JPH09198998A - 強誘電性エミッターを適用した陰極構造体及びこれを適用した電子銃並びに陰極線管 - Google Patents

強誘電性エミッターを適用した陰極構造体及びこれを適用した電子銃並びに陰極線管

Info

Publication number
JPH09198998A
JPH09198998A JP34306796A JP34306796A JPH09198998A JP H09198998 A JPH09198998 A JP H09198998A JP 34306796 A JP34306796 A JP 34306796A JP 34306796 A JP34306796 A JP 34306796A JP H09198998 A JPH09198998 A JP H09198998A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cathode
ferroelectric
layer
cathode layer
electron gun
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP34306796A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3160213B2 (ja
Inventor
Jong-Seo Choi
鍾書 崔
Kwi-Seuk Choi
龜錫 崔
Kyu-Nam Joo
圭楠 朱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SANSEI DENKAN KK
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
SANSEI DENKAN KK
Samsung Electron Devices Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SANSEI DENKAN KK, Samsung Electron Devices Co Ltd filed Critical SANSEI DENKAN KK
Publication of JPH09198998A publication Critical patent/JPH09198998A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3160213B2 publication Critical patent/JP3160213B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/04—Cathodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/312—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode having an electric field perpendicular to the surface, e.g. tunnel-effect cathodes of metal-insulator-metal [MIM] type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/306—Ferroelectric cathodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低真空の状態下でもイオン衝撃による陰極物
質の劣化が少なく、かつ製作が容易で、構造が簡単な強
誘電性エミッターを適用した陰極構造体及びこれを適用
した電子銃及び陰極線管を提供する。 【解決手段】 基板100 と、基板100 上に形成される下
部電極層110 と、前記下部電極層110 上に形成される強
誘電性エミッターを適用した強誘電性陰極層120と、前
記強誘電性陰極層120 上に形成され、強誘電性陰極層12
0 の表面からの電子放出領域を供する上部電極層130
と、前記電極層130 上に形成されて前記上部電極層130
の電子放出領域から放出される電子を制御する駆動電極
層150 とを具備することにより、低真空の状態でもイオ
ン衝撃による陰極物質の劣化が少ない強誘電性エミッタ
ーを適用した陰極構造体及びこれを適用した電子銃及び
陰極線管を提供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は強誘電性エミッター
を適用した陰極構造体及びこれを適用した電子銃及び陰
極線管に係り、特に電子放出源として強誘電性エミッタ
ーを使用する強誘電性エミッターを適用した陰極構造体
及びこれを適用した電子銃並びに陰極線管に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に陰極線管に用いられる陰極構造体
は熱的に励起されたBa酸化物のような陰極物質から電子
を放出する。このような陰極構造体は陰極物質を加熱す
るための熱源、例えばフィラメントを備えており、フィ
ラメントによる陰極物質の加熱方式により直熱型と放熱
型とに分けられる。
【０００３】電子銃から放出された熱電子が活発にスク
リーンに進み、かつイオン衝撃による陰極物質の劣化を
防止するためには、陰極線管の内部が高真空の状態を保
たなければならない。
【０００４】一般に陰極線管の製造過程では陰極物質か
ら熱電子が円滑に放出されるように、いわゆる排気工程
及びエージング工程などの一連の製造過程を経る。
【０００５】しかし、従来では、排気及びエージング工
程に相当の時間がかかるうえ、工程中に発生するイオン
衝撃により陰極物質が劣化するなどの問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような
従来の問題点を解決するためになされたものであり、低
真空の状態下でもイオン衝撃による陰極物質の劣化が少
ない強誘電性エミッターを適用した陰極構造体及びこれ
を適用した電子銃並びに陰極線管を提供することにその
目的がある。
【０００７】また、本発明の他の目的は、製作が容易
で、構造が簡単な強誘電性エミッターを適用した陰極構
造体及びこれを適用した電子銃及び陰極線管を提供する
ことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明による陰極構造体は、基板と、前記基板上
に形成される下部電極層と、前記下部電極層上に形成さ
れる強誘電性陰極層と、前記強誘電性陰極層上に形成さ
れ、強誘電性陰極層の表面からの電子放出領域を供する
上部電極層と、前記電極層上に形成されて前記上部電極
層の電子放出領域から放出される電子を制御する駆動電
極と、を具備することを特徴とする。
【０００９】また、前記目的を達成するために、本発明
による電子銃は、電子放出源と、前記電子放出源からの
電子を制御及び加速する多数の電極を具備する電極群
と、前記電子放出源と前記電極群を支持かつ固定する支
持手段と、を具備する電子銃において、前記電子放出源
は、基板と、基板上に形成される下部電極層と、前記下
部電極層上に形成される強誘電性陰極層と、前記強誘電
性陰極層上に形成され、強誘電性陰極層の表面からの電
子放出領域を供する上部電極層と、前記電極層上に形成
されて前記上部電極層の電子放出領域から放出される電
子を制御する駆動電極と、を具備することを特徴とす
る。
【００１０】また、前記目的を達成するために、本発明
による陰極線管は、電子放出源と多数の電極を具備した
電子銃と、前記電子銃が装着されるネック部を具備する
ファンネルと、前記電子銃からの電子ビームにより画像
を実現するスクリーンを具備したパネルと、を具備する
陰極線管において、前記電子放出源は、基板と、前記基
板上に形成される下部電極層と、前記下部電極層上に形
成される強誘電性陰極層と、前記強誘電性陰極層上に形
成され、強誘電性陰極層の表面からの電子放出領域を供
する上部電極層と、前記電極層上に形成されて前記上部
電極層の電子放出領域から放出される電子を制御する駆
動電極と、を具備することを特徴とする。
【００１１】前記本発明において、前記電子放出領域を
３つ設けてカラー画像実現のための３つの電子ビームを
得ることが望ましく、特に前記駆動電極に電子が通過す
る通過孔を設けることが望ましい。
【００１２】また、前記強誘電性陰極の素材としてはPZ
T 又はPLZTのうち何れか一つを適用することが望まし
い。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付した図面に基
づき更に詳細に説明する。
【００１４】本発明の陰極構造体の基本概念を説明する
ための図１を参照すると、120 は電子放出源の強誘電性
陰極層であり、110 と130 は強誘電性陰極層を励起させ
るための上下電極層である。
【００１５】下部電極層110 と上部電極層130 にサブマ
イクロ秒の高圧パルスを印加すると、強誘電性陰極層12
0 の内部及び表面に自発分極をスイッチするようにな
り、強い電子の放出が招かれる。ここで、電子は上部電
極の形成されていない露出部位から放出される。
【００１６】具体化された本発明による陰極構造体の概
略的な斜視図を示す図２および図２の断面図を示す図３
を参照すると、基板100 の表面に最下位の下部電極層11
0 が形成され、その上に強誘電性エミッターを適用した
陰極層120 、上部電極層130、絶縁層140 、駆動電極層1
50 が順次に形成されている。
【００１７】前記のような構造の陰極構造体は、カラー
陰極線管に用いられるように３つの電子放出領域を有す
る。具体的に、前記上部電極層130 と下部電極層110 は
それぞれ一つずつ設けられて強誘電性陰極層120 全体を
励起させ得るようになっている。
【００１８】前記絶縁層140 の上には３つの駆動電極層
150 が一定間隔を隔てて設けられている。そして、各駆
動電極層150 には電子放出及び制御のための貫通孔151
が形成されている。ここで、前記各駆動電極層150 の各
貫通孔151 に対応する前記上部電極層130 の部位には、
図４に示すように、熱電子の放出のための微細孔131が
形成されているため、これを通じて電子が前記駆動電極
層150 の貫通孔151 へと進むようになっている。
【００１９】前記駆動電極層150 は画像信号などの制御
信号を受け取り、電子を放出するか否かを決定し、かつ
電子放出量を制御する。
【００２０】かかる構造の本発明の陰極構造体におい
て、前記強誘電性陰極層120 の素材としては、強誘電性
物質として公知のPZT 、PLZTなどが用いられる。また、
前記上部電極層130 及び下部電極層110 の素材として
は、アルミニウム、金、白金などの高電導性金属が用い
られる。
【００２１】また、実験の結果、前記強誘電性陰極層12
0 から電子を放出させるための駆動電圧は100 ボルト以
下の低いパルス電位を有する場合には、電流の漏れが少
なく安定的な電子放出が起こるということが分かった。
特に、駆動電圧は強誘電性陰極層の材料状態、例えば材
料の結晶相や厚さなどに依存する。実験によると、駆動
パルスの電圧を100 ボルト以下に下げるために強誘電性
陰極層120 、例えばPLZTの厚さ、即ち上下電極層130,11
0 間の間隔を10マイクロメートル以下に設定する必要が
ある。
【００２２】駆動電圧は陰極層が薄ければ薄いほど低く
なるが、約１マイクロメートル以下になると上下電極層
間の短絡が発生するので、１マイクロメートル以上にな
らなければならない。また、駆動電圧は電子放出領域の
大きさ、即ち駆動電極層に形成された貫通孔の直径にも
依存する。実験によると、300 マイクロメートル以下に
してから漸く100 ボルト以下の状態で安定的な電子放出
が可能になった。
【００２３】前記のような構造の本発明の陰極構造体の
製作方法は次の通りである。
【００２４】図５に示されたように、結晶化ガラスから
なる基板100 の表面に、まず金ペーストを印刷法にて形
成した後、所定時間だけ塑性化させて下部電極層110 を
得る。
【００２５】下部電極層110 が完成されると、図６に示
されたように、ペースト化されたPZT 又はPLZTを20マイ
クロメートルの厚さで印刷法にて形成し、再び塑性過程
を経て強誘電性陰極層120 を形成する。
【００２６】図７に示されたように、前記強誘電性陰極
層120 上に金ペーストを印刷法にて積層し、これを塑性
して上部電極層130 を形成する。この際、上部電極層13
0 は図４に示されたようなパターン、即ち多数の微細孔
131 を有する。
【００２７】図８に示されたように、印刷法を用いて絶
縁層１４０及び駆動電極層１５０を形成すると、所望の
陰極構造体が得られる。ここで、前記絶縁層140 と駆動
電極層150 は前記上部電極層130 の微細孔131 に対応す
る貫通孔を有する。
【００２８】また、本発明による陰極構造体を製作する
ために、前述した印刷法以外の方法を用いることもでき
る。例えば、電極層の形成において、スパッタリング
法、ドクター・ブレード法などを適用することもでき、
強誘電性陰極層を形成するためにはバルク状に強誘電性
シートを製作してから、この一側面に電極層をコーティ
ングした後、これをアクリル樹脂にてモールディング
し、他面を所定の厚さでポリシングした後、基板に付着
させる。
【００２９】図９は本発明の陰極構造体が適用された本
発明の電子銃の概略的な側面構造を示したものである。
【００３０】この電子銃900 は一つの主レンズを有し、
かつ前述したような陰極構造体190と、制御電極G1と、
スクリーン電極G2と、フォーカス電極G3及び加速電極G4
とが順番に並んでおり、これらはガラスビード800 によ
り一つに結合されている。820 は本発明の陰極構造体を
前記ガラスビード800 に固定させるための固定片であ
り、このような固定片は多様な形態に変更できる。
【００３１】前述したように、本発明による電子銃は単
一の主レンズを有する単電子銃の構造において、熱電子
放出源の放熱型陰極構造体が本発明の陰極構造体に取り
替えられた構造を有する。
【００３２】図１０は前述した本発明の電子銃を具備し
た本発明による陰極線管を概略的に示した図面であり、
既存構造の陰極線管において、従来の構造の電子銃が本
発明の電子銃900 に取り替わった構造を有する。
【００３３】全体的な構造は、電子銃900 が内蔵され、
その外周に偏向ヨーク320 が設けられるネック310 を有
するファンネル300 と、内側面にスクリーン410 の形成
されたパネル400 とが相互結合されて一つの真空容器が
構成される。前記パネル400のスクリーン410 から所定
距離離隔された位置にはシャドーマスク420 と内側シー
ルド440 が設けられており、これらはパネル400 に固定
されているフレーム430 で支持されている。
【００３４】前記のような構造を有する本発明の陰極線
管の組立が終了したら、陰極構造体を最適化するための
排気及びエージング工程を経るようになるが、従来の陰
極構造体を適用した陰極線管の場合には約４時間がかか
るのに対して、本発明による陰極線管の場合にはたった
２時間内に排気及びエージング工程が終了した。また、
実験によると、排気時の真空度を従来の陰極線管より一
段階程度下げても陰極構造体が損なわれなかった。
【００３５】
【発明の効果】本発明による陰極線管は強誘電性陰極層
を適用することにより、排気及びエージング工程が技術
的に単純化され、従って低コストとなる。その上に、フ
ィラメントのような熱源を使用しないために部品のコス
トが下がり、特に熱源による陰極構造体とこれに隣接し
た要素の熱的変形を抑制することができる。また、電子
放出方法が瞬間的なパルスにより行われるので、熱電子
の放出がすばやく行われる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による陰極構造体を概略的に示した図。
【図２】本発明による陰極構造体を概略的に示した斜視
図。
【図３】図２に示された本発明による陰極構造体の断面
図。
【図４】図２に示された本発明による陰極構造体の上部
電極の一部拡大平面図。
【図５】本発明による陰極構造体の制作工程図。
【図６】本発明による陰極構造体の制作工程図。
【図７】本発明による陰極構造体の制作工程図。
【図８】本発明による陰極構造体の制作工程図。
【図９】本発明の陰極構造体が適用された本発明による
電子銃の一実施例を示した概略断面図。
【図１０】本発明の電子銃が適用された本発明による陰
極線管の概略断面図。
【符号の説明】
100 基板 110 下部電極 120 強誘電性陰極層 130 上部電極 131 微細孔 140 絶縁層 150 駆動電極層 151 貫通孔 190 陰極構造体 300 ファンネル 310 ネック 320 偏向ヨーク 400 パネル 410 スクリーン 420 シャドーマスク 430 フレーム 440 内側シールド 800 ガラスビード 820 固定片 900 電子銃 G1 制御電極 G2 スクリーン電極 G3 フォーカス電極 G4 加速電極

Claims (36)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と、 基板上に形成される下部電極層と、 前記下部電極層上に形成される強誘電性エミッターを適
    用した陰極層と、 前記強誘電性陰極層上に形成され、強誘電性陰極層表面
    からの電子放出領域を供する上部電極層と、 前記電極層上に形成されて前記上部電極層の電子放出領
    域から放出される電子を制御する駆動電極とを具備する
    ことを特徴とする強誘電性エミッターを適用した陰極構
    造体。
  2. 【請求項２】 前記駆動電極は３つの駆動電極からな
    り、各駆動電極は電子が通過する貫通孔をそれぞれ有
    し、 前記駆動電極に対応する前記上部電極の部位には各貫通
    孔に対応する多数の微細孔が形成されていることを特徴
    とする請求項１に記載の強誘電性エミッターを適用した
    陰極構造体。
  3. 【請求項３】 前記貫通孔の直径は300 マイクロメート
    ル以下であることを特徴とする請求項２に記載の強誘電
    性エミッターを適用した陰極構造体。
  4. 【請求項４】 前記強誘電性陰極層の素材はPZT 又はPL
    ZTであることを特徴とする請求項１に記載の強誘電性エ
    ミッターを適用した陰極構造体。
  5. 【請求項５】 前記強誘電性陰極層の素材はPZT 又はPL
    ZTであることを特徴とする請求項２に記載の強誘電性エ
    ミッターを適用した陰極構造体。
  6. 【請求項６】 前記強誘電性陰極層の素材はPZT 又はPL
    ZTであることを特徴とする請求項３に記載の強誘電性エ
    ミッターを適用した陰極構造体。
  7. 【請求項７】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイクロ
    メートル乃至100 マイクロメートル内の範囲であること
    を特徴とする請求項１に記載の強誘電性エミッターを適
    用した陰極構造体。
  8. 【請求項８】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイクロ
    メートル乃至100 マイクロメートル内の範囲であること
    を特徴とする請求項２に記載の強誘電性エミッターを適
    用した陰極構造体。
  9. 【請求項９】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイクロ
    メートル乃至100 マイクロメートル内の範囲であること
    を特徴とする請求項３に記載の強誘電性エミッターを適
    用した陰極構造体。
  10. 【請求項１０】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項４に記載の強誘電性エミッターを
    適用した陰極構造体。
  11. 【請求項１１】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項５に記載の強誘電性エミッターを
    適用した陰極構造体。
  12. 【請求項１２】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項６に記載の強誘電性エミッターを
    適用した陰極構造体。
  13. 【請求項１３】 前記請求項１に記載の陰極構造体と、 前記電子放出源からの電子を制御及び加速する多数の電
    極を具備する電極群と、 前記電子放出源と前記電極群を支持かつ固定する支持手
    段と、 を具備することを特徴とする電子銃。
  14. 【請求項１４】 前記駆動電極は３つの駆動電極からな
    り、各駆動電極は電子が通過する貫通孔をそれぞれ有
    し、 前記駆動電極に対応する前記上部電極の部位には各貫通
    孔に対応する多数の微細孔が形成されていることを特徴
    とする請求項１３に記載の電子銃。
  15. 【請求項１５】 前記貫通孔の直径は300 マイクロメー
    トル以下であることを特徴とする請求項１４に記載の電
    子銃。
  16. 【請求項１６】 前記強誘電性陰極層の素材はPZT 又は
    PLZTであることを特徴とする請求項１３に記載の電子
    銃。
  17. 【請求項１７】 前記強誘電性陰極層の素材はPZT 又は
    PLZTであることを特徴とする請求項１４に記載の電子
    銃。
  18. 【請求項１８】 前記強誘電性陰極層の素材はPZT 又は
    PLZTであることを特徴とする請求項１５に記載の電子
    銃。
  19. 【請求項１９】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項１３に記載の電子銃。
  20. 【請求項２０】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項１４に記載の電子銃。
  21. 【請求項２１】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項１５に記載の電子銃。
  22. 【請求項２２】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項１６に記載の電子銃。
  23. 【請求項２３】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項１７に記載の電子銃。
  24. 【請求項２４】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項１８に記載の電子銃。
  25. 【請求項２５】 前記請求項１３に記載の電子放出源と
    多数の電極を具備した電子銃と、 前記電子銃の装着されるネック部を具備するファンネル
    と、 前記電子銃からの電子ビームにより画像を実現するスク
    リーンを具備したパネルと、 を具備することを特徴とする陰極線管。
  26. 【請求項２６】 前記駆動電極は３つの駆動電極からな
    り、各駆動電極は電子が通過する貫通孔をそれぞれ有
    し、 前記駆動電極に対応する前記上部電極の部位には各貫通
    孔に対応する多数の微細孔が形成されていることを特徴
    とする請求項２５に記載の陰極線管。
  27. 【請求項２７】 前記貫通孔の直径は300 マイクロメー
    トル以下であることを特徴とする請求項２６に記載の陰
    極線管。
  28. 【請求項２８】 前記強誘電性陰極層の素材はPZT 又は
    PLZTであることを特徴とする請求項２５に記載の陰極線
    管。
  29. 【請求項２９】 前記強誘電性陰極層の素材はPZT 又は
    PLZTであることを特徴とする請求項２６に記載の陰極線
    管。
  30. 【請求項３０】 前記強誘電性陰極層の素材はPZT 又は
    PLZTであことを特徴とする請求項２７に記載の陰極線
    管。
  31. 【請求項３１】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項２５に記載の陰極線管。
  32. 【請求項３２】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項２６に記載の陰極線管。
  33. 【請求項３３】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項２７に記載の陰極線管。
  34. 【請求項３４】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項２８に記載の陰極線管。
  35. 【請求項３５】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項２９に記載の陰極線管。
  36. 【請求項３６】 前記強誘電性陰極層の厚さは1 マイク
    ロメートル乃至100マイクロメートル内の範囲であるこ
    とを特徴とする請求項３０に記載の陰極線管。
JP34306796A 1995-12-29 1996-12-24 強誘電性エミッターを適用した陰極構造体及びこれを適用した電子銃並びに陰極線管 Expired - Fee Related JP3160213B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1995-66821 1995-12-29
KR1019950066821A KR100369066B1 (ko) 1995-12-29 1995-12-29 강유전성에미터를적용한음극구조체및이를적용한전자총과음극선관

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09198998A true JPH09198998A (ja) 1997-07-31
JP3160213B2 JP3160213B2 (ja) 2001-04-25

Family

ID=19447464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34306796A Expired - Fee Related JP3160213B2 (ja) 1995-12-29 1996-12-24 強誘電性エミッターを適用した陰極構造体及びこれを適用した電子銃並びに陰極線管

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5874802A (ja)
JP (1) JP3160213B2 (ja)
KR (1) KR100369066B1 (ja)
CN (1) CN1104020C (ja)
DE (1) DE19653602A1 (ja)
ES (1) ES2119714B1 (ja)
FR (1) FR2744564B1 (ja)
GB (1) GB2308729B (ja)
RU (1) RU2184404C2 (ja)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6885138B1 (en) * 2000-09-20 2005-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Ferroelectric emitter
EP1265263A4 (en) * 2000-12-22 2006-11-08 Ngk Insulators Ltd ELECTRONIC TRANSMITTING ELEMENT AND USE IN A FIELD EMISSION DISPLAY
US6936972B2 (en) 2000-12-22 2005-08-30 Ngk Insulators, Ltd. Electron-emitting element and field emission display using the same
US20020105262A1 (en) * 2001-02-05 2002-08-08 Plasmion Corporation Slim cathode ray tube and method of fabricating the same
US6911768B2 (en) * 2001-04-30 2005-06-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Tunneling emitter with nanohole openings
JP2003151466A (ja) * 2001-11-13 2003-05-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界放出型電子源素子、電子銃及びそれを用いた陰極線管装置
JP2003178690A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界放出素子
JP2003208856A (ja) * 2002-01-15 2003-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 受像管装置
US6946800B2 (en) 2002-02-26 2005-09-20 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter, method of driving electron emitter, display and method of driving display
US6897620B1 (en) 2002-06-24 2005-05-24 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter, drive circuit of electron emitter and method of driving electron emitter
JP2004146364A (ja) * 2002-09-30 2004-05-20 Ngk Insulators Ltd 発光素子及びそれを具えるフィールドエミッションディスプレイ
JP3822551B2 (ja) * 2002-09-30 2006-09-20 日本碍子株式会社 発光素子及びそれを具えるフィールドエミッションディスプレイ
US7067970B2 (en) 2002-09-30 2006-06-27 Ngk Insulators, Ltd. Light emitting device
JP2004172087A (ja) * 2002-11-05 2004-06-17 Ngk Insulators Ltd ディスプレイ
JP2004228065A (ja) 2002-11-29 2004-08-12 Ngk Insulators Ltd 電子パルス放出装置
US7129642B2 (en) 2002-11-29 2006-10-31 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitting method of electron emitter
US6975074B2 (en) 2002-11-29 2005-12-13 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter comprising emitter section made of dielectric material
JP3867065B2 (ja) 2002-11-29 2007-01-10 日本碍子株式会社 電子放出素子及び発光素子
US7187114B2 (en) 2002-11-29 2007-03-06 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter comprising emitter section made of dielectric material
US7176609B2 (en) 2003-10-03 2007-02-13 Ngk Insulators, Ltd. High emission low voltage electron emitter
US20040189548A1 (en) * 2003-03-26 2004-09-30 Ngk Insulators, Ltd. Circuit element, signal processing circuit, control device, display device, method of driving display device, method of driving circuit element, and method of driving control device
US7379037B2 (en) 2003-03-26 2008-05-27 Ngk Insulators, Ltd. Display apparatus, method of driving display apparatus, electron emitter, method of driving electron emitter, apparatus for driving electron emitter, electron emission apparatus, and method of driving electron emission apparatus
JP2005070349A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Ngk Insulators Ltd ディスプレイ及びその駆動方法
US7474060B2 (en) 2003-08-22 2009-01-06 Ngk Insulators, Ltd. Light source
US20050116603A1 (en) * 2003-10-03 2005-06-02 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter
US7336026B2 (en) 2003-10-03 2008-02-26 Ngk Insulators, Ltd. High efficiency dielectric electron emitter
US20050073234A1 (en) * 2003-10-03 2005-04-07 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter
JP2005183361A (ja) * 2003-10-03 2005-07-07 Ngk Insulators Ltd 電子放出素子、電子放出装置、ディスプレイ及び光源
JP2005116232A (ja) 2003-10-03 2005-04-28 Ngk Insulators Ltd 電子放出素子及びその製造方法
US7719201B2 (en) 2003-10-03 2010-05-18 Ngk Insulators, Ltd. Microdevice, microdevice array, amplifying circuit, memory device, analog switch, and current control unit
US20070241655A1 (en) * 2004-03-30 2007-10-18 Kazuto Sakemura Electron Emitting Device and Manufacturing Method Thereof and Image Pick Up Device or Display Device Using Electron Emitting Device
US7528539B2 (en) * 2004-06-08 2009-05-05 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter and method of fabricating electron emitter
JP4794227B2 (ja) * 2004-07-15 2011-10-19 日本碍子株式会社 電子放出素子
US7816847B2 (en) * 2004-07-15 2010-10-19 Ngk Insulators, Ltd. Dielectric electron emitter comprising a polycrystalline substance
JP2006080046A (ja) 2004-09-13 2006-03-23 Ngk Insulators Ltd 電子放出装置
JP4753561B2 (ja) 2004-09-30 2011-08-24 日本碍子株式会社 電子放出装置
US20060132052A1 (en) 2004-10-14 2006-06-22 Ngk Insulators, Ltd. Electron-emitting apparatus and method for emitting electrons
US20060082318A1 (en) * 2004-10-14 2006-04-20 Ngk Insulators, Ltd. Electron-emitting apparatus
EP1679730A1 (en) * 2004-11-30 2006-07-12 Ngk Insulators, Ltd. Electron-emitting device
WO2008157388A1 (en) * 2007-06-13 2008-12-24 Vitaliy Ziskin Scanning x-ray radiation
EP3031066B1 (en) * 2013-08-11 2018-10-17 Ariel-University Research and Development Company Ltd. Ferroelectric emitter for electron beam emission and radiation generation
IL243367B (en) 2015-12-27 2020-11-30 Ariel Scient Innovations Ltd A method and device for generating an electron beam and creating radiation
RU169040U1 (ru) * 2016-06-29 2017-03-02 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ") Пироэлектрический холодный катод с кольцевым поверхностным электродом
CN111443225A (zh) * 2020-04-15 2020-07-24 西安科技大学 一种铁电阴极测试系统及方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2639151B1 (fr) * 1988-06-28 1994-02-18 Riege Hans Procedes et appareils pour engendrer rapidement de forts changements de polarisation dans des materiaux ferro-electriques
DE3938752A1 (de) * 1989-11-23 1991-05-29 Riege Hans Kathode zur grossflaechigen erzeugung von intensiven, modulierten ein- oder mehrkanal-elektronenstrahlen
JP3184296B2 (ja) * 1992-05-26 2001-07-09 松下電器産業株式会社 強誘電体冷陰極
US5363021A (en) * 1993-07-12 1994-11-08 Cornell Research Foundation, Inc. Massively parallel array cathode
US5453661A (en) * 1994-04-15 1995-09-26 Mcnc Thin film ferroelectric flat panel display devices, and methods for operating and fabricating same
US5508590A (en) * 1994-10-28 1996-04-16 The Regents Of The University Of California Flat panel ferroelectric electron emission display system
JPH08203418A (ja) * 1995-01-20 1996-08-09 Olympus Optical Co Ltd 電荷発生器及びそれを用いた静電像形成装置並びにフラットパネルディスプレイ

Also Published As

Publication number Publication date
RU2184404C2 (ru) 2002-06-27
ES2119714A1 (es) 1998-10-01
FR2744564B1 (fr) 1998-08-28
GB9626898D0 (en) 1997-02-12
KR970051753A (ko) 1997-07-29
FR2744564A1 (fr) 1997-08-08
GB2308729B (en) 2000-05-24
KR100369066B1 (ko) 2003-03-28
US5874802A (en) 1999-02-23
DE19653602A1 (de) 1997-07-03
CN1104020C (zh) 2003-03-26
JP3160213B2 (ja) 2001-04-25
ES2119714B1 (es) 1999-05-01
CN1164120A (zh) 1997-11-05
GB2308729A (en) 1997-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3160213B2 (ja) 強誘電性エミッターを適用した陰極構造体及びこれを適用した電子銃並びに陰極線管
US6129603A (en) Low temperature glass frit sealing for thin computer displays
JP2004228084A (ja) 電界放出素子
JP3131339B2 (ja) 陰極、陰極線管および陰極線管の作動方法
JPH07220616A (ja) 可制御熱電子放出器
WO2002071437A2 (en) Slim cathode ray tube and method of fabricating the same
US20050104494A1 (en) Flat panel display and method of manufacturing the same
KR100432110B1 (ko) 평면형 화상 표시 장치의 제조 방법 및 평면형 화상 표시장치의 제조 장치
JP3971263B2 (ja) 画像表示装置およびその製造方法
US5650689A (en) Vacuum airtight device having NbN electrode structure incorporated therein
JPH08203423A (ja) 電界放出冷陰極のエージング方法
US5898262A (en) Cathode structure and electron gun for cathode ray tube using the same
JP2000182543A (ja) 平面型表示装置
JP2003016916A (ja) 電子放出素子、電子源及び画像形成装置
JP2005251475A (ja) 画像表示装置
KR100522692B1 (ko) 전계 방출 소자 및, 그것의 제조 방법
JP2005251474A (ja) 画像表示装置の製造方法、および封着材充填装置
US5766054A (en) Method of manufacturing cathode ray tube
JP3060546B2 (ja) フラットパネルディスプレイ
JPH0787074B2 (ja) 電子放出素子およびその製造方法
JPH0142930Y2 (ja)
EP1544892A1 (en) Image-displaying device, method of producing spacer used for image-displaying device, and image-displaying device with the spacer produced by the method
JP2003016919A (ja) 電子放出素子、電子源、電子源集合体および画像形成装置
KR100249213B1 (ko) 음극선관용 전자총의 음극과 그 제조방법
JP3082290B2 (ja) 平面型表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010122

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees