JPH09135064A - 電子回路基板の配線修正方法及びその装置並びにｔｆｔ基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の課題は、ＴＦＴ基板等の電子回路基板
上の配線断線部を大気の雰囲気で信頼性を高くして修正
して、製品歩留まりを大幅に向上して製造コストを低減
することにある。 【解決手段】本発明は、電子回路基板の配線断線部に金
属錯体溶液を供給するためのガラスピペット吐出口先端
を、容器に格納した金属錯体溶液に浸漬しておき、供給
するときのみ取り出し、これにより、ガラスピペット吐
出口先端からの溶媒の蒸発を防ぎ、配線断線部に供給し
た金属錯体溶液膜にレーザ光を照射して金属を析出さ
せ、更に金属膜に不活性ガス雰囲気中でレーザ光を照射
して金属膜の電気特性を向上させ、断線部を接続修正す
ることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置や半
導体集積回路、あるいは大規模電子機器に使用される電
子回路基板上に形成された配線の断線を修正する技術に
係り、特に配線の断線部に金属イオンまたは金属原子を
含む液体材料を微量供給して欠陥を修正する電子回路基
板の配線修正方法及びその装置並びにＴＦＴ（Ｔｈｉｎ
ＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｅｒ）基板及びその配線修
正方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置や半導体集積回路に代表さ
れる電子回路基板では表示性能や集積度の向上に伴い、
基板上に形成される回路配線の微細化、高密度化が進ん
でいる。これらの回路配線は通常、レジスト塗布・露光
・現像・エッチング・レジスト剥離といった一連の工程
により形成されるが、電子回路基板の高性能化が進むの
つれ上記工程における良品歩留まりが低下する。特に、
レジスト露光時の異物に起因した配線の断線欠陥は致命
的であり、基板上に一箇所発生しただけでも製品として
不良となる場合が多い。従って、製造歩留まりの向上、
即ち製品コスト低減のためには配線の断線欠陥を修正す
る技術が必要不可欠である。基板上に配線を形成する従
来技術として、特開昭６３−５２４４２号公報（従来技
術１）等によりレーザＣＶＤ法が知られている。このレ
ーザＣＶＤ法の場合には、真空中で処理する必要があ
る。しかし基板がＴＦＴ基板等のように大形の場合には
真空容器を大形にする必要が生じ、その結果レーザＣＶ
Ｄ装置として、大形化および高価格化となり、更に低ス
ループットという問題が生じることになる。

【０００３】この問題を解決する従来技術として、特開
平６−１０４２５５号公報（従来技術２）及び特開平４
−２７７６９２号公報（従来技術３）が知られている。

【０００４】この従来技術２は、大気の雰囲気におい
て、ディスペンサで基板上の任意位置に導体ペーストを
供給しつつ基板を搭載したステージを走査し、その供給
に同期してレーザを照射し導体ペーストを加熱すること
で、金属膜を連続的に形成する方法である。この場合、
導体ペーストは金属膜を形成する部分のみに供給すれば
良く、供給した導体ペースト全てにレーザを照射して金
属膜を得るため、配線部分以外の不要な部分に付着した
ペーストを除去する必要がない。また従来技術３では、
大気の雰囲気において、レーザにより断線部の下地膜に
溝パターンを形成し、有機金属溶液を溝内に供給した後
加熱して固化させ、更にレーザを照射して導体化するこ
とで断線部を接続する方法である。これによれば、有機
金属溶液の供給量を制御することで不要部分への材料の
付着を防止することが可能となり、更に配線の断線端部
と形成金属との接続面積が増大するため、接続部での信
頼性が向上する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術２は、導
体ペーストを必要とする部分のみに供給し、レーザ照射
により焼成して導体化することで配線を形成することが
できるが、吐出口付近が大気にさらされているため導体
ペーストの中に含まれる溶媒が蒸発して導体ペーストの
粘度が変化し、ついには固化してしまい、常に微量の導
体ベーストを最適化した状態で供給することが難しいと
いう課題を有するものである。また、従来技術３は、基
板に溝を形成して液体の広がりを防ぐものである。しか
しこの技術は、溝が形成できない場合には適用できない
と共に仮りに溝が形成できる場合においては溝パターン
を形成するため別途エキシマレーザを必要とし、装置規
模が大きく高価となる課題を有していた。

【０００６】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決すべく、電子回路基板上の種々の形態の配線断線部を
信頼度高く、かつ安価に修正できるようにした電子回路
基板の配線修正方法およびその装置を提供することにあ
る。また本発明の目的は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ）基板のドレイン線における種
々の断線欠陥を高信頼度で、且つ容易に修正できるよう
にしたＴＦＴ基板の配線修正方法およびその装置を提供
することにある。また本発明の目的は、ドレイン線にお
ける断線欠陥をトランジスタの駆動に支障なく修正した
ＴＦＴ基板を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、大気に実質的に閉ざされた雰囲気または
容器内に存在する溶媒で溶解させた金属溶液（金属イオ
ンまたは金属原子を含む液体）から微量の金属溶液を移
送手段を用いて電子回路基板上の配線の断線部に移送し
て供給し、この供給された微量の金属溶液に対してレー
ザ光を照射して加熱して導電性膜を形成して配線断線部
を接続することを特徴とする電子回路基板の配線修正方
法である。また本発明は、大気に実質的に閉ざされた雰
囲気または容器内に存在する溶媒で溶解させた金属溶液
から微量の金属溶液（金属イオンまたは金属原子を含む
液体）を移送手段を用いて電子回路基板上の配線の断線
部に移送して供給し、この供給された微量の金属溶液に
対してレーザ光を照射して加熱して導電性膜を形成して
配線の断線部を接続し、更に少なくとも前記導電性膜の
部分を不活性ガス雰囲気にして前記導電性膜に対してレ
ーザ光を照射して導電性膜の電気的特性を向上すること
を特徴とする電子回路基板の配線修正方法である。

【０００８】また本発明は、大気に実質的に閉ざされた
雰囲気または容器内に存在する有機溶媒で溶解させた金
属錯体溶液から微量の金属錯体溶液を移送手段を用いて
電子回路基板上の配線の断線部に移送して供給し、この
供給された微量の金属錯体溶液に対してレーザ光を照射
して加熱して導電性膜を形成して配線の断線部を接続す
ることを特徴とする電子回路基板の配線修正方法。また
本発明は、大気に実質的に閉ざされた雰囲気または容器
内に存在する有機溶媒で溶解させた金属錯体溶液から微
量の金属錯体溶液を移送手段を用いて電子回路基板上の
配線の断線部に移送して供給し、この供給された微量の
金属錯体溶液に対してレーザ光を照射して加熱して導電
性膜を形成して配線の断線部を接続し、更に少なくとも
前記導電性膜の部分を不活性ガス雰囲気にして前記導電
性膜に対してレーザ光を照射して導電性膜の電気的特性
を向上するすることを特徴とする電子回路基板の配線修
正方法である。

【０００９】また本発明は、溶媒で溶解させた微量の金
属溶液を電子回路基板上の配線の断線部に供給し、この
供給された微量の金属溶液に対してレーザ光を照射して
加熱して導電性膜を形成して配線断線部を接続し、該導
電性膜が配線の断線部に隣接する配線若しくは電極に接
触して短絡状態になった場合には前記配線若しくは電極
の一部をレーザ加工により除去して切り離すことにより
短絡状態を回避することを特徴とする電子回路基板の配
線修正方法である。また本発明は、溶媒で溶解させた微
量の金属溶液を電子回路基板上の配線の断線部に供給
し、この供給された微量の金属溶液に対してレーザ光を
照射して加熱して導電性膜を形成して配線断線部を接続
し、該導電性膜が配線の断線部に隣接する配線若しくは
電極に接触して短絡状態になった場合には前記導電性膜
の一部をレーザ加工により除去して切り離すことにより
短絡状態を回避することを特徴とする電子回路基板の配
線修正方法である。

【００１０】また本発明は、有機溶媒で溶解させた微量
の金属錯体溶液を電子回路基板上の配線の断線部に供給
し、この供給された微量の金属錯体溶液に対してレーザ
光を照射して加熱して導電性膜を形成して配線の断線部
を接続し、該導電性膜が配線の断線部に隣接する配線若
しくは電極に接触して短絡状態になった場合には前記配
線若しくは電極の一部をレーザ加工により除去して切り
離すことにより短絡状態を回避することを特徴とする電
子回路基板の配線修正方法である。また本発明は、有機
溶媒で溶解させた微量の金属錯体溶液を電子回路基板上
の配線の断線部に供給し、この供給された微量の金属錯
体溶液に対してレーザ光を照射して加熱して導電性膜を
形成して配線の断線部を接続し、該導電性膜が配線の断
線部に隣接する配線若しくは電極に接触して短絡状態に
なった場合には前記導電性膜の一部をレーザ加工により
除去して切り離すことにより短絡状態を回避することを
特徴とする電子回路基板の配線修正方法である。

【００１１】また本発明は、前記電子回路基板の配線修
正方法において、前記電子回路基板上の配線が、ＴＦＴ
基板上のドレイン配線であることを特徴とする。また本
発明は、前記電子回路基板の配線修正方法において、前
記金属を大気中において酸化しにくい金、白金、パナジ
ウム等の貴金属であることを特徴とする。なお、大気中
において、不活性ガスを吹き付けることなどして酸化し
にくい雰囲気を形成すれば、Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ等の金属を
用いることができる。また本発明は、ＴＦＴ基板上のド
レイン線の断線部を金属を含む液体から熱分解して得ら
れる金属からなる導電性膜により画素電極から電気的に
離して接続したことを特徴とするＴＦＴ基板である。ま
た本発明は、前記ＴＦＴ基板において、前記金属が、
金、白金、パラジウムの何れかで形成したことを特徴と
する。また本発明は、前記ＴＦＴ基板において、導電性
膜が画素電極（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）膜）と短絡した場合にはレーザ加工で、導電性膜
または画素電極に溝を形成することによって電気的に離
すことを特徴とする。

【００１２】また本発明は、電子回路基板を載置して位
置決めを行う電子回路基板の位置決め機構と、溶媒で溶
解された金属溶液を収納する容器と、該容器に収納され
た金属溶液から微量の金属溶液をピペットに充填し、こ
のピペットに充填した微量の金属溶液を前記電子回路基
板の位置決め機構によって位置決めされた電子回路基板
上の配線断線部へ移送してピペットに供給された不活性
ガス圧によって前記電子回路基板上の配線断線部に供給
するピペット移送手段と、該ピペット移送手段によって
電子回路基板上の配線断線部へ供給された微量の金属溶
液に対してレーザ光源から出射されたレーザ光を集光照
射をすることによって導電性膜を形成して配線断線部を
接続する集光照射光学系とを備えたことを特徴とする電
子回路基板の配線修正装置である。また本発明は、前記
電子回路基板の配線修正装置において、更に前記集光照
射光学系によってレーザ光が集光照射されて導電性膜が
形成される領域を不活性ガス雰囲気にする不活性ガス雰
囲気形成手段を備えたことを特徴とする。また本発明
は、前記電子回路基板の配線修正装置において、前記集
光照射光学系は、レーザ光を任意の大きさの矩形に成形
する矩形可変スリットを備えたことを特徴とする。また
本発明は、前記電子回路基板の配線修正装置において、
前記配線の欠陥位置を検出する欠陥位置検出光学系を備
えたことを特徴とする。また本発明は、前記電子回路基
板の配線修正装置において、前記レーザ光源をパルスレ
ーザ発振器と連続発振レーザ発振器とから構成したこと
を特徴とする。また本発明は、前記電子回路基板の配線
修正装置において、パルスレーザ発振器と連続発振レー
ザ発振器との各々からレーザ光を共通の光軸に結合する
光学素子と、両方のレーザ光を任意の大きさの矩形に成
形する矩形可変スリットとを備えたことを特徴とする。

【００１３】また本発明は、電子回路基板上の配線の断
線部に金属錯体溶液等の金属溶液（金属イオンまたは金
属原子を含む液体）を供給する吐出口の状態を、常に長
時間大気に触れさせて溶媒を蒸発させて金属溶液の粘度
変化や吐出口の閉塞を起こさせないようにして、吐出口
を移動開始するまでの待ち時間の変動に殆ど関係なく、
微量の金属溶液を移送して配線断線部にほぼ一定の幅で
供給することにある。即ち、電子回路基板上の配線の断
線部に金属溶液を供給するノズルなどの先端を、断線部
に供給する量よりも十分に大きな量である大気と実質的
に閉ざされた雰囲気または容器内に存在する金属溶液の
中に浸漬させて充填しておき、供給する際は金属溶液か
ら微量の金属溶液を取り出して、常に短時間の間に供給
を開始し、供給された微量の金属溶液にレーザ光を照射
して加熱することで、常に一定幅の導電性膜からなる配
線で断線部を接続し、信頼性の高い修正配線を実現する
ことにある。従って、本発明によれば、常に微量の金属
溶液を配線断線部にほぼ一定の幅で供給できるので、不
要な部分に金属溶液を付着させる可能性を小さくするこ
とができ、しかも従来技術３に記載されているように、
有機金属溶液が広がるのを防止するための溝を、配線の
下層である層間絶縁膜上に形成する必要性がないため、
層間絶縁膜上に溝加工を施すことができる絶縁膜に対し
て比較的不透明な短波長（紫外）であるエキシマレーザ
光を集光照射する必要を無くすことができる。また本発
明は、種々の形態の断線欠陥については、小型小出力の
パルスレーザによる薄膜加工と組み合わせることにより
修正を実現することにある。

【００１４】以上説明したように本発明によれば、ＴＦ
Ｔ基板やプリント回路基板などの大形の電子回路基板を
挿入できる大形の真空容器またはを必要とせずに、しか
も微量の金属溶液を、電子回路基板上の配線断線部に常
にほぼ同じ条件で移送して供給できるようにしたので、
供給された微量の金属溶液にレーザ光を照射して加熱す
ることで、常に一定幅の導電性膜からなる配線で断線部
を接続し、信頼性の高い修正配線を実現することがで
き、その結果電子回路基板の製品歩留まりの向上・製造
コストの低減を図ることができる。もしも、導電性膜が
配線の断線部に隣接する配線若しくは電極に接触して短
絡状態になった場合には前記配線若しくは電極の一部ま
たは前記導電性膜の一部をレーザ加工により除去して切
り離すことにより短絡状態を回避し、電子回路基板とし
て欠陥のないものを製造して実際に製品として使用可能
にすることができる。また本発明によれば、修正するこ
とによって断線のないドレイン配線を有するＴＦＴ基板
を安価に製造することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下図に従って本発明の実施の形
態を詳細に説明する。

【００１６】まず、本発明の実施の形態の主要部につい
て説明する。溶媒で溶解された金属溶液（金属イオンま
たは金属原子を含む液体材料）としては、例えば、Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ｐｔなどの金属錯体、例えばトリフロロ酢酸
パラジウム錯体（Ｐｄ（ＣＦ₃ＣＯＯ）₂）をアセトニト
リル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、トルエン、キシレ
ン、アルコール類等の有機溶媒に溶解させた金属錯体溶
液を使用する。この微量の金属溶液を、先端内径１〜２
μｍに形成したガラスピペット１３の内部に充填し、そ
してピペット１３をマニピュレータ１５で移動させるこ
とによって微量の金属溶液を移送してピペット１３の先
端を電子回路基板３の表面に配線断線部５５における必
要部分に接触させた状態でピペット１３の内部に窒素な
どの不活性ガスを供給して圧力を印加し、ピペット１３
の先端から金属溶液（例えば金属錯体溶液）を微量吐出
させ、電子回路基板３上の配線断線部５５における必要
部分のみに供給塗布する。この塗布に先立って、ピペッ
ト１３の先端を金属錯体溶液中に浸漬させておくことに
より、ピペット先端部の金属溶液から溶媒が蒸発して粘
度が変化したり、先端が固まって材料の吐出が阻害され
ることがない。即ち、被修正基板（電子回路基板）３の
ステージ５上への載置、位置決め、確認等の作業が終了
してからガラスピペット１３の先端を金属溶液から取り
出し、ほぼ一定時間後、例えば３０秒後（マニピュレー
タ１５によってピペット１３を移動させてるのに要する
時間経過後）から塗布を開始することで、ピペット１３
の先に充填された微量の金属溶液を、常に電子回路基板
上においてほぼ一定の幅に供給、塗布することができ
る。供給後は当然、ガラスピペット１３の先端を金属溶
液中に浸漬する。

【００１７】また、この方法を実現するためには塗布す
る量（通常は１ｐｌ（ピコリットル）程度）よりも十分
に多い量の金属溶液（例えば１ｍｌ）を収納した蓋付き
の容器を、ガラスピペットの位置決め駆動範囲内に設置
するだけで良い。容器の蓋は溶媒の蒸発を防止するため
のもので、ガラスピペット１３を出し入れするときだけ
開閉できる機構を有している。即ち、大気と実質的に閉
ざされた雰囲気または容器内に存在する溶媒で溶解され
た金属溶液から、微量の金属溶液をマニピュレータ１５
で移動されるガラスピペット１３等の移送手段によって
電子回路基板３上の配線断線部５５に移送して供給（塗
布）することによって、微量の金属溶液を上記移送手段
によって移送を開始するまでの待ち時間に関係なく、上
記移送手段により微量の金属溶液を移送して常に電子回
路基板上においてほぼ一定の幅に供給、塗布することが
できる。

【００１８】塗布が終了した後、Ａｒレーザ光等のレー
ザ光を照射して溶媒を蒸発させると同時に、電子回路基
板上に残留した金属合成物（金属錯体）を熱分解して、
金属（例えばＰｄ、金、白金等の貴金属）膜を形成す
る。その後、窒素などの不活性ガス雰囲気中で再度レー
ザ光を照射して、膜質を向上させる。

【００１９】このように、待機時にはガラスピペット１
３等の移送手段の先端を金属溶液（金属錯体溶液）に浸
漬しておく（金属溶液が大気に実質的に閉ざされた雰囲
気または容器内に存在する）ため、ガラスピペット１３
等の移送手段の先端の状態が一定に保たれ、塗布される
金属溶液（金属錯体溶液）の幅は常にほぼ一定となり、
最終的に得られる導電性膜からなる配線の幅もほぼ一定
となる。このため、信頼度の高い修正部が得られる。

【００２０】更には、パルスレーザ光のよる加工を組み
合わせることにより、異物の除去、短絡した回路の切
断、剥離起因のクラックなどの除去と、金属錯体への連
続発振レーザ光照射による局所的な金属膜形成を組み合
わせて、種々の原因で発生した種々の形態の欠陥を修正
することができる。

【００２１】図１は本発明の断線修正装置の一実施例の
構成を示す図である。本装置は定盤１、定盤１上に固定
された門型フレーム２、被修正物である電子回路基板３
を載置しＸＹに駆動するためのステージ５、Ａｒレーザ
発振器６およびＹＡＧレーザ発振器７から発振されたレ
ーザ光８、９の照射と電子回路基板３の観察、位置決め
を行うための門型フレーム２に固定された光学系１１、
液体材料１２を塗布するためのガラスピペット１３とそ
れを保持固定するホルダ１４、ガラスピペット１３をＸ
ＹＺ方向に駆動するためのマニピュレータ１５、ガラス
ピペット１３内に窒素などの不活性ガスを用いて圧力を
印加するためインジェクタ１６と配管１７、液体材料１
２を格納した容器１８と開閉自在に設けられた蓋１９、
窒素などの不活性ガスを吹き付けるための配管２１とノ
ズル２２、および全体の制御を行う制御装置２５から構
成されている。また、光学系１１は落射照明装置３１、
Ａｒレーザ光８とＹＡＧレーザ光９を結合するための結
合プリズム３２、レーザ光８、９を任意の大きさの矩形
に成形するための可変スリット３３、レーザ光８、９と
照明光を結合するためのミラー３４、対物レンズ３５、
位置決め、観察するためのＴＶカメラ３６、モニタ３
７、ＴＶカメラ３６からの画像信号を処理する画像処理
装置３８から構成されている。

【００２２】ここで、主な部分の機能を説明する。定盤
１はその上に設置するものを固定するためのもので、実
施に当たっては十分な剛性を有するフレームでも良く、
床からの振動を遮断するために防振装置（図示せず）を
設置することが望ましい。また、門型フレーム２は主に
光学系１１を固定保持するためのもので、十分な剛性を
有する。ステージ５は上に載置する電子回路基板３全面
を走査できるストロークを有し、必要に応じて電子回路
基板３を搬送ロボット等で自動的に着脱する位置へ搬送
できるストロークを有する。

【００２３】Ａｒレーザ発振器６は後で述べる様に、電
子回路基板３上に塗布した液体材料（金属溶液）を熱分
解したり、レーザアニールするための熱源として使用す
る。ＹＡＧレーザ発振器７は後で述べるように、電子回
路基板３上に残留している異物の除去、修正部の形状ト
リミング、透明電極の切欠き等に使用する。それぞれの
発振器から発振したレーザ光８、９は光学系１１で集光
・照射されるが、矩形スリット３３で任意の大きさの矩
形に成形され、対物レンズ３５により電子回路基板３表
面上に、対物レンズ３５の倍率の逆数の大きさで投影照
射される。

【００２４】マニュピレータ１５はガラスピペット１３
の先端を、修正すべき欠陥位置に位置決めしたり、液体
材料１２を格納した容器１８内の液体材料１２に浸漬さ
せたりするために用いる。そして、ステージ５およびマ
ニュピレータ１５の駆動、液体材料格納容器１８の蓋１
９の開閉、レーザ発振器６、７のｏｎ、ｏｆｆ、矩形ス
リット３３の駆動、インジェクタ１６による窒素ガス圧
の印加、ノズル２２からの不活性ガス吹き付け等の制御
を行う。このように、先端内径が数ミクロンのガラスピ
ペット１３から押し出された液体材料１２を電子回路基
板３に付着させ、液体材料の表面張力と濡れの釣り合い
で決まる領域に塗布するものであるため、溶媒（有機溶
媒）の種類と量あるいはガラスピペット１３の内径、印
加するガス圧などによって塗布寸法を制御可能となる。
即ち、電子回路基板３に濡れやすい溶媒を選択すること
により幅が広く膜厚は薄くなり、濡れにくい溶媒を選択
することにより幅が小さく膜厚は厚くなる。また、溶媒
の量が少ない程粘度が高くなり、膜厚が厚くなる。従っ
て、錯体を塗布する部分に溝を形成する前処理など付加
プロセスを必要とせずに、膜厚や幅の制御が可能とな
る。

【００２５】以下に電子回路基板３として液晶表示装置
に用いられるＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Ｔｈｉｎ Ｆ
ｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板の配線の一部が欠
落している欠陥、即ち断線欠陥を修正する場合を例に、
本発明に係る断線欠陥修正方法の実施の形態について詳
細に説明する。

【００２６】ＴＦＴ基板は、図１１に示すように構成さ
れている。図１１はＴＦＴ基板の画素部を示す平面図及
び断面図である。即ちガラス基板１０１上にゲート配線
１０２、層間絶縁層１０３、アモルファスシリコン層１
０４、オーミック膜１０５、ドレイン配線１０６、ソー
ス電極１０７がパターニングされて薄膜トランジスタが
形成されており、ソース電極１０７は画素電極（ＩＴＯ
膜）１０８に接続されている。この後、基板全面にパッ
シベーション膜（保護膜）が形成されるが、本発明の対
象としているドレイン配線１０６の断線欠陥修正は、図
１１に示した状態、即ちパッシベーション膜を形成する
前に実施する。ドレイン配線１０６には数百の画素が接
続されており、断線欠陥が存在した場合には、断線部よ
り先に信号が伝わらず、線欠陥（常に液晶として白か黒
が表示される。）となり、その基板は不良となる。本発
明は、この不良を救済するために使用される。なお、本
発明をゲート配線１０２の断線欠陥修正に適用すること
も可能であるが、その時の基板価格（ゲート配線形成時
にはまだ安く、作り直した方が有利）から考えて修正の
効果は小さい。

【００２７】ＴＦＴ基板における断線欠陥の代表的な実
施例を図２に示す。ゲート電極、薄膜トランジスタ、ソ
ース・ドレイン電極を形成する工程を終了した段階のド
レイン線とその周辺を示している。即ち、ガラス基板５
１上に必要に応じて形成されたＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ等の単
一あるいは複数の層からなるドレイン線５２（１０６）
が幅５〜１５μｍ、膜厚０．１〜０．３μｍに形成され
ている。その両脇には５〜１０μｍのスペースを介して
ＩＴＯ透明電極（画素電極）５３、５３’（１０８）が
形成されている。このドレイン線５２（１０６）には図
２（ａ）に示すような、ＴＦＴ基板全面にドレイン線材
料膜を形成した際のピンホール、ドレイン線形成工程で
のレジストのピンホール等が原因で発生した断線欠陥５
５、図２（ｂ）に示すように異物が原因で断線して異物
５６がそのまま残留した断線欠陥５７、図２（ｃ）に示
すようにドレイン線形成後に搬送中などに外部の物体と
接触して発生した断線欠陥５８、図２（ｄ）に示すよう
に膜応力の以上や基板への密着力不足が原因で発生した
クラックによる断線欠陥５９等が存在する。

【００２８】例えば、図２（ａ）に示す様な一般的な断
線欠陥５５を修正する場合について、以下に図に従って
説明する。欠陥が検出されたＴＦＴ基板３を搬送ロボッ
ト（図示せず）などによりステージ５上に載置し、検査
装置（後で詳細に説明する。）で検出された欠陥位置情
報に基づいてステージ５を駆動して光学系１１の視野内
に欠陥位置を再現する。この検査装置は修正装置とは別
置きとして、検査結果のみを修正装置に通信しても良い
し、修正装置に検出部を設置して１つの装置で検査修正
を実施しても良い。別置きの場合、高価なクリーンルー
ム内に広い場所を必要とするが、大量の欠陥を検査修正
する場合には適している。一方、１つの装置にまとめた
場合は、スループットの点では劣るが、占有する床面積
を低減できる、ステージ・架台・制御装置などを共用で
きるために装置か各を低減できる、検査と修正を交互に
実施するために基板とデータの不一致が生じる恐れが小
さい、ハンドリングの回数が低減できる、等の利点が多
い。

【００２９】その後、自動焦点機構（図示せず）により
光学系１１全体をＺ方向に移動させてＴＦＴ基板３表面
にピントをあわせる。ステージ５により基板３をＺ方向
に移動させても良い。光学系１１を移動させる場合に
は、Ａｒレーザ光８を偏向させるミラー４０も一体とし
て移動させることで、Ａｒレーザ光８の光軸を一定に保
つことができる。ここで、ＴＶカメラ３６とモニタ３７
で再現された断線欠陥を観察して、修正可能な欠陥であ
るか否かを判断すると共に、ドレイン線上の金属錯体の
塗布を開始する位置を視野中央に合わせる。

【００３０】次に内部に金属錯体溶液１２を充填したガ
ラスピペット１３を、マニュピレータ１５を駆動して予
め設定したある位置、即ちガラスピペット１３の先端が
光学系１１の視野中央で基板３表面上５０μｍの位置に
位置決めする。ここで、ガラスピペット１３は図３
（ａ）に示すように光学系１１に一体に固定されている
液体材料格納容器１８上に設置された蓋１９、１９’を
閉じられた状態から、図３（ｂ）に示すように蓋１９を
開き、中に格納されている金属錯体溶液１２中にガラス
ピペット１３先端を浸漬させ、図３（ｃ）に示すように
蓋１９、１９’を閉じた状態で待機させておく。蓋１９
は液体材料格納容器１８内に格納されている液体材料１
２から溶媒が蒸発するのを防ぐ目的で設けてある。この
時、ガラスピペット１３内に金属錯体溶液１２が充填さ
れていなくても、毛細管現象と液面差による圧力により
自動的に充填される。この状態から、図３に示した手順
の逆を行ってガラスピペット１３を容器１８から取り出
し、設定された位置に位置決めする。この時、容器１８
の蓋１９、１９’は閉じた状態で保つ。

【００３１】ここでは、格納容器１８内の金属錯体溶液
１２から溶媒が蒸発するのを防ぐため、開閉可能な蓋１
９を設けることで説明してきたが、これに限定されるも
のではなく、この目的を達するために他の手段も採りう
る。例えば図４に示すように、液体材料格納容器４１に
ガラスピペット１３が挿入可能な穴４２とその内側に移
動可能な遮蔽版４３を設けておき、ガラスピペット１３
が穴４２に挿入されているときは穴４２が貫通状態に、
ガラスピペット１３が穴４２に挿入されていないときは
穴４２が遮蔽状態になるように移動させる。さらに、ガ
ラスピペット１３につば４４を設けて、穴４２に挿入さ
れている場合に隙間からの蒸発を防ぐことができる。

【００３２】また、図５に示すように蓋４５が開いた状
態で液体材料格納容器４６に、つば４４’を有するガラ
スピペット１３を挿入し、先端を格納容器４６内の液体
材料１２に浸漬しつつ、つば４４で蓋をするとともに蒸
気発生装置４７から配管４８を介して格納容器４６内に
溶媒の蒸気を供給して、溶媒の飽和蒸気圧あるいは飽和
蒸気圧に近い状態に保つことにより、格納容器４６内の
液体材料からの溶媒の蒸発を防ぐことができる。ガラス
ピペット１３で配線断線部に液体材料１２の供給を行っ
ている間は、蓋４５を閉じることで格納容器４６内の液
体材料からの溶媒の蒸発を防ぐことができる。

【００３３】また、ガラスピペット１３を取り付けたマ
ニュピレータ１５によって移送手段を構成し、待ち時間
の間上記ガラスピペット１３の先端を大気に触れないよ
うに開閉される室で囲み、この室に例えば不活性ガスを
供給することによってガラスピペット１３の先端部にお
いて溶媒が蒸発して液体材料（金属錯体溶液）１２の粘
度が増加したり、固まることが防止することができる。
この場合、ガラスピペット１３につながる後側に金属錯
体溶液を貯える小型の容器を接続し、微量の金属錯体溶
液を移送して電子回路基板３上に移送して供給を開始す
る際、上記室を開いて上記容器内または上記ガラスピペ
ット１３につながる通路に不活性ガスによる圧力を印加
することによって、ガラスピペット１３の先端から常に
微量の金属錯体溶液を出して、塗布される金属溶液（金
属錯体溶液）の幅も常にほぼ一定とすることができ、そ
の結果最終的に得られる導電性膜からなる配線の幅もほ
ぼ一定にすることができる。

【００３４】ここで金属錯体溶液の供給を開始するが、
開始時の基板３とガラスピペット１３の位置関係を示し
たのが図６（ａ）である。即ち、ガラス基板上に形成さ
れたドレイン線の断線欠陥部に隣接するドレイン線（金
属錯体の塗布を開始する位置）上方にガラスピペット１
３が位置決めされている。その右側の円内に示したのは
光学系１１視野の中央部の観察像である。ドレイン線上
にガラスピペットの先端が観察される。この時対物レン
ズの倍率によっては、ガラスピペットの像はぼけてみえ
る場合もあるが、それでも良い。

【００３５】この状態から、ガラスピペット１３を徐々
に降下させるとやがてガラスピペット１３先端は図６
（ｂ）に示すようにドレイン線５２表面に接触する。更
に降下すると、ガラスピペット１３先端が弾力性により
たわみ、図６（ｃ）に示すように観察視野の中でガラス
ピペット１３先端方向にシフトする。このシフトを観察
することで、ガラスピペット１３先端がドレイン線５２
に接触したことを確認できる。また、シフトする量を一
定に保つことで、常に一定の接触状態を再現することが
できる。このシフト量を大きくするとドレイン線５２に
力がかかり、ドレイン線５２にダメージを与える恐れが
あるので、通常は１〜１０μｍで設定される。このガラ
スピペット１３先端の基板３表面への接触の検出は、Ｔ
Ｖカメラ３６で撮像した信号を画像処理装置３８で処理
することで容易に検出することができる。即ち、ガラス
ピペット１３が一定距離、例えば５μｍ降下するたびに
画像を撮り込んで一つ前の画像と比較し、差が生じた場
合にガラスピペット１３が画面内でシフトしたとみなす
ことがでる。このシフト発生を検出することで、ガラス
ピペット１３の基板３への接触を検出できる。

【００３６】接触を確認後、インジェクタ１６で予め設
定してある圧力の窒素を供給開始する。この窒素圧によ
り、ガラスピペット１３内に充填されている金属錯体溶
液１２がガラスピペット１３先端から押し出され、ドレ
イン線５２上に塗布される。一定圧力を印加して金属錯
体溶液１２を押し出しながら、図６（ｄ）に示すように
一定速度でガラスピペット１３を接触させたまま移動す
ることにより、断線部５５とその両端のドレイン線５
２、５２’上に一定幅の金属錯体溶液１２の塗膜６０を
形成することができる。

【００３７】この時形成される金属錯体溶液膜６０は、
ガラスピペット１３の内径がおよそ１μｍ、外形が１０
μｍの場合で、窒素圧力を１００〜４００ｋＰａとする
ことで、幅５〜１５μｍが得られる。窒素圧力はパルス
的に印加しても良い。また、この時の移動は、マニピュ
レータ１５によりガラスピペット１３を動かしても良い
し、ステージ５を動かしても良い。但し、移動する相対
的な方向は上方から観察した状態でガラスピペット１３
先端方向に対して、９０〜２７０度の範囲が望ましい。

【００３８】ここで、使用する金属錯体溶液１２とし
て、Ｐｄ（ＣＦ₃ＣＯＯ）₂（トリフルオロ酢酸パラジウ
ム）をＮ−メチル−２−ピロリドンとアセトニトリルに
溶解したものが適している。組成比はＰｄ（ＣＦ₃ＣＯ
Ｏ）₂を３０〜６０重量％とし、残りを重量比が１対１
のＮ−メチル−２−ピロリドンとアセトニトリルとした
ものが最適である。。しかし、本発明はこの材料に限定
されるものではなく、金、白金、パラジウム等の貴金属
の錯体を有機溶媒に溶解したものが使用でき、また溶媒
としてトルエン、キシレン、ブチロニトロル、プロピオ
ニトリル等の有機溶媒を使用することができる。その
他、金属の超微粒子を有機溶媒中に分散させた液体材料
についても同様に使用することができる。

【００３９】塗布が終了すると、ガラスピペット１３は
図３で示したように、金属錯体溶液格納容器１８内に戻
し、待機状態とする。当然、ガラスピペット１３先端は
金属錯体溶液１２内に浸漬され、蓋１９が閉じられる。

【００４０】金属錯体溶液が塗布された状態は図７
（ａ）に示すとおりである。ここで、上の図は平面図
を、下の図は断面図を示す。即ち、金属錯体溶液６０は
断線部とその両端のドレイン線５２、５２’の上に塗布
されており、ドレイン線５２の両脇のＩＴＯ膜５３、５
３’には接触していない状態である。ドレイン線５２、
５２’の幅は約５〜１５μｍ程度であり、ドレイン線５
２、５２’とＩＴＯ膜５３、５３’との間の間隙は約５
〜１０μｍ程度である。ここで、ステージ５を駆動して
Ａｒレーザ光８の照射領域が塗布された金属錯体溶液膜
６０のすぐ外側になるように位置決めされる。しかる
後、Ａｒレーザ発振器６を発振させ（あるいはＡｒレー
ザ発振器６は常に発振状態としてシャッタを開き）、Ａ
ｒレーザ光８の照射を開始すると共にステージ５を一定
速度で駆動する。これにより、図７（ｂ）に示すように
Ａｒレーザ光８が照射された部分は、金属錯体溶液膜６
０から有機溶媒が蒸発すると共に、金属錯体（Ｐｄ錯
体）が熱分解してＰｄ膜７０が析出する。このＡｒレー
ザ照射は金属錯体の分解を促進するため、あるいは金属
錯体の有機成分を除去するためにも、大気中で行うこと
が望ましい。Ａｒレーザ光８の照射領域が金属錯体溶液
膜６０から外れるまで移動した時点で、Ａｒレーザ光８
の照射を停止する。これにより得られたＰｄ膜７０は、
大気中で加熱されたために膜の一部が酸化されており、
形成された膜の比抵抗は高い。ここで、照射するＡｒレ
ーザ光８のパワー密度は５〜３０×１０³Ｗ／ｃｍ²の範
囲から選択される。最適値は金属錯体溶液膜６０の膜
厚、含まれるＰｄ濃度等によって異なる。本実施例では
レーザ光源としてＡｒレーザ発振器６を使用している
が、それに限定されることはない。塗布膜を局所的に加
熱できれば良く、種々のレーザ発振器を使用することが
できるが、連続発振レーザ光が望ましいことは言うまで
もない。

【００４１】次に、ノズル２２から窒素を吹き付け、Ａ
ｒレーザ光８が照射される領域を窒素雰囲気にする。こ
の状態で、図７（ｃ）に示すように先程のＡｒレーザ照
射で形成したＰｄ膜７０に再度Ａｒレーザ光８をステー
ジ５を駆動させつつ照射する。尚、ステージ５の駆動方
向は大気中でのレーザ照射終了位置から開始位置へ戻っ
ても良く、また大気中でのレーザ照射開始位置から繰り
返しても良い。この二度目のＡｒレーザ光８の照射によ
り、酸素濃度の低い雰囲気で加熱されるために、Ｐｄ膜
７０中の酸化物から酸素が遊離して金属Ｐｄ膜７１が得
られる。Ｐｄ膜７０全体が窒素雰囲気中でレーザ照射さ
れ、全体が金属Ｐｄ膜７１になった時点でＡｒレーザ光
８の照射を終了して、断線欠陥の修正が完了する。この
時の照射条件として、パワー密度は１０〜３０×１０³
Ｗ／ｃｍ²の範囲が望ましい。少なくとも、大気中で照
射したレーザパワー密度よりも高いことが求められる。

【００４２】同一基板上に複数の断線欠陥が存在する場
合には、必要な回数だけ上記修正手順を繰り返す。全て
の欠陥を修正し終えると、ステージ５を駆動して基板搬
送位置まで移動させ、搬送ロボット（図示せず）などに
より基板３を取り外して新たな基板をステージ５上に載
置する。

【００４３】以上で説明したように、電子回路基板上の
配線の断線部を修正するために、液体材料を必要な部分
のみに供給し、レーザ光を照射して金属膜を形成して修
正する。この際、液体材料を供給するためのガラスピペ
ット先端を常に液体材料に浸漬しておくことにより、液
体材料中の溶媒の蒸発による液体材料の粘度変化やピペ
ット先端の閉塞を起こすことなく、ピペットに印加する
圧力を一定にしても一定の幅、膜厚に供給することがで
きる。

【００４４】次に、図７（ａ）に示すような単純な断線
欠陥ではない場合について、図に従い詳細に説明する。
先ず、図７（ａ）に示すように金属錯体溶液膜６０を塗
布すべきところを、何らかの原因で図８（ａ）に示すよ
うに金属錯体溶液膜６１がＩＴＯ膜に接触した場合の処
理方法について述べる。このような場合、レーザ光を照
射してＰｄ膜７２を形成してそのまま放置すると、Ｐｄ
膜７２が接触しているＩＴＯ膜５３が構成している画素
は不良となってしまう。このため、図７で示した手順に
従って、先ず大気中でＡｒレーザ光８を照射し、次いで
窒素雰囲気中で再度Ａｒレーザ光８を照射して、図８
（ｂ）に示す様に金属錯体溶液膜６１を金属Ｐｄ膜７２
に変える。

【００４５】次いで、パルスＹＡＧレーザ光９の照射領
域８１（破線で表示）をドレイン線５２、５２’とＩＴ
Ｏ膜５３が短絡している部分に合わせ、パルスＹＡＧレ
ーザ光９を発振して除去加工を行い、図８（ｃ）に示す
ように短絡部を切り離す。この時、金属Ｐｄ膜７２は通
常のスパッタ成膜等の手段で形成した膜と比較して脆い
場合があり、パルスＹＡＧレーザ光９の照射により照射
部以外までも加工される恐れがある。このような恐れが
ある場合には、図８（ｄ）に示すように、パルスＹＡＧ
レーザ光９の照射を繰り返してＩＴＯ膜５３を加工し、
短絡部を切離す。この方法により、ＩＴＯ膜５３の一部
が機能を果たせなくなるが、１画素分のＩＴＯ膜５３の
面積と比較して、切り離される部分は十分に小さいの
で、実用上は全く問題ない。

【００４６】次に、図２（ｂ）に示した異物５６が残留
している断線欠陥５７の修正について述べる。断線修正
に先立って、パルスＹＡＧレーザ９の照射により異物５
６の除去を行う。もし異物５６を完全に除去でき、異物
５６を除去した跡が平坦で残留物がなければ、改めて図
７に示した手順で修正すれば良い。しかし、異物５６が
レジストやポリイミド等の有機物の場合など、パルスＹ
ＡＧレーザ９では完全に除去するのが難しく、残渣が残
ってしまう。このような場合に、図７に示した手順で修
正した部分は再び断線してしまうことが多い。

【００４７】即ち、このように異物がそのまま残ってい
る場合、異物が大きいと金属Ｐｄ膜（導電性膜）が乗り
越える際に段切れを起こしてしまう。段切れを起こさな
いまでも後工程で熱的な応力が発生した場合にクラック
が発生し、断線にいたる。このため、異物はパルスＹＡ
Ｇレーザ９などで除去する必要がある。完全に除去でき
た場合には図７に示すように単なる断線欠陥と同じ取り
扱いができる。

【００４８】しかし、一般的には異物はパルスＹＡＧレ
ーザ９では完全に除去できない。異物が大きい場合、無
理に異物を除去しようとすると、レーザによる飛散物が
大量に周辺に付着し、修正不可能な状態になってしま
う。異物がフォトレジストなどの有機物の場合、パルス
ＹＡＧレーザ９により、部分的に分解あるいは除去さ
れ、最終的に灰状の残渣が残る。この状態で金属Ｐｄ膜
（導電性膜）を形成しても、金属Ｐｄ膜が基板に密着し
なかったり、金属錯体溶液が残渣中に染み込んで金属Ｐ
ｄ膜が形成できず、できても段面積が小さくなって、後
工程で熱応力が発生した場合に断線する。このため、異
物上（パルスＹＡＧレーザを照射した後でも完全に除去
できたことが確認できない限り）は金属錯体溶液の塗布
を避けるべきである。そこで、図９に示すように金属Ｐ
ｄ膜が異物を回避するように形成する。

【００４９】なお、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板の
ギャップは一定（品種により異なるが、一般的には５〜
１０ミクロン）に保つ必要があり、巨大異物は許されな
い。巨大異物が存在する場合は、その基板は不良とな
る。このため、パルスＹＡＧレーザで異物を小さく（薄
く）することは、不良を救う意味からも効果がある。こ
の処理の後、金属Ｐｄ膜が異物残渣を迂回するように形
成して、修正を行うことで歩留まり向上が達成できる。

【００５０】即ち、図９（ａ）に示すように、金属錯体
溶液膜６２を異物を迂回するように形成する。この場
合、当然金属錯体溶液膜６２は隣接するＩＴＯ膜５３と
短絡する経路となる。金属錯体溶液膜６２を塗布後、大
気中でＡｒレーザ光８を照射し、次いで窒素雰囲気内で
再度Ａｒレーザ光８を照射して、図９（ｂ）に示すよう
に金属錯体溶液膜６２を金属Ｐｄ膜７３に変える。次い
で、パルスＹＡＧレーザ光９を照射し、金属Ｐｄ膜７３
の外側を除去加工して溝８２を形成し、図９（ｃ）に示
すように金属Ｐｄ膜７３が短絡しているＩＴＯ膜５３を
切り離す。この方法も図８（ｄ）に示した場合と同様
に、ＩＴＯ５３膜の一部が機能を果たせなくなるが、１
画素分のＩＴＯ膜５３の面積と比較して、切り離される
部分は十分に小さいので、実用上は全く問題ない。

【００５１】この他、図２（ｃ）に示した様な物体がこ
すれて発生した断線部５８の修正は、ドレイン線５２の
材料がＩＴＯ膜５３に接触しているので、パルスＹＡＧ
レーザ光９によりドレイン線５２の領域からはみ出して
いる部分を除去してから、図７に示した手順で修正すれ
ば良い。また、図２（ｄ）に示したようにクラックが原
因で発生したドレイン線５２の断線欠陥５９は、パルス
ＹＡＧレーザ光９の照射によりドレイン線５２のクラッ
クの周辺あるいはクラックが原因で剥離した部分を除去
した後、図７に示した手順で接続することで、修正する
ことができる。尚、図２（ｄ）を修正する場合、パルス
ＹＡＧレーザ照射によりドレイン線５２の材料金属が周
辺に飛散して、ＩＴＯ膜５３と短絡する場合があるが、
短絡部をパルスＹＡＧレーザ光９で除去することで解決
する。

【００５２】次に本発明の他の実施の形態について説明
する。図１０は、修正部と検査部とを有する断線欠陥修
正装置の他の実施例を示す構成図である。ここで、修正
部は図１と同じであり、詳細は省略してある。電子回路
基板（ＴＦＴ基板）３はステージ５の上に放射電極基板
９７を介して載置される。門型フレームには検出回路９
０が設置され、断線を有する配線のパッドにプローブ９
１を接触でき、正しく接触したか否かを観察光学系９２
とＴＶカメラ９３で撮像し、画像処理装置９４で信号処
理するとともにモニタ９５で観察できる。また、これら
は制御装置９６により制御される。

【００５３】ここで、どの配線に断線欠陥があるかは別
な装置で検査した方が能率良く、検査結果を通信、或い
は磁気媒体を通して修正装置に伝達することができる。
基板３がステージ５（正確には放射電極基板９７）上に
固定され、検査部位置に移動する。観察光学系９２で観
察しながらプローブ９１を断線のある配線パッドに接触
させる。詳細は位置決め及び接触のための動作はステー
ジ５を移動させても良いし、観察光学系９０或いはプロ
ーブ９１の移動によっても良い。

【００５４】放射電極基板９７には断線位置を特定する
必要のある配線に直交する方向に３００から１０００ミ
クロンピッチで導電性材料の薄膜パターン（放射電極）
が形成されている。検査されるべき配線と直交している
放射電極に、電源（図示せず）により順次パルス信号を
印加し、ガラス基板（誘電体）を挾んで静電結合による
信号波形をプローブ９１により検出する。静電結合によ
る検出信号は断線部の前後で大きく変化するので、検出
回路９０で信号処理し、比較することで断線位置が何本
目の放射電極位置にあるかを検出することができる。

【００５５】この検出結果から断線位置を算出し、ステ
ージ５を駆動して修正部観察光学系鏡筒１１の視野中央
に位置決めする。この後の修正手順は前に述べた通りで
ある。

【００５６】ここでは断線位置を検出するためにパルス
信号印加による静電結合で発生する信号を検出したが、
他の方法を用いることもできる。即ちステージ５を移動
しながら断線欠陥の存在する配線を端から順次、光学系
９２とＴＶカメラ９３で撮像し、得られた映像信号を画
像処理装置９４で処理して光学的に検出することもでき
る。また２本の配線を同時に撮像して比較し、相違点を
検出することで断線を検出しても良い。要するに、方式
によらず検査部と修正部とを一体化することで、使い勝
手がよく確実な断線の修正を行うことができる。

【００５７】

【発明の効果】本発明によれば、電子回路基板の配線断
線部を修正する場合に、修正材料となる液体材料が溶媒
を含む材料であっても、溶媒の蒸発による液体材料の粘
度変化や材料吐出口の閉塞を起こすことなく、常に一定
の条件で配線断線部の必要とする部分に供給でき、これ
により信頼性の高い修正を行うことができ、その結果、
断線欠陥のある基板を救済することでき、製品の歩留ま
りの向上、ひいては製造コストの低減を行うことができ
る効果を奏する。また本発明によれば、修正材料である
液体材料が配線断線部に隣接する導電体に接触して塗布
された場合においても、レーザ加工により接触した部分
を切り離すことにより、他の部分に影響を与えることな
く修正を行うことができる効果を奏する。また本発明に
よれば、。その結果、断線欠陥のある基板を救済するこ
とでき、製品の歩留まりの向上、ひいては製造コストの
低減を行うことができる。

【００５８】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る配線修正装置の一実施例を示す構
成図である。

【図２】本発明に係る修正対象である断線欠陥を示す説
明図である。

【図３】本発明に係る格納容器中の液体材料にピペット
先端を浸漬するときの動作を示す説明図である。

【図４】図３に示す液体材料格納容器の別な形態を示す
説明図である。

【図５】図３に示す液体材料格納容器の別な形態を示す
説明図である。

【図６】本発明に係るピペットに充填した液体材料を断
線欠陥部塗布する動作を示す説明図である。

【図７】本発明に係る断線欠陥部に塗布した液体材料膜
にレーザを照射して導電性膜を形成する手順を示す説明
図である。

【図８】本発明に係る断線修正のために形成した導電性
膜が隣接のパターンに接触した場合の救済方法を示す説
明図である。

【図９】本発明に係る断線部に異物が残留している場合
の修正手順を示す説明図である。

【図１０】本発明に係る配線修正装置の他の一実施例を
示す概略構成図である。

【図１１】本発明に係るＴＦＴ基板の画素部を示す図
で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−
Ａ矢視断面図である。

【符号の説明】

３…電子回路基板（ＴＦＴ基板）、５…ステージ、６…
Ａｒレーザ発振器 ７…パルスＹＡＧレーザ発振器、１１…光学系 １２…液体材料（金属溶液、金属錯体溶液）、１３…ガ
ラスピペット １５…マニュピレータ、２２…ノズル、２５…制御装
置、３２…結合プリズム ３３…可変スリット、３５…対物レンズ ５２（１０６）…ドレイン線、５３（１０８）…ＩＴＯ
膜、５５…断線欠陥 ５６……異物、６１、６２……金属錯体膜、７０……Ｐ
ｄ膜、７１、７２、７３……金属Ｐｄ膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸山 重信 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 奥中 正昭 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 松崎 英夫 千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製 作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 宮田 一史 千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製 作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 轟 悟 千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製 作所電子デバイス事業部内

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】大気に実質的に閉ざされた雰囲気または容
   器内に存在する溶媒で溶解させた金属溶液から微量の金
   属溶液を移送手段を用いて電子回路基板上の配線の断線
   部に移送して供給し、この供給された微量の金属溶液に
   対してレーザ光を照射して加熱して導電性膜を形成して
   配線断線部を接続することを特徴とする電子回路基板の
   配線修正方法。
2. 【請求項２】大気に実質的に閉ざされた雰囲気または容
   器内に存在する溶媒で溶解させた金属溶液から微量の金
   属溶液を移送手段を用いて電子回路基板上の配線の断線
   部に移送して供給し、この供給された微量の金属溶液に
   対してレーザ光を照射して加熱して導電性膜を形成して
   配線の断線部を接続し、更に少なくとも前記導電性膜の
   部分を不活性ガス雰囲気にして前記導電性膜に対してレ
   ーザ光を照射して導電性膜の電気的特性を向上すること
   を特徴とする電子回路基板の配線修正方法。
3. 【請求項３】大気に実質的に閉ざされた雰囲気または容
   器内に存在する有機溶媒で溶解させた金属錯体溶液から
   微量の金属錯体溶液を移送手段を用いて電子回路基板上
   の配線の断線部に移送して供給し、この供給された微量
   の金属錯体溶液に対してレーザ光を照射して加熱して導
   電性膜を形成して配線の断線部を接続することを特徴と
   する電子回路基板の配線修正方法。
4. 【請求項４】大気に実質的に閉ざされた雰囲気または容
   器内に存在する有機溶媒で溶解させた金属錯体溶液から
   微量の金属錯体溶液を移送手段を用いて電子回路基板上
   の配線の断線部に移送して供給し、この供給された微量
   の金属錯体溶液に対してレーザ光を照射して加熱して導
   電性膜を形成して配線の断線部を接続し、更に少なくと
   も前記導電性膜の部分を不活性ガス雰囲気にして前記導
   電性膜に対してレーザ光を照射して導電性膜の電気的特
   性を向上するすることを特徴とする電子回路基板の配線
   修正方法。
5. 【請求項５】溶媒で溶解させた微量の金属溶液を電子回
   路基板上の配線の断線部に供給し、この供給された微量
   の金属溶液に対してレーザ光を照射して加熱して導電性
   膜を形成して配線断線部を接続し、該導電性膜が配線の
   断線部に隣接する配線若しくは電極に接触して短絡状態
   になった場合には前記配線若しくは電極の一部をレーザ
   加工により除去して切り離すことにより短絡状態を回避
   することを特徴とする電子回路基板の配線修正方法。
6. 【請求項６】溶媒で溶解させた微量の金属溶液を電子回
   路基板上の配線の断線部に供給し、この供給された微量
   の金属溶液に対してレーザ光を照射して加熱して導電性
   膜を形成して配線断線部を接続し、該導電性膜が配線の
   断線部に隣接する配線若しくは電極に接触して短絡状態
   になった場合には前記導電性膜の一部をレーザ加工によ
   り除去して切り離すことにより短絡状態を回避すること
   を特徴とする電子回路基板の配線修正方法。
7. 【請求項７】有機溶媒で溶解させた微量の金属錯体溶液
   を電子回路基板上の配線の断線部に供給し、この供給さ
   れた微量の金属錯体溶液に対してレーザ光を照射して加
   熱して導電性膜を形成して配線の断線部を接続し、該導
   電性膜が配線の断線部に隣接する配線若しくは電極に接
   触して短絡状態になった場合には前記配線若しくは電極
   の一部をレーザ加工により除去して切り離すことにより
   短絡状態を回避することを特徴とする電子回路基板の配
   線修正方法。
8. 【請求項８】有機溶媒で溶解させた微量の金属錯体溶液
   を電子回路基板上の配線の断線部に供給し、この供給さ
   れた微量の金属錯体溶液に対してレーザ光を照射して加
   熱して導電性膜を形成して配線の断線部を接続し、該導
   電性膜が配線の断線部に隣接する配線若しくは電極に接
   触して短絡状態になった場合には前記導電性膜の一部を
   レーザ加工により除去して切り離すことにより短絡状態
   を回避することを特徴とする電子回路基板の配線修正方
   法。
9. 【請求項９】前記電子回路基板上の配線が、ＴＦＴ基板
   上のドレイン配線であることを特徴とする請求項１乃至
   ８から選択される一つ記載の電子回路基板の配線修正方
   法。
10. 【請求項１０】ＴＦＴ基板上のドレイン線の断線部を金
    属を含む液体から熱分解して得られる金属からなる導電
    性膜により画素電極から電気的に離して接続したことを
    特徴とするＴＦＴ基板。
11. 【請求項１１】前記金属が、金、白金、パラジウムの何
    れかで形成したことを特徴とする請求項１０記載のＴＦ
    Ｔ基板。
12. 【請求項１２】電子回路基板を載置して位置決めを行う
    電子回路基板の位置決め機構と、溶媒で溶解された金属
    溶液を収納する容器と、該容器に収納された金属溶液か
    ら微量の金属溶液をピペットに充填し、このピペットに
    充填した微量の金属溶液を前記電子回路基板の位置決め
    機構によって位置決めされた電子回路基板上の配線断線
    部へ移送してピペットに供給された不活性ガス圧によっ
    て前記電子回路基板上の配線断線部に供給するピペット
    移送手段と、該ピペット移送手段によって電子回路基板
    上の配線断線部へ供給された微量の金属溶液に対してレ
    ーザ光源から出射されたレーザ光を集光照射をすること
    によって導電性膜を形成して配線断線部を接続する集光
    照射光学系とを備えたことを特徴とする電子回路基板の
    配線修正装置。
13. 【請求項１３】更に前記集光照射光学系によってレーザ
    光が集光照射されて導電性膜が形成される領域を不活性
    ガス雰囲気にする不活性ガス雰囲気形成手段を備えたこ
    とを特徴とする請求項１２記載の電子回路基板の配線修
    正装置。
14. 【請求項１４】前記集光照射光学系は、レーザ光を任意
    の大きさの矩形に成形する矩形可変スリットを備えたこ
    とを特徴とする請求項１２記載の電子回路基板の配線修
    正装置。
15. 【請求項１５】前記配線の欠陥位置を検出する欠陥位置
    検出光学系を備えたことを特徴とする請求項１２記載の
    電子回路基板の配線修正装置。
16. 【請求項１６】前記レーザ光源をパルスレーザ発振器と
    連続発振レーザ発振器とから構成したことを特徴とする
    請求項１２記載の電子回路基板の配線修正装置。
17. 【請求項１７】パルスレーザ発振器と連続発振レーザ発
    振器との各々からレーザ光を共通の光軸に結合する光学
    素子と、両方のレーザ光を任意の大きさの矩形に成形す
    る矩形可変スリットとを備えたことを特徴とする請求項
    １６記載の電子回路基板の配線修正装置。