JPH09145326A - 光ディスク原盤の溝パラメータ測定方法・測定装置、製造方法、及び、現像方法・現像装置 - Google Patents
光ディスク原盤の溝パラメータ測定方法・測定装置、製造方法、及び、現像方法・現像装置Info
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- JPH09145326A JPH09145326A JP32961695A JP32961695A JPH09145326A JP H09145326 A JPH09145326 A JP H09145326A JP 32961695 A JP32961695 A JP 32961695A JP 32961695 A JP32961695 A JP 32961695A JP H09145326 A JPH09145326 A JP H09145326A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 トラックピッチの異なる光ディスク原盤で
も、その溝幅を測定できる光ディスク原盤溝パラメータ
測定方法を提供する。 【解決手段】 光ディスク原盤１の裏面からレーザ光を
照射すると、レジスト表面に形成された所定のピットま
たはグルーブのパターンにより回折光が生じる。その各
次回折光をレジスト表面からの距離Ｌにおかれたライン
センサ１０により検出する。０次回折光と１次回折光の
スポット間距離Ｄを測定し、回折角θ＝ｔａｎ-1(Ｄ／
Ｌ）からトラックピッチを計算する。トラックピッチｐ
はｐ＝λ／ｓｉｎθより求められる。ここで、λはレー
ザ光の波長である。次に、計算したピッチと２次回折光
量と１次回折光量との比より、溝幅ｗを求める。さら
に、求めたトラックピッチｐ、溝幅ｗと、１次回折光量
と０次回折光量との比から溝深さｄを求めることができ
る。
も、その溝幅を測定できる光ディスク原盤溝パラメータ
測定方法を提供する。 【解決手段】 光ディスク原盤１の裏面からレーザ光を
照射すると、レジスト表面に形成された所定のピットま
たはグルーブのパターンにより回折光が生じる。その各
次回折光をレジスト表面からの距離Ｌにおかれたライン
センサ１０により検出する。０次回折光と１次回折光の
スポット間距離Ｄを測定し、回折角θ＝ｔａｎ-1(Ｄ／
Ｌ）からトラックピッチを計算する。トラックピッチｐ
はｐ＝λ／ｓｉｎθより求められる。ここで、λはレー
ザ光の波長である。次に、計算したピッチと２次回折光
量と１次回折光量との比より、溝幅ｗを求める。さら
に、求めたトラックピッチｐ、溝幅ｗと、１次回折光量
と０次回折光量との比から溝深さｄを求めることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク原盤の
溝パラメータ測定方法及び測定装置、光ディスク原盤の
製造方法、光ディスク原盤の現像方法および現像装置に
関する。
溝パラメータ測定方法及び測定装置、光ディスク原盤の
製造方法、光ディスク原盤の現像方法および現像装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来の光ディスク原盤の回折光
検査装置（溝形状測定装置）の一例を説明するための要
部構成図で、図中、１は光ディスク原盤、２はターンテ
ーブル、３はＨｅ−Ｎｅレーザ光源、４はミラー、
５0，５1，５2は光検出器、６は制御手段で、周知のよ
うに、光ディスク原盤１は、ガラス等からなる基板上に
レジストを塗布し、所定の記録情報等のパターンを、レ
ーザ光により露光後、現像することによりレジスト表面
上にパターンを形成したものである。
検査装置（溝形状測定装置）の一例を説明するための要
部構成図で、図中、１は光ディスク原盤、２はターンテ
ーブル、３はＨｅ−Ｎｅレーザ光源、４はミラー、
５0，５1，５2は光検出器、６は制御手段で、周知のよ
うに、光ディスク原盤１は、ガラス等からなる基板上に
レジストを塗布し、所定の記録情報等のパターンを、レ
ーザ光により露光後、現像することによりレジスト表面
上にパターンを形成したものである。
【０００３】次に、上述のようにしてパターンが形成さ
れた光ディスク原盤１をターンテーブル２にのせ、Ｈｅ
−Ｎｅレーザ３を光ディスク原盤１の裏面から照射する
と、レジスト表面に形成されたピット列、あるいはグル
ーブに対応する回折光が生じる。原盤１を透過した０次
回折光、１次回折光、２次回折光をそれぞれ光量検出部
５0，５1，５2により検出する。１次回折光Ｉ1と０次回
折光Ｉ0との比Ｉ1／Ｉ0、２次回折光Ｉ2と１次回折光Ｉ
1との比Ｉ2／Ｉ1を検出し、ピットまたはグルーブを矩
形溝として演算手段によりピット列、あるいはグルーブ
の溝深さ、溝幅を計算する。
れた光ディスク原盤１をターンテーブル２にのせ、Ｈｅ
−Ｎｅレーザ３を光ディスク原盤１の裏面から照射する
と、レジスト表面に形成されたピット列、あるいはグル
ーブに対応する回折光が生じる。原盤１を透過した０次
回折光、１次回折光、２次回折光をそれぞれ光量検出部
５0，５1，５2により検出する。１次回折光Ｉ1と０次回
折光Ｉ0との比Ｉ1／Ｉ0、２次回折光Ｉ2と１次回折光Ｉ
1との比Ｉ2／Ｉ1を検出し、ピットまたはグルーブを矩
形溝として演算手段によりピット列、あるいはグルーブ
の溝深さ、溝幅を計算する。
【０００４】図９は、従来の自動現像装置の一例を示す
要部構成図で、図中、図８に示した溝形状溝測定装置と
同様の作用をする部分には、図８の場合と同一の参照番
号が付してある。まず、ガラス等からなる基板上にレジ
ストを塗布し、所定の記録情報等のパターンを、レーザ
光により露光する。次に、この原盤をターンテーブル２
に真空吸着し、原盤を回転させながら、ノズル７から供
給される現像液８を滴下することにより現像を行う。Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザ３を原盤の裏面から照射すると、レジス
ト表面に形成されたピットまたはグルーブに対応する回
折光が生じる。原盤を透過した０次回折光、１次回折
光、２次回折光をそれぞれ光量検出部５0，５1，５2に
より検出する。０次回折光Ｉ0と１次回折光Ｉ1との比Ｉ
1／Ｉ0はピットまたはグルーブの深さに、一方、１次回
折光Ｉ1と２次回折光Ｉ2との比Ｉ2／Ｉ1はピットまたは
グルーブの幅に依存して変化するため、制御手段６によ
りこの光量比Ｉ1／Ｉ0またはＩ2／Ｉ1を計算し、この比
が既定値に達したら現像液８の滴下を停止し、現像を終
了する。このように、従来は、回折光をモニタすること
によって、ピットまたはグルーブの深さまたは幅を制御
していた。
要部構成図で、図中、図８に示した溝形状溝測定装置と
同様の作用をする部分には、図８の場合と同一の参照番
号が付してある。まず、ガラス等からなる基板上にレジ
ストを塗布し、所定の記録情報等のパターンを、レーザ
光により露光する。次に、この原盤をターンテーブル２
に真空吸着し、原盤を回転させながら、ノズル７から供
給される現像液８を滴下することにより現像を行う。Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザ３を原盤の裏面から照射すると、レジス
ト表面に形成されたピットまたはグルーブに対応する回
折光が生じる。原盤を透過した０次回折光、１次回折
光、２次回折光をそれぞれ光量検出部５0，５1，５2に
より検出する。０次回折光Ｉ0と１次回折光Ｉ1との比Ｉ
1／Ｉ0はピットまたはグルーブの深さに、一方、１次回
折光Ｉ1と２次回折光Ｉ2との比Ｉ2／Ｉ1はピットまたは
グルーブの幅に依存して変化するため、制御手段６によ
りこの光量比Ｉ1／Ｉ0またはＩ2／Ｉ1を計算し、この比
が既定値に達したら現像液８の滴下を停止し、現像を終
了する。このように、従来は、回折光をモニタすること
によって、ピットまたはグルーブの深さまたは幅を制御
していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
回折光検査装置、現像装置では、検出器の位置をある決
まったトラックピッチ（例えば、１.６ｕｍ）に合せて
いたため、現在研究開発されているトラックピッチの狭
い、高密度の光ディスク原盤では回折角が異なるため、
回折光が検出器に入射しない。したがって、トラックピ
ッチが異なる光ディスク原盤を測定、現像する場合には
検出器の位置を調整し、また演算手段も変更しなければ
いけないという問題があった。また、ピットまたはグル
ーブの溝深さが浅くなると１次回折光量Ｉ1と０次回折
光量Ｉ0の光量比Ｉ1／Ｉ0比が小さくなり、精度良く検
出できないという問題があった。さらに、反射回折光を
検出する場合、ピットまたはグルーブが形成されたレジ
スト表面上で発生する回折光はわずかな光量であるため
検出信号のＳ／Ｎが悪く、Ｉ1／Ｉ0比あるいはＩ2／Ｉ1
比を精度良く測定できなかった。
回折光検査装置、現像装置では、検出器の位置をある決
まったトラックピッチ（例えば、１.６ｕｍ）に合せて
いたため、現在研究開発されているトラックピッチの狭
い、高密度の光ディスク原盤では回折角が異なるため、
回折光が検出器に入射しない。したがって、トラックピ
ッチが異なる光ディスク原盤を測定、現像する場合には
検出器の位置を調整し、また演算手段も変更しなければ
いけないという問題があった。また、ピットまたはグル
ーブの溝深さが浅くなると１次回折光量Ｉ1と０次回折
光量Ｉ0の光量比Ｉ1／Ｉ0比が小さくなり、精度良く検
出できないという問題があった。さらに、反射回折光を
検出する場合、ピットまたはグルーブが形成されたレジ
スト表面上で発生する回折光はわずかな光量であるため
検出信号のＳ／Ｎが悪く、Ｉ1／Ｉ0比あるいはＩ2／Ｉ1
比を精度良く測定できなかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、回折
光量を検出することにより基板上に形成されたピットま
たはグルーブの溝パラメータを測定する方法において、
回折光の回折角および回折光の２次光量と１次光量の比
を検出して、上記ピットまたはグルーブのトラックピッ
チおよび溝幅を測定するようにし、もって、トラックピ
ッチの異なる光ディスク原盤でも、その溝幅を測定でき
るようにしたものである。
光量を検出することにより基板上に形成されたピットま
たはグルーブの溝パラメータを測定する方法において、
回折光の回折角および回折光の２次光量と１次光量の比
を検出して、上記ピットまたはグルーブのトラックピッ
チおよび溝幅を測定するようにし、もって、トラックピ
ッチの異なる光ディスク原盤でも、その溝幅を測定でき
るようにしたものである。
【０００７】請求項２の発明は、回折光量を検出するこ
とにより基板上に形成されたピットまたはグルーブの溝
パラメータを測定する方法において、回折光の回折角、
回折光の２次光量と１次光量の比および回折光の１次光
量と０次光量の比を検出して、上記ピットまたはグルー
ブのトラックピッチ、溝幅、溝深さを測定するように
し、もって、トラックピッチの異なる光ディスク原盤で
も、その溝深さを測定できるようにしたものである。
とにより基板上に形成されたピットまたはグルーブの溝
パラメータを測定する方法において、回折光の回折角、
回折光の２次光量と１次光量の比および回折光の１次光
量と０次光量の比を検出して、上記ピットまたはグルー
ブのトラックピッチ、溝幅、溝深さを測定するように
し、もって、トラックピッチの異なる光ディスク原盤で
も、その溝深さを測定できるようにしたものである。
【０００８】請求項３の発明は、回折光量を検出するこ
とにより基板上に形成されたピットまたはグルーブの溝
パラメータを測定する方法において、上記ピットまたは
グルーブの溝深さにより波長の異なる光源で測定するよ
うにし、もって、光ディスク原盤の溝深さによらず、精
度良く回折光量比を検出できるようにしたものである。
とにより基板上に形成されたピットまたはグルーブの溝
パラメータを測定する方法において、上記ピットまたは
グルーブの溝深さにより波長の異なる光源で測定するよ
うにし、もって、光ディスク原盤の溝深さによらず、精
度良く回折光量比を検出できるようにしたものである。
【０００９】請求項４の発明は、回折光量を検出するこ
とにより基板上に形成されたピットまたはグルーブの溝
パラメータを測定する溝形状測定装置において、基板上
のピットまたはグルーブに光を照射する光源と、上記基
板上のピットまたはグルーブからの回折光を検出する検
出手段と、回折光の回折角を検出する検出手段と、上記
検出信号を演算する手段を有し、上記検出手段にライン
センサを用いるようにし、もって、トラックピッチの異
なる光ディスク原盤でも、その溝幅、溝深さを測定でき
るようにしたものである。
とにより基板上に形成されたピットまたはグルーブの溝
パラメータを測定する溝形状測定装置において、基板上
のピットまたはグルーブに光を照射する光源と、上記基
板上のピットまたはグルーブからの回折光を検出する検
出手段と、回折光の回折角を検出する検出手段と、上記
検出信号を演算する手段を有し、上記検出手段にライン
センサを用いるようにし、もって、トラックピッチの異
なる光ディスク原盤でも、その溝幅、溝深さを測定でき
るようにしたものである。
【００１０】請求項５の発明は、基板上にレジスト膜を
形成後、露光、現像することにより所定の形状のピット
またはグルーブを形成する光ディスク原盤製造方法にお
いて、上記基板と上記レジスト膜の間に反射膜を形成す
るようにし、もって、光ディスク原盤からの回折光量を
大きくできるようにしたものである。
形成後、露光、現像することにより所定の形状のピット
またはグルーブを形成する光ディスク原盤製造方法にお
いて、上記基板と上記レジスト膜の間に反射膜を形成す
るようにし、もって、光ディスク原盤からの回折光量を
大きくできるようにしたものである。
【００１１】請求項６の発明は、回折光量を検出するこ
とにより、基板上に露光されたピットまたはグルーブの
現像処理の終点を検出する現像方法において、回折光の
回折角および回折光の２次光量と１次光量の比を検出し
て上記ピットまたはグルーブのトラックピッチ、溝幅測
定し、上記ピットまたはグルーブの溝幅を制御しながら
現像するようにし、もって、トラックピッチの異なる光
ディスク原盤でも、その溝幅を制御しながら現像できる
ようにしたものである。
とにより、基板上に露光されたピットまたはグルーブの
現像処理の終点を検出する現像方法において、回折光の
回折角および回折光の２次光量と１次光量の比を検出し
て上記ピットまたはグルーブのトラックピッチ、溝幅測
定し、上記ピットまたはグルーブの溝幅を制御しながら
現像するようにし、もって、トラックピッチの異なる光
ディスク原盤でも、その溝幅を制御しながら現像できる
ようにしたものである。
【００１２】請求項７の発明は、回折光量を検出するこ
とにより、基板上に露光されたピットまたはグルーブの
現像処理の終点を検出する現像方法において、回折光の
回折角、回折光の２次光量と１次光量の比および回折光
の１次光量と０次光量の比を検出して上記ピットまたは
グルーブのトラックピッチ、溝幅、溝深さを測定し、上
記ピットまたはグルーブの溝深さを制御しながら現像す
るようにし、もって、トラックピッチの異なる光ディス
ク原盤でも、その溝深さを制御しながら現像できるよう
にしたものである。
とにより、基板上に露光されたピットまたはグルーブの
現像処理の終点を検出する現像方法において、回折光の
回折角、回折光の２次光量と１次光量の比および回折光
の１次光量と０次光量の比を検出して上記ピットまたは
グルーブのトラックピッチ、溝幅、溝深さを測定し、上
記ピットまたはグルーブの溝深さを制御しながら現像す
るようにし、もって、トラックピッチの異なる光ディス
ク原盤でも、その溝深さを制御しながら現像できるよう
にしたものである。
【００１３】請求項８の発明は、回折光量を検出するこ
とにより、基板上に露光されたピットまたはグルーブの
現像処理の終点を検出する現像装置において、回折光の
回折角、回折光の２次光量と１次光量の比および回折光
の１次光量と０次光量の比を検出する手段と、上記検出
信号から上記ピットまたはグルーブのトラックピッチ、
溝幅、溝深さを演算する手段を有し、上記検出手段にラ
インセンサを用いることにより、トラックのピッチの異
なる光ディスク原盤でも、その溝幅あるいは溝深さを制
御しながら現像できるようにしたものである。
とにより、基板上に露光されたピットまたはグルーブの
現像処理の終点を検出する現像装置において、回折光の
回折角、回折光の２次光量と１次光量の比および回折光
の１次光量と０次光量の比を検出する手段と、上記検出
信号から上記ピットまたはグルーブのトラックピッチ、
溝幅、溝深さを演算する手段を有し、上記検出手段にラ
インセンサを用いることにより、トラックのピッチの異
なる光ディスク原盤でも、その溝幅あるいは溝深さを制
御しながら現像できるようにしたものである。
【００１４】
〔実施例１〕図１は、本発明による光原盤ディスクの溝
パラメータ測定装置の一例を説明するための要部構成図
で、図中、１０はラインセンサで、その他、図８及び図
９に示した従来技術と同様の作用をする部分には、図８
及び図９の場合と同一の参照番号が付してある。図２
は、本発明による測定手順を説明するためのフロー図
で、光ディスク原盤１の裏面からレーザ光を照射する
と、レジスト表面に形成された所定のピットまたはグル
ーブのパターンにより回折光が生じる。その各次回折光
をレジスト表面からの距離Ｌにおかれたラインセンサ１
０により検出する。０次回折光と１次回折光のスポット
間距離Ｄを測定し、回折角θ＝ｔａｎ-1(Ｄ／Ｌ）から
トラックピッチを計算する。トラックピッチｐはｐ＝λ
／ｓｉｎθより求められる。ここで、λはレーザ光の波
長である。次に計算したピッチと２次回折光量と１次回
折光量との比より、溝幅ｗを求める。さらに、求めたト
ラックピッチｐ、溝幅ｗと、１次回折光量と０次回折光
量との比から溝深さｄを求めることができる。
パラメータ測定装置の一例を説明するための要部構成図
で、図中、１０はラインセンサで、その他、図８及び図
９に示した従来技術と同様の作用をする部分には、図８
及び図９の場合と同一の参照番号が付してある。図２
は、本発明による測定手順を説明するためのフロー図
で、光ディスク原盤１の裏面からレーザ光を照射する
と、レジスト表面に形成された所定のピットまたはグル
ーブのパターンにより回折光が生じる。その各次回折光
をレジスト表面からの距離Ｌにおかれたラインセンサ１
０により検出する。０次回折光と１次回折光のスポット
間距離Ｄを測定し、回折角θ＝ｔａｎ-1(Ｄ／Ｌ）から
トラックピッチを計算する。トラックピッチｐはｐ＝λ
／ｓｉｎθより求められる。ここで、λはレーザ光の波
長である。次に計算したピッチと２次回折光量と１次回
折光量との比より、溝幅ｗを求める。さらに、求めたト
ラックピッチｐ、溝幅ｗと、１次回折光量と０次回折光
量との比から溝深さｄを求めることができる。
【００１５】〔実施例２〕図３に各ピットまたはグルー
ブの溝深さごとに、波長の変化に対する１次光量Ｉ1と
０次光量Ｉ0との比Ｉ1／Ｉ0の変化をシミュレーション
により求めた結果を示す。溝深さが浅くなるとＩ1／Ｉ0
が小さくなるが、光源の波長を短くすることでＩ1／Ｉ0
が大きくなることがわかった。レジスト膜厚５０ｎｍの
光ディスク原盤の溝深さを測定するために波長が４５８
ｎｍであるＡｒレーザを光源にしたところ、Ｉ1／Ｉ0比
を十分に検出できるようになり、測定精度を向上させる
ことができた。溝深さの測定限界は０＜２πＤ／λ≦π
／２（Ｄ＝溝深さ、λ＝光源の波長）で決められるの
で、波長が短い光源だけでは溝深さの測定範囲が狭くな
る。そこで、光ディスク原盤の溝深さに応じて光源の波
長を選ぶことで、溝深さの浅い光ディスク原盤から深い
ものまで精度良く測定できる。
ブの溝深さごとに、波長の変化に対する１次光量Ｉ1と
０次光量Ｉ0との比Ｉ1／Ｉ0の変化をシミュレーション
により求めた結果を示す。溝深さが浅くなるとＩ1／Ｉ0
が小さくなるが、光源の波長を短くすることでＩ1／Ｉ0
が大きくなることがわかった。レジスト膜厚５０ｎｍの
光ディスク原盤の溝深さを測定するために波長が４５８
ｎｍであるＡｒレーザを光源にしたところ、Ｉ1／Ｉ0比
を十分に検出できるようになり、測定精度を向上させる
ことができた。溝深さの測定限界は０＜２πＤ／λ≦π
／２（Ｄ＝溝深さ、λ＝光源の波長）で決められるの
で、波長が短い光源だけでは溝深さの測定範囲が狭くな
る。そこで、光ディスク原盤の溝深さに応じて光源の波
長を選ぶことで、溝深さの浅い光ディスク原盤から深い
ものまで精度良く測定できる。
【００１６】〔実施例３〕以上には、透過回折光による
例について説明してきたが、図４に示すように、ハーフ
ミラー１１を使用して反射回折光を利用するようにして
も測定可能である。この場合は、レジストの反射率が低
いので、図５に示すように、基板１1とレジスト１3の間
に反射膜１2としてＡｌ，Ｃｒ膜を形成することによっ
て、反射回折光の光量を大きくすることができ、精度良
く溝パラメータを測定することができる。なお、１4は
ビット又はグルーブを示す。現像装置に同様の光学系を
用いれば、精度良く溝形状を制御しながら現像できる。
例について説明してきたが、図４に示すように、ハーフ
ミラー１１を使用して反射回折光を利用するようにして
も測定可能である。この場合は、レジストの反射率が低
いので、図５に示すように、基板１1とレジスト１3の間
に反射膜１2としてＡｌ，Ｃｒ膜を形成することによっ
て、反射回折光の光量を大きくすることができ、精度良
く溝パラメータを測定することができる。なお、１4は
ビット又はグルーブを示す。現像装置に同様の光学系を
用いれば、精度良く溝形状を制御しながら現像できる。
【００１７】〔実施例４〕図６は、本発明による現像装
置の一例を説明するための構成図で、ガラス基板上にレ
ジストを塗布し、所定のピットまたはグルーブのパター
ンが露光された光ディスク原盤１にレーザ光を照射しな
がら現像液８を滴下する。現像されると、ピットまたは
グルーブにより、回折光が生じる。実施例１と同様に、
その各次回折光をレジスト表面からの距離Ｌにおかれた
ラインセンサ１０により検出する。０次回折光と１次回
折光のスポット間距離Ｄを測定し、回折角θ＝ｔａｎ-1
(Ｄ／Ｌ）からトラックピッチ計算する。トラックピッ
チｐはｐ＝λ／ｓｉｎθより求められる。ここで、λは
レーザ光の波長である。次に、計算したピッチと２次回
折光量と１次回折光量との比より、溝幅ｗを求める。さ
らに、求めたトラックピッタｐ、溝幅ｗ、１次回折光量
と０次回折光量との比から溝深さｄを求める。
置の一例を説明するための構成図で、ガラス基板上にレ
ジストを塗布し、所定のピットまたはグルーブのパター
ンが露光された光ディスク原盤１にレーザ光を照射しな
がら現像液８を滴下する。現像されると、ピットまたは
グルーブにより、回折光が生じる。実施例１と同様に、
その各次回折光をレジスト表面からの距離Ｌにおかれた
ラインセンサ１０により検出する。０次回折光と１次回
折光のスポット間距離Ｄを測定し、回折角θ＝ｔａｎ-1
(Ｄ／Ｌ）からトラックピッチ計算する。トラックピッ
チｐはｐ＝λ／ｓｉｎθより求められる。ここで、λは
レーザ光の波長である。次に、計算したピッチと２次回
折光量と１次回折光量との比より、溝幅ｗを求める。さ
らに、求めたトラックピッタｐ、溝幅ｗ、１次回折光量
と０次回折光量との比から溝深さｄを求める。
【００１８】図７は、現像中のＩ1／Ｉ0，Ｉ2／Ｉ1の時
間変化を示す図で、溝幅ｗあるいは溝深さｄが既定値に
達したとき制御手段６により現像液８の滴下を停止し、
現像を終了するので、レジストの感度ばらつき、露光レ
ーザパワーのばらつき等を吸収し、安定して適正な形状
のピットまたはグルーブが形成できる。
間変化を示す図で、溝幅ｗあるいは溝深さｄが既定値に
達したとき制御手段６により現像液８の滴下を停止し、
現像を終了するので、レジストの感度ばらつき、露光レ
ーザパワーのばらつき等を吸収し、安定して適正な形状
のピットまたはグルーブが形成できる。
【００１９】
【発明の効果】請求項１の光ディスク原盤の溝パラメー
タ測定方法においては、回折光の回折角、回折光の２次
光量と１次光量の比を検出してトラックピッチ、溝幅を
測定するので、異なるトラックピッチの光ディスク原盤
でも検出器の位置を調整することなく溝幅を測定でき
る。
タ測定方法においては、回折光の回折角、回折光の２次
光量と１次光量の比を検出してトラックピッチ、溝幅を
測定するので、異なるトラックピッチの光ディスク原盤
でも検出器の位置を調整することなく溝幅を測定でき
る。
【００２０】請求項２の光ディスク原盤の溝パラメータ
測定方法においては、回折光の回折角、回折光の２次光
量と１次光量の比および回折光の１次光量と０次光量の
比を検出してトラックピッチ、溝幅、溝深さを測定する
ので、異なるトラックピッチの光ディスク原盤でも検出
器の位置を調整することなく溝深さを測定できる。
測定方法においては、回折光の回折角、回折光の２次光
量と１次光量の比および回折光の１次光量と０次光量の
比を検出してトラックピッチ、溝幅、溝深さを測定する
ので、異なるトラックピッチの光ディスク原盤でも検出
器の位置を調整することなく溝深さを測定できる。
【００２１】請求項３の溝形状測定方法においては、波
長が異なる複数の光源を持っているため光ディスク原盤
の溝深さに応じて回折光の１次光量と０次光量の比が大
きくなる波長を選択できるので、溝深さを精度良く測定
できる。
長が異なる複数の光源を持っているため光ディスク原盤
の溝深さに応じて回折光の１次光量と０次光量の比が大
きくなる波長を選択できるので、溝深さを精度良く測定
できる。
【００２２】請求項４の溝パラメータ測定装置において
は、回折光の回折角、回折光の２次光量と１次光量の比
および回折光の１次光量と０次光量の比をラインセンサ
により検出しているので、異なるトラックピッチの光デ
ィスク原盤でも検出器の位置を調整することなく溝深さ
を測定できる。
は、回折光の回折角、回折光の２次光量と１次光量の比
および回折光の１次光量と０次光量の比をラインセンサ
により検出しているので、異なるトラックピッチの光デ
ィスク原盤でも検出器の位置を調整することなく溝深さ
を測定できる。
【００２３】請求項５の光ディスク原盤製造方法におい
ては、基板とレジストの間に反射膜を形成したので反射
回折光の光量を大きくすることができるので、レジスト
膜厚によらずピットまたはグルーブの溝深さを精度良く
測定することができる。
ては、基板とレジストの間に反射膜を形成したので反射
回折光の光量を大きくすることができるので、レジスト
膜厚によらずピットまたはグルーブの溝深さを精度良く
測定することができる。
【００２４】請求項６の現像方法においては、回折光の
回折角、回折光の２次光量と１次光量の比を検出し、基
板上に形成されたピットまたはグルーブのトラックピッ
チ、溝幅を測定できるので、異なるトラックピッチの光
ディスク原盤でも溝幅の制御をしながら現像できる。
回折角、回折光の２次光量と１次光量の比を検出し、基
板上に形成されたピットまたはグルーブのトラックピッ
チ、溝幅を測定できるので、異なるトラックピッチの光
ディスク原盤でも溝幅の制御をしながら現像できる。
【００２５】請求項７の現像装置においては、回折光の
回折角、回折光の２次光量と１次光量の比および回折光
の１次光量と０次光量の比を検出し、基板上に形成され
たピットまたはグルーブのトラックピッチ、溝幅を測定
できるので、異なるトラックピッチの光ディスク原盤で
も溝深さの制御をしながら現像できる。
回折角、回折光の２次光量と１次光量の比および回折光
の１次光量と０次光量の比を検出し、基板上に形成され
たピットまたはグルーブのトラックピッチ、溝幅を測定
できるので、異なるトラックピッチの光ディスク原盤で
も溝深さの制御をしながら現像できる。
【００２６】請求項８の現像装置においては、回折光の
回折角、回折光の２次光量と１次光量の比および回折光
の１次光量と０次光量の比をラインセンサにより検出し
ているので、異なるトラックピッチの光ディスク原盤で
も溝幅、溝深さの制御をしながら精度良く現像できる。
回折角、回折光の２次光量と１次光量の比および回折光
の１次光量と０次光量の比をラインセンサにより検出し
ているので、異なるトラックピッチの光ディスク原盤で
も溝幅、溝深さの制御をしながら精度良く現像できる。
【図１】 本発明による光ディスク原盤の溝形状測定装
置の一例を説明するための構成図である。
置の一例を説明するための構成図である。
【図２】 本発明による光ディスク原盤の溝形状測定方
法の一例を説明するためのフロー図である。
法の一例を説明するためのフロー図である。
【図３】 各ピットまたはグルーブの溝深さごとに、波
長の変化に対する１次光量Ｉ1と０次光量Ｉ0との比Ｉ1
／Ｉ0の変化をシミュレーションにより求めた結果を示
す図である。
長の変化に対する１次光量Ｉ1と０次光量Ｉ0との比Ｉ1
／Ｉ0の変化をシミュレーションにより求めた結果を示
す図である。
【図４】 本発明による光ディスク原盤の溝形状測定装
置の他の例を説明するための要部構成図である。
置の他の例を説明するための要部構成図である。
【図５】 光ディスク原盤の一例を示す要部拡大構成図
である。
である。
【図６】 本発明による現像装置の一例を説明するため
の要部構成図である。
の要部構成図である。
【図７】 現像中のＩ1／Ｉ0，Ｉ2／Ｉ1の時間変化を示
す図である。
す図である。
【図８】 従来の回折光検査装置（溝形状測定装置）の
一例を説明するための要部構成図である。
一例を説明するための要部構成図である。
【図９】 従来の自動現像装置の一例を示す要部構成図
である。
である。
１…光ディスク原盤、２…ターンテーブル、３…レーザ
光源、４…ミラー、５0，５1，５2…光検出器、６…制
御手段、７…ノズル、８…現像液、１０…ラインセン
サ、１１…ハーフミラー。
光源、４…ミラー、５0，５1，５2…光検出器、６…制
御手段、７…ノズル、８…現像液、１０…ラインセン
サ、１１…ハーフミラー。
Claims (8)
- 【請求項１】 回折光量を検出することにより基板上に
形成されたピットまたはグルーブの溝パラメータを測定
する方法において、回折光の回折角および回折光の２次
光量と１次光量の比を検出して、上記ピットまたはグル
ーブのトラックピッチおよび溝幅を測定することを特徴
とする光ディスク原盤の溝パラメータ測定方法。 - 【請求項２】 回折光量を検出することにより基板上に
形成されたピットまたはグルーブの溝パラメータを測定
する方法において、回折光の回折角、回折光の２次光量
と１次光量の比および回折光の１次光量と０次光量の比
を検出して、上記ピットまたはグルーブのトラックピッ
チ、溝幅、溝深さを測定することを特徴とする光ディス
ク原盤の溝パラメータ測定方法。 - 【請求項３】 回折光量を検出することにより基板上に
形成されたピットまたはグルーブの溝パラメータを測定
する方法において、上記ピットまたはグルーブの溝深さ
により波長の異なる光源で測定することを特徴とする光
ディスク原盤の溝パラメータ測定方法。 - 【請求項４】 回折光量を検出することにより基板上に
形成されたピットまたはグルーブの溝パラメータを測定
する溝形状測定装置において、基板上のピットまたはグ
ルーブに光を照射する光源と、上記基板上のピットまた
はグルーブからの回折光を検出する検出手段と、回折光
の回折角を検出する検出手段と、上記検出信号を演算す
る演算手段を有し、上記検出手段にラインセンサを用い
ることを特徴とする光ディスク原盤の溝パラメータ測定
装置。 - 【請求項５】 基板上にレジスト膜を形成後、露光、現
像することにより所定の形状のピットまたはグルーブを
形成する光ディスク原盤製造方法において、上記基板と
上記レジスト膜の間に反射膜を形成することを特徴とす
る光ディスク原盤製造方法。 - 【請求項６】 回折光量を検出することにより、基板上
に露光されたピットまたはグルーブの現像処理の終点を
検出する現像方法において、回折光の回折角および回折
光の２次光量と１次光量の比を検出して上記ピットまた
はグルーブのトラックピッチ、溝幅測定し、上記ピット
またはグルーブの溝幅を制御しながら現像することを特
徴とする現像方法。 - 【請求項７】 回折光量を検出することにより、基板上
に露光されたピットまたはグルーブの現像処理の終点を
検出する現像方法において、回折光の回折角、回折光の
２次光量と１次光量の比および回折光の１次光量と０次
光量の比を検出して上記ピットまたはグルーブのトラッ
クピッチ、溝幅、溝深さを測定し、上記ピットまたはグ
ルーブの溝深さを制御しながら現像することを特徴とす
る現像方法。 - 【請求項８】 回折光量を検出することにより、基板上
に露光されたピットまたはグルーブの現像処理の終点を
検出する現像装置において、回折光の回折角、回折光の
２次光量と１次光量の比および回折光の１次光量と０次
光量の比を検出する検出手段と、上記検出信号から上記
ピットまたはグルーブのトラックピッチ、溝幅、溝深さ
を演算する演算手段を有し、上記検出手段にラインセン
サを用いることを特徴とする現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32961695A JPH09145326A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 光ディスク原盤の溝パラメータ測定方法・測定装置、製造方法、及び、現像方法・現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32961695A JPH09145326A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 光ディスク原盤の溝パラメータ測定方法・測定装置、製造方法、及び、現像方法・現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09145326A true JPH09145326A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=18223349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32961695A Pending JPH09145326A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 光ディスク原盤の溝パラメータ測定方法・測定装置、製造方法、及び、現像方法・現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09145326A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007309710A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Enshu Ltd | 微細周期性溝の観測方法とその観測装置、微細周期性溝の加工観測方法とその加工観測装置 |
| WO2017138411A1 (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | コニカミノルタ株式会社 | 形状測定方法、形状測定装置、検出方法および検出装置 |
-
1995
- 1995-11-24 JP JP32961695A patent/JPH09145326A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007309710A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Enshu Ltd | 微細周期性溝の観測方法とその観測装置、微細周期性溝の加工観測方法とその加工観測装置 |
| WO2017138411A1 (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | コニカミノルタ株式会社 | 形状測定方法、形状測定装置、検出方法および検出装置 |
| JPWO2017138411A1 (ja) * | 2016-02-08 | 2018-12-06 | コニカミノルタ株式会社 | 形状測定方法、形状測定装置、検出方法および検出装置 |
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