JPH1125522A

JPH1125522A - ディスク現像方法およびディスク現像装置

Info

Publication number: JPH1125522A
Application number: JP17444497A
Authority: JP
Inventors: Yasuhide Fujiwara; 康秀藤原
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1997-06-30
Filing date: 1997-06-30
Publication date: 1999-01-29

Abstract

(57)【要約】【課題】光ディスク原盤の現像において、現像の精度を
高め、所望の溝形状を精度良く実現する。【解決手段】目的とする溝幅を超えないように予め設定
された所定時間の現像を行った後、リンス・乾燥を行
い、低速回転状態にした光ディスク原盤ＬＤに単色光を
照射して回折の１次光強度：Ｉ₁及び２次光強度：Ｉ₂を
検出し、これらから光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を得、得られた
Ｉ₂/Ｉ₁に基づき、上記目的とする溝幅を得るのに必要
な追加の現像時間を決定し、追加の現像時間だけ、さら
に現像を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はディスク現像方法
およびディスク現像装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスク原盤は、光ディスクを製造す
る際のスタンパのもとになるものであって「基板上に感
光性のレジストを塗布されて露光されたもの」を言う。
この光ディスク原盤を現像すると、露光状態に応じて、
レジストに（案内溝やピット溝等の）溝が形成される。
なお、現像により溝が形成されたものも光ディスク原盤
と呼ばれる。光ディスク原盤の現像は、現像の結果レジ
ストに形成される溝が所望の幅・深さを持つように行わ
ねばならない。このような光ディスク原盤の現像方法と
して「光ディスク原盤にレーザ光を照射しつつ現像を実
行する方法」が提案されている（特開平６−２０３０７
号公報）。現像の進行に伴いレジストに溝が形成されて
いくが、形成される溝の幅は照射レーザ光に「光学的な
回折現象」を引き起こすに十分な程度に微少であるの
で、現像を行いつつ、回折の０次光強度：Ｉ₀、１次光
強度および２次光強度：Ｉ₁およびＩ₂を検出し、これら
の光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀とＩ₂/Ｉ₁を求める。現像により形
成される溝の深さ及び幅は、光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀及びＩ₂
/Ｉ₁と対応関係があるので、これら光強度比をモニタリ
ングしつつ現像を行い、光強度比が「所望の幅・深さに
対応する値」に成った時点で現像を終了し、リンスと乾
燥とを行えば所望形状の溝を得ることができる。

【０００３】この方法は実際に実行してみると、現像に
よりレジストに形成された溝の深さや幅に「バラツキ」
が生じることがわかった。現像時には、現像部に現像液
が連続的あるいは断続的に供給されるので、レーザ光を
照射する部位に「現像液の流れ」が生じ、これが前記光
強度：Ｉ₀ 等を変動させる原因になり、また現像液の屈
折率が高いため１次光・２次光の方向が現像液の無い状
態とは異なることも、光強度の検出誤差の原因となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】この発明は光ディスク
原盤の現像において、現像の精度を高め、所望の溝形状
を精度良く実現することを課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明のディスク現像
方法は「基板上にレジストを塗布されて露光された光デ
ィスク原盤を現像する方法」である。「基板」は、一般
にガラス基板であるが特にこれに限らない。

【０００６】請求項１記載のディスク現像方法は以下の
如く行われる。即ち、先ず、目的とする溝幅を超えない
ように予め設定された所定時間の現像を行った後、リン
ス・乾燥を行い、低速回転状態にした光ディスク原盤に
単色光を照射して回折の１次光強度：Ｉ₁及び２次光強
度：Ｉ₂を検出する。検出されたＩ₁，Ｉ₂から光強度
比：Ｉ₂/Ｉ₁を得、得られたＩ₂/Ｉ₁に基づき「目的とす
る溝幅を得るのに必要な追加の現像時間」を決定する。
そして決定された「追加の現像時間」だけ、さらに現像
を行う。

【０００７】請求項２記載のディスク現像方法は以下の
如くに行われる。光ディスク原盤に単色光を照射して、
回折の１次光強度：Ｉ₁ 及び２次光強度：Ｉ₂を検出し
つつ現像を行う。検出された光強度に基づき光強度比：
Ｉ₂/Ｉ₁を演算算出し、Ｉ₂/Ｉ₁が所定の値：(Ｉ₂/Ｉ₁)_A
になったときに現像を一旦停止してリンス・乾燥を行
う。

【０００８】そして、低速回転状態にした光ディスク原
盤に単色光を照射して、Ｉ₁，Ｉ₂を検出して、新たに光
強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Bを得、得られた(Ｉ₂/Ｉ₁)_Bに基づき
「目的とする溝幅を得るのに必要な追加の現像時間」を
決定する。そして、決定された「追加の現像時間」だ
け、さらに現像を行う。

【０００９】請求項３記載のディスク現像方法は以下の
如くに行われる。光ディスク原盤に単色光を照射して、
回折の１次光強度：Ｉ₁ 及び２次光強度：Ｉ₂を検出し
つつ現像を行う。検出された光強度に基づき光強度比：
Ｉ₂/Ｉ₁を演算・算出し、算出されたＩ₂/Ｉ₁が所定の値
(Ｉ₂/Ｉ₁)_Dになったときに現像を一旦停止してリンス・
乾燥を行う。そして、低速回転状態にした光ディスク原
盤に単色光を照射して、前記Ｉ₁，Ｉ₂を検出して新たに
光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Eを得、得られた(Ｉ₂/Ｉ₁)_Eに基づ
き、目的とする溝幅が得られるときの光強度比：(Ｉ₂/
Ｉ₁)_Fを決定し、再度現像を行いつつ、前記Ｉ₁，Ｉ₂を
検出して光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を得、この光強度比：Ｉ₂/
Ｉ₁が(Ｉ₂/Ｉ₁)_Fに達したとき現像を停止する。上記(Ｉ
₂/Ｉ₁)_Fは、現像液の存在を考慮して定められる。

【００１０】上記請求項２または３記載のディスク現像
方法においては、光ディスク原盤の現像が行われている
ときと、現像が一旦停止されているときとで、単色光の
照射角度を異ならせ、現像が行われているときには斜め
照射、現像が一旦停止されているときは垂直照射とする
ことができる（請求項４）。

【００１１】光ディスク原盤において、基板は一般に規
格品であり、基板上に塗布されるレジストは「所定の種
類のものが所定の厚さ」に塗布され、これを露光する露
光条件も一定の条件に定まっているから、露光された光
ディスク原盤を「一定の現像条件」で現像するならば
「現像の進行の推移」は個々の光ディスク原盤で大きく
異なることは無い。

【００１２】光ディスク原盤の現像が進行する時間：ｔ
により、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁ （現像液の屈折率を考慮し
て、現像液が無い場合に補正した値）がどのように変化
するかを、Ｉ₂/Ｉ₁ ＝Ｆ(ｔ；α)と表してみる。パラメ
ータ：αは、光ディスク原盤のロット間の差異や検出系
における変動（レジストの感度バラツキ、照明単色光の
ビーム径変動、回折光強度検出誤差等）の影響を表すも
のとする。上記のように、基板が規格品で所定種類のレ
ジストが所定厚さに塗布され、一定の条件で露光され、
一定の現像条件で現像されることを考慮すると、パラメ
ータ：αの変域（バラツキの範囲）は比較的狭く、パラ
メータ：αの種々の値に応じて、上記Ｆ(ｔ；α)あるい
は「Ｆの任意の関数」は、実験的に「テーブル」として
予め知ることができる。

【００１３】請求項１記載の方法では、予め所定の時
間：Ｔだけ現像を行った状態で現像を停止し、この状態
で光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を求める。このようにして得られ
た光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁＝Ｆ(Ｔ；α)であるので、検出演
算されたＩ₂/Ｉ₁と上記時間：Ｔとから、Ｆ(Ｔ；α)に
おけるパラメータ：αを、上記テーブルに基づき（必要
なら内挿計算を行って）決定できる。このようにしてＦ
(Ｔ；α)が分かれば、所望の溝幅を得るのに、上記の現
像条件でどれほどの時間、追加現像を行うべきかを知る
ことができる。

【００１４】請求項２記載の方法のように、回折の１次
光強度：Ｉ₁ 及び２次光強度：Ｉ₂を検出しつつ現像を
行い、検出された光強度に基づき光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を
演算算出すると、Ｉ₂/Ｉ₁は時間と共に変化するので
「Ｉ₂/Ｉ₁を時間のパラメータ」として使用することが
できる。そこで、Ｉ₂/Ｉ₁が所定の値：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Aにな
ったとき、現像を一旦停止して、リンス・乾燥を行い、
Ｉ₂/Ｉ₁を検出・算出して(Ｉ₂/Ｉ₁)_Bを得れば、現像が
どの段階まで行われているかが知れるので、得られた
(Ｉ₂/Ｉ₁)_Bに基づき「目的とする溝幅を得るのに必要な
追加の現像時間」を決定できる。

【００１５】上述の如く、１次光強度：Ｉ₁ 及び２次光
強度：Ｉ₂を検出しつつ現像を行い、検出された光強度
に基づき光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を演算算出すると、Ｉ₂/Ｉ₁
は時間と共に変化するので、そのまま現像を継続し、光
強度比：Ｉ₂/Ｉ₁が所定の値：(Ｉ₂/Ｉ₁)_fになったとこ
ろで現像完了とすることが考えられ、これは、前述の特
開平６−２０３０７号公報開示の方法である。

【００１６】しかし、この方法の場合は、現像液の流れ
等の影響を受ける虞れがあった。請求項３記載の発明で
は、１次光強度：Ｉ₁ 及び２次光強度：Ｉ₂を検出しつ
つ現像を行い、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を演算算出するが、
算出されたＩ₂/Ｉ₁が所定の値：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Dになったと
きに、現像を一旦停止してリンス・乾燥を行う。そし
て、低速回転状態にした光ディスク原盤に単色光を照射
して、新たに光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Eを得、得られた(Ｉ₂
/Ｉ₁)_Eに基づき、目的とする溝幅が得られるときの光強
度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Fを決定し、再度現像を行いつつ、光強
度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Fが実現された状態をもって現像完了と
するので、従来の、光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_fをもって現像
完了とする場合に比して、より正確な現像を実現でき
る。

【００１７】上記請求項２または３記載のディスク現像
方法においては、光ディスク原盤の現像が行われている
ときも、現像が一旦停止されているときも、光強度比：
Ｉ₂/Ｉ₁を検出・算出するが、請求項４記載の方法のよ
うに、現像が行われているときには、単色光の照射を斜
め照射にすることにより、１次光、２次光の方向を原盤
に直交する方向に近付けることにより、現像液の流れや
基板の反り等の影響を小さくでき、現像が一旦停止され
ているときは垂直照射とすることにより、それぞれ「よ
り正確な光強度比」を得ることが可能になる。

【００１８】請求項５記載のディスク現像方法は「予め
所定時間だけ現像を行った後、現像を停止して光ディス
ク原盤を低速回転状態にしてリンス・乾燥させ、低速回
転状態にした光ディスク原盤に単色光を照射して、０次
光強度：Ｉ₀ と１次光強度：Ｉ₁および２次光強度：Ｉ₂
を検出し、検出された光強度に基づき光強度比：Ｉ₁/I₀
およびＩ₂/Ｉ₁を演算算出し、算出されたＩ₁/Ｉ₀および
Ｉ₂/Ｉ₁に基づき、現像によりレジストに形成された溝
の深さと幅とを算出する」ことを特徴とする。

【００１９】請求項６記載のディスク現像方法は「請求
項１または２または３記載のディスク現像方法を実施し
たのち、現像を停止して光ディスク原盤を低速回転状態
にしてリンス・乾燥させ、低速回転状態にした光ディス
ク原盤に単色光を照射して、０次光強度：Ｉ₀と１次光
強度：Ｉ₁及び２次光強度：Ｉ₂を検出し、検出された光
強度に基づき光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀およびＩ₂/Ｉ₁を演算算
出し、算出されたＩ₁/Ｉ₀およびＩ₂/Ｉ₁に基づき、現像
によりレジストに形成された溝の深さと幅とを算出す
る」ことを特徴とする。請求項７記載のディスク現像方
法は「請求項４記載のディスク現像方法を実施したの
ち、現像を停止して光ディスク原盤を低速回転状態にし
てリンス・乾燥させ、低速回転状態にした光ディスク原
盤に単色光を照射して、回折の０次光強度：Ｉ₀と１次
光強度：Ｉ₁及び２次光強度：Ｉ₂を検出し、検出された
光強度に基づき光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀及びＩ₂/Ｉ₁を演算算
出し、算出されたＩ₁/Ｉ₀，Ｉ₂/Ｉ₁に基づき、現像によ
りレジストに形成された溝の深さと幅とを算出する」こ
とを特徴とする。

【００２０】上記のように、請求項５，６，７記載のデ
ィスク現像方法では、現像により形成された溝の深さと
幅とを実際に知ることができる。

【００２１】上記請求項１〜７記載のディスク現像方法
において、回折の各次光強度：Ｉ₀，Ｉ₁，Ｉ₂は透過光
として得ても良いし、反射光として得ても良い。

【００２２】この発明のディスク現像装置は、基板上に
レジストを塗布されて露光された光ディスク原盤を現像
する装置である。請求項８記載のディスク現像装置は、
回転手段と、現像液供給手段と、リンス液供給手段と、
照射手段と、検出・算出手段と、演算手段と、制御手段
とを有する。「回転手段」は、光ディスク原盤を回転さ
せる手段である。「現像液供給手段」は、回転手段上に
セットされて回転する光ディスク原盤のレジスト塗布面
に現像液を供給する手段である。「リンス液供給手段」
は、回転手段上にセットされて回転する光ディスク原盤
のレジスト塗布面にリンス液を供給する手段である。
「照射手段」は、光ディスク原盤に単色光を照射する手
段である。「検出・算出手段」は、照射手段により照射
された光ディスク原盤による回折の０次，１次および２
次光強度を検出し、検出された０，１，２次光強度：Ｉ
₀，Ｉ₁及びＩ₂から光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀，Ｉ₂/Ｉ₁を算出
する手段である。「演算手段」は、該検出・算出手段に
より算出された光強度比に基づき、現像によりレジスト
に形成された溝の深さと幅とを算出する手段である。
「制御手段」は、上記各手段を制御する手段であり、請
求項１または２または３または５または６記載のディス
ク現像方法に従って、上記各手段を制御する機能を持
つ。

【００２３】請求項９記載のディスク現像装置は、上記
回転手段、現像液供給手段、リンス液供給手段、照射手
段、検出・算出手段、演算手段と、制御手段を有する
が、上記照射手段は「単色光の光源からの光束の光ディ
スク原盤への照射を、垂直照射と斜め照射とに切り換え
る照射角切り換え手段」を有し、制御手段は請求項４ま
たは７記載のディスク現像方法に従って上記各手段を制
御する機能」を持つ。

【００２４】この請求項９記載のディスク現像装置にお
いては、検出・算出手段の０次光，２次光用の各光検出
器が、現像時と現像停止時とで、受光する回折光の次数
が異なり、１次光用の光検出器とともに、照射光の照射
が垂直照射の場合と斜め照射の場合とに共用されるよう
にすることができる（請求項１０）。

【００２５】上記請求項８または９または１０記載のデ
ィスク現像装置において、制御手段は「演算手段が演算
した溝の深さと幅とに基づき、現像された光ディスク原
盤の良否を判別する機能」を持つことができる（請求項
１１）。

【００２６】なお、上記光強度被：Ｉ₁/Ｉ₀，Ｉ₂/Ｉ₁や
(Ｉ₂/Ｉ₁)_A，(Ｉ₂/Ｉ₁)_F等において、これらを算出する
代わりに、これらの逆数：Ｉ₀/Ｉ₁，Ｉ₁/Ｉ₂等を算出し
て上記各種の制御・演算に供することもできる。

【００２７】

【発明の実施の形態】図１は、請求項８記載のディスク
現像装置の実施の１形態を示している。符号ＬＤは現像
対象である「光ディスク基板」を示す。光ディスク原盤
ＬＤは、ガラス原盤１上に感光性のレジスト１Ａを塗布
されて露光されたもので、「回転手段」であるターンテ
ーブル２上に載置される。ターンテーブル２に載置され
た光ディスク原盤ＬＤの表面側、即ちレジスト１Ａの表
面側にノズル端部を臨ませるように設けられた現像液ノ
ズル１５は、現像液タンク１７に通じ、図示されない加
圧ポンプが現像液１７０に圧力を加えて現像液ノズル１
５に現像液１７０を送りこみ、光ディスク原盤ＬＤの表
面に現像液１７０を供給するようになっており、現像液
供給量は電磁バルブ１６により調整制御される。現像液
ノズル１５と現像液タンク１７と「図示されない加圧ポ
ンプ」と電磁バルブ１６とは「現像液供給手段」を構成
する。

【００２８】ターンテーブル２に載置された光ディスク
原盤ＬＤの表面側にノズル端部を臨ませるように設けら
れたリンス液ノズル１５’は、リンス液タンク１９に通
じ、図示されない加圧ポンプがリンス液１９０に圧力を
加えてリンス液ノズル１５’にリンス液１９０を送りこ
み、光ディスク原盤ＬＤの表面にリンス液１９０を供給
するようになっており、リンス液供給量は電磁バルブ１
６’により調整制御される。リンス液ノズル１５’とリ
ンス液タンク１９と「図示されない加圧ポンプ」と電磁
バルブ１６’とは「リンス液供給手段」を構成する。リ
ンス液１９０としては一般に「純水」が使用される。

【００２９】ターンテーブル２にセットされた光ディス
ク原盤ＬＤには、図示されない「照射手段」から、単色
光Ｌｉが照射されるようになっている。単色光Ｌｉとし
ては「レーザ光束」を好適に利用でき、この場合、照射
手段はレーザ光源を光源とするものが用いられることに
なるが、これに限らず、ＬＥＤ（発光ダイオード）等か
らの単色光を照射するようにしてもよい。

【００３０】光ディスク原盤ＬＤの表面側には、光検出
器１１，１２，１３が所定の位置に配備されている。光
検出器１１は、単色光が光ディスク原盤により回折され
るときの「０次光」Ｌ₀を受光してその光強度：Ｉ₀ を
光電変換する。光検出器１２，１３はそれぞれ、回折の
１次光Ｌ₁，２次光Ｌ₂を受光して、これらの光強度：Ｉ
₁，Ｉ₂を光電変換する。光検出器１１，１２の出力は除
算器２０に入力し、除算器２０は光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀を
算出する。光検出器１２，１３の出力は除算器２０’に
入力し、除算器２０’は光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を算出す
る。従って、光検出器１１，１２，１３と除算器２０，
２０’は「検出・算出器」を構成する。

【００３１】除算器２０，２０’の出力はＣＰＵ２０Ａ
に入力する。この実施の形態において、ＣＰＵ２０Ａ
は、除算器２０，２０’からの入力：Ｉ₁/Ｉ₀，Ｉ₂/Ｉ₁
に基づき、レジストに形成された溝の深さと幅とを算出
する機能を有し、従って「演算手段」を構成する。ＣＰ
Ｕ２０Ａはまた、バルブ制御手段１８を介して電磁バル
ブ１６，１６’を制御するほか、「回転手段」であるタ
ーンテーブル２の回転速度や、前記「照射手段」におけ
る単色光の点滅や光強度調整、現像液供給手段やリンス
液供給手段における加圧ポンプを制御し、また除算器２
０，２０’の演算の取り込み等を制御する。従って、Ｃ
ＰＵ２０Ａとバルブ制御手段１８は「制御手段」を構成
する。

【００３２】即ち、図１に示す実施の形態のディスク現
像装置は、基板１上にレジスト１Ａを塗布されて露光さ
れた光ディスク原盤ＬＤを現像する装置であって、光デ
ィスク原盤ＬＤを回転させる回転手段２と、回転手段２
上にセットされて回転する光ディスク原盤ＬＤのレジス
ト塗布面に現像液１７０を供給する現像液供給手段１
５，１６，１７等と、回転手段２上にセットされて回転
する光ディスク原盤ＬＤのレジスト塗布面にリンス液１
９０を供給するリンス液供給手段１５’，１６’，１９
等と、光ディスク原盤ＬＤを単色光Ｌｉで照射する照射
手段と、照射手段により照射された光ディスク原盤ＬＤ
による回折の０次，１次および２次光を検出し、検出さ
れた０，１，２次光強度：Ｉ₀，Ｉ₁及びＩ₂から光強度
比：Ｉ₁/Ｉ₀，Ｉ₂/Ｉ₁を算出する検出・算出手段１１，
１２，１３，２０，２０’と、検出・算出手段により算
出された光強度比に基づき、現像によりレジストに形成
された溝の深さと幅とを算出する演算手段２０Ａと、上
記各手段を制御する制御手段２０Ａ，１８とを有する。
制御手段２０Ａ，１８は、前記請求項１または２または
３または５または６記載のディスク現像方法に従って上
記各手段を制御する機能を持つ。

【００３３】以下、図１の実施の形態において請求項
１，２，３，５，６記載のディスク現像方法を実施する
場合を逐次説明する。

【００３４】請求項１，２，３記載のディスク現像方法
では、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を現像の目安に用いている。
現像の目安としては、光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀を利用するこ
ともできるが、この発明では以下の理由により、光強度
比：Ｉ₂/Ｉ₁を目安として、現像を行うのである。後述
するように、光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀は「溝の深さ」に関連
し、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁は「溝幅」に関連する。光ディ
スク原盤を現像し、現像開始以後の光強度比の時間的な
変化を見ると、各光強度比の変化は図２に示すごとくに
なる。図２（ａ）から分かるように、光強度比：Ｉ₁/Ｉ
₀ は時間の経過と共に当初略直線的に増大するが、時間
がある程度経過すると殆ど変化しなくなってしまう。前
述のように光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀は「溝の深さ」に関連す
るから、現像により求める溝の深さが「さほど深くない
（これは現像により求める溝の幅が小さいことをも意味
する）」場合には、光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀ を目安に現像を
行うことは有効であるが、現像で求める溝の深さが深
く、溝幅も広いような場合には「現像状態を表す目安」
としては好ましく無い。

【００３５】これに対し、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁ は、図２
（ｂ）に示すように、現像時間の経過に伴い、緩やかに
ではあるが「常に単調に減少する」ように変化するの
で、これを目安として現像を行えば「溝幅の狭広」に拘
らず、現像状態を表す目安として利用できる。

【００３６】請求項１記載のディスク現像方法の手順を
示す図３のフロー図を参照する。ステップ：３０１にお
いて、現像対象である光ディスク原盤ＬＤをターンテー
ブル２にセットし、現像モードでターンテーブル２を回
転させ、現像を行う。このとき制御手段はターンテーブ
ル２の回転速度と現像液供給手段とを制御する。ターン
テーブルの回転速度は例えば１００ＲＰＭである。

【００３７】制御手段には「所定の現像時間：Ｔ」が設
定されている。現像時間：Ｔは「目的とする溝幅を超え
ない適当な時間」として予め「経験的」に定められる。
ステップ：３０２で「所定時間：Ｔの経過」を判断する
と、制御手段は、現像を停止し、リンス液供給手段を制
御してリンスを行い、さらに光ディスク原盤を乾燥させ
る。光ディスク原盤ＬＤが乾燥したらターンテーブルの
回転を低速回転（例えば１０ＲＰＭ程度）にする（ステ
ップ：３０３）。

【００３８】ステップ：３０４で、制御手段は照射手段
を制御し、乾燥した光ディスク原盤ＬＤに単色光：Ｌｉ
を照射し、光検出器１２，１３の出力：Ｉ₁，Ｉ₂を検出
し、除算器２０’により光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を算出させ
て、その結果を取り込む。このとき、除算器２０は動作
を停止させておいてよい。

【００３９】ステップ：３０５では、このようにして得
られた光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁に基づき追加の現像時間：Ｔ_S
を決定し、再度、現像モードで現像を続行する。そし
て、ステップ：３０６において現像時間：Ｔ_S が経過し
たことを判断したら、現像を停止する（ステップ：３０
７）。

【００４０】光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁に基づき追加の現像時
間：Ｔ_Sを決定するには、原理的には前述のように、Ｉ₂
/Ｉ₁＝Ｆ(ｔ；α) をテーブルとして予め求めておき、
検出されたＩ₂/Ｉ₁と上記所定の時間：Ｔとから、Ｆ
(Ｔ；α)におけるパラメータ：αを、上記テーブルに基
づき（必要なら内挿計算を行って）決定する。このよう
にしてＦ(Ｔ；α)がわかれば、所望の溝幅を得るのに、
上記の現像条件でどれほどの時間「追加現像」を行うべ
きかを知ることができる。追加の現像時間の決定には、
所定の時間：Ｔの現像後の光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁をそのま
ま利用することもできるし、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁に応じ
て定まる他の物理量を利用することもできる。ここで
は、上記Ｉ₂/Ｉ₁を用いて、溝幅：Ｗを算出する方法を
説明する。図１３に示すように、単色光の光ディスク原
盤ＬＤへの入射角を「θ₀（単色光Ｌｉの照射条件とし
て定まる）」、回折の０次光、±１次光、±２次光に関
する回折角を「θ」、溝のピッチを「Ｐ」、単色光の波
長を「λ（単色光の光源により定まる）」、回折次数を
「ｍ」とすると、溝のピット：Ｐは、Ｐ＝ｍλ／（ｓｉｎθ₀−ｓｉｎθ）（１）である。ピッチ：Ｐは「露光された溝パターンのピッ
チ」で予め定められた値である。入射角：θ₀を定め、
ピッチ：Ｐが定まると、回折の次数：ｍに応じて回折
角：θが定まるから、これに応じて光検出器１１，１
２，１３を配備できる。

【００４１】溝幅：Ｗ、溝の深さ：Ｄと光強度比：Ｉ₂/
Ｉ₁との関係を表す解析表現は、種々知られているが、
この実施の形態では以下の式（２），（３）を用いる。

【００４２】Ｗ＝（Ｐ／π）・ｃｏｓ｛√（Ｉ₂/Ｉ₁）｝（２）Ｄ＝ｃｏｓθ₀・（λ／４π）・ｃｏｓ~¹[１−(Ｐ²／２Ｗ{(Ｉ₁/Ｉ₀)Ｗ・ｓｉｎｃ²(Ｗ/Ｐ)＋Ｐ−Ｗ}] ．．．．．．．．（３）。

【００４３】（２）式を用いると、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁
に対応する溝幅：Ｗを算出できる。即ち、（１）式が成
り立つように単色光の入射角と光検出器１１，１２，１
３の配置を定めると、ピッチ：Ｐは予め既知であるか
ら、検出・算出された光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁と既知のＰを
用いて（２）式により溝幅：Ｗが求まる。また、波長：
λは予め知られているから、（３）式に光強度比：Ｉ₁/
Ｉ₀と、（２）式により算出された溝幅：Ｗと、既知の
量：θ₀、λ、Ｐ、Ｗを代入すると、溝の深さ：Ｄを得
ることができる。なお、（３）式において「ｓｉｎｃ」
は、ｓｉｎｃ（Ｘ）＝ｓｉｎＸ／Ｘで定義される関数で
ある。

【００４４】実際に現像が行われるとき「現像時間に応
じて溝幅：Ｗがどのように変化するか」を示したのが図
４である。前述のように、個々の光ディスク原盤におけ
るレジストの感度のバラツキや、他の変動要因のため、
現像時間と溝幅：Ｗとの関係は、実線で示す曲線４−１
の他に、鎖線で示す曲線４−１，４−２，４−３等々が
存在し、これらの各曲線の特性は予め経験的なデータか
ら知ることができるので、これらをテーブルや式の形で
制御手段（ＣＰＵ２０Ａ）に記憶させておく。

【００４５】所定の時間：Ｔだけ現像を行った状態で、
光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を得、これを用いて算出した溝幅が
「Ｗｅ」であったすれば「そのとき行われている現像で
は、溝幅：Ｗは、現像時間に応じて、図５の曲線４−１
に従って推移する」ものであることがわかる（このこと
は、前述のパラメータ：αが特定されたことを意味す
る）。すると、曲線４−１と目的とする溝幅：Ｗｆとの
関係から、追加の現像を終了させるべき時間：Ｔ_Fを知
ることができ、これからＴ_S＝Ｔ_F−Ｔとして「追加の現
像時間：Ｔ_S」を決定できる。

【００４６】請求項２記載のディスク現像方法の手順を
示す図５のフロー図を参照する。ステップ：５０１で、
現像対象である光ディスク原盤ＬＤをターンテーブル２
にセットし、現像モードでターンテーブル２を回転さ
せ、現像を行う。このとき制御手段はターンテーブル２
の回転速度と現像液供給手段とを制御する。ターンテー
ブルの回転速度は例えば１００ＲＰＭである。

【００４７】現像を行いつつ光ディスク原盤ＬＤに単色
光：Ｌｉを照射し、光検出器１２，１３の出力：Ｉ₁，
Ｉ₂を検出し、除算器２０’に光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁ を算
出させて、その結果を取り込む。このとき除算器２０は
動作を停止させておいてよい。

【００４８】制御手段には、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁の所定
の値：(Ｉ₂/Ｉ₁)_A が設定されており、制御手段は、光
強度比：Ｉ₂/Ｉ₁が所定の光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Aに達し
たことを判断すると（ステップ：５０２）現像を停止
し、リンス液供給手段を制御してリンスを行い、さらに
光ディスク原盤を乾燥させ。光ディスク原盤ＬＤが乾燥
したらターンテーブルの回転を低速回転（例えば１０Ｒ
ＰＭ程度）にする（ステップ：５０３）。

【００４９】光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Aは、「目的とする溝
幅を超えない」ときの光強度比として予め「経験的」に
定められる。従って、ステップ：５０３で現像が停止さ
れるとき、光ディスク原盤に形成された溝の溝幅は目的
とする溝幅に達していない。なお、光強度比：(Ｉ₂/
Ｉ₁)_Aは、現像を行いながら得られた光強度比であり、
現像液の屈折率等の影響を受けているものであることを
付記しておく。

【００５０】ステップ：５０４で、制御手段は照射手段
により、乾燥した光ディスク原盤ＬＤに単色光：Ｌｉを
照射して光検出器１２，１３の出力：Ｉ₁，Ｉ₂を検出
し、除算器２０’に光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を算出させ、そ
の結果を光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Bとして取り込む。従っ
て、光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Bは現像液等の影響を受けてい
ない。この間、除算器２０は動作を停止させておいてよ
い。

【００５１】ステップ：５０５では、このようにして得
られた光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Bに基づき追加の現像時間：
Ｔ_Sを決定し、再度、現像モードで現像を続行する。そ
してステップ：５０６において、現像時間：Ｔ_S の経過
を判断したら現像を停止する（ステップ：５０７）。

【００５２】このように、光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Aを求め
ることにより、請求項１の方法と同様に、光強度比：
(Ｉ₂/Ｉ₁)_Aを用いて例えば「溝幅：Ｗ」を算出すると、
このときの現像がどのように推移するかを知ることがで
きる。

【００５３】即ち、図６に示すように、光強度比（現像
液等の影響を受けない値）は、現像の進行ととともに、
前述の図２に示した曲線と同様に単調に減少する用に変
化する。しかし、現像の具体的推移には、多くの曲線６
−１，６−２，６−３，．．等が対応する。そして、請
求項２記載の発明においては、上記光強度比：(Ｉ₂/
Ｉ₁)_Bが得られるまで、現像がどの曲線に従って推移し
ているか不明である。しかし、光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)
_Bが、例えば図６の縦軸のｇであることが分かると、こ
の時までの現像の経過時間：Ｔ₀と光強度比：ｇとか
ら、このときの現像の推移が曲線６−１に従うものであ
ることが分かり（前述のパラメータ：αを特定したのと
同義である）、この曲線６−１に従って、現像を終了さ
せるときの光強度比：ｆが分かり、これから現像を終了
させるべき時間：Ｔ_Fが分かることになる。そして追加
の現像時間：Ｔ_S＝Ｔ_F−Ｔ₀を決定することができる。

【００５４】請求項３記載のディスク現像方法の手順を
示す図７のフロー図を参照する。ステップ：７０１にお
いて、現像対象である光ディスク原盤ＬＤをターンテー
ブル２にセットし、現像モードでターンテーブル２を回
転させ、現像を行う。このとき、制御手段はターンテー
ブル２の回転と現像液供給手段とを制御する。ターンテ
ーブルの回転速度は例えば１００ＲＰＭである。

【００５５】現像を行いながら、光ディスク原盤ＬＤに
単色光：Ｌｉを照射し、光検出器１２，１３の出力：Ｉ
₁，Ｉ₂を検出し、除算器２０’に光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を
算出させて、その結果を取り込む。このとき、除算器２
０は動作を停止させておいてよい。

【００５６】制御手段には、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁の所定
の値：(Ｉ₂/Ｉ₁)_D が設定されており、制御手段は、光
強度比：Ｉ₂/Ｉ₁ が(Ｉ₂/Ｉ₁)_Dに達したことを判断する
と（ステップ：７０２）現像を停止し、リンス液供給手
段を制御してリンスを行い、さらに光ディスク原盤を乾
燥させ。光ディスク原盤ＬＤが乾燥したらターンテーブ
ルの回転を低速回転（例えば１０ＲＰＭ程度）にする
（ステップ：７０３）。光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Dは現像液
等の影響を受けている。

【００５７】上記光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Dは、「目的とす
る溝幅を超えない」状態の光強度比として予め「経験
的」に定める。従って、ステップ：７０３で現像が停止
されるとき、光ディスク原盤に形成された溝の溝幅は目
的とする溝幅に達していない。

【００５８】ステップ：７０４で、制御手段は、乾燥し
た光ディスク原盤ＬＤに照射手段により単色光：Ｌｉを
照射し、光検出器１２，１３の出力：Ｉ₁，Ｉ₂により除
算器２０’に光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁ を算出させ、その結果
を光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Eとして取り込む。このとき、除
算器２０は動作を停止させておいてよい。

【００５９】ステップ：７０５では、光強度比：(Ｉ₂/
Ｉ₁)_Eに基づき、現像を終了させるときの光強度比：(Ｉ
₂/Ｉ₁)_Fを決定し、再度、現像モードで現像を続行す
る。そして、ステップ：６０６において、光強度比：Ｉ
₂/Ｉ₁が(Ｉ₂/Ｉ₁)_Fに達したことを判断したら、現像を
停止する（ステップ：７０７）。

【００６０】光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁ は、現像を行いつつ検
出するときには、現像液の屈折率の影響を受けるし、光
ディスク原盤の回転速度が大きいことの影響も受ける。
しかし、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁は、現像を行いつつ得られ
たときと、現像を停止し、リンス・乾燥を行い、光ディ
スク原盤を低速回転させつつ得たときとで無関係ではな
く、一般に両者は「比例関係」にある。

【００６１】従って、両者の比例関係が一義的なもので
あるならば、現像を行いつつ光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁ をモニ
タし、これが所望の溝幅に対応する値となったときに現
像を停止すれば、所望の溝幅を現像により実現できるこ
とになる。この方法は特開平６−２０３０７号公報記載
の現像方法に他ならない。

【００６２】しかし、現実には上記「比例関係」は一義
的なものではない。説明図的に示すと、図８において横
軸の「測定時の回折光比」は、現像を停止し、リンス・
乾燥を行い、光ディスク原盤を低速回転させつつ得たＩ
₂/Ｉ₁ を表し、縦軸における「現像時の回折光比」は、
現像を行いつつ得たＩ₂/Ｉ₁ である。図８の直線ｉ，ｉ
ｉ，ｉｉｉは、前記パラメータ：αのバラツキにより
「バラついた比例関係（実際には、図７に示すよりも多
数の比例関係が存在する）」を示す。そこで、図７のス
テップ：７０２において、得られた光強度比：(Ｉ₂/
Ｉ₁)_Dが図８の「縦軸のａ」に等しいとすると、このと
き、現像を停止し、リンス・乾燥を行い、光ディスク原
盤を低速回転させつつ得た(Ｉ₂/Ｉ₁)_Eは、上記比例関
係：ｉ〜ｉｉｉに応じて横軸のｂ，ｂ’，ｂ’’に対応
する。そこで、ステップ：７０４で「実際に得られた光
強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Eが上記ｂ，ｂ’，ｂ’’の何れにな
るか」を知れば、このとき行われている現像における比
例関係が、比例関係：ｉ〜ｉｉｉの何れに相当するかを
知ることができる。これは前述のパラメータ：αが特定
されることに相当する。

【００６３】そこで、上記の如く決定された「比例関
係」に基づき、この比例関係と、目的とする溝幅：ｃを
与えるときの現像時の回折光比（例えば、比例関係：ｉ
であれば縦軸のｄ、比例関係：ｉｉｉであるときは縦軸
のｄ’）を：光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Fとして決定し、再
度、現像モードで現像を続行し、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁ が
(Ｉ₂/Ｉ₁)_Fに達したことを判断して現像を停止すれば所
望の溝幅を実現できる。

【００６４】請求項５記載のディスク現像方法の手順を
示す図９のフロー図を参照する。ステップ：９０１にお
いて、現像対象である光ディスク原盤ＬＤをターンテー
ブル２にセットし、現像モードでターンテーブル２を回
転させ、現像を行う。このとき、制御手段はターンテー
ブル２の回転速度と現像液供給手段とを制御する。ター
ンテーブルの回転速度は例えば１００ＲＰＭである。

【００６５】この現像は「所定時間：Ｔ₁」だけ行われ
る。この場合の時間：Ｔ₁は、経験的に所望の（即ち目
的とする）溝幅および溝の深さを実現できる現像時間が
設定される。制御手段は、ステップ：９０２において所
定時間：Ｔ₁ の経過を判断したら、ステップ：９０３に
おいて、現像を停止し、リンスと乾燥を行い、ターンテ
ーブルを低速回転状態にする。そして、ステップ：９０
４において、光ディスク原盤ＬＤに単色光：Ｌｉを照射
し、光検出器１１，１２，１３の出力：Ｉ₀，Ｉ₁，Ｉ₂
を検出し、除算器２０，２０’に光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀,Ｉ
₂/Ｉ₁を算出させ、その結果を取り込む。

【００６６】制御手段は次いで、ステップ：９０５で、
光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀，Ｉ₂/Ｉ₁に基づき、現像によりレジ
ストに形成された溝の深さ：Ｄと幅：Ｗとを算出する。
これにより、所望の深さと溝とを持った光ディスク原盤
が得られたか否かを確認することができる。Ｄ，Ｗの算
出には前述の式（１）〜（３）を用いる。

【００６７】なお、図３のステップ：３０３、図５のス
テップ：５０３、図７のステップ：７０２、図９のステ
ップ：９０３において、リンス・乾燥は「ターンテーブ
ルの回転を低速回転とした状態」で行っても良い。

【００６８】上記請求項１，２，３記載の現像方法で
は、所望の溝幅を現像により自動的に実現できるが、こ
のようにして実現された現像の結果を確認するようにし
ても良く、請求項６記載の発明はこのような現像方法で
ある。請求項６記載のディスク現像方法の手順を示す図
１０，１１のフロー図を参照する。現像方法が請求項
１，２記載の発明によるときには、図１０に示すように
「追加の現像時間：Ｔ_S 」が経過（ステップ：１００
１）したら、ステップ：１００２において現像を停止
し、リンスと乾燥を行い、ターンテーブルを低速回転状
態にして、ステップ：１００３において、光強度比：Ｉ
₁/Ｉ₀,Ｉ₂/Ｉ₁を検出・算出し、その結果に基づき「現
像によりレジストに形成された溝の深さ：Ｄと幅：Ｗ」
とを算出して（ステップ：１００４）、現像を終了する
（ステップ：１００５）。

【００６９】現像方法が請求項３記載の発明によるとき
には、図１１に示すように、現像中の光強度比が「(Ｉ₂
/Ｉ₁)_F」に達したら（ステップ：１１０１）したら、ス
テップ：１１０２において現像を停止し、リンスと乾燥
を行い、ターンテーブルを低速回転状態にし、ステッ
プ：１１０３において、光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀,Ｉ₂/Ｉ₁を
検出・算出し、その結果に基づき「現像によりレジスト
に形成された溝の深さ：Ｄと幅：Ｗ」とを算出して（ス
テップ：１１０４）、現像を終了する（ステップ：１１
０５）。

【００７０】図１２は、請求項９，１０記載の発明の実
施の１形態を特徴部分のみ説明するための図である。請
求項９記載の発明の特徴部分は、「照射手段」にあり、
請求項１０記載の発明の特徴部分は、「照射手段」と
「検出・算出手段における光検出器」にある。即ち、請
求項９，１０記載のディスク現像装置においては、図１
１（ａ）に示すように、照射手段は、「単色光の光源」
であるレーザ光源３と、固定ミラー７と可動ミラー８
（および図示されないその移動機構）とを有する。固定
ミラー７と可動ミラー８およびその移動機構（図示され
ず）とは「単色光の光源３からの光束の光ディスク原盤
ＬＤへの照射を、垂直照射と斜め照射とに切り換える照
射角切り換え手段」を構成する。

【００７１】前述のように請求項２，３記載の現像方法
では、現像中において、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を検出・算
出する。このとき、光ディスク原盤ＬＤには、現像液の
供給が行われているので、光強度：Ｉ₂，Ｉ₁の検出は現
像液の屈折率の影響を受ける。この「屈折率の影響」を
可及的に軽減させるには、回折の１次光および２次光の
方向が「光ディスク原盤ＬＤに直交する方向に近くなる
ようにする」のが良く、このためには、図１１(ａ)のよ
うに、現像時においては単色光の照射を固定ミラー７を
用いて「斜め照射」とすることにより現像時における光
強度比：Ｉ₂/Ｉ₁をより正確に検出・算出できる。

【００７２】逆に、現像が一旦停止され、光ディスク原
盤が乾燥されているときには、現像液やリンス液の屈折
率の影響を考えなくてよく、単色光の入射を「垂直照
射」とすることが、より正確な回折光強度比を得る上で
好ましい。そこでこの場合は、図１１（ｂ）に示す位置
に可動ミラー８を移動させ、レーザ光源３からのレーザ
光（単色光）が可動ミラー８に反射されて光ディスク原
盤ＬＤに「垂直照射」されるようにする。このようにし
て、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁ を、現像時にも非現像時にも正
確に得ることができる。即ち、図１１に示す請求項９記
載のディスク現像装置では、請求項４記載の現像方法が
実施されることになる。

【００７３】ところで、上記のように「現像時と非現像
時とで単色光の照射角度を異ならせる」と回折の各次光
の回折角が「照射角に応じて異なる」ことになる。従っ
て、何らかの工夫を施さないと、各光検出器を各照射角
に応じて設ける必要があり、光検出器の数を増やさなけ
ればならないが、請求項１０記載の発明では、図１２に
示すように、検出・算出手段の０，１，２次光用の各光
検出器センサ１１’，１２’，１３’のみを設け、垂直
照射と斜め照射に共用するようにした。

【００７４】即ち図１１（ａ）に示すように、単色光を
斜め入射させるときには、回折の０次光を光検出器１
３’により検出し、１次光および２次光は、それぞれ光
検出器１２’および１１’で検出する。そして、単色光
を垂直入射させるときは、光検出器１１’，１２’，１
３’がそれぞれ０次光，１次光、２次光を検出する。即
ち、光検出器１１’，１２’，１３’は、このような受
光が可能であるように配置位置を定められるのである。
光検出器１１’，１２’が、図１の除算器２０に連結さ
れ、光検出器１２’，１３’が、光検出器２０’に連結
されているものとすると、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁の演算算
出は、現像時には除算器２０を用い、その出力をＣＰＵ
２０Ａで逆数にしてＩ₂/Ｉ₁を得る。また非現像時には
除算器２０’を用い、その出力をＩ₂/Ｉ₁とする。

【００７５】請求項９記載のディスク現像装置で、請求
項７記載の発明のディスク現像方法を実施する場合に
は、現像を停止して光ディスク原盤を低速回転状態にし
てリンス・乾燥させ、低速回転状態にした光ディスク原
盤に単色光を照射して、回折の０次項強度：Ｉ₀と１次
光強度：Ｉ₁及び２次光強度：Ｉ₂を検出し、検出された
光強度に基づき回折光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀およびＩ₂/Ｉ₁を
演算算出し、算出されたＩ₁/Ｉ₀およびＩ₂/Ｉ₁に基づ
き、現像によりレジストに形成された溝の深さと幅とを
算出する。

【００７６】図１２の実施の形態で、請求項７記載の現
像方法を実施する場合には、光検出器１１’は、現像時
には回折の２次光を受光し、非現像時には回折の０次光
を受光する。また光検出器１３’は、現像時には回折の
０次光を受光し、非現像時には回折の２次光を受光す
る。回折の０次光の光強度に比して、２次光の光強度は
略「数十分の１」であり、このため、光検出器１１’，
１３’は、現像時と非現像時とで受光量が極端に異な
り、検出精度に誤差が発生しやすい。そこで、図１２に
示す可動のフィルター９，１０を用い、フィルター９
は、現像時に回折の０次光が入射する光検出器１１’の
受光面部分に配備し、非現像時には光検出器１１’の前
から退避させ、フィルター１０は、現像時に回折の０次
光が入射する光検出器１１’の受光面部分に配備し、非
現像時には光検出器１１’の前から退避させる。このよ
うにすれば、光検出器１１’，１３’の受光量は、現像
時と非現像時とで大きく変化することが無いから、回折
光検出の精度を高めることができる。勿論、このとき演
算手段における演算では、フィルタ９，１０の影響を補
正して、正しい光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀が得られるようにす
る。

【００７７】上に説明した請求項８〜１０記載の現像装
置においては、演算手段が「現像によりレジスト層に形
成された溝の深さと幅とを算出する機能」を有するの
で、現像後に、レジスト層に形成された溝の深さ：Ｄと
幅：Ｗとを算出し、算出された深さ：Ｄおよび幅：Ｗ
が、光ディスク原盤としての許容範囲：Ｄ₁〜Ｄ₂、Ｗ₁
〜Ｗ₂内に入るか否か、即ち、Ｄ₁≦Ｄ≦Ｄ₂であり、且
つ、Ｗ₁≦Ｗ≦Ｗ₂であるか否かを制御手段で判別させる
ことができ、このようにすることにより、現像された光
ディスク原盤の良否を自動的に判定できる（請求項１
１）。

【００７８】なお、請求項４，７記載の発明のディスク
現像方法を実施する場合、図５（図７）のフロー図で
は、当初、単色光を斜め照射させ、ステップ：５０３
（７０３）と５０４（７０４）の間で垂直照射にし、ス
テップ：５０４（７０４）と５０５（７９５）の間で斜
め入射に戻す。図１０（図１１）のフロー図では、ステ
ップ１００３（１１０３）は垂直入射で行う。

【００７９】上記の如く、請求項１，２，３，４，６記
載の発明のディスク現像方法では、現像の途中で一旦現
像を停止し、光ディスク原盤を低速回転状態にして回折
光の光強度を検出し、その後、再び現像が行われる。こ
の再度の現像工程においても光ディスク原盤の回転は、
当初の現像と同様、高速回転（例えば１００ＲＰＭ）で
行われる。

【００８０】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば光ディスク原盤の新規な現像方法および現像装置を実
現できる。

【００８１】請求項１〜８記載の発明によれば、現像の
途上で溝の幅あるいは溝幅に対応する光強度比：Ｉ₂/Ｉ
₁を正規に検出・算出するので、これらに基づき、現像
を終了せしめる時点あるいは、そのときの光強度比：Ｉ
₂/Ｉ₁を適正に決定でき、自動的に精度良く現像を行う
ことができる。

【００８２】また、請求項４，７記載の現像方法によれ
ば、現像時には単色光を斜め照射して、回折の１次光と
２次光の方向を光ディスク原盤に直交する方向に近付け
ることにより１次光、２次光の検出における現像液の屈
折率等の影響を軽減させ、１次光・２次光の検出精度を
高めることができる。

【００８３】請求項４，７記載のディスク現像方法によ
れば、現像によりレジストに形成された溝の幅と深さを
知ることができる。請求項８記載のディスク現像装置に
よれば、上記請求項１〜３，５，６記載のディスク現像
方法を自動的に実施でき、請求項９記載のディスク現像
装置によれば、上記請求項４，７記載のディスク現像方
法を自動的に実施でき、請求項１０記載のディスク現像
装置によれば、光検出器数の増大なしに請求項４，７の
ディスク現像方法の実施が可能である。また請求項１１
記載のディスク現像装置によれば、現像された光ディス
ク原盤の良否を自動的に判別することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のディスク現像装置の実施の１形態を
示す図である。

【図２】図２は、現像に伴う光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀，Ｉ₂/
Ｉ₁の変化を説明するための図である。

【図３】請求項１記載の発明の手分を説明するためのフ
ロー図である。

【図４】請求項１記載の発明の追加の現像時間の決定を
説明するための図である。

【図５】請求項２記載の発明の手順を説明するためのフ
ロー図である。

【図６】請求項２記載の発明の追加の現像時間の決定を
説明するための図である。

【図７】請求項３記載の発明の手順を説明するためのフ
ロー図である。

【図８】請求項３記載の発明の光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Fの
決定を、説明するための図である。

【図９】請求項５記載の発明の手順を説明するためのフ
ロー図である。

【図１０】請求項６記載の発明の手順を説明するための
図である。

【図１１】請求項７記載の発明の手順を説明するフロー
図である。

【図１２】請求項９，１０記載の発明の実施の形態を特
徴部分のみ説明するための図である。

【図１３】光ディスク原盤による単色光の回折を説明す
るための図である。

【符号の説明】

ＬＤ光ディスク原盤２ターンテーブル１１，１２，１３光検出器１７０現像液１９０リンス液

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にレジストを塗布されて露光された
光ディスク原盤を現像する方法であって、目的とする溝幅を超えないように予め設定された所定時
間の現像を行った後、リンス・乾燥を行い、低速回転状態にした光ディスク原
盤に単色光を照射して回折の１次光強度：Ｉ₁及び２次
光強度：Ｉ₂を検出し、これらから、光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁
を得、得られたＩ₂/Ｉ₁に基づき、上記目的とする溝幅
を得るのに必要な追加の現像時間を決定し、上記追加の現像時間だけ、さらに現像を行うことを特徴
とするディスク現像方法。
【請求項２】基板上にレジストを塗布されて露光された
光ディスク原盤を現像する方法であって、光ディスク原盤に単色光を照射して、回折の１次光強
度：Ｉ₁ 及び２次光強度：Ｉ₂を検出しつつ現像を行
い、検出された光強度に基づき光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を演算算
出し、Ｉ₂/Ｉ₁が所定の値：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Aになったときに
現像を一旦停止してリンス・乾燥を行い、低速回転状態にした光ディスク原盤に単色光を照射し
て、前記Ｉ₁，Ｉ₂を検出して新たに光強度比：(Ｉ₂/
Ｉ₁)_Bを得、得られた(Ｉ₂/Ｉ₁)_Bに基づき、目的とする
溝幅を得るのに必要な追加の現像時間を決定し、上記追加の現像時間だけ、さらに現像を行うことを特徴
とするディスク現像方法。
【請求項３】基板上にレジストを塗布されて露光された
光ディスク原盤を現像する方法であって、光ディスク原盤に単色光を照射して、回折の１次光強
度：Ｉ₁ 及び２次光強度：Ｉ₂を検出しつつ現像を行
い、検出された光強度に基づき光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁を演算算
出し、算出されたＩ₂/Ｉ₁が所定の値(Ｉ₂/Ｉ₁)_Dになっ
たときに現像を一旦停止してリンス・乾燥を行い、低速回転状態にした光ディスク原盤に単色光を照射し
て、前記Ｉ₁，Ｉ₂を検出して新たに光強度比：(Ｉ₂/
Ｉ₁)_Eを得、得られた(Ｉ₂/Ｉ₁)_Eに基づき、目的とする
溝幅が得られるときの光強度比：(Ｉ₂/Ｉ₁)_Fを決定し、再度現像を行いつつ、前記Ｉ₁，Ｉ₂を検出して光強度
比：Ｉ₂/Ｉ₁を得、この光強度比：Ｉ₂/Ｉ₁が上記(Ｉ₂/
Ｉ₁)_Fに達したとき現像を停止することを特徴とするデ
ィスク現像方法。
【請求項４】請求項２または３記載のディスク現像方法
において、光ディスク原盤の現像が行われているときと、現像が一
旦停止されているときとで、単色光の照射角度を異なら
せ、現像が行われているときには斜め照射、現像が一旦停止
されているときは垂直照射とすることを特徴とするディ
スク現像方法。
【請求項５】基板上にレジストを塗布されて露光された
光ディスク原盤を現像する方法であって、予め設定された所定時間だけ現像を行った後、現像を停
止して光ディスク原盤を低速回転状態にしてリンス・乾
燥させ、低速回転状態にした光ディスク原盤に単色光を照射し
て、回折の０次光強度：Ｉ₀と１次光強度：Ｉ₁及び２次
光強度：Ｉ₂を検出し、検出された光強度に基づき光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀およびＩ₂
/Ｉ₁を演算算出し、算出されたＩ₁/Ｉ₀およびＩ₂/Ｉ₁に
基づき、現像によりレジストに形成された溝の深さと幅
とを算出することを特徴とするディスク現像方法。
【請求項６】基板上にレジストを塗布されて露光された
光ディスク原盤を現像する方法であって、請求項１または２または３記載のディスク現像方法を実
施したのち、現像を停止して光ディスク原盤を低速回転
状態にしてリンス・乾燥させ、低速回転状態にした光ディスク原盤に単色光を照射し
て、回折の０次光強度：Ｉ₀と１次光強度：Ｉ₁及び２次
光強度：Ｉ₂を検出し、検出された光強度に基づき光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀およびＩ₂
/Ｉ₁を演算算出し、算出されたＩ₁/Ｉ₀およびＩ₂/Ｉ₁に
基づき、現像によりレジストに形成された溝の深さと幅
とを算出することを特徴とするディスク現像方法。
【請求項７】基板上にレジストを塗布されて露光された
光ディスク原盤を現像する方法であって、請求項４記載のディスク現像方法を実施したのち、現像
を停止して光ディスク原盤を低速回転状態にしてリンス
・乾燥させ、低速回転状態にした光ディスク原盤に単色光を照射し
て、回折の０次光強度：Ｉ₀と１次光強度：Ｉ₁及び２次
光強度：Ｉ₂を検出し、検出された光強度に基づき光強度比：Ｉ₁/Ｉ₀およびＩ₂
/Ｉ₁を演算算出し、算出されたＩ₁/Ｉ₀およびＩ₂/Ｉ₁に
基づき、現像によりレジストに形成された溝の深さと幅
とを算出することを特徴とするディスク現像方法。
【請求項８】基板上にレジストを塗布されて露光された
光ディスク原盤を現像する装置であって、光ディスク原盤を回転させる回転手段と、該回転手段上にセットされて回転する光ディスク原盤の
レジスト塗布面に現像液を供給する現像液供給手段と、上記回転手段上にセットされて回転する光ディスク原盤
のレジスト塗布面にリンス液を供給するリンス液供給手
段と、上記光ディスク原盤を単色光照射する照射手段と、該照射手段により照射された上記光ディスク原盤による
回折の０次，１次および２次光強度を検出し、検出され
た０，１，２次光強度：Ｉ₀，Ｉ₁及びＩ₂ から光強度
比：Ｉ₁/Ｉ₀，Ｉ₂/Ｉ₁を算出する検出・算出手段と、該検出・算出手段により算出された各光強度比に基づ
き、現像によりレジストに形成された溝の深さと幅とを
算出する演算手段と、上記各手段を制御する制御手段とを有し、上記制御手段は、請求項１または２または３または５ま
たは６記載のディスク現像方法に従って、上記各手段を
制御する機能を持つことを特徴とするディスク現像装
置。
【請求項９】基板上にレジストを塗布されて露光された
光ディスク原盤を現像する装置であって、光ディスク原盤を回転させる回転手段と、該回転手段上にセットされて回転する光ディスク原盤の
レジスト塗布面に現像液を供給する現像液供給手段と、上記回転手段上にセットされて回転する光ディスク原盤
のレジスト塗布面にリンス液を供給するリンス液供給手
段と、上記光ディスク原盤を単色光照射する照射手段と、該照射手段により照射された上記光ディスク原盤による
回折の０次，１次および２次光強度を検出し、検出され
た０，１，２次光強度：Ｉ₀，Ｉ₁及びＩ₂ から光強度
比：Ｉ₁/Ｉ₀，Ｉ₂/Ｉ₁を算出する検出・算出手段と、該検出・算出手段により算出された各光強度比に基づ
き、現像によりレジストに形成された溝の深さと幅とを
算出する演算手段と、上記各手段を制御する制御手段とを有し、上記照射手段は、単色光の光源からの光束の光ディスク
原盤への照射を、垂直照射と斜め照射とに切り換える照
射角切り換え手段を有し、上記制御手段は、請求項４または７記載のディスク現像
方法に従って、上記各手段を制御する機能を持つことを
特徴とするディスク現像装置。
【請求項１０】請求項９記載のディスク現像装置におい
て、検出・算出手段の０次光，２次光用の各光検出器は、現
像時と現像停止時とで受光する回折光の次数が異なり、
１次光用の光検出器とともに、照射光の照射が垂直照射
の場合と斜め照射の場合とに共用されることを特徴とす
るディスク現像装置。
【請求項１１】請求項８または９または１０記載のディ
スク現像装置において、制御手段は、演算手段が演算した溝の深さと幅とに基づ
き、現像された光ディスク原盤の良否を判別する機能を
持つことを特徴とするディスク現像装置。