JPH09183845A - ポリ−ｏ−ヒドロキシアミド及びポリ−ｏ−メルカプトアミドの製造方法 - Google Patents
ポリ−ｏ−ヒドロキシアミド及びポリ−ｏ−メルカプトアミドの製造方法Info
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- JPH09183845A JPH09183845A JP8245519A JP24551996A JPH09183845A JP H09183845 A JPH09183845 A JP H09183845A JP 8245519 A JP8245519 A JP 8245519A JP 24551996 A JP24551996 A JP 24551996A JP H09183845 A JPH09183845 A JP H09183845A
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属イオン不含の水性アルカリ現像剤に可溶
のポリ−ｏ−ヒドロキシアミド及びポリ−ｏ−メルカプ
トアミドを製造することのできる価格的に有利な方法を
提供する。 【解決手段】 ポリ−ｏ−ヒドロキシアミド及びポリ−
ｏ−メルカプトアミドの製造方法においてビス−ｏ−ヒ
ドロキシアミド又はビス−ｏ−メルカプトアミドを塩基
性触媒の存在下にジヒドロキシ化合物と反応させる。
のポリ−ｏ−ヒドロキシアミド及びポリ−ｏ−メルカプ
トアミドを製造することのできる価格的に有利な方法を
提供する。 【解決手段】 ポリ−ｏ−ヒドロキシアミド及びポリ−
ｏ−メルカプトアミドの製造方法においてビス−ｏ−ヒ
ドロキシアミド又はビス−ｏ−メルカプトアミドを塩基
性触媒の存在下にジヒドロキシ化合物と反応させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリ−ｏ−ヒドロ
キシアミド（ポリベンズオキサゾール前駆体）及びポリ
−ｏ−メルカプトアミド（ポリベンゾチアゾール前駆
体）の製造方法に関する。
キシアミド（ポリベンズオキサゾール前駆体）及びポリ
−ｏ−メルカプトアミド（ポリベンゾチアゾール前駆
体）の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクス分野において
は耐高熱性のポリマーを特に保護層及び絶縁層又は誘電
体として必要とする（これに関しては例えば「エスエイ
エムピーイー・ジャーナル（ＳＡＭＰＥ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ）」第２５巻（１９８９年）第６号、第１８〜２３頁
及び「マルチチップモジュールに関する１９９２年国際
会議議事録（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ
１９９２ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒ
ｅｎｃｅ ｏｆ Ｍｕｌｔｉｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ
ｓ）」第３９４〜４００頁参照）。使用されるポリマー
の幾つか、例えば芳香族ポリエーテルのホモ及びコポリ
マー並びにポリイミド（ＰＩ）及びポリベンズオキサゾ
ール（ＰＢＯ）の前駆体は有機溶剤に良好に溶解し、良
好なフィルム形成特性を示し、遠心分離法により電子デ
バイスに施すことができる（これに関しては例えば「高
性能ポリマー（Ｈｉｇｈ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ）」第４巻（１９９２年）第２号、第７３
〜８０頁及び「先端技術用ポリマー（Ｐｏｌｙｍｅｒｓ
ｆｏｒ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅ
ｓ）」第４巻（１９９３年）第２１７〜２３３頁参
照）。
は耐高熱性のポリマーを特に保護層及び絶縁層又は誘電
体として必要とする（これに関しては例えば「エスエイ
エムピーイー・ジャーナル（ＳＡＭＰＥ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ）」第２５巻（１９８９年）第６号、第１８〜２３頁
及び「マルチチップモジュールに関する１９９２年国際
会議議事録（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ
１９９２ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒ
ｅｎｃｅ ｏｆ Ｍｕｌｔｉｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ
ｓ）」第３９４〜４００頁参照）。使用されるポリマー
の幾つか、例えば芳香族ポリエーテルのホモ及びコポリ
マー並びにポリイミド（ＰＩ）及びポリベンズオキサゾ
ール（ＰＢＯ）の前駆体は有機溶剤に良好に溶解し、良
好なフィルム形成特性を示し、遠心分離法により電子デ
バイスに施すことができる（これに関しては例えば「高
性能ポリマー（Ｈｉｇｈ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ）」第４巻（１９９２年）第２号、第７３
〜８０頁及び「先端技術用ポリマー（Ｐｏｌｙｍｅｒｓ
ｆｏｒ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅ
ｓ）」第４巻（１９９３年）第２１７〜２３３頁参
照）。
【０００３】上記形式のポリマー前駆体は熱処理により
環化され、即ち相応するポリマー（ＰＩ又はＰＢＯ）に
置換される。その際最終特性が生じる。即ち環化により
ポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの親水基、つまりＮＨ−、
ＯＨ−及びＣＯ基は消滅し、これらは誘電特性及び水吸
収性に否定的に作用する。これは例えば（１イミド単位
につき２個のＣＯ基を有する）ポリイミド及び特に（１
イミド単位につき２個のＣＯ基及び１個のＯＨ基を有す
る）ヒドロキシポリイミドに対するポリベンズオキサゾ
ールの本質的利点である。更に環化は良好な誘電特性及
び最終生成物の低い水吸収性にとって重要であるばかり
でなく、その耐高熱性にとっても重要である。
環化され、即ち相応するポリマー（ＰＩ又はＰＢＯ）に
置換される。その際最終特性が生じる。即ち環化により
ポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの親水基、つまりＮＨ−、
ＯＨ−及びＣＯ基は消滅し、これらは誘電特性及び水吸
収性に否定的に作用する。これは例えば（１イミド単位
につき２個のＣＯ基を有する）ポリイミド及び特に（１
イミド単位につき２個のＣＯ基及び１個のＯＨ基を有す
る）ヒドロキシポリイミドに対するポリベンズオキサゾ
ールの本質的利点である。更に環化は良好な誘電特性及
び最終生成物の低い水吸収性にとって重要であるばかり
でなく、その耐高熱性にとっても重要である。
【０００４】ＰＩ及びＰＢＯ前駆体は、例えば適当な光
活性成分を添加して感光性により調整可能であり、それ
により直接、即ち補助レジストを使用せずにパターン化
可能である。従ってこの直接のパターン化は間接的パタ
ーン化に比べて著しい価格的利点を提供するため重要で
ある。
活性成分を添加して感光性により調整可能であり、それ
により直接、即ち補助レジストを使用せずにパターン化
可能である。従ってこの直接のパターン化は間接的パタ
ーン化に比べて著しい価格的利点を提供するため重要で
ある。
【０００５】感光性のＰＢＯ前駆体は大抵の感光性ＰＩ
前駆体とは異なり、いわゆる“バイアホール（ｖｉａ
ｈｏｌｅ）”のパターン化の際ネガ作用の系と比べて面
のごく僅かな部分のみが露光されるにすぎないため欠陥
密度が小さいというようなポジ型のパターン化可能性の
利点を提供する。更にアルカリ可溶性のＰＢＯ前駆体を
使用した場合水性アルカリ現像剤の使用を可能にする。
更に光パターン化後この前駆体の環化は焼なましにより
行われる。
前駆体とは異なり、いわゆる“バイアホール（ｖｉａ
ｈｏｌｅ）”のパターン化の際ネガ作用の系と比べて面
のごく僅かな部分のみが露光されるにすぎないため欠陥
密度が小さいというようなポジ型のパターン化可能性の
利点を提供する。更にアルカリ可溶性のＰＢＯ前駆体を
使用した場合水性アルカリ現像剤の使用を可能にする。
更に光パターン化後この前駆体の環化は焼なましにより
行われる。
【０００６】水性アルカリ性により現像可能のＰＢＯ前
駆体は既に公知である（これに関しては欧州特許第００
２３６６２号、欧州特許出願公開第０２６４６７８号及
び欧州特許第０２９１７７９号明細所参照）。その際使
用されるフォトリソグラフィによるプロセスは環化を除
いて公知のノボラック及びキノンジアジドをベースとす
るポジ型レジストのパターン化の際と同様の世界的に多
数の生産ラインで使用されているプロセスである（これ
に関しては例えばソアネ（Ｄ．Ｓ．Ｓｏａｎｅ）及びマ
ルチネンコ（Ｚ．Ｍａｒｔｙｎｅｎｋｏ）による「マイ
クロエレクトロニクスにおけるポリマーの基礎及び応用
（Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｉｎ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃｓ−Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ ａｎｄ Ａｐｐ
ｌｉｃａｔｉｏｎｓ）」エルセヴィール（Ｅｌｓｅｖｉ
ｅｒ）、アムステルダム、１９８９年、第７７〜１２４
頁参照）。
駆体は既に公知である（これに関しては欧州特許第００
２３６６２号、欧州特許出願公開第０２６４６７８号及
び欧州特許第０２９１７７９号明細所参照）。その際使
用されるフォトリソグラフィによるプロセスは環化を除
いて公知のノボラック及びキノンジアジドをベースとす
るポジ型レジストのパターン化の際と同様の世界的に多
数の生産ラインで使用されているプロセスである（これ
に関しては例えばソアネ（Ｄ．Ｓ．Ｓｏａｎｅ）及びマ
ルチネンコ（Ｚ．Ｍａｒｔｙｎｅｎｋｏ）による「マイ
クロエレクトロニクスにおけるポリマーの基礎及び応用
（Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｉｎ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃｓ−Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ ａｎｄ Ａｐｐ
ｌｉｃａｔｉｏｎｓ）」エルセヴィール（Ｅｌｓｅｖｉ
ｅｒ）、アムステルダム、１９８９年、第７７〜１２４
頁参照）。
【０００７】ＰＢＯ前駆体のアルカリ可溶性は水性アル
カリ性により現像可能の感光性誘電体のベースポリマー
としてのその使用にとって重要な前提条件である。マイ
クロエレクトロニクス分野への使用にとってこの前駆体
は、この種の現像剤を光パターン化の際にも使用できる
ように金属イオン不含の現像剤に可溶でなければならな
い。即ち金属イオンを含む現像剤はデバイスの電気的機
能に悪影響を及ぼしかねない。
カリ性により現像可能の感光性誘電体のベースポリマー
としてのその使用にとって重要な前提条件である。マイ
クロエレクトロニクス分野への使用にとってこの前駆体
は、この種の現像剤を光パターン化の際にも使用できる
ように金属イオン不含の現像剤に可溶でなければならな
い。即ち金属イオンを含む現像剤はデバイスの電気的機
能に悪影響を及ぼしかねない。
【０００８】アルカリ可溶性のＰＢＯ前駆体、即ちポリ
−ｏ−ヒドロキシアミドの製造に最もよく行われている
方法はジカルボン酸塩化物を適当なビス−ｏ−アミノフ
ェノールと反応させるものである。反応の際に生じる塩
化水素を捕捉するために通常ピリジンのような可溶性塩
基を添加する（欧州特許出願公開第０２６４６７８号及
び欧州特許第０２９１７７９号明細書参照）。この方法
により確かに金属イオン不含の水性アルカリ現像剤に可
溶の前駆体を製造できるが、しかし塩素イオンがポリマ
ー中に残留することは欠点である。塩素イオンが腐食の
原因となり、デバイスの機能を著しく損傷しかねないた
め、この種のポリマーをマイクロエレクトロニクスデバ
イスの被覆材料として使用することはできない。従って
このポリマーをイオン交換体により洗浄する必要があ
る。しかしこの洗浄方法は経費を要し、高価なものにつ
く。即ちこの方法はイオン交換カラムの準備、ポリマー
の溶解、溶液のカラムを通しての貫流及び後洗浄並びに
新たな沈澱及び乾燥のような付加的処理工程を含むもの
である。
−ｏ−ヒドロキシアミドの製造に最もよく行われている
方法はジカルボン酸塩化物を適当なビス−ｏ−アミノフ
ェノールと反応させるものである。反応の際に生じる塩
化水素を捕捉するために通常ピリジンのような可溶性塩
基を添加する（欧州特許出願公開第０２６４６７８号及
び欧州特許第０２９１７７９号明細書参照）。この方法
により確かに金属イオン不含の水性アルカリ現像剤に可
溶の前駆体を製造できるが、しかし塩素イオンがポリマ
ー中に残留することは欠点である。塩素イオンが腐食の
原因となり、デバイスの機能を著しく損傷しかねないた
め、この種のポリマーをマイクロエレクトロニクスデバ
イスの被覆材料として使用することはできない。従って
このポリマーをイオン交換体により洗浄する必要があ
る。しかしこの洗浄方法は経費を要し、高価なものにつ
く。即ちこの方法はイオン交換カラムの準備、ポリマー
の溶解、溶液のカラムを通しての貫流及び後洗浄並びに
新たな沈澱及び乾燥のような付加的処理工程を含むもの
である。
【０００９】またポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの製造の
場合ジカルボン酸塩化物を主にビス−ｏ−アミノフェノ
ールのアミノ基と（アミド形成下に）反応させるが、し
かし（エステル形成下に）そのヒドロキシル基とは反応
させない、即ちエステル形成に対してアミド形成の反応
選択度が高くなければならないという要件が満たされな
ければならない。エステル形成を排除又は強力に抑制で
きなければ、それがアルカリ可溶性の十分でないポリマ
ーを生じることになる。更に反応選択度が低ければポリ
マー溶液中にゲル形成を来し、その際製造されるポリ−
ｏ−ヒドロキシアミドは濾過不能となり、使用すること
ができなくなる。
場合ジカルボン酸塩化物を主にビス−ｏ−アミノフェノ
ールのアミノ基と（アミド形成下に）反応させるが、し
かし（エステル形成下に）そのヒドロキシル基とは反応
させない、即ちエステル形成に対してアミド形成の反応
選択度が高くなければならないという要件が満たされな
ければならない。エステル形成を排除又は強力に抑制で
きなければ、それがアルカリ可溶性の十分でないポリマ
ーを生じることになる。更に反応選択度が低ければポリ
マー溶液中にゲル形成を来し、その際製造されるポリ−
ｏ−ヒドロキシアミドは濾過不能となり、使用すること
ができなくなる。
【００１０】塩化物不含のポリ−ｏ−ヒドロキシアミド
及び同様にポリ−ｏ−メルカプトアミドの合成方法も既
に公知である。例えば欧州特許出願公開第０１５８７２
６号明細書からジヒドロキシ−又はジメルカプトジアミ
ノ化合物をカルボジイミドの存在下にジカルボン酸と反
応させることは公知である。しかしこの反応の場合尿素
の転位反応により残留する尿素基がしばしば問題を起こ
す。即ちそれらの尿素基はポリベンズオキサゾール又は
ポリベンゾチアゾールの耐熱性並びにそれらから形成さ
れる層の品質に悪影響を及ぼす。更にこの方法により製
造されるポリマーは金属イオン不含の水性アルカリ現像
剤に十分に溶解しない。
及び同様にポリ−ｏ−メルカプトアミドの合成方法も既
に公知である。例えば欧州特許出願公開第０１５８７２
６号明細書からジヒドロキシ−又はジメルカプトジアミ
ノ化合物をカルボジイミドの存在下にジカルボン酸と反
応させることは公知である。しかしこの反応の場合尿素
の転位反応により残留する尿素基がしばしば問題を起こ
す。即ちそれらの尿素基はポリベンズオキサゾール又は
ポリベンゾチアゾールの耐熱性並びにそれらから形成さ
れる層の品質に悪影響を及ぼす。更にこの方法により製
造されるポリマーは金属イオン不含の水性アルカリ現像
剤に十分に溶解しない。
【００１１】ポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの塩化物不含
の他の製造方法では、ジカルボン酸をビス−ｏ−アミノ
フェノールと１−エトキシカルボニル−２−エトキシ−
１，２−ジヒドロキノリン及び１，１′−カルボニルジ
オキシ−ジ−１，２，３−ベンゾトリアゾールのような
凝縮反応試薬と反応させるものがある（欧州特許出願公
開第０３９１１９６号明細書参照）。しかしこの方法で
製造されるポリマーは同様に金属イオン不含の水性アル
カリ現像剤に不十分な可溶性を示すに過ぎない。
の他の製造方法では、ジカルボン酸をビス−ｏ−アミノ
フェノールと１−エトキシカルボニル−２−エトキシ−
１，２−ジヒドロキノリン及び１，１′−カルボニルジ
オキシ−ジ−１，２，３−ベンゾトリアゾールのような
凝縮反応試薬と反応させるものがある（欧州特許出願公
開第０３９１１９６号明細書参照）。しかしこの方法で
製造されるポリマーは同様に金属イオン不含の水性アル
カリ現像剤に不十分な可溶性を示すに過ぎない。
【００１２】またアミドの形成を燐化合物により実施す
る方法も公知である（これに関しては欧州特許出願公開
第０４８１４０２号、米国特許第４３３１５９２号及び
ドイツ連邦共和国特許出願公開第３７１６６２９号明細
書参照）。しかしポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの場合こ
の種の合成は環化された、即ちアルカリ不溶性の生成物
を生じるか又はポリマー中に一部化学的に結合された燐
含有基が残留し、そのため燐のドーピング特性によりこ
のポリマーはマイクロエレクトロニクス分野で使用する
ことができなくなる。即ちイオン不純物とは異なりこの
種の基は例えばイオン交換体により除去することができ
ない。
る方法も公知である（これに関しては欧州特許出願公開
第０４８１４０２号、米国特許第４３３１５９２号及び
ドイツ連邦共和国特許出願公開第３７１６６２９号明細
書参照）。しかしポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの場合こ
の種の合成は環化された、即ちアルカリ不溶性の生成物
を生じるか又はポリマー中に一部化学的に結合された燐
含有基が残留し、そのため燐のドーピング特性によりこ
のポリマーはマイクロエレクトロニクス分野で使用する
ことができなくなる。即ちイオン不純物とは異なりこの
種の基は例えばイオン交換体により除去することができ
ない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、塩化
物を含まない方法で金属イオン不含の水性アルカリ現像
剤に可溶性のポリ−ｏ−ヒドロキシアミド及びポリ−ｏ
−メルカプトアミドを製造することのできる価格的に有
利な方法を提供することにある。
物を含まない方法で金属イオン不含の水性アルカリ現像
剤に可溶性のポリ−ｏ−ヒドロキシアミド及びポリ−ｏ
−メルカプトアミドを製造することのできる価格的に有
利な方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための課題】この課題は本発明によ
り、以下の構造式：
り、以下の構造式：
【化１１】 のビス−ｏ−ヒドロキシアミド又はビス−ｏ−メルカプ
トアミドを塩基性触媒の存在下に構造式ＨＯ−Ｒ*−Ｏ
Ｈのジヒドロキシ化合物［式中Ｑ＝Ｏ又はＳであり、Ｒ
6 及びＲ7 ＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 、ＣＦ3 、ＣＮ又はＮＯ2
（互いに無関係）であり、Ａ＝（ＣＨ2 ）n 、（Ｃ
Ｆ2 ）p 、Ｃ（ＣＨ3）2 、Ｃ（ＣＦ3 ）2 、Ｃ（ＣＨ
3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）、Ｃ（ＣＦ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）、Ｃ（Ｃ
Ｆ3 ）（Ｃ6 Ｆ5 ）、Ｃ（Ｃ6 Ｈ5 ）2 、ＣＦ2 −ＣＦ
（ＣＦ3 ）、ＣＨ＝ＣＨ、ＣＦ＝ＣＦ、Ｃ≡Ｃ、Ｏ−Ｃ
6 Ｈ4 −Ｏ、Ｏ、Ｓ、ＣＯ又はＳＯ2 であり、ｎ＝０〜
１０及びｐ＝１〜１０である；また
トアミドを塩基性触媒の存在下に構造式ＨＯ−Ｒ*−Ｏ
Ｈのジヒドロキシ化合物［式中Ｑ＝Ｏ又はＳであり、Ｒ
6 及びＲ7 ＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 、ＣＦ3 、ＣＮ又はＮＯ2
（互いに無関係）であり、Ａ＝（ＣＨ2 ）n 、（Ｃ
Ｆ2 ）p 、Ｃ（ＣＨ3）2 、Ｃ（ＣＦ3 ）2 、Ｃ（ＣＨ
3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）、Ｃ（ＣＦ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）、Ｃ（Ｃ
Ｆ3 ）（Ｃ6 Ｆ5 ）、Ｃ（Ｃ6 Ｈ5 ）2 、ＣＦ2 −ＣＦ
（ＣＦ3 ）、ＣＨ＝ＣＨ、ＣＦ＝ＣＦ、Ｃ≡Ｃ、Ｏ−Ｃ
6 Ｈ4 −Ｏ、Ｏ、Ｓ、ＣＯ又はＳＯ2 であり、ｎ＝０〜
１０及びｐ＝１〜１０である；また
【化１２】 その際Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 ＝Ｈ、Ｆ、ＣＮ
又はＣＮ2 （互いに無関係）であり、基Ｒ1 〜Ｒ5 の少
なくとも１個はＦ、ＣＮ又はＮＯ2 であり、基Ｒ1 〜Ｒ
5 の最大２個はＣＮ又はＮＯ2 であり、Ｒ* は以下の意
味を有する： −（ＣＲ2 ）m その際Ｒ＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 又はＣＦ3 であり、ｍ＝１〜
１０である；また
又はＣＮ2 （互いに無関係）であり、基Ｒ1 〜Ｒ5 の少
なくとも１個はＦ、ＣＮ又はＮＯ2 であり、基Ｒ1 〜Ｒ
5 の最大２個はＣＮ又はＮＯ2 であり、Ｒ* は以下の意
味を有する： −（ＣＲ2 ）m その際Ｒ＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 又はＣＦ3 であり、ｍ＝１〜
１０である；また
【化１３】 Ａ＝（ＣＨ2 ）n 、（ＣＦ2 ）p 、Ｃ（ＣＨ3 ）2 、Ｃ
（ＣＦ3 ）2 、Ｃ（ＣＨ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）、Ｃ（Ｃ
Ｆ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）、Ｃ（ＣＦ3 ）（Ｃ6 Ｆ5 ）、Ｃ
（Ｃ6 Ｈ5 ）2 、ＣＦ2 −ＣＦ（ＣＦ3 ）、ＣＨ＝Ｃ
Ｈ、ＣＦ＝ＣＦ、Ｃ≡Ｃ、Ｏ−Ｃ6 Ｈ4 −Ｏ、Ｏ、Ｓ、
ＣＯ又はＳＯ2 であり、ｎ＝０〜１０及びｐ＝１〜１０
である；また
（ＣＦ3 ）2 、Ｃ（ＣＨ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）、Ｃ（Ｃ
Ｆ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）、Ｃ（ＣＦ3 ）（Ｃ6 Ｆ5 ）、Ｃ
（Ｃ6 Ｈ5 ）2 、ＣＦ2 −ＣＦ（ＣＦ3 ）、ＣＨ＝Ｃ
Ｈ、ＣＦ＝ＣＦ、Ｃ≡Ｃ、Ｏ−Ｃ6 Ｈ4 −Ｏ、Ｏ、Ｓ、
ＣＯ又はＳＯ2 であり、ｎ＝０〜１０及びｐ＝１〜１０
である；また
【化１４】 その際Ｘ＝ＣＨ又はＮである；また
【化１５】
【化１６】 その際Ｔ＝ＣＨ2 、ＣＦ2 、ＣＯ、Ｏ、Ｓ、ＮＨ又はＮ
（ＣＨ3 ）である；また
（ＣＨ3 ）である；また
【化１７】
【化１８】 その際（ａ）Ｚ1 ＝ＣＨ2 又はＣＨ（ＣＨ3 ）及びＺ2
＝ＣＨ又はＣ（ＣＨ3 ） （ｂ）Ｚ1 ＝ＣＨ2 又はＣＨ（ＣＨ3 ）及びＺ2 ＝Ｎ （ｃ）Ｚ1 ＝ＮＨ又はＮ（ＣＨ3 ）及びＺ2 ＝ＣＨ又は
Ｃ（ＣＨ3 ） （ｄ）Ｚ1 ＝ＮＨ又はＮ（ＣＨ3 ）及びＺ2 ＝Ｎであ
る；また
＝ＣＨ又はＣ（ＣＨ3 ） （ｂ）Ｚ1 ＝ＣＨ2 又はＣＨ（ＣＨ3 ）及びＺ2 ＝Ｎ （ｃ）Ｚ1 ＝ＮＨ又はＮ（ＣＨ3 ）及びＺ2 ＝ＣＨ又は
Ｃ（ＣＨ3 ） （ｄ）Ｚ1 ＝ＮＨ又はＮ（ＣＨ3 ）及びＺ2 ＝Ｎであ
る；また
【化１９】 その際（ａ）Ｚ3 ＝ＣＨ又はＣ（ＣＨ3 ） （ｂ）Ｚ3 ＝Ｎである；また
【化２０】 その際Ｚ4 ＝Ｏ Ｚ4 ＝Ｓである；またその際全ての芳香族部分構造のそ
れぞれ全ての水素原子（Ｈ）をフッ素原子（Ｆ）と置換
可能である。］のジヒドロキシ化合物と反応させること
により解決される。
れぞれ全ての水素原子（Ｈ）をフッ素原子（Ｆ）と置換
可能である。］のジヒドロキシ化合物と反応させること
により解決される。
【００１５】本発明は上述の問題をジヒドロキシ化合物
をビス−ｏ−ヒドロキシアミド（ジヒドロキシジアミ
ド）又はビス−ｏ−メルカプトアミド（ジメルカプトジ
アミド）と反応させることにより解決する。ポリベンズ
オキサゾール及びポリベンゾチアゾール前駆体をこの種
の方法により製造することはまだ知られていない。この
方法の場合驚くべきことには使用されるモノマー間に選
択反応が起こる。即ち本発明により製造されるポリマ
ー、即ちポリ−ｏ−ヒドロキシアミド及びポリ−ｏ−メ
ルカプトアミドは金属イオン不含の水性アルカリ現像剤
に可溶である。更に本発明方法はゲルを形成することな
く経過するので、上記ポリマーは有機溶剤に良好に溶解
し、加工可能である。更にこの方法の場合塩化物イオ
ン、金属イオン並びに燐化合物のような不純物を回避で
きる。
をビス−ｏ−ヒドロキシアミド（ジヒドロキシジアミ
ド）又はビス−ｏ−メルカプトアミド（ジメルカプトジ
アミド）と反応させることにより解決する。ポリベンズ
オキサゾール及びポリベンゾチアゾール前駆体をこの種
の方法により製造することはまだ知られていない。この
方法の場合驚くべきことには使用されるモノマー間に選
択反応が起こる。即ち本発明により製造されるポリマ
ー、即ちポリ−ｏ−ヒドロキシアミド及びポリ−ｏ−メ
ルカプトアミドは金属イオン不含の水性アルカリ現像剤
に可溶である。更に本発明方法はゲルを形成することな
く経過するので、上記ポリマーは有機溶剤に良好に溶解
し、加工可能である。更にこの方法の場合塩化物イオ
ン、金属イオン並びに燐化合物のような不純物を回避で
きる。
【００１６】過フッ化芳香族化合物及びジヒドロキシ化
合物からなる芳香族ポリエーテルを塩基性触媒により製
造することは公知である（国際特許出願公開第９１／０
９０８１号明細書参照）。しかし一般に又は特にこの種
の原理によりポリベンズオキサゾール又はポリベンゾチ
アゾール前駆体からヒドロキシ基を含むアルカリ可溶性
のポリマーを製造することはこれまで知られていない。
またジヒドロキシジアミド及びジヒドロキシ化合物から
なるこれらのアルカリ可溶性の前駆体を製造するための
選択反応についても示唆されていない。
合物からなる芳香族ポリエーテルを塩基性触媒により製
造することは公知である（国際特許出願公開第９１／０
９０８１号明細書参照）。しかし一般に又は特にこの種
の原理によりポリベンズオキサゾール又はポリベンゾチ
アゾール前駆体からヒドロキシ基を含むアルカリ可溶性
のポリマーを製造することはこれまで知られていない。
またジヒドロキシジアミド及びジヒドロキシ化合物から
なるこれらのアルカリ可溶性の前駆体を製造するための
選択反応についても示唆されていない。
【００１７】本発明方法は選択反応の利点のみならず更
にポリマーの構造を変えるための多くの可能性を提供
し、それにより所望の特性に適合させるものである。即
ち本方法の場合出発モノマーの有効な結合の数が公知方
法の場合に比べて極めて多い。
にポリマーの構造を変えるための多くの可能性を提供
し、それにより所望の特性に適合させるものである。即
ち本方法の場合出発モノマーの有効な結合の数が公知方
法の場合に比べて極めて多い。
【００１８】本発明方法で使用されるジアミドはそれぞ
れビス−ｏ−アミノフェール又は−チオフェノール及び
モノカルボン酸又は酸誘導体から製造可能である。有効
なモノカルボン酸の数がジカルボン酸のそれよりも極め
て大きいことから、ジアミドとジヒドロキシ化合物との
反応の際より大きな選択可能性が生じる。
れビス−ｏ−アミノフェール又は−チオフェノール及び
モノカルボン酸又は酸誘導体から製造可能である。有効
なモノカルボン酸の数がジカルボン酸のそれよりも極め
て大きいことから、ジアミドとジヒドロキシ化合物との
反応の際より大きな選択可能性が生じる。
【００１９】これらのモノカルボン酸はＬ−ＣＯＯＨ構
造を有し、その際Ｌは置換フェニル基を表す。その際置
換基はＦ、ＣＮ又はＮＯ2 であり、Ｆが優先される。従
ってモノカルボン酸は過フッ化安息香酸、即ち五フッ化
安息香酸であると有利である。
造を有し、その際Ｌは置換フェニル基を表す。その際置
換基はＦ、ＣＮ又はＮＯ2 であり、Ｆが優先される。従
ってモノカルボン酸は過フッ化安息香酸、即ち五フッ化
安息香酸であると有利である。
【００２０】特に適したビス−ｏ−アミノフェノールは
２，２−ビス−（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）−ヘキサフルオロプロパン及び３，３′−ジヒドロ
キシ−４，４′−ジアミノジフェニルである。ポリ−ｏ
−メルカプトアミドの合成には相応するビス−ｏ−アミ
ノチオフェノールが使用される。しかし原則として通常
ポリベンズオキサゾール又はポリベンゾチアゾール前駆
体の製造に使用される全てのビス−ｏ−アミノフェノー
ル及び−チオフェノールを使用することができる。
２，２−ビス−（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）−ヘキサフルオロプロパン及び３，３′−ジヒドロ
キシ−４，４′−ジアミノジフェニルである。ポリ−ｏ
−メルカプトアミドの合成には相応するビス−ｏ−アミ
ノチオフェノールが使用される。しかし原則として通常
ポリベンズオキサゾール又はポリベンゾチアゾール前駆
体の製造に使用される全てのビス−ｏ−アミノフェノー
ル及び−チオフェノールを使用することができる。
【００２１】ビス−ｏ−アミノ（チオ）フェノールとモ
ノカルボン酸の反応により製造されるジアミドは簡単な
方法で、例えば再結晶により又は抽出により精製可能で
ある。このようにして必要な範囲でイオン又は有機性不
純物を容易に除去することができる。
ノカルボン酸の反応により製造されるジアミドは簡単な
方法で、例えば再結晶により又は抽出により精製可能で
ある。このようにして必要な範囲でイオン又は有機性不
純物を容易に除去することができる。
【００２２】ジヒドロキシ−又はジメルカプトジアミド
をジヒドロキシ化合物と反応させる。その際ジヒドロキ
シ化合物は広範囲に変えることができ、その際ビスフェ
ノールが優先される。
をジヒドロキシ化合物と反応させる。その際ジヒドロキ
シ化合物は広範囲に変えることができ、その際ビスフェ
ノールが優先される。
【００２３】ジアミドとジヒドロキシ化合物との反応は
塩基性触媒の存在下に行われる。この触媒としては炭酸
ナトリウム及び炭酸カリウム（Ｎａ2 ＣＯ3 又はＫ2 Ｃ
Ｏ3）のような無機の炭酸塩が有利である。しかし塩基
性触媒としては第三アミンも有利である。この種の触媒
には特にピリジン、トリエチルアミン、ジアザビシクロ
オクタン及びポリビニルピリジンがある。しかし他の塩
基性触媒も使用可能であり、その際Ｎ−メチルピロリド
ンのような前駆体の合成に使用される溶剤又は水又は水
とアルコールの混合物（沈澱剤）に良好に溶解するもの
が優先される。
塩基性触媒の存在下に行われる。この触媒としては炭酸
ナトリウム及び炭酸カリウム（Ｎａ2 ＣＯ3 又はＫ2 Ｃ
Ｏ3）のような無機の炭酸塩が有利である。しかし塩基
性触媒としては第三アミンも有利である。この種の触媒
には特にピリジン、トリエチルアミン、ジアザビシクロ
オクタン及びポリビニルピリジンがある。しかし他の塩
基性触媒も使用可能であり、その際Ｎ−メチルピロリド
ンのような前駆体の合成に使用される溶剤又は水又は水
とアルコールの混合物（沈澱剤）に良好に溶解するもの
が優先される。
【００２４】ジアミドとジヒドロキシ化合物とを反応さ
せる反応温度は６０〜１５０℃が有利である。
せる反応温度は６０〜１５０℃が有利である。
【００２５】ジアミドをジヒドロキシ化合物と塩基性触
媒により反応させる際、ジヒドロキシ化合物のヒドロキ
シル基とモノカルボン酸からのジアミドのアミド配列と
結合している置換フェニル基のフルオロ−、シアン又は
ニトロ基との反応が行われる。その際−ＮＨ−ＣＯ−Ｌ
* −Ｏ−Ｒ* −Ｏ−Ｌ−ＣＯ−ＮＨ−（式中Ｌ* は離脱
した置換基（Ｆ、ＣＮ又はＮＯ2 ）だけ減らされた基Ｌ
を意味する）の形の配列が形成される。更にこれらの配
列のｏ−位にそれぞれＯＨ−又はＳＨ基が隣接している
ので、焼なましの際ベンズオキサゾール又はベンゾチア
ゾール構造を有するポリマーが得られる。
媒により反応させる際、ジヒドロキシ化合物のヒドロキ
シル基とモノカルボン酸からのジアミドのアミド配列と
結合している置換フェニル基のフルオロ−、シアン又は
ニトロ基との反応が行われる。その際−ＮＨ−ＣＯ−Ｌ
* −Ｏ−Ｒ* −Ｏ−Ｌ−ＣＯ−ＮＨ−（式中Ｌ* は離脱
した置換基（Ｆ、ＣＮ又はＮＯ2 ）だけ減らされた基Ｌ
を意味する）の形の配列が形成される。更にこれらの配
列のｏ−位にそれぞれＯＨ−又はＳＨ基が隣接している
ので、焼なましの際ベンズオキサゾール又はベンゾチア
ゾール構造を有するポリマーが得られる。
【００２６】更に適当な溶剤としてはジメチルホルムア
ミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド及びＮ−メチルピロリドンがある。しかし原則と
して出発成分が良好に溶解する全ての溶剤を使用するこ
とができる。沈澱剤としては水及び水とエタノール及び
イソプロパノールのようなアルコールの混合物が特に適
している。
ミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド及びＮ−メチルピロリドンがある。しかし原則と
して出発成分が良好に溶解する全ての溶剤を使用するこ
とができる。沈澱剤としては水及び水とエタノール及び
イソプロパノールのようなアルコールの混合物が特に適
している。
【００２７】
【実施例】本発明を実施例に基づき以下に詳述する。
【００２８】例 １ ＰＢＯ前駆体の製造 １００ｍｌの三頸フラスコ中に窒素（保護ガスとして）
下に１．９５ｇの４，４′−（ヘキサフルオロイソプロ
ピリデン）−ジフェノール（５．８ｍモル）、即ちビス
フェノールＡＦ、０．７６ｇの炭酸カリウム（５．５ｍ
モル）及び乾燥ジメチルホルムアミド３０ｍｌを入れ、
次いで１２０℃で１時間攪拌する。８０℃に冷却し、引
続きジメチルホルムアミド２０ｍｌに溶かした２，２−
ビス−（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）−ヘキ
サフルオロプロパン及びペンタフルオロ安息香酸から製
造された４．０ｇのジヒドロキシアミド（５．３ｍモ
ル）に滴下する。この溶液を更に８０℃で２０時間攪拌
する。室温に冷却後この淡褐色の反応溶液を濾過し、水
３容量部に対してイソプロパノール１容量部からなる混
合物５００ｍｌ（沈澱剤として）に加える。沈澱した白
色ポリマーを濾別し、２回それぞれ水２００ｍｌで洗浄
する。更にこのポリマーを乾燥、即ちまず１０ｍバール
で、次いで１０-2ｍバールでそれぞれ５０℃で乾燥す
る。収量は４．４４ｇである。
下に１．９５ｇの４，４′−（ヘキサフルオロイソプロ
ピリデン）−ジフェノール（５．８ｍモル）、即ちビス
フェノールＡＦ、０．７６ｇの炭酸カリウム（５．５ｍ
モル）及び乾燥ジメチルホルムアミド３０ｍｌを入れ、
次いで１２０℃で１時間攪拌する。８０℃に冷却し、引
続きジメチルホルムアミド２０ｍｌに溶かした２，２−
ビス−（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）−ヘキ
サフルオロプロパン及びペンタフルオロ安息香酸から製
造された４．０ｇのジヒドロキシアミド（５．３ｍモ
ル）に滴下する。この溶液を更に８０℃で２０時間攪拌
する。室温に冷却後この淡褐色の反応溶液を濾過し、水
３容量部に対してイソプロパノール１容量部からなる混
合物５００ｍｌ（沈澱剤として）に加える。沈澱した白
色ポリマーを濾別し、２回それぞれ水２００ｍｌで洗浄
する。更にこのポリマーを乾燥、即ちまず１０ｍバール
で、次いで１０-2ｍバールでそれぞれ５０℃で乾燥す
る。収量は４．４４ｇである。
【００２９】例 ２ ＰＢＯ前駆体の可溶性及び箔形成 例１により製造されたＰＢＯ前駆体１ｇをＮ−メチルピ
ロリドン４ｇに溶かし、この溶液を目の荒いフィルタを
備えているプラスチック噴霧器に入れる。次いで噴霧器
によりこのポリマー溶液を洗浄及び乾燥されたシリコン
ウェハ上に施し、これを遠心分離器（コンバック（Ｃｏ
ｎｖａｃ）社製、ＳＴ１４６型）内で遠心分離する。引
続きホットプレート上で１１５℃で乾燥し、その際ウェ
ハ上に均質な箔が形成される。冷却後このポリマー箔で
被覆されたウェハを市販の金属イオン不含の水性アルカ
リ現像剤（２．３８％のＮＭＤ−Ｗ、トーキョウオーカ
（Ｔｏｋｙｏ Ｏｈｋａ）社製）に浸漬する。その際ポ
リマー箔は均質に、即ち亀裂を形成することなくまた破
裂することなく溶解する。短時間後には全てのポリマー
箔は完全に現像剤に溶解する。同じ結果は前記現像剤の
代わりに蒸留水に入れたテトラメチル水酸化アンモニウ
ムの３％溶液を使用した場合にも得られる。
ロリドン４ｇに溶かし、この溶液を目の荒いフィルタを
備えているプラスチック噴霧器に入れる。次いで噴霧器
によりこのポリマー溶液を洗浄及び乾燥されたシリコン
ウェハ上に施し、これを遠心分離器（コンバック（Ｃｏ
ｎｖａｃ）社製、ＳＴ１４６型）内で遠心分離する。引
続きホットプレート上で１１５℃で乾燥し、その際ウェ
ハ上に均質な箔が形成される。冷却後このポリマー箔で
被覆されたウェハを市販の金属イオン不含の水性アルカ
リ現像剤（２．３８％のＮＭＤ−Ｗ、トーキョウオーカ
（Ｔｏｋｙｏ Ｏｈｋａ）社製）に浸漬する。その際ポ
リマー箔は均質に、即ち亀裂を形成することなくまた破
裂することなく溶解する。短時間後には全てのポリマー
箔は完全に現像剤に溶解する。同じ結果は前記現像剤の
代わりに蒸留水に入れたテトラメチル水酸化アンモニウ
ムの３％溶液を使用した場合にも得られる。
【００３０】このＰＢＯ前駆体の相応する溶液をシリコ
ンウェハ上に遠心塗布し、１１５℃で乾燥し、更に焼な
まし炉（ＨＳ３３７、ザイタ（Ｓｅｉｔｅｒ）社製）で
窒素下に３５０℃で焼きなます。その際均質な高温耐性
のポリベンズオキサゾールからなる箔が形成される。
ンウェハ上に遠心塗布し、１１５℃で乾燥し、更に焼な
まし炉（ＨＳ３３７、ザイタ（Ｓｅｉｔｅｒ）社製）で
窒素下に３５０℃で焼きなます。その際均質な高温耐性
のポリベンズオキサゾールからなる箔が形成される。
【００３１】例 ３ ＰＢＯ前駆体の製造 １００ｍｌの三頸フラスコ中に窒素（保護ガスとして）
下に１．２ｇのビス−（４−ヒドロキシフェニル）−プ
ロパン（５．４ｍモル）、即ちビスフェノールＡ、及び
例１による４．０ｇのジヒドロキシジアミド（５．４ｍ
モル）、０．７２ｇのトリエチルアミン（７．０ｍモ
ル）及び乾燥ジメチルホルムアミド５０ｍｌを入れ、更
に８０℃に加熱し、この温度で２０時間攪拌する。室温
に冷却後この淡褐色の反応溶液を濾過し、水３容量部に
対してイソプロパノール１容量部の混合物４００ｍｌ
（沈澱剤として）に加える。沈澱した白色のポリマーを
濾別し、２回それぞれ２００ｍｌの水で洗浄する。更に
このポリマーを乾燥、即ちまず１０ｍバールで、ついで
１０-2ｍバールでそれぞれ５０℃で乾燥する。収量は
３．３ｇである。
下に１．２ｇのビス−（４−ヒドロキシフェニル）−プ
ロパン（５．４ｍモル）、即ちビスフェノールＡ、及び
例１による４．０ｇのジヒドロキシジアミド（５．４ｍ
モル）、０．７２ｇのトリエチルアミン（７．０ｍモ
ル）及び乾燥ジメチルホルムアミド５０ｍｌを入れ、更
に８０℃に加熱し、この温度で２０時間攪拌する。室温
に冷却後この淡褐色の反応溶液を濾過し、水３容量部に
対してイソプロパノール１容量部の混合物４００ｍｌ
（沈澱剤として）に加える。沈澱した白色のポリマーを
濾別し、２回それぞれ２００ｍｌの水で洗浄する。更に
このポリマーを乾燥、即ちまず１０ｍバールで、ついで
１０-2ｍバールでそれぞれ５０℃で乾燥する。収量は
３．３ｇである。
【００３２】例 ４ ＰＢＯ前駆体の可溶性及び箔形成 例３により製造されたＰＢＯ前駆体を例２のように処理
して同様の結果が得られる。即ちこのＰＢＯ前駆体は両
方の金属イオン不含の水性アルカリ現像剤に均質に溶解
し、良好な箔形成性を示す。
して同様の結果が得られる。即ちこのＰＢＯ前駆体は両
方の金属イオン不含の水性アルカリ現像剤に均質に溶解
し、良好な箔形成性を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローラント ゲステイツヒカイト ドイツ連邦共和国 90478 ニユルンベル ク ハルスデルフアーシユトラーセ 20
Claims (6)
- 【請求項１】 以下の構造式： 【化１】 のビス−ｏ−ヒドロキシアミド又はビス−ｏ−メルカプ
トアミドを塩基性触媒の存在下に構造式ＨＯ−Ｒ* −Ｏ
Ｈのジヒドロキシ化合物［式中Ｑ＝Ｏ又はＳであり、Ｒ
6 及びＲ7 ＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 、ＣＦ3 、ＣＮ又はＮＯ2
（互いに無関係）であり、Ａ＝（ＣＨ2 ）n 、（Ｃ
Ｆ2 ）p 、Ｃ（ＣＨ3）2 、Ｃ（ＣＦ3 ）2 、Ｃ（ＣＨ
3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）、Ｃ（ＣＦ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）、Ｃ（Ｃ
Ｆ3 ）（Ｃ6 Ｆ5 ）、Ｃ（Ｃ6 Ｈ5 ）2 、ＣＦ2 −ＣＦ
（ＣＦ3 ）、ＣＨ＝ＣＨ、ＣＦ＝ＣＦ、Ｃ≡Ｃ、Ｏ−Ｃ
6Ｈ4−Ｏ、Ｏ、Ｓ、ＣＯ又はＳＯ2 であり、ｎ＝０〜１
０及びｐ＝１〜１０である；また 【化２】 その際Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 ＝Ｈ、Ｆ、ＣＮ
又はＣＮ2 （互いに無関係）であり、基Ｒ1 〜Ｒ5 の少
なくとも１個はＦ、ＣＮ又はＮＯ2 であり、基Ｒ1 〜Ｒ
5 の最大２個はＣＮ又はＮＯ2 であり、Ｒ* は以下の意
味を有する： −（ＣＲ2 ）m その際Ｒ＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3又はＣＦ3であり、ｍ＝１〜１
０である；また 【化３】 Ａ＝（ＣＨ2 ）n 、（ＣＦ2 ）p 、Ｃ（ＣＨ3 ）2 、Ｃ
（ＣＦ3 ）2 、Ｃ（ＣＨ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）、Ｃ（Ｃ
Ｆ3 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）、Ｃ（ＣＦ3 ）（Ｃ6 Ｆ5 ）、Ｃ
（Ｃ6 Ｈ5 ）2 、ＣＦ2 −ＣＦ（ＣＦ3 ）、ＣＨ＝Ｃ
Ｈ、ＣＦ＝ＣＦ、Ｃ≡Ｃ、Ｏ−Ｃ6 Ｈ4 −Ｏ、Ｏ、Ｓ、
ＣＯ又はＳＯ2 であり、ｎ＝０〜１０及びｐ＝１〜１０
である；また 【化４】 その際Ｘ＝ＣＨ又はＮである；また 【化５】 【化６】 その際Ｔ＝ＣＨ2 、ＣＦ2 、ＣＯ、Ｏ、Ｓ、ＮＨ又はＮ
（ＣＨ3 ）である；また 【化７】 【化８】 その際Ｚ1 ＝ＣＨ2 又はＣＨ（ＣＨ3 ）及びＺ2 ＝ＣＨ
又はＣ（ＣＨ3 ） Ｚ1 ＝ＣＨ2 又はＣＨ（ＣＨ3 ）及びＺ2 ＝Ｎ Ｚ1 ＝ＮＨ又はＮ（ＣＨ3 ）及びＺ2 ＝ＣＨ又はＣ（Ｃ
Ｈ3 ） Ｚ1 ＝ＮＨ又はＮ（ＣＨ3 ）及びＺ2 ＝Ｎである；また 【化９】 その際Ｚ3 ＝ＣＨ、Ｃ（ＣＨ3 ）又はＮである；また 【化１０】 その際Ｚ4 ＝Ｏ又はＳである；またその際全ての芳香族
部分構造のそれぞれ全ての水素原子（Ｈ）をフッ素原子
（Ｆ）と置換可能である。］のジヒドロキシ化合物と反
応させることを特徴とするポリ−ｏ−ヒドロキシアミド
及びポリ−ｏ−メルカプトアミドの製造方法。 - 【請求項２】 ２，２−ビス−（３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル）−ヘキサフルオロプロパン及び五フル
オロ安息香酸を使用することを特徴とする請求項１記載
の方法。 - 【請求項３】 ジヒドロキシ化合物としてビスフェノー
ルを使用することを特徴とする請求項１又は２記載の方
法。 - 【請求項４】 触媒が塩化ナトリウム又は塩化カリウム
であることを特徴とする請求項１ないし３の１つに記載
の方法。 - 【請求項５】 触媒が第三アミンであることを特徴とす
る請求項１ないし３の１つに記載の方法。 - 【請求項６】 反応を６０〜１５０℃の温度で実施する
ことを特徴とする請求項１ないし５の１つに記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19532202.9 | 1995-08-31 | ||
| DE19532202 | 1995-08-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09183845A true JPH09183845A (ja) | 1997-07-15 |
| JP3310553B2 JP3310553B2 (ja) | 2002-08-05 |
Family
ID=7770951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24551996A Expired - Fee Related JP3310553B2 (ja) | 1995-08-31 | 1996-08-28 | ポリ−ｏ−ヒドロキシアミド及びポリ−ｏ−メルカプトアミドの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5696218A (ja) |
| EP (1) | EP0761717B1 (ja) |
| JP (1) | JP3310553B2 (ja) |
| DE (1) | DE59607034D1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10147927B8 (de) * | 2001-09-28 | 2004-07-08 | Infineon Technologies Ag | Poly-o-hydroxyamide, Polybenzoxazole, elektronisches Bauteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE10228763A1 (de) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Infineon Technologies Ag | Monomere für Isoliermaterialien in Aluminium- und Kupfertechnologien |
| KR102605655B1 (ko) | 2017-06-16 | 2023-11-23 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 다층 구조물 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2901843A1 (de) * | 1979-01-18 | 1980-07-31 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von carbonsaeureamiden und peptiden |
| DE2931297A1 (de) * | 1979-08-01 | 1981-02-19 | Siemens Ag | Waermebestaendige positivresists und verfahren zur herstellung waermebestaendiger reliefstrukturen |
| DE3411659A1 (de) * | 1984-03-29 | 1985-10-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von polyoxazol- und polythiazol-vorstufen |
| US5021320A (en) * | 1986-10-02 | 1991-06-04 | Hoechst Celanese Corporation | Polyamide containing the hexafluoroisopropylidene group with O-quinone diazide in positive working photoresist |
| DE3773110D1 (de) * | 1986-10-02 | 1991-10-24 | Hoechst Celanese Corp | Polyamide mit hexafluorisopropyliden-gruppen, diese enthaltende positiv arbeitende lichtempfindliche gemische und damit hergestellte aufzeichnungsmaterialien. |
| EP0291779B1 (de) * | 1987-05-18 | 1994-07-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Wärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger Reliefstrukturen |
| DE3716629C2 (de) * | 1987-05-18 | 1997-06-12 | Siemens Ag | Wärmebeständige positiv arbeitende strahlungsempfindliche Gemische und Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger Reliefstrukturen |
| US5037720A (en) * | 1987-07-21 | 1991-08-06 | Hoechst Celanese Corporation | Hydroxylated aromatic polyamide polymer containing bound naphthoquinone diazide photosensitizer, method of making and use |
| EP0391196A3 (de) * | 1989-04-06 | 1991-02-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellung von Hydroxypolyamiden |
| US5155175A (en) * | 1989-12-08 | 1992-10-13 | Intellectual Property Law Dept. | Crosslinkable fluorinated polyarylene ether composition |
| JP3123144B2 (ja) * | 1990-10-19 | 2001-01-09 | 東洋紡績株式会社 | ポリベンゾアゾールポリマーの段階重合方法 |
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