JPH10111114A - 溝形状測定装置 - Google Patents
溝形状測定装置Info
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- JPH10111114A JPH10111114A JP28599296A JP28599296A JPH10111114A JP H10111114 A JPH10111114 A JP H10111114A JP 28599296 A JP28599296 A JP 28599296A JP 28599296 A JP28599296 A JP 28599296A JP H10111114 A JPH10111114 A JP H10111114A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板からの回折光を測定する溝形状測定装置に
おいて、簡単な構成で、異なるトラックピッチの光ディ
スク原盤またはレプリカディスクの回折光を正確に測定
することがでなかった。 【解決手段】基板に形成されたピットまたはグルーブに
対してレーザ光を照射して得られた０次回折光と１次回
折光または２次回折光の光量比からピットまたはグルー
ブの形状を測定する溝形状測定装置において、基板から
の１次回折光を反射する第１の反射手段と、第１の反射
手段で反射した１次回折光を受光する第１の受光手段
と、基板からの２次回折光を反射する第２の反射手段
と、第２の反射手段で反射した２次回折光を受光する第
２の受光手段と、基板から反射した１次回折光および２
次回折光が第１の受光手段および第２の受光手段に入射
する角度に第１の反射手段及び第２の反射手段の角度を
制御する角度制御手段とを具備する。
おいて、簡単な構成で、異なるトラックピッチの光ディ
スク原盤またはレプリカディスクの回折光を正確に測定
することがでなかった。 【解決手段】基板に形成されたピットまたはグルーブに
対してレーザ光を照射して得られた０次回折光と１次回
折光または２次回折光の光量比からピットまたはグルー
ブの形状を測定する溝形状測定装置において、基板から
の１次回折光を反射する第１の反射手段と、第１の反射
手段で反射した１次回折光を受光する第１の受光手段
と、基板からの２次回折光を反射する第２の反射手段
と、第２の反射手段で反射した２次回折光を受光する第
２の受光手段と、基板から反射した１次回折光および２
次回折光が第１の受光手段および第２の受光手段に入射
する角度に第１の反射手段及び第２の反射手段の角度を
制御する角度制御手段とを具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクや光デ
ィスク原盤（ガラス原盤）等に形成されたピットまたは
グルーブ等の形状を回折光の光量比から測定する溝形状
測定装置に関するものである。
ィスク原盤（ガラス原盤）等に形成されたピットまたは
グルーブ等の形状を回折光の光量比から測定する溝形状
測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板に溝を形成したものとして、回折格
子を形成した光学素子やピットまたはグルーブを形成し
た光ディスク等がある。光ディスクの製造工程におい
て、フォトレジストを塗布した光ディスク原盤（ガラス
原盤）、または、成形されたレプリカディスクにピット
またはグルーブが、所定の深さ又は幅で形成されている
かを測定する方法として、光ディスク原盤またはレプリ
カディスクに光ビームを照射して得られた回折光を測定
する方法がある。
子を形成した光学素子やピットまたはグルーブを形成し
た光ディスク等がある。光ディスクの製造工程におい
て、フォトレジストを塗布した光ディスク原盤（ガラス
原盤）、または、成形されたレプリカディスクにピット
またはグルーブが、所定の深さ又は幅で形成されている
かを測定する方法として、光ディスク原盤またはレプリ
カディスクに光ビームを照射して得られた回折光を測定
する方法がある。
【０００３】例えば、光ディスクのマスタリング工程に
おいて、ピットまたはグルーブが形成された光ディスク
原盤に対してレーザ光を照射すると、ピットまたはグル
ーブが回折格子の役割をして回折現象が生じ、０次、１
次、２次・・・の回折光が発生する。この回折光は、ピ
ットまたはグルーブの溝形状（深さや幅）により光量
（強度）が異なる。回折された１次回折光の光量は、ピ
ットまたはグルーブの深さに影響され、また、２次回折
光の光量は、ピットまたはグルーブの幅に影響される。
おいて、ピットまたはグルーブが形成された光ディスク
原盤に対してレーザ光を照射すると、ピットまたはグル
ーブが回折格子の役割をして回折現象が生じ、０次、１
次、２次・・・の回折光が発生する。この回折光は、ピ
ットまたはグルーブの溝形状（深さや幅）により光量
（強度）が異なる。回折された１次回折光の光量は、ピ
ットまたはグルーブの深さに影響され、また、２次回折
光の光量は、ピットまたはグルーブの幅に影響される。
【０００４】光ディスクの製造工程においては、光ディ
スク原盤またはレプリカディスクのピットまたはグルー
ブの溝形状（深さ及び幅）が、所定の溝形状に形成され
ているかにより不良かどうかを判断するため、０次回折
光、１次回折光及び２次回折光から溝形状を測定する。
つまり、０次回折光、１次回折光及び２次回折光の光量
を測定することにより、光ディスク原盤またはレプリカ
ディスクに形成されたピットまたはグルーブの溝形状を
把握でき、光ディスク原盤またはレプリカディスクの不
良等を発見することができる。
スク原盤またはレプリカディスクのピットまたはグルー
ブの溝形状（深さ及び幅）が、所定の溝形状に形成され
ているかにより不良かどうかを判断するため、０次回折
光、１次回折光及び２次回折光から溝形状を測定する。
つまり、０次回折光、１次回折光及び２次回折光の光量
を測定することにより、光ディスク原盤またはレプリカ
ディスクに形成されたピットまたはグルーブの溝形状を
把握でき、光ディスク原盤またはレプリカディスクの不
良等を発見することができる。
【０００５】図３は、従来の溝形状測定装置の概略構成
を示す模式図である。（ａ）は、光ディスク原盤のトラ
ックピッチが広い場合であり、（ｂ）は、光ディスク原
盤のトラックピッチが狭い場合である。図３は、光ディ
スク原盤のピットまたはグルーブの深さを測定する場合
について示したものであり、光ディスク原盤にレーザ光
を照射し、光ディスク原盤を透過した透過光の回折光量
を測定するものとする。
を示す模式図である。（ａ）は、光ディスク原盤のトラ
ックピッチが広い場合であり、（ｂ）は、光ディスク原
盤のトラックピッチが狭い場合である。図３は、光ディ
スク原盤のピットまたはグルーブの深さを測定する場合
について示したものであり、光ディスク原盤にレーザ光
を照射し、光ディスク原盤を透過した透過光の回折光量
を測定するものとする。
【０００６】図３において、ピットまたはグルーブ１が
形成された光ディスク原盤２は、固定具３に保持されて
いる。光源４であるＨｅ−Ｎｅレーザより出射したレー
ザ光５は、反射ミラー６により反射され、光ディスク原
盤２に垂直に入射する。レーザ光５は、光ディスク原盤
２に形成されたピットまたはグルーブ１により回折し、
０次回折光７は直進し、０次回折受光素子８に入射す
る。
形成された光ディスク原盤２は、固定具３に保持されて
いる。光源４であるＨｅ−Ｎｅレーザより出射したレー
ザ光５は、反射ミラー６により反射され、光ディスク原
盤２に垂直に入射する。レーザ光５は、光ディスク原盤
２に形成されたピットまたはグルーブ１により回折し、
０次回折光７は直進し、０次回折受光素子８に入射す
る。
【０００７】図３（ａ）に示すように、トラックピッチ
の広い光ディスク原盤２を測定した場合、１次回折光９
は、トラックピッチに対応した角度で回折し、１次回折
光受光素子１１に入射する。１次回折光９の光量と０次
回折光７との光量比から、公知の式で演算することによ
り、ピットまたはグルーブ１の溝の深さを把握すること
ができる。また、図３（ｂ）に示すように、トラックピ
ッチが狭い光ディスク原盤２を測定した場合、１次回折
光９は、トラックピッチに対応した角度で回折し、１次
回折光受光素子１１に入射する。１次回折光９の光量と
０次回折光７との光量比から、公知の式で演算すること
により、ピットまたはグルーブ１の溝の深さを把握する
ことができる。図示していないが、２次回折光の光量を
測定し、０次回折光、１次回折光、２次回折光の光量比
により、溝形状（深さ及び幅）を測定することができ
る。
の広い光ディスク原盤２を測定した場合、１次回折光９
は、トラックピッチに対応した角度で回折し、１次回折
光受光素子１１に入射する。１次回折光９の光量と０次
回折光７との光量比から、公知の式で演算することによ
り、ピットまたはグルーブ１の溝の深さを把握すること
ができる。また、図３（ｂ）に示すように、トラックピ
ッチが狭い光ディスク原盤２を測定した場合、１次回折
光９は、トラックピッチに対応した角度で回折し、１次
回折光受光素子１１に入射する。１次回折光９の光量と
０次回折光７との光量比から、公知の式で演算すること
により、ピットまたはグルーブ１の溝の深さを把握する
ことができる。図示していないが、２次回折光の光量を
測定し、０次回折光、１次回折光、２次回折光の光量比
により、溝形状（深さ及び幅）を測定することができ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述した測定装置にお
いては、異なるトラックピッチのピットまたはグルーブ
が形成された光ディスク原盤またはレプリカディスクを
測定する場合、回折光の回折角度がトラックピッチによ
り異なるため、複数のトラックピッチに対応した複数の
受光素子を配置し、それぞれを切り換えて測定に用いる
か、また、トラックピッチに対応して１つの受光素子の
受光場所を移動し、測定に用いらなければならなかっ
た。そのため、数多くの受光素子を用いるか、受光素子
の配置を移動する手段を設ける必要があり、測定装置が
複雑化、大型化するという欠点があった。
いては、異なるトラックピッチのピットまたはグルーブ
が形成された光ディスク原盤またはレプリカディスクを
測定する場合、回折光の回折角度がトラックピッチによ
り異なるため、複数のトラックピッチに対応した複数の
受光素子を配置し、それぞれを切り換えて測定に用いる
か、また、トラックピッチに対応して１つの受光素子の
受光場所を移動し、測定に用いらなければならなかっ
た。そのため、数多くの受光素子を用いるか、受光素子
の配置を移動する手段を設ける必要があり、測定装置が
複雑化、大型化するという欠点があった。
【０００９】また、光ディスク原盤またはレプリカディ
スクの回折光を測定する場合、外光が光ディスク原盤ま
たはレプリカディスク表面で反射して発生する散乱光
や、光ディスク原盤またはレプリカディスクにレーザ光
を照射した時に発生する多重反射による散乱光が、受光
素子に入射することがあった。そのため、受光素子を移
動させる場合や複数の受光素子を異なる位置に配置した
場合には、外光や多重反射による散乱光の影響が、受光
素子の配置場所により異なるため、正確な回折光の光量
の測定ができず、溝の深さや幅の測定に誤差が生じると
いう問題があった。特に、微小なピットまたはグルーブ
を形成した光ディスク原盤またはレプリカディスクで
は、回折光の光量が微小となるため、散乱光や多重反射
による反射光が回折光に与える影響が大きく、溝の深さ
や幅を正確に測定することができないという欠点があっ
た。
スクの回折光を測定する場合、外光が光ディスク原盤ま
たはレプリカディスク表面で反射して発生する散乱光
や、光ディスク原盤またはレプリカディスクにレーザ光
を照射した時に発生する多重反射による散乱光が、受光
素子に入射することがあった。そのため、受光素子を移
動させる場合や複数の受光素子を異なる位置に配置した
場合には、外光や多重反射による散乱光の影響が、受光
素子の配置場所により異なるため、正確な回折光の光量
の測定ができず、溝の深さや幅の測定に誤差が生じると
いう問題があった。特に、微小なピットまたはグルーブ
を形成した光ディスク原盤またはレプリカディスクで
は、回折光の光量が微小となるため、散乱光や多重反射
による反射光が回折光に与える影響が大きく、溝の深さ
や幅を正確に測定することができないという欠点があっ
た。
【００１０】したがって、本発明の目的は、光ディスク
原盤またはレプリカディスクからの回折光を測定する溝
形状測定装置において、簡単な構成で、異なるトラック
ピッチの光ディスク原盤またはレプリカディスクから得
られる回折光を正確に測定し、溝形状を正確に把握する
ことができる溝形状測定装置を提供することにある。
原盤またはレプリカディスクからの回折光を測定する溝
形状測定装置において、簡単な構成で、異なるトラック
ピッチの光ディスク原盤またはレプリカディスクから得
られる回折光を正確に測定し、溝形状を正確に把握する
ことができる溝形状測定装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そのため請求項１記載の
本発明は、基板に形成されたピットまたはグルーブに対
してレーザ光を照射して得られた０次回折光と１次回折
光または２次回折光の光量比からピットまたはグルーブ
の形状を測定する溝形状測定装置において、基板からの
１次回折光を反射する第１の反射手段と、第１の反射手
段で反射した１次回折光を受光する第１の受光手段と、
基板からの２次回折光を反射する第２の反射手段と、第
２の反射手段で反射した２次回折光を受光する第２の受
光手段と、基板から反射した１次回折光および２次回折
光が第１の受光手段および第２の受光手段に入射する角
度に第１の反射手段及び第２の反射手段の角度を制御す
る角度制御手段とを具備したことを特徴としている。
本発明は、基板に形成されたピットまたはグルーブに対
してレーザ光を照射して得られた０次回折光と１次回折
光または２次回折光の光量比からピットまたはグルーブ
の形状を測定する溝形状測定装置において、基板からの
１次回折光を反射する第１の反射手段と、第１の反射手
段で反射した１次回折光を受光する第１の受光手段と、
基板からの２次回折光を反射する第２の反射手段と、第
２の反射手段で反射した２次回折光を受光する第２の受
光手段と、基板から反射した１次回折光および２次回折
光が第１の受光手段および第２の受光手段に入射する角
度に第１の反射手段及び第２の反射手段の角度を制御す
る角度制御手段とを具備したことを特徴としている。
【００１２】また、請求項２記載の本発明は、基板に形
成されたピットまたはグルーブに対してレーザ光を照射
して得られた０次回折光と１次回折光または２次回折光
の光量比からピットまたはグルーブの形状を測定する溝
形状測定装置において、基板からの１次回折光を凹面に
より反射する第１の凹面反射手段と、第１の凹面反射手
段で反射した１次回折光を受光する第１の受光手段と、
基板からの２次回折光を凹面により反射する第２の凹面
反射手段と、第２の凹面反射手段で反射した２次回折光
を受光する第２の受光手段とを具備したことを特徴とし
ている。
成されたピットまたはグルーブに対してレーザ光を照射
して得られた０次回折光と１次回折光または２次回折光
の光量比からピットまたはグルーブの形状を測定する溝
形状測定装置において、基板からの１次回折光を凹面に
より反射する第１の凹面反射手段と、第１の凹面反射手
段で反射した１次回折光を受光する第１の受光手段と、
基板からの２次回折光を凹面により反射する第２の凹面
反射手段と、第２の凹面反射手段で反射した２次回折光
を受光する第２の受光手段とを具備したことを特徴とし
ている。
【００１３】本発明によれば、基板にレーザ光を照射
し、ピットまたはグルーブで回折された回折光を、反射
手段によりトラックピッチに対応した角度で反射させ、
回折光を受光素子に入射させることができる。したがっ
て、異なるトラックピッチの基板からの回折光であって
も、正確に回折光を測定することができる。また、受光
素子の配置場所が常に一定であるため、基板からの散乱
光の影響が変化せず、正確な回折光の強度が測定ができ
る。
し、ピットまたはグルーブで回折された回折光を、反射
手段によりトラックピッチに対応した角度で反射させ、
回折光を受光素子に入射させることができる。したがっ
て、異なるトラックピッチの基板からの回折光であって
も、正確に回折光を測定することができる。また、受光
素子の配置場所が常に一定であるため、基板からの散乱
光の影響が変化せず、正確な回折光の強度が測定ができ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の溝形状測定装置
における一実施例の概略構成を示す模式図である。
（ａ）は、光ディスク原盤のトラックピッチが広い場合
であり、（ｂ）は、光ディスク原盤のトラックピッチが
狭い場合である。図１は、光ディスク原盤の溝形状を測
定する場合について示したものであり、光ディスク原盤
にレーザ光を照射し、光ディスク原盤を透過した透過光
の回折光量を測定するものとする。
における一実施例の概略構成を示す模式図である。
（ａ）は、光ディスク原盤のトラックピッチが広い場合
であり、（ｂ）は、光ディスク原盤のトラックピッチが
狭い場合である。図１は、光ディスク原盤の溝形状を測
定する場合について示したものであり、光ディスク原盤
にレーザ光を照射し、光ディスク原盤を透過した透過光
の回折光量を測定するものとする。
【００１５】図１において、ピットまたはグルーブ１が
形成されている光ディスク原盤２は、固定具３に保持さ
れている。光源４であるＨｅ−Ｎｅレーザより出射した
レーザ光５は、反射ミラー６により反射し、光ディスク
原盤２に垂直に入射する。光ディスク原盤２に入射した
レーザ光５は、光ディスク原盤２に形成されたピットま
たはグルーブ１により回折し、０次回折光７は直進し、
０次回折光受光素子８に入射する。
形成されている光ディスク原盤２は、固定具３に保持さ
れている。光源４であるＨｅ−Ｎｅレーザより出射した
レーザ光５は、反射ミラー６により反射し、光ディスク
原盤２に垂直に入射する。光ディスク原盤２に入射した
レーザ光５は、光ディスク原盤２に形成されたピットま
たはグルーブ１により回折し、０次回折光７は直進し、
０次回折光受光素子８に入射する。
【００１６】図３（ａ）に示すように、トラックピッチ
の広い光ディスク原盤２の場合、＋１次回折光９ａは、
トラックピッチに対応した角度で回折され、可動ミラー
１０ａにより進行方向が変えられ、１次回折光受光素子
１１に入射する。また、−２次回折光１２ａも１次回折
光９ａと同様に、トラックピッチに対応した角度で回折
され、可動ミラー１０ｂにより進行方向が変えられ、２
次回折光受光素子１３に入射する。
の広い光ディスク原盤２の場合、＋１次回折光９ａは、
トラックピッチに対応した角度で回折され、可動ミラー
１０ａにより進行方向が変えられ、１次回折光受光素子
１１に入射する。また、−２次回折光１２ａも１次回折
光９ａと同様に、トラックピッチに対応した角度で回折
され、可動ミラー１０ｂにより進行方向が変えられ、２
次回折光受光素子１３に入射する。
【００１７】また、図３（ｂ）に示すように、トラック
ピッチが狭い光ディスク原盤２の場合、＋１次回折光９
ａは、図１（ａ）に示す＋１次回折光９ａより大きい角
度で回折される。この＋１次回折光９ａも可動ミラー１
０ａにより進行方向が変えられ、１次回折光受光素子１
１に入射する。また、−２次回折光１２ａも＋１次回折
光９ａと同様に、図１（ａ）に示す−２次回折光１２ａ
より大きい角度で回折され、可動ミラー１０ｂにより進
行方向が変えられ、２次回折光受光素子１３に入射す
る。
ピッチが狭い光ディスク原盤２の場合、＋１次回折光９
ａは、図１（ａ）に示す＋１次回折光９ａより大きい角
度で回折される。この＋１次回折光９ａも可動ミラー１
０ａにより進行方向が変えられ、１次回折光受光素子１
１に入射する。また、−２次回折光１２ａも＋１次回折
光９ａと同様に、図１（ａ）に示す−２次回折光１２ａ
より大きい角度で回折され、可動ミラー１０ｂにより進
行方向が変えられ、２次回折光受光素子１３に入射す
る。
【００１８】＋１次回折光９ａおよび−２次回折光１２
ａを反射する可動ミラー１０ａ、１０ｂは、それぞれ角
度制御手段１４ａ、１４ｂを具備しており、光ディスク
原盤２のトラックピッチに応じて制御される。角度制御
手段１４ａ、１４ｂは、ユーザが入力したトラックピッ
チの値から理論上の回折角度を計算し、その角度に基づ
いて可動ミラー１０ａ、１０ｂを回動させた後、それぞ
れ１次回折光受光素子１１または２次回折光受光素子１
３の光量が最大となる角度に可動ミラー１０ａ、１０ｂ
を回動させる。このことにより、異なるトラックピッチ
の光ディスク原盤２を測定する場合であっても、正確に
＋１次回折光９ａおよび−２次回折光１２ａを、それぞ
れの受光素子に入射させることができる。
ａを反射する可動ミラー１０ａ、１０ｂは、それぞれ角
度制御手段１４ａ、１４ｂを具備しており、光ディスク
原盤２のトラックピッチに応じて制御される。角度制御
手段１４ａ、１４ｂは、ユーザが入力したトラックピッ
チの値から理論上の回折角度を計算し、その角度に基づ
いて可動ミラー１０ａ、１０ｂを回動させた後、それぞ
れ１次回折光受光素子１１または２次回折光受光素子１
３の光量が最大となる角度に可動ミラー１０ａ、１０ｂ
を回動させる。このことにより、異なるトラックピッチ
の光ディスク原盤２を測定する場合であっても、正確に
＋１次回折光９ａおよび−２次回折光１２ａを、それぞ
れの受光素子に入射させることができる。
【００１９】そして、可動ミラー１０ａ、１０ｂがトラ
ックピッチに対応して可動するため、１次回折光受光素
子１１および２次回折光受光素子１３の位置を光ディス
ク原盤２に対して変化させる必要がない。つまり、光デ
ィスク原盤２のトラックピッチが変化した場合でも、１
次回折光受光素子１１および２次回折光受光素子１３に
は、一定量の散乱光が入射するため、回折光が散乱光の
光量の変動の影響を受けることがなく、正確に＋１次回
折光９ａおよび−２次回折光１２ａの光量を測定するこ
とができる。
ックピッチに対応して可動するため、１次回折光受光素
子１１および２次回折光受光素子１３の位置を光ディス
ク原盤２に対して変化させる必要がない。つまり、光デ
ィスク原盤２のトラックピッチが変化した場合でも、１
次回折光受光素子１１および２次回折光受光素子１３に
は、一定量の散乱光が入射するため、回折光が散乱光の
光量の変動の影響を受けることがなく、正確に＋１次回
折光９ａおよび−２次回折光１２ａの光量を測定するこ
とができる。
【００２０】したがって、１次回折光受光素子１１に入
射した＋１次回折光９ａの光量と、０次回折光受光素子
８で検出された０次回折光７との光量から、公知の式で
演算することにより、光ディスク原盤２に形成されたピ
ットまたはグルーブ１の溝の深さを正確に把握すること
ができる。また、２次回折光受光素子１３に入射した−
２次回折光１２ａの光量と、０次回折光受光素子８で検
出された０次回折光７との光量から、公知の式で演算す
ることにより、光ディスク原盤２に形成されたピットま
たはグルーブ１の溝の幅を正確に把握することができ
る。
射した＋１次回折光９ａの光量と、０次回折光受光素子
８で検出された０次回折光７との光量から、公知の式で
演算することにより、光ディスク原盤２に形成されたピ
ットまたはグルーブ１の溝の深さを正確に把握すること
ができる。また、２次回折光受光素子１３に入射した−
２次回折光１２ａの光量と、０次回折光受光素子８で検
出された０次回折光７との光量から、公知の式で演算す
ることにより、光ディスク原盤２に形成されたピットま
たはグルーブ１の溝の幅を正確に把握することができ
る。
【００２１】図２は、本発明の溝形状測定装置における
他の実施例の概略構成を示す模式図である。図２におい
て、前述した実施例の構成とは、回折光を反射させるミ
ラーが、凹面を具備する凹面ミラー１５ａ、１５ｂであ
る点で異なる。反射ミラーが凹面部を具備したことによ
り、反射ミラーの角度を制御する角度制御手段が不要と
なる。凹面ミラー１５ａ、１５ｂは、ある程度の範囲の
回折角度で、＋１次回折光９ａおよび−２次回折光１２
ａを反射角度を制御せずに、１次回折光受光素子１１お
よび２次回折光受光素子１３に入射させることができ
る。この構成の場合、１次回折光受光素子１１に＋２次
回折光１２ｂ、２次回折光受光素子１３に−１次回折光
９ｂが入射するため、１次回折光受光素子１１および２
次回折光受光素子１３の光路上に遮光体１６を設ける必
要がある。
他の実施例の概略構成を示す模式図である。図２におい
て、前述した実施例の構成とは、回折光を反射させるミ
ラーが、凹面を具備する凹面ミラー１５ａ、１５ｂであ
る点で異なる。反射ミラーが凹面部を具備したことによ
り、反射ミラーの角度を制御する角度制御手段が不要と
なる。凹面ミラー１５ａ、１５ｂは、ある程度の範囲の
回折角度で、＋１次回折光９ａおよび−２次回折光１２
ａを反射角度を制御せずに、１次回折光受光素子１１お
よび２次回折光受光素子１３に入射させることができ
る。この構成の場合、１次回折光受光素子１１に＋２次
回折光１２ｂ、２次回折光受光素子１３に−１次回折光
９ｂが入射するため、１次回折光受光素子１１および２
次回折光受光素子１３の光路上に遮光体１６を設ける必
要がある。
【００２２】以上のように、本発明によれば、異なるト
ラックピッチの光ディスク原盤またはレプリカディスク
を測定する場合であっても、複数の受光素子を用いた
り、受光素子を移動させたりすることなく、異なるトラ
ックピッチの光ディスク原盤またはレプリカディスクに
光ビームを照射し、反射したそれぞれの回折光を一定の
場所に配置されているそれぞれ１つの受光素子で回折光
量を受光し、光量比を検出することができ、光ディスク
原盤またはレプリカディスクに形成されたピットまたは
グルーブの形状を把握することができる。また、受光素
子の位置が変化しないため、受光素子に入射する光ディ
スク原盤またはレプリガティスクから受光素子に入射す
る散乱光は一定量であることから、トラックピッチが異
なる光ディスク原盤またはレプリカディスクであって
も、正確な回折光の光量を測定でき、正確に溝形状を把
握することができる。したがって、光ディスクの製造工
程において、異なるトラックピッチの光ディスク原盤ま
たはレプリカディスクであっても、溝形状を正確に測定
して不良品を発見することができる。
ラックピッチの光ディスク原盤またはレプリカディスク
を測定する場合であっても、複数の受光素子を用いた
り、受光素子を移動させたりすることなく、異なるトラ
ックピッチの光ディスク原盤またはレプリカディスクに
光ビームを照射し、反射したそれぞれの回折光を一定の
場所に配置されているそれぞれ１つの受光素子で回折光
量を受光し、光量比を検出することができ、光ディスク
原盤またはレプリカディスクに形成されたピットまたは
グルーブの形状を把握することができる。また、受光素
子の位置が変化しないため、受光素子に入射する光ディ
スク原盤またはレプリガティスクから受光素子に入射す
る散乱光は一定量であることから、トラックピッチが異
なる光ディスク原盤またはレプリカディスクであって
も、正確な回折光の光量を測定でき、正確に溝形状を把
握することができる。したがって、光ディスクの製造工
程において、異なるトラックピッチの光ディスク原盤ま
たはレプリカディスクであっても、溝形状を正確に測定
して不良品を発見することができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、光ディスク原盤または
レプリカディスクからの回折光を測定する溝形状測定装
置において、簡単な構成で、異なるトラックピッチの光
ディスク原盤またはレプリカディスクの回折光の光量比
を正確に測定し、溝形状を正確に把握することができ
る。
レプリカディスクからの回折光を測定する溝形状測定装
置において、簡単な構成で、異なるトラックピッチの光
ディスク原盤またはレプリカディスクの回折光の光量比
を正確に測定し、溝形状を正確に把握することができ
る。
【図１】本発明の溝形状測定装置における一実施例の概
略構成を示す模式図である。（ａ）は、光ディスク原盤
のトラックピッチが広い場合であり、（ｂ）は、光ディ
スク原盤のトラックピッチが狭い場合である。
略構成を示す模式図である。（ａ）は、光ディスク原盤
のトラックピッチが広い場合であり、（ｂ）は、光ディ
スク原盤のトラックピッチが狭い場合である。
【図２】本発明の溝形状測定装置における他の実施例の
概略構成を示す模式図である。
概略構成を示す模式図である。
【図３】従来の溝形状測定装置の概略構成を示す模式図
である。（ａ）は、光ディスク原盤のトラックピッチが
広い場合であり、（ｂ）は、光ディスク原盤のトラック
ピッチが狭い場合である。
である。（ａ）は、光ディスク原盤のトラックピッチが
広い場合であり、（ｂ）は、光ディスク原盤のトラック
ピッチが狭い場合である。
１ ・・・ピットまたはグルーブ ２ ・・・光ディスク原盤 ３ ・・・固定具 ４ ・・・光源 ５ ・・・レーザ光 ６ ・・・反射ミラー ７ ・・・０次回折光 ８ ・・・０次回折光受光素子 ９ ・・・１次回折光 ９ａ ・・・＋１次回折光 ９ｂ ・・・−１次回折光 １０ａ、１０ｂ ・・・可動ミラー １１ ・・・１次回折光受光素子 １２ａ ・・・−２次回折光 １２ｂ ・・・＋２次回折光 １３ ・・・２次回折光受光素子 １４ａ、１４ｂ ・・・角度制御手段 １５ａ、１５ｂ ・・・凹面ミラー １６ ・・・遮光体
Claims (2)
- 【請求項１】基板に形成されたピットまたはグルーブに
対してレーザ光を照射して得られた０次回折光と１次回
折光または２次回折光の光量比からピットまたはグルー
ブの形状を測定する溝形状測定装置において、前記基板
からの前記１次回折光を反射する第１の反射手段と、該
第１の反射手段で反射した前記１次回折光を受光する第
１の受光手段と、前記基板からの前記２次回折光を反射
する第２の反射手段と、該第２の反射手段で反射した前
記２次回折光を受光する第２の受光手段と、前記基板か
ら反射した前記１次回折光および前記２次回折光が前記
第１の受光手段および前記第２の受光手段に入射する角
度に前記第１の反射手段及び前記第２の反射手段の角度
を制御する角度制御手段とを具備したことを特徴とする
溝形状測定装置。 - 【請求項２】基板に形成されたピットまたはグルーブに
対してレーザ光を照射して得られた０次回折光と１次回
折光または２次回折光の光量比からピットまたはグルー
ブの形状を測定する溝形状測定装置において、前記基板
からの前記１次回折光を凹面により反射する第１の凹面
反射手段と、該第１の凹面反射手段で反射した前記１次
回折光を受光する第１の受光手段と、前記基板からの前
記２次回折光を凹面により反射する第２の凹面反射手段
と、該第２の凹面反射手段で反射した前記２次回折光を
受光する第２の受光手段とを具備したことを特徴とする
溝形状測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28599296A JPH10111114A (ja) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | 溝形状測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28599296A JPH10111114A (ja) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | 溝形状測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10111114A true JPH10111114A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17698615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28599296A Pending JPH10111114A (ja) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | 溝形状測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10111114A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104034284A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-09-10 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 大型环抛机抛光胶盘面形检测装置 |
-
1996
- 1996-10-08 JP JP28599296A patent/JPH10111114A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104034284A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-09-10 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 大型环抛机抛光胶盘面形检测装置 |
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