JP2000138315A - Ｂｇａ型ｉｃ及びｂｇａ型ｉｃの製造方法 - Google Patents
Ｂｇａ型ｉｃ及びｂｇａ型ｉｃの製造方法Info
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- JP2000138315A JP2000138315A JP10311933A JP31193398A JP2000138315A JP 2000138315 A JP2000138315 A JP 2000138315A JP 10311933 A JP10311933 A JP 10311933A JP 31193398 A JP31193398 A JP 31193398A JP 2000138315 A JP2000138315 A JP 2000138315A
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- lead
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- bga type
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部接続端子へのダメージが無く、且つ、精
度の高い電気的特性試験を行うことができるＢＧＡ型Ｉ
Ｃを提供する。 【解決手段】 複数の電極パッド２が形成されている半
導体素子１の一面に、電極パッド２にかからないよう
に、弾力性を持たせて保護するための接着剤３と、接着
剤３を保護するための保護テープ４とが貼付されてい
る。保護テープ４上に、リードフレーム５が貼付され、
リードフレーム５のアウターリード５ａが樹脂６の外部
に導出するように、樹脂６で封止されている。アウター
リード５ａの先端には、半田メッキ８が形成されてい
る。このＢＧＡ型ＩＣの電気的特性試験は、アウターリ
ード５ａと試験装置のテスト用電極を一時的に導通させ
て行う。試験終了後、アウターリード５ａを根本から切
断する。
度の高い電気的特性試験を行うことができるＢＧＡ型Ｉ
Ｃを提供する。 【解決手段】 複数の電極パッド２が形成されている半
導体素子１の一面に、電極パッド２にかからないよう
に、弾力性を持たせて保護するための接着剤３と、接着
剤３を保護するための保護テープ４とが貼付されてい
る。保護テープ４上に、リードフレーム５が貼付され、
リードフレーム５のアウターリード５ａが樹脂６の外部
に導出するように、樹脂６で封止されている。アウター
リード５ａの先端には、半田メッキ８が形成されてい
る。このＢＧＡ型ＩＣの電気的特性試験は、アウターリ
ード５ａと試験装置のテスト用電極を一時的に導通させ
て行う。試験終了後、アウターリード５ａを根本から切
断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電気的特性試験
を行うのに適したＢＧＡ型のＩＣに関し、特に測定時
に、半田ボールへのダメージを抑えることができるＢＧ
Ａ型ＩＣに関する。
を行うのに適したＢＧＡ型のＩＣに関し、特に測定時
に、半田ボールへのダメージを抑えることができるＢＧ
Ａ型ＩＣに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化に伴って、回路
を構成する半導体素子等の電子部品も小型のものが開発
されている。ＩＣに関しては、プリント基板に自動で装
着させることから、従来ＳＯＪ（Small Outline J-lead
ed Package）型、ＱＦＰ（Quad Flat Package）型、Ｃ
ＳＰ（Chip Size Package）型のパッケージが使用され
てきたが、近年は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型のパ
ッケージが多く使用されている。このＢＧＡ型ＩＣは、
電極として、マトリクス状に配置された半田ボールを備
える。
を構成する半導体素子等の電子部品も小型のものが開発
されている。ＩＣに関しては、プリント基板に自動で装
着させることから、従来ＳＯＪ（Small Outline J-lead
ed Package）型、ＱＦＰ（Quad Flat Package）型、Ｃ
ＳＰ（Chip Size Package）型のパッケージが使用され
てきたが、近年は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型のパ
ッケージが多く使用されている。このＢＧＡ型ＩＣは、
電極として、マトリクス状に配置された半田ボールを備
える。
【０００３】ＢＧＡ型ＩＣの電気的特性試験を行う場
合、従来では、半田ボールと測定装置の電極とを電気的
に接触させて、試験を行っている。
合、従来では、半田ボールと測定装置の電極とを電気的
に接触させて、試験を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特性試験の精
度を高くするために、測定装置の電極と半田ボールとを
しっかりと接触させると、半田ボールに測定装置の圧痕
が残ってしまう。一方、半田ボールに測定装置の圧痕が
残らないように弱く接触させると、接触が不安定にな
り、接触不良などが発生し、特性試験の精度が低下して
しまう。
度を高くするために、測定装置の電極と半田ボールとを
しっかりと接触させると、半田ボールに測定装置の圧痕
が残ってしまう。一方、半田ボールに測定装置の圧痕が
残らないように弱く接触させると、接触が不安定にな
り、接触不良などが発生し、特性試験の精度が低下して
しまう。
【０００５】この発明は、上記実情に鑑みてなされたも
ので、外部接続端子へのダメージが無く、且つ、精度の
高い電気的特性試験を行うことができるＩＣを提供する
ことを目的とする。
ので、外部接続端子へのダメージが無く、且つ、精度の
高い電気的特性試験を行うことができるＩＣを提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１の観点にかかるＢＧＡ型ＩＣは、一
面に複数の電極パッドを備える半導体素子と、前記半導
体素子の一面側に配置され、前記半導体素子の電極パッ
ドに接続された半田ボールと、前記半田ボールに電気的
に接続されたテスト用のリードと、前記半導体素子の前
記一面側を避けて、リードのアウターリードを外部に導
出するように前記半導体素子と前記リードの一部を封止
する樹脂と、から構成されたことを特徴とする。このＢ
ＧＡ型ＩＣチップによれば、半田ボールを傷つけること
なく、テスト用リードを用いてこのＢＧＡ型ＩＣの電気
特性試験を行うことができる。
め、この発明の第１の観点にかかるＢＧＡ型ＩＣは、一
面に複数の電極パッドを備える半導体素子と、前記半導
体素子の一面側に配置され、前記半導体素子の電極パッ
ドに接続された半田ボールと、前記半田ボールに電気的
に接続されたテスト用のリードと、前記半導体素子の前
記一面側を避けて、リードのアウターリードを外部に導
出するように前記半導体素子と前記リードの一部を封止
する樹脂と、から構成されたことを特徴とする。このＢ
ＧＡ型ＩＣチップによれば、半田ボールを傷つけること
なく、テスト用リードを用いてこのＢＧＡ型ＩＣの電気
特性試験を行うことができる。
【０００７】前記リードは、例えば、樹脂封止可能に屈
曲して形成される。また、前記アウターリードの先端部
分に半田メッキを施してもよい。
曲して形成される。また、前記アウターリードの先端部
分に半田メッキを施してもよい。
【０００８】前記アウターリードは、前記半導体素子の
電極パッド形成面と直交する方向に屈曲し、ＳＯＪ型Ｉ
Ｃのソケットに装着可能に形成されてもよい。前記アウ
ターリードは、根本部分で切断可能に形成されてもよ
い。前記半導体素子の一面上に形成され、前記電極パッ
ドに対向するする部分に開口が形成された絶縁性保護層
を配置してもよい。
電極パッド形成面と直交する方向に屈曲し、ＳＯＪ型Ｉ
Ｃのソケットに装着可能に形成されてもよい。前記アウ
ターリードは、根本部分で切断可能に形成されてもよ
い。前記半導体素子の一面上に形成され、前記電極パッ
ドに対向するする部分に開口が形成された絶縁性保護層
を配置してもよい。
【０００９】上記構成のＢＧＡ型ＩＣのテストを、前記
半田ボールを使用せず、前記アウターリードを用いて行
い、テスト終了後、前記アウターリードを根本から切断
するようにしてもよい。
半田ボールを使用せず、前記アウターリードを用いて行
い、テスト終了後、前記アウターリードを根本から切断
するようにしてもよい。
【００１０】上記目的を達成するため、この発明の第２
の観点にかかるＢＧＡ型ＩＣの製造方法は、複数の電極
パッドを備える半導体素子を用意するステップと、前記
半導体素子の電極パッド形成面上に、電極パッド上を避
けて、絶縁性の保護層を形成するステップと、アウター
リードを前記保護層上に配置する配置ステップと、前記
保護層を避けて、前記半導体素子と前記アウターリード
の一部を覆って樹脂封止する封止ステップと、前記電極
パッドと前記アウターリードとを半田接続すると共に半
田ボールを前記保護層に形成するステップと、を備える
ことを特徴とする。
の観点にかかるＢＧＡ型ＩＣの製造方法は、複数の電極
パッドを備える半導体素子を用意するステップと、前記
半導体素子の電極パッド形成面上に、電極パッド上を避
けて、絶縁性の保護層を形成するステップと、アウター
リードを前記保護層上に配置する配置ステップと、前記
保護層を避けて、前記半導体素子と前記アウターリード
の一部を覆って樹脂封止する封止ステップと、前記電極
パッドと前記アウターリードとを半田接続すると共に半
田ボールを前記保護層に形成するステップと、を備える
ことを特徴とする。
【００１１】アウターリードを含むリードフレームを前
記保護層上に配置し、前記封止後、アウターリードを残
して、リードフレームのフレーム部分を除去するように
しても良い。
記保護層上に配置し、前記封止後、アウターリードを残
して、リードフレームのフレーム部分を除去するように
しても良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係るＢＧＡ
型ＩＣを図面を参照して説明する。図１（ａ）は、本実
施の形態のＢＧＡ型ＩＣの断面図、図１（ｂ）は平面図
である。
型ＩＣを図面を参照して説明する。図１（ａ）は、本実
施の形態のＢＧＡ型ＩＣの断面図、図１（ｂ）は平面図
である。
【００１３】図示するように、ＢＧＡ型ＩＣは、半導体
素子１と、電極パッド２と、接着剤３と、保護テープ４
と、リードフレーム５と、樹脂６と、半田ボール７と、
半田メッキ８と、から構成される。
素子１と、電極パッド２と、接着剤３と、保護テープ４
と、リードフレーム５と、樹脂６と、半田ボール７と、
半田メッキ８と、から構成される。
【００１４】半導体素子１は、半導体チップを搭載する
基体である。電極パッド２は、半導体素子１の一面にマ
トリクス状に配置され、半導体チップの電極に電気的に
接続されており、半導体チップの電極を拡面化するため
のものである。接着剤３は、絶縁性の接着剤であり、電
極パッド２上を避けて半導体素子１の一面上に層状に塗
布されており、半導体素子１の一面に弾力性と絶縁性を
与えて保護する。
基体である。電極パッド２は、半導体素子１の一面にマ
トリクス状に配置され、半導体チップの電極に電気的に
接続されており、半導体チップの電極を拡面化するため
のものである。接着剤３は、絶縁性の接着剤であり、電
極パッド２上を避けて半導体素子１の一面上に層状に塗
布されており、半導体素子１の一面に弾力性と絶縁性を
与えて保護する。
【００１５】保護テープ４は、両面が粘着性の絶縁テー
プから構成され、電極パッド２上の部分に開口部が形成
されており、接着剤３の層の上に貼付され、半導体素子
１を保護する。リードフレーム５は、このＢＧＡ型ＩＣ
をテストする際に使用されるリードであり、４２合金
（４２％Ｎｉ−鉄）、Ｃｕ合金等の導電性に優れた金属
から構成され、電極パッド２に電気的に接続されてい
る。リードフレーム５は、アウターリード５ａとインナ
ーリード５ｂとその中間部分で大きく屈曲した屈曲部５
ｃを備える。
プから構成され、電極パッド２上の部分に開口部が形成
されており、接着剤３の層の上に貼付され、半導体素子
１を保護する。リードフレーム５は、このＢＧＡ型ＩＣ
をテストする際に使用されるリードであり、４２合金
（４２％Ｎｉ−鉄）、Ｃｕ合金等の導電性に優れた金属
から構成され、電極パッド２に電気的に接続されてい
る。リードフレーム５は、アウターリード５ａとインナ
ーリード５ｂとその中間部分で大きく屈曲した屈曲部５
ｃを備える。
【００１６】樹脂６は、半導体素子１の一面を避けて、
半導体素子１とリードフレーム５の屈曲部５ｃを封止
し、半導体素子１を保護する。半田ボール７は、このＢ
ＧＡ型ＩＣの外部接続端子であり、球形の半田から構成
される。半田ボール７を形成する半田はインナーリード
５ｂに接続されると共に保護テープ４及び接着剤３の開
口部を介して半導体素子１の電極パッド２に接続されて
いる。これにより、各電極パッド２は、対応する半田ボ
ール７とアウターリード５ａに電気的に接続される。半
田メッキ８は、アウターリード５ａに溶着した薄い半田
層から構成される。
半導体素子１とリードフレーム５の屈曲部５ｃを封止
し、半導体素子１を保護する。半田ボール７は、このＢ
ＧＡ型ＩＣの外部接続端子であり、球形の半田から構成
される。半田ボール７を形成する半田はインナーリード
５ｂに接続されると共に保護テープ４及び接着剤３の開
口部を介して半導体素子１の電極パッド２に接続されて
いる。これにより、各電極パッド２は、対応する半田ボ
ール７とアウターリード５ａに電気的に接続される。半
田メッキ８は、アウターリード５ａに溶着した薄い半田
層から構成される。
【００１７】次に、このＢＧＡ型ＩＣの製造方法を説明
する。半導体素子１の表面に弾力性を持たせて保護する
ための接着剤３と、接着剤３を保護するための保護テー
プ４とを、それそれ電極パッド２にかからないように貼
付する。保護テープ４の上面に、リードフレーム５を、
例えば、図２に平面で示すように位置合わせして貼付す
る。なお、破線部分は、樹脂封止後、切断される部分で
あり、インナーリード５ｂには、保護テープ４に形成さ
れた開口と重なるように開口が形成されている。なお、
リードフレーム５は、予め成形されている。
する。半導体素子１の表面に弾力性を持たせて保護する
ための接着剤３と、接着剤３を保護するための保護テー
プ４とを、それそれ電極パッド２にかからないように貼
付する。保護テープ４の上面に、リードフレーム５を、
例えば、図２に平面で示すように位置合わせして貼付す
る。なお、破線部分は、樹脂封止後、切断される部分で
あり、インナーリード５ｂには、保護テープ４に形成さ
れた開口と重なるように開口が形成されている。なお、
リードフレーム５は、予め成形されている。
【００１８】次に、リードフレーム５が貼付された半導
体素子１全体をモールディング装置に載置し、半導体素
子１の一面側を除き、且つ、アウターリード５ａが樹脂
６の外部に導出するように、樹脂６で封止（モールディ
ング）する。次に、リードフレーム５の破線部分（図
２）を切断する。次に、アウターリード５ａの先端に半
田メッキ８を形成する。また、インナーリード５ｂと保
護テープ４と接着剤３との開口部を介して、電極パッド
２に、このＢＧＡ型ＩＣの外部接続端子となる半田ボー
ル７をリフロー加熱して溶着させ、電極パッド２と半田
ボール７とリードフレーム５（インナーリード５ｂ）を
電気的に導通させ、図１に示すＢＧＡ型ＩＣを完成す
る。
体素子１全体をモールディング装置に載置し、半導体素
子１の一面側を除き、且つ、アウターリード５ａが樹脂
６の外部に導出するように、樹脂６で封止（モールディ
ング）する。次に、リードフレーム５の破線部分（図
２）を切断する。次に、アウターリード５ａの先端に半
田メッキ８を形成する。また、インナーリード５ｂと保
護テープ４と接着剤３との開口部を介して、電極パッド
２に、このＢＧＡ型ＩＣの外部接続端子となる半田ボー
ル７をリフロー加熱して溶着させ、電極パッド２と半田
ボール７とリードフレーム５（インナーリード５ｂ）を
電気的に導通させ、図１に示すＢＧＡ型ＩＣを完成す
る。
【００１９】次に、このＢＧＡ型ＩＣの電気的特性試験
を行う動作について説明する。通常、ＢＧＡ型ＩＣの電
気的特性試験を行うためには、半田ボール７と試験装置
（図示せず）のテスト用電極を接続する。しかし、この
実施の形態では、半田ボール７を保護したまま、アウタ
ーリード５ａの半田メッキ８部と測定装置の電極を、例
えば、ワニ口クリップを使用して一時的に接続させて、
試験を行う。アウターリード５ａは、対応する半田ボー
ル７及び電極パッド２に接続されているので、電気的特
性試験を支障なく行うことができ、半田ボール７も保護
することができる。電気的特性試験終了後、アウターリ
ード５ａを根本から切断する。その後、必要に応じて、
切断部分に絶縁テープなどを貼付する。
を行う動作について説明する。通常、ＢＧＡ型ＩＣの電
気的特性試験を行うためには、半田ボール７と試験装置
（図示せず）のテスト用電極を接続する。しかし、この
実施の形態では、半田ボール７を保護したまま、アウタ
ーリード５ａの半田メッキ８部と測定装置の電極を、例
えば、ワニ口クリップを使用して一時的に接続させて、
試験を行う。アウターリード５ａは、対応する半田ボー
ル７及び電極パッド２に接続されているので、電気的特
性試験を支障なく行うことができ、半田ボール７も保護
することができる。電気的特性試験終了後、アウターリ
ード５ａを根本から切断する。その後、必要に応じて、
切断部分に絶縁テープなどを貼付する。
【００２０】このように、アウターリード５ａを設ける
ことにより、半田ボール７と接触しなくても、精度の高
い電気的特性試験を行うことができる。また、アウター
リードが切断可能であるため、従来のＢＧＡ型ＩＣと同
じ形状で、このＢＧＡ型ＩＣを実現できる。
ことにより、半田ボール７と接触しなくても、精度の高
い電気的特性試験を行うことができる。また、アウター
リードが切断可能であるため、従来のＢＧＡ型ＩＣと同
じ形状で、このＢＧＡ型ＩＣを実現できる。
【００２１】なお、この発明は、上記実施の形態に限定
されず、種々の変形及び応用が可能である。例えば、ア
ウターリード５ａを、例えば、図３に示すような屈折型
にしてもよい。この屈折型のアウターリードを有するＩ
Ｃの製造方法は、図１を参照して説明した方法と同様
に、半導体素子１の表面に接着剤３、保護テープ４、リ
ードフレーム５を備え、全体を樹脂６で封止する。アウ
ターリード５ｂは、樹脂から任意の箇所で、上方（半導
体素子の表面方向）に垂直に屈曲させ、先端を半導体素
子方向にかぎ状に屈曲させる。
されず、種々の変形及び応用が可能である。例えば、ア
ウターリード５ａを、例えば、図３に示すような屈折型
にしてもよい。この屈折型のアウターリードを有するＩ
Ｃの製造方法は、図１を参照して説明した方法と同様
に、半導体素子１の表面に接着剤３、保護テープ４、リ
ードフレーム５を備え、全体を樹脂６で封止する。アウ
ターリード５ｂは、樹脂から任意の箇所で、上方（半導
体素子の表面方向）に垂直に屈曲させ、先端を半導体素
子方向にかぎ状に屈曲させる。
【００２２】このようにアウターリードの形状をＪ字型
とすることにより、従来のＳＯＪ型ＩＣ用のソケットに
ＢＧＡ型ＩＣを装着して、特性試験を行うことができ、
外部接続端子にダメージを与えることなく、精度の高い
測定結果を得ることができる。
とすることにより、従来のＳＯＪ型ＩＣ用のソケットに
ＢＧＡ型ＩＣを装着して、特性試験を行うことができ、
外部接続端子にダメージを与えることなく、精度の高い
測定結果を得ることができる。
【００２３】また、試験終了後、アウターリードを切断
し易いように、アウターリードの根本を薄く又は細く形
成したり、折り目を入れたり、切れ目を入れたりしても
よい。
し易いように、アウターリードの根本を薄く又は細く形
成したり、折り目を入れたり、切れ目を入れたりしても
よい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ＩＣの外部接続端子に接触することなく、精度の高
い電気的特性試験を行うことができる。
ば、ＩＣの外部接続端子に接触することなく、精度の高
い電気的特性試験を行うことができる。
【図１】（ａ）と（ｂ）は、本発明の実施の形態のＢＧ
Ａ型ＩＣの構成の一例を示す断面図と平面図である。
Ａ型ＩＣの構成の一例を示す断面図と平面図である。
【図２】本発明の実施の形態のＢＧＡ型ＩＣの構成の製
造過程を説明するための平面図である。
造過程を説明するための平面図である。
【図３】本発明の実施の形態のＢＧＡ型ＩＣの構成の変
形例を示す断面図である。
形例を示す断面図である。
１ 半導体素子 ２ 電極パッド ３ 接着剤 ４ 保護テープ ５ リードフレーム ５ａ アウターリード ５ｂ インナーリード ６ 封止用樹脂 ７ 半田ボール ８ 半田メッキ
Claims (9)
- 【請求項１】一面に複数の電極パッドを備える半導体素
子と、 前記半導体素子の一面側に配置され、前記半導体素子の
電極パッドに接続された半田ボールと、 前記半田ボールに電気的に接続されたテスト用のリード
と、 前記半導体素子の前記一面側を避けて、リードのアウタ
ーリードを外部に導出するように前記半導体素子と前記
リードの一部を封止する樹脂と、 から構成されたことを特徴とするＢＧＡ型ＩＣ。 - 【請求項２】前記リードは、樹脂封止可能に屈曲して形
成されている、ことを特徴とする請求項１に記載のＢＧ
Ａ型ＩＣ。 - 【請求項３】前記アウターリードの先端部分に半田メッ
キが施されている、ことを特徴とする請求項１に記載の
ＢＧＡ型ＩＣ。 - 【請求項４】前記アウターリードは、前記半導体素子の
電極パッド形成面と直交する方向に屈曲し、ＳＯＪ型Ｉ
Ｃのソケットに装着可能に形成されている、ことを特徴
とする請求項１に記載のＢＧＡ型ＩＣ。 - 【請求項５】前記アウターリードは、前記樹脂の外縁近
傍で切断可能に形成されている、ことを特徴とする請求
項１乃至４の何れか１項に記載のＢＧＡ型ＩＣ。 - 【請求項６】前記半導体素子の一面上に形成され、前記
電極パッドに対向する部分に開口が形成された絶縁性保
護層を有する、ことを特徴とする請求項１乃５の何れか
１項に記載のＢＧＡ型ＩＣ。 - 【請求項７】請求項１乃至６の何れか１項に記載のＢＧ
Ａ型ＩＣのテスト方法であって、 前記半田ボールを使用せず、前記アウターリードを用い
て前記半導体素子のテストを行い、 テスト終了後、前記アウターリードを前記樹脂の外周近
傍で切断する、 ことを特徴とするＢＧＡ型ＩＣ。 - 【請求項８】複数の電極パッドを備える半導体素子を用
意するステップと、 前記半導体素子の電極パッド形成面上に、電極パッド上
を避けて、絶縁性の保護層を形成するステップと、 アウターリードを前記保護層上に配置する配置ステップ
と、 前記保護層を避けて、前記半導体素子と前記アウターリ
ードの一部を覆って樹脂封止する封止ステップと、 前記電極パッドと前記アウターリードとを半田接続する
と共に半田ボールを前記保護層に形成するステップと、 を備え、テスト用のアウターリードを備えるＢＧＡ型Ｉ
Ｃの製造方法。 - 【請求項９】前記配置ステップは、アウターリードを含
むリードフレームを前記保護層上に配置するステップを
含み、 前記封止ステップ後、アウターリードを残して、リード
フレームのフレーム部分を除去するステップ、 を備えることを特徴とする請求項８に記載のＢＧＡ型Ｉ
Ｃの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10311933A JP2000138315A (ja) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | Ｂｇａ型ｉｃ及びｂｇａ型ｉｃの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10311933A JP2000138315A (ja) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | Ｂｇａ型ｉｃ及びｂｇａ型ｉｃの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138315A true JP2000138315A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=18023188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10311933A Pending JP2000138315A (ja) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | Ｂｇａ型ｉｃ及びｂｇａ型ｉｃの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000138315A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004119552A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN102540037A (zh) * | 2010-12-27 | 2012-07-04 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 太阳能电池片的测试仪 |
-
1998
- 1998-11-02 JP JP10311933A patent/JP2000138315A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004119552A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN102540037A (zh) * | 2010-12-27 | 2012-07-04 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 太阳能电池片的测试仪 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010321 |