JPH09157419A - 透明導電性フィルム - Google Patents
透明導電性フィルムInfo
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- JPH09157419A JPH09157419A JP7321962A JP32196295A JPH09157419A JP H09157419 A JPH09157419 A JP H09157419A JP 7321962 A JP7321962 A JP 7321962A JP 32196295 A JP32196295 A JP 32196295A JP H09157419 A JPH09157419 A JP H09157419A
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- JP
- Japan
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- film
- transparent
- layer
- transparent conductive
- cured layer
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- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラスチックフィルム液晶表示素子に用いら
れる透明導電性フィルムに、温度や湿度依存性が実質的
に無いガスバリアー性を保有する無機質膜を、プラスチ
ックフィルムの可撓性を損なわず、実用上十分な密着力
をもって付与する。 【解決手段】 プラスチックフィルム面に、−ＯＲ1(Ｒ
1はＨもしくは、Ｈ−ＯＲ1で表される化合物の常圧にお
ける沸点が１２０℃以下となる化合物残基）で表される
官能基を有する物質を含む有機樹脂層を形成し、その上
にＳｉ(ＯＲ2)4で表されるテトラアルコキシシランに、
Ｍ(ＯＲ3)ｎで表される金属アルコキシドまたはＰＯ(Ｏ
Ｒ4)3で表されるリン酸エステルのうち、１種以上を加
えたものの共加水分解溶液を塗布して得られる無機硬化
層を形成し、更に透明導電性を有する薄膜を積層した透
明導電性フィルムである。
れる透明導電性フィルムに、温度や湿度依存性が実質的
に無いガスバリアー性を保有する無機質膜を、プラスチ
ックフィルムの可撓性を損なわず、実用上十分な密着力
をもって付与する。 【解決手段】 プラスチックフィルム面に、−ＯＲ1(Ｒ
1はＨもしくは、Ｈ−ＯＲ1で表される化合物の常圧にお
ける沸点が１２０℃以下となる化合物残基）で表される
官能基を有する物質を含む有機樹脂層を形成し、その上
にＳｉ(ＯＲ2)4で表されるテトラアルコキシシランに、
Ｍ(ＯＲ3)ｎで表される金属アルコキシドまたはＰＯ(Ｏ
Ｒ4)3で表されるリン酸エステルのうち、１種以上を加
えたものの共加水分解溶液を塗布して得られる無機硬化
層を形成し、更に透明導電性を有する薄膜を積層した透
明導電性フィルムである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフィルム液晶表示素
子に用いられる透明導電性フィルムに関するものであ
る。
子に用いられる透明導電性フィルムに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ポリエーテルスルホンフィルムなどの表
面に、インジウムと錫の酸化物薄膜などを、スパッタリ
ングなどの方法により積層した透明導電性フィルムが、
フィルム液晶表示素子の透明電極基板用材料として使用
されている。フィルム液晶表示素子は液晶をプラスチッ
クフィルム基板で密封して構成されるが、基板の伸び縮
みや曲げによって内容積が変化すると液晶中にとけ込ん
でいた気体が泡になって表示機能を阻害するために、液
晶に気体を溶け込まさない工夫が種々行われてきた。プ
ラスチックフィルム基板にガスバリアー性を付与するこ
とも有効な手段として採用されている。ガスバリアー性
付与は、ガスバリアー性の物質をプラスチックフィルム
に塗布や蒸着等の手段で形成する方法がとられている。
従来の技術では、ガスバリアー性の物質がポリビニルア
ルコールやポリ塩化ビニリデン等の樹脂の場合は、生産
性が良く設備や技術の完成度の高い塗布方式が採られる
が、これらの樹脂のガスバリアー性は温度・湿度により
影響を受けるため完全とは言えないとの指摘がある。一
方金属酸化物やガラスをガスバリアー性物質として、蒸
着等の技術により極めて薄くプラスチックフィルムに積
層することも検討されているが、生産性や設備・技術の
完成度においてまだ実用レベルに達していない。そこ
で、手段として優れている塗布方式により、ガスバリア
ー性物質として優れている金属酸化物やガラスをプラス
チックフィルム基板に形成することが望まれている。
面に、インジウムと錫の酸化物薄膜などを、スパッタリ
ングなどの方法により積層した透明導電性フィルムが、
フィルム液晶表示素子の透明電極基板用材料として使用
されている。フィルム液晶表示素子は液晶をプラスチッ
クフィルム基板で密封して構成されるが、基板の伸び縮
みや曲げによって内容積が変化すると液晶中にとけ込ん
でいた気体が泡になって表示機能を阻害するために、液
晶に気体を溶け込まさない工夫が種々行われてきた。プ
ラスチックフィルム基板にガスバリアー性を付与するこ
とも有効な手段として採用されている。ガスバリアー性
付与は、ガスバリアー性の物質をプラスチックフィルム
に塗布や蒸着等の手段で形成する方法がとられている。
従来の技術では、ガスバリアー性の物質がポリビニルア
ルコールやポリ塩化ビニリデン等の樹脂の場合は、生産
性が良く設備や技術の完成度の高い塗布方式が採られる
が、これらの樹脂のガスバリアー性は温度・湿度により
影響を受けるため完全とは言えないとの指摘がある。一
方金属酸化物やガラスをガスバリアー性物質として、蒸
着等の技術により極めて薄くプラスチックフィルムに積
層することも検討されているが、生産性や設備・技術の
完成度においてまだ実用レベルに達していない。そこ
で、手段として優れている塗布方式により、ガスバリア
ー性物質として優れている金属酸化物やガラスをプラス
チックフィルム基板に形成することが望まれている。
【０００３】金属アルコキシドの加水分解物を基材に塗
布して加熱することで、相当する金属酸化物層を形成す
ることはすでによく知られているが、プラスチックフィ
ルムに可撓性を保持して密着力のある金属酸化物層を形
成することは容易では無い。特にガスバリアー性が求め
られる場合は、加水分解物に有機基が極力残らないこと
が求められ、可撓性や密着力を得るための手法と相反す
ると考えられてきた。従来から、ガラス転移温度が１２
０℃以上で、実質的に非晶性であり、フィルム厚みでの
リターデーション値が１５ｎｍ以下である透明なプラス
チックフィルムが基体として構成されていることが重要
であるとの発明を発展させてきた。（特願昭５８−３０
９２６，特願昭５９−８４０６０、特願平５−２１７７
７５、特願平２１７７７６等） また、透明導電膜とプ
ラスチックフィルムの密着力を向上させる為に、アンダ
ーコート層を設け、そのアンダーコート層には、シラン
カップリング剤を含ませることが極めて効果的であるこ
とを見いだしている。（特願昭５９−５９５０９、特願
平４−２８７１３４ ８、特願平５−１８８４１６等）
布して加熱することで、相当する金属酸化物層を形成す
ることはすでによく知られているが、プラスチックフィ
ルムに可撓性を保持して密着力のある金属酸化物層を形
成することは容易では無い。特にガスバリアー性が求め
られる場合は、加水分解物に有機基が極力残らないこと
が求められ、可撓性や密着力を得るための手法と相反す
ると考えられてきた。従来から、ガラス転移温度が１２
０℃以上で、実質的に非晶性であり、フィルム厚みでの
リターデーション値が１５ｎｍ以下である透明なプラス
チックフィルムが基体として構成されていることが重要
であるとの発明を発展させてきた。（特願昭５８−３０
９２６，特願昭５９−８４０６０、特願平５−２１７７
７５、特願平２１７７７６等） また、透明導電膜とプ
ラスチックフィルムの密着力を向上させる為に、アンダ
ーコート層を設け、そのアンダーコート層には、シラン
カップリング剤を含ませることが極めて効果的であるこ
とを見いだしている。（特願昭５９−５９５０９、特願
平４−２８７１３４ ８、特願平５−１８８４１６等）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、プラ
スチックフィルム液晶表示素子に用いられる透明導電性
フィルムに、温度や湿度依存性が実質的に無いガスバリ
アー性を保有する無機質膜を、プラスチックフィルムの
可撓性を損なわず、実用上十分な密着力をもって付与す
ることである。
スチックフィルム液晶表示素子に用いられる透明導電性
フィルムに、温度や湿度依存性が実質的に無いガスバリ
アー性を保有する無機質膜を、プラスチックフィルムの
可撓性を損なわず、実用上十分な密着力をもって付与す
ることである。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】今回、上記課題を達成する
ために、アルコキシシラン化合物の加水分解物を塗布乾
燥して無機薄膜を形成する技術を検討したところ、本発
明者らが従来進めてきた構成との組み合わせにおいて、
驚くべき相乗効果が得られ本発明に至った。
ために、アルコキシシラン化合物の加水分解物を塗布乾
燥して無機薄膜を形成する技術を検討したところ、本発
明者らが従来進めてきた構成との組み合わせにおいて、
驚くべき相乗効果が得られ本発明に至った。
【０００６】すなわち、ガラス転移温度が１２０℃以上
で、実質的に非晶性であり、フィルム厚みでのリターデ
ーション値が１５ｎｍ以下である透明なプラスチックフ
ィルム基体（Ａ）の少なくとも一方の面に、−ＯＲ1(Ｒ
1はＨもしくは、Ｈ−ＯＲ1で表される化合物の常圧にお
ける沸点が１２０℃以下となる化合物残基）で表される
官能基を有する物質を含む有機樹脂層（Ｂ）を形成し、
そのＢ層上にＳｉ(ＯＲ2)4(Ｒ2は炭素数４以下のアルキ
ル基）で表されるテトラアルコキシシランに、Ｍ(Ｏ
Ｒ3)ｎ(Ｒ3は炭素数４以下のアルキル基、ｎは３から５
の整数）で表される金属アルコキシドまたはＰＯ(Ｏ
Ｒ4)3(Ｒ4は炭素数４以下のアルキル基）で表されるリ
ン酸エステルのうち、少なくとも１種以上を加えたもの
の共加水分解溶液を塗布し、１２０℃以上でプラスチッ
クフィルム基体のガラス転移温度以下の条件で加熱して
得られる無機硬化層（Ｃ）を形成した積層体の少なくと
も一方の面に、透明導電性を有する薄膜（Ｄ）を積層し
た透明導電性フィルムである。
で、実質的に非晶性であり、フィルム厚みでのリターデ
ーション値が１５ｎｍ以下である透明なプラスチックフ
ィルム基体（Ａ）の少なくとも一方の面に、−ＯＲ1(Ｒ
1はＨもしくは、Ｈ−ＯＲ1で表される化合物の常圧にお
ける沸点が１２０℃以下となる化合物残基）で表される
官能基を有する物質を含む有機樹脂層（Ｂ）を形成し、
そのＢ層上にＳｉ(ＯＲ2)4(Ｒ2は炭素数４以下のアルキ
ル基）で表されるテトラアルコキシシランに、Ｍ(Ｏ
Ｒ3)ｎ(Ｒ3は炭素数４以下のアルキル基、ｎは３から５
の整数）で表される金属アルコキシドまたはＰＯ(Ｏ
Ｒ4)3(Ｒ4は炭素数４以下のアルキル基）で表されるリ
ン酸エステルのうち、少なくとも１種以上を加えたもの
の共加水分解溶液を塗布し、１２０℃以上でプラスチッ
クフィルム基体のガラス転移温度以下の条件で加熱して
得られる無機硬化層（Ｃ）を形成した積層体の少なくと
も一方の面に、透明導電性を有する薄膜（Ｄ）を積層し
た透明導電性フィルムである。
【０００７】
【発明の実施の形態】ガラス転移温度が１２０℃以上
の、実質的に非晶性であるプラスチック樹脂としては、
ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリサルホン、ポ
リエーテルサルホン、環状ポリオレフィン等があげられ
る。この中で上記有機樹脂層（Ｂ）との密着性におい
て、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリサルホ
ン、ポリエーテルサルホンが好ましく、ガラス転移温度
が高いほど無機硬化層（Ｃ）を形成するのに高温で加熱
できて有利であり、ポリエーテルサルホンが最も好まし
い。これらの樹脂のフィルムを得るには溶融押出成膜法
や溶剤キャスト法等が可能であるが、溶剤キャスト法は
異物を濾過したり、リターデーションを小さくするには
有利だが、生産性が低く、溶剤が残留する問題があり、
特に肉厚のもので残留溶剤の問題が大きく、溶融押出成
膜が好ましい。溶融押出成膜法はリターデーションを小
さくすることが難しいと言われているが、成膜条件を精
密に管理することで可能である。なお、リターデーショ
ンとは、高分子のように分極率が方向性を持つ物質中を
進む光が直交する二方向の偏波に分かれて進む場合にフ
ィルムを通り抜ける間に二偏波の伝達距離がずれる度合
いを表しており、偏光を解消する作用がある。液晶表示
素子の多くは偏光を利用しており、素材としてはリター
デーションは全くないことが望ましいが、実用的には１
５ｎｍ以下であれば表示品位の低下は感知されない。
の、実質的に非晶性であるプラスチック樹脂としては、
ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリサルホン、ポ
リエーテルサルホン、環状ポリオレフィン等があげられ
る。この中で上記有機樹脂層（Ｂ）との密着性におい
て、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリサルホ
ン、ポリエーテルサルホンが好ましく、ガラス転移温度
が高いほど無機硬化層（Ｃ）を形成するのに高温で加熱
できて有利であり、ポリエーテルサルホンが最も好まし
い。これらの樹脂のフィルムを得るには溶融押出成膜法
や溶剤キャスト法等が可能であるが、溶剤キャスト法は
異物を濾過したり、リターデーションを小さくするには
有利だが、生産性が低く、溶剤が残留する問題があり、
特に肉厚のもので残留溶剤の問題が大きく、溶融押出成
膜が好ましい。溶融押出成膜法はリターデーションを小
さくすることが難しいと言われているが、成膜条件を精
密に管理することで可能である。なお、リターデーショ
ンとは、高分子のように分極率が方向性を持つ物質中を
進む光が直交する二方向の偏波に分かれて進む場合にフ
ィルムを通り抜ける間に二偏波の伝達距離がずれる度合
いを表しており、偏光を解消する作用がある。液晶表示
素子の多くは偏光を利用しており、素材としてはリター
デーションは全くないことが望ましいが、実用的には１
５ｎｍ以下であれば表示品位の低下は感知されない。
【０００８】次に、プラスチックフィルム基体（Ａ）の
少なくとも一方の面に、−ＯＲ1(Ｒ1はＨもしくは、Ｈ
−ＯＲ1で表される化合物の常圧における沸点が１２０
℃以下となる化合物残基）で表される官能基を有する物
質を含む有機樹脂層（Ｂ）をプラスチックフィルム基体
（Ａ）と無機硬化層（Ｃ）との密着力を向上させるため
に形成する。−ＯＨである物質としては、コロイダルシ
リカ等の表面に水酸基を持つ無機微粒子やセルロース、
ポリビニルアルコール等の有機物質があげられる。Ｈ−
ＯＲ1で表される化合物の常圧における沸点が１２０℃
以下となる化合物残基を有する物質としては、−ＯＣＨ
3、−ＯＣ2Ｈ5等のアルコール残基、−ＯＮＯ2、−ＯＣ
ＯＣＨ3等があげられる。常圧で沸点が１２０℃以下で
あることは、無機硬化層（Ｃ）を形成するために１２０
℃以上に加熱する工程において反応脱離物質が残留しな
い為に重要となる。特に、入手が容易であり、有機樹脂
やそれを塗布液とするための溶剤への溶解性にすぐれる
シランカップリング剤を用いることが好ましい。シラン
カップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、
ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピ
ルトリメトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘ
キシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリ
メトキシシランなどがあげられる。
少なくとも一方の面に、−ＯＲ1(Ｒ1はＨもしくは、Ｈ
−ＯＲ1で表される化合物の常圧における沸点が１２０
℃以下となる化合物残基）で表される官能基を有する物
質を含む有機樹脂層（Ｂ）をプラスチックフィルム基体
（Ａ）と無機硬化層（Ｃ）との密着力を向上させるため
に形成する。−ＯＨである物質としては、コロイダルシ
リカ等の表面に水酸基を持つ無機微粒子やセルロース、
ポリビニルアルコール等の有機物質があげられる。Ｈ−
ＯＲ1で表される化合物の常圧における沸点が１２０℃
以下となる化合物残基を有する物質としては、−ＯＣＨ
3、−ＯＣ2Ｈ5等のアルコール残基、−ＯＮＯ2、−ＯＣ
ＯＣＨ3等があげられる。常圧で沸点が１２０℃以下で
あることは、無機硬化層（Ｃ）を形成するために１２０
℃以上に加熱する工程において反応脱離物質が残留しな
い為に重要となる。特に、入手が容易であり、有機樹脂
やそれを塗布液とするための溶剤への溶解性にすぐれる
シランカップリング剤を用いることが好ましい。シラン
カップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、
ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピ
ルトリメトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘ
キシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリ
メトキシシランなどがあげられる。
【０００９】次に、有機樹脂層（Ｂ）の上にＳｉ(Ｏ
Ｒ2)4(Ｒ2は炭素数４以下のアルキル基）で表されるテ
トラアルコキシシランに、Ｍ(ＯＲ3)ｎ(Ｍは金属元素、
Ｒ3は炭素数４以下のアルキル基、ｎは３から５の整
数）で表される金属アルコキシドまたはＰＯ(ＯＲ4)
3(Ｒ4は炭素数４以下のアルキル基）で表されるリン酸
エステルのうち、少なくとも１種以上を加えたものの共
加水分解溶液を塗布し、１２０℃以上でプラスチックフ
ィルム基体のガラス転移温度以下の条件で加熱して得ら
れる無機硬化層（Ｃ）を形成する。有機樹脂層（Ｂ）を
両面に形成した場合は、無機硬化層（Ｃ）の形成はその
一方の面のみであっても、両面に行っても良い。Ｍ(Ｏ
Ｒ3)ｎ(Ｍは金属元素、Ｒ3は炭素数４以下のアルキル
基、ｎは３から５の整数）で表される金属アルコキシド
は、周期表の３Ａ族、４Ａ族、５Ａ族、４Ｂ族又は５Ｂ
族のいずれかの金属元素からなる金属アルコキシドであ
り、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ等である。上記以外の金
属元素では十分なガスバリアー性を保有する無機硬化層
は得られない。Ｓｉ(ＯＲ2)4(Ｒ2は炭素数４以下のアル
キル基）で表されるテトラアルコキシシランの加水分解
方法はすでに良く知られており、例えば作花済夫著『ゾ
ルーゲル法の科学』（アグネ承風社）等を参照すること
が出来る。加水分解物やその縮重合物を塗布し無機膜を
形成することも知られている。しかし、プラスチックフ
ィルム液晶表示素子用透明導電フィルムに求められる特
性を損なわず、目的とするガスバリア−性と可撓性、密
着性を兼ね備えた無機硬化層（Ｃ）は、本発明によって
初めて達成される。まず、第一に単なる加水分解物の塗
布によっては、加熱無機化での体積収縮によりフィルム
がカールしたり、無機膜にクラックが入る。よって、塗
布液はあらかじめ縮重合を進めたものでなくてはならな
い。次に、テトラアルコキシシランのＲ2は炭素数４以
下のアルキル基でなくてはならない。これは、無機化の
為の加熱条件である１２０℃以上の温度で、脱離反応で
発生してくるアルコールが気体の状態であるために重要
である。もし、液体や固体であると、無機膜に求めるガ
スバリアー性や密着性に重大な障害が発生する。
Ｒ2)4(Ｒ2は炭素数４以下のアルキル基）で表されるテ
トラアルコキシシランに、Ｍ(ＯＲ3)ｎ(Ｍは金属元素、
Ｒ3は炭素数４以下のアルキル基、ｎは３から５の整
数）で表される金属アルコキシドまたはＰＯ(ＯＲ4)
3(Ｒ4は炭素数４以下のアルキル基）で表されるリン酸
エステルのうち、少なくとも１種以上を加えたものの共
加水分解溶液を塗布し、１２０℃以上でプラスチックフ
ィルム基体のガラス転移温度以下の条件で加熱して得ら
れる無機硬化層（Ｃ）を形成する。有機樹脂層（Ｂ）を
両面に形成した場合は、無機硬化層（Ｃ）の形成はその
一方の面のみであっても、両面に行っても良い。Ｍ(Ｏ
Ｒ3)ｎ(Ｍは金属元素、Ｒ3は炭素数４以下のアルキル
基、ｎは３から５の整数）で表される金属アルコキシド
は、周期表の３Ａ族、４Ａ族、５Ａ族、４Ｂ族又は５Ｂ
族のいずれかの金属元素からなる金属アルコキシドであ
り、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ等である。上記以外の金
属元素では十分なガスバリアー性を保有する無機硬化層
は得られない。Ｓｉ(ＯＲ2)4(Ｒ2は炭素数４以下のアル
キル基）で表されるテトラアルコキシシランの加水分解
方法はすでに良く知られており、例えば作花済夫著『ゾ
ルーゲル法の科学』（アグネ承風社）等を参照すること
が出来る。加水分解物やその縮重合物を塗布し無機膜を
形成することも知られている。しかし、プラスチックフ
ィルム液晶表示素子用透明導電フィルムに求められる特
性を損なわず、目的とするガスバリア−性と可撓性、密
着性を兼ね備えた無機硬化層（Ｃ）は、本発明によって
初めて達成される。まず、第一に単なる加水分解物の塗
布によっては、加熱無機化での体積収縮によりフィルム
がカールしたり、無機膜にクラックが入る。よって、塗
布液はあらかじめ縮重合を進めたものでなくてはならな
い。次に、テトラアルコキシシランのＲ2は炭素数４以
下のアルキル基でなくてはならない。これは、無機化の
為の加熱条件である１２０℃以上の温度で、脱離反応で
発生してくるアルコールが気体の状態であるために重要
である。もし、液体や固体であると、無機膜に求めるガ
スバリアー性や密着性に重大な障害が発生する。
【００１０】最後に、無機硬化層（Ｃ）を形成した積層
体の少なくとも一方の面に、透明導電性を有する薄膜
（Ｄ）を積層する。通常は、透明導電性薄膜（Ｄ）を無
機硬化層（Ｃ）上に形成する。透明導電性を有する薄膜
としては、インジウム、錫、アンチモン、亜鉛、カドミ
ウム等の酸化物や、それらの複合体、金、銀、パラジウ
ム等の金属が知られており特に限定されるものでは無い
が、液晶表示素子には、通常はインジウム錫酸化物（Ｉ
ＴＯ）が用いられる。透明導電性を有する薄膜の積層方
法は、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、
プラズマＣＶＤ等があげられるが、通常は、ＩＴＯの薄
膜を積層する場合は、スパッタリングが採用される。
体の少なくとも一方の面に、透明導電性を有する薄膜
（Ｄ）を積層する。通常は、透明導電性薄膜（Ｄ）を無
機硬化層（Ｃ）上に形成する。透明導電性を有する薄膜
としては、インジウム、錫、アンチモン、亜鉛、カドミ
ウム等の酸化物や、それらの複合体、金、銀、パラジウ
ム等の金属が知られており特に限定されるものでは無い
が、液晶表示素子には、通常はインジウム錫酸化物（Ｉ
ＴＯ）が用いられる。透明導電性を有する薄膜の積層方
法は、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、
プラズマＣＶＤ等があげられるが、通常は、ＩＴＯの薄
膜を積層する場合は、スパッタリングが採用される。
【００１１】透明導電性を有する薄膜（Ｄ）を無機硬化
層（Ｃ）上に形成する前に、無機硬化層（Ｃ）に薄膜
（Ｄ）との密着力を向上させるために下地処理をおこな
うことも有効である。特に、シランカップリング剤を含
むＵＶ硬化型アクリレート樹脂硬化層（Ｅ）を塗布する
ことは、薄膜（Ｄ）との密着性も無機硬化層（Ｃ）との
密着性も優れており好ましい。
層（Ｃ）上に形成する前に、無機硬化層（Ｃ）に薄膜
（Ｄ）との密着力を向上させるために下地処理をおこな
うことも有効である。特に、シランカップリング剤を含
むＵＶ硬化型アクリレート樹脂硬化層（Ｅ）を塗布する
ことは、薄膜（Ｄ）との密着性も無機硬化層（Ｃ）との
密着性も優れており好ましい。
【００１２】
《実施例１》 ポリエーテルサルホンフィルム（住友ベ
ークライト（株）製スミライトＦＳ−５３００、ガラス
転移温度２２３℃、厚み１００μｍ、リターデーション
１０ｎｍ）の両面に、エポキシアクリレート１５部、ウ
レタンアクリレート１０部、ポリエステルアクリレート
１０部、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン２部、ＵＶ架橋開始剤１部、溶剤６５部を混合した塗
布液を、グラビアコーターにより、乾燥厚み３μｍとな
るよう塗布し硬化させて有機樹脂層を形成した。その上
に、テトラエトキシシラン１８７ｇ、チタンテトラエト
キシド２３ｇ（テトラエトキシシランとチタンテトラエ
トキシドのモル比が９０対１０）、イソプロピルアルコ
ール１２０ｇを混合し、４０℃で１２時間攪拌し、イソ
プロピルアルコール１．７ｋｇを加えて塗布液とし、リ
バースコーターにより、計算による乾燥塗布厚が０．１
μｍになるように塗布し、１８０℃の熱風乾燥炉によっ
て加熱無機膜化し無機硬化層を形成した。この無機硬化
膜を形成した段階で、オキシトラン法により、酸素ガス
透過係数を測定したところ、湿度０％において０．６ｃ
ｃ／ｍ2・ｄａｙ・ａｔｍ、湿度９５％において０．７
ｃｃ／ｍ2・ｄａｙ・ａｔｍと、塗布前のフィルムで
は、湿度０％においても、２００ｃｃ／ｍ2・ｄａｙ・
ａｔｍであったのに比べ格段に向上していた。さらに、
この無機硬化膜の表面に、最初の工程でポリエーテルサ
ルホンフィルムに塗布した塗布液と同じものを、リバー
スコーターにより乾燥厚み３μｍとなるように塗布し硬
化させてＵＶ硬化型アクリレート樹脂硬化層を形成し
た。次に、このＵＶ硬化型アクリレート樹脂硬化層の上
に、スパッタリングにより、ＩＴＯを表面抵抗が１００
Ω/□、光線透過率が８０％となるように形成した。こ
のようにして得られた透明導電フィルムを用いて、プラ
スチックフィルム液晶表示素子を作成し、８０℃高温保
存、６０℃９５％ＲＨ高温高湿保存試験を行ったが、１
０００時間経過後も、液晶表示素子に気泡の発生は見ら
れなかった。このことは、無機硬化膜のガスバリアー性
が、プラスチックフィルム液晶表示素子作成工程におけ
る、熱、薬品、曲げ、ラビング等の処理によっても損な
われなかったことを示している。また、ＩＴＯをエッチ
ング除去した面どうしを、エポキシ樹脂で接着しピール
テストを行ったが、５００ｇ／ｃｍの剥離強度を示し、
かつ剥離面はエポキシ樹脂接着面であった。なお、酸素
ガス透過係数の測定方法はＪＩＳ Ｋ−７１２６、Ｂ法
（等圧法）による。
ークライト（株）製スミライトＦＳ−５３００、ガラス
転移温度２２３℃、厚み１００μｍ、リターデーション
１０ｎｍ）の両面に、エポキシアクリレート１５部、ウ
レタンアクリレート１０部、ポリエステルアクリレート
１０部、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン２部、ＵＶ架橋開始剤１部、溶剤６５部を混合した塗
布液を、グラビアコーターにより、乾燥厚み３μｍとな
るよう塗布し硬化させて有機樹脂層を形成した。その上
に、テトラエトキシシラン１８７ｇ、チタンテトラエト
キシド２３ｇ（テトラエトキシシランとチタンテトラエ
トキシドのモル比が９０対１０）、イソプロピルアルコ
ール１２０ｇを混合し、４０℃で１２時間攪拌し、イソ
プロピルアルコール１．７ｋｇを加えて塗布液とし、リ
バースコーターにより、計算による乾燥塗布厚が０．１
μｍになるように塗布し、１８０℃の熱風乾燥炉によっ
て加熱無機膜化し無機硬化層を形成した。この無機硬化
膜を形成した段階で、オキシトラン法により、酸素ガス
透過係数を測定したところ、湿度０％において０．６ｃ
ｃ／ｍ2・ｄａｙ・ａｔｍ、湿度９５％において０．７
ｃｃ／ｍ2・ｄａｙ・ａｔｍと、塗布前のフィルムで
は、湿度０％においても、２００ｃｃ／ｍ2・ｄａｙ・
ａｔｍであったのに比べ格段に向上していた。さらに、
この無機硬化膜の表面に、最初の工程でポリエーテルサ
ルホンフィルムに塗布した塗布液と同じものを、リバー
スコーターにより乾燥厚み３μｍとなるように塗布し硬
化させてＵＶ硬化型アクリレート樹脂硬化層を形成し
た。次に、このＵＶ硬化型アクリレート樹脂硬化層の上
に、スパッタリングにより、ＩＴＯを表面抵抗が１００
Ω/□、光線透過率が８０％となるように形成した。こ
のようにして得られた透明導電フィルムを用いて、プラ
スチックフィルム液晶表示素子を作成し、８０℃高温保
存、６０℃９５％ＲＨ高温高湿保存試験を行ったが、１
０００時間経過後も、液晶表示素子に気泡の発生は見ら
れなかった。このことは、無機硬化膜のガスバリアー性
が、プラスチックフィルム液晶表示素子作成工程におけ
る、熱、薬品、曲げ、ラビング等の処理によっても損な
われなかったことを示している。また、ＩＴＯをエッチ
ング除去した面どうしを、エポキシ樹脂で接着しピール
テストを行ったが、５００ｇ／ｃｍの剥離強度を示し、
かつ剥離面はエポキシ樹脂接着面であった。なお、酸素
ガス透過係数の測定方法はＪＩＳ Ｋ−７１２６、Ｂ法
（等圧法）による。
【００１３】《実施例２〜５》 実施例１でのテトラエ
トキシシランとチタンテトラエトキシドのモル比を、そ
れぞれ２５対７５（実施例２）、５０対５０（実施例
３）、７５対２５（実施例４）、９０対１０（実施例
５）としたこと以外は同様にして液晶表示素子を作成し
た。無機硬化膜を形成した段階での酸素ガス透過係数を
表１に示した。
トキシシランとチタンテトラエトキシドのモル比を、そ
れぞれ２５対７５（実施例２）、５０対５０（実施例
３）、７５対２５（実施例４）、９０対１０（実施例
５）としたこと以外は同様にして液晶表示素子を作成し
た。無機硬化膜を形成した段階での酸素ガス透過係数を
表１に示した。
【００１４】《実施例６》 実施例１で無機硬化層に混
合するチタンテトラエトキシドを、アルミニウムエトキ
シドに変えたこと以外は同様にして液晶表示素子を作成
した。無機硬化膜を形成した段階での酸素ガス透過係数
を表１に示した。 《実施例７》 実施例１で無機硬化層に混合するチタン
テトラエトキシドを、ジルコニウムテトラエトキシドに
変えたこと以外は同様にして液晶表示素子を作成した。
無機硬化膜を形成した段階での酸素ガス透過係数を表１
に示した。 《実施例８》 実施例１で無機硬化層に混合するチタン
テトラエトキシドを、リン酸トリエチルに変えたこと以
外は同様にして液晶表示素子を作成した。無機硬化膜を
形成した段階での酸素ガス透過係数を表１に示した。
合するチタンテトラエトキシドを、アルミニウムエトキ
シドに変えたこと以外は同様にして液晶表示素子を作成
した。無機硬化膜を形成した段階での酸素ガス透過係数
を表１に示した。 《実施例７》 実施例１で無機硬化層に混合するチタン
テトラエトキシドを、ジルコニウムテトラエトキシドに
変えたこと以外は同様にして液晶表示素子を作成した。
無機硬化膜を形成した段階での酸素ガス透過係数を表１
に示した。 《実施例８》 実施例１で無機硬化層に混合するチタン
テトラエトキシドを、リン酸トリエチルに変えたこと以
外は同様にして液晶表示素子を作成した。無機硬化膜を
形成した段階での酸素ガス透過係数を表１に示した。
【００１５】《比較例１》 実施例１の無機硬化層とそ
の上のＵＶ硬化型アクリレート樹脂硬化層を形成しない
で、比較実験を行ったところ、プラスチックフィルム液
晶表示素子の高温保存、高温高湿保存試験ともに、２４
０時間で気泡の発生が確認された。
の上のＵＶ硬化型アクリレート樹脂硬化層を形成しない
で、比較実験を行ったところ、プラスチックフィルム液
晶表示素子の高温保存、高温高湿保存試験ともに、２４
０時間で気泡の発生が確認された。
【００１６】《比較例２》 ポリエーテルサルフォンフ
ィルム上の有機樹脂層を、ＵＶ硬化型アクリレート樹脂
からシランカップリング剤を除いた配合処方で形成した
以外は実施例１と同様にして液晶表示素子を作成した。
比較試験を行ったところ、プラスチックフィルム液晶表
示素子の高温高湿保存試験において、４８０時間で気泡
の発生が確認された。この表示素子を調べると、シール
樹脂部分で剥がれが生じていることが確認された。ＩＴ
Ｏをエッチング除去した面どうしを、エポキシ樹脂で接
着しピールテストを行ったところ、５０ｇ／ｃｍ程度の
剥離強度しか無く、剥離面を調べたところ、無機硬化層
とポリエーテルスルフォンフィルム上のＵＶ硬化樹脂層
の間で剥がれていた。
ィルム上の有機樹脂層を、ＵＶ硬化型アクリレート樹脂
からシランカップリング剤を除いた配合処方で形成した
以外は実施例１と同様にして液晶表示素子を作成した。
比較試験を行ったところ、プラスチックフィルム液晶表
示素子の高温高湿保存試験において、４８０時間で気泡
の発生が確認された。この表示素子を調べると、シール
樹脂部分で剥がれが生じていることが確認された。ＩＴ
Ｏをエッチング除去した面どうしを、エポキシ樹脂で接
着しピールテストを行ったところ、５０ｇ／ｃｍ程度の
剥離強度しか無く、剥離面を調べたところ、無機硬化層
とポリエーテルスルフォンフィルム上のＵＶ硬化樹脂層
の間で剥がれていた。
【００１７】《比較例３》 実施例１において無機硬化
層の代わりに、ポリビニルアルコール層を形成して酸素
ガス透過係数を測定したところ、湿度０％においては
０．３ｃｃ／ｍ2・ｄａｙ・ａｔｍと良好なガスバリア
ー性を示したが、湿度９５％において５０ｃｃ／ｍ2・
ｄａｙ・ａｔｍと、高湿度下においてガスバリアー性の
著しい低下が確認された。
層の代わりに、ポリビニルアルコール層を形成して酸素
ガス透過係数を測定したところ、湿度０％においては
０．３ｃｃ／ｍ2・ｄａｙ・ａｔｍと良好なガスバリア
ー性を示したが、湿度９５％において５０ｃｃ／ｍ2・
ｄａｙ・ａｔｍと、高湿度下においてガスバリアー性の
著しい低下が確認された。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】この発明により、プラスチックフィルム
液晶表示素子用に好適な、温湿度依存性の無いガスバリ
アー性を保有する透明導電フィルムが得られた。
液晶表示素子用に好適な、温湿度依存性の無いガスバリ
アー性を保有する透明導電フィルムが得られた。
【図１】本発明の実施例断面図である。
【図２】本発明の実施例断面図で、プラスチックフィル
ム基体の両面に無機硬化層を設けた例である。
ム基体の両面に無機硬化層を設けた例である。
【図３】本発明の実施例断面図で、無機硬化層の上にＵ
Ｖ硬化型アクリレート樹脂硬化層を設けた例である。
Ｖ硬化型アクリレート樹脂硬化層を設けた例である。
【図４】本発明の実施例断面図で、無機硬化層の上にＵ
Ｖ硬化型アクリレート樹脂硬化層を設けた例である。
Ｖ硬化型アクリレート樹脂硬化層を設けた例である。
１・・・透明導電性薄膜（Ｄ） ２・・・無機硬化層（Ｃ） ３・・・有機樹脂層（Ｂ） ４・・・プラスチックフィルム基体（Ａ） ５・・・ＵＶ硬化型アクリレート樹脂硬化層（Ｅ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 81/06 ＬＲＦ Ｃ０８Ｌ 81/06 ＬＲＦ
Claims (5)
- 【請求項１】 ガラス転移温度が１２０℃以上で、実質
的に非晶性であり、フィルム厚みでのリターデーション
値が１５ｎｍ以下である透明なプラスチックフィルム基
体（Ａ）の少なくとも一方の面に、−ＯＲ1(Ｒ1はＨも
しくは、Ｈ−ＯＲ1で表される化合物の常圧における沸
点が１２０℃以下となる化合物残基）で表される官能基
を有する物質を含む有機樹脂層（Ｂ）を形成し、そのＢ
層上にＳｉ(ＯＲ2)4(Ｒ2は炭素数４以下のアルキル基）
で表されるテトラアルコキシシランに、Ｍ(ＯＲ3)ｎ(Ｍ
は金属元素、Ｒ3は炭素数４以下のアルキル基、ｎは３
から５の整数）で表される金属アルコキシドまたはＰＯ
(ＯＲ4)3(Ｒ4は炭素数４以下のアルキル基）で表される
リン酸エステルのうち、少なくとも１種以上を加えたも
のの共加水分解溶液を塗布し、１２０℃以上でプラスチ
ックフィルム基体のガラス転移温度以下の条件で加熱し
て得られる無機硬化層（Ｃ）を形成した積層体の少なく
とも一方の面に、透明導電性を有する薄膜（Ｄ）を積層
したことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 【請求項２】 透明なプラスチックフィルム基体（Ａ）
がポリカーボネート、ポリアリレート、ポリサルホン、
ポリエーテルサルホン樹脂の溶融押出成膜フィルムであ
ることを特徴とする請求項１記載の透明導電性フィル
ム。 - 【請求項３】 有機樹脂層の−ＯＲ1(Ｒ1はＨもしく
は、Ｈ−ＯＲ1で表される化合物の常圧における沸点が
１２０℃以下となる化合物残基）で表される官能基を有
する物質が、シランカップリング剤であることを特徴と
する請求項１又は２記載の透明導電性フィルム。 - 【請求項４】 Ｍ(ＯＲ3)ｎ(Ｍは金属元素、Ｒ3は炭素
数４以下のアルキル基、ｎは３から５の整数）で表され
る金属アルコキシドが、周期表の３Ａ族、４Ａ族、５Ａ
族、４Ｂ族又は５Ｂ族のいずれかの金属元素からなる金
属アルコキシドであることを特徴とする請求項１、２又
は３記載の透明導電性フィルム。 - 【請求項５】 無機硬化層（Ｃ）を形成した積層体の、
無機硬化層（Ｃ）上にシランカップリング剤を含むＵＶ
硬化型アクリレート樹脂硬化層（Ｅ）を介し透明導電性
を有する薄膜（Ｄ）を積層したことを特徴とする請求項
１、２、３又は４記載の透明導電性フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32196295A JP3463968B2 (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32196295A JP3463968B2 (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 透明導電性フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09157419A true JPH09157419A (ja) | 1997-06-17 |
| JP3463968B2 JP3463968B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=18138379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32196295A Expired - Fee Related JP3463968B2 (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3463968B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100420049B1 (ko) * | 2001-04-16 | 2004-02-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명 도전막의 보호막 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조되는 보호막의 제조방법 |
| JP2006205725A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-08-10 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 積層体 |
| US7427363B2 (en) * | 2003-12-12 | 2008-09-23 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Composition for forming liquid crystal film, optically anisotropic film, and production method thereof |
| WO2011142454A1 (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | リンテック株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイス |
-
1995
- 1995-12-11 JP JP32196295A patent/JP3463968B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100420049B1 (ko) * | 2001-04-16 | 2004-02-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명 도전막의 보호막 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조되는 보호막의 제조방법 |
| US7427363B2 (en) * | 2003-12-12 | 2008-09-23 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Composition for forming liquid crystal film, optically anisotropic film, and production method thereof |
| JP2006205725A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-08-10 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 積層体 |
| JP4687452B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2011-05-25 | 住友化学株式会社 | 積層体 |
| WO2011142454A1 (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | リンテック株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3463968B2 (ja) | 2003-11-05 |
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