JP2001221617A

JP2001221617A - 段差測定方法、スタンパ製造方法、スタンパ、光ディスク製造方法、光ディスク、半導体デバイス製造方法、半導体デバイス、および段差測定装置

Info

Publication number: JP2001221617A
Application number: JP34755299A
Authority: JP
Inventors: Kajiro Ushio; 嘉次郎潮
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1999-11-30
Filing date: 1999-12-07
Publication date: 2001-08-17

Abstract

(57)【要約】【課題】 AFMで表面に凹凸が形成されている凹凸の段
差を測定すると、プローブで表面を走査するため、測定
に時間がかかる、プローブが破損する度にプローブを交
換する必要がある、測定により被検面表面に傷が付くこ
とがあるという問題がある。本発明は上記問題を解決
し、測定時間を短縮し、消耗品の交換をほとんど必要と
せず、測定により被検物体の表面に傷が付くことがない
段差測定方法を提供する。【解決手段】表面に凹凸が形成されている被検物体の
表面の全体または一部分にプローブ光を照射する段階
と、前記被検物体の表面からの反射光の分光反射率波形
を測定する段階と、前記分光反射率波形と参照波形との
フィッティングを行うことによって、前記凹凸の段差を
算出する段階とを有する段差測定方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク作成用
のスタンパの溝、光ディスクの溝、半導体デバイスのト
レンチ等の被検物体の表面の凹凸の段差を測定する段差
測定方法および段差測定装置、およびスタンパ製造方
法、スタンパ、光ディスク製造方法、光ディスク、半導
体デバイス製造方法、半導体デバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、表面に凹凸が形成されている被検
物体の凹凸の段差の測定には、触針式の表面段差計が多
く用いられていた。そして、光ディスク作成用のスタン
パの溝のようにより微小で、細かい溝等の凹凸の段差測
定には、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope、
以下AFMと称す）等の極微細の走査型プローブ顕微鏡が
測定に用いられている。AFMは、カンチレバー等のプロ
ーブで被検物体の表面を走査することにより、表面の溝
等の凹凸の段差を測定する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、AFM
は、プローブで表面を走査するため、測定に時間がかか
る、プローブが破損する度にプローブを交換する必要が
ある、測定により被検物体の表面に傷が付くことがある
という問題がある。本発明は上記問題を解決し、測定時
間を短縮し、消耗品の交換をほとんど必要とせず、測定
により被検物体の表面に傷が付くことがない段差測定方
法および段差測定装置を提供する。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る段差測定方法は、表面に凹凸が形成さ
れている被検物体の表面の全体または一部分にプローブ
光を照射する段階と、前記被検物体の表面からの反射光
の分光反射率波形を測定する段階と、前記分光反射率波
形と参照波形とのフィッティングを行うことによって、
前記凹凸の段差を算出する段階とを有する（請求項
１）。

【０００５】前記段差測定方法によれば、AFMのように
被検物体の表面でプローブの走査を行うことがないため
測定時間が短縮され、AFMのようにプローブを用いてい
ないため消耗品の交換をほとんど必要とせず、測定に光
を用いているため測定により被検物体の表面に傷が付く
ことがなくなる。また、前記プローブ光の空間コヒーレ
ンス長（可干渉長）が制御可能であることが好ましい
（請求項２）。これにより、パターン間干渉する条件、
もしくはパターン間干渉しない条件を選択することがで
きる。

【０００６】また、前記被検物体の表面のパターン（構
造）の微細度に応じて、前記空間コヒーレンス長を変化
させる段階をさらに有することが好ましい（請求項
３）。これにより、被検物体の表面のパターン（構造）
の微細度に応じてパターン間干渉する条件、もしくはパ
ターン間干渉しない条件を選択することができる。ま
た、前記参照波形が記憶される段階をさらに有すること
が好ましい（請求項４）。これにより、参照波形を記憶
させておくことができる。

【０００７】また、指定された段差間隔で選ばれた複数
の段差に対して前記参照波形を計算することにより求め
る段階をさらに有することが好ましい（請求項５）。こ
れにより、精度良く段差を測定することができる。ま
た、前記空間コヒーレンス長と前記被検物体の表面の前
記パターン（構造）の微細度とを比較する段階と、前記
比較した結果に基づいて光学モデルを決定する段階とを
さらに有し、前記参照波形は前記光学モデルに基づいて
計算されることにより求められることが好ましい（請求
項６）。これにより、被検物体の表面のパターン（構
造）の微細度に合わせて参照波形を計算できるので、精
度良く段差を測定することができる。

【０００８】また、前記フィッティングが前記参照波形
と前記分光反射率波形との相互相関係数を用いて行わ
れ、さらに、前記フィッティングが、前記参照波形のフ
ーリエ変換曲線と前記分光反射率波形のフーリエ変換曲
線との相互相関係数、および前記参照波形のフーリエ成
分と前記分光反射率波形のフーリエ成分の位置と大き
さ、の片方または両方を用いて行われることが好ましい
（請求項７）。これにより、凹凸のパターンによらず、
精度良く段差を測定することができる。

【０００９】また、前記反射光の０次光（正反射成分）
のみを選別し、１次以上の回折光および散乱光を非選別
し、前記選別された０次光のみの分光反射率波形を測定
することことが好ましい（請求項８）。これにより、測
定した段差の値に０次光以外の回折光によるノイズがの
らないため、精度良く段差を測定することができる。ま
た、遮光スリットによって、前記０次光のみを選別し、
前記１次以上の回折光および前記散乱光を非選別するこ
とが好ましい（請求項９）。これにより、段差の測定値
に回折光や散乱光によるノイズ成分が加わることがない
ため、精度良く段差を測定することができる。

【００１０】また、前記遮光スリットのスリットサイズ
が可変であることが好ましい（請求項１０）。これによ
り、段差を測定する凹凸のパターンによらず、反射光か
ら回折光を除去できるので、精度良く段差を測定するこ
とができる。また、前記反射光の２次元分布の測定結果
を基に前記０次光のみを選別し、前記１次以上の回折光
および前記散乱光を非選別することが好ましい（請求項
１１）。これにより、測定した段差の値に０次光以外の
回折光や散乱光によるノイズがのらないため、精度良く
段差を測定することができる。

【００１１】上記課題を解決するため、本発明に係る段
差測定装置は、請求項１から１１の段差測定方法から選
ばれた一つの段差測定方法を用いて段差測定を行う（請
求項１２）。前記段差測定装置によれば、AFMのように
被検物体の表面でプローブの走査を行うことがないため
測定時間が短縮され、AFMのようにプローブを用いてい
ないため消耗品の交換をほとんど必要とせず、測定に光
を用いているため測定により被検物体の表面に傷が付く
ことがなくなる。また、被検物体の表面のパターン（構
造）の微細度に応じてパターン間干渉する条件、もしく
はパターン間干渉しない条件を選択することができる。
また、参照波形を記憶させておくことができる。また、
精度良く段差を測定することができる。また、被検物体
の表面のパターン（構造）の微細度に合わせて参照波形
を計算できるので、精度良く段差を測定することができ
る。また、凹凸のパターンによらず、精度良く段差を測
定することができる。また、測定した段差の値に０次光
以外の回折光や散乱光によるノイズがのらないため、精
度良く段差を測定することができる。また、段差を測定
する凹凸のパターンによらず、反射光から回折光を除去
できるので、精度良く段差を測定することができる。

【００１２】上記課題を解決するため、本発明に係る段
差測定装置は、表面に凹凸が形成されている被検物体の
表面の全体または一部にプローブ光を照射する照射部
と、前記被検物体の表面からの反射光の分光反射率波形
を測定する測定部と、前記分光反射率波形と参照波形と
のフィッティングを行うことによって、前記凹凸の段差
を算出する信号処理部とを有する（請求項１３）。

【００１３】前記段差測定装置によれば、AFMのように
被検物体の表面でプローブの走査を行うことがないため
測定時間が短縮され、AFMのようにプローブを用いてい
ないため消耗品の交換をほとんど必要とせず、測定に光
を用いているため測定により被検物体の表面に傷が付く
ことがなくなる。また、前記プローブ光の空間コヒーレ
ンス長（可干渉長）を制御可能とする空間コヒーレンス
長制御部をさらに有することが好ましい（請求項１
４）。これにより、パターン間干渉する条件、もしくは
パターン間干渉しない条件を選択することができる。

【００１４】また、前記参照波形が記憶される記憶部を
さらに有することが好ましい（請求項１５）。これによ
り、参照波形を記憶させておくことができる。また、前
記参照波形を計算することにより求める計算部をさらに
有することが好ましい（請求項１６）。これにより、計
算することにより参照波形を求めることができる。

【００１５】また、前記計算部は、前記空間コヒーレン
ス長と前記被検物体の表面の微細度との比較結果に基づ
いた光学モデルに基づいて、前記参照波形を計算するこ
とにより求めることが好ましい（請求項１７）。これに
より、被検物体の表面のパターン（構造）の微細度に合
わせて参照波形を計算できるので、精度良く段差を測定
することができる。

【００１６】また、前記信号処理部が、前記参照波形と
前記分光反射率波形との相互相関係数を用いて前記フィ
ッティングを行い、さらに、前記参照波形のフーリエ変
換曲線と前記分光反射率波形のフーリエ変換曲線との相
互相関係数、および前記参照波形のフーリエ成分と前記
分光反射率波形のフーリエ成分の位置と大きさ、の片方
または両方を用いて前記フィッティングを行うことが好
ましい（請求項１８）。これにより、凹凸のパターンに
よらず、精度良く段差を測定することができる。

【００１７】また、前記反射光から０次光のみを選別す
る開口を有する遮光部をさらに有することが好ましい
（請求項１９）。これにより、測定した段差の値に０次
光以外の回折光や散乱光によるノイズがのらないため、
精度良く段差を測定することができる。また、前記遮光
部が遮光スリットであり、該遮光スリットのスリットサ
イズが可変であることが好ましい（請求項２０）。これ
により、段差を測定する凹凸のパターンによらず、反射
光から回折光を除去できるので、精度良く段差を測定す
ることができる。

【００１８】さらに、本発明に係るスタンパ製造方法
は、本発明に係る段差測定方法および／もしくは段差測
定装置を用いてスタンパの表面の凹凸の段差または製造
工程の途中のスタンパの表面の凹凸の段差を測定する工
程を有する（請求項２１）。前記スタンパ製造方法で
は、溝等の凹凸の段差の測定において本発明に係る段差
測定方法および／もしくは段差測定装置を用いているた
め、AFMのようにスタンパの表面でプローブの走査を行
うことがないため測定時間が短縮され、AFMのようにプ
ローブを用いていないため消耗品の交換をほとんど必要
とせず、測定に光を用いているため測定によりスタンパ
の表面に傷が付くことがないので歩留まりが向上する。
これらにより、従来のスタンパ製造方法に比べて低コス
トでスタンパを製造することができる。

【００１９】さらに、本発明に係るスタンパは、本発明
に係るスタンパ製造方法により製造される（請求項２
２）。前記スタンパによれば、本発明に係るスタンパ製
造方法により製造されているので、従来のスタンパ製造
方法に比べて低コストでスタンパを製造することがで
き、スタンパの製造原価を低減させることができる。

【００２０】さらに、本発明に係る光ディスク製造方法
は、本発明に係る段差測定方法および／もしくは段差測
定装置を用いて光ディスクの表面の凹凸の段差または製
造工程の途中の光ディスクの表面の凹凸の段差を測定す
る工程を有する（請求項２３）。前記光ディスク製造方
法では、溝等の凹凸の段差の測定において本発明に係る
段差測定方法および／もしくは段差測定装置を用いてい
るため、AFMのように光ディスクの表面でプローブの走
査を行うことがないため測定時間が短縮され、AFMのよ
うにプローブを用いていないため消耗品の交換をほとん
ど必要とせず、測定に光を用いているため測定により光
ディスクの表面に傷が付くことがないので歩留まりが向
上する。これらにより、従来の光ディスク製造方法に比
べて低コストで光ディスクを製造することができる。

【００２１】さらに、本発明に係る光ディスクは、本発
明に係る光ディスク製造方法により製造される（請求項
２４）。前記光ディスクによれば、本発明に係る光ディ
スク製造方法により製造されているので、従来の光ディ
スク製造方法に比べて低コストで光ディスクを製造する
ことができ、光ディスクの製造原価を低減させることが
できる。

【００２２】さらに、本発明に係る半導体デバイス製造
方法は、本発明に係る段差測定方法および／もしくは段
差測定装置を用いて半導体ウエハの表面の凹凸の段差ま
たは製造プロセスの途中の半導体ウエハの表面の凹凸の
段差を測定する工程を有する（請求項２５）。前記半導
体デバイス製造方法では、溝等の凹凸の段差の測定にお
いて本発明に係る段差測定方法および／もしくは段差測
定装置を用いているため、AFMのように半導体デバイス
の表面でプローブの走査を行うことがないため測定時間
が短縮され、AFMのようにプローブを用いていないため
消耗品の交換をほとんど必要とせず、測定に光を用いて
いるため測定により半導体デバイスの表面に傷が付くこ
とがないので歩留まりが向上する。これらにより、従来
の半導体デバイス製造方法に比べて低コストで半導体デ
バイスを製造することができる。

【００２３】さらに、本発明に係る半導体デバイスは、
本発明に係る半導体デバイス製造方法により製造される
（請求項２６）。前記半導体デバイスによれば、本発明
に係る半導体デバイス製造方法により製造されているの
で、従来の半導体デバイス製造方法に比べて低コストで
半導体デバイスを製造することができ、半導体デバイス
の製造原価を低減させることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態につい
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態による段
差測定装置の概略構成図であり、図２は本発明の第１の
実施の形態による段差測定装置の光学系の概略構成図で
ある。

【００２５】第１の実施の形態による段差測定装置は、
光学系２０、測定する凹凸が表面に形成されている被検
物体６が載置されているステージ２１、および光学系２
０からの電気信号を処理するパソコン２２から構成され
ていて、光学系２０から被検物体６の表面に対してプロ
ーブ光２３が照射されている。第１の実施の形態による
段差測定装置では、プローブ光２３が被検物体６の表面
の一部に照射されているが、被検物体６の表面の全体に
プローブ光２３が照射されていても良い。

【００２６】第１の実施の形態による段差測定装置の光
学系は、白色光源１、レンズ２、３、ビームスプリッタ
ー４、コリメートレンズ５、レンズ７、ミラー８、分光
器１１、および光検出器１２から構成されている。ここ
で、白色光源１としては、公知のタングステンランプ、
メタルハライドランプ、キセノンランプ等の光源が用い
られる。分光器１１としては、公知の回折格子、プリズ
ム等があり、特に限定されないが、回折格子が好ましい
例である。光検出器１２としては、分光器１１により分
光された各波長の光を同時に受光できるように、一次元
方向に分離された複数の受光部を有する、１次元ＣＣＤ
やＭＯＳフォトダイオードアレイ等のラインセンサが好
ましく用いられる。なお、レンズ２と３間に被検物体６
の表面のプローブ光の照射面積を規定するためのスリッ
トを設けても良い。

【００２７】白色光源１、レンズ２、３、およびコリメ
ートレンズ５が、被検物体６の表面の全体または一部に
プローブ光を照射する照射部である。コリメートレンズ
５、ビームスプリッター４、レンズ７、ミラー８、分光
器１１、および光検出器１２が被検物体の表面からの反
射光の分光反射率波形を測定する測定部である。光検出
器１２から出力される電気信号は、パソコン２２へ入力
している。パソコン２２は、凹凸の段差を算出する信号
処理部としての機能を有する。

【００２８】第１の実施の形態では被検物体６として光
ディスク作成用の電鋳スタンパが用いられている。電鋳
スタンパの表面は、凹凸として複数の溝が形成された金
属の面になっている。段差の測定は、以下のように行わ
れる。まず、白色光源１から出射するプローブ光である
白色光は、レンズ２、３とビームスプリッター４を通っ
て、コリメートレンズ５により平行にされ、電鋳スタン
パ６の表面に照射される。これが、段差測定方法のうち
の被検物体の表面にプローブ光を照射する段階である。

【００２９】次に、プローブ光は電鋳スタンパ６の表面
の情報を持った反射光として反射される。反射光は、コ
リメートレンズ５を通り、ビームスプリッター４で反射
し、レンズ７を通り、ミラー８で反射し、分光器（回折
格子）１１により波長分解される。分光された異なった
波長の光は、異なった方向に向かい、ラインセンサ１２
で検出される。分光された反射光に対応する電気信号が
ラインセンサ１２から出力され、パソコン２２へ入力す
る。これらが段差測定方法のうちの被検物体の表面から
の反射光の分光反射率波形を測定する段階である。

【００３０】そして、パソコン２２では分光反射率波形
と参照波形とのフィッティングを行うことによって、凹
凸の段差を算出する。段差の算出方法としては、一定の
段差間隔毎に計算により複数の参照波形を求めておい
て、最も良くフィッティングした参照波形に対応する段
差を測定している凹凸の段差の測定値とする方法があ
る。言い換えると、測定する段差を変数とした参照波形
とのフィッティングにより段差を算出する。参照波形
は、記憶部の機能を有するパソコン２２に記憶させてお
いても良い。これらが、それぞれ、段差測定方法のうち
の分光反射率波形と参照波形とのフィッティングを行う
ことによって凹凸の段差を算出する段階、指定された段
差間隔で選ばれた複数の段差に対して前記参照波形を計
算することにより求める段階、参照波形が記憶される段
階である。なお、参照波形は計算により求めるとした
が、段差が既知の被検物体の分光反射率波形を測定して
おき、それを参照波形として用いることもできる。測定
した段差が既知の被検物体の分光反射率波形を記憶部に
保存しておいても良い。

【００３１】分光反射率波形と参照波形とのフィッティ
ングには、分光反射率波形と上記複数の参照波形との相
互相関係数を演算し、その相互相関係数が最小となる参
照波形に対応する段差を、測定している凹凸の段差の測
定値とする方法が好適である。ここで、相互相関係数は
以下の式で定義される。

【００３２】

【数１】

【００３３】ここで、ｆ（λ）は測定で得られた分光反
射波形を、ｇ（λ）は参照波形を表し、Ｒ_xy（τ）は相
互相関関数の定義式である。相互相関係数はｆ（λ）と
ｇ（λ）とが波長τだけ離れた相互相関関数の値として
定義される。以上の第１の実施の形態では、測定時間が
短く、段差の測定に光を用いているため被検物体に傷が
付くことがなく、交換する頻度の高い消耗部品も必要と
せず、精度良く段差を測定することができる。

【００３４】次に本発明の第２の実施の形態について説
明する。光ディスク作成用の電鋳スタンパでは、通常、
複数の溝が周期的に形成されている。このような場合
は、通常、正反射方向以外に光量的に無視できない回折
光を多数生ずる。図３は電鋳スタンパの表面から回折光
が生ずる方向を示す図である。図３に示すように、ピッ
チ（微細構造周期）ｄおよび照射する光４０の波長λに
よって、以下の式ｄsin θ＝ｎλ （２）により決定する反射方向θにｎ次の回折光４１が生ず
る。ｎ次の回折光の光量の電鋳スタンパの溝による変化
の様子は、他の次数のものと全く異なる。このため、段
差を光学的信号で知るには、どの次数の回折光を測定し
ているかが、わからなければならない。

【００３５】このような、複数の溝が周期的に形成され
ているようなパターン（構造）の測定に際し、常に、一
定次数（１次以上）の回折光のみを測定するという方法
も考えられるが、この方法は様々なパターンへの対応が
困難である。式（２）で示されるように、測定している
パターンの微細構造周期によって回折光の方向θ（回折
光の位置）が異なるため、異なる回折光の方向に対応す
る機構を装置に設けなければならず、構造が複雑なもの
になる。

【００３６】第２の実施の形態においては、０次光（正
反射光）のみを検出する方法をとる。こうすれば、段差
を算出するに際しても、パターンのピッチ（微細構造周
期）による影響を考慮しなくとも良く、計算も簡単にな
る。また、溝のパターンの測定においては、その凹凸に
よる散乱光も０次光以外の成分として無視できないもの
となることがあり、これらもノイズの原因となる。０次
光のみを意図的に選別して測定することで、この散乱光
によるノイズも多くを除くことができる。０次光である
正反射光の方向は、どのようなパターンであっても一定
であるため、光学系も構成しやすい。このような０次光
のみの測定の場合、１次以上の回折光を効率よく除くこ
とが必要で、そのための機構を設ける必要がある。

【００３７】第２の実施の形態による段差測定装置の構
成は、第１の実施の形態による段差測定装置の変形例で
ある。第２の実施の形態による段差測定装置の構成の概
略は、第１の実施の形態と同様である。図４は本発明の
第２の実施の形態による段差測定装置の光学系の概略構
成図である。第１の実施の形態による段差測定装置の光
学系（図２）と同じ構成要素には同じ番号を付した。

【００３８】第１の実施の形態による段差測定装置（図
２）の構成では、パターンからの垂直反射の成分以外の
光でも分光器１１に入る光については検知してしまう。
そこで、図４に示すようにレンズ９、開口を有する遮光
部である遮光スリット１３、レンズ１０を設けることに
より、正反射光以外の回折光をラインセンサ１２に導か
ないようにする。被検物体６からの正反射方向からはず
れた方向の反射光は、スリット１３を通り抜けることが
できないからである。第２の実施の形態による段差測定
装置の光学系のその他の構成要素は、第１の実施の形態
による段差測定装置と同様であるので、説明を省略す
る。

【００３９】第２の実施の形態による段差測定方法で
は、反射光の０次光（正反射成分）のみを選別し、１次
以上の回折光および散乱光を非選別し、選別された０次
光のみの分光反射率波形を測定する。また、上記したよ
うにパターンの微細構造周期によって１次以上の回折光
の出現する位置（方向）は決定される。したがって、上
記のように遮光スリットで回折光をカットする場合、そ
のスリットサイズの許容範囲は、段差を測定する凹凸の
パターンにより異なる。このため、被検物体の段差のパ
ターンによって、このスリットサイズが可変であること
は、好ましい。なお、開口を有する遮光部にはピンホー
ルを用いても良く、その場合、ピンホールサイズが可変
であることは、好ましい。

【００４０】また、上記のように遮光スリットにより回
折光を除去するのではなく、実際に回折光の出現の様子
を、２次元ＣＣＤ等で撮像した画像で観察して、０次光
を受光している画素の信号のみを検出することによっ
て、測定を０次光に限るという方法も好ましい方法であ
る。言い換えると、信号光である反射光を０次から高次
までの回折光を受光するに充分な大きなエリアの２次元
の撮像センサで観察し、０次光を特定して、０次光の部
分のみを測定するという方式である。

【００４１】段差の算出方法は、第１の実施の形態と同
様に行われるので、その説明を省略する。以上の第２の
実施の形態では、被検物体からの反射光から０次光を選
択取得しているため、段差の測定値に回折光や散乱光に
よるノイズ成分が加わることがなく、精度良く段差を測
定することができる。

【００４２】次に本発明の第３の実施の形態について説
明する。第３の実施の形態による段差測定装置の構成
は、第２の実施の形態による段差測定装置の変形例であ
る。第３の実施の形態による段差測定装置の構成の概略
は第２の実施の形態と同様である。図５は本発明の第３
の実施の形態による段差測定装置の光学系の概略構成図
である。第２の実施の形態による段差測定装置の光学系
と同じ構成要素には同じ番号を付した。

【００４３】第３の実施の形態では白色光源１に近接し
て空間コヒーレンス制御部１４が設けられている。空間
コヒーレンス制御部１４としてはスリットサイズが可変
のスリットが好ましく用いられる。その他の構成は、第
２の実施の形態と同様であるので説明を省略する。被検
物体６には第１の実施例と同様に光ディスク作成用の電
鋳スタンパを用いている。ここで、光ディスク作成用の
電鋳スタンパの溝のパターンとコヒーレンス長の関係に
ついて詳しく述べる。

【００４４】電鋳スタンパの溝のパターンは、光学的に
は二次元的に分布した複数の溝のパターン（微細構造）
からなると見なされる。図６はプローブ光が電鋳スタン
パの表面の溝のパターンを複数個照射している概念図で
ある。一般にプローブ光は図６で模式的に示すように、
電鋳スタンパの表面の溝のパターンを複数個照射する。
図６では溝を約４本カバーするよう照射されている。こ
れら照射した各面（凹凸の上の面および下の面）からの
反射光が重ね合わせられて分光器へ到達する。図７は、
電鋳スタンパの表面の溝のパターンの拡大断面図であ
り、各面からの反射光をモデル化している。溝のパター
ンのある部分の段差を、微細構造より大きなスポット
（拡がり）の光を照射して測定しようとすると、スポッ
ト内にある溝のパターンの各面からの反射光の影響を考
慮しなければならない。パターンの基本単位を３４とし
て示す。図７には成分反射光３５が３本示される。空間
コヒーレンス長を３７として示し、これら各成分反射光
３５がパターン間干渉するパターン間干渉領域を３６と
して示す。ここで重要なことは、パターン間（図７中の
横方向）の干渉が起こるかどうかである。

【００４５】このパターン間の干渉が起こるかどうか
は、理論計算において非常に重要であるが、これは、基
本的には測定対象である電鋳スタンパの溝（凹凸）のパ
ターンの微細度と、照射しているスポットの空間コヒー
レント長（可干渉長）に依存する。スポット内のパター
ン（微細構造）の基本単位（溝のピッチ）が、コヒーレ
ント長より短ければ互いに干渉を起こすが、コヒーレン
ト長より長ければ干渉を起こさない。

【００４６】光源の空間コヒーレンス長は、理想的な点
光源では無限長になるが、一般には、すべての光学系で
は有限の長さになる。第３の実施の形態では、この空間
コヒーレンス長を、光学系を変化（光学部材の配置な
ど）させることにより調整可能としている。したがっ
て、測定対象の溝等の凹凸のパターンの微細度との関係
で空間コヒーレンス長を制御することによって、上の理
論計算を適切なものとすることができる。

【００４７】空間コヒーレンス長の制御の一方法とし
て、第３の実施の形態では、空間コヒーレンス制御部１
４により白色光源１の見込み角を可変にする方法を採用
している。光源を見込むＮＡ（開口数）と、波長間にゼ
ルニケの定理と呼ばれる定理があり、空間コヒーレンス長∝０.６１（λ／ＮＡ）の比例関係が成り立つので、このＮＡを変化させること
によって、好ましく空間コヒーレンス長が変えられる。
さらに、具体例としては、上記のように、白色光源１後
の空間コヒーレンス制御部１４であるスリットのスリッ
トサイズを、図６に示す矢印の方向に変化させることに
よって、好ましく空間コヒーレンス長の制御が行えるの
である。

【００４８】図５に戻って、通常の電鋳スタンパの溝の
パターンの測定においては、空間コヒーレンス長を溝の
パターン寸法、即ち溝のパターンの基本単位よりも大き
な値に設定しておくのが好ましい。この条件で実測した
信号光強度は、パターン間（図７中の横方向）の干渉が
起こる条件で理論計算された信号光強度と良く一致す
る。しかしながら、基本単位が数十μｍを超える粗いパ
ターンの場合、白色光源で空間コヒーレンス長を粗いパ
ターンの基本単位よりも充分に大きくすることは、それ
ほど容易ではない。このような粗いパターンの測定の場
合は、逆に干渉しない条件で信号光強度の理論計算を行
う。この場合、実測に当たって、光源は逆にコヒーレン
ス長をパターンの基本単位よりも充分に小さく調整して
おく。このようにすることにより、測定した分光反射率
波形と計算で求めた参照波形を良く一致させることがで
きるので、これも好ましい測定条件である。

【００４９】以上のような、図７中の横方向の干渉が起
こる場合、もしくは図７中の横方向の干渉が起こらない
場合の参照波形は、光の重ね合わせの光学的計算を行う
ことにより算出することができる。段差測定方法は、具
体的には、予めプローブ光の空間コヒーレンス長と測定
対象の溝等の凹凸のパターンの微細度（基本単位の寸
法）を比較し、パターン間干渉する条件であるか、パタ
ーン間干渉しない条件であるかを判定し、判定された条
件で、参照波形を計算するための基となる光学モデルを
決定する。そして、その光学モデルに基づいて測定精度
から決まる段差間隔で選ばれた複数の段差に対して参照
波形を計算し、パソコン２２の記憶部に予め記憶してお
く。これらが、段差測定方法のうちのプローブ光の空間
コヒーレンス長とプローブ光が照射された被検物体の表
面のパターン（構造）の微細度とを比較する段階、前記
比較した結果に基づいて光学モデルを決定する段階であ
り、参照波形の計算は、前記光学モデルに基づいて行わ
れる。空間コヒーレンス長と、被検物体の表面の微細度
との比較に基づいた光学モデルに基づいて参照波形を計
算することにより求める計算部としてパソコン２２を使
用すれば良い。そして、参照波形を計算した後の段差の
算出は、第１の実施の形態と同様に行われる。

【００５０】以上とは異なり、パターン間干渉有り、無
しの中間的状態である部分干渉の条件で、信号光強度の
理論計算を行うのは、比較的困難である。さらにそれ以
上に、このような部分干渉する条件でのコヒーレンス長
に固定的に設定した光学系で測定する場合、パターンの
微細度の僅かな変化に対しても、部分干渉の程度が異な
るので、微細度が僅かに異なるパターンに対して、異な
る部分干渉条件で計算しておく面倒が生じる。したがっ
て、干渉、非干渉の区別を明確につけるために、空間コ
ヒーレンス長をパターンの微細度に応じて可変にするこ
とは、非常に有効である。

【００５１】測定した分光反射率波形と参照波形とのフ
ィッティング方法として、先述した測定した分光反射率
波形と参照波形の相互相関係数のみの比較では、段差を
測定する凹凸のパターンによっては段差の同定が困難な
ことがある。この場合、測定した分光反射率波形と参照
波形の相互相関係数による比較に加えて、参照波形のフ
ーリエ変換曲線と測定した分光反射率波形のフーリエ変
換曲線との相互相関係数の比較を併用することが好まし
く、あるいは、参照波形のフーリエ成分と測定した分光
反射率波形のフーリエ成分の位置と大きさの比較を行う
ことも好ましく、さらにこれらの両方を用いることも好
ましい。

【００５２】このような方法をとる理由は、一般に凹凸
のパターンは形状、微細度が様々な複数のパターンを有
し、段差の測定においてはどのパターンにプローブ光を
照射し、測定しているかの判定が第一に肝要であるから
である。以上の第３の実施の形態では、被検物体の凹凸
のパターンにより光源のコヒーレンス長を調整するた
め、凹凸のパターンが微細構造である場合にも、精度良
く段差を測定することができる。

【００５３】なお、第１、２、３の実施の形態では、被
検物体として光ディスク作成用の電鋳スタンパを例にし
て説明したが、電鋳スタンパ以外の光ディスク作成用の
スタンパの溝の段差、光ディスクの溝の段差、および半
導体デバイスのトレンチ深さ等の測定に本発明に係る段
差測定方法や段差測定装置を適用することができる。な
お、第１、２、３の実施の形態では、被検物体として１
段の段差を有する溝が形成されている光ディスク作成用
の電鋳スタンパを例にして説明したが、凹凸が２段以上
の段差を有する被検物体にも適用できる。その場合は、
例えば２段の段差を有する被検物体の段差測定の場合
は、測定した分光反射率波形と各段差の値を変数とした
２変数の参照波形とのフィッティングを行うことによっ
て段差を算出することができる。

【００５４】なお、第１、２、３の実施の形態では、測
定した分光反射率波形と参照波形とのフィッティングに
より段差を算出しているが、凹凸が比較的単純な構造の
場合は参照波形を使わず、測定した分光反射率波形の極
大値および極小値から段差を計算して求めることもでき
る。次に本発明に係るスタンパ製造方法について説明す
る。

【００５５】図９（ａ）〜（ｅ）は、光ディスク作成用
のスタンパの製造工程を示す断面図である。まず、鏡面
研磨されたガラス原盤１１０上にシランカップリング剤
等のプライマーを表面に塗布した後、フォトレジスト１
１１を塗布し乾燥させる（図９（ａ））。その後、Ａｒ
レーザ光、Ｈｅ−Ｃｄレーザ光、電子ビーム、紫外線、
遠紫外線等の光ビーム１０３によりガイド溝やＲＯＭ情
報、プリフォーマット情報等にしたがって、信号パター
ンを露光し記録する。次に、現像を行い、露光した部分
あるいは未露光部分を除去する（図９（ｂ））。露光部
分が溶解されるようなフォトレジスト１１１としてはポ
ジ型フォトレジスト、未露光部分が除去されるようなフ
ォトレジストとしてはネガ型フォトレジストがそれぞれ
知られており、必要に応じて使い分けられる。このよう
に記録信号が凹状信号となるように形成し、ガラスマス
ター１１２とする。このガラスマスター１１２の表面に
無電解めっき、スパッタ等の方法によりニッケル等の導
電膜１１３を形成し（図９（ｃ））、導通処理した後、
さらにその上に電鋳法によりニッケル電鋳層１１４を形
成する（図９（ｄ））。

【００５６】そして、ガラス原盤１１０からニッケル電
鋳層１１４を剥離することにより記録信号が凸状の金属
スタンパ１１５を作製する（図９（ｅ））。最後に残留
レジストを酸素プラズマや溶剤等で除去してスタンパ１
１５が完成する。そして、本発明の第１、２、３の実施
の形態のいずれかによる段差測定方法もしくは段差測定
装置を用いて、完成したスタンパ１１５の表面の溝等の
凹凸の段差を測定し、段差が設計通りに作製されている
かを確認する。前記では完成したスタンパ１１５の表面
の溝等の凹凸の段差を測定しているが、途中の工程の溝
等の凹凸の段差、例えば、図９（ｃ）に示すガラスマス
ター１１２上の導電膜１１３を形成した後の段差の測定
に本発明の第１、２、３の実施の形態のいずれかによる
段差測定方法および／もしくは段差測定装置を用いても
良い。

【００５７】本発明に係るスタンパ製造方法では、溝等
の凹凸の段差の測定において本発明に係る段差測定方法
および／もしくは段差測定装置を用いているため、AFM
のようにスタンパの表面でプローブの走査を行うことが
ないため測定時間が短縮され、AFMのようにプローブを
用いていないため消耗品の交換をほとんど必要とせず、
測定に光を用いているため測定によりスタンパの表面に
傷が付くことがないので歩留まりが向上する。これらに
より、従来のスタンパ製造方法に比べて低コストでスタ
ンパを製造することができるという効果がある。

【００５８】なお、上記のスタンパ製造方法以外のスタ
ンパ製造方法に本発明に係る段差測定方法および／もし
くは段差測定装置を用いても良い。本発明に係るスタン
パは、本発明に係るスタンパ製造方法により製造され
る。これにより、従来のスタンパ製造方法に比べて低コ
ストでスタンパを製造することができ、スタンパの製造
原価を低減させることができるという効果がある。

【００５９】次に本発明に係る光ディスク製造方法につ
いて説明する。図１０（ａ）、（ｂ）は、光ディスクの
製造工程を示す断面図である。スタンパ１１５を使用し
て、ポリカーボネート等の合成樹脂１１６を用いた射出
成形法（図１０（ａ））や紫外線硬化樹脂を用いた２Ｐ
法により凹状の記録信号を有する光ディスク基板（いわ
ゆるレプリカ）１１７を複製する（図１０（ｂ））。

【００６０】射出成形法では、高温で溶融した状態の合
成樹脂１１６を金型の中へ加圧注入してレプリカを作製
する。一方、紫外線硬化樹脂を用いる方法では、金型に
紫外線硬化樹脂を塗布した後、ガラスもしくは合成樹脂
製の基板を押し付け、紫外線を照射して紫外線硬化樹脂
を硬化させることによってレプリカを作製する。この
後、光ディスク基板１１７の記録信号面上にアルミニウ
ム等の金属反射膜や磁性膜を形成して光ディスクを形成
する。

【００６１】そして、本発明の第１、２、３の実施の形
態のいずれかによる段差測定方法および／もしくは段差
測定装置を用いて、完成した光ディスク基板１１７の表
面の溝等の凹凸の段差を測定し、段差が設計通りに作製
されているかを確認する。前記では完成した光ディスク
基板１１７の表面の溝等の凹凸の段差を測定している
が、途中の工程の溝の段差、例えば、アルミニウム等の
金属反射膜や磁性膜を形成する前のレプリカの溝等の凹
凸の段差の測定に本発明の第１、２、３の実施の形態の
いずれかによる段差測定方法および／もしくは段差測定
装置を用いても良い。

【００６２】本発明に係る光ディスク製造方法では、溝
等の凹凸の段差の測定において本発明に係る段差測定方
法および／もしくは段差測定装置を用いているため、AF
Mのように光ディスクの表面でプローブの走査を行うこ
とがないため測定時間が短縮され、AFMのようにプロー
ブを用いていないため消耗品の交換をほとんど必要とせ
ず、測定に光を用いているため測定により光ディスクの
表面に傷が付くことがないので歩留まりが向上する。こ
れらにより、従来の光ディスク製造方法に比べて低コス
トで光ディスクを製造することができるという効果があ
る。

【００６３】なお、上記の光ディスク製造方法以外の光
ディスク製造方法に本発明に係る段差測定方法および／
もしくは段差測定装置を用いても良い。本発明に係る光
ディスクは、本発明に係る光ディスク製造方法により製
造される。これにより、従来の光ディスク製造方法に比
べて低コストで光ディスクを製造することができ、光デ
ィスクの製造原価を低減させることができるという効果
がある。

【００６４】次に本発明に係る半導体デバイス製造方法
について説明する。図１１は半導体デバイス製造プロセ
スを示すフローチャートである。半導体デバイス製造プ
ロセスをスタートして、まずステップS200で、次に挙げ
るステップS201〜S204の中から適切な処理工程を選択す
る。選択に従って、ステップS201〜S204のいずれかに進
む。

【００６５】ステップS201はシリコンウエハの表面を酸
化させる酸化工程である。ステップS202はCVD等により
シリコンウエハ表面に絶縁膜を形成するCVD工程であ
る。ステップS203はシリコンウエハ上に電極を蒸着等の
工程で形成する電極形成工程である。ステップS204はシ
リコンウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込み工程で
ある。

【００６６】CVD工程、電極形成工程もしくは酸化工程
の後でステップS205に進む。ステップS205はフォトリソ
工程である。フォトリソ工程では、シリコンウエハへの
レジストの塗布、露光装置を用いた露光によるシリコン
ウエハへの回路パターンの焼き付け、露光したシリコン
ウエハの現像が行われる。さらに次のステップS206は現
像したレジスト像以外の部分をエッチングにより削るこ
とによりトレンチ（溝）を形成し、その後レジスト剥離
が行われ、エッチングが済んで不要となったレジストを
取り除くエッチング工程である。このように形成された
トレンチは、トレンチにＳｉＯ₂等の絶縁物を埋め込ん
で半導体デバイス上のトランジスタ（素子）間を電気的
に分離するSTI（Shallow Trench Isolation）技術やキ
ャパシタ容量を増やすためにトレンチ内に形成されたト
レンチキャパシタ等に用いられる。

【００６７】ステップS207は、トレンチ深さ測定工程で
あり、本発明の第１、２、３の実施の形態のいずれかに
よる段差測定方法および／もしくは段差測定装置を用い
て、トレンチの段差が測定される。この工程で段差が設
計通りに作製されているかが確認される。次にステップ
S208で必要な全工程が完了したかを判断し、完了してい
なければステップS200に戻り、先のステップを繰り返し
て、シリコンウエハ上に回路パターンが形成される。ス
テップS208で全工程が完了したと判断されればエンドと
なる。

【００６８】本発明に係る半導体デバイス製造方法で
は、トレンチ（溝）の段差の測定において本発明に係る
段差測定方法および／もしくは段差測定装置を用いてい
るため、AFMのように半導体デバイスの表面でプローブ
の走査を行うことがないため測定時間が短縮され、AFM
のようにプローブを用いていないため消耗品の交換をほ
とんど必要とせず、測定に光を用いているため測定によ
り半導体デバイスの表面に傷が付くことがないので歩留
まりが向上する。これらにより、従来の半導体デバイス
製造方法に比べて低コストで半導体デバイスを製造する
ことができるという効果がある。

【００６９】なお、上記の半導体デバイス製造プロセス
以外の半導体デバイス製造プロセスに本発明に係る段差
測定方法および／もしくは段差測定装置を用いても良
い。本発明に係る半導体デバイスは、本発明に係る半導
体デバイス製造方法により製造される。これにより、従
来の半導体デバイス製造方法に比べて低コストで半導体
デバイスを製造することができ、半導体デバイスの製造
原価を低減させることができるという効果がある。

【００７０】

【実施例】本発明の第３実施の形態による段差測定装置
を用いて、電鋳スタンパの溝の段差の測定を行った。測
定した電鋳スタンパの溝の凸部の幅は０．４μｍ、凹部
の幅は０．４μｍであり、電鋳スタンパの表面の材質
は、ニッケルである。白色光源１のコヒーレンス長をパ
ターン間干渉する条件に調整した。パソコン２２内の計
算部で５ｎｍ間隔で段差が１００ｎｍから３００ｎｍま
での範囲で参照波形を計算して求めた。これらの参照波
形は、パソコン２２内の記憶部に記憶させておいた。パ
ソコン２２の信号処理部でこれらの参照波形と測定した
分光反射率波形の相互相関係数を演算することによりフ
ィッティングを行った。その結果、段差１８０ｎｍの参
照波形で相互相関係数が最小となった。図８は、測定し
た分光反射率波形と段差１８０ｎｍの参照波形のグラフ
である。図８のグラフで横軸は波長、縦軸は反射率であ
り、曲線Ａが測定した分光反射率波形、曲線Ｂが段差１
８０ｎｍの参照波形である。AFMで測定した段差は１８
０ｎｍであり、第３実施の形態による段差測定装置によ
る測定結果と一致した。

【００７１】

【発明の効果】以上の通り、本発明に従えば、電鋳スタ
ンパのように表面に凹凸が形成されている被検物体の段
差測定にあたって、AFMのように被検物体の表面でプロ
ーブの走査を行うことがないため測定時間が短縮され、
AFMのようにプローブを用いていないため消耗品の交換
をほとんど必要とせず、測定に光を用いているため測定
により被検物体の表面に傷が付くことがない段差測定方
法および段差測定装置が得られる。これにより、段差測
定に要する費用が低減するという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による段差測定装置
の概略構成図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態による段差測定装置
の光学系の概略構成図である。

【図３】電鋳スタンパの表面から回折光が生ずる方向を
示す図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態による段差測定装置
の光学系の概略構成図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態による段差測定装置
の光学系の概略構成図である。

【図６】プローブ光が電鋳スタンパの表面の溝のパター
ンを複数個照射している概念図である。

【図７】電鋳スタンパの表面の溝のパターンの拡大断面
図であり、各面からの反射光をモデル化している。

【図８】測定した分光反射率波形と段差１８０ｎｍの参
照波形のグラフである。

【図９】本発明に係るスタンパの製造工程を示す断面図
である。

【図１０】本発明に係る光ディスクの製造工程を示す断
面図である。

【図１１】本発明に係る半導体デバイス製造方法のフロ
ーチャートである。

【符号の説明】

１白色光源２、３、７、９、１０レンズ４ビームスプリッタ５コリメートレンズ６被検物体（電鋳スタンパ）８ミラー１１分光器（回折格子）１２光検出器（ラインセンサ）１３遮光スリット１４スリット２０光学系２１ステージ２２パソコン２３、３８プローブ光３４パターンの基本単位３５各面からの反射光３６パターン間干渉領域３７空間コヒーレンス長４０被検物体の表面を照射する光４１回折光１０３光ビーム１１０ガラス原盤１１２ガラスマスター１１３導電膜１１４ニッケル電鋳層１１５スタンパ１１６合成樹脂１１７光ディスク基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2F065 AA25 BB02 BB03 BB18 CC03 DD06 FF01 FF04 FF41 FF48 FF51 GG02 GG03 GG24 HH04 JJ02 JJ03 JJ25 JJ26 LL00 LL28 LL42 LL46 LL67 NN06 PP12 QQ16 QQ25 QQ29 RR06 4M106 AA01 AB20 BA04 CA48 DH03 DH12 DH31 DH37 DH38 DH39 DJ18 DJ20 DJ21 5D121 AA02 CB08 CB09 GG02 HH09 HH15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に凹凸が形成されている被検物体の表
面の全体または一部分にプローブ光を照射する段階と、前記被検物体の表面からの反射光の分光反射率波形を測
定する段階と、前記分光反射率波形と参照波形とのフィッティングを行
うことによって、前記凹凸の段差を算出する段階とを有
することを特徴とする段差測定方法。
【請求項２】前記プローブ光の空間コヒーレンス長（可
干渉長）が制御可能であることを特徴とする請求項１に
記載の段差測定方法。
【請求項３】前記被検物体の表面のパターン（構造）の
微細度に応じて、前記空間コヒーレンス長を変化させる
段階をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の
段差測定方法。
【請求項４】前記参照波形が記憶される段階をさらに有
することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載
の段差測定方法。
【請求項５】指定された段差間隔で選ばれた複数の段差
に対して前記参照波形を計算することにより求める段階
をさらに有することを特徴とする請求項１から４のいず
れかに記載の段差測定方法。
【請求項６】前記空間コヒーレンス長と前記被検物体の
表面の前記パターン（構造）の微細度とを比較する段階
と、前記比較した結果に基づいて光学モデルを決定する段階
とをさらに有し、前記参照波形は前記光学モデルに基づいて計算されるこ
とにより求められることを特徴とする請求項３から５の
いずれかに記載の段差測定方法。
【請求項７】前記フィッティングが前記参照波形と前記
分光反射率波形との相互相関係数を用いて行われ、さら
に、前記フィッティングが、前記参照波形のフーリエ変
換曲線と前記分光反射率波形のフーリエ変換曲線との相
互相関係数、および前記参照波形のフーリエ成分と前記
分光反射率波形のフーリエ成分の位置と大きさ、の片方
または両方を用いて行われることを特徴とする請求項１
から６のいずれかに記載の段差測定方法。
【請求項８】前記反射光の０次光（正反射成分）のみを
選別し、１次以上の回折光および散乱光を非選別し、選
別された前記０次光のみの分光反射率波形を測定するこ
とを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の段差
測定方法。
【請求項９】遮光スリットによって、前記０次光のみを
選別し、前記１次以上の回折光および前記散乱光を非選
別することを特徴とする請求項８に記載の段差測定方
法。
【請求項１０】前記遮光スリットのスリットサイズが可
変であることを特徴とする請求項９に記載の段差測定方
法。
【請求項１１】前記反射光の２次元分布の測定結果を基
に前記０次光のみを選別し、前記１次以上の回折光およ
び前記散乱光を非選別することを特徴とする請求項８に
記載の段差測定方法。
【請求項１２】請求項１から１１の段差測定方法から選
ばれた一つの段差測定方法を用いて段差測定を行うこと
を特徴とする段差測定装置。
【請求項１３】表面に凹凸が形成されている被検物体の
表面の全体または一部にプローブ光を照射する照射部
と、前記被検物体の表面からの反射光の分光反射率波形を測
定する測定部と、前記分光反射率波形と参照波形とのフィッティングを行
うことによって、前記凹凸の段差を算出する信号処理部
とを有することを特徴とする段差測定装置。
【請求項１４】前記プローブ光の空間コヒーレンス長
（可干渉長）を制御可能とする空間コヒーレンス長制御
部をさらに有することを特徴とする請求項１３に記載の
段差測定装置。
【請求項１５】前記参照波形が記憶される記憶部をさら
に有することを特徴とする請求項１３または１４に記載
の段差測定装置。
【請求項１６】前記参照波形を計算することにより求め
る計算部をさらに有することを特徴とする請求項１３か
ら１５のいずれかに記載の段差測定装置。
【請求項１７】前記計算部は、前記空間コヒーレンス長
と前記被検物体の表面の微細度との比較結果に基づいた
光学モデルに基づいて、前記参照波形を計算することに
より求めることを特徴とする請求項１６に記載の段差測
定装置。
【請求項１８】前記信号処理部が、前記参照波形と前記
分光反射率波形との相互相関係数を用いて前記フィッテ
ィングを行い、さらに、前記参照波形のフーリエ変換曲
線と前記分光反射率波形のフーリエ変換曲線との相互相
関係数、および前記参照波形のフーリエ成分と前記分光
反射率波形のフーリエ成分の位置と大きさ、の片方また
は両方を用いて前記フィッティングを行うことを特徴と
する請求項１３から１７のいずれかに記載の測定装置。
【請求項１９】前記反射光から０次光のみを選別する開
口を有する遮光部をさらに有することを特徴とする請求
項１３から１８のいずれかに記載の段差測定装置。
【請求項２０】前記遮光部が遮光スリットであり、該遮
光スリットのスリットサイズが可変であることを特徴と
する請求項１９に記載の段差測定装置。
【請求項２１】請求項１から１１のいずれかに記載の段
差測定方法および／もしくは請求項１２から２０のいず
れかに記載の段差測定装置を用いてスタンパの表面の凹
凸の段差または製造工程の途中のスタンパの表面の凹凸
の段差を測定する工程を有することを特徴とするスタン
パ製造方法。
【請求項２２】請求項２１に記載のスタンパ製造方法に
より製造されることを特徴とするスタンパ。
【請求項２３】請求項１から１１のいずれかに記載の段
差測定方法および／もしくは請求項１２から２０のいず
れかに記載の段差測定装置を用いて光ディスクの表面の
凹凸の段差または製造工程の途中の光ディスクの表面の
凹凸の段差を測定する工程を有することを特徴とする光
ディスク製造方法。
【請求項２４】請求項２３に記載のスタンパ製造方法に
より製造されることを特徴とする光ディスク。
【請求項２５】請求項１から１１のいずれかに記載の段
差測定方法および／もしくは請求項１２から２０のいず
れかに記載の段差測定装置を用いて半導体ウエハの表面
の凹凸の段差または製造プロセスの途中の半導体ウエハ
の表面の凹凸の段差を測定する工程を有することを特徴
とする半導体デバイス製造方法。
【請求項２６】請求項２５に記載の半導体デバイス製造
方法により製造されることを特徴とする半導体デバイ
ス。