JPH09197003A

JPH09197003A - 電子部品のハンドリング方法

Info

Publication number: JPH09197003A
Application number: JP8007945A
Authority: JP
Inventors: Yuji Wada; 雄二和田; Naomi Eguchi; 直巳江口
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-01-22
Filing date: 1996-01-22
Publication date: 1997-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】ＩＣソケットのコンタクトピンに施された金
メッキを保護しつつリードとコンタクトピンとの良好な
電気的接触を実現できる電子部品のハンドリング方法を
提供する。【解決手段】リード１ａを有する半導体装置（電子部
品）１をＩＣソケット２に装着してその電気的テストを
行うのに先立って、リード１ａ表面に形成された酸化膜
をワイピングソケット３のワイピングピン４により剥ぎ
取るものである。これによれば、ワイピングと電気的コ
ンタクトとが分離されるので、ＩＣソケット２のコンタ
クトピン５の金メッキを保護しつつリード１ａとコンタ
クトピン５との間に良好な電気的接触を実現することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は組立工程を経た電子
部品に対して電気的テストを実施する際におけるハンド
リング方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】たとえば半導体装置など電子部品の製造
においては、組み立ての完了した電子部品に対してバー
ンインや各種テストなど種々の電気的特性試験および信
頼性評価試験が行われ、これらの試験をパスした電子部
品だけが完成品として出荷される。そして、このような
試験においては、電子部品とテスト回路とを一時的に電
気的に接続するためにＩＣソケットが用いられている。

【０００３】なお、ＩＣソケットについて詳しく記載し
ている例としては、たとえば、株式会社エンプラス発
行、カタログ、「Enplus TEST & BURN IN SOCKETS」
（1991年12月発行）が、また、電子部品の試験評価技術
を詳しく述べている例としては、たとえば、株式会社プ
レスジャーナル発行、「 '94最新半導体プロセス技術」
P373〜P381、P394〜P413がある。

【０００４】ところで、今日において、バーンインや各
種試験など電気的テストでの歩留を向上させて電子部品
の生産効率を向上させることが急務となっているが、こ
れらの工程における歩留を低下させる原因の一つとし
て、ＩＣソケットのコンタクトピンとリードとの接触不
良が挙げられる。これは、リード表面に形成された絶縁
体である酸化膜のために両者間に接触不良が発生する
と、たとえ電子部品自体が良品であってもテスタ側で不
良と判断してしまい、その結果歩留が低下するというも
のである。

【０００５】そして、このような事態を防止するため
に、従来のＩＣソケットでは、テスト対象となる電子部
品をＩＣソケットに挿入する際に電子部品のリードとＩ
Ｃソケットのコンタクトピンとが擦れる構造とし、酸化
膜を除去してリード表面を露出して良好な電気的接触を
図るようにしている。なお、リード表面の酸化膜を除去
することを一般にワイピング動作と称している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このＩＣソケットによ
るワイピング動作はリードとコンタクトピンとの接触性
向上の点で有効ではあるが、電子部品の一つである半導
体装置を例にとって考えた場合、パッケージ外形の多様
化やリードピッチの微細化にともなって以下の様な問題
点が出てきた。

【０００７】第１の問題点は、パッケージ外形の多様化
にともなってＩＣソケットのみでワイピングと良好な電
気的接触とを両立させるのが困難になってきたというこ
とである。つまり、一般にＩＣソケットのコンタクトピ
ンには電気的接触性能を向上させるために金メッキが施
されているが、ワイピング動作を強化すると金メッキが
剥がれて電気的接触に悪影響を与え、逆にメッキ保護の
ためにワイピングを弱くすると十分に酸化膜が除去でき
ない、というジレンマである。

【０００８】第２の問題点は、リードピッチ微細化のた
め、ワイピング時に発生した導電性の屑がリード間にブ
リッジを架け、電気的接触に悪影響を与えるというもの
である。つまり、このような屑により電気的にショート
した状態となり、半導体チップに形成された回路素子の
正確な評価が不能になるというものである。

【０００９】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、ＩＣソケットのコンタクトピンに施
された金メッキを保護しつつリードとコンタクトピンと
の良好な電気的接触を実現することのできる技術を提供
することにある。

【００１０】また、本発明の他の目的は、リード表面の
酸化膜除去にともなうリード間ショートを防止すること
のできる技術を提供することにある。

【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。

【００１３】すなわち、本発明による電子部品のハンド
リング方法は、リードを有する電子部品をＩＣソケット
に装着してその電気的テストを行うのに先立って、リー
ドの表面に形成された酸化膜のうち少なくともＩＣソケ
ットのコンタクトピンとの接触部分を除去することを特
徴とするものである。また、リードを有する電子部品を
ＩＣソケットに装着してその電気的テストを行うのに先
立ってリードの電気抵抗値を測定し、その測定値が基準
値以下の場合には直ちに電気的テストを実行する一方、
基準値を超えている場合にはリードの表面に形成された
酸化膜のうち少なくともＩＣソケットのコンタクトピン
との接触部分を除去してから電気的テストを実行するこ
とを特徴とするものである。

【００１４】これらの電子部品のハンドリング方法にお
いては、酸化膜はリードと擦れてこれを剥ぎ取るワイピ
ングピンを有するワイピングソケットにより機械的に、
あるいは、リードに電流を流して電気的に、さらには、
酸性の液体により化学的に除去することができる。

【００１５】このようなハンドリング方法での電子部品
には半導体チップの封止された半導体装置を適用するこ
とができる。

【００１６】前記した技術によれば、ＩＣソケットのコ
ンタクトピンの金メッキを保護しつつリードとコンタク
トピンとの間に良好な電気的接触を実現することができ
る。また、ワイピング時に発生する導電性の屑が原因と
なるリード間ショートを未然に防止することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００１８】（実施の形態１）図１は本発明による半導
体装置のハンドリング方法の概略を示すフローチャー
ト、図２は図１のフローを具体的に図示した説明図、図
３は図２のワイピングソケットの動作を示す断面図、図
４は図３のＡ部を拡大して示す断面図である。

【００１９】本実施の形態において対象となるものは、
半導体チップが封止され、リードが切断成形された組立
工程完了後の半導体装置（電子部品）であり、図１に示
すように、そのハンドリング方法は、リードの表面に形
成された酸化膜を除去してから（ステップＳ₁)電気的テ
ストを実施する（ステップＳ₂)ものである。つまり、図
２に示すように、半導体装置１とテスト回路とを電気的
に接続するためのＩＣソケット２とは別に酸化膜除去用
のソケットつまりワイピングソケット３が用意されてお
り、半導体装置１を先ずこのワイピングソケット３に挿
入して酸化膜を除去した後、あらためてＩＣソケット２
に挿入して電気的テストを行う手順となっている。

【００２０】ワイピングソケット３は中央に半導体装置
１を搭載するためのステージ部３ａ₁を有するソケット
本体３ａ、このソケット本体３ａに挿入された弾性変形
自在のワイピングピン４、およびワイピングピン４を変
形させる楔形のカム部３ｂ₁を有し上下方向に移動する
蓋３ｂから構成されている（図３）。

【００２１】ワイピングピン４はソケット本体３ａを貫
通してステージ部３ａ₁に向かって傾斜し、そこから谷
間を形成して中央へ延びており、通常位置ではたとえば
ＱＦＰ（Quad Flat Package)型の半導体装置１における
ガルウィング状のリード１ａの表面を押圧した状態で接
触するように形成された先端の剥取部４ａを有してい
る。そして、前述のカム部３ｂ₁は蓋３ｂが下降したと
きにはワイピングピン４を押し広げ、上昇したときには
これを通常位置に復帰させるようになっている。したが
って、図３（ａ）に示すように、蓋３ｂを下げると、カ
ム部３ｂ₁によってワイピングピン４が押し広げられて
剥取部４ａがステージ部３ａ₁から退避移動し、半導体
装置１をステージ部３ａ₁に搭載するためのスペースが
現れる。また、図３（ｂ）に示すように、半導体装置１
を搭載して蓋３ｂを上げると、ワイピングピン４はカム
部３ｂ₁による押し広げ作用が次第に喪失して通常位置
に移行する。そして、図４に示すように、これにともな
って剥取部４ａはリード１ａの表面を擦れながら移動し
て行き、このような剥取部４ａの動作によって該リード
１ａに形成された酸化膜６が除去される。

【００２２】半導体装置１とテスト回路との導通を行う
ＩＣソケット２は、図２に示すように、半導体装置１の
各リード１ａに対応したコンタクトピン５が設けられて
おり、規定位置に半導体装置１を挿入すると、半導体装
置１のリード１ａはそれぞれが対応するコンタクトピン
５と自動的に接触するようになる。なお、リード１ａと
の電気的接触性を向上させるため、コンタクトピン５の
表面には金メッキが施されている。

【００２３】このような構成のワイピングソケット３お
よびＩＣソケット２により、半導体装置は次のようにハ
ンドリングされる。

【００２４】本実施の形態では、半導体装置１は図１の
フローチャートに示すステップＳ₂であるＩＣソケット
２に挿入しての電気的テストの実行に先立って、ワイピ
ングソケット３により酸化膜６を除去するステップＳ₁
が実行される（図２、矢印）。つまり、図３（ａ）で
示すように、ワイピングソケット３の蓋３ｂを下降させ
てワイピングピン４を押し広げ、半導体装置１をステー
ジ部３ａ₁に搭載する。搭載後、図３（ｂ）に示すよう
に、蓋３ｂを上昇させ、前記したカム作用を解除してワ
イピングピン４を通常位置にもっていく。この動作によ
り、ワイピングピン４の先端の剥取部４ａがリード１ａ
と擦れ、その表面に形成された酸化膜６が機械的に除去
される（図４）。

【００２５】酸化膜６を除去したならば再び蓋３ｂを下
降させてワイピングピン４を開き、半導体装置１をワイ
ピングソケット３から取り出して、図２、矢印で示す
ようにＩＣソケット２に挿入する。そして、リード１ａ
とコンタクトピン５とを接触させ、所定のテスト信号を
コンタクトピン５およびリード１ａを介して半導体チッ
プに送り込み電気的テストを行う。このとき、リード１
ａの表面に形成された絶縁体である酸化膜６がワイピン
グソケット３で除去されているので、良好な電気的接触
状態のもとでテストが行われる。そして、テスト後、良
品とされた半導体装置１のみが完成品として出荷され
る。

【００２６】このように、本実施の形態による半導体装
置１のハンドリング技術によれば、予めリード１ａの表
面の酸化膜６を除去してから電気的テストを行うように
しているので、ＩＣソケット２のコンタクトピン５の金
メッキを保護しつつリード１ａとコンタクトピン５との
間に良好な電気的接触を実現することができる。

【００２７】また、ＩＣソケット２のコンタクトピン５
がワイピング動作を行うことがないので、ワイピング時
に発生する導電性の屑が原因となるリード間ショートを
未然に防止することができる。

【００２８】（実施の形態２）図５は本発明の他の実施
の形態である半導体装置のハンドリング方法の概略を示
すフローチャートである。

【００２９】本実施の形態では、全数の半導体装置に対
してワイピングを行うのではなく、リードの表面の酸化
膜の状態をみて必要なものだけをワイピングさせるもの
である。つまり、電気的テストに先立ってリードの電気
抵抗値を測定し（ステップＳ₁₁）、その測定値が予め設
定された基準値以下か否かを判断する（ステップＳ₁₂）
ものである。

【００３０】酸化膜は絶縁体であるため、これがリード
の表面に厚く形成されるとリードの電気抵抗値は酸化膜
のない場合に比べて大きくなり、テスト時においても接
触不良が発生してしまう。一方、酸化膜が極めて薄く形
成されているに過ぎない場合には、電気抵抗値はさほど
大きくならず、また、テスト時の接触不良も問題となら
ない。そこで、この点に着目して電気的テスト時におけ
るリードの許容電気抵抗値を基準値として設定し、対象
の半導体装置のリードの電気抵抗値をこの基準値と比較
し、基準値以下の場合には直ちにテストを実行し（ステ
ップＳ₁₃）、超えている場合にはリードの表面の酸化膜
を除去してから（ステップＳ₁₄）テストを実行する（ス
テップＳ₁₃）ようにしたものである。

【００３１】このようにすれば、電気的テスト時におい
てリードとＩＣソケットのコンタクトピンとの接触不良
が問題となる半導体装置に対してのみ選択的にワイピン
グが行われるので、前記した実施の形態の場合に加え
て、効率よくテスト工程を実施することができる。

【００３２】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。

【００３３】たとえば、本実施の形態では、リード１ａ
の表面の酸化膜６の除去に機械的手段であるワイピング
ソケット３が用いられているが、それに限られるもので
なく、たとえばリード１ａに電流を流して酸化膜６を破
壊するという電気的手段、あるいは、酸性の液体により
酸化膜６を除去するという化学的手段によりワイピング
を行ってもよい。さらには、これらの手段を併用しても
よい。ここで、機械的手段によれば酸化膜６は擦れた部
分だけが除去され、電気的あるいは化学的手段によれば
ほぼ全てが除去されるが、少なくともＩＣソケット２の
コンタクトピン５との接触部分が除去されていればよ
い。

【００３４】また、本ハンドリング技術はそれ自体を単
体として用いることもできるが、たとえばハンドラや着
脱機などにこのようなハンドリングが実行できる機能を
付与してもよい。

【００３５】なお、電気的テストのためのＩＣソケット
２は本実施の形態に記載のものに限られることなく、他
の種々の形態のものを適用することができる。

【００３６】さらに、以上の説明では、主として本発明
者によってなされた発明をその属する技術分野である半
導体装置１のハンドリングに適用した場合について説明
したが、それに限定されるものではなく、たとえばダイ
オードやトランジスタ、コンデンサといった種々の単体
の電子部品のハンドリングにも適用することが可能であ
る。

【００３７】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。

【００３８】(1).すなわち、本発明による電子部品のハ
ンドリング技術によれば、ワイピング工程と電気的テス
ト工程とを分離して予めリード表面の酸化膜を除去して
から電気的テストを行うようにしているので、ＩＣソケ
ットのコンタクトピンの金メッキを保護しつつリードと
コンタクトピンとの間に良好な電気的接触を実現するこ
とができる。

【００３９】(2).これにより、半導体装置のバーンイ
ン、電気的特性評価テストなどにおいて接触不良が低減
でき、検査における歩留りの向上を図ることができる。

【００４０】(3).また、接触不良の半導体装置を再検査
する頻度を低減することができるので、電気的テスト工
程で効率向上を図ることができる。

【００４１】(4).さらに、ＩＣソケットのコンタクトピ
ンがワイピング動作を行うことがないので、ワイピング
時に発生する導電性の屑が原因となるリード間ショート
を未然に防止することができる。

【００４２】(5).そして、リードの電気的抵抗値を測定
してワイピングが必要な電子部品を判断するようにすれ
ば、必要な電子部品に対してのみ選択的にワイピングが
行われるので、電子部品全体としての電気的テストに要
する時間が短縮されて効率よくテスト工程を実施するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１による半導体装置のハン
ドリング方法の概略を示すフローチャートである。

【図２】図１のフローを具体的に図示した説明図であ
る。

【図３】図２のワイピングソケットの動作を示す断面図
であり、（ａ）は半導体装置の挿入時を、（ｂ）はコン
タクトピンとリードとの接触時をそれぞれ示す。

【図４】図３のＡ部を拡大して示す断面図である。

【図５】本発明の実施の形態２による半導体装置のハン
ドリング方法の概略を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１半導体装置（電子部品）１ａリード２ＩＣソケット３ワイピングソケット３ａソケット本体３ａ₁ ステージ部３ｂ蓋３ｂ₁ カム部４ワイピングピン４ａ剥取部５コンタクトピン６酸化膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】リードを有する電子部品をＩＣソケット
に装着してその電気的テストを行うのに先立って、前記
リードの表面に形成された酸化膜のうち少なくとも前記
ＩＣソケットのコンタクトピンとの接触部分を除去する
ことを特徴とする電子部品のハンドリング方法。
【請求項２】リードを有する電子部品をＩＣソケット
に装着してその電気的テストを行うのに先立って前記リ
ードの電気抵抗値を測定し、その測定値が基準値以下の
場合には直ちに電気的テストを実行する一方、基準値を
超えている場合には前記リードの表面に形成された酸化
膜のうち少なくとも前記ＩＣソケットのコンタクトピン
との接触部分を除去してから電気的テストを実行するこ
とを特徴とする電子部品のハンドリング方法。
【請求項３】請求項１または２記載の電子部品のハン
ドリング方法において、前記酸化膜は前記リードと擦れ
てこれを剥ぎ取るワイピングピンを有するワイピングソ
ケットにより機械的に除去することを特徴とする電子部
品のハンドリング方法。
【請求項４】請求項１または２記載の電子部品のハン
ドリング方法において、前記酸化膜は前記リードに電流
を流して電気的に除去することを特徴とする電子部品の
ハンドリング方法。
【請求項５】請求項１または２記載の電子部品のハン
ドリング方法において、前記酸化膜は酸性の液体により
化学的に除去することを特徴とする電子部品のハンドリ
ング方法。
【請求項６】請求項１〜５の何れか一項に記載の電子
部品のハンドリング方法において、前記電子部品は半導
体チップの封止された半導体装置であることを特徴とす
る電子部品のハンドリング方法。