を計ろうとする場合、各々陽極電位を
印加できる中空陽極放電管を複数個並用したり、１つの
中空管内に別の中空管を電気的絶縁を計りつつ配置した
陽極放電管構造を用いたジ、各種金属蒸気発生配置と並
用して使用することも可能にして前記様々の問題点解決
を計る。
また出来る限り構造簡素化を計り異常現象の発生を防止
し、イオン供給装置の寿命向上を可能にする。
し、イオン供給装置の寿命向上を可能にする。
（作 用）
本発明は第１図の装置を用いた場合を例にとｎば中空管
（１）にガス体を導入しその中空管に直流陽極電位を印
加し中空陽極放電を生ぜしめることにより導入ガス体を
励起し陽イオンを引き出すものであるが、その構成は、
中空管（１）に適当な直流陽極電位を印加することで、
真空中容易に発生し、存在し得る電子を引き寄せ放電を
開始させる。この場合の放電はアース電位に接続された
真空チャンバー（７）、あるいは中空陽極放電管に印加
さｎている直流陽極電位よりも低い陽極電位、アース電
位、あるいは陰極電位を印加したる基板（６）あるいは
基板台（５）との間において発生し持続さｎるものであ
る。
（１）にガス体を導入しその中空管に直流陽極電位を印
加し中空陽極放電を生ぜしめることにより導入ガス体を
励起し陽イオンを引き出すものであるが、その構成は、
中空管（１）に適当な直流陽極電位を印加することで、
真空中容易に発生し、存在し得る電子を引き寄せ放電を
開始させる。この場合の放電はアース電位に接続された
真空チャンバー（７）、あるいは中空陽極放電管に印加
さｎている直流陽極電位よりも低い陽極電位、アース電
位、あるいは陰極電位を印加したる基板（６）あるいは
基板台（５）との間において発生し持続さｎるものであ
る。
放電が開始さｎると、前記中空陽極放電管の内部では中
空陽極に向って加速された電子と導入ガス体が衝突し、
導入ガスは電子を放出してイオン化し、放出された電子
は再び別の導入ガス体と衝突し次々に電子、イオン数を
増すような衝突電離をくりかえし、著しく大きな放電現
象を誘発するようになる。前記中空管（１）の形状、印
加する陽極電位等を適切に調整することにより、導入ガ
ス体はことごとく衝突電離し、そのイオン化率は導入ガ
ス体の種類によって変わるが最大８０％に達する。
空陽極に向って加速された電子と導入ガス体が衝突し、
導入ガスは電子を放出してイオン化し、放出された電子
は再び別の導入ガス体と衝突し次々に電子、イオン数を
増すような衝突電離をくりかえし、著しく大きな放電現
象を誘発するようになる。前記中空管（１）の形状、印
加する陽極電位等を適切に調整することにより、導入ガ
ス体はことごとく衝突電離し、そのイオン化率は導入ガ
ス体の種類によって変わるが最大８０％に達する。
この場合、電子は中空陽極放電管に引きつけらｔ消失す
るが、陽イオンは後に残さｎ大きな陽イオン流となって
中空陽極電位よＶ低い負側の対極（真空チャンバー（７
）や基板（６）等）に向って流出供給さｎる。イオン化
された原子は負電位に印加された基板（６）に引かｎ電
圧条件を任意に調節することでイオンエツチング、イオ
ン注入膜合成が可能となり、膜の密着性も著しく高いも
のが得ら扛る。
るが、陽イオンは後に残さｎ大きな陽イオン流となって
中空陽極電位よＶ低い負側の対極（真空チャンバー（７
）や基板（６）等）に向って流出供給さｎる。イオン化
された原子は負電位に印加された基板（６）に引かｎ電
圧条件を任意に調節することでイオンエツチング、イオ
ン注入膜合成が可能となり、膜の密着性も著しく高いも
のが得ら扛る。
本発明は種々のガス体においてこのような構成が可能で
あることを発見し、発明に到ったものでその中空陽極放
電における理論的解明に到っていないが中空管形状、放
電電離真空度、陽極電位を適正化することで、比較的簡
素な構造でイオン化率が著しく大きく大量のイオン供給
が可能なる方法を生み出したものである。尚、中空管形
状、放電電離真空度、陽極電位の適正条件は真空チャン
バー（７）の大きさ形状、導入ガス体の種類、あるいは
合成しようとする薄膜等の組成特性に応じて決定される
ものである。しかし特に留意すべき点は中空管に印加す
る直流陽極電位でありその範囲をプラス５ｖからプラス
３ＱＫＶとした。通常存在する元素のイオン化エネルギ
ーは５ ｅ’Ｖから２５ ｅｖと言わｎている。 − イオン化に要する電圧は従って５〜３０Ｖで可能となる
が導入ガス体が特に化合物である場合イオン化の割合い
が小さくなり通常２５Ｖ以上が好ましい。さらにイオン
化率向上のため印加電圧を高くすることが望まｎるが、
電圧増大につ扛て異常放電の発生、中空陽極放電管の電
子衝藁による加熱、消耗等異常発生の頻度が高まる。従
って実用上上限３ＱＫＶに限定さｎる。
あることを発見し、発明に到ったものでその中空陽極放
電における理論的解明に到っていないが中空管形状、放
電電離真空度、陽極電位を適正化することで、比較的簡
素な構造でイオン化率が著しく大きく大量のイオン供給
が可能なる方法を生み出したものである。尚、中空管形
状、放電電離真空度、陽極電位の適正条件は真空チャン
バー（７）の大きさ形状、導入ガス体の種類、あるいは
合成しようとする薄膜等の組成特性に応じて決定される
ものである。しかし特に留意すべき点は中空管に印加す
る直流陽極電位でありその範囲をプラス５ｖからプラス
３ＱＫＶとした。通常存在する元素のイオン化エネルギ
ーは５ ｅ’Ｖから２５ ｅｖと言わｎている。 − イオン化に要する電圧は従って５〜３０Ｖで可能となる
が導入ガス体が特に化合物である場合イオン化の割合い
が小さくなり通常２５Ｖ以上が好ましい。さらにイオン
化率向上のため印加電圧を高くすることが望まｎるが、
電圧増大につ扛て異常放電の発生、中空陽極放電管の電
子衝藁による加熱、消耗等異常発生の頻度が高まる。従
って実用上上限３ＱＫＶに限定さｎる。
さらに二つ以上の異種ガス体を同時に用い、二つ以上の
異種イオンを供給し、化合物薄膜あるいは合金薄膜の合
成を行なうことを目的とする場合各々の導入ガス体に応
じ、イオン化向上を計るため第５図の如く二つ以上の中
空陽極放電管を並置し、あるいは第６図、第７図の如く
一つの中空管内に別の中空管を配置する多種、多極の中
空管構造にし各々陽極電位を別々の電源にて印加できる
構造にすることにより、各導入ガス体刑に放電強度を変
え分解、励起、イオン化を調節することが可能となる゛
。即ち一般に金属原子は最もイオン化電位が低く、次に
活性ガス、さらに不活性ガスの順にイオン化電位が高く
なること、さらに化合物ガスの場合、各々の化学結合を
分解させ、ガス体の励起、イオン化を計らねばならない
ため一層大きなイオン化エネルギーを必要とする。従っ
て前述の如く多極、多重の中空陽極放電管を用いること
により必要に応じたイオンの供給を可能シてし、要求さ
ｎる特性を持つ膜の合成を可能とならしめたＯ 一層Ａｒイオン等を中空陽極放電管より供給し、基板（
６１へ照射することにより、基板表面が不活性イオンの
衝撃でクリーニングさｎ合成膜の基板への密着性向上を
計ることもこの中空陽極放電管を用い、ガスの切換え、
印加陽極電位の調節のみで容易に得らｎる。
異種イオンを供給し、化合物薄膜あるいは合金薄膜の合
成を行なうことを目的とする場合各々の導入ガス体に応
じ、イオン化向上を計るため第５図の如く二つ以上の中
空陽極放電管を並置し、あるいは第６図、第７図の如く
一つの中空管内に別の中空管を配置する多種、多極の中
空管構造にし各々陽極電位を別々の電源にて印加できる
構造にすることにより、各導入ガス体刑に放電強度を変
え分解、励起、イオン化を調節することが可能となる゛
。即ち一般に金属原子は最もイオン化電位が低く、次に
活性ガス、さらに不活性ガスの順にイオン化電位が高く
なること、さらに化合物ガスの場合、各々の化学結合を
分解させ、ガス体の励起、イオン化を計らねばならない
ため一層大きなイオン化エネルギーを必要とする。従っ
て前述の如く多極、多重の中空陽極放電管を用いること
により必要に応じたイオンの供給を可能シてし、要求さ
ｎる特性を持つ膜の合成を可能とならしめたＯ 一層Ａｒイオン等を中空陽極放電管より供給し、基板（
６１へ照射することにより、基板表面が不活性イオンの
衝撃でクリーニングさｎ合成膜の基板への密着性向上を
計ることもこの中空陽極放電管を用い、ガスの切換え、
印加陽極電位の調節のみで容易に得らｎる。
さらに基板ヒーター（８）を配置することにより基板表
面に付着した導入ガス中の不純物元素例えばＴｉＣ４等
のハロゲン元素を加熱放出したり、ヒーターからの熱電
子を利用して中空陽極放電を一層増大させるのに役立つ
ものである。尚αＪは絶縁ガイシであり、ヒーター電源
（３）から基板ヒーター（８）に電力を供給する。以上
の手法により著しく活性化されたイオンを供給すること
により膜組成の調整、膜特性の改善、及び合成された膜
の基板（６）との密着性の飛躍的改善を可能ならしめた
ものである。
面に付着した導入ガス中の不純物元素例えばＴｉＣ４等
のハロゲン元素を加熱放出したり、ヒーターからの熱電
子を利用して中空陽極放電を一層増大させるのに役立つ
ものである。尚αＪは絶縁ガイシであり、ヒーター電源
（３）から基板ヒーター（８）に電力を供給する。以上
の手法により著しく活性化されたイオンを供給すること
により膜組成の調整、膜特性の改善、及び合成された膜
の基板（６）との密着性の飛躍的改善を可能ならしめた
ものである。
また本発明は従来から使用さｎているイオン銃の如く複
雑構造を用いず出来るだけ簡素化した構造にすることに
より異常発生が極めて少なく、かつ中空陽極に衝突する
のは電子のみであるため異常昇温や中空陽極管の消耗が
極めて少なく使用寿命が著しく長く、中空管材質の溶融
蒸発による膜材質への汚染に関する問題が全く発生しな
いイオン供給装置および方法の提供を可能にした。
雑構造を用いず出来るだけ簡素化した構造にすることに
より異常発生が極めて少なく、かつ中空陽極に衝突する
のは電子のみであるため異常昇温や中空陽極管の消耗が
極めて少なく使用寿命が著しく長く、中空管材質の溶融
蒸発による膜材質への汚染に関する問題が全く発生しな
いイオン供給装置および方法の提供を可能にした。
（具体的実施態様）
本発明の具体的実施態様を添付図面に基づいて説明する
が本発明方法は、こｎらのみに限定さｎるものでない。
が本発明方法は、こｎらのみに限定さｎるものでない。
なお、図中同一符号は同一部材又は均等部材を示す。
第１図は例えば、Ａｒ、Ｎｅｔ等の不活性ガスＳｉＨ，
。
。
Ｔ ｉ Ｏ４等金属結合ガスあるいはＴｉ（Ｎ（ＣＨｘ
）Ｊ＋等の有機金属化合物ガス等のうち１種類の導入ガ
ス体を用い目的とするイオンの形成、照射を可能ならし
め、不活性ガスイオンによるイオンクリーニング、イオ
ンエツチングあるいは金属薄膜の作成化合物薄膜の合成
を計ることを目的として中空陽極放電管（１）を１基の
み使用する場合を図示した。
）Ｊ＋等の有機金属化合物ガス等のうち１種類の導入ガ
ス体を用い目的とするイオンの形成、照射を可能ならし
め、不活性ガスイオンによるイオンクリーニング、イオ
ンエツチングあるいは金属薄膜の作成化合物薄膜の合成
を計ることを目的として中空陽極放電管（１）を１基の
み使用する場合を図示した。
中空陽極放電管（１）はＴａ 、Ｍｏ 、Ｗあるいはス
テンレス等導電性中空管で形成し、前記導入ガス体はガ
ス供給源αＱから流量計αＱ１ ガス流量調節パルプα
４ｔ−介して中空陽極放電管（１］に供給さｎる。一方
この中空陽極放電管（１）は絶縁ガイシ１．１ηにより
真空チャンバーあるいはガス供給機構等とは電気的絶縁
状態を保ちながら電源トランス（２）の陽極電位側に接
続する。
テンレス等導電性中空管で形成し、前記導入ガス体はガ
ス供給源αＱから流量計αＱ１ ガス流量調節パルプα
４ｔ−介して中空陽極放電管（１］に供給さｎる。一方
この中空陽極放電管（１）は絶縁ガイシ１．１ηにより
真空チャンバーあるいはガス供給機構等とは電気的絶縁
状態を保ちながら電源トランス（２）の陽極電位側に接
続する。
真空チャンバー（７）は真空排気孔αＯより外部の真空
排気装置に接続さｎ真空状態に保たｎ通常アース電位に
ある。この場合真空度は通常数＋Ｔｏｒｒ〜１０−３Ｔ
ｏｒｒ程度を用いる。このような装置構成の中空陽極放
電管に前記ガス体を導入し陽極電位を印加することによ
り前述の通り電子と導入ガス体の著しい衝突電離を可能
にし、発生したイオンを真空チャンバー（力内の特に図
中電源トランス（４）の負電位を印加した基板台（５）
あるいは基板（６）に照射供給さｎる。尚電源トランス
（４〕と真空チャンバー（７）は絶縁ガイシα２により
絶縁さｎている。導入ガスがＡｒ等不活性ガスの場°合
基板（６）はＡｒイオン照射によるイオンエツチングを
受け、導入ガスがＳｉＨ。
排気装置に接続さｎ真空状態に保たｎ通常アース電位に
ある。この場合真空度は通常数＋Ｔｏｒｒ〜１０−３Ｔ
ｏｒｒ程度を用いる。このような装置構成の中空陽極放
電管に前記ガス体を導入し陽極電位を印加することによ
り前述の通り電子と導入ガス体の著しい衝突電離を可能
にし、発生したイオンを真空チャンバー（力内の特に図
中電源トランス（４）の負電位を印加した基板台（５）
あるいは基板（６）に照射供給さｎる。尚電源トランス
（４〕と真空チャンバー（７）は絶縁ガイシα２により
絶縁さｎている。導入ガスがＡｒ等不活性ガスの場°合
基板（６）はＡｒイオン照射によるイオンエツチングを
受け、導入ガスがＳｉＨ。
である場合は基板（６）上に８１膜が形成さｎ１場合に
よっては基板（６）中に８１イオンが打ち込まｎる。ま
た導入ガスがＴｉ（Ｎ（”’ａ）ｚｌ＋ 等の化合物で
あｎばＴｉ（ＯＮ）等の化合物膜が基板（６）止金成さ
ｎる。
よっては基板（６）中に８１イオンが打ち込まｎる。ま
た導入ガスがＴｉ（Ｎ（”’ａ）ｚｌ＋ 等の化合物で
あｎばＴｉ（ＯＮ）等の化合物膜が基板（６）止金成さ
ｎる。
このように目的に応じた導入ガス体を用い、陽極電位を
調整することによりイオンエツチング、イオン注入、膜
合成を行ない得るイオン供給装置および方法が可能にな
った。
調整することによりイオンエツチング、イオン注入、膜
合成を行ない得るイオン供給装置および方法が可能にな
った。
通常直流電界により導入ガス体が放電し、化合物等の分
解、励起イオン化が可能な領域は前述の如く数＋Ｔｏｒ
ｒから１０ＴＯｒｒ程度である。しかしながら真空チャ
ンバー（７）の内壁吸着ガスによる基板（６）への汚染
防止あるいはイオンの飛散距離（ｍｅａｎｆｒｅｅ ｐ
ａｔｈ ）の増大等を計って処理条件の改善が望まｎる
場合、真空チャンバー（７）中の真空度をＴｏｒｒ
Ｔｏｒｒとする必要が生ずる場合がある・。
解、励起イオン化が可能な領域は前述の如く数＋Ｔｏｒ
ｒから１０ＴＯｒｒ程度である。しかしながら真空チャ
ンバー（７）の内壁吸着ガスによる基板（６）への汚染
防止あるいはイオンの飛散距離（ｍｅａｎｆｒｅｅ ｐ
ａｔｈ ）の増大等を計って処理条件の改善が望まｎる
場合、真空チャンバー（７）中の真空度をＴｏｒｒ
Ｔｏｒｒとする必要が生ずる場合がある・。
かかる場合第２図に示す如く中空管（１）の光漏を絞り
、中空管内圧力は数Ｔｏｒｒ〜１０−”ｌ”ｏｒｒ領域
の安定放電状態を保持させることも可能である。逆に数
十Ｔｏｒｒ程度で安定放電を持続させたい場合第３図の
如く開先端形状にし中空管（１）の内部と真空チャンバ
ー（力の間にできるだけ圧力差を生せしめない構造にす
ることにより放電の安定化を計るものである。
、中空管内圧力は数Ｔｏｒｒ〜１０−”ｌ”ｏｒｒ領域
の安定放電状態を保持させることも可能である。逆に数
十Ｔｏｒｒ程度で安定放電を持続させたい場合第３図の
如く開先端形状にし中空管（１）の内部と真空チャンバ
ー（力の間にできるだけ圧力差を生せしめない構造にす
ることにより放電の安定化を計るものである。
更に第１図において通常放電は中空陽極放電管（１）と
そｎより負の電位にある基板（６）の間で安定に持続さ
ｎるが、中空陽極放電管に印加さｎる正の電位が数ＫＶ
〜数Ｉ Ｑ ＫＶの場合、中空陽極放電管（１）と真空
チャンバー（７）との間で断続的異常放電を発生する場
合がある。特に中空陽極放電管電位を高めた状態にて長
時間放電させたい場合、第４図の如く、中空管（１）の
表面にＡｔ２０３の絶縁物質（９）を溶射等によりコー
ティングして使用し、異常放電発生を防止する必要があ
る。コーディングする絶縁物質例えばＡ ｔ２０．の厚
みはＡ４０３の気孔率組成等に基づく絶縁度により大き
く変位するが絶縁度が犬ならば、通常５０μｍから３ｒ
Ｉｓｌで十分可能であり、そｎ以上厚みが増すと放電前
後の温度差によるクランク発生が大きくなり、中空管か
ら剥離、離脱することが多くなる。
そｎより負の電位にある基板（６）の間で安定に持続さ
ｎるが、中空陽極放電管に印加さｎる正の電位が数ＫＶ
〜数Ｉ Ｑ ＫＶの場合、中空陽極放電管（１）と真空
チャンバー（７）との間で断続的異常放電を発生する場
合がある。特に中空陽極放電管電位を高めた状態にて長
時間放電させたい場合、第４図の如く、中空管（１）の
表面にＡｔ２０３の絶縁物質（９）を溶射等によりコー
ティングして使用し、異常放電発生を防止する必要があ
る。コーディングする絶縁物質例えばＡ ｔ２０．の厚
みはＡ４０３の気孔率組成等に基づく絶縁度により大き
く変位するが絶縁度が犬ならば、通常５０μｍから３ｒ
Ｉｓｌで十分可能であり、そｎ以上厚みが増すと放電前
後の温度差によるクランク発生が大きくなり、中空管か
ら剥離、離脱することが多くなる。
第５図は二つ以上の異種ガス体を同時に用い、複数のイ
オンを同時に供給する具体的方法および装置構成を示す
ものである。中空陽極放電管（１〜ｌ）、（工〜２）は
各々電源トランス（２〜１）、（２〜２）の陽極側に接
続し、各々の中空陽極放電管はガス供給源からガス調節
パルプ（１４〜１）、（１４〜２）を介してガス体を供
給する。電気的絶縁機能、放電中の真空度、放電を可能
にする中空管形状、印加する電極電位はすべて前述の範
囲にある。このように複数の中空陽極放電管により複数
のガス体の化学結合のしかたに応じた陽極電圧印加によ
り目的に応じたガスイオンの供給が可能となり化学量論
的に正規な膜、あるいは一層好ましい特性を持つ化合物
膜あるいは合金膜の形成を可能ならしめた。
オンを同時に供給する具体的方法および装置構成を示す
ものである。中空陽極放電管（１〜ｌ）、（工〜２）は
各々電源トランス（２〜１）、（２〜２）の陽極側に接
続し、各々の中空陽極放電管はガス供給源からガス調節
パルプ（１４〜１）、（１４〜２）を介してガス体を供
給する。電気的絶縁機能、放電中の真空度、放電を可能
にする中空管形状、印加する電極電位はすべて前述の範
囲にある。このように複数の中空陽極放電管により複数
のガス体の化学結合のしかたに応じた陽極電圧印加によ
り目的に応じたガスイオンの供給が可能となり化学量論
的に正規な膜、あるいは一層好ましい特性を持つ化合物
膜あるいは合金膜の形成を可能ならしめた。
さらに第６図、第７図の如く１本の中空陽極放電管内に
二重、三重あるいは二本、三本の中空陽極管を電気的絶
縁を保ちつつ配置することで特に導入ガス体イオンの混
合が困難な場合でも化合物薄膜を任意の組成にて合成す
ることができる方法および装置構成を示すものである。
二重、三重あるいは二本、三本の中空陽極管を電気的絶
縁を保ちつつ配置することで特に導入ガス体イオンの混
合が困難な場合でも化合物薄膜を任意の組成にて合成す
ることができる方法および装置構成を示すものである。
この場合の印加陽極電位、中空管形状、放電中の真空度
等もすべて前述の範囲内で可能であった。
等もすべて前述の範囲内で可能であった。
（実施例１）
第１図に示す装置を用い導入ガスをＴｉ［Ｎ（ＣＨ３）
２１＋としＴ１ＣＮ膜合成を下記の条件で行なった。
２１＋としＴ１ＣＮ膜合成を下記の条件で行なった。
中空陽極電圧 ＋１５００７
真空チャンバー圧力 Ｉ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ中
空陽極放電管形状 φ２５ｍａＸｔ１００ｙ中空陽
極放電管電流 ４．５Ａ〜４，２Ａ基板電圧 −５
００■ 基板ヒーター ２０Ｖ１００Ａ〜○ｖＯＡ（ＳＵ６
ｔバンドヒーター） 基板推定温度 ３００〜４００℃ 基 板 材 質 Ｈ８Ｓチップ（ＳＮＧＮ４
３２類似型）得らｎた膜組成はＴｉＣに近い銀灰色のＴ
１ＣＮ膜でＨＶ２０００〜２２００、Ｘ線回折の結果Ｔ
１Ｃｏ７Ｎｏ３ と判定された。
空陽極放電管形状 φ２５ｍａＸｔ１００ｙ中空陽
極放電管電流 ４．５Ａ〜４，２Ａ基板電圧 −５
００■ 基板ヒーター ２０Ｖ１００Ａ〜○ｖＯＡ（ＳＵ６
ｔバンドヒーター） 基板推定温度 ３００〜４００℃ 基 板 材 質 Ｈ８Ｓチップ（ＳＮＧＮ４
３２類似型）得らｎた膜組成はＴｉＣに近い銀灰色のＴ
１ＣＮ膜でＨＶ２０００〜２２００、Ｘ線回折の結果Ｔ
１Ｃｏ７Ｎｏ３ と判定された。
ＨｉｌＥＳ （高速度工具鋼）チップ（ＳＮＧＮ４３２
）に処理し、５４５０（ＨＢ１８０〜２００）を連続切
削試験にて評価したところ無処理品の切削寿命に対し約
５倍の寿命向上が確認された。
）に処理し、５４５０（ＨＢ１８０〜２００）を連続切
削試験にて評価したところ無処理品の切削寿命に対し約
５倍の寿命向上が確認された。
（実施例２）
第５図に示す装置を用い、導入ガスをＴｉｃｔ、とし反
応ガスとしてＮ、を用い、中空陽極放電管１〜１．１〜
２を用いてＴｉＮ膜の合成を下記の条件で行なった。
応ガスとしてＮ、を用い、中空陽極放電管１〜１．１〜
２を用いてＴｉＮ膜の合成を下記の条件で行なった。
中空陽極放電管 １−１１〜２
中空陽極電圧 ＋１３００Ｖ ＋１５００Ｖ中空陽
極形状 φ２０ｗＸｔ１００Ｉ！ａφ２５ｇＸｔ１０
０導 入 ガ ス ＴｉＣ４−）−Ｈ，Ｎ
２中空陽極放電々流 ２．５Ａ〜２．ＢＡ ３
．ｓＡ真真空チャンバ一方力 １ｘｔｏ Ｔ
ｏｒｒ基板電圧 −８００ｖ 基板ヒーター ２０Ｖ１００〜１０Ｖ５５Ａ（ＳＵＳ
バンドヒーター） 推定基板温度 ４００〜５００℃ 基 板 材 質 Ｈ８Ｓチップ（ＳＮＧＮ４３２類
似型）得らｎた膜組成は金色ＴｉＮでＨｖ１８００〜２
０００、膜中約０．５％のＣｔ含有痕跡あり、Ｈ８Ｓチ
ップに処理し５４ｓＣ（ＨＢｔｓｏ〜２００〕を連続切
削試験にて評価した所無処理品の切削寿命に比べ約４倍
の寿命向上が確認さｎ、膜の密着性も良好で剥離はなく
、中空陽極放電によるイオン供給効果の犬なることを通
常のプラズマＯＶＤと比較して確認した。
極形状 φ２０ｗＸｔ１００Ｉ！ａφ２５ｇＸｔ１０
０導 入 ガ ス ＴｉＣ４−）−Ｈ，Ｎ
２中空陽極放電々流 ２．５Ａ〜２．ＢＡ ３
．ｓＡ真真空チャンバ一方力 １ｘｔｏ Ｔ
ｏｒｒ基板電圧 −８００ｖ 基板ヒーター ２０Ｖ１００〜１０Ｖ５５Ａ（ＳＵＳ
バンドヒーター） 推定基板温度 ４００〜５００℃ 基 板 材 質 Ｈ８Ｓチップ（ＳＮＧＮ４３２類
似型）得らｎた膜組成は金色ＴｉＮでＨｖ１８００〜２
０００、膜中約０．５％のＣｔ含有痕跡あり、Ｈ８Ｓチ
ップに処理し５４ｓＣ（ＨＢｔｓｏ〜２００〕を連続切
削試験にて評価した所無処理品の切削寿命に比べ約４倍
の寿命向上が確認さｎ、膜の密着性も良好で剥離はなく
、中空陽極放電によるイオン供給効果の犬なることを通
常のプラズマＯＶＤと比較して確認した。
（発明の効果）
本発明に基づく中空陽極放電を用いたプラズマイオン供
給装置を使用することにより次のような効果を発揮する
。
給装置を使用することにより次のような効果を発揮する
。
（イ）イオン化率が高く、イオン密度の著しく大きい高
反応性プラズマイオンの供給が可能。
反応性プラズマイオンの供給が可能。
（ロ）二つ以上の異種ガスを使用する場合、そｎぞｎの
ガスの分解、励起イオン化に要するエネルギーに応じ、
中空管形状、導入ガス量、印加陽極電圧等を調節するこ
とにより、最も高いイオン化状態でコントロールし、供
給することができる。
ガスの分解、励起イオン化に要するエネルギーに応じ、
中空管形状、導入ガス量、印加陽極電圧等を調節するこ
とにより、最も高いイオン化状態でコントロールし、供
給することができる。
（ハ）（ロンの効果により生成さ九る膜組成を最も望ま
しい化合物形態に調整できる。
しい化合物形態に調整できる。
に）熱陰極Ｐ工Ｇイオン銃等にみらｎる熱フイラメント
元素の真空蒸発による膜汚染が防止でき、大イオン電流
が得やすく、構造簡便で異常発生の頻度が零かもしくは
ほとんどなくなる。
元素の真空蒸発による膜汚染が防止でき、大イオン電流
が得やすく、構造簡便で異常発生の頻度が零かもしくは
ほとんどなくなる。
（ホ）中空陽極放電管は質量の小さな電子衝撃を受ける
のみで、損傷がなく、寿命が著しく長い。
のみで、損傷がなく、寿命が著しく長い。
（へ）ガス状物質として供給できるものであわばいかな
る元素もイオン化可能で、高いイオン密度のイオン供給
が可能。
る元素もイオン化可能で、高いイオン密度のイオン供給
が可能。
（ト）中空陽極放電管にＨｅ Ｎｅ Ａｒ等の不活性ガ
スを導入し、イオン化して基板へ照射することで基板表
面のイオンエツチング、イオンクリーニングが可能とな
り１かつ反応ガス体を切換えるだけで、連続して化合物
薄膜の合成が可能となりその膜の基板との密着性も著し
く強固なものにできる。
スを導入し、イオン化して基板へ照射することで基板表
面のイオンエツチング、イオンクリーニングが可能とな
り１かつ反応ガス体を切換えるだけで、連続して化合物
薄膜の合成が可能となりその膜の基板との密着性も著し
く強固なものにできる。
第１図は本発明によるプラズマイオン供給方法の装置構
成を示す略図、第２図、第３図、第４図は中空管の構成
の実施例、第５図、第６図、第７図は本発明の他の装置
構成例を示す。 １・・・中空管（１−１、１−２、１−ａも均等）２．
４・・・電源トランス（ｚ−１，２−２、２−ａも均等
）５・・・基板台 ６・・・基 板７・・・放電
室（真空チャンバー） ８・・・基板ヒータ １ｏ・・・真空排気孔１１．１
２．１３・・・絶縁ガイシ １４・・・ガス調節パルプ（ｓ ４−１ 、１４−２．
１４−ｓも均等）代理人 弁理士 河 内 潤 二 第２図 名３図 名４目 栴７図
成を示す略図、第２図、第３図、第４図は中空管の構成
の実施例、第５図、第６図、第７図は本発明の他の装置
構成例を示す。 １・・・中空管（１−１、１−２、１−ａも均等）２．
４・・・電源トランス（ｚ−１，２−２、２−ａも均等
）５・・・基板台 ６・・・基 板７・・・放電
室（真空チャンバー） ８・・・基板ヒータ １ｏ・・・真空排気孔１１．１
２．１３・・・絶縁ガイシ １４・・・ガス調節パルプ（ｓ ４−１ 、１４−２．
１４−ｓも均等）代理人 弁理士 河 内 潤 二 第２図 名３図 名４目 栴７図
Claims (4)
- （１）放電室内に設置された中空管内にガス体を導入し
、その中空管に直流陽極電位を印加し中空陽極放電を生
ぜしめることにより導入ガス体を励起し、中空管より陽
イオンとして引き出すことができることを特徴とする中
空陽極放電形プラズマイオン供給方法 - （２）前記中空管の形状は中空円筒あるいは中空多角形
状パイプをなし、中空陽極放電を可能ならしめるため、
先端形状を各種形状に加工したものを用いる特許請求の
範囲第１項記載の中空陽極放電形プラズマイオン供給方
法 - （３）前記中空管に印加する陽極電位は５Ｖ〜３０ＫＶ
で導入ガスの種類、導入ガスの量・圧力あるいは中空管
の長さ、断面積に応じて調整できるものとした特許請求
の範囲第１項記載の中空陽極放電形プラズマイオン供給
方法 - （４）複数のガス体を同時に導入し、イオン化を計るこ
とを目的とする場合、各々陽極電位を印加できる前記中
空管を複数個並用したり、１つの中空管内に別の中空管
を電気的絶縁を計りつつ各々の中空管に陽極電位を印加
しながら配置したり各種金属蒸気発生装置等と並置して
使用することの可能な特許請求の範囲第１項記載の中空
陽極放電形プラズマイオン供給方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263977A JPS61143579A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | プラズマイオン供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263977A JPS61143579A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | プラズマイオン供給方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61143579A true JPS61143579A (ja) | 1986-07-01 |
| JPH0357191B2 JPH0357191B2 (ja) | 1991-08-30 |
Family
ID=17396838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59263977A Granted JPS61143579A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | プラズマイオン供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61143579A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4979467A (en) * | 1988-05-06 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Thin film formation apparatus |
| US4989541A (en) * | 1989-02-23 | 1991-02-05 | Nobuo Mikoshiba | Thin film forming apparatus |
| US4992303A (en) * | 1987-12-22 | 1991-02-12 | U.S. Philips Corporation | Chemical vapor deposition of cadmium mercury telluride |
| US5129359A (en) * | 1988-11-15 | 1992-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave plasma CVD apparatus for the formation of functional deposited film with discharge space provided with gas feed device capable of applying bias voltage between the gas feed device and substrate |
| US5702530A (en) * | 1995-06-23 | 1997-12-30 | Applied Materials, Inc. | Distributed microwave plasma reactor for semiconductor processing |
| US5746834A (en) * | 1996-01-04 | 1998-05-05 | Memc Electronics Materials, Inc. | Method and apparatus for purging barrel reactors |
| US5846330A (en) * | 1997-06-26 | 1998-12-08 | Celestech, Inc. | Gas injection disc assembly for CVD applications |
| US6454860B2 (en) * | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
| JP2008181704A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高密度プラズマ処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5741367A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-08 | Fujitsu Ltd | Chemical vapor deposition device |
| JPS57167630A (en) * | 1981-03-13 | 1982-10-15 | Fujitsu Ltd | Plasma vapor-phase growing device |
-
1984
- 1984-12-14 JP JP59263977A patent/JPS61143579A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5741367A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-08 | Fujitsu Ltd | Chemical vapor deposition device |
| JPS57167630A (en) * | 1981-03-13 | 1982-10-15 | Fujitsu Ltd | Plasma vapor-phase growing device |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4992303A (en) * | 1987-12-22 | 1991-02-12 | U.S. Philips Corporation | Chemical vapor deposition of cadmium mercury telluride |
| US4979467A (en) * | 1988-05-06 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Thin film formation apparatus |
| US5129359A (en) * | 1988-11-15 | 1992-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave plasma CVD apparatus for the formation of functional deposited film with discharge space provided with gas feed device capable of applying bias voltage between the gas feed device and substrate |
| US4989541A (en) * | 1989-02-23 | 1991-02-05 | Nobuo Mikoshiba | Thin film forming apparatus |
| US5702530A (en) * | 1995-06-23 | 1997-12-30 | Applied Materials, Inc. | Distributed microwave plasma reactor for semiconductor processing |
| US5746834A (en) * | 1996-01-04 | 1998-05-05 | Memc Electronics Materials, Inc. | Method and apparatus for purging barrel reactors |
| SG90016A1 (en) * | 1996-01-04 | 2002-07-23 | Memc Electronic Materials | Method and apparatus for purging barrel reactors |
| US5846330A (en) * | 1997-06-26 | 1998-12-08 | Celestech, Inc. | Gas injection disc assembly for CVD applications |
| US6454860B2 (en) * | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
| JP2008181704A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高密度プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0357191B2 (ja) | 1991-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1308689C (en) | Method and apparatus for forming a thin film | |
| US6368678B1 (en) | Plasma processing system and method | |
| EP0288608B1 (en) | Apparatus for forming a thin film | |
| US4461689A (en) | Method and apparatus for coating a graphite member | |
| JPH02285072A (ja) | 加工物表面のコーティング方法及びその加工物 | |
| US3839182A (en) | Triode device for sputtering material by means of a low voltage discharge | |
| JPH09170078A (ja) | 導電性ターゲットから基板をコーティングする装置 | |
| JPS61143579A (ja) | プラズマイオン供給方法 | |
| US5378285A (en) | Apparatus for forming a diamond-like thin film | |
| JP3345009B2 (ja) | 加熱により製造された材料蒸気のイオン化方法及び該方法を実施する装置 | |
| JPH0153351B2 (ja) | ||
| JPS6223068B2 (ja) | ||
| JP2849831B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2843125B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2977862B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JP3186777B2 (ja) | プラズマ源 | |
| JP3007579B2 (ja) | シリコン薄膜の製造方法 | |
| JPS59157279A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
| JPH064916B2 (ja) | 気相より金属合金を堆積させる方法および装置 | |
| Akan et al. | Variation in thickness of copper films deposited at various distances and angles using the thermionic vacuum arc | |
| JPH0250954A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2620474B2 (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JPH0645871B2 (ja) | 反応性イオンプレーティング方法 | |
| JPH11238485A (ja) | イオン注入方法 | |
| JPH02150025A (ja) | Ｄ．ｃ．グローまたはプラズマ放電によるプラズマエッチング、基体洗浄または基体への材料蒸着方法およびその装置 |