JP2001004985A - セル基板、液晶セル、液晶表示装置及び電極形成法 - Google Patents
セル基板、液晶セル、液晶表示装置及び電極形成法Info
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 密着力に優れるＩＴＯ蒸着膜等からなる透明
電極膜を有してその表面抵抗値の低さに優れており、薄
型軽量の液晶セルを形成しうる樹脂系のセル基板の開
発。 【解決手段】 揮発成分の含有量を０．１重量％以下と
した樹脂基板（１）に、透明電極材からなる蒸着膜
（３）を設けてなるセル基板、及び揮発成分の含有量を
０．１重量％以下とした樹脂基板を減圧下の蒸着室に配
置して、蒸着方式により透明電極材からなる蒸着膜を樹
脂基板上に設ける電極形成法。 【効果】 樹脂基板を減圧下の蒸着室に配置した場合に
基板中の揮発成分が揮発してチャンバー内に拡散してそ
のガスが表面抵抗値や基板との密着力に影響することを
回避できる。
電極膜を有してその表面抵抗値の低さに優れており、薄
型軽量の液晶セルを形成しうる樹脂系のセル基板の開
発。 【解決手段】 揮発成分の含有量を０．１重量％以下と
した樹脂基板（１）に、透明電極材からなる蒸着膜
（３）を設けてなるセル基板、及び揮発成分の含有量を
０．１重量％以下とした樹脂基板を減圧下の蒸着室に配
置して、蒸着方式により透明電極材からなる蒸着膜を樹
脂基板上に設ける電極形成法。 【効果】 樹脂基板を減圧下の蒸着室に配置した場合に
基板中の揮発成分が揮発してチャンバー内に拡散してそ
のガスが表面抵抗値や基板との密着力に影響することを
回避できる。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、表面抵抗値の低いＩＴＯ
蒸着膜等の透明電極膜を密着性よく有して液晶セルや液
晶表示装置の形成に好適な樹脂系のセル基板に関する。
蒸着膜等の透明電極膜を密着性よく有して液晶セルや液
晶表示装置の形成に好適な樹脂系のセル基板に関する。
【０００２】
【発明の背景】液晶表示装置を形成する液晶セルの大型
化等に伴い、ガラス系のセル基板では重くて嵩高いこと
から、薄型軽量化などを目的にエポキシ樹脂等からなる
樹脂系のセル基板が提案されている。しかしながら、か
かる樹脂系のセル基板にＩＴＯ蒸着膜等の透明電極膜を
設けた場合に表面抵抗値がバラツキやすくて高くなりや
すく、基板との密着力に乏しくて剥がれやすい問題点が
あった。
化等に伴い、ガラス系のセル基板では重くて嵩高いこと
から、薄型軽量化などを目的にエポキシ樹脂等からなる
樹脂系のセル基板が提案されている。しかしながら、か
かる樹脂系のセル基板にＩＴＯ蒸着膜等の透明電極膜を
設けた場合に表面抵抗値がバラツキやすくて高くなりや
すく、基板との密着力に乏しくて剥がれやすい問題点が
あった。
【０００３】
【発明の技術的課題】本発明は、密着力に優れるＩＴＯ
蒸着膜等からなる透明電極膜を有してその表面抵抗値の
低さに優れており、薄型軽量の液晶セルを形成しうる樹
脂系のセル基板の開発を課題とする。
蒸着膜等からなる透明電極膜を有してその表面抵抗値の
低さに優れており、薄型軽量の液晶セルを形成しうる樹
脂系のセル基板の開発を課題とする。
【０００４】
【課題の解決手段】本発明は、揮発成分の含有量を０．
１重量％以下とした樹脂基板に、透明電極材からなる蒸
着膜を設けてなることを特徴とするセル基板、及び揮発
成分の含有量を０．１重量％以下とした樹脂基板を減圧
下の蒸着室に配置して、蒸着方式により透明電極材から
なる蒸着膜を樹脂基板上に設けることを特徴とする電極
形成法を提供するものである。
１重量％以下とした樹脂基板に、透明電極材からなる蒸
着膜を設けてなることを特徴とするセル基板、及び揮発
成分の含有量を０．１重量％以下とした樹脂基板を減圧
下の蒸着室に配置して、蒸着方式により透明電極材から
なる蒸着膜を樹脂基板上に設けることを特徴とする電極
形成法を提供するものである。
【０００５】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂基板との密着力に
優れると共に表面抵抗値のバラツキが少なくてその低さ
に優れるＩＴＯ蒸着膜等からなる透明電極膜を有する樹
脂系のセル基板を得ることができて、薄型軽量の液晶セ
ルや液晶表示装置を形成することができる。これは透明
電極膜の付設時に樹脂基板における揮発成分の含有量を
０．１重量％以下としたことによる。
優れると共に表面抵抗値のバラツキが少なくてその低さ
に優れるＩＴＯ蒸着膜等からなる透明電極膜を有する樹
脂系のセル基板を得ることができて、薄型軽量の液晶セ
ルや液晶表示装置を形成することができる。これは透明
電極膜の付設時に樹脂基板における揮発成分の含有量を
０．１重量％以下としたことによる。
【０００６】すなわち本発明者らは上記の課題を克服す
るために鋭意研究を重ねる中で、ＩＴＯ蒸着膜等を付設
するために樹脂基板を減圧下の蒸着室（チャンバー）に
配置した場合にその基板中の揮発成分が揮発してチャン
バー内に拡散し、そのガスが影響して表面抵抗値のバラ
ツキや基板との密着力の低下が生じることを究明し、樹
脂基板を事前処理してその揮発成分の含有量を０．１重
量％以下とすることでかかるガスの影響を回避すること
に成功したものである。
るために鋭意研究を重ねる中で、ＩＴＯ蒸着膜等を付設
するために樹脂基板を減圧下の蒸着室（チャンバー）に
配置した場合にその基板中の揮発成分が揮発してチャン
バー内に拡散し、そのガスが影響して表面抵抗値のバラ
ツキや基板との密着力の低下が生じることを究明し、樹
脂基板を事前処理してその揮発成分の含有量を０．１重
量％以下とすることでかかるガスの影響を回避すること
に成功したものである。
【０００７】
【発明の実施形態】本発明によるセル基板は、揮発成分
の含有量を０．１重量％以下とした樹脂基板に、透明電
極材からなる蒸着膜を設けたものである。その例を図１
に示した。１が樹脂基板、３が透明電極材からなる蒸着
膜であり、２は必要に応じての下地層である。
の含有量を０．１重量％以下とした樹脂基板に、透明電
極材からなる蒸着膜を設けたものである。その例を図１
に示した。１が樹脂基板、３が透明電極材からなる蒸着
膜であり、２は必要に応じての下地層である。
【０００８】セル基板の形成は、例えば樹脂基板におけ
る揮発成分の含有量を０．１重量％以下としてそれを減
圧下の蒸着室に配置し、蒸着方式により透明電極材から
なる蒸着膜を当該樹脂基板上に設ける方法などにより行
うことができる。樹脂基板中の揮発成分は、例えば必要
に応じ減圧状態とした雰囲気下で加熱脱気処理する方式
などの適宜な方式で揮発除去することができる。品質や
密着力の良好な蒸着膜を形成する点より好ましい樹脂基
板は、揮発成分の含有量を０．０９重量％以下、０．０
８重量％以下、特に０．０７重量％以下としたものであ
る。
る揮発成分の含有量を０．１重量％以下としてそれを減
圧下の蒸着室に配置し、蒸着方式により透明電極材から
なる蒸着膜を当該樹脂基板上に設ける方法などにより行
うことができる。樹脂基板中の揮発成分は、例えば必要
に応じ減圧状態とした雰囲気下で加熱脱気処理する方式
などの適宜な方式で揮発除去することができる。品質や
密着力の良好な蒸着膜を形成する点より好ましい樹脂基
板は、揮発成分の含有量を０．０９重量％以下、０．０
８重量％以下、特に０．０７重量％以下としたものであ
る。
【０００９】樹脂基板としては、熱可塑性樹脂や熱硬化
性樹脂などの適宜な樹脂からなるものを用いることがで
きる。透明導電膜を付設する際の耐熱性などの点より好
ましく用いうる樹脂基板は、ガラス転移温度が１３０℃
以上、就中１５０℃以上、特に１６０℃以上の樹脂から
なるものである。また樹脂基板は透明性や耐衝撃性に優
れることが好ましく、就中、光透過率が８０％以上、特
に８５％以上であるものが好ましい。
性樹脂などの適宜な樹脂からなるものを用いることがで
きる。透明導電膜を付設する際の耐熱性などの点より好
ましく用いうる樹脂基板は、ガラス転移温度が１３０℃
以上、就中１５０℃以上、特に１６０℃以上の樹脂から
なるものである。また樹脂基板は透明性や耐衝撃性に優
れることが好ましく、就中、光透過率が８０％以上、特
に８５％以上であるものが好ましい。
【００１０】さらに液晶の変質防止や液晶セルとした場
合の耐久性などの点より耐薬品性、光学的等方性、低吸
水性、低透湿性、酸素等のガスバリア性に優れる樹脂基
板が好ましい。加えて液晶表示装置とする際に付加する
光学部材の温度や湿度による寸法変化に耐えて反りの生
じることを抑制する点などより、３０℃において０．２
％の引張り伸びを与えた場合の弾性率が３００kgf／mm
２以上の樹脂基板が好ましく用いられる。
合の耐久性などの点より耐薬品性、光学的等方性、低吸
水性、低透湿性、酸素等のガスバリア性に優れる樹脂基
板が好ましい。加えて液晶表示装置とする際に付加する
光学部材の温度や湿度による寸法変化に耐えて反りの生
じることを抑制する点などより、３０℃において０．２
％の引張り伸びを与えた場合の弾性率が３００kgf／mm
２以上の樹脂基板が好ましく用いられる。
【００１１】ちなみに前記の樹脂基板を形成する樹脂の
例としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリ
エーテルスルホン、ポリエステル、ポリスルホン、ポリ
メチルメタクリレート、ポリエーテルイミド、ポリアミ
ドなどの熱可塑性樹脂や、エポキシ系樹脂、不飽和ポリ
エステル、ポリジアリルフタレート、ポリイソボニルメ
タクリレートなどの熱硬化性樹脂などがあげられる。か
かる樹脂は、１種又は２種以上を用いることができ、他
成分との共重合体や混合物などとしても用いうる。
例としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリ
エーテルスルホン、ポリエステル、ポリスルホン、ポリ
メチルメタクリレート、ポリエーテルイミド、ポリアミ
ドなどの熱可塑性樹脂や、エポキシ系樹脂、不飽和ポリ
エステル、ポリジアリルフタレート、ポリイソボニルメ
タクリレートなどの熱硬化性樹脂などがあげられる。か
かる樹脂は、１種又は２種以上を用いることができ、他
成分との共重合体や混合物などとしても用いうる。
【００１２】上記した性能の点などより特に好ましく用
いうる樹脂基板は、エポキシ系樹脂、就中、脂環式エポ
キシ樹脂と酸無水物系硬化剤とリン系硬化触媒を含有す
るエポキシ系組成物の硬化体からなるものである。その
脂環式エポキシ樹脂としては、種々のものを用いること
ができ、特に限定はない。
いうる樹脂基板は、エポキシ系樹脂、就中、脂環式エポ
キシ樹脂と酸無水物系硬化剤とリン系硬化触媒を含有す
るエポキシ系組成物の硬化体からなるものである。その
脂環式エポキシ樹脂としては、種々のものを用いること
ができ、特に限定はない。
【００１３】酸無水物系硬化剤としては例えば無水フタ
ル酸、３．６エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル
酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、ヘキサヒドロ無水
フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒ
ドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸な
どがあげられ、就中ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラ
ヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル
酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などの無色ないし
淡黄色の酸無水物が好ましく用いうる。酸無水物系硬化
剤の配合量は、エポキシ樹脂における１エポキシ当量あ
たり０．５〜１．３当量が好ましい。
ル酸、３．６エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル
酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、ヘキサヒドロ無水
フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒ
ドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸な
どがあげられ、就中ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラ
ヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル
酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などの無色ないし
淡黄色の酸無水物が好ましく用いうる。酸無水物系硬化
剤の配合量は、エポキシ樹脂における１エポキシ当量あ
たり０．５〜１．３当量が好ましい。
【００１４】リン系硬化触媒としてはアルキルホスフィ
ン類、ホスフィンオキサイド類、ホスホニウム塩類など
があげられる。その配合量は、酸無水物系硬化剤１００
重量部あたり、０．２〜１０重量部、就中０．５〜４重
量部が好ましい。
ン類、ホスフィンオキサイド類、ホスホニウム塩類など
があげられる。その配合量は、酸無水物系硬化剤１００
重量部あたり、０．２〜１０重量部、就中０．５〜４重
量部が好ましい。
【００１５】樹脂基板の形成は、例えばキャスティング
成形方式、流延成形方式、射出成形方式、ロール塗工成
形方式、押出成形方式、トランスファ成形方式、反応射
出成形方式（ＲＩＭ）などの適宜な方式で行うことがで
きる。その形成に際しては、必要に応じて例えば染料、
変性剤、変色防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、離型
剤、反応性希釈剤、非反応性希釈剤などの適宜な添加剤
を透明性を損なわない範囲で適宜に配合することができ
る。
成形方式、流延成形方式、射出成形方式、ロール塗工成
形方式、押出成形方式、トランスファ成形方式、反応射
出成形方式（ＲＩＭ）などの適宜な方式で行うことがで
きる。その形成に際しては、必要に応じて例えば染料、
変性剤、変色防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、離型
剤、反応性希釈剤、非反応性希釈剤などの適宜な添加剤
を透明性を損なわない範囲で適宜に配合することができ
る。
【００１６】樹脂基板の厚さは、薄型化や軽量性、強度
や変形防止性などの点より１mm以下、就中０．８mm以
下、特に０．１〜０．５mmが好ましい。なお樹脂基板
は、単層物や積層物として形成されていてよく、従って
樹脂基板の前記厚さは、同種又は異種の樹脂からなる２
層又は３層以上の積層物として達成されていてもよい。
や変形防止性などの点より１mm以下、就中０．８mm以
下、特に０．１〜０．５mmが好ましい。なお樹脂基板
は、単層物や積層物として形成されていてよく、従って
樹脂基板の前記厚さは、同種又は異種の樹脂からなる２
層又は３層以上の積層物として達成されていてもよい。
【００１７】樹脂基板上への透明電極材からなる蒸着膜
の付設は、上記した所定の揮発成分含有量とした樹脂基
板を用いる点を除いて特に限定はなく、樹脂基板を減圧
下の蒸着室に配置して例えばスパッタリング法や真空蒸
着法等の従来に準じた適宜な蒸着方式を適用して行うこ
とができ、その減圧条件や処理温度等の蒸着条件も従来
に準じることができる。その場合、透明導電膜（蒸着
層）を所定の電極パターン状態に直接形成することも可
能である。
の付設は、上記した所定の揮発成分含有量とした樹脂基
板を用いる点を除いて特に限定はなく、樹脂基板を減圧
下の蒸着室に配置して例えばスパッタリング法や真空蒸
着法等の従来に準じた適宜な蒸着方式を適用して行うこ
とができ、その減圧条件や処理温度等の蒸着条件も従来
に準じることができる。その場合、透明導電膜（蒸着
層）を所定の電極パターン状態に直接形成することも可
能である。
【００１８】また前記の透明電極材としても、例えば酸
化インジウムや酸化スズ、ＩＴＯ（インジウム・錫混合
酸化物）や金、白金やパラジウムなどの従来に準じた適
宜なものを１種又は２種以上用いることができる。なお
蒸着層の形成に際しては、図１に例示した如く必要に応
じ密着力の向上等を目的としたＳｉＯ２層や金属アルコ
キシドの加水分解・重縮合体などからなる１層又は２層
以上の適宜な下地層２を樹脂基板に設けることもでき
る。
化インジウムや酸化スズ、ＩＴＯ（インジウム・錫混合
酸化物）や金、白金やパラジウムなどの従来に準じた適
宜なものを１種又は２種以上用いることができる。なお
蒸着層の形成に際しては、図１に例示した如く必要に応
じ密着力の向上等を目的としたＳｉＯ２層や金属アルコ
キシドの加水分解・重縮合体などからなる１層又は２層
以上の適宜な下地層２を樹脂基板に設けることもでき
る。
【００１９】反りを防止する点などより好ましいセル基
板は、樹脂基板にＳｉＯ２層からなる下地層を介してＩ
ＴＯ蒸着膜からなる透明導電膜を設けたものである。な
おＳｉＯ２層の形成は、前記した蒸着膜の形成方法に準
じた方法などにて行うことができる。
板は、樹脂基板にＳｉＯ２層からなる下地層を介してＩ
ＴＯ蒸着膜からなる透明導電膜を設けたものである。な
おＳｉＯ２層の形成は、前記した蒸着膜の形成方法に準
じた方法などにて行うことができる。
【００２０】また金属アルコキシドの加水分解・重縮合
体等からなる下地層には、凹凸構造に基づくアンカー効
果等による透明導電膜等の密着力のより向上などを目的
として、無機酸化物粒子を分散含有させることもでき
る。その無機酸化物粒子としては、例えばシリカ、アル
ミナ、酸化チタン、酸化アンチモン、ジルコニアなどか
らなる、無機酸化物層中で透明性を示す適宜な粒子を用
いることができ、就中、アルミナ粒子が好ましい。
体等からなる下地層には、凹凸構造に基づくアンカー効
果等による透明導電膜等の密着力のより向上などを目的
として、無機酸化物粒子を分散含有させることもでき
る。その無機酸化物粒子としては、例えばシリカ、アル
ミナ、酸化チタン、酸化アンチモン、ジルコニアなどか
らなる、無機酸化物層中で透明性を示す適宜な粒子を用
いることができ、就中、アルミナ粒子が好ましい。
【００２１】本発明によるセル基板は、液晶表示装置、
就中、液晶セルの形成に好ましく用いうる。その液晶セ
ルの形成は、例えば樹脂基板上に設けた透明導電膜を電
極パターン化したセル基板を対向配置し、その間に液晶
層を封入する従来に準じた方法などにより行うことがで
きる。透明導電膜上に必要に応じて設けられる液晶配列
用の配向膜も同様に従来に準じた方式で行うことができ
る。形成する液晶セルは、例えばＴＮ型、ＳＴＮ型、Ｔ
ＦＴ型、強誘電性液晶型など任意である。
就中、液晶セルの形成に好ましく用いうる。その液晶セ
ルの形成は、例えば樹脂基板上に設けた透明導電膜を電
極パターン化したセル基板を対向配置し、その間に液晶
層を封入する従来に準じた方法などにより行うことがで
きる。透明導電膜上に必要に応じて設けられる液晶配列
用の配向膜も同様に従来に準じた方式で行うことができ
る。形成する液晶セルは、例えばＴＮ型、ＳＴＮ型、Ｔ
ＦＴ型、強誘電性液晶型など任意である。
【００２２】前記の液晶セルの形成には、厚さ０．４mm
の場合に基づいて分光光度計による波長６００nmの光の
透過率が６０％以上、就中８０％以上の透明性を示す樹
脂基板を用いたセル基板が好ましく用いられる。なお液
晶表示装置についても、前記の液晶セルを用いてその片
側又は両側に所定の光学素材を配置してなる従来に準じ
た構造を有するものとして形成することができる。
の場合に基づいて分光光度計による波長６００nmの光の
透過率が６０％以上、就中８０％以上の透明性を示す樹
脂基板を用いたセル基板が好ましく用いられる。なお液
晶表示装置についても、前記の液晶セルを用いてその片
側又は両側に所定の光学素材を配置してなる従来に準じ
た構造を有するものとして形成することができる。
【００２３】液晶セルや液晶表示装置の形成に際して
は、そのセル基板ないし樹脂基板に基板の湾曲や液晶の
変質等の原因となる水分や酸素の遮蔽を目的に必要に応
じてガスバリア層を設けることができる。ガスバリア層
は通例、耐久性や良変形性等を目的に高分子皮膜にて形
成される。
は、そのセル基板ないし樹脂基板に基板の湾曲や液晶の
変質等の原因となる水分や酸素の遮蔽を目的に必要に応
じてガスバリア層を設けることができる。ガスバリア層
は通例、耐久性や良変形性等を目的に高分子皮膜にて形
成される。
【００２４】前記の高分子としては例えばポリビニルア
ルコールやその部分ケン化物、エチレン・ビニルアルコ
ール共重合体やポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリ
デンなどの酸素透過係数が小さいポリマーが好ましく用
いうる。特にガスバリア性や水分の拡散性ないし吸水度
の均一化などの点より、ビニルアルコール系ポリマーが
好ましい。
ルコールやその部分ケン化物、エチレン・ビニルアルコ
ール共重合体やポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリ
デンなどの酸素透過係数が小さいポリマーが好ましく用
いうる。特にガスバリア性や水分の拡散性ないし吸水度
の均一化などの点より、ビニルアルコール系ポリマーが
好ましい。
【００２５】ガスバリア層の形成は、キャスティング方
式やスピンコート方式等の適宜な塗工方式による高分子
溶液の展開方式などにより行うことができる。ガスバリ
ア層の厚さは、透明性や着色の防止、酸素や水蒸気等の
ガスバリア性などの点より、１５μm以下、就中１〜１
０μmが好ましい。
式やスピンコート方式等の適宜な塗工方式による高分子
溶液の展開方式などにより行うことができる。ガスバリ
ア層の厚さは、透明性や着色の防止、酸素や水蒸気等の
ガスバリア性などの点より、１５μm以下、就中１〜１
０μmが好ましい。
【００２６】また樹脂基板等には表面の耐擦傷性の向上
などを目的に、必要に応じてコート層を設けることもで
きる。樹脂基板等が上記したガスバリア層を有する場合
には、そのガスバリア層の上方にコート層は設けられ
る。コート層は、透明な硬質膜を形成する適宜な架橋性
樹脂にて形成でき就中、多官能性単量体を光触媒等を介
して紫外線照射により三次元架橋しうるようにした、例
えばウレタンアクリレート系やエポキシ系などの紫外線
硬化樹脂が好ましく用いうる。
などを目的に、必要に応じてコート層を設けることもで
きる。樹脂基板等が上記したガスバリア層を有する場合
には、そのガスバリア層の上方にコート層は設けられ
る。コート層は、透明な硬質膜を形成する適宜な架橋性
樹脂にて形成でき就中、多官能性単量体を光触媒等を介
して紫外線照射により三次元架橋しうるようにした、例
えばウレタンアクリレート系やエポキシ系などの紫外線
硬化樹脂が好ましく用いうる。
【００２７】コート層の形成は、キャスティング方式や
スピンコート方式やディッピング方式等の適宜な塗工方
式で樹脂液を樹脂基板ないしガスバリア層等の上に展開
して架橋処理する方法などにより行うことができる。コ
ート層の厚さは、適宜に決定でき一般には２００μm以
下、就中１００μm以下、特に１〜５０μmとされる。
スピンコート方式やディッピング方式等の適宜な塗工方
式で樹脂液を樹脂基板ないしガスバリア層等の上に展開
して架橋処理する方法などにより行うことができる。コ
ート層の厚さは、適宜に決定でき一般には２００μm以
下、就中１００μm以下、特に１〜５０μmとされる。
【００２８】液晶表示装置の形成に際して用いる上記し
た光学素材としては、例えば偏光板や位相差板や反射
板、その偏光板と位相差板を積層した楕円偏光板、反射
型偏光板やそれを用いた前記楕円偏光板などの従来の液
晶表示装置に準じたものが使用され、その種類について
特に限定はない。
た光学素材としては、例えば偏光板や位相差板や反射
板、その偏光板と位相差板を積層した楕円偏光板、反射
型偏光板やそれを用いた前記楕円偏光板などの従来の液
晶表示装置に準じたものが使用され、その種類について
特に限定はない。
【００２９】光学素材は、１種又は２種以上を用いるこ
とができ、その配置に際しては必要に応じ２種以上の光
学素材を粘着層等を介し予め接着した積層体として用い
ることもできる。粘着層は、適宜な粘着剤にて形成しう
るが、光学素材の浮き（剥離）やセル基板の反りを防止
する点よりは、９０℃における１０００％弾性率が３〜
１０ｇ／mm２、就中４〜８ｇ／mm２の粘着層にて形成す
ることが好ましい。
とができ、その配置に際しては必要に応じ２種以上の光
学素材を粘着層等を介し予め接着した積層体として用い
ることもできる。粘着層は、適宜な粘着剤にて形成しう
るが、光学素材の浮き（剥離）やセル基板の反りを防止
する点よりは、９０℃における１０００％弾性率が３〜
１０ｇ／mm２、就中４〜８ｇ／mm２の粘着層にて形成す
ることが好ましい。
【００３０】また接着力については特に限定はないが、
接着ミス時の液晶セルの再利用などの点よりはセル基板
に対する９０度剥離（常温〜７０℃、剥離速度３００mm
／分）に基づいて４００〜１０００ｇ／25mmとすること
が好ましい。
接着ミス時の液晶セルの再利用などの点よりはセル基板
に対する９０度剥離（常温〜７０℃、剥離速度３００mm
／分）に基づいて４００〜１０００ｇ／25mmとすること
が好ましい。
【００３１】粘着層の形成には、前記の如く例えばアク
リル系重合体やシリコーン系ポリマー、ポリエステルや
ポリウレタン、ポリエーテルや合成ゴムなどの適宜なポ
リマーをベースポリマーとする粘着性物質や粘着剤を用
いることができ、特に限定はない。
リル系重合体やシリコーン系ポリマー、ポリエステルや
ポリウレタン、ポリエーテルや合成ゴムなどの適宜なポ
リマーをベースポリマーとする粘着性物質や粘着剤を用
いることができ、特に限定はない。
【００３２】就中アクリル系粘着剤の如く光学的透明性
に優れ、適度な濡れ性と凝集性と接着性の粘着特性を示
して、耐候性や耐熱性などに優れるものが好ましく用い
うる。また吸湿による発泡現象や剥がれ現象の防止、熱
膨張差等による光学特性の低下防止、ひいては高品質で
耐久性に優れる液晶表示装置の形成性などの点より吸湿
率が低くて耐熱性に優れる粘着層が好ましい。
に優れ、適度な濡れ性と凝集性と接着性の粘着特性を示
して、耐候性や耐熱性などに優れるものが好ましく用い
うる。また吸湿による発泡現象や剥がれ現象の防止、熱
膨張差等による光学特性の低下防止、ひいては高品質で
耐久性に優れる液晶表示装置の形成性などの点より吸湿
率が低くて耐熱性に優れる粘着層が好ましい。
【００３３】なお粘着層には、例えば天然物や合成物の
樹脂類、就中、粘着性付与樹脂、ガラス繊維やガラスビ
ーズ、金属粉やその他の無機粉末等からなる充填剤や顔
料、着色剤や酸化防止剤などの粘着層に添加されること
のある適宜な添加剤を含有させることもできる。また微
粒子を含有させて光拡散性を示す粘着層とすることもで
きる。
樹脂類、就中、粘着性付与樹脂、ガラス繊維やガラスビ
ーズ、金属粉やその他の無機粉末等からなる充填剤や顔
料、着色剤や酸化防止剤などの粘着層に添加されること
のある適宜な添加剤を含有させることもできる。また微
粒子を含有させて光拡散性を示す粘着層とすることもで
きる。
【００３４】粘着層の付設は、例えば溶液や分散液等か
らなる粘着剤液を流延方式や塗工方式等の適宜な展開方
式で付設する方式、あるいはそれに準じセパレータ上に
粘着層を形成してそれを移着する方式などの適宜な方式
で行うことができる。粘着層は、異なる組成又は種類等
のものの重畳層として設けることもでき、厚さは被着体
の種類等に応じて適宜に決定でき一般には１〜５００μ
mとされる。
らなる粘着剤液を流延方式や塗工方式等の適宜な展開方
式で付設する方式、あるいはそれに準じセパレータ上に
粘着層を形成してそれを移着する方式などの適宜な方式
で行うことができる。粘着層は、異なる組成又は種類等
のものの重畳層として設けることもでき、厚さは被着体
の種類等に応じて適宜に決定でき一般には１〜５００μ
mとされる。
【００３５】液晶表示装置の形成は、予め光学素材を接
着したセル基板を用いて液晶セルとする方式、あるいは
液晶セルとした後のセル基板に対して光学素材を接着す
る方式などの適宜な方式にて行うことができる。液晶表
示装置の形成に際しては、偏光板や位相差板等が所定の
配置位置となるように行われが、その配置位置について
は従来に準じることができる。
着したセル基板を用いて液晶セルとする方式、あるいは
液晶セルとした後のセル基板に対して光学素材を接着す
る方式などの適宜な方式にて行うことができる。液晶表
示装置の形成に際しては、偏光板や位相差板等が所定の
配置位置となるように行われが、その配置位置について
は従来に準じることができる。
【００３６】本発明によるセル基板は、柔軟性を有して
湾曲面や大面積面等への適用が容易であり、例えば薄膜
トランジスタ型に代表されるアクティブマトリクス駆動
型のもの、ＴＮ型やＳＴＮ型に代表される単純マトリク
ス駆動型のものなどの適宜なタイプの液晶セルに適用し
て種々の液晶表示装置を形成することができる。
湾曲面や大面積面等への適用が容易であり、例えば薄膜
トランジスタ型に代表されるアクティブマトリクス駆動
型のもの、ＴＮ型やＳＴＮ型に代表される単純マトリク
ス駆動型のものなどの適宜なタイプの液晶セルに適用し
て種々の液晶表示装置を形成することができる。
【００３７】
【実施例】実施例１ 下式で表される脂環式エポキシ樹脂１００部（重量部、
以下同じ）とメチルヘキサヒドロ無水フタル酸１２５部
とトリ−ｎ−ブチルオクチルホスホニウムブロマイド１
部からなる混合物を型に注入し、１２０℃で２時間硬化
処理して厚さ０．４mmの樹脂基板を得た。
以下同じ）とメチルヘキサヒドロ無水フタル酸１２５部
とトリ−ｎ−ブチルオクチルホスホニウムブロマイド１
部からなる混合物を型に注入し、１２０℃で２時間硬化
処理して厚さ０．４mmの樹脂基板を得た。
【００３８】次に、前記の樹脂基板を１５０℃で１時間
加熱脱気処理して揮発成分の含有量を０．０６重量％と
し、それを蒸着室に配置してスパッタリング方式により
先ず、ＲＦ５００Ｗ、Ａｒガス３０ｃｃ、圧力３ｍＴｏ
ｒｒの条件にて厚さ２００ÅのＳｉＯ２層を形成した
後、その上にＤＣ０．３Ａ、Ａｒガス４０ｃｃ、Ｏ２ガ
ス０．５ｃｃ、圧力４ｍＴｏｒｒの条件にて厚さ２００
０ÅのＩＴＯ膜を形成して、セル基板を得た。なおスパ
ッタリング時に揮発した主成分は水であった。
加熱脱気処理して揮発成分の含有量を０．０６重量％と
し、それを蒸着室に配置してスパッタリング方式により
先ず、ＲＦ５００Ｗ、Ａｒガス３０ｃｃ、圧力３ｍＴｏ
ｒｒの条件にて厚さ２００ÅのＳｉＯ２層を形成した
後、その上にＤＣ０．３Ａ、Ａｒガス４０ｃｃ、Ｏ２ガ
ス０．５ｃｃ、圧力４ｍＴｏｒｒの条件にて厚さ２００
０ÅのＩＴＯ膜を形成して、セル基板を得た。なおスパ
ッタリング時に揮発した主成分は水であった。
【００３９】比較例 樹脂基板を加熱脱気処理せずに用いたほかは（揮発成分
含有量１．４９重量％）、実施例１に準じてセル基板を
得た。
含有量１．４９重量％）、実施例１に準じてセル基板を
得た。
【００４０】評価試験 実施例、比較例で得たセル基板におけるＩＴＯ透明導電
膜の表面抵抗を調べると共に、４０℃の２．５重量％Ｎ
ａＯＨに１５０秒間浸漬して取り出し、顕微鏡にて表面
を観察することによりＩＴＯ透明導電膜の密着性を調べ
た。
膜の表面抵抗を調べると共に、４０℃の２．５重量％Ｎ
ａＯＨに１５０秒間浸漬して取り出し、顕微鏡にて表面
を観察することによりＩＴＯ透明導電膜の密着性を調べ
た。
【００４１】前記の結果を次表に示した。 表面抵抗値 密着性 実施例１ ３３Ω／□ 良 好 比 較 例 ３９Ω／□ 剥がれ発生
【図１】実施例の断面図
【符号の説明】 １：樹脂基板 ３：透明導電材の蒸着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ (72)発明者 梅原 俊志 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電 工株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HB13X HC05 HC17 HC18 HD08 JA06 JB03 JC07 JC18 JD08 2H092 HA04 KB05 KB23 KB24 MA05 MA35 MA37 NA25 NA28 PA02 4K029 AA11 AA24 BA50 BC09 BD00 5C094 AA04 AA14 AA15 AA43 AA47 AA60 BA43 DA13 EA05 EB02 FB01 FB02 FB12 FB15 JA01 5G307 FA01 FB01 FC05 FC10
Claims (5)
- 【請求項１】 揮発成分の含有量を０．１重量％以下と
した樹脂基板に、透明電極材からなる蒸着膜を設けてな
ることを特徴とするセル基板。 - 【請求項２】 請求項１において、樹脂基板がエポキシ
系樹脂からなるセル基板。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載のセル基板を用い
てなることを特徴とする液晶セル。 - 【請求項４】 請求項３に記載の液晶セルを用いてなる
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 揮発成分の含有量を０．１重量％以下と
した樹脂基板を減圧下の蒸着室に配置して、蒸着方式に
より透明電極材からなる蒸着膜を樹脂基板上に設けるこ
とを特徴とする電極形成法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11174369A JP2001004985A (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | セル基板、液晶セル、液晶表示装置及び電極形成法 |
| KR1020000033750A KR20010029817A (ko) | 1999-06-21 | 2000-06-20 | 셀 기판, 액정 셀, 액정 디스플레이, 및 전극의 제조 방법 |
| DE10030175A DE10030175A1 (de) | 1999-06-21 | 2000-06-20 | Zellsubstrat, Flüssigkristall-Zelle, Flüssigkristall-Display und Verfahren zur Herstellung einer Elektrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11174369A JP2001004985A (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | セル基板、液晶セル、液晶表示装置及び電極形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001004985A true JP2001004985A (ja) | 2001-01-12 |
Family
ID=15977420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11174369A Pending JP2001004985A (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | セル基板、液晶セル、液晶表示装置及び電極形成法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001004985A (ja) |
| KR (1) | KR20010029817A (ja) |
| DE (1) | DE10030175A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003066423A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 表示素子及びその製造方法 |
| JP2006039331A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 表示素子用プラスチック基板 |
| JP2006284739A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 表示素子の製造方法 |
| CN103995395A (zh) * | 2014-05-16 | 2014-08-20 | 深圳莱宝高科技股份有限公司 | 一种液晶显示屏及制造方法 |
-
1999
- 1999-06-21 JP JP11174369A patent/JP2001004985A/ja active Pending
-
2000
- 2000-06-20 DE DE10030175A patent/DE10030175A1/de not_active Withdrawn
- 2000-06-20 KR KR1020000033750A patent/KR20010029817A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003066423A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 表示素子及びその製造方法 |
| JP4701561B2 (ja) * | 2001-08-22 | 2011-06-15 | 住友ベークライト株式会社 | 表示素子及びその製造方法 |
| JP2006039331A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 表示素子用プラスチック基板 |
| JP2006284739A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 表示素子の製造方法 |
| CN103995395A (zh) * | 2014-05-16 | 2014-08-20 | 深圳莱宝高科技股份有限公司 | 一种液晶显示屏及制造方法 |
| CN103995395B (zh) * | 2014-05-16 | 2018-03-09 | 深圳莱宝高科技股份有限公司 | 一种液晶显示屏及制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010029817A (ko) | 2001-04-16 |
| DE10030175A1 (de) | 2001-06-21 |
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