JP6305399B2 - 装置様散乱測定法のオーバーレイターゲット - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
この出願は、次の先願（ｉ）Ｄａｎｉｅｌ Ｋａｎｄｅｌらによる、表題「Ｄｅｖｉｃｅ−Ｌｉｋｅ Ｓｃａｔｔｅｒｏｍｅｔｒｙ Ｔａｒｇｅｔｓ」、２０１２年６月２６日出願の米国特許仮出願第６１／６６４，４５３号、および（ｉｉ）Ｖｌａｄｉｍｉｒ Ｌｅｖｉｎｓｋｉらによる、表題「Ｄｅｖｉｃｅ−Ｌｉｋｅ Ｓｃａｔｔｅｒｏｍｅｔｒｙ Ｏｖｅｒｌａｙ Ｔａｒｇｅｔｓ」、２０１３年３月１５日出願の米国仮出願第６１／７９２，６７４号、の利益を主張し、これらの出願はすべての目的のために、それらの全体を参照することにより、本明細書に援用する。

本発明は、半導体製造工程で使用される、オーバーレイ測定技術に関するものである。より具体的には、本発明は、半導体ウェハースタックの異なる層、または同一層の異なるパターン間の調整誤差を測定する技術に関するものである。

オーバーレイ測定は、一般的に、第１のパターン層が、その上または下に配置された第２のパターン層に対して、いかに正確に整列するか、または第１のパターン層が、同じ層上に配置された第２のパターン層に対して、いかに正確に整列させるかを規定する。オーバーレイ誤差は、通常、加工対象物（例えば、半導体ウェハー）の１つ以上の層上に形成された構造を有する、オーバーレイターゲットによって判定される。構造は、格子の形をとり得、これらの格子は周期的であり得る。２つの層またはパターンが適切に形成されている場合、１つの層またはパターン上の構造は、他の層またはパターン上の構造に対して、整列させられる傾向がある。２つの層またはパターンが適切に形成されていない場合には、１つの層またはパターン上の構造は、他の層またはパターン上の構造に対して、オフセットされる、または正しく整列されない傾向がある。

米国特許出願公開第２０１０／０００５４４２号 米国特許出願公開第２００３／０１５６２７６号

オーバーレイを測定し判定するための、改良されたオーバーレイターゲットならびに技術と装置の必要性が引き続き存在する。

本発明の特定の実施形態の基本的な理解を以下に提供するために、本開示の簡単な概要を提示する。この概要は、本開示の広範な概説ではなく、本発明の主要／重要な要素を特定したり、本発明の範囲を線引きしたりするものではない。この要約の唯一の目的は、本明細書に開示したいくつかの概念を、後に提示するより詳細な説明の前置きとして、簡略化した形態で提示することである。

一般に、本発明の特定の実施形態は、散乱測定法検査工程を容易にするように配置された格子を有するターゲットを含む。格子は、粗ピッチと微細ピッチの２つの縮尺という特徴を有す。微細ピッチは設計規則整合ピッチであり、コースおよび微細格子を含む全格子もまた設計規則整合格子を形成し、そのデューティサイクルは粗ピッチサイズに対応する周期性で変化する。１周期内のこの変化は、連続的または離散的であり得る。

一実施形態では、基板の２つ以上の連続層間、または基板の単一層上の２つ以上の別々に生成されたパターン間のオーバーレイ誤差を検出するための、半導体ターゲットを開示する。ターゲットは、少なくとも、検査ツールによって分解可能なコースピッチを有する複数の第１の格子構造、および第１の格子構造に対して位置する複数の第２の格子構造を含む。第２の格子構造は、コースピッチより小さい微細ピッチを有し、第１および第２の格子構造は両方とも、基板の２つ以上の連続層内、または基板の単一層上の２つ以上の別々に生成されたパターン間に形成される。第１および第２の格子は、すべてが所定の設計規則仕様に適合した特徴寸法を有する。

特定の実装において、コースピッチが第２の格子構造なしでは所定の設計規則仕様に適合し得ない一方で、第２の格子構造が、第１の格子構造のそれぞれの対間に配置されるため、第１および第２の格子構造の複数の間隔は、所定の設計規則仕様に適合する。別の実装では、デューティサイクルは、第１と第２の格子構造間で変化する。別の態様では、第１と第２の格子構造は、異なる限界寸法（ＣＤ）値の複数の値を有する。さらなる態様では、第１の格子構造は、線幅と間隔幅のためのＣＤ値の第１の集合を有し、また第２の格子構造は、線幅と間隔幅のためのＣＤ値の第２の集合を有する。ＣＤ値の第２の集合は、ＣＤ値の第１の集合とは異なる。そのうえさらに別の態様では、ＣＤ値の第１の集合は、コースピッチの周期にわたって変化する。

別の実施形態では、第１および第２の格子構造は、基板の２つ以上の連続層内または基板の単一層上に別々に生成されたパターン間に形成された複数の空孔であり、そのような空孔は、異なる複数のＣＤ値を有する。別の実施形態では、コースピッチは、他の回折次数を最小限に抑えながら、第１および第２の格子からの一次回析を強化するために選択される。さらなる態様では、第１および第２の格子両方が、第１および、第１の層とは異なる第２の層内で形成され、また、ＣＤ値の第１と第２の集合は、散乱測定検査工程中に、第１および第２の両方の層内の、第１および第２の格子から測定された信号の振幅を均一にするために選択されたＣＤ値の部分集合を含む。

別の実施形態において、本発明は、基板の２つ以上の連続層間、および基板の単一層上の２つ以上の別々に生成されたパターン間のオーバーレイ誤差を検出するための、半導体ターゲットを製造する方法に関するものである。本方法は、上記ターゲットの１つ以上を形成することを含む。

別の実施形態において、本発明は、基板の２つ以上の連続層間、または基板の単一層上の２つ以上の別々に生成されたパターン間のオーバーレイ誤差を検出する装置に向けている。当該装置は、検査装置によって分解可能なコースピッチを有する複数の第１の格子構造および第１の格子構造に対して位置し、前記コースピッチより小さい微細ピッチを有する第２の格子構造を有するオーバーレイターゲットから、散乱測定信号を取得するための少なくとも散乱測定モジュールを含み、ここにおいて第１および第２の格子構造は両方が基板の２つ以上の連続層内または基板の単一層上の２つ以上の別々に生成されたパターン間に形成される。本装置はさらに、当該ターゲット内部のオーバーレイ誤差を判定するために取得した散乱測定信号を解析するように構成されたプロセッサを含む。特定の実装では、散乱測定モジュールは、オーバーレイターゲットをわたって放射線を走査するように配向された、対物レンズおよび対物レンズとオーバーレイターゲットとの間に位置する固浸レンズを含む、照明モジュールと、オーバーレイターゲットをわたって走査された放射線に反応してオーバーレイターゲットから散乱した散乱測定信号を検出するように配向された１つ以上の検出器と、を含む。一態様では、固浸レンズは、平面の前面を有する無収差レンズである。

本発明のこれらおよび他の特徴は、次の本発明の実施形態の明細書、および本発明の原理を例として図解する添付図の中で、より詳細に提示することになる。

設計基準に適合しない寸法を有する散乱測定オーバーレイ（ＳＣＯＬ）ターゲットの格子の上面図の表示表現である。 設計基準に適合した微細セグメント、および設計基準に適合しないコースセグメントの格子の上面図の表示である。 本発明の第１の実施形態に従った装置様ＳＣＯＬターゲットの図表示である。 本発明の一実施形態に従って、どのように標準の大きなピッチの格子を装置様ＳＣＯＬ格子に変換し得るかを示す第１の例を図解している。 本発明の別の実施形態に従って、どのように標準の大きなピッチの格子を装置様ＳＣＯＬ格子に変換し得るかを示す第２の例を図解する。 本発明の一実施形態に従ってパターン化され、最下層Ｌ１からの所定のオフセット量＋ｆによってオフセットされパターン化された最上層Ｌ２の側面図の図解である。 本発明の一実施形態に従ってパターン化され、最下層Ｌ１からの所定のオフセット量＋ｆおよびオーバーレイ誤差＋εによってオフセットされパターン化された最上層Ｌ２の側面図の図解である。 本発明の一実施形態に従ってパターン化され、最下層Ｌ１からの所定のオフセット量―ｆによってオフセットされパターン化された最上層Ｌ２の側面図の図解である。 本発明の一実施形態に従ってパターン化され、最下層Ｌ１からの所定のオフセット量―ｆおよびオーバーレイ誤差＋εによってオフセットされパターン化された最上層Ｌ２の側面図の図解である。 本発明の一実施形態に従ってオーバーレイ誤差を判定する手順を図解したフローチャートである。 本発明の装置様ＳＣＯＬターゲットを測定し得る測定システムの図表示である。 本発明の代替実施形態に従った、異なる形状を有する空孔の複数から形成された装置様ターゲットを図解している。 異なる層内に設計様格子を有する積層の、図式的側面図である。 装置様ターゲット格子に追加された追加のＣＤの関数としての強度を図解したグラフである。

本発明の特定の実施形態について、これから詳細に言及する。この実施形態の例は、添付図で図解する。本発明は、この特定の実施形態と連動して説明することになるが、本発明を一実施形態に限定することを意図するものではないことが理解されるであろう。それどころか、添付請求項によって規定した本発明の精神および範囲内に含まれ得る代替物、改変物、および等価物を包含することを意図している。本発明の完全な理解を提供するために、以下の説明、多数の特定の詳細を記述する。本発明は、これらの特定の詳細の一部またはすべてがなくとも実践し得る。他の例において、周知の工程操作は、本発明を不必要に曖昧にしないために、詳細には説明していない。

散乱測定法オーバーレイ（ＳＣＯＬ）ターゲットは、２つの異なる製作層または同じ層の２つの別々に生成されたパターンにおいて形成された２つの格子を含み得る。当該格子間の整列を測定するために、入射光はＳＣＯＬ格子から散乱し得、さらにスペクトルは散乱光に基づいてＳＣＯＬ格子から測定して入手し得る。２つの格子から測定されたスペクトルは、その後、本明細書にさらに記載したように、オーバーレイ誤差を判定するために使用し得る。

現在のＳＣＯＬターゲットは、４００ｎｍと同じ大きさの特徴または間隔を含み得る非設計規則ターゲットである。標準的なＳＣＯＬターゲットは、それぞれが少なくとも２つの格子（層のそれぞれのうちの１つが測定されなければならない）を含むいくつかのセルを有する。これらの層の１つの中の格子１００の平面図を図１に図解する。この格子は、設計規則に適合しない寸法を有する。例えば、このターゲット１００内の特徴または間隔の標準的なサイズは、サイズが数十ナノメートルである設計規則特徴とは対照的に、数百ナノメートルであり得る。

図２に図解したように、ＳＣＯＬターゲットの特徴は、より良好なプロセス互換性のためにセグメント化され得る。例えば、図２のＳＣＯＬターゲット２００は、装置の本設計規則に類似した数十ナノメートル程度の微細セグメント化ピッチ２０２を有する。しかしながら、ＳＣＯＬターゲット２００はかかるセグメント化ターゲット内に、設計規則整合でない、例えば数百ナノメートルのサイズを有する、間隔２０４もまた含む。したがって、このセグメント化ＳＣＯＬターゲット２００はなお、対応装置と同じオーバーレイを必ずしも有さず、かかるオーバーレイはプロセス効果ゆえに歪められ騒音ともなり得る。

本発明の特定の実施形態は、すべてが設計規則の所定の集合を満たす特徴寸法を有する格子を有するターゲットを提供する。図３は、本発明の第１の実施形態に従った、ＳＣＯＬターゲット３００の図表示である。図示したように、ＳＣＯＬターゲットは、所定の設計基準に適合したそれぞれが高密度に密集した特徴で満たされた間隔を有する分離された特徴（例えば、３０６ａ、３０６ｂ、および３０６ｃ）間の、コースピッチ３０４を含む。例えば、高密度の特徴３０８ａ〜３０８ｄは、分離された特徴３０６ａと３０６ｂとの間に配置されているので、コースピッチおよび高密度に密集した特徴（微細ピッチで満たされた）は、すべてが設計規則に適合する。

全ターゲット格子（例えば、格子は粗ピッチサイズに対応する周期性で変化するデューティサイクルを有する）についてと同様に、デューティサイクルは高密度特徴と分離された特徴との間で（またはそれらをわたって）変化し得る。微細ピッチは、光学ツールによって分解されないので、光装置は６００ｎｍよりも大きくあり得る粗ピッチのみを見ることになる。このターゲット３００において（図１および２のターゲットとは対照的に）、すべての特徴幅と間隔は、数十ナノメートルの規模のサイズを有する設計規則に適合していることに留意する必要がある。

図４は、標準の大きな格子４０１が、本発明の一実施形態に従って、どのようにして装置様ＳＣＯＬ格子４０３に変換され得るのかを図解している。この実施例では、ＣＤの完全な分布よりも、むしろ限界寸法（ＣＤ）の２つの値を使用している。この実施形態では、装置様格子４０３の分離された格子構造４０４ａ〜４０４ｄは、大きなピッチ構造、例えば、格子４０１の４０２ａ〜４０２ｄに対応する位置で形成し得る。

図示したように、生じた装置様ＳＣＯＬターゲット４０３は、線幅と間隔のためのＣＤ値の第１の集合を有する分離された構造４０４ａ〜４０４ｄを含む。装置様ＳＣＯＬ４０３はまた、各分離構造間の線幅と間隔のためのＣＤ値の第２の集合を有する高密度構造も含む。例えば、高密度構造は、分離構造４０４ａと４０４ｂとの間の間隔４０６内に位置される。

線（または他の周期的構造）の間の間隔は、ＣＤの変動の代わりに装置様ＳＣＯＬターゲットの有効な粗ピッチを生成するために使用され得る。その上、ＣＤおよび間隔寸法の両方は、図５の装置様ＳＣＯＬ格子５００に図解したように粗ピッチ内で変動し得る。

同じ原理は、１つまたは２つの方向において比較的大きな粗ピッチを有する設計規則に適合した２Ｄ格子（例えば、空孔）の適切な種類を生成するために使用し得る。一実施形態によれば、ターゲットに含まれる構造は、例えば、線、グリッド、長方形、正方形、曲線、曲線形状、円形、円筒形状、円錐形状、または前述の組合せを含む様々な構成および形状に体系化し得る。構造のこのような構成は、ターゲット内部の様々な場所に配置し得、ターゲットへの電磁放射入射に対し、様々な角度を描写し得る。例えば、構造体の集合は、放射光線に平行になった集合、またはターゲットへのビーム入射の伝播の方向に垂直な平行線の集合として体系化し得る。別の場合には、平行線の集合として体系化された構造は、入射放射線に対し、おそらく４５度の角度で鋭角に配置し得る。このような構成は、ｘおよびｙ方向の両方におけるオーバーレイの測定を容易にし得、その結果、追加のオーバーレイのパターンまたは測定の必要性を低減する。あるいは、入射放射線は、当該構造を含むまたは当該構造を定義する平行線のうちの少なくともいくつかに実質的に平行に向けられ得る。この技術は、試料を回転させずに、ｘおよびｙのオーバ−レイ測定を行うことを可能にする。

さらに、すべての適切なコースピッチオーバーレイターゲットは、装置様ターゲットに変換し得る。例えば、２００６年６月２７日に取得された米国特許第７，０６８，８３３号に記載されているＧｈｉｎｏｖｋｅｒらによる周期的構造のあらゆるものが、当該特許の任意の周期的画像分解可能構造間に高密度な周期的構造を形成することにより装置様格子に変換され得る。当該特許、米国特許第７，０６８，８３３号は、その全体を参照することにより本明細書に援用する。生じた装置様ターゲットが低コントラストの検出信号を生じさせることが期待される場合、低コントラストを信号測定中に補正するために、より小さな先行周波数帯域幅を使用し得る。

一実施形態では、装置様ターゲットは、ＣＤおよび間隔の合計を一定に、例えば３０〜１５０ｎｍの値に、保ちながら（概してこの値は設計規則内に留まるのに十分小さければよいだけで一定でなくてもよい）変動するＣＤ（例えば空孔幅）を有する複数の空孔から形成され得る。デューティサイクルは、測定可能な粗ピッチを判定する２００〜１５００ｎｍの周期で変化し得る。周期性と空孔ＣＤは、ｘおよびｙについて異なり得る。

異なる層の粗ピッチは、同一である必要はない。例えば、装置線ＳＣＯＬターゲット内の層の１つは、他が１００ｎｍの粗ピッチを有する一方で（例えば、ターゲット周期は５００ｎｍである）、５００ｎｍの粗ピッチを有し得る。また、空孔の形状は、同一である必要はない。長方形の空孔、円形の空孔、または線は、同じターゲットの一部であり得る。図９は、本発明の代替的な実施形態に従った異なる形状を有する複数の空孔から形成された装置様ターゲットを図解している。

装置様格子は、半導体ウェハーのように、試料の２つの異なる層内にまたは試料の同一層内の２つの別々に生成されたパターン内に、形成し得る。２つの層、または同一層内に別々に生成されたパターン間のオーバーレイは、任意の適切な方法で判定し得る。一ＳＣＯＬ技術では、互いに対して所定のオフセットを有する２つの装置様格子は、２つの異なる層内に形成し得る。オフセット量は、通常は選択されるので、オーバーレイは、算出した理論的なまたは較正のデータを使用することなく、当該ターゲット格子から測定したスペクトルから判定し得る。以下の実施例では、各層の格子は、オーバーレイ判定の説明を簡略化するために、ＣＤパラメータの単一集合を有する格子構造を含むために簡略化する。しかしながら、異なるＣＤパラメータを有する異なる格子構造は、ターゲットの各層を形成し得る。例えば、異なるＣＤ線幅を有する他の格子構造は、図解した格子構造間に形成し得る。

図６（ａ）は、本発明の一実施形態に従って最下層Ｌ１からの所定のオフセット量＋ｆでオフセットされる最上層Ｌ２の側面図の図解である。各層Ｌ１およびＬ２は、構造の集合にパターン化される。構造は、線、溝、または接点の列、もしくは他の種類の構造などの、いかなる格子特徴も含み得る。構造は、半導体デバイスの特徴に類似するように設計され得る。構造はまた、異なる特徴の組合せからも形成し得る。さらに構造は、例えば、試料のすべての層内、もしくは、部分的にまたは完全に試料の層内にある試料の最上層の試料の任意の層に位置し得る。図６（ａ）の図解された実施形態では、層Ｌ１は、層Ｌ２が完全な構造６０２ａ〜ｃを含んだまま、完全な構造６０４ａ〜ｃを含む。

図示したように、最上層Ｌ２の構造は、最下層Ｌ１の構造からの量＋ｆによってオフセットされる。２つのオフセット層の構造は、隣接する層内部に位置し得、または２つのオフセット層間内に位置する層のいかなる適切な数と種類も有し得る。図６（ａ）はまた、パターン化された層Ｌ１、Ｌ２、およびそれらに対応する構造との間の３つの薄膜Ｔ１、Ｔ２とＴ３も示している。２つの層の間に構造を有するすべての他の層が存在する限り、これらの他の層は、構造を有する層間の放射線の伝播を可能にするために、電磁放射のための少なくとも最小限度の伝送を示す。介在層が不透明な場合、これらの層は、通常、その地形から反射された放射線の測定を可能にするために、最下格子によって誘導された最小限度の地形を有することになる。

図６（ｂ）は、本発明の一実施形態に従ってパターン化された最下層Ｌ１からの所定のオフセット量＋ｆおよびオーバーレイ誤差＋εによってオフセットされパターン化された最上層Ｌ２の側面図の図解である。図６（ｃ）は、本発明の一実施形態に従ってパターン化された最下層Ｌ１からの所定のオフセット量−ｆによってオフセットされパターン化された最上層Ｌ２の側面図の図解である。図６（ｄ）は、本発明の一実施形態に従ってパターン化された最下層Ｌ１からの所定のオフセット量−ｆおよびオーバーレイ誤差＋εによってオフセットされパターン化された最上層Ｌ２の側面図の図解である。

本明細書に記載した装置様ターゲットのオーバーレイを判定するために、いかなる適切な技術も使用し得る。一実施形態では、装置様ターゲットは、セルから成っている。各セルは、各セルが当該各セルの第１および第２の格子構造間で所定のオフセット量を有する場合、少なくとも第１の工程によって形成された第１の格子構造、および第２の工程によって形成された第２の格子構造を含む。異なるセルの第１および第２の格子構造は、同一または異なる所定のオフセット量を有し得る。例えば、各セルの各所定オフセット量は、各セルから散乱され測定された放射線を表す周期関数から約分するように、１つ以上の項を選択し得る。各セルの散乱放射線は、例えば、未知のオーバーレイ誤差を含む複数の未知のパラメータを有する周期関数で表し得、未知のオーバーレイ誤差は、複数のセルのための複数の周期関数の解析に基づいて判定する。

図７は、本発明の一実施形態に従ってオーバーレイ誤差を判定する手順７００を図解するフローチャートである。初めに、操作７０２では、１つ以上の散乱スペクトルは、所定のオフセット量を有するそれぞれのセル（または、それぞれのサブセル）から測定する。例えば、入射放射ビームは、当該構造から散乱された放射線を測定するために所定のオフセット量を有するセル構造のそれぞれに（または、それぞれのセルのそれぞれのサブセル構造に）向けられている。測定は、測定システムの能力に応じて、順次または同時に、実行し得る。入射ビームは、レーザー、発光ダイオード（ＬＥＤ）、または広帯域放射などの電磁放射のすべての適切な形態であり得る。

本発明の散乱測定技術は、オーバーレイターゲットから得た複数のセルまたはサブセルから測定されたスペクトルまたは散乱放射線を利用するものとして説明したが、本発明の技術を実践するために、測定可能な信号のいかなる適切な種類も使用し得る。実施例の信号は、Ψ、Δ、Ｒｓ（ｓ分極の複素反射率）、Ｒｐ（ｐ分極の複素反射率）、Ｒｓ（｜ｒ_ｓ｜^２）、Ｒｐ（｜ｒ_ｐ｜^２）、Ｒ（分極されていない反射率）、α（分光「アルファ」信号）、β（分光「ベータ」信号）、およびタンジェント（Ψ）、コサイン（Δ）、（［Ｒｓ―Ｒｐ］／［Ｒｓ＋Ｒｐ］）などのこれらのパラメータの関数を含む分光解析法または反射率測定信号を含むいかなる種類も含むが、これらに限定されない。信号は、代替的または追加的に、入射角、検出角度、分極、入射の方位角、検出方位角、角度分布、位相、または波長、もしくはこれらのパラメータの１つ以上の組み合わせの関数として、測定され得る。信号はまた、上述の解析法、および／または反射率測定信号の種類のいずれかの複数の平均値などの信号の組合せの特性でもあり得る。信号は、強度値（複数可）、または強度値の組み合わせ（例えば、平均値または加算値）などの代替的に１つ以上の信号（複数可）の特性の形態をとり得る。他の実施形態は、信号の少なくとも１つが、複数の波長の代わりに単一の波長で入手され得る場合、単色のまたはレーザーの光源を、使用し得る。

光学システムおよびオーバーレイを判定するために、散乱測定信号を測定する方法の実施例は、Ｍｉｅｈｅｒらによる２００７年１１月２０日に取得された米国特許番号第７，２９８，４８１号に見出し得、この特許はその全体を参照することにより本明細書に援用する。オーバーレイ誤差を判定する適切な測定システムおよびそれらの使用のさらなる実施形態は、この第７，２９８，４８１号特許にさらに記載されている。

各ターゲットからの測定を得た後、各測定されたスペクトルまたは信号（または、サブセルスペクトルの集合）は、次に、操作７０４において、フーリエ級数などの周期関数で表し得る。この関数では、１つ以上の項が、所定のオフセット量に部分的に起因してオフセットし得る。

表現関数はその後、操作７０６において、オーバーレイ誤差εを判定するために解析し得る。例えば、複数の周期関数はそれぞれが未知のオーバーレイ誤差を含む複数の未知数を含み、これらの周期関数は、未知のオーバーレイ誤差を判定するために使用され得る。セル（または、サブセル）から測定したスペクトルは、１つ以上の層内に少なくとも部分的に配置した構造のオーバーレイを判定するために使用し得るが、単一層内に実質的に配置した構造のオーバーレイを判定するためにも使用し得る。

次に、測定したオーバーレイ誤差が、操作７０８において仕様外であるかどうかを判定し得る。オーバーレイ誤差が著しくない場合（所定値以上）、ターゲットは操作７１０において、仕様内であることを判定し得る。例えば、異なる層構造間には、最小限のオーバーレイ誤差が存在しないことを判定し得る。

オーバーレイ誤差が仕様外である場合、ターゲットは次に、操作７１２において、仕様外であると判定され得る。つまり、構造の２つ以上の層間に著しいオーバーレイ誤差が存在する、ということである。著しいオーバーレイ誤差を見出したときは、ダイを廃棄または修理し得る。工程が仕様外の場合、問題を緩和するために、多くの技術を実施し得る。第１の技術では、仕様外の工程を補償するために、後続の工程を調整し得る。さらなるまたは別の技術では、フォトレジストパターンがどの部位でも正しく整列されていないと判定された場合、フォトレジストは次に、位置ずれを除去するために、補正したパターンにおいて、剥ぎ取って再適用し得る。

本明細書に開示されたターゲットは、すべての標準ＳＣＯＬ装置によって測定され得る。例えば、このような装置様ターゲットは、分光反射率計または偏光解析器を使用して、または瞳孔結像を有する角度分解散乱計を使用して、測定され得る。一実装実施例では、他の異なる回折次数が検出、解析されていないうちに、特定の回折次数（標準的には０次または一次）を測定し得る。いくつかの実施形態では、開示したターゲットは、０次または一次で測定し得るが、一次を使用することが有益となる。これらのターゲットからの０次の反射を測定することは、オーバーレイに対して非常に無感覚になり得る。第１の次数の回折は弱くあり得るが、オーバーレイに対する感度は一般的に高いものである。最適な測定モードは、＋１と−１の次数のみを測定するため、レーザーのような非常に明るい光源を使用し得る。また、検出器の極端な飽和を回避するために、０次反射が検出器に到達する前に、それを阻止することも有益であり得る。

一次の測定のために、図３のターゲット３００は、例えば、他の回折次数を最小限に抑えながら、格子からの一次回折を増強するために最適化された粗ピッチ内部の特徴サイズの従属条件で使用し得る。この構成は、測定の正確さと精度を増強し得る。

ＳＣＯＬターゲットのために、収集瞳孔によって捕捉される（粗ピッチと照明波長により判定される）回折次数上の対照は、より高い回折次数、および異なる配向と次数（例えば、ｘ内の一次はｙ内の一次に結合している）との間の結合も使用する解析アルゴリズムを有効にし得る。この技術は例えば、意図したオーバーレイ内のｘとｙにおいて、同時に異なる２Ｄ格子を有する（空孔格子のような）２つのセル（または１つのセルでも）ターゲットのために使用し得る。必要に応じて、異なる測定条件（分極、波長等）を使用することにより得た情報と組み合わせることにより、この小さなターゲットは、オーバーレイ誤差に関する同一またはより多くの情報を提供し得る。

一次散乱測定法は、異なる層の異なる回折効果に起因した関連する精度劣化を有し得る。通常は、例えば、上部レジスト層から得た一次回折次数の振幅は、下部プロセス層から得た一次回折次数の振幅より著しく大きい。瞳孔内の対応する回折次数のさらなる干渉もまた、大きなＤＣおよびＯＶＬ情報を含む信号の比較的小さな振幅をもたらし得る。この問題を克服するために、装置様ターゲットは、より大きな回折効率を有する層（通常は上位層）に対応する回折次数の振幅を効果的に低減するために設計し得る。

図１０Ａは、ピッチＰおよび第１の限界寸法ＣＤ１を有する初期設計格子（例えば１００２ａ）を伴う、酸化物などの下部プロセス層を含む積層１００１ａ、ならびに、同じＰおよびＣＤ１を有する初期設計格子（例えば１００４ａ）を伴う、フォトレジストなどの上部プロセス層を含む積層１００１ｂの図表側面図である。追加の格子（例えば、１００２ｂおよび１００４ｂ）は、各初期設計に追加し得、そのような追加の格子は、初期格子と同じピッチ、および一例として、半減期上の関連する原格子に偏移された異なる限界寸法ＣＤ２を有し得る。

図１０Ｂは、装置様ターゲット格子に追加された追加のＣＤ格子の関数としての強度を図解したグラフである。図示したように、層格子の一次回折次数の強度振幅は、ＣＤ２＝０のとき、１．０（１００％）に集合される。その上、ゼロの一次回折次数の振幅は、ＣＤ２＝ＣＤ１に一致する。よって、０＜ＣＤ２＜ＣＤ１のとき、一次の振幅は、ＣＤ２の変化、例えば、Ｒ〜約１００％^＊（ＣＤ１−ＣＤ２）／ＣＤ１で、単調に変化する。固有の積み重ねのＲＣＷＡ（厳密な波結合された解析）をベースとしたシミュレーションの結果を例にとったものを、図１０Ｂに示す。従って、固有のＣＤ２値は、対応する層格子（例えば、上層）の振幅を低下させるために選択し得るので、すべての層格子からの振幅は等しくなる。

ＣＤ２格子はまた、設計規則様ターゲットに追加し得る。粗ピッチに対応した回折次数の振幅を判定するＣＤ変調範囲を変更することにより、両層からの回折次数の振幅が等しくなり得、実質的にオーバーレイ測定の精度を向上させ得る。

装置様ターゲットの特定の実施形態は、より少ない空間的平均化を要し得、また格子のより小さな領域は、最適な計測精度にとって十分であり得る。小さなスポットレーザは、非常に小さなターゲットサイズ（例えば、２〜３μｍ）を有効にするために使用し得る。

このような小さなスポットを有する装置の空間的な干渉性は非常に高い、よって、光の欠陥や塵埃に対する測定は、非常に敏感になり得る。このような欠陥は、性能と精度の罰則につながる可能性のあるスペックルを生み出す。そのような罰則を回避するために、検査ツールはまた、空間干渉性を処理するための特徴も含み得る。例えばツールは、瞳孔平面内において走査ミラーで角度走査を行い、オーバーレイを算出するために走査像にわたる信号を平均化するために構成し得る。この走査は、光学面の異なる領域にわたって平均化し、光学的不完全性や塵埃の影響を大幅に低減し得る。そのような走査の不都合な点は、ターゲット上の異なる領域も試料化し得るということである。よって、より大きいターゲットを使用し得る。

検査ツールは、光学走査に加え、別々のウェハー走査（例えば、ウェハーステージ）を提供するために構成し得る。ウェハー走査は、光学走査と同期し得るので、瞳孔平面内の光走査に起因した視野平面内の照明スポット位置運動は、光学走査により誘導されたターゲット走査を効果的に約分する本ステージで提供されたターゲット運動により補償される。最終結果は光表面にわたって走査する装置であるが、ウェハー上の単一位置にわたって静止される。本明細書に開示した装置様ＳＣＯＬターゲットの測定のために、固浸も使用し得る。この装置は、例えば、対物レンズとウェハー間の追加の固浸レンズを有する角度分解散乱計を含み得る。固浸レンズは、平面の前面を有する無収差レンズであり得る。本発明のターゲットとともに使用し得る装置および方法のいくつかの実施形態はさらに、「Ｓｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ，Ｎｅａｒ−Ｆｉｅｌｄ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｖｉｃｅ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ，Ｓｙｓｔｅｍ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｒｅｄｕｃｉｎｇ Ｎｏｉｓｅ ｉｎ ａｎ Ａｎｇｕｌａｒ Ｒｅｓｏｌｖｅｄ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ」と題する、Ｎｏａｍ Ｓａｐｉｅｎｓらによる米国仮特許出願番号第６１／６６４，４７７号に記載されており、その出願はその全体を参照することにより本明細書に援用する。

本発明の技術のいくつかは、ソフトウェアおよび／またはハードウェアシステムのいかなる適切な組合せも使用して実施し得る。例えばこの技術は、オーバーレイ計測ツールの中で実施し得る。好適には、計測ツールは、本発明の操作の多くを実施するコンピュータシステムと統合される。このような複合システムは、好適には少なくとも、オーバーレイターゲットの散乱測定信号を得るための散乱測定法モジュール、およびそれによってターゲット内のオーバーレイ誤差を判定するために得た散乱測定信号を解析するために構成されたプロセッサを含む。最低でも、散乱計測モジュールは通常、（ｉ）放射を試料の特定の位置上に向けるように配向した照明源、および（ｉｉ）試料によって散乱された散乱計測信号を検出するように配向した１つ以上の検出器を含むことになる。

少なくとも本発明の技術の一部はまた、従来のボックスインボックスまたはフレームインフレームオーバーレイターゲット、または他の画像型のオーバーレイ測定構造のために使用されるもののような画像解析に基づいて、オーバーレイ測定システムまたはサブシステムを補足する追加のオーバーレイ測定能力として、オーバーレイ測定システム内でも実施し得る。

システムの構成に関係なく、それは、データ、汎用の検査操作用プログラム命令、および／または本明細書に記載の本発明の技術を記憶するように構成された１つ以上のメモリまたはメモリモジュールを採用し得る。プログラム命令は、操作システムおよび／または１つ以上のアプリケーションの操作を制御し得る。メモリまたは複数のメモリはまた、ターゲットとオーバーレイ誤差の結果から得た散乱測定データおよび任意の他のオーバーレイ測定データを記憶するために、構成し得る。

そのような情報およびプログラム命令は、本明細書に記載されたシステム／方法を実施するために採用し得るので、本発明の実施形態は、本明細書に記載した様々な操作を行うプログラム命令、状態情報等を含む機械可読媒体に関係する。機械可読媒体の例は、ハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、および磁気テープ様磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭディスクのような光媒体、フロプティカルディスクのような光磁気媒体、および読み出し専用メモリデバイス（ＲＯＭ）とランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）などのプログラム命令を記憶して実行するために特別に構成されたハードウェア装置を含むが、これらに限定されない。プログラム命令の例は、コンパイラによって生成されるようなマシーンコード、および解釈プログラムを使用してコンピュータによって実行し得るより高いレベルのコードを含むファイルの両方を含む。

図８は、本発明の装置様ＳＣＯＬターゲットを測定し得る測定システム８００の、図表示である。図示したように、測定システム８００は、電磁放射の入射ビーム８０３を生成するためのビーム発生器８０２、入射ビーム８０５を試料８０８に向けるビームスプリッター８０４を含む。入射ビームは、通常、照明レンズ８０６の集合によって試料上に集束される。出力ビーム８０９は次に、入射ビームに応答し、試料から照射または散乱され、リレーレンズ８１０を介し、ビームスプリッター８０４を通り、検出器８１２に通過する。検出器８１２は、出力ビーム８０９に基づいて、試料の信号を発生する。

本システム８００はまた、ビーム発生器８０２、照明レンズ８０６、および検出器８１２などの様々な構成要素を制御するために構成されたプロセッサおよび１つ以上のメモリ８１４を含む。プロセッサおよびメモリは、上述の様々な散乱計測技術を実行する検出された出力を解析するために、構成し得る。

本明細書に記載の散乱測定オーバーレイ技術で得られたオーバーレイの結果は、オーバーレイ誤差を最小にするために、リソグラフィステッパ設定に対する補正を算出するために、使用し得る。リソグラフィステッパまたはスキャナのこれらの算出された補正は、一般的に「ステッパ補正可能数値」と呼ばれる。散乱計測オーバーレイ測定から得たステッパ補正可能数値は、後続のウェハー加工のためのオーバーレイ誤差を最小にするために、ステッパへの入力として使用し得る。散乱計測オーバーレイから得たオーバーレイ誤差またはステッパ補正可能数値は、後続のウェハー加工のためのオーバーレイ誤差を最小にするために、次に、ステッパ補正数値の集合を算出し得る自動加工制御システムに入力し得る。散乱計測オーバーレイで得たオーバーレイ誤差、ステッパ補正数値、またはウェハー上で算出した最悪のオーバーレイ誤差は、さらなるウェハー加工のために、ウェハーの再加工が必要か、またはオーバーレイ要件を満たしているかどうかを判定するために、廃棄製品ウェハーに対して使用し得る。

装置様ターゲットは、好適には、特定の種類の工具によって測定または検査可能な層内に配置されたターゲットという要件を含む特定のターゲット基準に従って設計される。例えばターゲットは、光学ツールによってターゲット検査し得るように最上層上にあり得るか、または光学的に透明な層で覆われ得る。他の用途では、下層のターゲットに対する不透明層の調和を検査および／または測定し得るように、ターゲットは、不透明層の下にあることが要求される。さらに、各検査、審査、または測定ツールは、一般的に、測定されたまたは検査された構造についてのサイズ制限がある。ということはすなわち、特定のサイズ以下の構造は、見ることができないということである。従って、ターゲットは、関連ツールによって測定または検査し得るように、最適なサイズにされたコースピッチ構造を含む。

本明細書に記載の本発明の装置様ターゲットは、ウェハー上の任意の適切な間隔に配置し得る。例として、ターゲットは、スクライブライン内、またはダイ自体の内部に配置し得る。ターゲットがダイ内に配置されると、ダイのレイアウトの他の領域と比較して、特定の部分または領域が否定的にまたは肯定的に測定または検査結果に影響を与えるような特性を有するかどうかを判定するために、ダイのレイアウトもまた解析し得る。例えば、特定のレイアウトの特性は、より信頼性の高いまたは正確な測定、または検査結果を生じ得る。一つの特定の場合において、ターゲットは、積極的に測定または検査に影響を与える特性を有する領域内に配置し得る。そのような特徴特性の例では、特定の特徴密度範囲を有する優れた精度を達成するために、一般的に、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法を調整する。従って、このようなオーバーレイターゲットとしてのターゲットは、最適なＣＭＰ加工のための特定の特徴濃度範囲内にあるレイアウト域内に配置し得る。

回路設計者は、誤差または欠陥に対して最も影響を受けやすいダイレイアウトの特徴位置に気付き得る。本設計者は、このような特徴の位置をターゲット配置ソフトウェアおよびレイアウト技術者に連絡し得るので、このような問題に近接してターゲットを配置し得る。この配置技術は、欠陥捕捉、およびより信頼性の高い生成製品のより高い発生率をもたらすことになる。

ターゲットはまた、ダミー層内にも配置され得る。均一なパターン密度を確保するために、ダミー構造を回路レイアウトの開放領域内に含むことは、半導体の製造において、今日、かなり普及している。ダミー構造は、一般的に、化学的機械的研磨、および他の半導体製造工程において最適な結果を得るために使用される。

チップ領域内部のターゲットを有効にするために、特定の測定（または検査）ターゲットの機能性は、ダミー構造の目的と結合し得る。それは、ダミー構造の目的および測定（または検査）ターゲットの両方の役目を果たす２つの構成要素を有する構造が、ＣＭＰの均一性（および、該当する場合、他のダミー要件）を増加し、ならびに測定または検査ターゲットを提供するために、ダイ領域の空間を効率的に利用することになる。さらに、新しい種類の測定法または検査法は、当該組み合わせマークと共に使用され得る。例えば、特定の設計パターンの忠実度は、当該組合せターゲットを介して監視し得る。つまり、特定のパターンの機能または構造に関する設計者の意図は、ダミー構造内で結合および測定されたもしくは検査されたパターンに対して検証し得る、ということである。

組み合わせターゲットとダミー構造は、多くの異なる方法で達成し得る。オーバーレイ型の組み合わせとダミー構造は、１つが第１の層またはマスク上で、もう１つが第２の層またはマスク上、という２つの構成要素を含む。各構成要素は、好適には、その層またはマスクに関連した工程手順のダミー構造用要件に適合する。さらなる例としては、マスクが正確に整列しているとき、第１のマスク上の構成要素が、第２のマスク上の構成要素に対して対称的に位置決めされているようにこれらの構造が整列されている場合の事例があり得る。また、第１のマスク上の構成要素は、第２のマスク上の構成要素内の空間内に収まるように、およびその逆のように、設計し得る。

検査ツールの視野（ＦＯＶ）がターゲットと装置の両方を含む場合は、どの信号の部分がノイズ（または装置の構造）であり、どの部分がターゲット構造に対応するかを最初に判定し得る。この判定は、適切な方法で完遂し得る。一実施形態では、信号（または当該信号から生成された画像）は、装置構造を同定する設計ファイルと比較し得、信号（または画像）に対する装置構造の寄与は、信号（または画像）から減算される。その結果から得た信号（または画像）は、ターゲットに対応し、次に、前述のように評価し得る。あるいは、ツールを、ターゲットを見つけるため、手動で既知のターゲットの場所に移動させてターゲットを同定し、測定ツールを手動で訓練し得る。次に、これらの同定されたターゲットは、標準的なパターン認識技術を用いて、類似の外観を有する他のターゲットを検索するために、測定ツールによって使用し得る。代替的に、設計ファイル内の代表するターゲットは、測定ツールを訓練するために使用し得る。代表的なターゲットはまた、発見された位置にスクライブラインとして、簡単に配置し得る。

ダミー構造および特定のターゲットの種類の両方用の規則は、一般的に、組み合わせダミーとターゲット構造を形成する場合に従う。例えば、ダミー構造規則は、ＣＭＰの均一性の特定のレベルを確保するための特定のパターン密度または最大空間サイズを必要とし得る。さらに、ターゲットのための特定の測定または検査手順の規則が続く。

近代的な工程においては、一般的に、どのような有意な空（パターンのない）領域も許されない。パターン化されていない領域は、２次元処理がオーバーレイ計算のために使用される場合、これらの構造がいかなる有意な漏話も導入しないように、ダミー化構造によって満たし得る。１つの救済策は、ダミー化領域が「グレー」のパターン化されていないものとして知覚または測定されるように、非常に深いサブ解像度ダミー化ピッチを使用することである。さらに、光学ツールは、ダミー化パターンをある程度さらにいっそう抑制するように設計し得る。

本明細書に記載のターゲット構造およびサブ構造は、一般的に、適切なフォトリソグラフィ技術を用いてパターン化され、リソグラフパターンは、その後、エッチングおよび蒸着などの確立された処理技術を使用して、他の材料および層へと転写される。最も単純なアプリケーションでは、転写されたパターンは、エッチングまたは蒸着された線、またはヴィアを構成する。例えば、構造およびサブ構造は、ウェハー層内部のフォトレジスト体、陥凹空洞形成物、埋込溝、および／または他の構造の形成物であり得る。空洞によって形成された構造およびサブ構造は、半導体製作工程中に形成されたすべての層の空洞であり得る。例えば、空洞は、フォトレジスト層、誘電体層、または金属層内で形成し得る。上記の処理は制限ではなく、いかなる適切な製作技術も使用し得ることに留意しなければならない。

前述の発明は、理解を明確にする目的のために多少詳しく説明してきたが、添付特許請求の範囲内で特定の変更および改変を実践し得ることは明らかである。よって、記載した実施形態は、制限的なものとしてではなく例示的なものとしてとらえられなければならず、また本発明は、本明細書の詳細に限定されるものではなく、以下の特許請求およびその等価物の全範囲によって規定されなければならない。

Claims (15)

1. 基板の２つ以上の連続層間または基板の単一層上の２つ以上の別々に生成されたパターン間のオーバーレイ誤差を検出するための半導体ターゲットであって、
   検査ツールによって分解可能なコースピッチを有する複数の第１の格子構造と、
   前記第１の格子構造に対して位置する複数の第２の格子構造であって、前記第２の格子構造が前記コースピッチより小さい微細ピッチを有し、前記第１および第２の格子構造が両方とも基板の２つ以上の連続層内または基板の単一層上の２つ以上の別々に生成されたパターンの間に形成される、第２の格子構造と、を含み、
   前記第１および第２の格子構造が複数の異なる限界寸法（ＣＤ）値を有し、
   前記第１の格子構造が線幅および間隔幅についてのＣＤ値の第１の集合を有し、前記第２の格子構造が前記ＣＤ値の第１の集合とは異なる線幅および間隔幅についてのＣＤ値の第２の集合を有し、
   前記第１および第２の格子が両方とも第１の層および前記第１の層とは異なる第２の層内で形成され、前記ＣＤ値の第１および第２の集合が、散乱測定検査工程中に、前記第１および第２の両方の層内の、前記第１および第２の格子から測定される信号の振幅を均一にするために選択されるＣＤ値の部分集合を含む、
   ターゲット。
2. 前記コースピッチが前記第２の格子構造なしでは前記所定の設計規則仕様に適合し得ない一方で、前記第２の格子構造が、前記第１の格子構造のそれぞれの対間に配置されるため、前記第１および第２の格子構造の複数の間隔は、所定の設計規則仕様に適合する、請求項１に記載のターゲット。
3. 前記第１および第２の格子のデューティサイクルが前記コースピッチのサイズに対応する周期で変化する、請求項１に記載のターゲット。
4. 前記ＣＤ値の第１の集合が前記コースピッチのサイクル内で変化する、請求項１に記載のターゲット。
5. 前記第１および第２の格子構造が基板の２つ以上の連続層内または基板の単一層上の２つ以上の別々に生成されたパターン間に形成された複数の空孔であり、前記空孔が異なる複数のＣＤ値を有する、請求項１に記載のターゲット。
6. 前記コースピッチが、他の回析次数を最小限に抑えながら、前記第１および第２の格子からの一次回析を強化するために選択される、請求項１に記載のターゲット。
7. 半導体オーバーレイターゲットを検査するための検査装置であって、
   前記検査装置によって分解可能なコースピッチを有する複数の第１の格子構造、および前記第１の格子構造に対して位置し、前記コースピッチより小さい微細ピッチを有する複数の第２の格子構造を有する、オーバーレイターゲットから散乱測定信号を取得するための、少なくとも散乱測定モジュールであって、前記第１および第２の格子構造の両方が基板の２つ以上の連続層内または基板の単一層上の２つ以上の別々に生成されたパターン間に形成される、散乱測定モジュールと、
   前記ターゲット内のオーバーレイ誤差を測定するために前記取得散乱測定信号を解析するように構成されたプロセッサと、を含み、
   前記第１および第２の格子構造が複数の異なる限界寸法（ＣＤ）値を有し、
   前記第１の格子構造が線幅および間隔幅についてのＣＤ値の第１の集合を有し、前記第２の格子構造が前記ＣＤ値の第１の集合とは異なる線幅および間隔幅についてのＣＤ値の第２の集合を有し、
   前記第１および第２の格子が両方とも第１の層および前記第１の層とは異なる第２の層内で形成され、前記ＣＤ値の第１および第２の集合が、散乱測定検査工程中に、前記第１および第２の両方の層内の、前記第１および第２の格子から測定される信号の振幅を均一にするために選択されるＣＤ値の部分集合を含む、
   検査装置。
8. 前記散乱測定モジュールが、
   前記オーバーレイターゲットにわたって放射線を走査するように配向された、対物レンズおよび前記対物レンズと前記オーバーレイターゲットとの間に位置する固浸レンズを含む、照明モジュールと、
   前記オーバーレイターゲットにわたって走査された前記放射線に反応して前記オーバーレイターゲットから散乱した前記散乱測定信号を検出するように配向された１つ以上の検出器と、を含む、請求項７に記載の装置。
9. 前記固浸レンズが平面の前面を有する無収差レンズである、請求項８に記載の装置。
10. 基板の２つ以上の連続層間または基板の単一層上の２つ以上の別々に生成されたパターン間のオーバーレイ誤差を検出するための半導体ターゲットを製造する方法であって、
    検査ツールによって分解可能なコースピッチを有する複数の第１の格子構造を形成することと、
    前記第１の格子構造に対して位置する、前記コースピッチより小さい微細ピッチを有する複数の第２の格子構造を形成することと、を含み、前記第１および第２の格子構造が両方とも基板の２つ以上の連続層内または基板の単一層上の２つ以上の別々に生成されたパターン間に形成され、
    前記第１および第２の格子構造が複数の異なる限界寸法（ＣＤ）値を有し、
    前記第１の格子構造が線幅および間隔幅についてのＣＤ値の第１の集合を有し、前記第２の格子構造が前記ＣＤ値の第１の集合とは異なる線幅および間隔幅についてのＣＤ値の第２の集合を有し、
    前記第１および第２の格子が両方とも第１の層および前記第１の層とは異なる第２の層内で形成され、前記ＣＤ値の第１および第２の集合が、散乱測定検査工程中に、前記第１および第２の両方の層内の、前記第１および第２の格子から測定される信号の振幅を均一にするために選択されるＣＤ値の部分集合を含む、
    方法。
11. 前記コースピッチが前記第２の格子構造なしでは所定の設計規則仕様に適合し得ない一方で、前記第２の格子構造が、前記第１の格子構造のそれぞれの対の間に配置されるため、前記第１および第２の格子構造の複数の間隔が所定の設計規則仕様に適合する、請求項１０に記載の方法。
12. 前記第１および第２の格子のデューティサイクルが前記コースピッチのサイズに対応する周期性で変化する、請求項１０に記載の方法。
13. 前記ＣＤ値の第１の集合が前記コースピッチのサイクル内で変化する、請求項１０に記載の方法。
14. 前記第１および第２の格子構造が、基板の２つ以上の連続層内または基板の単一層上の２つ以上の別々に生成されたパターン間で形成される複数の空孔であり、前記空孔が多様な複数のＣＤ値を有する、請求項１０に記載の方法。
15. 前記コースピッチが、他の回析次数を最小限に抑えながら、前記第１および第２の格子からの一次回析を強化するために選択される、請求項１０に記載の方法。