CN1104020C - 使用铁电发射体的阴极、电子枪及阴极射线管 - Google Patents
使用铁电发射体的阴极、电子枪及阴极射线管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1104020C CN1104020C CN96123989A CN96123989A CN1104020C CN 1104020 C CN1104020 C CN 1104020C CN 96123989 A CN96123989 A CN 96123989A CN 96123989 A CN96123989 A CN 96123989A CN 1104020 C CN1104020 C CN 1104020C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cathode layer
- layer
- ferroelectric
- micron
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 1
- RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N astatine atom Chemical compound [At] RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/04—Cathodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/312—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode having an electric field perpendicular to the surface, e.g. tunnel-effect cathodes of metal-insulator-metal [MIM] type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/306—Ferroelectric cathodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
本发明提供了一种阴极，它包括：基体；在基体上所形成的下部电极层；阴极层，它是在下部电极层上形成的，使用了一种铁电发射体；上部电极层，它是在铁电阴极层上形成的，它有可以从其表面发射电子的区域；以及一个激励电极层，它是在上部电极层上形成的，用于控制从上部电极层电子发射区发射电子。
Description
技术领域
本发明涉及一种使用铁电发射体的阴极以及一种使用该铁电阴极的电子枪和阴极射线管，特别是本发明还涉及使用铁电发射体作为电子发射源的阴极及利用铁电阴极的电子枪和阴极射线管。
背景技术
一般说来，阴极射线管中所用的阴极都从比如由受热激发氧化钡材料构成的阴极而发射电子。这样一种阴极都有一个用于对阴极进行加热的热源，例如灯丝，而且这种阴极可以根据用于加热阴极所用灯丝的类型而分成直热式阴极或间热式阴极。
此外，阴极射线管内部保持高真空状态，使得从电子枪发射的电子能在没有任何障碍的情况下直接射向荧屏，而且能够阻止由于离子溅射造成的阴极材料的损伤。
阴极射线管的制造过程通常包括一系列最适宜的步骤，例如排气步骤和老化步骤，使得电子能从阴极材料成功地发射。可是，这种过程要费很多时间，并且由于伴随着电离的杂质材料碰撞而造成阴极材料的损伤。
发明内容
本发明的一个目的就是提供一种使用铁电发射体的阴极，这种铁电发射体可以减少由于甚至在低真空状态下离子冲击而造成的阴极材料损伤。
本发明的另一个目的是提供一种电子枪和一种阴极射线管，它们都使用了铁电发射体的阴极。
为达到第一个目的，所推荐的阴极包括：
基体；
在基体上所形成的下部电极层；
阴极层，它是在低电极层上所形成的，使用了铁电发射体；
上部电极层，它是在铁电阴极层上形成的，它有可从其表面发射电子的发射区；
驱动电极层，它是在上部电极层上形成的，用来控制上部电极层电子发射区的电子发射。
为了达到第二个目的，所提供的电子枪包括：
上述阴极；
含有多个电极的电极组，用来控制和加速从阴极所发射的电子；以及
支承阴极和电极组的支承件。
为了达到第三个目的，所提供的阴极射线管包括：
上述电子枪；
带有可安放电子枪的颈部的锥体；以及
带有荧光层的屏盘，利用由电子枪发射的电子束可在其上显示图象。
附图说明
本发明的上述目的及优点将通过参照附图对具体优选方案的详细描述而更加明显地显示出来，图中：
图1是表示本发明的阴极的实施例的部面图；
图2是表示本发明实施例阴极的直观透视图；
图3是图2所示阴极的剖面图；
图4为表示图2所示阴极上部电极局部放大的示意图；
图5至8表示的是图2所示阴极的制备过程；
图9是表示一个电子枪的剖面示意图，该电子枪使用了依照本发明实施例的阴极；
图10是表示一个阴极射线管的剖面示意图，该阴极射线管使用了根据本发明实施例的电子枪。
具体实施方式
参照图1，标号120指示电子发射体的铁电阴极层，而标号110和130分别指示下部和上部电极层，它们用于激发铁电阴极层。
当高压脉冲加到上部和下部电极110及130不足微秒时，在铁电阴极层120的表面和内部出现自极化而发射出电子。
参照图2，此图示出根据本发明实施例的阴极190，下部电极110是在基体100上形成的，使用铁电发射体的阴极层120、上部电极层130、绝缘层140和驱动电极层150都依序在其上面形成。图2中所示的阴极190有三个电子发射孔151，用于彩色阴极射线管中。
更详细地说，它包括用于激发铁电阴极层120的一个上部电极层130和一个下部电极层110。在绝缘层140上制成由三个驱动电极构成的驱动电极层150。这三个驱动电极是按照有规律的间隔分布的。每个驱动电极150都有一个用于电子发射和控制的电子发射孔151。此外，在对应电子发射孔151的上部电极层130部位上，如图4所示制成了大量的小孔131使得电子能够移向驱动电极层150的电子发射孔151。驱动电极层150接收控制信号例如图象信号，并且控制电子发射和发射量。
在根据本发明实施例的阴极中，作为铁电材料为大家所公知的PZT和PLZT是可以采用的。此外，高导电金属比如Al(铝)、金(Au)或At(砹)都能用于上部和下部电极130及110。
根据试验，从铁电阴极层120发射电子的激发电压可低于100伏是为了减少电流泄漏并保证稳定的电子发射。激励电压与铁电材料的物态有关，即与其晶相及厚度有关。还有，根据试验，都希望铁电阴极层120的厚度(例如PLZT的厚度)要低于10微米使得激励脉冲电压保持在100伏以下。阴极层厚度减少激励电压也减少，而厚度低于1微米时电极间发生短路，因而阴极层的厚度必须在1微米以上。此外，激励电压的大小基本上随电子发射区的大小即随驱动(激励)电极150上的电子发射孔大小而定。根据试验，电子发射孔的大小对于100伏以下的稳定电子发射来说将为300微米以下。
下面将描述这种根据本发明实施例的阴极的制备方法。
如图5所示，首先，在基体100上利用印刷方法制成金电极糊，该基体是由晶化玻璃构成的，然后按预定的时间增塑，形成下部电极层110。
当下部电极层110完成后，如图5所示，利用印刷方法在其上形成厚20微米的PZT或PLZT浆料层，然后增塑以便形成如图6所示的铁电阴极层120。
如图7所示，利用印刷方法在铁电阴极层120上涂覆金电极糊，然后增塑以形成上部电极层130。同时，按如图4所示相同的图形成形上部电极130，即产生很多细小发射孔131。
如图8所示，绝缘层140和激励(驱动)电极层150也相继采用印刷方法在其上进行加工成形。从而得到了所要求的阴极。还有，绝缘层140和激励电极层150要具有对应于上部电极130细小发射孔131的孔。
根据本发明另一种实施例的阴极，可使用除印刷方法以外的方法。例如，用溅射法或Blade博士法形成电极层，并且可用下列方法制备铁电阴极层：制作一层块状体铁电层，在其一侧涂电极层，用丙烯酸树脂对其进行模压，将另一侧抛光到预定的厚度并把它贴到基体100上。
图9示出使用本发明实施例阴极的电子枪900。
电子枪900有主透镜，它是由上述阴极190，控制电极G1、屏极G2、聚焦电极G3和加速电极G4组成。这些元件都用玻璃绝缘体800支承。数字标注820指示的是把阴极体190固定到玻璃绝缘体800所用的可变固定栓。
图10示出使用本发明实施例电子枪的阴极射线管。
参照图10，在其外表面上有偏转线圈320的锥体包括电子枪900，该锥体300与其内壁上有荧光层410的屏盘400彼此组合在一起形成一个真空容器。由固定在屏盘400上的框架430所支承的荫罩420和内屏蔽板440都安装在阴极射线管内。
当这样一种阴极射线管的装配完成时，要进行排气和老化的工艺步骤，就传统的阴极射线管来说需要用4个小时，但是，单就使用根据本发明实施例的阴极的阴极射线管来说只需2个小时。还有，与传统的阴极射线管相比较，使用根据本发明实施例的阴极的阴极射线管不会由于减少一个数量级的真空度而受到损伤。
正如前面所描述的那样，由于使用铁电阴极体，在传统阴极射线管制造过程中早已作为问题而指出的排气及老化工艺可从技术上加以简化，因而可降低其生产成本。而且因为它不必使用像灯丝这样的热源，还能降低部分成本并且能防止阴极和热源附近的元件的热变形。再有，本发明靠加瞬时脉冲就可实现电子发射，因而能实现快速电子发射。
Claims (35)
1、一种阴极，它包括：
基体；
在所述基体上形成的下部电极层；
阴极层，它是在所述下部电极层上形成的，使用了铁电发射体；
上部电极层，它是在上述铁电阴极层上形成的，它有可从其表面上发射电子的区域；以及
激励电极层，它是在上述上部电极层上形成的，用于控制从所述上部电极层电子发射区的电子发射；
其特征在于，所述激励电极层包括三个驱动电极，每个都有供电子通过用的电子发射孔，而且所述上部电极层包括在对应于上述驱动电极层的所述电子发射孔的部位上的许多细小发射孔。
2、按照权利要求1所述的阴极，其特征在于所述驱动电极层的所述电子发射孔的直径低于300微米。
3、按照权利要求1所述的阴极，其特征在于所述铁电阴极层的材料是从由PZT和PLZT组成的材料组中选择的一种。
4、按照权利要求1所述的阴极，特征在于所述铁电阴极层的材料是从PZT和PLZT组成的材料组中选择的一种。
5、按照权利要求2所述的阴极体，特征在于铁电阴极层的材料是从PZT和PLZT组成的材料组中选择的一种。
6、按照权利要求1所述的阴极，其特征在于所述铁电阴极层的厚度为1-100微米之间。
7、按照权利要求1所述的阴极，其特征在于所述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
8、按照权利要求2所述的阴极，其特征在于所述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
9、按照权利要求3所述的阴极，其特征在于所述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
10、按照权利要求4所述的阴极，其特征在于所述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
11、按照权利要求5所述的阴极，其特征在于所述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
12、一种电子枪，它包括：
按照权利要求1所述的所述阴极；
一个电极组，它包括用于控制和加速从上述阴极所发射的电子的多个电极以及用于支承上述阴极和上述电极组的支承件。
13、按照权利要求12所述的电子枪，其特征在于所述激励电极层包括三个驱动电极，而且每个驱动电极都有一个可通过电子的电子发射孔，并且所述上部电极层在对应于所述激励电极层上所述电子发射孔的部位上包含多个细小发射孔。
14、按照权利要求13所述的电子枪，其特征在于所述激励电极层的上述电子发射孔的直径小于300微米。
15、按照权利要求12所述的电子枪，其特征在于所述铁电阴极层材料是从由PZT和PLZT组成的材料组中选择的一种。
16、按照权利要求13所述的电子枪，其特征在于所述铁电阴极层材料是从由PZT和PLZT组成的材料组中选择的一种。
17、按照权利要求14所述的电子枪，其特征在于所述的铁电阴极层材料是从由PZT和PLZT组成的材料组中选择的一种。
18、按照权利要求12所述的电子枪，其特征在于上述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
19、按照权利要求13所述的电子枪，其特征在于所述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
20、按照权利要求14所述的电子枪，其特征在于上述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
21、按照权利要求15所述的电子枪，其特征在于上述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
22、按照权利要求16所述的电子枪，其特征在于上述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
23、按照权利要求17所述的电子枪，其特征在于上述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
24、一种阴极射线管，它包括：
如权利要求12所述的所述电子枪；
带有内装所述电子枪的颈部的锥体；
带有荧光层的屏盘，图象就是利用从所述电子枪发射的电子束而在该屏盘上显示出来的。
25、按照权利要求24所述的阴极射线管，其特征在于所述的激励电极层包括三个驱动电极，每个驱动电极都有可通过电子的电子发射孔，并且所述上部电极层包括多个细小发射孔，它们都处在对应于上述激励电极层的所述电子发射孔的部位上。
26、按照权利要求25所述的阴极射线管，其特征在于所述激励电极层的所述电子发射孔的直径小于300微米。
27、按照权利要求24所述的阴极射线管，其特征在于所述铁电阴极层材料是从PZT和PLZT的材料组中选择的一种。
28、按照权利要求25所述的阴极射线管，其特征在于所述铁电阴极层材料是从PZT和PLZT的材料组中选择的一种。
29、按照权利要求26所述的阴极射线管，其特征在于所述铁电阴极层材料是从PZT和PLZT的材料组中选择的一种。
30、按照权利要求24所述的阴极射线管，其特征在于所述铁电阴极层的厚度为1-100微米之间。
31、按照权利要求25所述的阴极射线管，其特征在于所述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
32、按照权利要求26所述的阴极射线管，其特征在于所述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
33、按照权利要求27所述的阴极射线管，其特征在于所述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
34、按照权利要求28所述的阴极射线管，其特征在于所述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
35、按照权利要求29所述的阴极射线管，其特征在于所述铁电阴极层的厚度在1-100微米之间。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR66821/1995 | 1995-12-29 | ||
| KR66821/95 | 1995-12-29 | ||
| KR1019950066821A KR100369066B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 강유전성에미터를적용한음극구조체및이를적용한전자총과음극선관 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1164120A CN1164120A (zh) | 1997-11-05 |
| CN1104020C true CN1104020C (zh) | 2003-03-26 |
Family
ID=19447464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN96123989A Expired - Fee Related CN1104020C (zh) | 1995-12-29 | 1996-12-28 | 使用铁电发射体的阴极、电子枪及阴极射线管 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5874802A (zh) |
| JP (1) | JP3160213B2 (zh) |
| KR (1) | KR100369066B1 (zh) |
| CN (1) | CN1104020C (zh) |
| DE (1) | DE19653602A1 (zh) |
| ES (1) | ES2119714B1 (zh) |
| FR (1) | FR2744564B1 (zh) |
| GB (1) | GB2308729B (zh) |
| RU (1) | RU2184404C2 (zh) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6885138B1 (en) * | 2000-09-20 | 2005-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ferroelectric emitter |
| US6936972B2 (en) | 2000-12-22 | 2005-08-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron-emitting element and field emission display using the same |
| JP3699451B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2005-09-28 | 日本碍子株式会社 | 電子放出素子及びそれを用いたフィールドエミッションディスプレイ |
| US20020105262A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-08 | Plasmion Corporation | Slim cathode ray tube and method of fabricating the same |
| US6911768B2 (en) * | 2001-04-30 | 2005-06-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Tunneling emitter with nanohole openings |
| JP2003151466A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界放出型電子源素子、電子銃及びそれを用いた陰極線管装置 |
| JP2003178690A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界放出素子 |
| JP2003208856A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受像管装置 |
| US6946800B2 (en) | 2002-02-26 | 2005-09-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter, method of driving electron emitter, display and method of driving display |
| US6897620B1 (en) | 2002-06-24 | 2005-05-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter, drive circuit of electron emitter and method of driving electron emitter |
| US7067970B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-06-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Light emitting device |
| JP2004146364A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-05-20 | Ngk Insulators Ltd | 発光素子及びそれを具えるフィールドエミッションディスプレイ |
| JP3822551B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2006-09-20 | 日本碍子株式会社 | 発光素子及びそれを具えるフィールドエミッションディスプレイ |
| JP2004172087A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-17 | Ngk Insulators Ltd | ディスプレイ |
| JP2004228065A (ja) | 2002-11-29 | 2004-08-12 | Ngk Insulators Ltd | 電子パルス放出装置 |
| US7187114B2 (en) | 2002-11-29 | 2007-03-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter comprising emitter section made of dielectric material |
| JP3867065B2 (ja) | 2002-11-29 | 2007-01-10 | 日本碍子株式会社 | 電子放出素子及び発光素子 |
| US6975074B2 (en) | 2002-11-29 | 2005-12-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter comprising emitter section made of dielectric material |
| US7129642B2 (en) | 2002-11-29 | 2006-10-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitting method of electron emitter |
| US7176609B2 (en) | 2003-10-03 | 2007-02-13 | Ngk Insulators, Ltd. | High emission low voltage electron emitter |
| US20040189548A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-09-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Circuit element, signal processing circuit, control device, display device, method of driving display device, method of driving circuit element, and method of driving control device |
| US7379037B2 (en) | 2003-03-26 | 2008-05-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Display apparatus, method of driving display apparatus, electron emitter, method of driving electron emitter, apparatus for driving electron emitter, electron emission apparatus, and method of driving electron emission apparatus |
| JP2005070349A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Ngk Insulators Ltd | ディスプレイ及びその駆動方法 |
| US7474060B2 (en) | 2003-08-22 | 2009-01-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Light source |
| US7336026B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-02-26 | Ngk Insulators, Ltd. | High efficiency dielectric electron emitter |
| US20050116603A1 (en) * | 2003-10-03 | 2005-06-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter |
| US20050073234A1 (en) * | 2003-10-03 | 2005-04-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter |
| US7719201B2 (en) | 2003-10-03 | 2010-05-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Microdevice, microdevice array, amplifying circuit, memory device, analog switch, and current control unit |
| JP2005183361A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-07-07 | Ngk Insulators Ltd | 電子放出素子、電子放出装置、ディスプレイ及び光源 |
| JP2005116232A (ja) | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Ngk Insulators Ltd | 電子放出素子及びその製造方法 |
| WO2005096335A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Pioneer Corporation | 電子放出装置及びその製造方法並びに電子放出装置を用いた撮像装置又は表示装置 |
| US7528539B2 (en) * | 2004-06-08 | 2009-05-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron emitter and method of fabricating electron emitter |
| US7816847B2 (en) * | 2004-07-15 | 2010-10-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric electron emitter comprising a polycrystalline substance |
| JP4794227B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2011-10-19 | 日本碍子株式会社 | 電子放出素子 |
| JP2006080046A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Ngk Insulators Ltd | 電子放出装置 |
| JP4753561B2 (ja) | 2004-09-30 | 2011-08-24 | 日本碍子株式会社 | 電子放出装置 |
| EP1650733A2 (en) * | 2004-10-14 | 2006-04-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron-emitting apparatus |
| US20060132052A1 (en) | 2004-10-14 | 2006-06-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron-emitting apparatus and method for emitting electrons |
| US7635944B2 (en) * | 2004-11-30 | 2009-12-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Electron-emitting device and method for manufacturing same |
| US7864924B2 (en) * | 2007-06-13 | 2011-01-04 | L-3 Communications Security And Detection Systems, Inc. | Scanning X-ray radiation |
| WO2015022621A1 (en) * | 2013-08-11 | 2015-02-19 | Ariel - University Research And Development Company, Ltd. | Ferroelectric emitter for electron beam emission and radiation generation |
| IL243367B (en) | 2015-12-27 | 2020-11-30 | Ariel Scient Innovations Ltd | A method and device for generating an electron beam and creating radiation |
| RU169040U1 (ru) * | 2016-06-29 | 2017-03-02 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ") | Пироэлектрический холодный катод с кольцевым поверхностным электродом |
| CN111443225A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-07-24 | 西安科技大学 | 一种铁电阴极测试系统及方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2639151B1 (fr) * | 1988-06-28 | 1994-02-18 | Riege Hans | Procedes et appareils pour engendrer rapidement de forts changements de polarisation dans des materiaux ferro-electriques |
| DE3938752A1 (de) * | 1989-11-23 | 1991-05-29 | Riege Hans | Kathode zur grossflaechigen erzeugung von intensiven, modulierten ein- oder mehrkanal-elektronenstrahlen |
| JP3184296B2 (ja) * | 1992-05-26 | 2001-07-09 | 松下電器産業株式会社 | 強誘電体冷陰極 |
| US5363021A (en) * | 1993-07-12 | 1994-11-08 | Cornell Research Foundation, Inc. | Massively parallel array cathode |
| US5453661A (en) * | 1994-04-15 | 1995-09-26 | Mcnc | Thin film ferroelectric flat panel display devices, and methods for operating and fabricating same |
| US5508590A (en) * | 1994-10-28 | 1996-04-16 | The Regents Of The University Of California | Flat panel ferroelectric electron emission display system |
| JPH08203418A (ja) * | 1995-01-20 | 1996-08-09 | Olympus Optical Co Ltd | 電荷発生器及びそれを用いた静電像形成装置並びにフラットパネルディスプレイ |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066821A patent/KR100369066B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-12-20 DE DE19653602A patent/DE19653602A1/de not_active Withdrawn
- 1996-12-24 JP JP34306796A patent/JP3160213B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-24 GB GB9626898A patent/GB2308729B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-27 US US08/777,312 patent/US5874802A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-27 FR FR9616131A patent/FR2744564B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-27 ES ES09700029A patent/ES2119714B1/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-27 RU RU96124398/09A patent/RU2184404C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1996-12-28 CN CN96123989A patent/CN1104020C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2119714B1 (es) | 1999-05-01 |
| DE19653602A1 (de) | 1997-07-03 |
| CN1164120A (zh) | 1997-11-05 |
| KR970051753A (ko) | 1997-07-29 |
| KR100369066B1 (ko) | 2003-03-28 |
| JPH09198998A (ja) | 1997-07-31 |
| US5874802A (en) | 1999-02-23 |
| JP3160213B2 (ja) | 2001-04-25 |
| FR2744564A1 (fr) | 1997-08-08 |
| GB2308729B (en) | 2000-05-24 |
| GB9626898D0 (en) | 1997-02-12 |
| FR2744564B1 (fr) | 1998-08-28 |
| ES2119714A1 (es) | 1998-10-01 |
| RU2184404C2 (ru) | 2002-06-27 |
| GB2308729A (en) | 1997-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1104020C (zh) | 使用铁电发射体的阴极、电子枪及阴极射线管 | |
| EP1596415B1 (en) | Field emission display | |
| EP0635865B1 (en) | Field-emission display | |
| US7153177B2 (en) | Flat-panel display and flat-panel display cathode manufacturing method | |
| US7230371B2 (en) | Light source | |
| JPH01283749A (ja) | 画像表示装置 | |
| US5055744A (en) | Display device | |
| US5710483A (en) | Field emission device with micromesh collimator | |
| CN1518048A (zh) | 场致发射显示器及其制造方法 | |
| CN1770352A (zh) | 场发射装置及具有该装置的场发射显示器 | |
| CN1828810A (zh) | 电子发射装置及其制造方法 | |
| US5899350A (en) | Hermetic container and a supporting member for the same | |
| WO2002071437A2 (en) | Slim cathode ray tube and method of fabricating the same | |
| US7233301B2 (en) | Flat panel display and method of manufacturing the same | |
| EP1329927A1 (en) | Cold-cathode electron source and field-emission display | |
| US5650689A (en) | Vacuum airtight device having NbN electrode structure incorporated therein | |
| JP2002520770A (ja) | 電界放射素子 | |
| KR100315230B1 (ko) | 전계 방출 표시소자 및 그의 제조 방법 | |
| CN1145914C (zh) | 场致发射显示装置 | |
| KR100522692B1 (ko) | 전계 방출 소자 및, 그것의 제조 방법 | |
| CN1110835C (zh) | 电容存储型场助热电子发射平板显示器及其驱动方法 | |
| KR100285941B1 (ko) | 음극선관 및 음극선관의 구동방법 | |
| US5144198A (en) | Electron feeder for flat-type luminous device | |
| EP1696452A1 (en) | Electron emission device and method for manufacturing the same | |
| KR19980034432A (ko) | 강유전체 박막을 사용한 전자방출 진공소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |