JP3260253B2 - 半導体装置の検査方法と検査用導電性接着剤 - Google Patents

半導体装置の検査方法と検査用導電性接着剤

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の検査方法
と検査用導電性接着剤に関するものである。特にLSI
チップをチップキャリアに実装したチップパッケージま
たは、複数のLSIチップをチップキャリアに実装した
マルチチップモジュールの動作を確認する検査方法と検
査用導電性接着剤に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置の回路基板上への実装
には半田付けがよく利用されていたが、近年、半導体装
置のパッケージ化、モジュール化が進み、そのパッケー
ジやモジュールのコンタクト電極と回路基板の端子電極
とを接続する方法が改良されてきた。
【0003】なかでも、パッケージやモジュールにボー
ル状の突起電極をコンタクト電極として用い、そのパッ
ケージやモジュールをBGA(Ball Grid A
rray)ソケットといわれる半導体装置検査用ソケッ
トに装着し、動作テストを行う方法で、ソケットの高い
接触信頼性と耐久性を有し、有効な方法であるとされて
いる。例えば、住友スリーエム(株) <テキスツール
>テスト アンド バーンイン用ICソケットBGAソケ
ットがある。
【0004】以下図面を参照しながら、上述した従来の
半導体装置の検査方法の一例について説明する。図7は
従来の半導体装置の検査用ソケットの概略構成を示す斜
視図、図8はその分解斜視図である。
【0005】図7および図8において、101はリッ
ド、102はラッチ、103はネスト、104はコンタ
クトピン、105はベースであり、106はBGAソケ
ットである。
【0006】図9は従来の半導体装置の検査方法を説明
するための上記検査用ソケットに半導体装置を取付けた
状態を示す断面図、図10はその一部拡大断面図であ
る。図9および図10において、107はLSIチッ
プ、108は2段突起電極、109は導電性接着剤から
なる接合層、110はチップキャリアの端子電極、11
1はチップキャリア、112はボール状の突起電極、1
13はスペーサ、114は半導体装置である。
【0007】以上のように構成された従来の半導体装置
の検査方法について、以下その概略を説明する。まず、
図7および図8に示されるように、BGAソケットを用
意する。
【0008】次に、図9および図10に示されるよう
に、パッケージまたはモジュール114のボール状の突
起電極112を下向きにして、BGAソケット106の
コンタクトピン104に位置合わせを行った後、積載
し、スペーサ113をチップキャリア111の上に置
き、上からリッド101でスペーサ113を押さえつ
け、ラッチ102でリッド101を固定する。
【0009】このようにしてパッケージまたはモジュー
ル114のボール状の突起電極112とコンタクトピン
104とを接触させて導通させ、電気的な検査を行う。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな半導体装置の検査方法においては、 1.LSIチップが実装されているチップキャリアを数
kgという大きな荷重で押さえつけるため、基板に反り
が発生してしまい、LSIチップの接続が不安定になる
危険性がある。
【0011】2.ボール状の突起電極をコンタクト電極
として用いる場合に、ボール状の突起電極のバラツキに
よってBGAソケットのコンタクトピンと接触が得られ
ないことがある。
【0012】3.BGAソケットのコンタクトピンがバ
ネになっており、より接触を向上させるにはコンタクト
電極をコンタクトピンに押しつけるため、数100μm
以上の高さが必要である。 などといった課題を有していた。
【0013】本発明は上記の問題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、チップパッケージま
たはマルチチップモジュールのチップキャリアに反りを
生じさせることなく、チップキャリア上のLSIチップ
の接続安定性を損なうことなく、コンタクト電極と検査
装置の端子電極とを検査用導電性接着剤を介して電気的
な接続を行わせることによって、チップパッケージまた
はマルチチップモジュールの動作を検査する半導体装置
の検査方法と半導体装置に使用する検査用導電性接着剤
を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記従来の問題を解決す
るため、本発明の半導体装置の検査方法は、LSIチッ
プをチップキャリアに実装したチップパッケージまた
は、複数のLSIチップをチップキャリアに実装したマ
ルチチップモジュールの動作を確認する半導体装置の検
査方法において、前記LSIチップ実装面の反対面に形
成した前記チップパッケージまたは前記マルチチップモ
ジュールのコンタクト電極に検査用導電性接着剤を形成
する工程と、前記チップパッケージまたは前記マルチチ
ップモジュールを検査装置の端子電極に位置合わせした
後、積載する工程と、前記検査用導電性接着剤により前
記コンタクト電極と前記端子電極とを電気的に接続して
前記チップパッケージまたは前記マルチチップモジュー
ルの動作を検査する工程とを含むことを特徴としてい
る。
【0015】前記チップパッケージまたは前記マルチチ
ップモジュールのコンタクト電極上に、印刷または転写
によって半田ペーストを形成し、さらに前記半田ペース
トの半田より高融点な半田のボールを固着させ、前記半
田ペーストを溶融してボール状の突起電極を形成し、こ
れをコンタクト電極として用いることが好ましい。
【0016】前記検査用導電性接着剤を形成する工程
が、印刷法または転写法であることが好ましい。前記チ
ップキャリアの基板材質がセラミックまたは樹脂からな
ることが好ましい。
【0017】本発明の半導体装置の検査方法の前記構成
において、チップキャリアは表面にLSIチップを実装
するための端子電極が形成され、また前記LSIチップ
実装面の反対面に回路基板に実装するためのコンタクト
電極が形成され、さらに前記端子電極と前記コンタクト
電極が回路的に基板内部導体で接続されることが好まし
い。
【0018】前記LSIチップのチップキャリア上の端
子電極への実装がフェースダウンで接合層を介してなさ
れていることが好ましい。前記接合層が導電性接着剤ま
たは半田からなることが好ましい。
【0019】本発明の検査用導電性接着剤は、LSIチ
ップをチップキャリアに実装したチップパッケージまた
は、複数のLSIチップをチップキャリアに実装したマ
ルチチップモジュールにおいて、前記LSIチップ実装
面の反対面に形成し前記チップパッケージまたは前記マ
ルチチップモジュールのコンタクト電極と検査装置の端
子電極との間に介在して電気的に導通させる導電フィラ
ーと樹脂成分とからなることを特徴とする。
【0020】前記構成の検査用導電性接着剤において
は、導電フィラーが、Ag、Cu、Ag−Pd、Auの
いずれかからなることが好ましい。前記構成の検査用導
電性接着剤においては、導電フィラーは、粗いフィラー
と細かいフィラーを混合し、各フィラー間で電気的な接
触確率が大きくなるように緻密な構造とすることが好ま
しい。
【0021】前記構成の検査用導電性接着剤において
は、樹脂成分が溶剤と熱可塑性樹脂を含むことが好まし
い。前記構成の検査用導電性接着剤においては、導電性
接着剤が常温における体積固有抵抗値が3×10-3Ω・
cm以下であることが好ましい。
【0022】前記構成の検査用導電性接着剤において
は、樹脂成分がフェノキシ樹脂であることが好ましい。
【0023】
【作用】本発明の半導体装置の検査方法は、上記のよう
に検査用導電性接着剤によりコンタクト電極と端子電極
とを電気的に接続し、チップパッケージまたはマルチチ
ップモジュールの動作を検査する工程とからなっている
ので、電気的な接続が良好に得られる検査用導電性接着
剤を用いることにより、チップキャリアに反りを与える
ことなく、チップキャリア上のLSIチップの接続安定
性を損なうことなく、コンタクト電極と検査装置の端子
電極とを検査用導電性接着剤を介して電気的に接続する
ことができ、チップパッケージまたはマルチチップモジ
ュールの動作を確実に検査することができる。
【0024】前記半導体装置の検査方法において、前記
チップパッケージ、または前記マルチチップモジュール
のコンタクト電極上に、印刷または転写によって半田ペ
ーストを形成し、さらに前記半田ペーストの半田より高
融点な半田のボールを固着させ、前記半田ペーストを溶
融してボール状の突起電極を形成し、これをコンタクト
電極として用いる好ましい例によれば、検査用導電性接
着剤をこのボール状の突起電極上に印刷法や転写法等に
よって形成しやすいため、検査装置の端子電極に実装す
るだけで、電気的な接続が得られ、半導体装置の電気的
実動作またはファンクションテストを確実に検査するこ
とができる。
【0025】また前記検査用導電性接着剤を形成する工
程が、印刷法または転写法である好ましい例によれば、
導電性接着剤をコンタクト電極に容易に、かつ確実に形
成することができ、専用の半導体装置検査用ソケットを
使用せず、通常の回路基板並の検査装置または実機にお
いて良好な電気的接続を得ることができる。
【0026】前記チップキャリアの基板材質がセラミッ
クまたは樹脂からなる好ましい例によれば、チップキャ
リア自体の反りやうねりが少ないため、LSIチップ実
装する際に良好な電気的接続を得ることができる。
【0027】本発明の半導体装置の検査方法の前記構成
において、チップキャリアは表面にLSIチップを実装
するための端子電極が形成され、また前記LSIチップ
実装面の反対面に回路基板に実装するためのコンタクト
電極が形成され、さらに前記端子電極と前記コンタクト
電極が回路的に基板内部導体で接続される好ましい例に
よれば、検査用導電性接着剤を確実にコンタクト電極上
に形成することができ、電気的実動作またはファンクシ
ョンテストの検査において良好な電気的接続を得ること
ができ、LSIチップやチップキャリアを含んだ半導体
装置の動作を確実に検査することができる。
【0028】また前記LSIチップのチップキャリア上
の端子電極への実装がフェースダウンで接合層を介して
なされている好ましい例によれば、コンタクト電極と検
査装置の端子電極との接続安定性をよくすることがで
き、電気的に良好な接続を得ることができる。
【0029】また前記接合層が導電性接着剤または半田
からなる好ましい例によれば、コンタクト電極と検査装
置の端子電極との接続安定性をよくすることができ、電
気的に良好な接続を得ることができる。
【0030】本発明の検査用導電性接着剤は、前記のよ
うにLSIチップ実装面の反対面に形成した前記チップ
パッケージまたは前記マルチチップモジュールのコンタ
クト電極と、検査装置の端子電極との間に介在して電気
的に導通させる導電フィラーと樹脂成分とからなるの
で、検査時のチップキャリアにかかる荷重を極力小さく
することができ、チップキャリアにかかる荷重を樹脂成
分の弾性で吸収し、かつ導電フィラーの接触により、常
温で電気的接続を得ることができる。
【0031】前記検査用導電性接着剤の導電フィラー
が、Ag、Cu、Ag−Pd、Auのいずれかからなる
好ましい例によれば、前記チップパッケージまたは前記
マルチチップモジュールのコンタクト電極と検査装置の
端子電極との接続安定性をよくすることができ、電気的
に良好な接続を得ることができる。
【0032】前記構成の検査用導電性接着剤の導電フィ
ラーは、粗いフィラーと細かいフィラーを混合し、各フ
ィラー間で電気的な接触確率が大きくなるように緻密な
構造とする好ましい例によれば、コンタクト電極と検査
装置の端子電極との接続安定性をよくすることができ、
電気的に良好な接続を得ることができる。
【0033】前記構成の検査用導電性接着剤の樹脂成分
が溶剤と熱可塑性樹脂を含む好ましい例によれば、前記
チップパッケージまたは前記マルチチップモジュールの
コンタクト電極と検査装置の端子電極とを接続する際
に、常温において電気的導通が得られるので、チップパ
ッケージまたはマルチチップモジュールの動作およびフ
ァンクションテストの迅速な検査を行うことができる。
また、熱可塑性樹脂を用いることによって接着強度も小
さいので検査後に検査装置からの取り外しを簡単に行う
ことができる。
【0034】前記構成の検査用導電性接着剤の常温にお
ける体積固有抵抗値が3×10-3Ω・cm以下である好
ましい例によれば、前記チップパッケージまたは前記マ
ルチチップモジュールのコンタクト電極と検査装置の端
子電極とを検査用導電性接着剤を介して接続した時に、
常温での体積固有抵抗値が低いため、電気的導通を得る
ことができ、短時間で半導体装置を検査できる。
【0035】前記構成の検査用導電性接着剤の樹脂成分
がフェノキシ樹脂を樹脂成分とする好ましい例によれ
ば、前記チップパッケージまたは前記マルチチップモジ
ュールのコンタクト電極と検査装置の端子電極との接続
安定性を樹脂のフレキシブル性によって、検査時のチッ
プキャリアにかかる応力を吸収することができる。
【0036】上記のように、LSIチップをチップキャ
リアに実装したチップパッケージまたは、複数のLSI
チップをチップキャリアに実装したマルチチップモジュ
ールの動作の検査方法において、前記チップキャリアに
反りを生じさせることなく、前記チップキャリア上の前
記LSIチップの接続安定性を損なうことなく、コンタ
クト電極と検査装置の端子電極とを検査用導電性接着剤
を介して接続することによって、電気的に良好な接続を
得ることができ、チップパッケージまたはマルチチップ
モジュールの実動作またはファンクションテストを確実
に検査することができる。
【0037】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。 (実施例1)図1は本発明の第1の実施例におけるチッ
プパッケージの概略を示す断面図であり、図2および図
3は本発明の第1の実施例におけるチップパッケージの
検査方法の概略工程を説明するための断面図である。
【0038】図1において、1はLSIチップの電極パ
ッド、6はバイア、7はLSIチップ、8はコンタクト
電極、9はボール状の突起電極、10はチップキャリア
の端子電極、11はチップキャリア、12は導電性接着
剤、13は2段突起バンプ、17は形成後の検査用導電
性接着剤、18は検査装置の端子電極、19は検査装置
である。また、図2(a)、(b)、および図3
(c)、(d)において、15は検査用導電性接着剤の
膜、16は膜形成治具、17は形成後の検査用導電性接
着剤、18は検査装置の端子電極、19は検査装置、2
0はリードである。
【0039】チップパッケージは、図1に示すように、
セラミックまたは樹脂からなるチップキャリア11の表
面にLSIチップ7を実装するための端子電極10が形
成され、チップキャリア11のLSIチップ7実装面の
反対面に回路基板に実装するためのコンタクト電極8が
形成されて構成されている。
【0040】端子電極10とコンタクト電極8はバイア
6を介して電気的に接続されている。コンタクト電極8
上に、印刷または転写によって半田ペーストを形成し、
さらに半田ペーストの半田より高融点な半田のボールを
固着させ、半田ペーストを溶融してボール状の突起電極
9を形成し、これを新たなコンタクト電極としている。
【0041】端子電極10やコンタクト電極8やバイア
6はCu、Ag、Auなどの導電性材料によって形成さ
れている。LSIチップ7は電極パッド1に設けられた
2段突起バンプ13に導電性接着剤12からなる接合層
を転写または印刷で形成し、チップキャリア11の端子
電極10上にフェースダウン状態で実装されている。こ
のことによりチップパッケージが得られる。この後、チ
ップパッケージを乾燥器に投入して、導電性接着剤12
を熱硬化させる。よって、2段突起バンプ13とチップ
キャリア11の端子電極10との電気的接続が得られ
る。
【0042】そして、ボール状の突起電極9と検査装置
19上の検査装置の端子電極18とを検査用導電性接着
剤17により電気的に接続し、チップパッケージの動作
を検査する。
【0043】次に半導体装置の検査方法を図2および図
3により説明する。先ず、図2(a)に示すように、常
温において電気的に接続可能な検査用導電性接着剤の膜
15を膜形成治具16で形成しておく。図2(b)に示
すように、導電性接着剤12の硬化後の状態のチップパ
ッケージのボール状の突起電極9を検査用導電性接着剤
の膜15へ浸漬し、引き上げることによって、チップパ
ッケージのボール状の突起電極9に検査用導電性接着剤
17が転写形成される。
【0044】次に、図3に示すように、検査装置19上
の検査装置の端子電極18上にチップパッケージを位置
合わせした後(図3(c))、検査装置19に積載し、
ボール状の突起電極9と検査装置の端子電極18とを検
査用導電性接着剤17により電気的に接続し(図3
(d))、チップパッケージの動作を実動作またはファ
ンクション検査する。
【0045】ここで動作が確認でき、良品と判断されて
初めて、封止樹脂でLSIチップ7とチップキャリア1
1との間隙を充填封止し、熱硬化することができる。こ
の後は、通常のBGA検査ソケットで封止後の検査をし
ても、LSIチップは封止されているため、チップキャ
リアの反りを吸収できるし、上記の方法で再度封止後の
検査をしても良い。
【0046】ここで、検査装置19に加熱用ヒータ(常
温から100℃程度)を内蔵すると、チップパッケージ
を検査装置に積載後、検査用導電性接着剤中の溶剤を速
く飛ばすことができ、より迅速に検査用導電性接着剤1
7の接続抵抗値をさらに下げることができ、その結果ノ
イズ分を減らし、より高周波領域での正確な検査ができ
るようになる。
【0047】動作検査後良品のチップパッケージは封止
樹脂でLSIチップ7とチップキャリア11との間隙を
充填封止し、熱硬化する。その後、ボール状の突起電極
9を回路基板の端子電極に実装する前に、ボール状の突
起電極9の先端に転写した検査用導電性接着剤17を接
着剤中に含まれる同じ溶剤で洗浄しても良い。これは検
査用導電性接着剤が熱可塑性の樹脂を用いているため、
熱硬化後も溶剤で洗浄可能である。したがって、検査用
導電性接着剤17の洗浄は綿棒に溶剤をしみ込ませたも
ので拭き取っても良いし、チップパッケージを溶剤液中
に浸漬し、超音波をかけて、取り除いても良い。
【0048】ただし、このときのチップパッケージに用
いた封止樹脂は検査用導電性接着剤の溶剤に対して耐性
があるものとする。検査用導電性接着剤の膜15はチッ
プパッケージのコンタクト電極8の高さバラツキと検査
装置の端子電極18の高さバラツキの合計以上、膜厚形
成可能であれば、チップパッケージの回路基板の端子電
極への積載でオープン不良が発生することはない。
【0049】チップパッケージのコンタクト電極8上に
半田ボール状の突起電極9が形成されていなくとも、最
適な検査用導電性接着剤17をコンタクト電極8に形成
できれば検査可能である。
【0050】(実施例2)図4は本発明のチップパッケ
ージの第2の実施例における検査前の概略断面図であ
り、図1に基づいて説明した部材に対応する部材につい
ては、同一符号を付して説明を省略する。
【0051】図4において、14は基板内層電極で、離
れているバイア6を各層に設けられた基板内層電極14
で順次接続していく。第2の実施例のチップパッケージ
が、第1の実施例と異なる点は、チップキャリア11に
おいて、図1のほうは、チップキャリア11の端子電極
10とコンタクト電極8とがバイア6だけによって接続
されているのに対し、本実施例ではバイア6と基板内層
電極14とを介して接続されていることである。
【0052】本実施例のように構成すると、チップキャ
リアが多層基板からなり、多層にすることによる反りや
うねりがあっても検査用導電性接着剤を介して接続する
ことによって、検査時のチップキャリアにかかる荷重を
検査用導電性接着剤の樹脂の弾性によって吸収する効果
がある。
【0053】(実施例3)図5は本発明のマルチチップ
モジュールの第3の実施例における検査前の概略断面図
であり、図1に基づいて説明した部材に対応する部材に
ついては、同一符号を付して説明を省略する。
【0054】第3の実施例のマルチチップモジュールが
第1の実施例と異なる点は、第1の実施例ではLSIチ
ップ7が1個であるのに対し、本実施例では複数のLS
Iチップ7、7、7をチップキャリア11に実装してい
ることである。
【0055】本実施例のように構成すると、複数のLS
Iチップのうちチップキャリアの端に実装されたLSI
チップは、通常のソケットによる検査ならば検査荷重に
よる応力が基板の端により大きくかかるが、検査用導電
性接着剤を介して接続することによって、チップキャリ
ア上に実装された全てのLSIチップの接合安定性を損
なうことなく、チップキャリア上にかかる検査荷重を緩
和する効果がある。
【0056】(実施例4)図6は本発明のチップパッケ
ージの第4の実施例における検査前の概略断面図であ
り、図1に基づいて説明した部材に対応する部材につい
ては、同一符号を付して説明を省略する。
【0057】図6において、2は密着金属膜、3は拡散
防止金属膜、4は溶融後の半田バンプ、5はパッシベー
ション膜である。第4の実施例のチップパッケージが第
1の実施例と異なる点は、LSIチップ7の電極パッド
1とチップキャリア上の端子電極10が、第1の実施例
ではAu2段突起電極と導電性接着剤であるのに対し、
本実施例では半田により接合されていることである。
【0058】本実施例のように構成すると、従来はLS
Iチップの電極と半田との接合部や半田自身や半田とチ
ップキャリアの端子電極との接合部に検査時に荷重が加
わり、応力によって割れやクラックを生じる危険性があ
ったが、導電性接着剤を介して接続することによって、
検査時の荷重応力を緩和する効果がある。
【0059】本発明によれば、未封止の状態のまま検査
装置でチップパッケージの動作が検査できるので、従来
では全て封止してから検査を行っていたためにかかって
いた時間のロスを改善することができ、また検査後に不
良となったLSIチップまたはチップキャリアの交換
(リペア)も可能となる。
【0060】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の動作検査
によれば、チップパッケージまたはマルチチップモジュ
ールに電気的な接続が良好に得られる検査用導電性接着
剤を用いるため、チップキャリアに反りを生じさせるこ
となく、チップキャリア上のLSIチップの接続安定性
を損なうことなく、コンタクト電極と検査装置の端子電
極を検査用導電性接着剤を介することによって電気的に
接続することができ、チップパッケージまたはマルチチ
ップモジュールの動作を検査することができる。
【0061】また、未封止の状態のままのチップパッケ
ージまたはマルチチップモジュールを検査装置で動作検
査可能なため、全てのチップパッケージまたはマルチチ
ップモジュールを封止してから、検査を行うのにかかっ
ていた材料・検査時間のロスを改善することができ、ま
た検査後に不良となったLSIチップまたはチップキャ
リアの交換(リペア)が容易にできるため、極めて実用
性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施例におけるチップパッケー
ジの概略構成を示す断面図である。
【図2】 (a),(b)はそれぞれ本発明のチップパ
ッケージの検査方法の第1実施例の一工程を説明する断
面図である。
【図3】 (c),(d)はそれぞれ本発明のチップパ
ッケージの検査方法の第1実施例の他の一工程を説明す
る断面図である。
【図4】 本発明の第2実施例における検査前のチップ
パッケージの概略構成を示す断面図である。
【図5】 本発明の第3実施例における検査前のマルチ
チップモジュールの概略構成を示す断面図である。
【図6】 本発明の第4実施例における検査前のチップ
パッケージの概略構成を示す断面図である。
【図7】 従来の半導体装置の検査用ソケットの概略構
成を示す斜視図である。
【図8】 図7の半導体装置の検査用ソケットの分解斜
視図である。
【図9】 従来の半導体装置の検査方法の概略説明図で
ある。
【図10】 図9の半導体装置の検査方法の一部拡大断
面図である。
【符号の説明】
1 LSIチップの電極パッド 2 密着金属膜 3 拡散防止金属膜 4 溶融後の半田バンプ 5 パッシベーション膜 6 バイア 7 LSIチップ 8 コンタクト電極 9 ボール状の突起電極 10 チップキャリアの端子電極 11 チップキャリア 12 導電性接着剤 13 2段突起バンプ 14 基板内装電極 15 検査用導電性接着剤の膜 16 膜形成治具 17 形成後の検査用導電性接着剤 18 検査装置の端子電極 19 検査装置 20 リード 101 リッド 102 ラッチ 103 ネスト 104 コンタクトピン 105 ベース 106 BGAソケット 107 LSIチップ 108 2段突起電極 109 導電性接着剤からなる接合層 110 チップキャリアの端子電極 111 チップキャリア 112 ボール状の突起電極 113 スペーサ 114 半導体装置
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−81333(JP,A) 特開 平5−136146(JP,A) 特開 平5−183033(JP,A) 特開 平5−304189(JP,A) 特開 平5−335311(JP,A) 特開 平7−142490(JP,A) 特開 平7−226400(JP,A) 特開 平6−232295(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 31/26 H01L 21/60 H01L 21/66 H01L 23/12 H01L 23/32 H01L 25/00

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 LSIチップをチップキャリアに実装し
    たチップパッケージまたは、複数のLSIチップをチッ
    プキャリアに実装したマルチチップモジュールの動作を
    確認する半導体装置の検査方法において、前記LSIチ
    ップ実装面の反対面に形成した前記チップパッケージま
    たは前記マルチチップモジュールのコンタクト電極に検
    査用導電性接着剤を形成する工程と、前記チップパッケ
    ージまたは前記マルチチップモジュールを検査装置の端
    子電極に位置合わせした後、積載する工程と、前記検査
    用導電性接着剤により前記コンタクト電極と前記端子電
    極とを電気的に接続して前記チップパッケージまたは前
    記マルチチップモジュールの動作を検査する工程とを含
    むことを特徴とする半導体装置の検査方法。
  2. 【請求項2】 チップパッケージまたはマルチチップモ
    ジュールのコンタクト電極上に、印刷または転写によっ
    て半田ペーストを形成し、さらに前記半田ペーストの半
    田より高融点な半田のボールを固着させ、前記半田ペー
    ストを溶融してボール状の突起電極を形成し、これをコ
    ンタクト電極として用いる請求項1記載の半導体装置の
    検査方法。
  3. 【請求項3】 前記検査用導電性接着剤を形成する工程
    が、印刷法または転写法である請求項1記載の半導体装
    置の検査方法。
  4. 【請求項4】 前記チップキャリアの基板材質がセラミ
    ックまたは樹脂からなる請求項1記載の半導体装置の検
    査方法。
  5. 【請求項5】 前記チップキャリアは表面にLSIチッ
    プを実装するための端子電極が形成され、また前記LS
    Iチップ実装面の反対面に回路基板に実装するためのコ
    ンタクト電極が形成され、さらに前記端子電極と前記コ
    ンタクト電極が回路的に基板内部導体で接続されている
    請求項1記載の半導体装置の検査方法。
  6. 【請求項6】 前記LSIチップのチップキャリア上の
    端子電極への実装がフェースダウンで接合層を介してな
    されている請求項1記載の半導体装置の検査方法。
  7. 【請求項7】 前記接合層が導電性接着剤または半田か
    らなる請求項6記載の半導体装置の検査方法。
  8. 【請求項8】 LSIチップをチップキャリアに実装し
    たチップパッケージまたは、複数のLSIチップをチッ
    プキャリアに実装したマルチチップモジュールによりL
    SIチップの動作確認の検査をする際に使用する検査用
    導電性接着剤であって、前記LSIチップ実装面の反対
    面に形成した前記チップパッケージまたは前記マルチチ
    ップモジュールのコンタクト電極と、検査装置の端子電
    極との間に介在して電気的に導通させる導電フィラーと
    樹脂成分とからなることを特徴とする検査用導電性接着
    剤。
  9. 【請求項9】 前記導電フィラーが、Ag、Cu、Ag
    −Pd、Auのいずれかからなる請求項8記載の検査用
    導電性接着剤。
  10. 【請求項10】 前記導電フィラーは、粗いフィラーと
    細かいフィラーを混合し、各フィラー間で電気的な接触
    確率が大きくなるように緻密な構造とした請求項8記載
    の検査用導電性接着剤。
  11. 【請求項11】 前記樹脂成分が溶剤と熱可塑性樹脂を
    含む請求項8記載の検査用導電性接着剤。
  12. 【請求項12】 前記導電性接着剤の常温における体積
    固有抵抗値が3×10 -3Ω・cm以下である請求項8記
    載の検査用導電性接着剤。
  13. 【請求項13】 前記樹脂成分がフェノキシ樹脂である
    請求項8記載の検査用導電性接着剤。
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