JPH09143310A - 半導電性ゴム - Google Patents
半導電性ゴムInfo
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- JPH09143310A JPH09143310A JP32527195A JP32527195A JPH09143310A JP H09143310 A JPH09143310 A JP H09143310A JP 32527195 A JP32527195 A JP 32527195A JP 32527195 A JP32527195 A JP 32527195A JP H09143310 A JPH09143310 A JP H09143310A
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- rubber
- volume resistivity
- roll
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 約１×１０3 Ωｃｍ〜約９×１０13Ωｃｍの
範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴムを高い再現性で
得る。 【解決手段】 （Ｉ）約１×１０4 Ωｃｍ〜約９×１０
12Ωｃｍの範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴム基材
に、（II）約１×１０3 Ωｃｍ以下の体積抵抗率を有す
る物質の粒子（ａ）を単独に又は粒子（ａ）と約１×１
０13Ωｃｍ以上の体積抵抗率を有する物質の粒子（ｂ）
とを組み合わせて配合する。
範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴムを高い再現性で
得る。 【解決手段】 （Ｉ）約１×１０4 Ωｃｍ〜約９×１０
12Ωｃｍの範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴム基材
に、（II）約１×１０3 Ωｃｍ以下の体積抵抗率を有す
る物質の粒子（ａ）を単独に又は粒子（ａ）と約１×１
０13Ωｃｍ以上の体積抵抗率を有する物質の粒子（ｂ）
とを組み合わせて配合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導電性ゴム及びその
製造方法、並びに電子写真システムにおける帯電ロー
ル、現像ロール、転写ロール等として使用するに適した
半導電ロールに関する。
製造方法、並びに電子写真システムにおける帯電ロー
ル、現像ロール、転写ロール等として使用するに適した
半導電ロールに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真システムにおける感光体への帯
電、普通紙へのトナー転写、残留トナーの除電等には、
これまで一般にコロナ放電方式、すなわち感光体表面か
ら１ｃｍ程離位置に張られたタングステンなどの細線を
放電電極とし感光体基盤電極を対向電極として４〜１０
ｋＶの直流高電圧を印加し、両電極間にコロナ放電を起
こさせて感光体に荷電させる方式が採られてきた。コロ
ナ放電は周知のとおり、不可避的にオゾンの発生を伴う
が、以前は機器が小型低速であり従ってオゾンの発生量
も少なかったため特に問題とされることもなかった。し
かし、近時機器が大型化かつ高速化されるに伴ってオゾ
ン発生量が著しく増加し、環境衛生上の問題とされるに
至っている。
電、普通紙へのトナー転写、残留トナーの除電等には、
これまで一般にコロナ放電方式、すなわち感光体表面か
ら１ｃｍ程離位置に張られたタングステンなどの細線を
放電電極とし感光体基盤電極を対向電極として４〜１０
ｋＶの直流高電圧を印加し、両電極間にコロナ放電を起
こさせて感光体に荷電させる方式が採られてきた。コロ
ナ放電は周知のとおり、不可避的にオゾンの発生を伴う
が、以前は機器が小型低速であり従ってオゾンの発生量
も少なかったため特に問題とされることもなかった。し
かし、近時機器が大型化かつ高速化されるに伴ってオゾ
ン発生量が著しく増加し、環境衛生上の問題とされるに
至っている。
【０００３】この問題に対処する手段として、感光体表
面にゴムニップが形成されるように加圧接触させた半導
電性ゴムロール（以下、帯電ロールという。）と感光体
基盤電極の間に１ｋＶ程度の直流高電圧を印加し、帯電
ロールから感光体（層）に電荷を注入する方式、いわゆ
る接触型帯電ロール方式が提案され一部採用されてい
る。しかし、この方式には、感光体の荷電量が帯電ロー
ルを形成する半導電性ゴムの体積抵抗率に左右されるの
で、この体積抵抗率に一定範囲を越える変動（バラツ
キ）があると、得られる画像の品質に許容しがたい著し
い変動が生じる、という問題がある。画質の変動を許容
しうる範囲に収めるためには、体積抵抗率のロット間変
動範囲をΩ・ｃｍ単位で二桁以内、す１なわち１×１０
x Ω・ｃｍ〜１×１０x+2 Ω・ｃｍ（ここに、３≦Ｘ≦
１１）の範囲に止めることが必要であるが、従来の半導
電性ゴム配合技術では、体積抵抗率のロット間変動範囲
を四桁以内に抑えることさえ困難であった。
面にゴムニップが形成されるように加圧接触させた半導
電性ゴムロール（以下、帯電ロールという。）と感光体
基盤電極の間に１ｋＶ程度の直流高電圧を印加し、帯電
ロールから感光体（層）に電荷を注入する方式、いわゆ
る接触型帯電ロール方式が提案され一部採用されてい
る。しかし、この方式には、感光体の荷電量が帯電ロー
ルを形成する半導電性ゴムの体積抵抗率に左右されるの
で、この体積抵抗率に一定範囲を越える変動（バラツ
キ）があると、得られる画像の品質に許容しがたい著し
い変動が生じる、という問題がある。画質の変動を許容
しうる範囲に収めるためには、体積抵抗率のロット間変
動範囲をΩ・ｃｍ単位で二桁以内、す１なわち１×１０
x Ω・ｃｍ〜１×１０x+2 Ω・ｃｍ（ここに、３≦Ｘ≦
１１）の範囲に止めることが必要であるが、従来の半導
電性ゴム配合技術では、体積抵抗率のロット間変動範囲
を四桁以内に抑えることさえ困難であった。
【０００４】半導電性ゴムは、導電性物質、たとえばケ
ッチェンブラック、アセチレンブラック、導電性酸化チ
タン、亜鉛華、金属粉（錫、銀、銅、ニッケル）、グラ
ファイト、炭素繊維、金属繊維、ウイスカー、導電性セ
ラミックス、粒子表面に導電性物質を被覆した粉体、有
機導電性物質（ピロール、アントラセン化合物等、及び
イオン導電性物質としてのアンモニウム塩類等をゴムに
配合することにより製造される。
ッチェンブラック、アセチレンブラック、導電性酸化チ
タン、亜鉛華、金属粉（錫、銀、銅、ニッケル）、グラ
ファイト、炭素繊維、金属繊維、ウイスカー、導電性セ
ラミックス、粒子表面に導電性物質を被覆した粉体、有
機導電性物質（ピロール、アントラセン化合物等、及び
イオン導電性物質としてのアンモニウム塩類等をゴムに
配合することにより製造される。
【０００５】特に導電性物質としては、ケッチェンＥＣ
−６００（ケッチェンブラックインターナショナル）、
旭 ＨＳ−５００（旭カーボン）、バルカン ＸＣ−７
２（キャボット）、電化アセチレンブラック（電気化学
工業）等の導電性カーボンブラックが汎用されている。
これらの導電性カーボンブラックは、１０ｐｈｒ未満の
配合量で半導電性領域の体積抵抗率を有する導電性ゴム
を与えるが、これは導電性カーボンブラックの高いスト
ラクチュア形成能と関係のあることが指摘されている。
おそらくはこの高いストラクチュア形成能が加工条件の
僅かな変動の結果として製品の体積抵抗率の大きな変動
をもたらすものと思われる。
−６００（ケッチェンブラックインターナショナル）、
旭 ＨＳ−５００（旭カーボン）、バルカン ＸＣ−７
２（キャボット）、電化アセチレンブラック（電気化学
工業）等の導電性カーボンブラックが汎用されている。
これらの導電性カーボンブラックは、１０ｐｈｒ未満の
配合量で半導電性領域の体積抵抗率を有する導電性ゴム
を与えるが、これは導電性カーボンブラックの高いスト
ラクチュア形成能と関係のあることが指摘されている。
おそらくはこの高いストラクチュア形成能が加工条件の
僅かな変動の結果として製品の体積抵抗率の大きな変動
をもたらすものと思われる。
【０００６】また、ゴム補強剤として汎用されているＨ
ＡＦ，ＳＲＦ，ＳＲＡＦ，ＦＴ，ＭＴ等のカーボンブラ
ックは、ストラクチュア形成能が低く、高いストラクチ
ュア形成能に起因する問題は生じないとしても、そのた
め導電性付与のためには多量（たとえば４０部〜１２０
部）に配合しなければならず、ゴムの加工性を悪くし、
帯電ロールに使用するには高すぎる硬度を有するの製品
を与える。ちなみに、帯電ロールに使用される半導電性
ゴムは十分なニップ幅が得られるようにＪＩＳＡ ３０
°〜３５°程度の低い硬度を有することが好ましいとさ
れている。
ＡＦ，ＳＲＦ，ＳＲＡＦ，ＦＴ，ＭＴ等のカーボンブラ
ックは、ストラクチュア形成能が低く、高いストラクチ
ュア形成能に起因する問題は生じないとしても、そのた
め導電性付与のためには多量（たとえば４０部〜１２０
部）に配合しなければならず、ゴムの加工性を悪くし、
帯電ロールに使用するには高すぎる硬度を有するの製品
を与える。ちなみに、帯電ロールに使用される半導電性
ゴムは十分なニップ幅が得られるようにＪＩＳＡ ３０
°〜３５°程度の低い硬度を有することが好ましいとさ
れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、体積抵抗率のロット間変動範囲がΩ・ｃｍ単位
で二桁以内である約１×１０3 Ω・ｃｍ〜約９×１０13
Ω・ｃｍの範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴム及び
その製造方法、並びに該半導電性ゴムからなるロールを
提供するにある。
目的は、体積抵抗率のロット間変動範囲がΩ・ｃｍ単位
で二桁以内である約１×１０3 Ω・ｃｍ〜約９×１０13
Ω・ｃｍの範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴム及び
その製造方法、並びに該半導電性ゴムからなるロールを
提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明よれば、まず
（Ｉ）約１×１０4 Ω・ｃｍ〜約９×１０12Ω・ｃｍの
範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴム基材を調製し、
これに（II）約１×１０3Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を
有する物質の粒子（ａ）を単独に又は粒子（ａ）と約１
×１０13Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有する物質の粒子
（ｂ）とを組み合わせて配合することにより、高い再現
性をもって約１×１０3 Ω・ｃｍ〜約９×１０13Ω・ｃ
ｍの範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴムを得ること
ができる。
（Ｉ）約１×１０4 Ω・ｃｍ〜約９×１０12Ω・ｃｍの
範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴム基材を調製し、
これに（II）約１×１０3Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を
有する物質の粒子（ａ）を単独に又は粒子（ａ）と約１
×１０13Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有する物質の粒子
（ｂ）とを組み合わせて配合することにより、高い再現
性をもって約１×１０3 Ω・ｃｍ〜約９×１０13Ω・ｃ
ｍの範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴムを得ること
ができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】半導電性ゴム基材（Ｉ） 本発明の実施において用いられるゴムとしては、ウレタ
ンゴム、エピクロルヒドリンゴム、ニトリルゴム、アク
リルゴム、ポリノルボルネンゴム、クロロプレンゴム、
フッ素ゴム、フルオロシリコーンゴム、シリコーンゴ
ム、スチレン−ブタジエンゴム、エチレン−プロピレン
ゴム等が挙げられ特に制限はないが、耐候性に優れたエ
ピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴム及びエチレン−
プロピレンゴム（ＥＰＤＭを含む。）が好適である。こ
れらのゴムから約１０4 Ω・ｃｍ〜約１０12Ω・ｃｍの
範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴム基材（Ｉ）を得
るには、適量の導電性カーボンブラックを配合するのが
一般的であるが、導電性繊維、ウイスカー、金属粉等の
他の導電性物質を用いることもできる。ゴムに対する導
電性物質の配合割合はゴムに及び導電性物質の種類によ
り異なり、たとえばケッチェンＥＣ−６００の場合、エ
ピクロルヒドリンゴムに対しては約５部、エチレン−プ
ロピレンゴムに対しては約７〜１０部の割合で配合す
る。なお、後述の比較例２及び実施例３に示すとおり、
導電性カーボンブラック等の導電性物質の配合は必ずし
も必要では無い。
ンゴム、エピクロルヒドリンゴム、ニトリルゴム、アク
リルゴム、ポリノルボルネンゴム、クロロプレンゴム、
フッ素ゴム、フルオロシリコーンゴム、シリコーンゴ
ム、スチレン−ブタジエンゴム、エチレン−プロピレン
ゴム等が挙げられ特に制限はないが、耐候性に優れたエ
ピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴム及びエチレン−
プロピレンゴム（ＥＰＤＭを含む。）が好適である。こ
れらのゴムから約１０4 Ω・ｃｍ〜約１０12Ω・ｃｍの
範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴム基材（Ｉ）を得
るには、適量の導電性カーボンブラックを配合するのが
一般的であるが、導電性繊維、ウイスカー、金属粉等の
他の導電性物質を用いることもできる。ゴムに対する導
電性物質の配合割合はゴムに及び導電性物質の種類によ
り異なり、たとえばケッチェンＥＣ−６００の場合、エ
ピクロルヒドリンゴムに対しては約５部、エチレン−プ
ロピレンゴムに対しては約７〜１０部の割合で配合す
る。なお、後述の比較例２及び実施例３に示すとおり、
導電性カーボンブラック等の導電性物質の配合は必ずし
も必要では無い。
【００１０】粒子（ａ） 約１×１０3 Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有する粒子
（ａ）は、たとえば、エチレン−プロピレンゴムに２０
部以上のケッチェンＥＣ−６００を常法により配合し、
生成した配合物を後述するような方法で粉末化すること
によって得られる。ゴムがエピクロルヒドリンゴムの場
合、ケッチェンＥＣ６００の配合量は１０部以上で十分
である。
（ａ）は、たとえば、エチレン−プロピレンゴムに２０
部以上のケッチェンＥＣ−６００を常法により配合し、
生成した配合物を後述するような方法で粉末化すること
によって得られる。ゴムがエピクロルヒドリンゴムの場
合、ケッチェンＥＣ６００の配合量は１０部以上で十分
である。
【００１１】粒子（ｂ） 約１×１０13Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有する粒子
（ｂ）は、たとえば、エチレン−プロピレンゴムに補強
用のカーボンブラックであるＨＡＦ、ＳＲＦ等を５部以
内配合し、配合物を粉砕することによって得られる。ま
た、カーボンブラックに代えてシリカ、炭酸カルシウ
ム、タルク等を用いることもできる。エピクロルヒドリ
ンゴムの場合、それ自体の体積抵抗率が低いので、約１
×１０13Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率の配合物を得るに
は、炭酸カルシウム、マイカ、タルク、シリカ等の非導
電性充填剤を加えればよい。しかし、１×１０13Ω・ｃ
ｍ以上のゴム粒子を得るためにはシリコーンゴムを使用
するのが一般的である。
（ｂ）は、たとえば、エチレン−プロピレンゴムに補強
用のカーボンブラックであるＨＡＦ、ＳＲＦ等を５部以
内配合し、配合物を粉砕することによって得られる。ま
た、カーボンブラックに代えてシリカ、炭酸カルシウ
ム、タルク等を用いることもできる。エピクロルヒドリ
ンゴムの場合、それ自体の体積抵抗率が低いので、約１
×１０13Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率の配合物を得るに
は、炭酸カルシウム、マイカ、タルク、シリカ等の非導
電性充填剤を加えればよい。しかし、１×１０13Ω・ｃ
ｍ以上のゴム粒子を得るためにはシリコーンゴムを使用
するのが一般的である。
【００１２】粒子（ａ）及び（ｂ）の調製における樹脂
の使用 粒子（ａ）及び（ｂ）の調製には、ゴムに代えて樹脂類
も使用することが出来る。たとえば、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミド、フッ素樹脂、シリコーン
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂等が使用さ
れうる。しかし、これらの樹脂類は、室温で高い硬度を
有し生成する半導電性ゴムの硬度を高める傾向があるの
で、半導電性ゴム基材に対する配合量には制限がある。
の使用 粒子（ａ）及び（ｂ）の調製には、ゴムに代えて樹脂類
も使用することが出来る。たとえば、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミド、フッ素樹脂、シリコーン
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂等が使用さ
れうる。しかし、これらの樹脂類は、室温で高い硬度を
有し生成する半導電性ゴムの硬度を高める傾向があるの
で、半導電性ゴム基材に対する配合量には制限がある。
【００１３】粒子（ａ）及び粒子（ｂ）の調製のための
配合物の粉末化 粒子（ａ）及び（ｂ）は、一般的には、所定の体積抵抗
率を有する配合物を液体窒素を用いる−１６０℃以下で
の冷凍粉砕法により容易に得ることができる。研削その
他の粉末化手段によることもできる。得られた粒子は、
粉末化の手段により、球状、楕円体状、針状と変化する
が、何れの形状のものも使用することができる。粒度分
布も様々であるが、一般には０．１〜７５０μｍの範囲
のものが得られる。粒子径５０±２５μｍのものが最適
であり、粉末化生成物を分級することにより所望粒子径
のものを得ることができる。また、粉末化される配合物
は、架橋状態のもの、半架橋状態のもの及び未架橋状態
のものでありうる。
配合物の粉末化 粒子（ａ）及び（ｂ）は、一般的には、所定の体積抵抗
率を有する配合物を液体窒素を用いる−１６０℃以下で
の冷凍粉砕法により容易に得ることができる。研削その
他の粉末化手段によることもできる。得られた粒子は、
粉末化の手段により、球状、楕円体状、針状と変化する
が、何れの形状のものも使用することができる。粒度分
布も様々であるが、一般には０．１〜７５０μｍの範囲
のものが得られる。粒子径５０±２５μｍのものが最適
であり、粉末化生成物を分級することにより所望粒子径
のものを得ることができる。また、粉末化される配合物
は、架橋状態のもの、半架橋状態のもの及び未架橋状態
のものでありうる。
【００１４】半導電性ゴム基材（Ｉ）への粒子（ａ）及
び（ｂ）の配合 半導電性ゴムの体積抵抗率は、半導電性ゴム基材（Ｉ）
に対する粒子（ａ）及び（ｂ）の配合量（外容積率）に
依存する。粒子（ａ）の配合量は約１〜約６０ｖｏｌ％
の範囲内である。配合量が約６０ｖｏｌ％を越えると、
ゴムの加工性が極度に悪くなり所望の体積抵抗率を有す
る半導電性ゴムを高い再現性で得ることができない。粒
子（ｂ）の配合量は約３５ｖｏｌ％以下である。粒子
（ｂ）の配合量が約３５ｖｏｌ％を越えると、粒子
（ａ）の配合量を増加しても（勿論、加工性を極度に悪
化させない範囲で）、約１×１０13Ω・ｃｍ以下の体積
抵抗率を有する半導電性ゴムを得ることは困難である。
得られた半導電性ゴムは任意の方法で成形することがで
き、またゴムの特性に応じた任意の架橋手段で架橋する
ことができる。なお、粒子（ａ）及び（ｂ）は、半導電
性ゴム基材との配合混練あるいは成形加工中に変形ある
いは溶融し原形を失うことがある。このような状態にな
ると、所望の体積抵抗率を有する製品を再現性良く得る
ことが困難となるので、配合組成、加工条件等について
十分な配慮が必要である。
び（ｂ）の配合 半導電性ゴムの体積抵抗率は、半導電性ゴム基材（Ｉ）
に対する粒子（ａ）及び（ｂ）の配合量（外容積率）に
依存する。粒子（ａ）の配合量は約１〜約６０ｖｏｌ％
の範囲内である。配合量が約６０ｖｏｌ％を越えると、
ゴムの加工性が極度に悪くなり所望の体積抵抗率を有す
る半導電性ゴムを高い再現性で得ることができない。粒
子（ｂ）の配合量は約３５ｖｏｌ％以下である。粒子
（ｂ）の配合量が約３５ｖｏｌ％を越えると、粒子
（ａ）の配合量を増加しても（勿論、加工性を極度に悪
化させない範囲で）、約１×１０13Ω・ｃｍ以下の体積
抵抗率を有する半導電性ゴムを得ることは困難である。
得られた半導電性ゴムは任意の方法で成形することがで
き、またゴムの特性に応じた任意の架橋手段で架橋する
ことができる。なお、粒子（ａ）及び（ｂ）は、半導電
性ゴム基材との配合混練あるいは成形加工中に変形ある
いは溶融し原形を失うことがある。このような状態にな
ると、所望の体積抵抗率を有する製品を再現性良く得る
ことが困難となるので、配合組成、加工条件等について
十分な配慮が必要である。
【００１５】半導電性ゴムロール 上記の手順に従って得られる本発明の半導電性ゴムは、
半導電性ゴムロール、特に電子写真システムにおける帯
電ロールとして使用される半導電性ロールの製造に適す
る。製造されるロールの半導電性ゴム層には、一般には
ソリッド体のものが使用されているが、発泡剤の使用、
混入した可溶性粉末の溶出、マイクロバルーンの混入等
の任意の気泡形成手段によって生成された独立又は連続
気泡構造を有する所謂スポンジ体であってもよい。半導
電性ゴムロールの成形は圧縮成形（プレス成形）による
のが一般的であるが、配合物の特性に応じて圧縮成形、
射出成形、粉末圧縮成形、液状配合物の注型等の他の手
段によることもできる。この種のロールは、型内に保持
された芯金と一体に成形するのが一般的であるが、別体
に成形した管状ゴムロール体に芯金挿入する方式による
こともできる。成形されたロールは、通常、研磨により
所定の外径に仕上げる。ゴムロールの芯金は、金属製こ
とに鋼鉄製が一般的であるが、セラミックス製やプラス
チックス製とすることもできる。また、ゴムロール層
は、接着剤により芯に固定するのが通常であるが、管状
のゴムロール層を加熱膨張させた状態で芯を挿入し、ゴ
ムロール層の冷却収縮により芯に固定させる焼き嵌め方
式によることもできる。
半導電性ゴムロール、特に電子写真システムにおける帯
電ロールとして使用される半導電性ロールの製造に適す
る。製造されるロールの半導電性ゴム層には、一般には
ソリッド体のものが使用されているが、発泡剤の使用、
混入した可溶性粉末の溶出、マイクロバルーンの混入等
の任意の気泡形成手段によって生成された独立又は連続
気泡構造を有する所謂スポンジ体であってもよい。半導
電性ゴムロールの成形は圧縮成形（プレス成形）による
のが一般的であるが、配合物の特性に応じて圧縮成形、
射出成形、粉末圧縮成形、液状配合物の注型等の他の手
段によることもできる。この種のロールは、型内に保持
された芯金と一体に成形するのが一般的であるが、別体
に成形した管状ゴムロール体に芯金挿入する方式による
こともできる。成形されたロールは、通常、研磨により
所定の外径に仕上げる。ゴムロールの芯金は、金属製こ
とに鋼鉄製が一般的であるが、セラミックス製やプラス
チックス製とすることもできる。また、ゴムロール層
は、接着剤により芯に固定するのが通常であるが、管状
のゴムロール層を加熱膨張させた状態で芯を挿入し、ゴ
ムロール層の冷却収縮により芯に固定させる焼き嵌め方
式によることもできる。
【００１６】所定の外径に仕上げられた半導電性ゴムロ
ールは、次いで所望により、抵抗率調整層としての中抵
抗率層や耐汚染性、耐トナー性、絶縁耐性、滑り特性或
いは耐磨耗性を向上するための保護層のコーティングよ
って多層ロールにも仕上げられる。コーティング材料と
しては、目的に応じて、カーボン、セラミックス粉等の
充填剤を配合した又はしないフッ素樹脂、ウレタン樹
脂、ナイロン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ゴム系ポリマ
ー、熱可塑性エラストマー或いは各種セラミックス等が
使用される。コーティング層の厚みに特に制限はない
が、中抵抗率層の厚みは１００〜３００μｍ、保護層の
厚みは５〜３０μｍが通常であり、また３層構造が一般
的である。保護層は、薄い管状フイルムの被覆によって
設けることもできる。
ールは、次いで所望により、抵抗率調整層としての中抵
抗率層や耐汚染性、耐トナー性、絶縁耐性、滑り特性或
いは耐磨耗性を向上するための保護層のコーティングよ
って多層ロールにも仕上げられる。コーティング材料と
しては、目的に応じて、カーボン、セラミックス粉等の
充填剤を配合した又はしないフッ素樹脂、ウレタン樹
脂、ナイロン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ゴム系ポリマ
ー、熱可塑性エラストマー或いは各種セラミックス等が
使用される。コーティング層の厚みに特に制限はない
が、中抵抗率層の厚みは１００〜３００μｍ、保護層の
厚みは５〜３０μｍが通常であり、また３層構造が一般
的である。保護層は、薄い管状フイルムの被覆によって
設けることもできる。
【００１７】本発明の半導電性ゴムロールは、電子写真
システムにおける帯電ロールとして使用したときに卓越
した画像再現性を示す（ロールの製造ロットが異なって
も同質の画像が得られる。）ばかりでなく、品質のバラ
ツキが殆ど無いので、現像ロール、転写ロール、紙送り
ロール、熱圧定着ロール及びバックアップロールとして
も優れた性能を示す。以上、もっぱら半導電性ゴムロー
ルについて説明したが、本発明の半導電性ゴムは半導電
性ないしは非帯電性が要求される他のゴム部材としても
好適に使用されうるものであることは、当業者には自明
であろう。
システムにおける帯電ロールとして使用したときに卓越
した画像再現性を示す（ロールの製造ロットが異なって
も同質の画像が得られる。）ばかりでなく、品質のバラ
ツキが殆ど無いので、現像ロール、転写ロール、紙送り
ロール、熱圧定着ロール及びバックアップロールとして
も優れた性能を示す。以上、もっぱら半導電性ゴムロー
ルについて説明したが、本発明の半導電性ゴムは半導電
性ないしは非帯電性が要求される他のゴム部材としても
好適に使用されうるものであることは、当業者には自明
であろう。
【００１８】
【実施例】以下、比較例及び実施例により本発明をさら
に詳細に説明する。 ［比較例１］常法による半導電性ゴムの調製と試験 下記の３種の配合（導電性のケッチェンＥＣ−６００の
配合量のみが異なる）で、目標とする体積抵抗率の異な
る３種の半導電性ゴムシートを作成し、体積抵抗率の測
定を行った。 配 合 （重量部） （１−１） （１−２） （１−３） 三井３０４５ＥＴＰ1) １００ １００ １００ ＺｎＯ ５ ５ ５ ステアリン酸 １ １ １ ＤＣＰ2) １．５ １．５ １．５ ＴＡＩＣ3) ２．０ ２．０ ２．０ ＣａＣＯ3 （炭カルＰＣ） ２０ ２０ ２０ プロセスオイル ３５ ３５ ３５ ケッチェンＥＣ−６００4) １０ ７ ５ １）エチレン−プロピレンゴム（三井石油化学工業） ２）ジクミルペルオキシド ３）トリアリルイソシアヌレート ４）導電性カーボンブラック（ケッチエン ブラック インターナショナル） ゴム及び配合成分を常法により混練してコンパウンドを
調製し、１５０℃で３０分間プレス硬化を行って１２０
ｍｍ×１２０ｍｍ×２ｍｍの試験用シート片を得た。各
配合ごとにコンパウンドの調製及び試験用シート片の作
成を３回繰り返した。体積抵抗率の測定は下記の機器を
用いて行った。 体積抵抗率１０6 〜１０16Ω・ｃｍの範囲：絶縁抵抗計
４３２９Ａ型 （横河・ヒューレットパッカード製） 体積抵抗率１０-2〜１０7 Ω・ｃｍの範囲：Ｌｏｒｅｓ
ｔａ ＡＰ （三菱 油化製） 測定結果（体積抵抗率 Ω・ｃｍ）は、以下に示す通り
であった。 配 合 （１−１） （１−２） （１−３） 目標値 １×１０6 １×１０9 １×１０11 実測値 １ ２×１０5 ９×１０7 ５×１０9 実測値 ２ ４×１０6 ４×１０8 １×１０10 実測値 ３ ７×１０8 ２×１０11 ３×１０12 上記の結果から、従来法によっては体積抵抗率のバラツ
キを二桁以内に止めることは、極めて困難であることが
理解されよう。
に詳細に説明する。 ［比較例１］常法による半導電性ゴムの調製と試験 下記の３種の配合（導電性のケッチェンＥＣ−６００の
配合量のみが異なる）で、目標とする体積抵抗率の異な
る３種の半導電性ゴムシートを作成し、体積抵抗率の測
定を行った。 配 合 （重量部） （１−１） （１−２） （１−３） 三井３０４５ＥＴＰ1) １００ １００ １００ ＺｎＯ ５ ５ ５ ステアリン酸 １ １ １ ＤＣＰ2) １．５ １．５ １．５ ＴＡＩＣ3) ２．０ ２．０ ２．０ ＣａＣＯ3 （炭カルＰＣ） ２０ ２０ ２０ プロセスオイル ３５ ３５ ３５ ケッチェンＥＣ−６００4) １０ ７ ５ １）エチレン−プロピレンゴム（三井石油化学工業） ２）ジクミルペルオキシド ３）トリアリルイソシアヌレート ４）導電性カーボンブラック（ケッチエン ブラック インターナショナル） ゴム及び配合成分を常法により混練してコンパウンドを
調製し、１５０℃で３０分間プレス硬化を行って１２０
ｍｍ×１２０ｍｍ×２ｍｍの試験用シート片を得た。各
配合ごとにコンパウンドの調製及び試験用シート片の作
成を３回繰り返した。体積抵抗率の測定は下記の機器を
用いて行った。 体積抵抗率１０6 〜１０16Ω・ｃｍの範囲：絶縁抵抗計
４３２９Ａ型 （横河・ヒューレットパッカード製） 体積抵抗率１０-2〜１０7 Ω・ｃｍの範囲：Ｌｏｒｅｓ
ｔａ ＡＰ （三菱 油化製） 測定結果（体積抵抗率 Ω・ｃｍ）は、以下に示す通り
であった。 配 合 （１−１） （１−２） （１−３） 目標値 １×１０6 １×１０9 １×１０11 実測値 １ ２×１０5 ９×１０7 ５×１０9 実測値 ２ ４×１０6 ４×１０8 １×１０10 実測値 ３ ７×１０8 ２×１０11 ３×１０12 上記の結果から、従来法によっては体積抵抗率のバラツ
キを二桁以内に止めることは、極めて困難であることが
理解されよう。
【００１９】［実施例１］粒子（ａ）及び粒子（ｂ）の調製 以下の配合及び加硫条件で、比較例１と同様の手順によ
り、体積抵抗率の異なる二種のゴムシートを作成し、体
積抵抗率の測定を行った。各配合ごとにコンパウンドの
調製及び試験用シート片の作成を３回繰り返した。 配 合 （重量部） （１−ａ） （１−ｂ） ＴＳＥ３４５２ＨＣＲ1) １００ 三井３０４５ＥＰＴ １００ ＤＣＰ １．５ １．５ ＺｎＯ ５ ステアリン酸 １ ＴＡＩＣ ２．０ ＣａＣＯ3 （炭カルＰＣ） ４０ プロセスオイル ３５ １）シリコーンゴム（東芝シリコーン） 配合（１−ａ）のコンパウンドは１６０℃で２０分間プ
レス加硫後、２００℃で４時間２次加硫して、また比較
例１と同寸のシートを得た。配合（１−ｂ）のコンパウ
ンドは１５０℃で３０分間のプレス加硫後、１５５℃で
３時間２二次加硫して、比較例１と同寸の試験用シート
片を得た。測定結果（体積抵抗率 Ω・ｃｍ）は、以下
に示す通りであった。 配 合 （１−ａ） （１−ｂ） 目標値 ＜１×１０3 ＞１×１０13 実測値１ ３．０×１０2 ６×１０14 実測値２ ５．５×１０2 ８×１０14 実測値３ ５．０×１０2 １×１０15 上記の結果は、目標とする体積抵抗率１０3 Ω・ｃｍ以
下のもの及び１０13Ω・ｃｍ以上のものが、共に再現性
良く得られたことを示している。次にこれらのゴムシー
ト片を液体窒素にて冷却粉砕及び分級し、２５〜１００
μｍ（平均７５μｍ）の粒径の粒子（ａ）及び粒子
（ｂ）を得た。
り、体積抵抗率の異なる二種のゴムシートを作成し、体
積抵抗率の測定を行った。各配合ごとにコンパウンドの
調製及び試験用シート片の作成を３回繰り返した。 配 合 （重量部） （１−ａ） （１−ｂ） ＴＳＥ３４５２ＨＣＲ1) １００ 三井３０４５ＥＰＴ １００ ＤＣＰ １．５ １．５ ＺｎＯ ５ ステアリン酸 １ ＴＡＩＣ ２．０ ＣａＣＯ3 （炭カルＰＣ） ４０ プロセスオイル ３５ １）シリコーンゴム（東芝シリコーン） 配合（１−ａ）のコンパウンドは１６０℃で２０分間プ
レス加硫後、２００℃で４時間２次加硫して、また比較
例１と同寸のシートを得た。配合（１−ｂ）のコンパウ
ンドは１５０℃で３０分間のプレス加硫後、１５５℃で
３時間２二次加硫して、比較例１と同寸の試験用シート
片を得た。測定結果（体積抵抗率 Ω・ｃｍ）は、以下
に示す通りであった。 配 合 （１−ａ） （１−ｂ） 目標値 ＜１×１０3 ＞１×１０13 実測値１ ３．０×１０2 ６×１０14 実測値２ ５．５×１０2 ８×１０14 実測値３ ５．０×１０2 １×１０15 上記の結果は、目標とする体積抵抗率１０3 Ω・ｃｍ以
下のもの及び１０13Ω・ｃｍ以上のものが、共に再現性
良く得られたことを示している。次にこれらのゴムシー
ト片を液体窒素にて冷却粉砕及び分級し、２５〜１００
μｍ（平均７５μｍ）の粒径の粒子（ａ）及び粒子
（ｂ）を得た。
【００２０】半導電性ゴムの調製及び体積抵抗率の測定 上記の方法で調製した粒子（ａ）（体積抵抗率５×１０
2 Ω・ｃｍのもの）及び粒子（ｂ）（体積抵抗率６×１
０14Ω・ｃｍのもの）を比較例１の配合（１−１）の未
加硫半導電性ゴム基材（加硫物の体積抵抗率４×１０4
Ω・ｃｍのもの）に表１に示す容積比率（ｖｏｌ％）で
配合し、比較例１と同様の条件で加熱成形し、試験用シ
ート片を得、体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を測定した。表１
に体積抵抗率の実測値を目標値と対比して示す。
2 Ω・ｃｍのもの）及び粒子（ｂ）（体積抵抗率６×１
０14Ω・ｃｍのもの）を比較例１の配合（１−１）の未
加硫半導電性ゴム基材（加硫物の体積抵抗率４×１０4
Ω・ｃｍのもの）に表１に示す容積比率（ｖｏｌ％）で
配合し、比較例１と同様の条件で加熱成形し、試験用シ
ート片を得、体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を測定した。表１
に体積抵抗率の実測値を目標値と対比して示す。
【表１】 配 合 （ｖｏｌ％） 目標値 ゴム基材 粒子（ａ） 粒子（ｂ） 実測値 １×１０3 ２×１０3 〜 ８０ ２０ − ７×１０3 ９×１０4 ８×１０4 １×１０5 １×１０5 〜 ９０ １０ − ３×１０6 ９×１０6 ７×１０6 １×１０7 ２×１０7 〜 ７５ ５ ２０ ４×１０7 ９×１０8 ７×１０8 １×１０9 ５×１０9 〜 ７０ ５ ２５ ６×１０9 ９×１０10 ６×１０10 １×１０11 ７×１０11 〜 ６５ ５ ３０ ５×１０11 ９×１０12 ３×１０12
【００２１】［実施例２］また比較例１の配合（１−
３）の未加硫半導電性ゴム基材（加硫物の体積抵抗率４
×１０10Ω・ｃｍのもの）を用いた以外は実施例１と同
様にして以下の表２に示す結果を得た。
３）の未加硫半導電性ゴム基材（加硫物の体積抵抗率４
×１０10Ω・ｃｍのもの）を用いた以外は実施例１と同
様にして以下の表２に示す結果を得た。
【表２】 配 合 （ｖｏｌ％） 目標値 ゴム基材 粒子（ａ） 粒子（ｂ） 実測値 １×１０4 ７×１０4 〜 ４５ ５５ − ２×１０4 ９×１０5 ６×１０5 １×１０5 ３×１０6 〜 ６０ ４０ − ５×１０6 ９×１０7 ７×１０6 １×１０8 ４×１０8 〜 ８０ ２０ − １×１０9 ９×１０9 ３×１０9 １×１０10 ２×１０10 〜 ９５ ５ − ３×１０10 ９×１０11 ６×１０10 １×１０12 ２×１０13 〜 ８５ ５ １０ １×１０13 ９×１０13 ７×１０12
【００２２】［比較例２］常法による半導電性ゴムの調製と試験 以下の配合による以外は、比較例１と同様の手順で、３
個の試験シート片を作製し、体積抵抗率を測定した。 配 合 （重量部） （２−１） エピクロマーＣＧ（東洋ソーダ） １００ Ｓｐａｎ＃６０（三共化成） ２ 二塩基性亜燐酸鉛 ３ ＤＣＰ−４０ｃ1) ３．５ ＣａＣＯ3 （炭カルＰＣ） ２０ １）ＤＣＰ成分を４０重量％含有 試験シート片の体積抵抗率は、２×１０8 Ω・ｃｍ、３
×１０9 Ω・ｃｍ及び７×１０9 Ω・ｃｍであった。
個の試験シート片を作製し、体積抵抗率を測定した。 配 合 （重量部） （２−１） エピクロマーＣＧ（東洋ソーダ） １００ Ｓｐａｎ＃６０（三共化成） ２ 二塩基性亜燐酸鉛 ３ ＤＣＰ−４０ｃ1) ３．５ ＣａＣＯ3 （炭カルＰＣ） ２０ １）ＤＣＰ成分を４０重量％含有 試験シート片の体積抵抗率は、２×１０8 Ω・ｃｍ、３
×１０9 Ω・ｃｍ及び７×１０9 Ω・ｃｍであった。
【００２３】［実施例３］半導電性ゴムの調製及び体積抵抗率の測定 実施例１で調製した粒子（ａ）（体積抵抗率５×１０2
Ω・ｃｍのもの）及び粒子（ｂ）（体積抵抗率６×１０
14Ω・ｃｍのもの）を比較例２の配合（２−１）の未加
硫半導電性ゴム基材（加硫物の体積抵抗率２×１０8 Ω
・ｃｍのもの）に表３に示す容積比率（ｖｏｌ％）で配
合し、比較例１と同様の条件で加熱成形し、試験用シー
ト片を得、体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を測定した。表３に
体積抵抗率の実測値を目標値と対比して示す。 配 合 （ｖｏｌ％） 目標値 ゴム基材 粒子（ａ） 粒子（ｂ） 実測値 １×１０4 ８×１０4 〜 ８０ ２０ − １×１０5 ９×１０5 ３×１０5 １×１０6 ３×１０6 〜 ９０ １０ − ７×１０6 ９×１０7 １×１０7 １×１０8 ２×１０8 〜 １００ − − ３×１０9 ９×１０9 ７×１０9 １×１０10 ４×１０11 〜 ８０ １０ １０ ６×１０11 ９×１０11 ９×１０10 １×１０12 ４×１０13 〜 ７５ ５ ２０ ２×１０13 ９×１０13 ８×１０13
Ω・ｃｍのもの）及び粒子（ｂ）（体積抵抗率６×１０
14Ω・ｃｍのもの）を比較例２の配合（２−１）の未加
硫半導電性ゴム基材（加硫物の体積抵抗率２×１０8 Ω
・ｃｍのもの）に表３に示す容積比率（ｖｏｌ％）で配
合し、比較例１と同様の条件で加熱成形し、試験用シー
ト片を得、体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を測定した。表３に
体積抵抗率の実測値を目標値と対比して示す。 配 合 （ｖｏｌ％） 目標値 ゴム基材 粒子（ａ） 粒子（ｂ） 実測値 １×１０4 ８×１０4 〜 ８０ ２０ − １×１０5 ９×１０5 ３×１０5 １×１０6 ３×１０6 〜 ９０ １０ − ７×１０6 ９×１０7 １×１０7 １×１０8 ２×１０8 〜 １００ − − ３×１０9 ９×１０9 ７×１０9 １×１０10 ４×１０11 〜 ８０ １０ １０ ６×１０11 ９×１０11 ９×１０10 １×１０12 ４×１０13 〜 ７５ ５ ２０ ２×１０13 ９×１０13 ８×１０13
【００２４】
【発明の効果】上記実施例及び比較例に示す結果から明
らかな通り、半導電性ゴム基材（Ｉ）が約１×１０4 Ω
・ｃｍ〜約９×１０12Ω・ｃｍの範囲内の体積抵抗率を
有するものであれば、導電性付与剤を含む（比較例１の
配合）か含まない（比較例２の配合）かに係わりなく、
約１×１０3 Ωcm以下の体積抵抗率を有する粒子（ａ）
を単独に又は約１×１０13Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を
有する粒子（ｂ）と組み合わせて配合することにより、
約１×１０3 Ω・ｃｍ〜約９×１０13Ω・ｃｍの範囲の
体積抵抗率を有する半導電性ゴムを高い再現性で得るこ
とができる。
らかな通り、半導電性ゴム基材（Ｉ）が約１×１０4 Ω
・ｃｍ〜約９×１０12Ω・ｃｍの範囲内の体積抵抗率を
有するものであれば、導電性付与剤を含む（比較例１の
配合）か含まない（比較例２の配合）かに係わりなく、
約１×１０3 Ωcm以下の体積抵抗率を有する粒子（ａ）
を単独に又は約１×１０13Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を
有する粒子（ｂ）と組み合わせて配合することにより、
約１×１０3 Ω・ｃｍ〜約９×１０13Ω・ｃｍの範囲の
体積抵抗率を有する半導電性ゴムを高い再現性で得るこ
とができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｇ 15/16 １０３ Ｇ０３Ｇ 15/16 １０３ 15/20 １０３ 15/20 １０３
Claims (14)
- 【請求項１】 約１×１０3 Ω・ｃｍ〜約９×１０13Ω
・ｃｍの範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴムにおい
て、（Ｉ）約１×１０4 Ω・ｃｍ〜約９×１０12Ω・ｃ
ｍの範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴム基材に、
（II）約１×１０3 Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有する
物質の粒子（ａ）を単独に又は粒子（ａ）と約１×１０
13Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有する物質の粒子（ｂ）
とを組み合わせて配合してなることを特徴とする半導電
性ゴム。 - 【請求項２】 半導電性ゴム基材（Ｉ) を基準にして、
粒子（ａ）の配合割合が約１〜約６０ｖｏｌ％であり、
粒子（ｂ）の配合割合が約３５ｖｏｌ％以下である請求
項１の半導電性ゴム。 - 【請求項３】 粒子（ａ）及び粒子（ｂ）が約１〜約７
５０μｍの平均粒子径を有するものである請求項１又は
２の半導電性ゴム。 - 【請求項４】 粒子（ａ）及び粒子（ｂ）が架橋、半架
橋又は非架橋状態のゴム粒子又はプラスチック粒子、セ
ラミックス粒子又は金属粒子である請求項１、２又は３
の半導電性ゴム。 - 【請求項５】 ゴムが架橋性ゴム、熱可塑性ゴム又はそ
れらの混合物である請求項１の半導電性ゴム。 - 【請求項６】 （Ｉ）約１×１０4 Ω・ｃｍ〜約９×１
０12Ω・ｃｍの範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴム
基材に、（II）約１×１０3 Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率
を有する物質の粒子（ａ）を単独に又は粒子（ａ）と約
１×１０13Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有する物質の粒
子（ｂ）とを組み合わせて配合することを特徴とする、
約１×１０3 Ω・ｃｍ〜約９×１０13Ω・ｃｍの範囲の
体積抵抗率を有する半導電性ゴムの製造方法。 - 【請求項７】 半導電性ゴム基材を基準にして、粒子
（ａ）の配合割合が約１〜約６０ｖｏｌ％であり、粒子
（ｂ）の配合割合が約３５ｖｏｌ％以下である請求項６
の半導電性ゴムの製造方法。 - 【請求項８】 粒子（ａ）及び粒子（ｂ）が約１〜約７
５０μｍの平均粒子径を有するものである請求項６又は
７の半導電性ゴムの製造方法。 - 【請求項９】 粒子（ａ）及び粒子（ｂ）が架橋、半架
橋又は非架橋状態のゴム又はプラスチック粒子、セラミ
ックス粒子又は金属粒子である請求項６、７又は８の半
導電性ゴムの製造方法。 - 【請求項１０】 ゴムが架橋性ゴム、熱可塑性ゴム又は
それらの混合物である請求項６の半導電性ゴムの製造方
法。 - 【請求項１１】（Ｉ）約１×１０4 Ω・ｃｍ〜約９×１
０12Ω・ｃｍの範囲の体積抵抗率を有する半導電性ゴム
基材に、（II）約１×１０3 Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率
を有する物質の粒子（ａ）を単独に又は粒子（ａ）と約
１×１０13Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有する物質の粒
子（ｂ）とを組み合わせて配合して得られた約１×１０
3 Ω・ｃｍ〜約９×１０13Ω・ｃｍの範囲の体積抵抗率
を有する半導電性ゴムからなることを特徴とする半導電
性の単層又は多層のロール。 - 【請求項１２】 樹脂又はゴムでコーティングされてい
る請求項１１のロール。 - 【請求項１３】 半導電性ゴムが非孔質又は多孔質であ
る請求項１１のロール。 - 【請求項１４】 電子写真システムにおける帯電ロー
ル、現像ロール、転写ロール、紙送りロール、熱圧定着
ロール及び／又はバックアップロールである請求項１１
のロール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32527195A JP3593402B2 (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 半導電性ゴム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32527195A JP3593402B2 (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 半導電性ゴム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143310A true JPH09143310A (ja) | 1997-06-03 |
| JP3593402B2 JP3593402B2 (ja) | 2004-11-24 |
Family
ID=18174954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32527195A Expired - Fee Related JP3593402B2 (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 半導電性ゴム |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3593402B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002091215A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Ricoh Co Ltd | 画像定着装置、画像定着方法、画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP2007138034A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Canon Inc | 電子写真装置用導電性弾性体部材 |
| JP2009009057A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Canon Inc | 帯電部材及び電子写真画像形成装置 |
| JP2009009056A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Canon Inc | 帯電部材及び電子写真画像形成装置 |
| JP2010152126A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Canon Inc | 現像ローラ、その製造方法、電子写真プロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
| JP2013238759A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Canon Inc | 加圧部材、及びその加圧部材を備えた像加熱装置 |
| JP2021067755A (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-30 | キヤノン株式会社 | 電子写真装置、プロセスカートリッジ、及びカートリッジセット |
-
1995
- 1995-11-21 JP JP32527195A patent/JP3593402B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002091215A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Ricoh Co Ltd | 画像定着装置、画像定着方法、画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP2007138034A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Canon Inc | 電子写真装置用導電性弾性体部材 |
| JP2009009057A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Canon Inc | 帯電部材及び電子写真画像形成装置 |
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|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040426 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040525 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040726 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040824 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040830 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080903 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080903 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090903 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090903 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100903 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110903 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110903 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120903 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120903 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |