RU2184404C2 - Катод, электронная пушка и электронно-лучевая трубка, использующая сегнетоэлектрический эмиттер - Google Patents
Катод, электронная пушка и электронно-лучевая трубка, использующая сегнетоэлектрический эмиттер Download PDFInfo
- Publication number
- RU2184404C2 RU2184404C2 RU96124398/09A RU96124398A RU2184404C2 RU 2184404 C2 RU2184404 C2 RU 2184404C2 RU 96124398/09 A RU96124398/09 A RU 96124398/09A RU 96124398 A RU96124398 A RU 96124398A RU 2184404 C2 RU2184404 C2 RU 2184404C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cathode
- layer
- electrode
- ferroelectric
- electron gun
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 18
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VJPLIHZPOJDHLB-UHFFFAOYSA-N lead titanium Chemical compound [Ti].[Pb] VJPLIHZPOJDHLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 1
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/04—Cathodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/312—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode having an electric field perpendicular to the surface, e.g. tunnel-effect cathodes of metal-insulator-metal [MIM] type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/306—Ferroelectric cathodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом является снижение стоимости катода, упрощение его изготовления. Электронная пушка содержит подложку, нижний слой электрода, сформированный на подложке, слой катода, сформированный на нижнем слое электрода и использующий сегнетоэлектрический эмиттер, верхний слой электрода, сформированный на сегнетоэлектрическом слое катода, который имеет области, способные испускать электроны с этой поверхности, и слой возбуждения электрода, сформированный на верхнем слое электрода и предназначенный для управления эмиссией электронов из областей эмиссии электронов верхнего слоя электрода. 2 с. и 7 з.п. ф-лы, 10 ил.
Description
Область техники
Настоящее изобретение относится к катоду, использующему сегнетоэлектрический эмиттер, к электронной пушке и электронно-лучевой трубке, использующей сегнетоэлектрический катод, а более точно - к катоду, использующему сегнетоэлектрический эмиттер в качестве источника электронной эмиссии, и к электронной пушке и электронно-лучевой трубке, использующей сегнетоэлектрический катод.
Настоящее изобретение относится к катоду, использующему сегнетоэлектрический эмиттер, к электронной пушке и электронно-лучевой трубке, использующей сегнетоэлектрический катод, а более точно - к катоду, использующему сегнетоэлектрический эмиттер в качестве источника электронной эмиссии, и к электронной пушке и электронно-лучевой трубке, использующей сегнетоэлектрический катод.
Предшествующий уровень техники
Катод, используемый в электронно-лучевой трубке, испускает электроны из тела катода, выполненного из вещества, такого как оксид бария, возбуждаемого за счет тепловой энергии. Такой катод имеет источник тепловой энергии для подогрева, например нить накала. Различаются катоды с прямым подогревом и катоды с косвенным подогревом, согласно типу нити накала, использующейся для подогрева катода.
Катод, используемый в электронно-лучевой трубке, испускает электроны из тела катода, выполненного из вещества, такого как оксид бария, возбуждаемого за счет тепловой энергии. Такой катод имеет источник тепловой энергии для подогрева, например нить накала. Различаются катоды с прямым подогревом и катоды с косвенным подогревом, согласно типу нити накала, использующейся для подогрева катода.
Кроме того, электронно-лучевая трубка должна быть отвакуумирована, чтобы электроны, испускаемые из электронной пушки, могли распространяться в направлении экрана и можно было предотвратить отравление материала катода вследствие ионного распыления.
Процесс изготовления электронно-лучевой трубки включает ряд приемов оптимизации, такие как откачка воздуха и тренировка, чтобы электроны могли успешно испускаться из материала катода. Однако такой процесс занимает много времени и вызывает ухудшение свойств материала катода за счет контакта при соударении с ионизированным инородными веществами.
Раскрытие изобретения
Целью настоящего изобретения является разработка катода, использующего сегнетоэлектрический эмиттер, который позволяет существенно снизить ухудшение качества материала катода, возникающего из-за ионного соударения даже при низком вакууме.
Целью настоящего изобретения является разработка катода, использующего сегнетоэлектрический эмиттер, который позволяет существенно снизить ухудшение качества материала катода, возникающего из-за ионного соударения даже при низком вакууме.
Другой целью настоящего изобретения является разработка электронной пушки и электронно-лучевой трубки, в которых использован катод с сегнетоэлектрическим эмиттером.
Для достижения первой цели разработан катод, включающий подложку, нижний слой электрода, сформированный на подложке, слой катода, сформированный на нижнем слое электрода с сегнетоэлектрическим эмиттером, верхний слой электрода, сформированный на сегнетоэлектрическом слое катода, который имеет области, способные испускать электроны с этой поверхности, и слой возбуждения электрода, сформированный на верхнем слое электрода и предназначенный для управления эмиссией электронов из областей эмиссии электронов верхнего слоя электрода.
Для достижения второй цели разработана электронная пушка, включающая катод, группу электродов, включающую множество электродов, предназначенных для управления и ускорения электронов, испускаемых из катода, и опорное средство, предназначенное для крепления катода и группы электродов.
Для достижения третьей цели разработана электронно-лучевая трубка, включающая электронную пушку, конус баллона кинескопа, имеющий горловинную часть, в которой установлена электронная пушка, и панель, имеющую экран, на котором воспроизводится изображение посредством электронного луча, испускаемого из электронной пушки.
Краткое описание чертежей
В дальнейшем изобретение поясняется конкретным вариантом его воплощения со ссылками на сопровождающие чертежи, на которых:
фиг.1 - катод (поперечное сечение) согласно настоящему изобретению;
фиг.2 - общий вид катода согласно изобретению;
фиг.3 - катод (поперечное сечение) согласно изобретению,
фиг.4 - часть верхнего электрода катода согласно изобретению;
фиг.5 - 8 - процесс изготовления катода согласно изобретению;
фиг.9 - электронная пушка (поперечное сечение) с катодом согласно изобретению; и
фиг. 10 - электронно-лучевая трубка (поперечное сечение), в которой используется электронная пушка согласно изобретению.
В дальнейшем изобретение поясняется конкретным вариантом его воплощения со ссылками на сопровождающие чертежи, на которых:
фиг.1 - катод (поперечное сечение) согласно настоящему изобретению;
фиг.2 - общий вид катода согласно изобретению;
фиг.3 - катод (поперечное сечение) согласно изобретению,
фиг.4 - часть верхнего электрода катода согласно изобретению;
фиг.5 - 8 - процесс изготовления катода согласно изобретению;
фиг.9 - электронная пушка (поперечное сечение) с катодом согласно изобретению; и
фиг. 10 - электронно-лучевая трубка (поперечное сечение), в которой используется электронная пушка согласно изобретению.
Варианты осуществления изобретения
Сегнетоэлектрический слой 120 (фиг.1) катода, который является электронным эмиттером, а нижний и верхний слои 110 и 130 электродов соответственно предназначены для возбуждения сегнетоэлектрического слоя катода.
Сегнетоэлектрический слой 120 (фиг.1) катода, который является электронным эмиттером, а нижний и верхний слои 110 и 130 электродов соответственно предназначены для возбуждения сегнетоэлектрического слоя катода.
Когда импульс высокого напряжения прикладывается к верхним и нижним электродам 110 и 130 за время менее одной микросекунды, происходит спонтанная поляризация на поверхности и внутри сегнетоэлектрического слоя 120 катода и таким образом испускаются электроны.
В катоде 190 (фиг. 2) согласно одному из вариантов воплощения нижний электрод 110 сформирован на подложке 100 и далее последовательно сформированы на нем слой 120 катода, использующий сегнетоэлектрический эмиттер, верхний слой 130 электрода, изолирующий слой 140 и слой 150 возбуждения электрода. Катод 190 имеет три отверстия 151 эмиссии электронов, использующиеся в цветной электронно-лучевой трубке.
Катод содержит один верхний слой 130 электрода и один нижний слой 110 электрода для возбуждения сегнетоэлектрического слоя 120 катода. На изолирующем слое 140 сформирован слой 150 возбуждения электрода, образованный тремя электродами возбуждения, которые расположены на одинаковом расстоянии друг от друга. Каждый электрод 150 возбуждения имеет отверстие 151, предназначенное для эмиссии электронов и управления. Кроме того, на части верхнего слоя 130 электрода, соответствующего отверстиям 151 для эмиссии электронов, сформировано большое количество маленьких отверстий 131 (фиг.4) так, чтобы электроны могли перемещаться вперед по направлению к отверстиям 151 для эмиссии электронов из слоя 150 возбуждения электрода. Слой 150 возбуждения электрода получает сигналы управления и управляет эмиссией электронов и величиной эмиссии.
В катоде согласно одному из вариантов воплощения изобретения могут использоваться PZT (цирконат-титонат свинца) и PLZT (цирконат-титонат свинца, легированный лантаном), которые хорошо известны в качестве сегнетоэлектрических материалов. Кроме того, можно использовать металл с высокой проводимостью типа Al, Au, или At для верхних и нижних электродов 130 и 110.
Согласно экспериментальным данным напряжение возбуждения для испускания электронов из сегнетоэлектрического слоя 120 катода должно быть ниже 100 В, чтобы уменьшить утечку тока и обеспечить стабильную электронную эмиссию. Напряжение возбуждения зависит от состояния сегнетоэлектрического материала, т. е. от кристаллической фазы и его толщины. Кроме того, желательно, чтобы толщина сегнетоэлектрического слоя 120 катода (например, PLZT) была меньше 10 микрометров, чтобы напряжение импульса возбуждения было ниже 100 В. Напряжение возбуждения уменьшается при уменьшении толщины слоя катода, в то же время при толщине меньше одного микрометра между электродами может произойти короткое замыкание, поэтому толщина слоя катода должна быть больше одного микрометра. Кроме того, величина напряжения возбуждения в значительной степени зависит от размера области эмиссии электронов, то есть размера отверстия для эмиссии электронов на электроде 150 возбуждения. Согласно экспериментальным данным размер отверстия для стабильной эмиссии электронов при 100 В должен быть менее 300 мкм.
Способ изготовления катода согласно изобретению описан ниже.
Сначала на подложке 100 способом печати (фиг.5) формируется золотая паста. Подложка 100 представляет собой стеклообразное вещество. Затем проводится пластификация в течение заданного времени для формирования нижнего слоя 110 электрода.
Когда формирование нижнего слоя 110 электрода завершено (фиг.5), формируется пастообразный слой PZT или PLZT до толщины 20 микрометров способом печати, и затем проводится пластификация для формирования сегнетоэлектрического слоя 120 катода (фиг.6).
Золотая паста наносится на сегнетоэлектрический слой 120 (фиг.7) катода способом печати, и затем проводится пластификация для формирования верхнего слоя 130 электрода. Верхний электрод 130 формируется в том же самом образце (фиг.4), т.е. с множеством маленьких отверстий 131 для эмиссии.
Изолирующий слой 140 (фиг.8) и слой 150 возбуждения электрода также последовательно формируются способом печати. В результате получается требуемый катод. Кроме того, изолирующий слой 140 и слой 150 возбуждения электрода должны иметь отверстия, соответствующие малым отверстиям 131 для эмиссии верхнего электрода 130.
Может быть использован катод, соответствующий другому варианту воплощения изобретения, полученный другим способом. Например, для формирования слоя электрода можно использовать напыление или способ "Доктора Блейда", а для формирования сегнетоэлектрического слоя катода можно использовать способ получения сегнетоэлектрической пластинки из порошка, покрывая слой электрода с одной стороны в смеси с акриловой смолой и полируя другую сторону определенной толщины и присоединяя ее к подложке 100.
Электронная пушка 900 (фиг.9) использует катод, соответствующий одному из вариантов воплощения изобретения.
Электронная пушка 900 содержит основную линзу, образованную катодом 190, описанным выше, управляющий электрод G1, экранирующий электрод G2, фокусирующий электрод G3 и ускоряющий электрод G4. Элементы поддерживаются стеклянным изолятором 800. Ножка 820 цоколя с переменной фиксацией предназначена для фиксации катода 190 в стеклянном изоляторе 800.
Электронно-лучевая трубка, использующая электронную пушку согласно настоящему изобретению, показана на фиг.10.
Конус баллона кинескопа 300 содержит отклоняющую систему 320 на внешней поверхности и включает электронную пушку 900 и панель 400, имеющую экран 410 на внутренней стенке, которые объединены друг с другом для формирования вакуумной емкости. Теневая маска 420 и внутренний экран 440, которые поддерживаются рамкой 430, закрепленной на панели 400, установлены внутри электронно-лучевой трубки.
Когда сборка такой электронно-лучевой трубки завершена, выполняется откачка воздуха и тренировка, которые продолжаются около четырех часов в случае стандартной электронно-лучевой трубки, и только два часа в случае электронно-лучевой трубки, использующей катод, согласно настоящему изобретению. Кроме того, по сравнению со стандартной электронно-лучевой трубкой в электронно-лучевой трубке, использующей заявленный катод, величина вакуума не уменьшается на одну экспоненциальную единицу.
При использовании сегнетоэлектрического катода процессы откачки и тренировки, которые являются проблемой в процессе изготовления известной электронно-лучевой трубки, можно упростить и таким образом снизить стоимость этой продукции. Поскольку в ней не используется тепловой источник, такой как нить накала, стоимость узлов можно также уменьшить и предотвратить тепловое воздействие на катод и элементы, расположенные рядом с тепловым источником. Кроме того, эмиссия электронов осуществляется после подачи на нее кратковременных импульсов напряжения и таким образом можно быстро восстановить эмиссию электронов.
Claims (9)
1. Электронная пушка, содержащая катод, группу электродов, включающую множество электродов для управления и ускорения электронов, испускаемых катодом, опорное средство для крепления катода и группы электродов, отличающаяся тем, что содержит подложку, нижний слой электрода, сформированный на указанной подложке, слой катода, сформированный на нижнем слое электрода и использующий сегнетоэлектрический эмиттер, верхний слой электрода, сформированный на сегнетоэлектрическом слое катода, и имеющий области, способные испускать электроны с этой поверхности, слой возбуждения электрода, сформированный на верхнем слое электрода и предназначенный для управления эмиссией электронов из областей эмиссии электронов верхнего слоя электрода, при этом указанный слой возбуждения электрода содержит три электрода возбуждения, каждый из которых имеет отверстие для прохождения электронов, а верхний слой электрода содержит множество маленьких отверстий для эмиссии электронов на областях, соответствующих отверстиям для эмиссии электронов в слое возбуждения электрода.
2. Электронная пушка по п. 1, в которой диаметр отверстий для эмиссии электронов слоя возбуждения электрода меньше 300 мкм.
3. Электронная пушка по п. 1, в которой сегнетоэлектрический слой катода выбран из группы, состоящей из РZT (свинец-цирконат титана) и PLZT (свинец-лантан-цирконат титана).
4. Электрическая пушка по п. 1, в которой толщина сегнетоэлектрического слоя катода находится в пределах от 1 до 100 мкм.
5. Электронная пушка по п. 3, в которой толщина сегнетоэлектрического слоя катода находится в пределах от 1 до 100 мкм.
6. Электронно-лучевая трубка, содержащая электронную пушку, заявленную по п. 1, конус баллона кинескопа, имеющий участок горловины, в котором установлена электронная пушка и панель, имеющую экран, на котором воспроизводится изображение посредством электронного луча, испускаемого из электронной пушки.
7. Электронно-лучевая трубка по п. 6, в которой диаметр отверстий для эмиссии электронов слоя возбуждения электрода меньше 300 мкм.
8. Электронно-лучевая трубка по п. 6, в которой сегнетоэлектрический слой катода выбран из группы, состоящей из РZT (свинец-цирконат титана) и РLZT (свинец-лантан-цирконат титана).
9. Электронно-лучевая трубка по любому из пп. 6-8, в которой толщина сегнетоэлектрического слоя катода находится в пределах от 1 до 100 мкм.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066821A KR100369066B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 강유전성에미터를적용한음극구조체및이를적용한전자총과음극선관 |
| KR95-66821 | 1995-12-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU96124398A RU96124398A (ru) | 1999-02-20 |
| RU2184404C2 true RU2184404C2 (ru) | 2002-06-27 |
Family
ID=19447464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU96124398/09A RU2184404C2 (ru) | 1995-12-29 | 1996-12-27 | Катод, электронная пушка и электронно-лучевая трубка, использующая сегнетоэлектрический эмиттер |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5874802A (ru) |
| JP (1) | JP3160213B2 (ru) |
| KR (1) | KR100369066B1 (ru) |
| CN (1) | CN1104020C (ru) |
| DE (1) | DE19653602A1 (ru) |
| ES (1) | ES2119714B1 (ru) |
| FR (1) | FR2744564B1 (ru) |
| GB (1) | GB2308729B (ru) |
| RU (1) | RU2184404C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU169040U1 (ru) * | 2016-06-29 | 2017-03-02 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ") | Пироэлектрический холодный катод с кольцевым поверхностным электродом |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6885138B1 (en) * | 2000-09-20 | 2005-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ferroelectric emitter |
| US6936972B2 (en) | 2000-12-22 | 2005-08-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron-emitting element and field emission display using the same |
| JP3699451B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2005-09-28 | 日本碍子株式会社 | 電子放出素子及びそれを用いたフィールドエミッションディスプレイ |
| US20020105262A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-08 | Plasmion Corporation | Slim cathode ray tube and method of fabricating the same |
| US6911768B2 (en) * | 2001-04-30 | 2005-06-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Tunneling emitter with nanohole openings |
| JP2003151466A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界放出型電子源素子、電子銃及びそれを用いた陰極線管装置 |
| JP2003178690A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界放出素子 |
| JP2003208856A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受像管装置 |
| WO2003073458A1 (fr) * | 2002-02-26 | 2003-09-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Dispositif d'emission d'electrons, procede d'activation d'un dispositif d'emission d'electrons, afficheur et procede d'activation d'un afficheur |
| US6897620B1 (en) | 2002-06-24 | 2005-05-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter, drive circuit of electron emitter and method of driving electron emitter |
| JP3822551B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2006-09-20 | 日本碍子株式会社 | 発光素子及びそれを具えるフィールドエミッションディスプレイ |
| US7067970B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-06-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Light emitting device |
| JP2004146364A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-05-20 | Ngk Insulators Ltd | 発光素子及びそれを具えるフィールドエミッションディスプレイ |
| JP2004172087A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-17 | Ngk Insulators Ltd | ディスプレイ |
| US6975074B2 (en) | 2002-11-29 | 2005-12-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter comprising emitter section made of dielectric material |
| JP2004228065A (ja) | 2002-11-29 | 2004-08-12 | Ngk Insulators Ltd | 電子パルス放出装置 |
| US7129642B2 (en) | 2002-11-29 | 2006-10-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitting method of electron emitter |
| US7187114B2 (en) | 2002-11-29 | 2007-03-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter comprising emitter section made of dielectric material |
| JP3867065B2 (ja) | 2002-11-29 | 2007-01-10 | 日本碍子株式会社 | 電子放出素子及び発光素子 |
| US20040189548A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-09-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Circuit element, signal processing circuit, control device, display device, method of driving display device, method of driving circuit element, and method of driving control device |
| US7379037B2 (en) | 2003-03-26 | 2008-05-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Display apparatus, method of driving display apparatus, electron emitter, method of driving electron emitter, apparatus for driving electron emitter, electron emission apparatus, and method of driving electron emission apparatus |
| US7176609B2 (en) | 2003-10-03 | 2007-02-13 | Ngk Insulators, Ltd. | High emission low voltage electron emitter |
| JP2005070349A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Ngk Insulators Ltd | ディスプレイ及びその駆動方法 |
| US7474060B2 (en) | 2003-08-22 | 2009-01-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Light source |
| US20050116603A1 (en) * | 2003-10-03 | 2005-06-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter |
| US7336026B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-02-26 | Ngk Insulators, Ltd. | High efficiency dielectric electron emitter |
| US7719201B2 (en) | 2003-10-03 | 2010-05-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Microdevice, microdevice array, amplifying circuit, memory device, analog switch, and current control unit |
| JP2005116232A (ja) | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Ngk Insulators Ltd | 電子放出素子及びその製造方法 |
| JP2005183361A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-07-07 | Ngk Insulators Ltd | 電子放出素子、電子放出装置、ディスプレイ及び光源 |
| US20050073234A1 (en) * | 2003-10-03 | 2005-04-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter |
| US20070241655A1 (en) * | 2004-03-30 | 2007-10-18 | Kazuto Sakemura | Electron Emitting Device and Manufacturing Method Thereof and Image Pick Up Device or Display Device Using Electron Emitting Device |
| US7528539B2 (en) * | 2004-06-08 | 2009-05-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter and method of fabricating electron emitter |
| JP4794227B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2011-10-19 | 日本碍子株式会社 | 電子放出素子 |
| US7816847B2 (en) * | 2004-07-15 | 2010-10-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric electron emitter comprising a polycrystalline substance |
| JP2006080046A (ja) | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Ngk Insulators Ltd | 電子放出装置 |
| JP4753561B2 (ja) | 2004-09-30 | 2011-08-24 | 日本碍子株式会社 | 電子放出装置 |
| US20060082318A1 (en) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron-emitting apparatus |
| US20060132052A1 (en) | 2004-10-14 | 2006-06-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron-emitting apparatus and method for emitting electrons |
| US7635944B2 (en) * | 2004-11-30 | 2009-12-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron-emitting device and method for manufacturing same |
| WO2008157388A1 (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-24 | Vitaliy Ziskin | Scanning x-ray radiation |
| WO2015022621A1 (en) * | 2013-08-11 | 2015-02-19 | Ariel - University Research And Development Company, Ltd. | Ferroelectric emitter for electron beam emission and radiation generation |
| IL243367B (en) | 2015-12-27 | 2020-11-30 | Ariel Scient Innovations Ltd | A method and device for generating an electron beam and creating radiation |
| CN111443225A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-07-24 | 西安科技大学 | 一种铁电阴极测试系统及方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2639151B1 (fr) * | 1988-06-28 | 1994-02-18 | Riege Hans | Procedes et appareils pour engendrer rapidement de forts changements de polarisation dans des materiaux ferro-electriques |
| DE3938752A1 (de) * | 1989-11-23 | 1991-05-29 | Riege Hans | Kathode zur grossflaechigen erzeugung von intensiven, modulierten ein- oder mehrkanal-elektronenstrahlen |
| JP3184296B2 (ja) * | 1992-05-26 | 2001-07-09 | 松下電器産業株式会社 | 強誘電体冷陰極 |
| US5363021A (en) * | 1993-07-12 | 1994-11-08 | Cornell Research Foundation, Inc. | Massively parallel array cathode |
| US5453661A (en) * | 1994-04-15 | 1995-09-26 | Mcnc | Thin film ferroelectric flat panel display devices, and methods for operating and fabricating same |
| US5508590A (en) * | 1994-10-28 | 1996-04-16 | The Regents Of The University Of California | Flat panel ferroelectric electron emission display system |
| JPH08203418A (ja) * | 1995-01-20 | 1996-08-09 | Olympus Optical Co Ltd | 電荷発生器及びそれを用いた静電像形成装置並びにフラットパネルディスプレイ |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066821A patent/KR100369066B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-12-20 DE DE19653602A patent/DE19653602A1/de not_active Withdrawn
- 1996-12-24 GB GB9626898A patent/GB2308729B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-24 JP JP34306796A patent/JP3160213B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-27 US US08/777,312 patent/US5874802A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-27 RU RU96124398/09A patent/RU2184404C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1996-12-27 ES ES09700029A patent/ES2119714B1/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-27 FR FR9616131A patent/FR2744564B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-28 CN CN96123989A patent/CN1104020C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU169040U1 (ru) * | 2016-06-29 | 2017-03-02 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ") | Пироэлектрический холодный катод с кольцевым поверхностным электродом |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970051753A (ko) | 1997-07-29 |
| ES2119714A1 (es) | 1998-10-01 |
| GB2308729A (en) | 1997-07-02 |
| FR2744564B1 (fr) | 1998-08-28 |
| US5874802A (en) | 1999-02-23 |
| ES2119714B1 (es) | 1999-05-01 |
| JP3160213B2 (ja) | 2001-04-25 |
| JPH09198998A (ja) | 1997-07-31 |
| CN1104020C (zh) | 2003-03-26 |
| KR100369066B1 (ko) | 2003-03-28 |
| DE19653602A1 (de) | 1997-07-03 |
| CN1164120A (zh) | 1997-11-05 |
| FR2744564A1 (fr) | 1997-08-08 |
| GB2308729B (en) | 2000-05-24 |
| GB9626898D0 (en) | 1997-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2184404C2 (ru) | Катод, электронная пушка и электронно-лучевая трубка, использующая сегнетоэлектрический эмиттер | |
| US5534749A (en) | Field-emission display with black insulating layer between transparent electrode and conductive layer | |
| US5719477A (en) | Electron gun for cathode ray tube | |
| US5489817A (en) | Electron-optical terminal image device based on a cold cathode | |
| JP2629521B2 (ja) | 電子銃及び陰極線管 | |
| JP3131339B2 (ja) | 陰極、陰極線管および陰極線管の作動方法 | |
| JP2001266735A (ja) | 電界放出型冷陰極構造及びこの陰極を備えた電子銃 | |
| KR100201248B1 (ko) | 개선된 전계 방출 냉음극의 2차원 어레이를 갖는 전자총 | |
| JPH0887956A (ja) | 電子放出素子、電子放出素子の製造方法、ｃｒｔ、及び平面ディスプレイ | |
| JP2002520770A (ja) | 電界放射素子 | |
| EP0123348A1 (en) | Colour display apparatus | |
| US6545397B2 (en) | Cathode for electron tube | |
| US4929209A (en) | Method of aging cathode-ray tube | |
| JP2982719B2 (ja) | 画像表示装置の出画制御方法および画像表示装置 | |
| EP0206216A1 (en) | Cathode ray tube | |
| JPS63304546A (ja) | 陰極線管の製造方法 | |
| JP4138076B2 (ja) | 平面型画像表示装置の駆動方法 | |
| JPH11283526A (ja) | レ―ザ―陰極線管の励起方法 | |
| KR100195170B1 (ko) | 음극구조체 및 이를 이용한 음극선관용 전자총 | |
| KR940009191B1 (ko) | 평면형 냉음극선관 | |
| JPH01283750A (ja) | 画像表示装置 | |
| JPH09213232A (ja) | カラー陰極線管用電子銃 | |
| JPH03226949A (ja) | 平面型表示装置およびその制御電極の製造方法および平面型テレビジョン装置 | |
| KR20020056080A (ko) | 전계 방출 표시 소자를 위한 집속전극 장치 | |
| JPS6093739A (ja) | 画像表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20081228 |